KR20110069201A - Dispertion method of carbon nano sheet - Google Patents

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KR20110069201A KR1020090125826A KR20090125826A KR20110069201A KR 20110069201 A KR20110069201 A KR 20110069201A KR 1020090125826 A KR1020090125826 A KR 1020090125826A KR 20090125826 A KR20090125826 A KR 20090125826A KR 20110069201 A KR20110069201 A KR 20110069201A
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Abstract

PURPOSE: A carbon nano plate dispersion method is provided to enable uniform dispersion without folding of graphene oxide(GO) and graphene. CONSTITUTION: A carbon nano plate dispersion method comprises: a step of adding a dispersion solvent in a ratio of 50-10,000,000 weight based on 100 weight of carbon nano plate; a step of adding a polymer binder to a carbon nano plate-dispersion solvent in a ratio of 1-50,000 weight; and a step of adding surfactant to carbon nano plate-dispersion solvent. The carbon nano plate is graphene oxide(GO) or graphene(GP). The polymer binder is thermosetting resin, photo-crosslinking resin, silane compound, thermoplastic resin, or conductive polymer.

Description

탄소나노판 분산 방법{Dispertion method of Carbon nano sheet} Dispersion method of Carbon nano sheet

본 발명은 그라핀 또는 그라핀 산화물을 화학적, 물리적으로 분산시킨 후 용매, 바인더, 계면활성제, 분산제들을 다양하게 혼용하여 매우 안정한 용액상으로 분산시키는 분산기술에 관한 것이다.The present invention relates to a dispersion technique for dispersing graphene or graphene oxide chemically and physically, and then dispersing the solvent, binder, surfactant, and dispersant into a very stable solution.

탄소의 동소체는 탄소 간의 결합 형태에 따라 일반적으로 공유결합(sp3결합)을 갖는 다이아몬드와 파이결합을 갖는 흑연으로 나눌 수 있고 흑연층의 3차원적 구조에 따라 풀러렌, 탄소나노튜브(CNT), 그라핀(Graphene)으로 세분화될 수 있다. Allotropes of carbon can be divided into diamonds with covalent bonds (sp3 bonds) and graphites with pie bonds, depending on the form of bonds between carbons, and fullerenes, carbon nanotubes (CNTs), and graphenes, depending on the three-dimensional structure Can be broken down into pins.

그라핀(GP)은 일반적으로 기상증착법(CVD법), 화학적 탄소층 박리법들을 통하여 제조된다(Mater. Today 10, 2026 (2007)). 그라핀(GP)은 그라파이트의 단층이 완전히 고립되어 있는 상태의 소재를 의미하지만 10~20층 이하(10~20nm 이하)의 탄소층에서도 양자역학적 그라핀(GP) 고유의 물성이 살아있어 이들을 포함하는 개념 으로 사용되기도 한다. 이들의 구조는 sp2결합을 갖는 평면 벌집모양을 기본으로 하며, 여기에 혼성화된 sp 결합전자 4개 중 3개가 이용되고 나머지 전자 1개는 2차원적 평면 상하면에 파이 결합 형태로 존재하며 전기전도 물성에 중요한 역할을 하는 구조로 형성되기도 한다. 이론적 연구결과에 의하면 그라핀 표면에서의 전자들은 탄도적으로 움직이며(ballistic conduction) 길이에 상관없는 움직임을 보인다. 또한 허용 전류밀도가 109 A/cm2으로서 구리의 약 1,000 배이다. 그라핀의 이런 고전기전도성 물성은 금속성 탄소나노튜브(CNT)와 비슷하다. 작은 직경을 갖는 소재들을 양자점, 양자선, 양자판이라 부르는데, 특히 양자판에서는 두께의 의미가 강조되며, 양자판에서 전자의 움직임은 2차원 평면에 한정되며 두께 방향으로의 움직임은 드보르파의 직경보다 작기 때문에 그 움직임이 극히 제한된다. Graphene (GP) is generally manufactured through vapor deposition (CVD) and chemical carbon layer stripping (Mater. Today 10, 2026 (2007)). Graphene (GP) refers to a material in which a single layer of graphite is completely isolated, but even in a carbon layer of 10 to 20 layers or less (10 to 20 nm or less), the physical properties inherent to quantum mechanical graphene (GP) are included. It is also used as a concept. Their structure is based on a planar honeycomb with sp 2 bonds, of which three of the four sp-bonded electrons are used, and one of the remaining electrons is in the form of a pie bond on the top and bottom of the two-dimensional plane, and conducts electricity. It may be formed into a structure that plays an important role in physical properties. Theoretical findings indicate that the electrons on the graphene surface are ballistic conduction and move in any length. The allowable current density is 109 A / cm 2, which is about 1,000 times that of copper. Graphene's high conductivity properties are similar to those of metallic carbon nanotubes (CNTs). Materials with small diameters are called quantum dots, quantum wires, and quantum plates. In particular, the meaning of thickness is emphasized in quantum plates, and the movement of electrons in the quantum plates is confined to the two-dimensional plane, and the movement in the thickness direction is the diameter of Dvorpa. Smaller, the movement is extremely limited.

그라핀산화물(GO)은 탄소 표면층이 COOH, CHO, C=O, C-OH, SO3H, 인산 등과 같이 산화된 상태를 말하며 수용액에 녹아 있는 상태로 제조된다. 비록 그라핀산화물(GO)의 순도는 낮았지만 기존에는 그라파이트를 산화시키는 다양한 방법들이 알려져 왔다. 1859년 Bodie는 KCl과 질산증기를 이용하여 흑연 분말을 산화시켰다 (Phil. Trans. 149, 249 (1859)). 그 후 다양한 산(acid) 들이 흑연을 산화시키는 매체로 적용되어 왔다. 대표적으로 Hofman과 Frenzel(Ber. 53B, 1248(1930)) 그리고 Hamdi(Kolloid Beihefte, 54, 554 (1943))는 진한 황산과 63%질산을 흑연분말에 섞고 KCl용액을 천천히 넣어주면서 젖는 방법을 개발하였다. 1980년대 Hummers는 진한 황산, NaNO3, KMnO4를 이용하여 그라파이트 산화율을 극대화시켰다.Graphene oxide (GO) refers to a state in which the carbon surface layer is oxidized, such as COOH, CHO, C = O, C-OH, SO 3 H, phosphoric acid, and is dissolved in an aqueous solution. Although the purity of graphene oxide (GO) is low, various methods of oxidizing graphite have been known. In 1859 Bodie oxidized graphite powder using KCl and nitrate vapors (Phil. Trans. 149, 249 (1859)). Since then, various acids have been applied as a medium for oxidizing graphite. Representatives Hofman and Frenzel (Ber. 53B, 1248 (1930)) and Hamdi (Kolloid Beihefte, 54, 554 (1943)) developed a method of mixing concentrated sulfuric acid and 63% nitric acid with graphite powder and slowly adding KCl solution. It was. In the 1980s, Hummers maximized graphite oxidation rates using concentrated sulfuric acid, NaNO3, and KMnO4.

그러나 기존의 화학적, 물리적 방법들을 통하여 제조된 그라핀 및 그라핀 산화물의 응용화 기술로서 고도 분산화 기술과 복합화 기술은 크게 발달하지 못하여 그라핀과 그라핀 산화물의 상용화가 늦어지고 있다. 반면 다른 탄소 나노소재인 탄소나노튜브의 경우는 고도분산 기술이 약 10여 년간 활발히 이루어져 투명전도막, 태양전지 전극, 고전기 전도성 페이스트 등 많은 응용화 기술이 개발되어 있다.However, commercialization of graphene and graphene oxide has been delayed because highly dispersed and complexed technologies have not been developed as an application technology of graphene and graphene oxide prepared through conventional chemical and physical methods. On the other hand, carbon nanotubes, which are other carbon nanomaterials, have been actively developed for about 10 years, and many application technologies such as transparent conductive films, solar cell electrodes, and high-conductivity conductive pastes have been developed.

본 발명은 탄소나노튜브와 같이 화학적 분산법 및 혼합법을 이용하여 그라핀이나 그라핀산화물을 고도로 분산시킴으로서, 이를 박막코팅에 이용할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to highly disperse graphene or graphene oxide using a chemical dispersion method and a mixing method such as carbon nanotubes, and to use it for thin film coating.

다양한 코팅 분산액을 위해서는 우선 용매 자유도가 보장되어야 하며, 본 발명에서는 다양한 분산용매들이 개시된다. Solvent freedom must first be ensured for various coating dispersions, and various dispersion solvents are disclosed herein.

상기 분산용매에 그라핀산화물(GO) 또는 그라핀(GP)이 들어갈 경우 응집 및 침전이 일어나는 만큼(특히 탄소나노튜브와 달리 심하게 구겨짐) 바인더와 계면활성제가 필요하다. 본 발명에서는 구체적인 바인더 및 계면활성제가 개시된다.When graphene oxide (GO) or graphene (GP) enters into the dispersion solvent, binders and surfactants are required as much as aggregation and precipitation occur (particularly crumpled differently from carbon nanotubes). Specific binders and surfactants are disclosed herein.

본 발명의 핵심적인 특징으로서 다른 시스템(탄소나노튜브)에서는 계면활성제 혹은 바인더 단독으로도 뛰어난 물성을 보이는 경우가 많지만, 그라핀 및 그라핀 산화물의 경우 2차원적인 형태 때문에 용액상에서도 분산이 되어있다 하더라도 심하게 구겨져버린다. 즉, 구겨진 상태의 분산상태와 펼쳐져 있는 상태의 분산상태가 가능해진다. 본 발명에서는 용액상에서도 구겨지지 않고 펼쳐져 있는 상태의 분산용액을 제조하려 하였다. 이를 위해서는 용매, 계면활성제, 바인더 3개가 항상 들어가야 하며 어느 하나가 누락된 상태의 분산은 구겨진 상태의 분산이 되어버린다. 2차원 그라핀 또는 그라핀 산화물은 고유의 물성으로서, 진공상태에서나 용매 속에서 단독으로 존재하는 경우에는 엔트로피 증가의 법칙에 의하여 구겨진 형태로 가려고 한다. 구겨진 형태는 엔트로피가 증가된 상태이며 엔트로피가 감소된 판판한 형태보다 열역학적으로 안정하다. 분자구조적인 입장에서도 아주 얇은 판의 경우는 외부의 조그만 힘에도 접히게 되고(FOLDING), 접힌 부분에서 상호 결합이 일어나게 된다. 이렇게 결합이 일어나고 접히는 현상은 열역학적으로 안정해지려는 경향에서 온다. 즉, 2차원상의 아주 얇은 판은 열역학적으로 불안정한 상태이기 때문에 어떻게 하든 안정화되려고 하며 이는 구겨진 형태가 가장 적합하다. 만일 열역학적으로 불안하지만 어느 정도의 펴진 상태로 이들을 유지시키려면 외부에서 강제적인 힘이 동반되어야 한다. 그 강제적인 힘을 부여하는 것이 계면활성제와 폴리머 바인더이다. 이들은 2차원 평판 그라핀 사이에 적절히 침투하여 그라핀 끼리의 응집을 막아주는 한편 자체적으로 구겨지는 현상을 막아준다. 그러나 강하게 접히려는 현상을 막으려면 바인더 혹은 계면활성제 어는 하나만으로는 매우 어려우며, 계면활성제/바인더에 맞는 용매도 잘 선택해주어야 한다.In other systems (carbon nanotubes), as a key feature of the present invention, the surfactant or binder alone shows excellent physical properties. However, graphene and graphene oxide are dispersed even in solution because of their two-dimensional shape. Crumpled badly. In other words, the dispersed state of the wrinkled state and the dispersed state of the unfolded state are possible. In the present invention, it was intended to prepare a dispersion solution in the unfolded state in the solution phase. To this end, three solvents, a surfactant, and a binder must always be in. The dispersion in which one is missing becomes a crumpled dispersion. Two-dimensional graphene or graphene oxide has inherent physical properties, and when present alone in a vacuum or in a solvent, it tries to go in a crumpled form by the law of increasing entropy. The crumpled form is thermodynamically more stable than the flat form with increased entropy and reduced entropy. From a molecular structural point of view, very thin plates are folded by small external forces, and mutual bonding occurs at the folded parts. This phenomenon of bonding and folding comes from a tendency to be thermodynamically stable. In other words, two-dimensional, very thin plates are thermodynamically unstable, so they try to stabilize anyway, which is best suited for crumpled shapes. If thermodynamically unstable, to maintain them in some stretched state, they must be accompanied by external force. It is the surfactant and the polymer binder which give the forcing force. They penetrate properly between two-dimensional flat graphenes to prevent the graphenes from clumping together while preventing their own wrinkles. However, in order to prevent the strong folding, only one binder or a surfactant is very difficult and a solvent suitable for the surfactant / binder must be selected.

본 발명에서는 그라핀산화물(GP)과 그라핀(GO)을 "탄소나노판"이라는 용어로 통칭한다. 본 발명은 (a) 탄소나노판 100중량에 대해 50~10,000,000중량의 비율로 분산용매를 첨가하여 그라핀-분산용매 조성액을 제조하는 단계; (b) 상기 탄소나노판-분산용매 조성액에 폴리머 바인더를 탄소나노판 100중량에 대해 1~50,000중량의 비율로 첨가하여 탄소나노판-분산용매-바인더 조성액을 제조하는 단계; 및 (c) 상기 탄소나노판-분산용매-바인더 조성액에 계면활성제를 탄소나노판 100중량에 대해 0.01~100중량의 비율로 첨가하는 단계; 를 포함하는 탄소나노판 분산 방법을 제공한다.In the present invention, graphene oxide (GP) and graphene (GO) are collectively referred to as "carbon nano plate". The present invention comprises the steps of preparing a graphene-dispersed solvent composition by adding a dispersion solvent in a ratio of 50 to 10,000,000 weight with respect to 100 weight of carbon nanoplatelets; (b) adding a polymer binder to the carbon nanoplatelet-dispersed solvent composition at a ratio of 1 to 50,000 weight based on 100 weights of carbon nanoplatelet to prepare a carbon nanoplatelet-dispersed solvent-binder composition; And (c) adding a surfactant to the carbon nanoplatelet-dispersed solvent-binder composition in a ratio of 0.01 to 100 wt% based on 100 wt% of carbon nanoplate; It provides a carbon nano plate dispersion method comprising a.

본 발명에 따르면 그라핀산화물(GO)과 그라핀(GP)가 접히지 않고 고르게 분산된 분산액을 얻을 수 있다.According to the present invention, it is possible to obtain a dispersion in which graphene oxide (GO) and graphene (GP) are uniformly dispersed without being folded.

1. One. 그라핀산화물과Graphene oxide 그라핀의Graphene 제조방법 Manufacturing method

본 발명에 적용되는 그라핀산화물(GO) 제조방법의 일 예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 흑연 분말 2.5g과 NaNO3 2g을 90mL H2SO4 용액에 넣고 냉각시키면서 KMnO4 10~13g을 1시간에 걸쳐 천천히 넣어 준다. 그 후 4~7% H2SO4 250ml을 1시간에 걸쳐 천천히 넣어주고 H2O2를 넣어준다. 그 후 원심 분리하여 침전물을 3% H2SO4/0.5%H2O2 및 증류수로 씻어주면 황갈색의 걸쭉한 그라핀산화물(약간 젤 상태)이 얻어진다. 위 반응에서 화학적 산화제로는 Mn3 +, Mn4 +, MnO2, KMnO4, HNO3, HNO4, CrO3 등을 사용할 수 있다. [도 1]의 (a)는 흑연분말로부터 제조된 그라핀산화물 용액을 촬영한 사진이다. 이렇게 제조된 그라핀산화물(GO)에 화학적 환원 처리를 함으로써 그라핀(GP)을 제조할 수 있게 된다. 화학적 환원방법의 일 예를 구체적으로 살펴보면 3% 그라핀 수용액 2g에 증류수 100ml를 넣어서 잘 분산 시킨 후 히드라진 수화물(hydrazine hydrate) 1ml를 넣고 100℃에서 24시간 환원처리한다. 검은색으로 환원된 그라핀들은 거름종이로 걸러 물과 메탄올을 이용하여 세척해준다. [도 1]의 (b)는 그라핀산화물 용액을 화학적으로 환원시켜 제조한 그라핀 분말을 도시한 것이다.Hereinafter, an example of a graphene oxide (GO) manufacturing method applied to the present invention will be described in detail. Add 2.5 g of graphite powder and 2 g of NaNO 3 to 90 mL H 2 SO 4 solution, and slowly add 10-13 g of KMnO 4 over 1 hour while cooling. Then, slowly add 250 ml of 4-7 % H 2 SO 4 over 1 hour, and add H 2 O 2 . After centrifugation, the precipitate was washed with 3% H 2 SO 4 /0.5%H 2 O 2 and distilled water to give a yellowish brown thick graphene oxide (slightly gel state). In the above reaction, Mn 3 + , Mn 4 + , MnO 2 , KMnO 4 , HNO 3 , HNO 4 , CrO 3 , and the like may be used. (A) of FIG. 1 is a photograph of a graphene oxide solution prepared from graphite powder. The graphene oxide (GO) thus prepared is subjected to chemical reduction treatment to produce graphene (GP). Looking at an example of the chemical reduction method in detail, 100ml of distilled water in 2g of 3% graphene aqueous solution to disperse well, and then 1ml of hydrazine hydrate is added and reduced at 100 ° C for 24 hours. The graphene reduced to black is filtered through a filter paper and washed with water and methanol. FIG. 1B illustrates graphene powder prepared by chemically reducing the graphene oxide solution.

본 발명은 위와 같이 제조된 그라핀산화물(GO)과 그라핀(GP)을 고르게 분산시키는 방법에 관한 것이다. 이하에서는 상기 그라핀산화물(GO)과 그라핀(GP)을 탄소나노판이라 통칭하며, 본 발명을 이루는 (a) 탄소나노판-분산용매 조성액 제조단계, (b) 폴리머 바인더 첨가단계, (c) 계면활성제 첨가단계를 각각 구체적으로 설명하기로 한다. The present invention relates to a method for evenly dispersing the graphene oxide (GO) and graphene (GP) prepared as described above. Hereinafter, the graphene oxide (GO) and graphene (GP) are collectively referred to as carbon nanoplate, and (a) preparing a carbon nanoplatelet-dispersed solvent composition of the present invention, (b) adding a polymer binder, (c) ) Each of the surfactant addition steps will be described in detail.

2. (a)단계2. Step (a)

본 (a)단계는 탄소나노판 100중량에 대해 50~10,000,000중량의 비율로 분산용매를 첨가하여 그라핀-분산용매 조성액을 제조하는 단계이다.This step (a) is a step of preparing a graphene-dispersed solvent composition by adding a dispersion solvent in a ratio of 50 to 10,000,000 weight with respect to 100 weight of carbon nanoplate.

상기 분산용매로는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 에틸렌 글리콜, 폴리 에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐 린, 디메틸설폭사이드, 메틸렌클로라이드, 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 에틸아세테이트, 공용매, 아마이드 계열의 N,N-디메틸포름아마이드(N,N-dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone, NMP), 수산화암모늄-염산(NH2OH)(HCl)수용액, 알파-테피놀(Terpinol) 중 어느 하나를 선택적으로 적용할 수 있다.As the dispersion solvent, acetone, methyl ethyl ketone, methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, ethylene glycol, ethylene glycol, polyethylene glycol, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexane, cyclohexanone, toluene, chloroform, distilled water, dichlorobenzene, dimethylbenzene, trimethylbenzene, pyridine, methylnaphthalene, nitromethane, acrylonitrile, octadecylamine, aniline, Dimethyl sulfoxide, methylene chloride, diethylene glycol methyl ethyl ether, ethyl acetate, cosolvent, amide-based N, N-dimethylformamide (N, N-dimethylformamide, DMF), N-methylpyrrolidone , NMP), ammonium hydroxide-hydrochloric acid (NH 2 OH) (HCl) aqueous solution, alpha-Tepinol (Terpinol) may optionally be applied.

이 때, 상기 공용매로서는 클로로포름, 메틸에틸키톤, 포름산, 니트로에탄BBB, 2-에톡시 에탄올, 2-메톡시 에탄올, 2-부톡시 에탄올, 2-메톡시 프로판올, 에틸렌 글리콜, 아세톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드, 메틸렌클로라 중 어느 하나 이상이 혼합된 것을 적용할 수 있다.In this case, as the cosolvent, chloroform, methyl ethyl ketone, formic acid, nitroethane BBB, 2-ethoxy ethanol, 2-methoxy ethanol, 2-butoxy ethanol, 2-methoxy propanol, ethylene glycol, acetone, methyl alcohol , Ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, ethylene glycol, polyethylene glycol, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexane, cyclohexanone, toluene One or more of chloroform, distilled water, dichlorobenzene, dimethylbenzene, trimethylbenzene, pyridine, methylnaphthalene, nitromethane, acrylonitrile, octadecylamine, aniline, dimethylsulfoxide, and methylenechlor may be applied. have.

3. (b)단계3. (b)

본 (b)단계는 상기 탄소나노판-분산용매 조성액에 폴리머 바인더를 탄소나노판 100중량에 대해 1~50,000중량의 비율로 첨가하는 단계이다. 특히, 상기 폴리머 바인더를 탄소나노판 100중량에 대해 20~600중량의 비율로 첨가하는 것이 탄소나노 판의 구겨짐 방지 및 고른 분산을 위해 가장 적합하다. The step (b) is a step of adding a polymer binder to the carbon nanoplatelet-dispersed solvent composition in a ratio of 1 to 50,000 weight based on 100 weight of carbon nanoplatelets. In particular, the addition of the polymer binder in a ratio of 20 to 600 weight based on 100 weight of carbon nanoplates is most suitable for preventing wrinkles and even dispersion of the carbon nanoplates.

상기 폴리머 바인더는 열경화성 수지, 광경화성 수지, 가수분해하여 축합반응을 일으키는 실란화합물, 열가소성 수지, 전도성 고분자 중 어느 하나를 적용할 수 있다. The polymer binder may be any one of a thermosetting resin, a photocurable resin, a silane compound, a thermoplastic resin, and a conductive polymer that hydrolyze to cause a condensation reaction.

상기 열경화성 수지로는 우레탄, 에폭시, 멜라민, 폴리이미드, PVA 중 어느 하나 이상을 적용할 수 있다.As the thermosetting resin, any one or more of urethane, epoxy, melamine, polyimide, and PVA may be applied.

상기 광경화성 수지는 에폭시, 폴리에틸렌옥사이드, 우레탄 중 어느 하나 이상을 적용할 수 있다. 또한, 반응성 올리고머로서, 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 폴리에테르 아크릴레이트, 티올레이트, 유기실리콘 고분자, 유기실리콘 공중합체 중 어느 하나 이상을 적용할 수 있다. 또한, 단관능 모노머로서, 2-에틸헥실아크릴레이트, 올틸데실아크릴레이트, 이소데실아크릴레이트, 드리데실메타크릴레이트, 2-페녹시에틸아크릴레이트, 노닐페놀에톡시레이크모노아크릴레이트, 테트라하이드로퍼푸릴레이트, 에톡시에틸아크릴레이트, 하이드록시에틸아크릴레이트, 하이드록시에틸메타아크릴레이트, 하이드록시프로필아크릴레이트, 하이드록시프로필메타아크릴레이트, 하이드록시부틸아크릴레이트, 하이드록시부틸메타아크릴레이트 중 어느 하나 이상을 적용할 수 있다. 또한, 2관능 모노머로서, 1,3-부탄디올디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥 산디올디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 드리에틸렌글리콜디 메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트 중 어느 하나 이상을 적용할 수 있다. 또한, 3관능 모노머로서, 트리메틸올프로판드리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 글리시딜펜타트리아크릴레이트, 글리시딜펜타트리아크릴레이트 중 어느 하나 이상을 적용할 수 있다. 이러한 광경화성 수지에는 벤조페논계, 벤질디메틸케탈계, 아세토페논계, 안트라퀴논계, 티윽소잔톤계 중 어느 하나 이상의 광개시제를 첨가시킬 수 있다.The photocurable resin may be applied to any one or more of epoxy, polyethylene oxide, urethane. As the reactive oligomer, any one or more of epoxy acrylate, polyester acrylate, urethane acrylate, polyether acrylate, thiolate, organosilicon polymer, and organosilicon copolymer can be applied. In addition, as a monofunctional monomer, 2-ethylhexyl acrylate, oltyl decyl acrylate, isodecyl acrylate, dredyl methacrylate, 2-phenoxy ethyl acrylate, nonyl phenol ethoxy lake monoacrylate, tetrahydroper Any of furylate, ethoxyethyl acrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, hydroxypropyl methacrylate, hydroxybutyl acrylate, hydroxybutyl methacrylate One or more may apply. Moreover, as a bifunctional monomer, 1, 3- butanediol diacrylate, 1, 4- butanediol diacrylate, 1, 6-hexanoic diol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, driethylene glycol dimethacrylate, Apply any one or more of neopentyl glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol methacrylate, polyethylene glycol dimethacrylate, tripropylene glycol diacrylate, and 1,6-hexanediol diacrylate can do. Moreover, as a trifunctional monomer, any one or more of a trimethylol propane acrylate, a trimethylol propane trimethacrylate, a pentaerythritol triacrylate, a glycidyl penta triacrylate, and a glycidyl penta triacrylate can be applied. Can be. A photoinitiator of any one or more of benzophenone series, benzyl dimethyl ketal series, acetophenone series, anthraquinone series, thioxosoxane series can be added to the photocurable resin.

상기 가수분해하여 축합반응을 일으키는 실란화합물은 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-i-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란 중 어느 하나 이상으로 이루어진 테트라알콕시실란류를 적용할 수 있다. 또한, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, i-프로필트리메톡시실란, i-프로필트리에톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-펜틸트리메톡시실란, n-헥실트리메톡시실란, n-헵틸트리메톡시실란, n-옥틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 시클로헥실트리메톡시실란, 시클로헥실트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리에톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리 메톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 2-히드록시에틸트리메톡시실란, 2-히드록시에틸트리에톡시실란, 2-히드록시프로필트리메톡시실란, 2-히드록시프로필트리에톡시실란, 3-히드록시프로필트리메톡시실란, 3-히드록시프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 33-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란 중 어느 하나 이상으로 이루어진 트리알콕시실란류를 적용할 수 있다. 또한, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디-n-프로필디메톡시실란, 디-n-프로필디에톡시실란, 디-i-프로필디메톡시실란, 디-i-프로필디에톡시실란, 디-n-부틸디메톡시실란, 디-n-부틸디에톡시실란, 디-n-펜틸디메톡시실란, 디-n-펜틸디에톡시실란, 디-n-헥실디메톡시실란, 디-n-헥실디에톡시실란, 디-n-헵틸디메톡시실란, 디-n-헵틸디에톡시실란, 디-n-옥틸디메톡시실란, 디-n-옥틸디에톡시실란, 디-n-시클로헥실디메톡시실란, 디-n-시클로헥실디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란 중 어느 하나 이상으로 이루어진 디알콕시실란류를 적용할 수 있다.상기 디알콕시실란류는 분산안정제 역할도 한다. The silane compound hydrolyzing to cause a condensation reaction is composed of any one or more of tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-propoxysilane and tetra-n-butoxysilane. Tetraalkoxysilanes can be applied. In addition, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, i-propyltriethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-pentyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-heptyltrimethoxysilane, n- Octyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimeth Methoxysilane, 3-chloropropyltriethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltri methoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane , 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-hydroxyethyltrimethoxysilane, 2-hydroxyethyltriethoxy Silane, 2-hydroxypropyltrimethoxysilane, 2-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-hydroxypropyltrimethoxysilane, 3-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxy Silane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, 33-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxy Silane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, 3 Trialkoxysilanes consisting of any one or more of-(meth) acryloxypropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane and 3-ureidopropyltriethoxysilane can be used. Further, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-i-propyldimethoxysilane , Di-i-propyldiethoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n-butyldiethoxysilane, di-n-pentyldimethoxysilane, di-n-pentyldiethoxysilane, di-n- Hexyldimethoxysilane, di-n-hexyldiethoxysilane, di-n-heptyldimethoxysilane, di-n-heptyldiethoxysilane, di-n-octyldimethoxysilane, di-n-octyldiethoxysilane, The dialkoxysilanes which consist of any one or more of di-n-cyclohexyldimethoxysilane, di-n-cyclohexyl diethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, and diphenyl diethoxysilane can be used. Silanes also act as dispersion stabilizers.

상기 열가소성 수지로는 폴리스티렌, 폴리스티렌 유도체, 폴리스티렌 부타디엔 공중합체, 폴리카보네이트, 폴리염화비닐, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리에테르이미드, 폴리아크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아믹산, 셀룰로오스 아세테이트, 폴리아미드, 폴리올레핀, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에테 르케톤, 폴리옥시에틸렌 중 어느 하나 이상을 적용할 수 있다.The thermoplastic resin may be polystyrene, polystyrene derivative, polystyrene butadiene copolymer, polycarbonate, polyvinyl chloride, polysulfone, polyether sulfone, polyetherimide, polyacrylate, polyester, polyimide, polyamic acid, cellulose acetate, poly Any one or more of amide, polyolefin, polymethylmethacrylate, polyetherketone, and polyoxyethylene can be applied.

상기 전도성 고분자로는 폴리티오펜계 단일중합체, 폴리티오펜계 공중합체, 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 펜타센계 화합물 중 어느 하나 이상을 적용할 수 있다.As the conductive polymer, any one or more of polythiophene homopolymer, polythiophene copolymer, polyacetylene, polyaniline, polypyrrole, poly (3,4-ethylenedioxythiophene), pentacene-based compound may be applied. .

4. (c)단계4. Step (c)

본 (c)단계는 상기 탄소나노판-분산용매 조성액에 계면활성제를 탄소나노판 100중량에 대해 0.01~100중량의 비율로 첨가하는 단계이다. 특히, 상기 계면활성제를 탄소나노판 100중량에 대해 0.01~5중량의 비율로 첨가하는 것을 탄소나노판의 접힘 방지 및 고른 분산을 위해 가장 바람직하다. This step (c) is a step of adding a surfactant to the carbon nanoplatelet-dispersed solvent composition in a ratio of 0.01 to 100% by weight based on 100 weight of carbon nanoplatelets. In particular, the addition of the surfactant at a ratio of 0.01 to 5 weights based on 100 weights of carbon nanoplates is most preferable for preventing the folding of the carbon nanoplates and even dispersion.

상기 계면활성제로는 트리톤 엑스백(Triton X-100), 폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드-폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리비닐피롤, 폴리비닐알코올, 가넥스, 전분, 단당류, 다당류, 도데실벤젠술폰산 나트륨, 도데실벤젠설폰산나트륨(NaDDBS), 도데실설폰산나트륨(SDS), 4-비닐벤조산 세실트리메틸암모늄, 파이렌 계 유도체, 검 아라빅(GA), 나피온 중 어느 하나 이상을 적용할 수 있다. 또한, 리튬도데실설페이트(LDS), 세실트리메틸암묘늄클로라이드(CTAC), 도데실-트리메틸 암모늄브로마이드(DTAB), 펜타옥소에틸렌도실 에테르, 덱스트린, 폴리에틸렌옥사이드, 에틸렌 셀룰로오스, 검 아라빅, BYK110(1-Methoxy-2-propyl acetate 용매 상에 용해된 60중량% 블록공중합체), BYK410(라벨링제) 중 어느 하나를 적용할 수도 있다.The surfactant may include Triton X-100, polyethylene oxide, polyethylene oxide-polypropylene oxide copolymer, polyvinylpyrrole, polyvinyl alcohol, ganex, starch, monosaccharide, polysaccharide, sodium dodecylbenzenesulfonate, One or more of sodium dodecylbenzenesulfonate (NaDDBS), sodium dodecylsulfonate (SDS), 4-vinylbenzoic acid cesyltrimethylammonium, pyrene derivatives, gum arabic (GA), and Nafion can be used. In addition, lithium dodecyl sulfate (LDS), cesyltrimethyl ammonium chloride (CTAC), dodecyl-trimethyl ammonium bromide (DTAB), pentaoxoethylenedosil ether, dextrin, polyethylene oxide, ethylene cellulose, gum arabic, BYK110 ( Any one of 60 wt% block copolymer dissolved in 1-Methoxy-2-propyl acetate solvent) and BYK410 (labeling agent) may be applied.

한편, 분산용액을 복합체 기재의 표면 등에 코팅하여 그래핀 복합체를 형성하는 경우에는 그 농도 등을 조정하기 위하여 희석용 용매를 첨가할 수 있다. 특히, 상기 분산용액을 투명전도성 필름용으로 사용하기 위해서 기재 상면에 코팅시킬 때에는, 코팅방법에 따라 농도를 조절하여야 하므로, 최종적인 GP 혹은 GO 분산용액에 희석용 용매가 더 첨가될 수 있으며, 상기 희석용 용매는 전체 분산용액의 40~99%를 차지하게 된다. 또한, 상기 희석용 용매는 바인더의 종류에 따라 바인더 용해용매 또는 분산용매의 사용 없이 단독으로 사용할 수도 있다. On the other hand, when the dispersion solution is coated on the surface of the composite substrate to form a graphene composite, a dilution solvent may be added to adjust the concentration and the like. In particular, when the dispersion solution is coated on the upper surface of the substrate in order to use for the transparent conductive film, since the concentration should be adjusted according to the coating method, a solvent for dilution may be further added to the final GP or GO dispersion solution, The dilution solvent accounts for 40 to 99% of the total dispersion. In addition, the dilution solvent may be used alone without the use of a binder dissolving solvent or a dispersion solvent depending on the type of binder.

이때 상기 희석용 용매는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드, 메틸렌클로라이드 중 어느 하나 이상이 혼합된 것을 사용하는 것이 바람 직하다. At this time, the solvent for dilution is acetone, methyl ethyl ketone, methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, ethylene glycol, polyethylene glycol, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl 2-pyrrolidone, hexane, cyclohexanone, toluene, chloroform, distilled water, dichlorobenzene, dimethylbenzene, trimethylbenzene, pyridine, methylnaphthalene, nitromethane, acrylonitrile, octadecylamine, aniline, dimethyl sulfoxide, It is preferable to use a mixture of any one or more of methylene chloride.

5. 5. 실시예Example

이하에서는, 첨부된 도면을 통하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다. [도 1]의 (a)는 흑연분말로부터 제조된 그라핀산화물 용액을, [도 1]의 (b)는 그라핀산화물 용액을 화학적으로 환원시켜 제조한 그라핀 분말을 도시한 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. (A) of FIG. 1 illustrates a graphene powder prepared by chemically reducing a graphene oxide solution prepared from graphite powder, and (b) of FIG. 1.

[도 2]의 (a) 및 (d)는 증류수(분산용매)에 그라핀산화물(GO)을 1wt% 첨가하고, PVA(폴리머 바인더) 5wt% 및 SDS(계면활성제) 0.01wt%를 추가로 첨가하여 그라핀산화물을 함유한 분산액을 제조하고 ([도 2]의 (a)). 이 분산액을 유리 표면에 스핀코팅하여 약 300nm 두께의 그라핀 산화물 함유 박막을 제조한 모습을 보여준다([도 2]의 (d)). (A) and (d) of FIG. 2 add 1 wt% of graphene oxide (GO) to distilled water (dispersed solvent), and further add 5 wt% of PVA (polymer binder) and 0.01 wt% of SDS (surfactant). It was added to prepare a dispersion containing the graphene oxide ([a] of FIG. 2). The dispersion was spin coated onto a glass surface to show a graphene oxide-containing thin film having a thickness of about 300 nm ((d) of FIG. 2).

[도 2]의 (b) 및 (e)는 증류수(분산용매)에 그라핀(GP)을 5wt% 첨가하고, PVA(폴리머 바인더) 6wt% 및 SDS(계면활성제) 0.1wt%를 첨가하여 그라핀 함유 분산액을 제조하고([도 2]의 (b)). 이 분산액을 유리 표면에 스핀코팅하여 약 300nm 두께의 그라핀 함유 박막을 제조한 모습을 보여준다([도 2]의 (e)).(B) and (e) of FIG. 2 are graphene added by adding 5 wt% of graphene (GP) to distilled water (dispersed solvent), and adding 6 wt% of PVA (polymer binder) and 0.1 wt% of SDS (surfactant). A pin-containing dispersion was prepared ((b) of FIG. 2). The dispersion was spin coated onto a glass surface to show a graphene-containing thin film having a thickness of about 300 nm ((e) of FIG. 2).

[도 2]의 (c) 및 (f)는 증류수(분산용매)에 그라핀(GP)을 2wt% 첨가하고, PVA(폴리머 바인더) 5wt% 및 도데실벤젠술폰산 나트륨(계면활성제) 0.01wt%를 첨가하여 그라핀 분산액을 제조하고([도 2]의 (c)), 이 분산액을 유리 표면에 스핀코팅하여 약 300nm 두께의 그라핀 함유 박막을 제조한 모습을 보여준다([도 2]의 (f)).(C) and (f) of FIG. 2 show that 2 wt% of graphene (GP) is added to distilled water (dispersion solvent), 5 wt% of PVA (polymer binder) and 0.01 wt% of sodium dodecylbenzenesulfonate (surfactant). To prepare a graphene dispersion ([c] of FIG. 2), and spin-coat the dispersion onto a glass surface to show a graphene thin film having a thickness of about 300 nm (FIG. 2). f)).

위와 같이 제조된 분산액을 만일 투명전도막필름에 이용하고자 한다면 GP,GO 100중량에 대해 바인더 20~600중량, 용해용매 50~10000000중량의 비율이 대표적인 분산 조성액으로서 개시된다. 구체적인 예로서, GP 100중량에 대해 PVA 3000중량, 물 30000중량, SDS 3 중량부로만들어진 분산액을 RPM 200으로 유리기판에 코팅하고 80도에서 건조한 결과 투과율 75%에 면저항 4.8K 오옴이 얻어졌다.If the dispersion prepared as described above is to be used for the transparent conductive film film, the ratio of 20 to 600 weight of the binder and 50 to 10000000 weight of the solvent for the GP, GO 100 weight is disclosed as a representative dispersion composition. As a specific example, a dispersion made of 3000 parts by weight of PVA, 30000 parts by weight of water, and 3 parts by weight of SDS was coated on a glass substrate at RPM 200 and dried at 80 degrees to obtain 75% transmittance and 4.8K ohm sheet resistance.

[도 1]은 그라핀 산화물 용액과 그라핀 분말을 촬영한 사진이다.1 is a photograph of a graphene oxide solution and graphene powder.

[도 2]의 (a)~(c)는 구체적으로 제조된 그라핀산화물 분산액 또는 그라핀 분산액을 도시한 것이고, [도 2]의 (d)~(f)는 위 분산액을 이용하여 그라핀 산화물 함유 박막 또는 그라핀 함유박막을 제조한 예의 사진들이다.(A)-(c) of FIG. 2 illustrates a graphene oxide dispersion or graphene dispersion liquid prepared in detail, and (d)-(f) of [FIG. 2] graphene using the above dispersion It is photographs of the example which manufactured the oxide containing thin film or the graphene containing thin film.

Claims (20)

(a) 탄소나노판 100중량에 대해 50~10,000,000중량의 비율로 분산용매를 첨가하여 그라핀-분산용매 조성액을 제조하는 단계;(a) preparing a graphene-dispersed solvent composition by adding a dispersion solvent in a ratio of 50 to 10,000,000 weight with respect to 100 weight of carbon nanoplatelets; (b) 상기 탄소나노판-분산용매 조성액에 폴리머 바인더를 탄소나노판 100중량에 대해 1~50,000중량의 비율로 첨가하는 단계; 및(b) adding a polymer binder to the carbon nanoplatelet-dispersed solvent composition at a ratio of 1 to 50,000 wt% based on 100 wt% of carbon nanoplate; And (c) 상기 탄소나노판-분산용매 조성액에 계면활성제를 탄소나노판 100중량에 대해 0.01~100중량의 비율로 첨가하는 단계; 를 포함하는 탄소나노판 분산 방법. (c) adding a surfactant to the carbon nanoplatelet-dispersed solvent composition in a ratio of 0.01 to 100 wt% based on 100 wt% of carbon nanoplate; Carbon nanoplate dispersion method comprising a. 제1항에서,In claim 1, 상기 탄소나노판은 그라핀산화물(GO) 또는 그라핀(GP)인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The carbon nano plate is a carbon nano plate dispersion method characterized in that the graphene oxide (GO) or graphene (GP). 제1항에서,In claim 1, 상기 (b)단계에서는 폴리머 바인더를 탄소나노판 100중량에 대해 20~600중량의 비율로 첨가하고, In step (b), the polymer binder is added at a ratio of 20 to 600 weight based on 100 weight of carbon nanoplate, 상기 (c)단계에서는 계면활성제를 탄소나노판 100중량에 대해 0.01~5중량의 비율로 첨가하는 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.In the step (c), the carbon nanoplate dispersion method, characterized in that the surfactant is added in a ratio of 0.01 to 5% by weight with respect to 100 carbon nanoplatelets. 제1항에서,In claim 1, 상기 분산용매는 상기 분산용매는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 에틸렌 글리콜, 폴리 에틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드, 메틸렌클로라이드, 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 에틸아세테이트, 공용매, 아마이드 계열의 N,N-디메틸포름아마이드(N,N-dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone,NMP), 수산화암모늄-염산(NH2OH)(HCl)수용액, 알파-테피놀(Terpinol) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The dispersion solvent is acetone, methyl ethyl ketone, methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, ethylene glycol, ethylene glycol, polyethylene glycol, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethyl Acetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexane, cyclohexanone, toluene, chloroform, distilled water, dichlorobenzene, dimethylbenzene, trimethylbenzene, pyridine, methylnaphthalene, nitromethane, acrylonitrile, octadecylamine, Aniline, dimethyl sulfoxide, methylene chloride, diethylene glycol methyl ethyl ether, ethyl acetate, cosolvent, amide-based N, N-dimethylformamide (N, N-dimethylformamide, DMF), N-methylpyrrolidone (N -methylpyrrolidone, NMP), ammonium hydroxide-hydrochloric acid (NH 2 OH) (HCl) aqueous solution, alpha-tepinol (Terpinol) characterized in that any one of carbon nanoplate dispersion method. 제4항에서,In claim 4, 상기 공용매는 클로로포름, 메틸에틸키톤, 포름산, 니트로에탄BBB, 2-에톡시 에탄올, 2-메톡시 에탄올, 2-부톡시 에탄올, 2-메톡시 프로판올, 에틸렌 글리콜, 아세톤, 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부틸알콜, 에틸렌글라이콜, 폴리에 틸렌글라이콜, 테트라하이드로푸란, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, 헥산, 사이클로헥사논, 톨루엔, 클로로포름, 증류수, 디클로로벤젠, 디메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 피리딘, 메틸나프탈렌, 니트로메탄, 아크릴로니트릴, 옥타데실아민, 아닐린, 디메틸설폭사이드, 메틸렌클로라 중 어느 하나 이상이 혼합된 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The cosolvent is chloroform, methyl ethyl ketone, formic acid, nitroethane BBB, 2-ethoxy ethanol, 2-methoxy ethanol, 2-butoxy ethanol, 2-methoxy propanol, ethylene glycol, acetone, methyl alcohol, ethyl alcohol, Isopropyl alcohol, butyl alcohol, ethylene glycol, polyethylene glycol, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexane, cyclohexanone, toluene, chloroform Carbon nano, characterized in that any one or more of distilled water, dichlorobenzene, dimethylbenzene, trimethylbenzene, pyridine, methylnaphthalene, nitromethane, acrylonitrile, octadecylamine, aniline, dimethyl sulfoxide, methylene chloride Plate dispersion method. 제1항에서,In claim 1, 상기 폴리머 바인더는 열경화성 수지, 광경화성 수지, 가수분해하여 축합반응을 일으키는 실란화합물, 열가소성 수지, 전도성 고분자 중 어느 하나The polymer binder may be any one of a thermosetting resin, a photocurable resin, a silane compound which hydrolyzes to cause a condensation reaction, a thermoplastic resin, and a conductive polymer. 탄소나노판 분산 방법Carbon Nanoplate Dispersion Method 제6항에서,In claim 6, 상기 열경화성 수지는 우레탄, 에폭시, 멜라민, 폴리이미드, PVA 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The thermosetting resin is a carbon nanoplate dispersion method, characterized in that any one or more of urethane, epoxy, melamine, polyimide, PVA. 제6항에서,In claim 6, 상기 광경화성 수지는 에폭시, 폴리에틸렌옥사이드, 우레탄 중 어느 하나 이 상인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The photocurable resin is carbon nanoplate dispersion method, characterized in that any one or more of epoxy, polyethylene oxide, urethane. 제6항에서,In claim 6, 상기 광경화성 수지는 반응성 올리고머로서, 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 폴리에테르 아크릴레이트, 티올레이트, 유기실리콘 고분자, 유기실리콘 공중합체 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The photocurable resin is a reactive oligomer, carbon nanoplate dispersion, characterized in that any one or more of epoxy acrylate, polyester acrylate, urethane acrylate, polyether acrylate, thiolate, organosilicon polymer, organosilicon copolymer Way. 제6항에서,In claim 6, 상기 광경화성 수지는 단관능 모노머로서, 2-에틸헥실아크릴레이트, 올틸데실아크릴레이트, 이소데실아크릴레이트, 드리데실메타크릴레이트, 2-페녹시에틸아크릴레이트, 노닐페놀에톡시레이크모노아크릴레이트, 테트라하이드로퍼푸릴레이트, 에톡시에틸아크릴레이트, 하이드록시에틸아크릴레이트, 하이드록시에틸메타아크릴레이트, 하이드록시프로필아크릴레이트, 하이드록시프로필메타아크릴레이트, 하이드록시부틸아크릴레이트, 하이드록시부틸메타아크릴레이트 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The photocurable resin is a monofunctional monomer, 2-ethylhexyl acrylate, oltyl decyl acrylate, isodecyl acrylate, dredyl methacrylate, 2-phenoxyethyl acrylate, nonylphenol ethoxy lake monoacrylate, Tetrahydrofurfurylate, ethoxyethyl acrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, hydroxypropyl methacrylate, hydroxybutyl acrylate, hydroxybutyl methacryl Carbon nanoplate dispersion method, characterized in that any one or more of the rate. 제6항에서,In claim 6, 상기 광경화성 수지는 2관능 모노머로서, 1,3-부탄디올디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 드리에틸렌글리콜디 메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.Said photocurable resin is a bifunctional monomer, 1, 3- butanediol diacrylate, 1, 4- butanediol diacrylate, 1, 6- hexanediol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, driethylene glycol di meta Any of acrylate, neopentyl glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol methacrylate, polyethylene glycol dimethacrylate, tripropylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate Carbon nanoplate dispersion method characterized by the above. 제6항에서,In claim 6, 상기 광경화성 수지는 3관능 모노머로서, 트리메틸올프로판드리아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 글리시딜펜타트리아크릴레이트, 글리시딜펜타트리아크릴레이트 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The photocurable resin is a trifunctional monomer, which is any one or more of trimethylolpropane acrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, glycidyl pentatriacrylate, and glycidyl pentatriacrylate. Carbon nanoplate dispersing method, characterized in that. 제6항에서,In claim 6, 상기 광경화성 수지에는 벤조페논계, 벤질디메틸케탈계, 아세토페논계, 안트라퀴논계, 티윽소잔톤계 중 어느 하나 이상의 광개시제가 첨가된 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.Carbon nanoplate dispersion method characterized in that any one or more photoinitiator of the benzophenone-based, benzyl dimethyl ketal, acetophenone-based, anthraquinone-based, thioxosoxane-based is added to the photocurable resin. 제6항에서,In claim 6, 상기 가수분해하여 축합반응을 일으키는 실란화합물은 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-i-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란 중 어느 하나 이상으로 이루어진 테트라알콕시실란류인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The silane compound hydrolyzing to cause a condensation reaction is composed of any one or more of tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-propoxysilane and tetra-n-butoxysilane. It is tetraalkoxysilanes. The carbon nanoplate dispersion method characterized by the above-mentioned. 제6항에서,In claim 6, 상기 가수분해하여 축합반응을 일으키는 실란화합물은 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, i-프로필트리메톡시실란, i-프로필트리에톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-펜틸트리메톡시실란, n-헥실트리메톡시실란, n-헵틸트리메톡시실란, n-옥틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 시클로헥실트리메톡시실란, 시클로헥실트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리에톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 2-히드록시에틸트리메톡시실란, 2-히드록시에틸트리에톡시실란, 2-히 드록시프로필트리메톡시실란, 2-히드록시프로필트리에톡시실란, 3-히드록시프로필트리메톡시실란, 3-히드록시프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 33-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란 중 어느 하나 이상으로 이루어진 트리알콕시실란류인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법. The silane compound which hydrolyzes and causes a condensation reaction is methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane , i-propyltrimethoxysilane, i-propyltriethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-pentyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n -Heptyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltrie Methoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-chloropropyltriethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltriethoxysilane , 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-hydroxy Ethyltrimethoxysilane, 2-hydroxyethyltriethoxysilane, 2-hydroxypropyltrimethoxysilane, 2-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-hydroxypropyltrimethoxysilane, 3-hydrate Roxypropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, 33-glycidoxy Propyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane Any one or more of 3- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, and 3-ureidopropyltriethoxysilane Carbon nano, characterized in that consisting of trialkoxysilanes Distributed way. 제6항에서,In claim 6, 상기 가수분해하여 축합반응을 일으키는 실란화합물은 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디-n-프로필디메톡시실란, 디-n-프로필디에톡시실란, 디-i-프로필디메톡시실란, 디-i-프로필디에톡시실란, 디-n-부틸디메톡시실란, 디-n-부틸디에톡시실란, 디-n-펜틸디메톡시실란, 디-n-펜틸디에톡시실란, 디-n-헥실디메톡시실란, 디-n-헥실디에톡시실란, 디-n-헵틸디메톡시실란, 디-n-헵틸디에톡시실란, 디-n-옥틸디메톡시실란, 디-n-옥틸디에톡시실란, 디-n-시클로헥실디메톡시실란, 디-n-시클로헥실디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란 중 어느 하나 이상으로 이루어진 디알콕시실란류인 것 을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The silane compound which causes the hydrolysis to cause a condensation reaction is dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane , Di-i-propyldimethoxysilane, di-i-propyldiethoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n-butyldiethoxysilane, di-n-pentyldimethoxysilane, di-n- Pentyl diethoxysilane, di-n-hexyldimethoxysilane, di-n-hexyl diethoxysilane, di-n-heptyldimethoxysilane, di-n-heptyl diethoxysilane, di-n-octyldimethoxysilane, Dialkoxysilanes composed of any one or more of di-n-octyldiethoxysilane, di-n-cyclohexyldimethoxysilane, di-n-cyclohexyl diethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, and diphenyldiethoxysilane. Carbon nanoplate dispersing method characterized in that. 제6항에서,In claim 6, 상기 열가소성 수지는 폴리스티렌, 폴리스티렌 유도체, 폴리스티렌 부타디엔 공중합체, 폴리카보네이트, 폴리염화비닐, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리에테르이미드, 폴리아크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아믹산, 셀룰로오스 아세테이트, 폴리아미드, 폴리올레핀, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에테 르케톤, 폴리옥시에틸렌 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The thermoplastic resin may be polystyrene, polystyrene derivative, polystyrene butadiene copolymer, polycarbonate, polyvinyl chloride, polysulfone, polyether sulfone, polyetherimide, polyacrylate, polyester, polyimide, polyamic acid, cellulose acetate, polyamide , Polyolefin, polymethyl methacrylate, polyether ketone, polyoxyethylene any one or more of the carbon nanoplate dispersion method. 제6항에서,In claim 6, 전도성 고분자는 폴리티오펜계 단일중합체, 폴리티오펜계 공중합체, 폴리아세틸렌, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 펜타센계 화합물 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The conductive polymer is at least one selected from polythiophene homopolymer, polythiophene copolymer, polyacetylene, polyaniline, polypyrrole, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and pentacene-based compound. Dispersion method. 제1항에서,In claim 1, 상기 계면활성제는 트리톤 엑스백(Triton X-100), 폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드-폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리비닐피롤, 폴리비닐알코올, 가넥스, 전분, 단당류, 다당류, 도데실벤젠술폰산 나트륨, 도데실벤젠설폰산나트륨(NaDDBS), 도데실설폰산나트륨(SDS), 4-비닐벤조산 세실트리메틸암모늄, 파이렌계 유도체, 검 아라빅(GA), 나피온 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법. The surfactant is Triton X-100, polyethylene oxide, polyethylene oxide-polypropylene oxide copolymer, polyvinylpyrrole, polyvinyl alcohol, ganex, starch, monosaccharide, polysaccharide, dodecylbenzenesulfonate, dode Dispersion of carbon nanoplates, characterized in that any one or more of sodium benzene sulfonate (NaDDBS), sodium dodecyl sulfonate (SDS), 4-vinyl benzoate cesyltrimethylammonium, pyrene derivatives, gum arabic (GA), Nafion Way. 제1항에서,In claim 1, 상기 계면활성제는 리튬도데실설페이트(LDS), 세실트리메틸암묘늄클로라이드(CTAC), 도데실-트리메틸 암모늄브로마이드(DTAB), 펜타옥소에틸렌도실 에테르, 덱스트린, 폴리에틸렌옥사이드, 에틸렌 셀룰로오스, 검 아라빅, BYK110(1-Methoxy-2-propyl acetate 용매 상에 용해된 60중량% 블록공중합체), BYK410(라벨링제) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄소나노판 분산 방법.The surfactant is lithium dodecyl sulfate (LDS), cesyltrimethyl ammonium chloride (CTAC), dodecyl-trimethyl ammonium bromide (DTAB), pentaoxoethylenedosil ether, dextrin, polyethylene oxide, ethylene cellulose, gum arabic, BYK110 (60 wt% block copolymer dissolved in 1-Methoxy-2-propyl acetate solvent), BYK410 (labeling agent), carbon nanoplate dispersion method characterized in that any one.
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102515149A (en) * 2011-11-25 2012-06-27 黑龙江大学 Preparation method for high-stability graphene dispersing solution
CN102800432A (en) * 2012-08-23 2012-11-28 上海第二工业大学 Method for preparing oxidized graphene/conductive polypyrrole nano wire composite material
KR101271606B1 (en) * 2011-08-10 2013-06-11 동의대학교 산학협력단 Method of producing polyimide-graphene composite material
US20130147089A1 (en) * 2011-12-12 2013-06-13 Hirotoshi MURAYAMA Transparent conductive material, dispersion liquid, transparent conductive film, and methods for manufacturing same
WO2013115597A1 (en) * 2012-02-02 2013-08-08 한국과학기술원 Method for dispersing carbon nanosheets
CN103788806A (en) * 2013-08-05 2014-05-14 江苏大学 Method for preparing UV (Ultraviolet) cured anti-electromagnetic shielding coating based on graphene oxide
CN104592660A (en) * 2014-09-11 2015-05-06 南京理工大学 Multilayer functionalized graphene nanometer hybrid material utilizing polystyrene as hinge and preparation method thereof
CN104867702A (en) * 2015-04-30 2015-08-26 河海大学 Preparation method of anthraquinone-molecule non-covalent modified graphene/conductive polymer composite
KR20150105236A (en) * 2014-03-07 2015-09-16 한양대학교 산학협력단 Graphene oxide nanocomposite membrane for improved gas barrier and preparation method thereof
KR20150118624A (en) * 2014-04-14 2015-10-23 한국세라믹기술원 Manufacture method of basic ink containing carbon-nonbonding metal nanoparticles & metal nanoparticles particle-dispersed ink
KR20150118625A (en) * 2014-04-14 2015-10-23 한국세라믹기술원 Manufacturing methods of Non-aqueous Graphene Coating Solution
KR101594524B1 (en) * 2014-10-30 2016-02-16 전남대학교산학협력단 Graphene solutions with high colloidal stability, conductive film, energy storage devices and sensor comprising film prepared by the graphene solution, and coating composition for resisting corrosion comprising the Graphene solutions
CN108707212A (en) * 2018-05-02 2018-10-26 上海交通大学 A kind of controllable method for preparing of soluble conjugated polymer nano-particle
CN112279970A (en) * 2020-10-21 2021-01-29 江苏海洋大学 Application of hydroxyl-terminated polymer in preparation of multifunctional interpenetrating network polymer
KR102533226B1 (en) * 2022-12-26 2023-05-19 (주) 매그나텍 Manufacturing method of silicon anode active material by inserting nano silicon mixture into pores of coffee grounds including ball mill process and high voltage pulse dispersion process

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101271606B1 (en) * 2011-08-10 2013-06-11 동의대학교 산학협력단 Method of producing polyimide-graphene composite material
CN102515149A (en) * 2011-11-25 2012-06-27 黑龙江大学 Preparation method for high-stability graphene dispersing solution
US20130147089A1 (en) * 2011-12-12 2013-06-13 Hirotoshi MURAYAMA Transparent conductive material, dispersion liquid, transparent conductive film, and methods for manufacturing same
WO2013115597A1 (en) * 2012-02-02 2013-08-08 한국과학기술원 Method for dispersing carbon nanosheets
CN102800432A (en) * 2012-08-23 2012-11-28 上海第二工业大学 Method for preparing oxidized graphene/conductive polypyrrole nano wire composite material
CN103788806A (en) * 2013-08-05 2014-05-14 江苏大学 Method for preparing UV (Ultraviolet) cured anti-electromagnetic shielding coating based on graphene oxide
KR20150105236A (en) * 2014-03-07 2015-09-16 한양대학교 산학협력단 Graphene oxide nanocomposite membrane for improved gas barrier and preparation method thereof
KR20150118624A (en) * 2014-04-14 2015-10-23 한국세라믹기술원 Manufacture method of basic ink containing carbon-nonbonding metal nanoparticles & metal nanoparticles particle-dispersed ink
KR20150118625A (en) * 2014-04-14 2015-10-23 한국세라믹기술원 Manufacturing methods of Non-aqueous Graphene Coating Solution
CN104592660A (en) * 2014-09-11 2015-05-06 南京理工大学 Multilayer functionalized graphene nanometer hybrid material utilizing polystyrene as hinge and preparation method thereof
CN104592660B (en) * 2014-09-11 2017-03-15 南京理工大学 Polystyrene is multilayer functionalization graphene nano-hybrid material of hinge and preparation method thereof
KR101594524B1 (en) * 2014-10-30 2016-02-16 전남대학교산학협력단 Graphene solutions with high colloidal stability, conductive film, energy storage devices and sensor comprising film prepared by the graphene solution, and coating composition for resisting corrosion comprising the Graphene solutions
CN104867702A (en) * 2015-04-30 2015-08-26 河海大学 Preparation method of anthraquinone-molecule non-covalent modified graphene/conductive polymer composite
CN108707212A (en) * 2018-05-02 2018-10-26 上海交通大学 A kind of controllable method for preparing of soluble conjugated polymer nano-particle
CN108707212B (en) * 2018-05-02 2020-01-07 上海交通大学 Controllable preparation method of water-soluble conjugated polymer nanoparticles
CN112279970A (en) * 2020-10-21 2021-01-29 江苏海洋大学 Application of hydroxyl-terminated polymer in preparation of multifunctional interpenetrating network polymer
CN112279970B (en) * 2020-10-21 2022-04-01 江苏海洋大学 Application of hydroxyl-terminated polymer in preparation of multifunctional interpenetrating network polymer
KR102533226B1 (en) * 2022-12-26 2023-05-19 (주) 매그나텍 Manufacturing method of silicon anode active material by inserting nano silicon mixture into pores of coffee grounds including ball mill process and high voltage pulse dispersion process

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