KR102415110B1 - 건·습식 그래핀 플레이크의 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크 - Google Patents

건·습식 그래핀 플레이크의 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크 Download PDF

Info

Publication number
KR102415110B1
KR102415110B1 KR1020200123274A KR20200123274A KR102415110B1 KR 102415110 B1 KR102415110 B1 KR 102415110B1 KR 1020200123274 A KR1020200123274 A KR 1020200123274A KR 20200123274 A KR20200123274 A KR 20200123274A KR 102415110 B1 KR102415110 B1 KR 102415110B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
graphene flakes
furnace
expandable graphite
graphene
prepared
Prior art date
Application number
KR1020200123274A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220040285A (ko
Inventor
류민
Original Assignee
주식회사 지에버
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 지에버 filed Critical 주식회사 지에버
Priority to KR1020200123274A priority Critical patent/KR102415110B1/ko
Priority to PCT/KR2021/012845 priority patent/WO2022065839A1/ko
Publication of KR20220040285A publication Critical patent/KR20220040285A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102415110B1 publication Critical patent/KR102415110B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/10Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing sonic or ultrasonic vibrations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • B01J19/122Incoherent waves
    • B01J19/126Microwaves
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J6/00Heat treatments such as Calcining; Fusing ; Pyrolysis
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182Graphene
    • C01B32/184Preparation
    • C01B32/19Preparation by exfoliation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00Structure or properties of graphene
    • C01B2204/04Specific amount of layers or specific thickness
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/30Purity

Abstract

본 발명은 흑연으로부터 물리적 방법으로 그래핀 플레이크를 제조하는 방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크에 관한 것으로, 본 발명에 의한 그래핀 플레이크 제조방법은 공정이 간단하고, 높은 수율로 단시간만에 흑연으로부터 그래핀 플레이크를 수득할 수 있다. 또한 이를 통해 제조된 그래핀 플레이크는 순도가 높고, 입자 특성이 균일하여 산업 용도로 매우 우수한 것을 특징으로 한다.

Description

건·습식 그래핀 플레이크의 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크 {WET-DRY HYBRID METHOD OF PREPARING GRAPHENE FLAKE AND GRAPHENE FLAKE PREPARED BY THE SAME}
본 발명은 흑연으로부터 물리적 방법으로 그래핀 플레이크를 제조하는 방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크에 관한 것이다.
흑연(graphite)은 복수의 층이 적층되어 있는 층상 구조를 이루고 있는 물질이다. 흑연의 각 층은 탄소 원자가 6각형의 형태로 연결된 판상 구조를 하고 있으며, 이러한 탄소원자로 이루어진 판상형 단층을 그래핀(graphene)이라고 한다.
그래핀(graphene)은 탄소원자들이 2차원 상에서 sp2결합에 의한 육각형 벌집모양의 배열로 구성되어 있으며 원자 한 층의 두께를 가진 반금속성 물질로서, 구조적, 화학적으로 매우 안정할 뿐만 아니라, 우수한 기계적 물성과 뛰어난 전기, 열 전도체로서의 특징을 갖고 있어 에너지, 전자소재, 센서소재 등 차세대 소재로 크게 각광을 받고 있다.
그래핀은 생산방식에 따라 흑연 결정으로부터 그래핀을 박리하는 방법, 고온에서 탄소를 가스화하여 금속표면에 증착시키는 CVD 방법으로 나뉘는데, 산업 분야에서 주로 사용되는 생산방법으로는 물리적 박리법, 화학적 박리법, CVD 법, 에피텍셜 성장법 등이 있다.
물리적 박리법은 테이프를 부착시킨 후 분리하거나 전단응력 등의 물리적 외력을 가하여 박리하는 방법이다.
화학적 박리법은 강산과 산화제를 이용하여 산화흑연(Graphite Oxide)의 제조를 통한 박리를 유도한 후, 환원(Reduction) 공정 거쳐 그래핀을 수득하는 방법이다.
CVD법은 고온에서 Ni, Cu, Pt 등과 같이 탄소에 쉽게 흡착되는 금속을 SiO2 기판 위에 촉매층으로 증착하고 1,000℃ 이상의 고온조건에서 탄소가 촉매층과 반응한 후, 냉각을 시키면 촉매층에 녹았던 탄소원자들이 표면에서 결정화 되어 그래핀을 형성하는 방법이다.
에피택셜 성장법은 실리콘 카바이드(SiC) 등의 탄소가 결정 구조에 흡착, 포함되어 있는 재료를 고온에서 열처리하면 실리콘이 증발되고 SiC중의 탄소가 결정 표면을 따라 그래핀을 형성하는 방법이다.
상기한 방법들 중 CVD 법과 에피택셜 성장법은 그래핀이 기판에 증착된 형태로 생산되며, 우수한 품질의 그래핀 막을 얻을 수 있으나 전극이나 회로 기판 등과 같은 제한된 용도로만 사용이 가능하고, 공정의 난이도가 높으며 제조에 사용되는 원료가 고가이고, 대량생산도 곤란하여 제조 단가가 매우 높다는 단점이 있다.
따라서, 다양한 용도로 활용이 가능한 그래핀 원료를 제조하기 위해서는 주로 물리적 박리법 또는 화학적 박리법 등이 활용된다. 그런데, 화학적 박리법은 화공물질을 사용하여 탄소를 산화시켜 산화그래핀을 제조한 후 산화그래핀을 다시 환원시킴으로써 제조되는 것으로, 공정 중 불순물이 포함되거나 산화그래핀의 산소가 완전히 제거되지 않아 그래핀의 순도가 떨어지는 문제가 나타난다. 또한, 화학적 방법으로 제조되므로 수율이 떨어지고 단가가 비싸다는 단점이 있다.
물리적 박리법 중 테이프를 이용한 방법은 테이프의 부착 및 박리를 반복한 후, 접착 성분을 용매에 녹여 그래핀을 얻는 방법으로, 품질이 고르지 못하며 제조 공정이나 생산된 제품의 산업적 활용 가능성이 낮다.
흑연으로부터 그래핀을 제조하는 방법과 관련하여, 한국공개특허 제10-2017-0103207호(특허문헌 1)에서는 황산 및 질산의 혼합액에 흑연을 1차 팽창시킨 다음 마이크로웨이브 공정(microwave) 또는 급속가열 공정(Rapid Thermal Annealing : RTA) 중 적어도 어느 하나를 수행하여 상기 팽창된 흑연을 2차로 팽창시키고, 2차 팽창된 흑연을 별도의 솔벤트에 투입하여 분산킨 다음 초음파를 인가하여 박리하는 방법을 제시하고 있다.
한편, 한국공개특허 제10-2016-0114372호(특허문헌 2)에서는, 흑연층 사이에 질소 또는 붕소원자가 포함된 분자를 확산시킨 다음 팽창된 흑연을 용매에 분산하고 초음파 처리를 거쳐 질소가 도핑된 그래핀을 수득하는 방법을 제시하고 있다.
그러나, 상기한 특허문헌 1, 2 모두 팽창된 흑연을 용매에 분산시킨 다음 초음파를 인가하여 용매상에서 박리시키고 있는데, 이러한 방법은 오랜 시간이 소요되고, 수율이 낮으며, 탄소 외의 다른 불순물이 충분히 제거되지 않으므로 순도가 떨어지는 단점이 있다.
한국공개특허 제10-2017-0103207호 한국공개특허 제10-2016-0114372호
본 발명은 종래 기술에 의한 그래핀 제조방법의 낮은 수율 및 순도를 개선하고, 대량생산이 용이한 그래핀 플레이크 제조방법 및 이에 따른 그래핀 플레이크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 다음과 같은 단계를 포함하는 그래핀 프레이크의 제조방법을 제공한다.
팽창성 흑연을 준비하는 단계(s1);
상기 팽창성 흑연을 퍼니스 내부에 장입하는 단계(s2);
상기 퍼니스를 밀봉하는 단계(s3);
상기 퍼니스에 마이크로파를 조사하여 가열하는 단계(s4);
상기 마이크로파 조사를 중단하여 팽창성 흑연의 온도를 유지 또는 하강시키는 단계(s5);
상기 s4 내지 s5 단계를 순도 95% 이상의 그래핀 플레이크를 수득할 때까지 반복하는 단계(s6).
이때, 상기 팽창성 흑연은 산(acid) 또는 질소화합물로 이루어진 군에서 선택된 1 종 또는 2종 이상을 포함하는 휘발성 물질에 침지하여 제조된 것일 수 있다.
또한, 상기 마이크로파는 700MHz 내지 2.5GHz의 주파수 대역을 가지는 것일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 800Mhz 내지 1.2GHz의 주파수 대역을 가지는 것일 수 있다.
본 발명의 제조방법에 의한 그래핀 플레이크는 팽창성 흑연을 퍼니스에 장입한 후 가공하여 수득되는 것으로 것으로, 이때 퍼니스는 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 뮬라이트(mullite), SiC 및 Si3N4로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 세라믹 재질로 이루어진 것일 수 있으며, 바람직하게는 알루미나(Al2O3)일 수 있다.
상기 s4 단계의 가열은 퍼니스 내부의 소정 압력을 유지하기 위해 불활성 기체를 충전시킨 후 수행되는 것일 수 있다. 이때, 퍼니스 내부의 압력을 1.2 내지 10 bar로 유지하면서 수행되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1.2 내지 5bar일 수 있다. 가장 바람직하게는 1.5 내지 3bar일 수 있다.
상기 s5 단계는 가열에 의해 팽창성 흑연의 그래핀 층이 박리된 상태에서 안정화시키기 위한 단계로서, 마이크로파 조사를 중단한 후 팽창성 흑연의 온도를 유지시키거나 필요에 따라 냉각시킬 수 있다. 이때, 퍼니스 내부의 압력을 조절하고, 불순물을 제거하기 위해 퍼니스 내부의 기체를 배출할 수 있다. 또한, 퍼니스를 회전시키거나 퍼니스 내부에 설치된 스터러 등을 이용하여 그래핀 및 팽창성 흑연을 입자 사이즈에 따라 분산시킬 수 있다.
상기 s6 단계는 상기 s4 내지 s5 단계를 반복하는 것으로, 퍼니스의 내부의 압력은 반복 회수에 따라 점차적으로 증가시키면서 수행되는 것일 수 있으며, 순도 95% 이상의 그래핀 플레이크를 얻을 때까지 반복할 수 있다.
추가로 전체 제조 공정의 효율을 높이고 우수한 품질의 그래핀 플레이크를 수득하기 위해, 상기 s6단계에서는 반복할 때마다 퍼니스 내부의 압력을 5 내지 50%씩 증가시킬 수 있다. 이때, 5% 미만으로 증가시킬 경우, 압력 증가에 대한 차이가 나타나지 않으며, 50% 이상으로 압력을 과도하게 높일 경우 그래핀 층 박리가 잘 되지 않고 오히려 뭉치는 현상이 나타날 수 있다.
또한, 상기 s5 단계는, 마이크로파를 조사하여 가열하기 이전 전처리 단계로서, 유기화합물로 이루어진 박리증진제를 팽창성 흑연에 분무하여 팽창성 흑연에 함입시키는 공정을 추가로 더 수행할 수 있다.
이때, 박리증진제는 탄소수가 6 내지 8인 탄화수소인 것일 수 있으며, 더욱 구체적으로 헥세인, 헵테인, 사이클로헥세인, 사이클로헵테인, 벤젠으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것일 수 있다.
한편, 상기 s5 단계에서 팽창성 흑연에 분무하는 박리증진제의 양은 반복 회수에 따라 점차적으로 증가시킬 수 있다.
팽창성 흑연은 퍼니스에 장입하는 상기 s2 단계 이전에 밀링 머신과 같은 분쇄 장비를 이용하여 분쇄하여 전처리하는 단계를 추가로 포함하는 것으로 전체 공정 시간을 더욱 단축할 수 있다.
한편, 상기 s5 단계 이후 제조된 그래핀 플레이크를 유기용매에 투입하고 초음파를 인가하여 세척하는 단계를 추가로 더 포함할 수 있으며, 이때 유기용매는 에탄올을 사용할 수 있다.
상기한 제조방법에 따라 제조된 그래핀 플레이크의 중량은 최초 투입된 팽창 흑연 총 중량의 90중량% 이상으로, 90% 이상의 매우 높은 수율을 가지면서도 제조 시간이 3시간 이내인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제조방법에 의해 제조된 그래핀 플레이크는 산화-환원 등의 화학적 방법으로 제조된 그래핀 플레이크와는 달리, 불순물이 거의 존재하지 않으며 탄소 성분을 기준으로 99% 이상의 높은 순도를 가질 수 있다.
제조된 그래핀 플레이크는 두께가 10 내지 100nm인 것일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 10 내지 50nm, 가장 바람직하게는 10 내지 20nm일 수 있다.
또한, 상기 그래핀 플레이크는 그래핀 플레이크 총중량에 대하여 50중량% 이상이 50nm 이하의 두께 분포를 가질 수 있으며, 더욱 바람직하게는 70중량%, 가장 바람직하게는 90중량% 이상이 50nm 이하의 두께 분포를 가질 수 있다. 한편, 상기 그래핀 플레이크는 두께 방향에 수직인 평면을 기준으로 단축과 장축의 길이 비가 1 : 1.1 내지 2일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 1 : 1.1 내지 1.5일 수 있다.
본 발명에 의한 그래핀 플레이크 제조방법은 공정이 간단하고, 높은 수율로 단시간만에 흑연으로부터 그래핀 플레이크를 수득할 수 있다. 또한 이를 통해 제조된 그래핀 플레이크는 순도가 높고, 입자 특성이 균일하여 산업 용도로 매우 우수한 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 그래핀 플레이크의 SEM 분석 사진이다.
도 2는 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 그래핀 플레이크의 XRD 회절 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 그래핀 플레이크와 팽창성 흑연의 열전도도를 비교하여 나타낸 것이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 본 발명을 자세히 설명한다.
본 발명은 흑연으로부터 물리적 방법으로 박리하는 방법에 의해 그래핀 플레이크를 제조하는 방법을 제공한다.
그래핀을 물리적으로 박리하는 방법으로는 통상적으로 스카치테이프 박리법이 널리 알려져 있다. 이 방법은 흑연에 스카치테이프를 부착한 다음 떼어 내어 흑연으로부터 얇은 그래핀층을 박리하는 방법이다. 그러나, 이러한 방법은 대량 생산이 어려우며, 균일한 품질의 그래핀을 얻을 수 없으므로 산업적으로 이용이 곤란하다. 산업적으로 이용 가능한 방법으로는, 흑연에 마이크로웨이브를 조사하여 일시적으로 팽창시킨 후, 또다른 기계적인 방법 그래핀층을 박리하는 건식방법, 흑연을 유기용매 등 액상에 함침시킨 후 초음파를 인가함으로써 진동에 의하여 그래핀을 박리시키는 습식 방법이 있다.
그러나, 상기 건식방법은 마이크로웨이브로 흑연을 팽창시켜 그래핀 층의 간격을 이격시키는 것에 그칠 뿐, 추가적인 박리공정을 거쳐야 하는 단점이 있다.
상기 습식방법은 유기용매 등의 액상에서 초음파를 가하여 서서히 그래핀층을 박리시킨 후 용매에 분산된 그래핀을 취득하는 방법으로서, 공정 시간이 매우 길고 수율이 크게 떨어져 고가라는 점이 문제가 된다.
본 발명에 의한 그래핀 제조방법은 상기한 건식방법과 습식방법의 단점들을 모두 해결한 건·습식 방법으로서, 팽창성 흑연을 이용하여 마이크로 웨이브 조사 및 공정 조건의 조절만으로, 상기 건식과 습식의 장점을 취합하여 공정이 간단하고 수율 및 순도가 높으며, 빠르고 저비용으로 제조할 수 있는 장점이 있다. 특히 필요에 따라 박리증진제를 공정 중 첨가함으로써 흑연을 웨팅 상태로 유지시키는 것으로 재료의 손실 없이 공정을 효율성을 더욱 높일 수 있다.
본 발명에 의한 그래핀 플레이크 제조방법은 다음과 같은 단계를 포함할 수 있다.
팽창성 흑연을 준비하는 단계(s1);
상기 팽창성 흑연을 퍼니스 내부에 장입하는 단계(s2);
상기 퍼니스를 밀봉하는 단계(s3);
상기 퍼니스에 마이크로파를 조사하여 가열하는 단계(s4);
상기 마이크로파 조사를 중단하여 팽창성 흑연의 온도를 유지 또는 하강시키는 단계(s5);
상기 s4 내지 s5 단계를 순도 95% 이상의 그래핀 플레이크를 수득할 때까지 반복하는 단계(s6).
먼저 상기 s1 단계와 같이 팽창성 흑연을 준비한다. 본 발명의 명세서 전체에서 “팽창성 흑연”이란 외부 요인에 의하여 부피가 팽창할 수 있는 흑연을 의미한다. 흑연은 판상형으로 이루어진 단일층이 복수 적층되어 있는 구조로서, 외부로부터 열이나 압력이 인가되거나, 다른 물질이 흑연의 층사이에 침투함으로써 층과 층 사이의 간격이 벌어지면서 부피가 팽창할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 팽창성 흑연은 산(acid) 또는 질소화합물로 이루어진 군에서 선택된 1 종 또는 2종 이상의 휘발성 물질에 침지하여 제조되는 것일 수 있으며, 상기 휘발성 유기화합물이 팽창성 흑연의 적층된 층간에 삽입될 수 있다.
상기 산(acid)은 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 염산(HCl), 브로민화 수소산(HBr), 아이오딘화 수소산(HI) 및 과염소산(HClO4)으로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 선택될 수 있으며, 바람직하게는 황산(H2SO4), 염산(HCl) 또는 이들의 혼합물을 선택하여 사용할 수 있다.
또한, 상기 질소화합물은 N-메틸피롤리돈(NMP)과 같은 질소 원소를 포함하는 유기용매일 수 있다.
본 발명에서는 팽창성 흑연을 상기 s2 내지 s4 단계와 같이 퍼니스에 장입하고 밀봉한 후. 외부에서 퍼니스에 마이크로파를 조사하여 열처리를 한다. 이때, 상기 마이크로파는 700MHz 내지 2.5GHz의 주파수 대역을 가지는 것일 수 있다.
상기 퍼니스는 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 뮬라이트(mullite), SiC 및 Si3N4로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 세라믹 재질로 이루어진 것일 수 있으며, 바람직하게는 내열성 및 차단성이 우수한 알루미나로 이루어진 것일 수 있다.
상기 마이크로파 조사에 의해 밀봉된 퍼니스 내부에 있는 휘발성 유기화합물의 분자가 진동하게 되고 이로 인해 온도가 상승하면서 기화하고, 팽창성 흑연의 적층된 그래핀 단일층 사이의 간격이 벌어지게 된다. 그런데, 마이크로파가 조사되는 동안 퍼니스는 밀봉되어 있는 상태이므로, 증발한 기체에 의해 퍼니스 내부의 압력이 상승하게 되고, 퍼니스 내부가 일정한 압력에 도달하면 흑연의 적층된 그래핀 층이 점점 벌어지다가 파열함게 됨으로써 그래핀의 박리가 이루어진다.
따라서, 상기 s4 단계의 가열은 퍼니스 내부가 소정의 압력에 도달하고 유지되도록 하기 위해 추가적으로 불활성 기체를 추가로 충전할 수 있다. 상기 불활성 기체는 헬륨, 네온, 크립톤, 크세논, 아르곤, 라돈다만과 같은 것을 선택적으로 사용할 수 있으며, 질소와 같이 탄소와 반응할 수 있는 기체는 그래핀의 순도를 크게 저하시킬 수 있으므로 바람직하지 않다.
상기 s4 내지 s5 단계를 1회 수행할 경우 탄소로부터 그래핀 일부가 박리되어 수득할 수 있다.
이때, 팽창성 흑연이 그래핀으로 박리되기 위한 퍼니스 내부의 압력은 바람직하게는 1.2 내지 10 bar일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 1.2 내지 5bar일 수 있고, 가장 바람직하게는 1.5 내지 3bar일 수 있다.
상기 s6 단계는 마이크로파를 조사하여 가열하여 그래핀으로 박리한후, 가열을 중단하여 퍼니스 내부의 물질을 안정화시키는 과정을 반복하는 것으로, 반복 회수에 따라 퍼니스의 내부의 압력은 점차적으로 증가시키면서 수행되는 것일 수 있다. 실험결과 반복 회수에 따라 5 내지 20%씩 압력을 증가시키는 것으로 최적의 결과를 얻을 수 있었다.
또한, 상기 s5 단계에서는, 마이크로파를 조사하여 가열하기 이전 전처리 단계로서, 유기화합물로 이루어진 박리증진제를 팽창성 흑연에 분무하여 팽창성 흑연에 함입시키는 공정을 추가로 더 수행할 수 있다. 상기 박리증진제에 의하여 팽창성 흑연은 젖음(Wetting) 상태를 유지할 수 있으며, 밀봉된 퍼니스 내에서 마이크로웨이브에 노출되는 것으로, 종래의 물리적 박리방법 중 건식방법과 습식방법의 바람직한 효과가 동시에 나타날 수 있다.
이때, 박리증진제는 탄소수가 6 내지 8인 탄화수소인 것일 수 있으며, 더욱 구체적으로 헥세인, 헵테인, 사이클로헥세인, 사이클로헵테인, 벤젠으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것일 수 있다.
한편, 상기 s5 단계에서 팽창성 흑연에 분무하는 박리증진제의 양은 반복 회수에 따라 점차적으로 증가시킬 수 있다.
팽창성 흑연은 퍼니스에 장입하는 상기 s2 내지 s4 단계 이전에 밀링 머신과 같은 분쇄 장비를 이용하여 분쇄하여 전처리하는 단계를 추가로 포함하는 것으로 전체 공정 시간을 더욱 단축할 수 있다.
한편, 상기 s6 단계 이후 제조된 그래핀 플레이크를 유기용매에 투입하고 초음파를 인가하여 세척하는 단계를 추가로 더 포함할 수 있으며, 이때 유기용매는 에탄올을 사용할 수 있다. 상기 세척 과정에 따라 그래핀 플레이크의 불순물 함량을 줄이고 순도를 더욱 높일 수 있다.
상기한 제조방법에 따라 제조된 그래핀 플레이크의 중량은 최초 투입된 팽창 흑연 총 중량의 90중량% 이상으로, 90% 이상의 매우 높은 수율을 가지면서도 제조 시간이 3시간 이내인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제조방법에 의해 제조된 그래핀 플레이크는 산화-환원 등의 화학적 방법으로 제조된 그래핀 플레이크와는 달리, 불순물이 거의 존재하지 않으며 탄소 성분을 기준으로 99% 이상의 높은 순도를 가진다.
제조된 그래핀 플레이크는 두께가 10 내지 100nm인 것일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 10 내지 50nm, 가장 바람직하게는 10 내지 20nm일 수 있다.
또한, 상기 그래핀 플레이크는 그래핀 플레이크 총중량에 대하여 50중량% 이상이 50nm 이하의 두께 분포를 가질 수 있으며, 더욱 바람직하게는 70중량%, 가장 바람직하게는 90중량% 이상이 50nm 이하의 두께 분포를 가질 수 있다. 한편, 상기 그래핀 플레이크는 두께 방향에 수직인 평면을 기준으로 단축과 장축의 길이 비가 1 : 1.1 내지 2일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 1 : 1.1 내지 1.5일 수 있다.
실시예 1
팽창성 흑연 장입 단계 : 황산(H2SO4)에 침지한 팽창성 흑연 20g을 준비하고, 상부가 개방된 원통형 퍼니스 내부 바닥의 중앙에 상기 팽창성 흑연을 장입하였다. 퍼니스는 알루미나 소재로 이루어진 것을 사용하였다.
퍼니스 밀봉 단계 : 퍼니스의 상부 개방부 알루미나 소재로 된 뚜껑을 덮고 밀봉부재를 이용하여, 기체의 출입이 완전히 차단되도록 밀봉하였다.
마이크로파 조사단계 : 퍼니스에 1000MHz의 마이크로파를 700W 출력으로 10~30초 동안 조사하였다. 마이크로파를 조사하는 동안 퍼니스의 내부 압력은 1.2bar로 유지하였다.
마이크로파 조사 중단 단계 : 마이크로파 조사에 의한 가열을 중단하고, 퍼니스의 뚜껑을 열었다. 추가로 퍼니스 내부의 기체를 일부 배출하였다.
상기 퍼니스 밀봉단계, 마이크로파 조사단계, 기체 배출단계를 동일한 조건으로 2회 추가로 반복 수행하였다.
상기 공정에 따라 그래핀 플레이크 18g을 수득하였다.
실시예 2
실시예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 퍼니스에 마이크로파를 조사할 때마다 퍼니스의 내부 압력을 점차적으로 증가시켜 1차 가열 시 1.2bar, 2차 가열 시 1.6bar, 3차 가열 시 2.0bar로 하였다.
상기 공정에 따라 그래핀 플레이크 18g을 수득하였다.
실시예 3
실시예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 퍼니스에 마이크로파를 조사할 때마다 퍼니스의 내부 압력을 점차적으로 증가시켜 1차 조사 시 1.2bar, 2차 조사 시 1.6bar, 3차 조사 시 2.0bar로 유지하였다. 또한 2차, 3차 마이크로파 조사 전에 사이클로헥세인 유기용매를 박리증진제로서 팽창흑연에 분무하여 웨팅 시켜 전처리를 하였으며, 분무하는 박리증진제의 양은 마이크로파 2차 조사 시보다 3차 조사 시에 더 많게 하였다.
상기 공정에 따라 그래핀 플레이크 18g을 수득하였다.
비교예 1
팽창성 흑연 장입 단계 : 황산(H2SO4)에 침지한 팽창성 흑연 20g 준비하고, 상부가 개방된 원통형 퍼니스 내부 바닥의 중앙에 상기 팽창성 흑연을 장입하였다. 퍼니스는 알루미나 소재로 이루어진 것을 사용하였다.
마이크로파 조사단계 : 퍼니스에 1000MHz의 마이크로파를 700W 출력으로 60초 동안 조사한 후 마이크로파 처리된 흑연 19g을 수득하였다.
비교예 2
팽창성 흑연 장입 단계 : 황산(H2SO4)에 침지한 팽창성 흑연 20g을 준비하고, 상부가 개방된 원통형 퍼니스 내부 바닥의 중앙에 상기 팽창성 흑연을 장입하였다. 퍼니스는 알루미나 소재로 이루어진 것을 사용하였다.
퍼니스 밀봉 단계 : 퍼니스의 상부 개방부 알루미나 소재로 된 뚜껑을 덮고 밀봉부재를 이용하여, 기체의 출입이 완전히 차단되도록 밀봉하였다.
마이크로파 조사단계 : 퍼니스에 1000MHz의 마이크로파를 700W 출력으로 60초 동안 조사한 후 마이크로파 처리된 흑연 19g을 수득하였다.
실험예 1
상기 실시예 1 내지 3의 그래핀과 비교예 1에서 마이크로파 처리된 흑연의 특성을 비교하여 하기 표 1에 나타내었다.
구분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2
그래핀플레이크
생성 여부
O O O X 일부 생성
순도 99.40% 99.60% 99.80% 80% 89%
두께 50nm이하
플레이크 분포
51중량% 55중량% 73중량% - 34중량%
단축:장축 평균 01:01.1 01:01.1 01:01.4 - 01:02.2
수율 90% 90% 90% - -
실험 결과, 비교예 1의 경우 유의미한 수준의 그래핀 플레이크가 형성되지 않으며, 비교예 2의 경우 흑연의 일부만 그래핀 플레이크로 박리되었다.
반면, 실시예 1 내지 3의 경우, 높은 순도의 그래핀 플레이크를 수득할 수 있었으며, 그 중에서도 퍼니스 내부 압력을 점차로 증가시키면서, 박리증진제로 전처리한 실시예 3의 경우 두께 50nm이하 플레이크가 73중량%로 가장 품질이 우수한 것으로 나타났다.
상기 결과로부터, 일부 그래핀 박리가 이루어진 흑연은 동일 조건에서 마이크로파를 조사하는 것보다, 압력을 점차로 증가시키면서 박리증진제로 전처리를 한 후 마이크로파를 조사할 경우, 박리 효과가 더욱 증진되는 알 수 있었다.
실험예 2
상기 실시예 3의 그래핀 플레이크를 에탄올 용매에 분산시킨 후 30분 간 초음파 처리하여 세척한 후 2시간 동안 60℃ 온도에서 건조하였다. 건조 후 그래핀 플레이크의 순도는 99.6%였다.
위 결과로부터 그래핀 플레이크 제조 후 에탄올 용매에 분산시킨 후 초음파 처리하여 세척할 경우, 그래핀 플레이크에 일부 잔류하는 불순물이 제거되어 더욱 높은 순도를 달성할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

Claims (15)

  1. 팽창성 흑연을 준비하는 단계(s1);
    상기 팽창성 흑연을 퍼니스 내부에 장입하는 단계(s2);
    상기 퍼니스를 밀봉하는 단계(s3);
    상기 퍼니스에 마이크로파를 조사하여 팽창성 흑연을 가열하는 단계(s4);
    상기 마이크로파 조사를 중단하여 팽창성 흑연의 온도를 유지 또는 하강시키는 단계(s5); 및
    상기 s4 내지 s5 단계를 순도 95% 이상의 그래핀 플레이크를 수득할 때까지 반복하는 단계(s6);
    를 포함하고,
    상기 팽창성 흑연은 산(acid) 또는 질소화합물로 이루어진 군에서 선택된 1 종 또는 2종 이상을 포함하는 휘발성 물질에 침지하여 제조되며,
    상기 퍼니스는 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 뮬라이트(mullite), SiC 및 Si3N4로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 세라믹 재질로 이루어지고,
    상기 s4 단계는 퍼니스 내부에 불활성 기체를 충전시킨 후 수행되며,
    상기 s4 단계는 퍼니스 내부의 압력을 1.2 내지 10 bar로 유지하면서 수행되는 것인 그래핀 플레이크의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 s4 단계는 상기 퍼니스에 700Mhz 내지 2.5GHz의 주파수 대역을 갖는 마이크로파를 조사하여 가열하는 것인 그래핀 플레이크의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 s5 단계 이후 제조된 그래핀 플레이크는 에탄올을 포함하는 유기용매에 투입하고 초음파를 인가하여 세척하는 단계를 추가로 포함하는 것인 그래핀 플레이크의 제조방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 s5 단계는 퍼니스의 내부의 압력을 반복 회수에 따라 점차적으로 증가시키면서 수행되는 것인 그래핀 플레이크의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 s5 단계는,
    마이크로파를 조사하기 전에 유기화합물로 이루어진 박리증진제를 팽창성 흑연에 분무하여 전처리하는 단계를 추가로 포함하고,
    상기 박리증진제에 의하여 팽창성 흑연은 젖음(Wetting) 상태로 유지되고, 밀봉된 퍼니스 내에서 마이크로웨이브에 노출되며,
    상기 팽창성 흑연에 분무하는 박리증진제의 양을 반복 회수에 따라 점차적으로 증가시키는 것인 그래핀 플레이크의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 박리증진제는 탄소수가 6 내지 8인 탄화수소인 것인 그래핀 플레이크의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 s5 단계는 팽창성 흑연에 분무하는 박리증진제의 양을 점차적으로 증가시키면서 수행되는 것인 그래핀 플레이크의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 s5 단계 이후 제조된 그래핀 플레이크를 유기용매에 투입하고 초음파를 인가하여 세척하는 단계를 추가로 더 포함하는 것인 그래핀 플레이크의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서,
    제조된 그래핀 플레이크의 수율은 90% 이상인 것인 그래핀 플레이크의 제조방법.
  12. 제1항의 방법에 의해 제조된 그래핀 플레이크.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 그래핀 플레이크는 순도가 99% 이상인 것인 그래핀 플레이크.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 그래핀 플레이크는 두께가 10 내지 100nm인 것인 그래핀 플레이크,
  15. 제12항에 있어서,
    상기 그래핀 플레이크는 그래핀 플레이크 총중량에 대하여 50중량% 이상이 50nm 이하의 두께 분포를 가지는 그래핀 플레이크.
KR1020200123274A 2020-09-23 2020-09-23 건·습식 그래핀 플레이크의 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크 KR102415110B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200123274A KR102415110B1 (ko) 2020-09-23 2020-09-23 건·습식 그래핀 플레이크의 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크
PCT/KR2021/012845 WO2022065839A1 (ko) 2020-09-23 2021-09-17 건·습식 그래핀 플레이크의 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200123274A KR102415110B1 (ko) 2020-09-23 2020-09-23 건·습식 그래핀 플레이크의 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220040285A KR20220040285A (ko) 2022-03-30
KR102415110B1 true KR102415110B1 (ko) 2022-07-01

Family

ID=80845640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200123274A KR102415110B1 (ko) 2020-09-23 2020-09-23 건·습식 그래핀 플레이크의 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102415110B1 (ko)
WO (1) WO2022065839A1 (ko)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013514963A (ja) * 2009-12-22 2013-05-02 スー・クワンスック グラフェン分散液およびグラフェン−イオン性液体高分子複合物
KR101382964B1 (ko) * 2012-07-30 2014-04-10 재단법인 포항산업과학연구원 제철 공정 부산물로부터 키쉬 흑연 분리방법 및 이를 이용한 그래핀 혹은 유사 그래핀 제조 공정
KR20140112826A (ko) * 2013-03-14 2014-09-24 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 물리적 방법으로 제조된 확대된 그래파이트 또는 그래핀 및 이들의 제조방법
KR101689337B1 (ko) 2015-03-24 2016-12-23 전남대학교산학협력단 급속팽창법을 이용한 그래핀의 제조방법 및 이러한 방법으로 제조된 그래핀
WO2017116657A1 (en) * 2015-12-28 2017-07-06 Nanotek Instruments, Inc. Graphene-Carbon Hybrid Foam
KR101891586B1 (ko) 2016-03-03 2018-08-28 주식회사 엘엠에스 그래핀 제조방법
US10822239B2 (en) * 2017-04-19 2020-11-03 Global Graphene Group, Inc. Microwave system and method for graphene production
KR102028911B1 (ko) * 2018-02-08 2019-10-07 한국화학연구원 팽창흑연 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220040285A (ko) 2022-03-30
WO2022065839A1 (ko) 2022-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wu et al. A review of graphene synthesis by indirect and direct deposition methods
Bao et al. Synthesis and applications of two-dimensional hexagonal boron nitride in electronics manufacturing
KR101114414B1 (ko) 그래핀 나노 시트의 형성 방법
WO2017139078A1 (en) Chemical-free production of graphene-reinforced inorganic matrix composites
KR101438027B1 (ko) 아크 방전을 이용한 고품질 그래핀 제조 방법 및 이를 이용한 고품질 그래핀
Shen et al. Anisotropic electrical conductivity in polymer derived ceramics induced by graphene aerogels
KR101689337B1 (ko) 급속팽창법을 이용한 그래핀의 제조방법 및 이러한 방법으로 제조된 그래핀
Azam et al. Critical considerations of high quality graphene synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition for electronic and energy storage devices
JP7007357B2 (ja) 窒化ホウ素ナノチューブのポリマーでの気相コーティング
Wypych Graphene: Important results and applications
Sharma et al. Edge controlled growth of hexagonal boron nitride crystals on copper foil by atmospheric pressure chemical vapor deposition
Heya et al. Graphene synthesis from pentacene by soft X-ray irradiation
KR101626573B1 (ko) 그래핀 제조용 동박과 이를 이용한 그래핀의 제조 방법
KR102415110B1 (ko) 건·습식 그래핀 플레이크의 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크
KR101573241B1 (ko) 3차원 그래핀 구조체 및 이를 이용한 전극 제조방법
Soomro et al. Controllable Growth of Hexagonal BN Monolayer Sheets on Cu Foil by LPCVD
KR101484304B1 (ko) 산화알루미늄이 코팅된 그라펜, 이의 제조방법과 이를 포함하는 나노복합재료
KR102415100B1 (ko) 건·습식 그래핀 플레이크 조성물의 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크 조성물
KR102530783B1 (ko) 건·습식 그래핀 플레이크 금속복합체의 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀 플레이크 금속복합체
Dideikin et al. Free graphene films obtained from thermally expanded graphite
KR101792242B1 (ko) 그래핀 및 이의 제조 방법
Wang et al. Layer Controllable Graphene Using Graphite Intercalation Compounds with Different Stage Numbers through Li Conversion Reaction.
Jafari et al. Effect of plasma power on growth of multilayer graphene on copper using plasma enhanced chemical vapour deposition
Huang et al. Low-temperature synthesis of high-quality graphene by controlling the carbon-hydrogen ratio of the precursor
CN111453719A (zh) 一种高品质石墨烯及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant