JPH10271170A - Multi-value digital amplitude modulation circuit and high frequency amplifier - Google Patents
Multi-value digital amplitude modulation circuit and high frequency amplifierInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多値のディジタル
振幅変調回路（以下「ＡＳＫ（Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ Ｓ
ｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）回路」という。）に関する。
また、本発明は、例えば、この多値ＡＳＫ回路で使用さ
れるフルブリッジ・シングルエンデッド・プッシュプル
回路構成の高周波増幅器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilevel digital amplitude modulation circuit (hereinafter referred to as "ASK (Amplitude S)".
shift keying circuit ". ).
The present invention also relates to, for example, a high-frequency amplifier having a full-bridge single-ended push-pull circuit configuration used in the multilevel ASK circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、多値ＡＳＫ回路においては、搬
送波信号を増幅するための複数の高周波増幅器を設け、
多値のディジタルベースバンド信号に基づいて、これら
複数の高周波増幅器の増幅出力を選択的に合成すること
により、多値の振幅変調波信号を得るようになってい
る。2. Description of the Related Art Generally, a multi-level ASK circuit is provided with a plurality of high-frequency amplifiers for amplifying a carrier signal.
A multilevel amplitude modulated wave signal is obtained by selectively combining the amplified outputs of the plurality of high-frequency amplifiers based on the multilevel digital baseband signal.
【０００３】ここで、高周波増幅器としては、通常、フ
ルブリッジ・シングルエンデッド・プッシュプル回路構
成の高周波増幅器が用いられる。また、合成器として
は、通常、一次巻線が対応する高周波増幅器の出力端子
に接続され、二次巻線が直列接続された複数の合成トラ
ンスからなる合成器が用いられる。Here, a high-frequency amplifier having a full-bridge single-ended push-pull circuit configuration is usually used as the high-frequency amplifier. Further, as the synthesizer, a synthesizer including a plurality of synthesis transformers each having a primary winding connected to an output terminal of a corresponding high-frequency amplifier and a secondary winding connected in series is used.
【０００４】多値のディジタルベースバンド信号に基づ
いて、複数の高周波増幅器の増幅出力を選択的に合成す
る場合、通常は、多値のディジタルベースバンド信号に
基づいて、複数の高周波増幅器を選択的にオン状態また
はオフ状態に設定することにより合成するようになって
いる。In the case where the amplified outputs of a plurality of high-frequency amplifiers are selectively synthesized based on a multi-valued digital baseband signal, a plurality of high-frequency amplifiers are usually selectively selected based on the multi-valued digital baseband signal. The on-state or off-state is set for the composition.
【０００５】多値のディジタルベースバンド信号に基づ
いて、複数の高周波増幅器を選択的にオン状態またはオ
フ状態に設定する場合、従来は、多値のディジタルベー
スバンド信号に基づいて、接地側のスイッチング増幅素
子を選択的に動作可能状態（以下「イネーブル状態」と
いう。）または動作不可状態（以下「ディスイネーブル
状態」という。）に設定することにより設定するように
なっていた。In the case where a plurality of high-frequency amplifiers are selectively set to an on state or an off state based on a multi-valued digital baseband signal, conventionally, the switching on the ground side is performed based on the multi-valued digital baseband signal. The setting is made by selectively setting the amplifying element to an operable state (hereinafter, referred to as an “enabled state”) or an inoperable state (hereinafter, referred to as a “disabled state”).
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成では、高周波増幅器がオフ状態に設定されてい
る場合において、電源側のスイッチング増幅素子と電源
との間に挿入されたヒューズが切れると、高周波増幅器
の出力端子から見た内部インピーダンスが無限大とな
る。However, in such a configuration, when the high-frequency amplifier is set to the off state, if the fuse inserted between the power supply-side switching amplifier and the power supply is blown, The internal impedance seen from the output terminal of the high-frequency amplifier becomes infinite.
【０００７】これにより、この場合は、この高周波増幅
器に接続された合成トランスの一次巻線の両端が開放状
態となる。その結果、この合成トランスがチョークコイ
ルとして動作し、他の合成トランスの出力を著しく低下
させたり、自分自身が発熱破損してしまう場合があると
いう問題があった。As a result, in this case, both ends of the primary winding of the synthesis transformer connected to the high-frequency amplifier are open. As a result, there is a problem that the combined transformer operates as a choke coil, and the output of another combined transformer may be remarkably reduced, or the heat generated by itself may be damaged.
【０００８】そこで、本発明は、オフ状態において、ヒ
ューズが切れた場合でも、出力端子から見た内部インピ
ーダンスが無限大になることがないような高周波増幅器
及びこの高周波増幅器を備えた多値ＡＳＫ回路を提供す
ることを目的とする。Accordingly, the present invention provides a high-frequency amplifier in which the internal impedance seen from the output terminal does not become infinite even when the fuse is blown in the off state, and a multi-level ASK circuit provided with the high-frequency amplifier. The purpose is to provide.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の多値ＡＳ
Ｋ回路は、複数の高周波増幅手段と、制御手段と、合成
手段とを有する。A multi-value AS according to claim 1.
The K circuit has a plurality of high-frequency amplifiers, a controller, and a synthesizer.
【００１０】ここで、複数の高周波増幅手段は、それぞ
れ電源側のスイッチング増幅素子と基準電位点側のスイ
ッチング増幅素子とを有し、これらスイッチング増幅素
子を使ってディジタルベースバンド信号を搬送するため
の搬送波信号を増幅するフルブリッジ・シングルエンデ
ッド・プッシュプル回路構成の増幅手段である。制御手
段は、多値のディジタルベースバンド信号に基づいて、
複数の高周波増幅手段の電源側のスイッチング増幅素子
を選択的にイネーブル状態またはディスイネーブル状態
に設定することにより、これら複数の高周波増幅手段を
選択的にオン状態またはオフ状態に設定する機能を有す
る。合成手段は、複数の高周波増幅手段の増幅出力を合
成することにより、搬送波信号を多値のディジタルベー
スバンド信号で振幅変調した振幅変調波信号を得る機能
を有する。Here, the plurality of high frequency amplifying means each have a switching amplifying element on the power supply side and a switching amplifying element on the reference potential point side, and use these switching amplifying elements to carry a digital baseband signal. This is an amplifying means having a full-bridge single-ended push-pull circuit configuration for amplifying a carrier signal. The control means, based on the multi-valued digital baseband signal,
By selectively setting the switching amplifying elements on the power supply side of the plurality of high frequency amplifying units to the enabled state or the disabled state, the plurality of high frequency amplifying units are selectively set to the on state or the off state. The synthesizing means has a function of obtaining an amplitude-modulated wave signal obtained by amplitude-modulating a carrier signal with a multilevel digital baseband signal by synthesizing the amplified outputs of the plurality of high-frequency amplifying means.
【００１１】この多値ＡＳＫ回路では、ディジタルベー
スバンド信号を搬送するための搬送波信号は、複数の高
周波増幅手段に供給される。これら複数の高周波増幅手
段の電源側のスイッチング増幅素子は、制御手段によ
り、多値のディジタルベースバンド信号に基づいて、選
択的にイネーブル状態またはディスイネーブル状態に設
定される。これにより、複数の高周波増幅手段は、多値
のディジタルベースバンド信号に基づいて、選択的にオ
ン状態またはオフ状態に設定される。In this multi-level ASK circuit, a carrier signal for carrying a digital baseband signal is supplied to a plurality of high-frequency amplifiers. The switching amplifying elements on the power supply side of the plurality of high-frequency amplifying units are selectively set to an enabled state or a disabled state by the control unit based on a multi-valued digital baseband signal. Thereby, the plurality of high frequency amplifying units are selectively set to the on state or the off state based on the multi-valued digital baseband signal.
【００１２】複数の高周波増幅手段に供給された搬送波
信号は、オン状態に設定された１つまたは複数の高周波
増幅手段により増幅された後、合成手段により合成され
る。これにより、多値のディジタルベースバンド信号に
より振幅変調された振幅変調波信号が得られる。The carrier signal supplied to the plurality of high-frequency amplifiers is amplified by one or more high-frequency amplifiers set to the ON state, and then synthesized by the synthesizer. As a result, an amplitude-modulated wave signal amplitude-modulated by the multi-valued digital baseband signal is obtained.
【００１３】請求項２記載の高周波増幅器は、第１から
第４までの４つのスイッチング増幅素子を有する。The high-frequency amplifier according to the second aspect has four first to fourth switching amplifying elements.
【００１４】ここで、第１のスイッチング増幅素子は、
入力端子と、出力端子と、スイッチング制御端子と、イ
ネーブル端子とを有する。入力端子は電源側に接続さ
れ、スイッチング制御端子には、高周波信号が供給さ
れ、イネーブル端子には、イネーブル信号が供給され
る。第２のスイッチング増幅素子も、入力端子と、出力
端子と、スイッチング制御端子と、イネーブル端子とを
有する。入力端子は電源側に接続され、スイッチング制
御端子には、高周波信号の反転信号が供給され、イネー
ブル端子には、イネーブル信号が供給される。Here, the first switching amplifying element is
It has an input terminal, an output terminal, a switching control terminal, and an enable terminal. The input terminal is connected to the power supply side, the high frequency signal is supplied to the switching control terminal, and the enable signal is supplied to the enable terminal. The second switching amplifier also has an input terminal, an output terminal, a switching control terminal, and an enable terminal. The input terminal is connected to the power supply side, an inverted signal of the high-frequency signal is supplied to the switching control terminal, and the enable signal is supplied to the enable terminal.
【００１５】第３のスイッチング増幅素子は、入力端子
と、出力端子と、スイッチング制御端子とを有する。入
力端子は第１のスイッチング増幅素子の出力端子側に接
続され、出力端子は基準電位点側に接続され、スイッチ
ング制御端子には高周波信号の反転信号が供給される。
第４のスイッチング増幅素子も、入力端子と、出力端子
と、スイッチング制御端子とを有する。入力端子は第１
のスイッチング増幅素子の出力端子側に接続され、出力
端子は基準電位点側に接続され、スイッチング制御端子
には高周波信号が供給される。[0015] The third switching amplifying element has an input terminal, an output terminal, and a switching control terminal. The input terminal is connected to the output terminal side of the first switching amplifier, the output terminal is connected to the reference potential point side, and the switching control terminal is supplied with an inverted signal of the high-frequency signal.
The fourth switching amplifier also has an input terminal, an output terminal, and a switching control terminal. Input terminal is 1st
, The output terminal is connected to the reference potential point side, and a high-frequency signal is supplied to the switching control terminal.
【００１６】この高周波増幅器では、イネーブル信号が
アクティブ状態の場合は、電源側の第１，第２のスイッ
チング増幅素子がイネーブル状態に設定される。これに
より、この場合は、高周波信号が正であれば、第１，第
４のスイッチング増幅素子がオン状態となり、第２，第
３のスイッチング増幅素子がオフ状態となる。逆に、負
であれば、第２，第３のスイッチング増幅素子がオン状
態となり、第１，第４のスイッチング増幅素子がオフ状
態となる。これにより、高周波増幅器の出力端子には、
高周波信号の増幅出力が得られる。In this high-frequency amplifier, when the enable signal is in the active state, the first and second switching amplification elements on the power supply side are set to the enabled state. Thus, in this case, if the high-frequency signal is positive, the first and fourth switching amplifiers are turned on, and the second and third switching amplifiers are turned off. Conversely, if negative, the second and third switching amplifying elements are turned on, and the first and fourth switching amplifying elements are turned off. Thereby, the output terminal of the high frequency amplifier
An amplified output of a high-frequency signal is obtained.
【００１７】これに対し、イネーブル信号がインアクテ
ィブ状態の場合は、電源側の第１，第２のスイッチング
増幅素子がディスイネーブル状態に設定される。しか
し、この場合、接地側の第３，第４のスイッチング増幅
素子がイネーブル状態にあるため、高周波増幅器の出力
端子から見た内部インピーダンスは、接地側の低インピ
ーダンスにより０となる。これにより、第１，第２のス
イッチング増幅素子と電源との間に挿入されたヒューズ
が切れた場合でも、高周波増幅器の出力端子から見た内
部インピーダンスが０に保たれる。On the other hand, when the enable signal is in the inactive state, the first and second switching amplifiers on the power supply side are set to the disabled state. However, in this case, since the third and fourth switching amplifying elements on the ground side are in the enabled state, the internal impedance seen from the output terminal of the high-frequency amplifier becomes zero due to the low impedance on the ground side. As a result, even when the fuse inserted between the first and second switching amplifiers and the power supply is blown, the internal impedance viewed from the output terminal of the high-frequency amplifier is kept at zero.
【００１８】[0018]
【実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発明の実
施の形態を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１９】図１は、本発明に係る高周波増幅器の構成
を示す回路図であり、図２は、本発明に係る多値ＡＳＫ
回路の構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a high-frequency amplifier according to the present invention, and FIG. 2 is a multi-level ASK according to the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration of a circuit.
【００２０】ここで、まず、図１に示す高周波増幅器の
構成を説明する前に、本実施の形態をわかりやすくする
ために、図２に示す多値ＡＳＫ回路の構成を説明する。Here, before describing the configuration of the high-frequency amplifier shown in FIG. 1, the configuration of the multi-level ASK circuit shown in FIG. 2 will be described in order to make this embodiment easier to understand.
【００２１】図示の多値ＡＳＫ回路は、入力端子１１
と、搬送波発振器１２と、複数の高周波増幅器１３
（１），１３（２），…，１３（Ｎ）と、アナログ／デ
ィジタル変換器（以下「Ａ／Ｄ変換器」という。）１４
と、エンコーダ１５と、合成器１６と、出力端子１７と
を有する。The multi-level ASK circuit shown has an input terminal 11
, A carrier oscillator 12 and a plurality of high-frequency amplifiers 13
(1), 13 (2),..., 13 (N) and an analog / digital converter (hereinafter, referred to as an “A / D converter”) 14
, An encoder 15, a synthesizer 16, and an output terminal 17.
【００２２】入力端子１１には、アナログのベースバン
ド信号が供給される。このアナログベースバンド信号
は、例えば、音声信号である。搬送波発振器１２は、デ
ィジタルのベースバンド信号を搬送するための搬送波信
号ＣＷを発生する機能を有する。高周波増幅器１３
（１），１３（２），…，１３（Ｎ）は、搬送波発振器
１２から出力される搬送波信号ＣＷを増幅する機能を有
する。The input terminal 11 is supplied with an analog baseband signal. This analog baseband signal is, for example, an audio signal. The carrier oscillator 12 has a function of generating a carrier signal CW for carrying a digital baseband signal. High frequency amplifier 13
(1), 13 (2),..., 13 (N) have a function of amplifying the carrier signal CW output from the carrier oscillator 12.
【００２３】Ａ／Ｄ変換器１４は、入力端子１１に供給
されるアナログベースバンド信号を２値のディジタルベ
ースバンド信号に変換する機能を有する。エンコーダ１
５は、Ａ／Ｄ変換器１４から出力される２値のディジタ
ルベースバンド信号を複数ビットごとにエンコードする
ことにより、多値のディジタルベースバンド信号に変換
する機能を有する。この多値のディジタルベースバンド
信号は、高周波増幅器１３（１），１３（２），…，１
３（Ｎ）を選択的にオン状態またはオフ状態に設定する
ためのオン・オフ制御信号Ｃ（１），Ｃ（２），…，Ｃ
（Ｎ）として使用される。合成器１６は、高周波増幅器
１３（１），１３（２），…，１３（Ｎ）の増幅出力を
合成することにより、搬送波信号ＣＷを多値のディジタ
ルベースバンド信号で振幅変調した振幅変調波信号を得
る機能を有する。出力端子１７には、この振幅変調波信
号が供給される。The A / D converter 14 has a function of converting an analog baseband signal supplied to the input terminal 11 into a binary digital baseband signal. Encoder 1
Reference numeral 5 has a function of converting a binary digital baseband signal output from the A / D converter 14 into a multilevel digital baseband signal by encoding the digital baseband signal for each of a plurality of bits. This multi-valued digital baseband signal is supplied to high-frequency amplifiers 13 (1), 13 (2),.
, C (1), C (2),..., C for selectively setting 3 (N) to an on state or an off state.
Used as (N). The synthesizer 16 synthesizes the amplified outputs of the high-frequency amplifiers 13 (1), 13 (2),..., 13 (N), thereby amplitude-modulating the carrier signal CW with a multi-valued digital baseband signal. Has the function of obtaining a signal. The output terminal 17 is supplied with the amplitude modulated wave signal.
【００２４】上記合成器１６は、高周波増幅器１３
（１），１３（２），…，１３（Ｎ）と同じ数の合成ト
ランス１６１（１），１６１（２），…，１６１（Ｎ）
を有する。合成トランス１６１（１），１６１（２），
…，１６１（Ｎ）の一次巻線Ｌ１（１），Ｌ１（２），
…，Ｌ１（Ｎ）は、それぞれ対応する高周波増幅器１３
（１），１３（２），…，１３（Ｎ）の出力端子に接続
されている。一方、二次巻線Ｌ２（１），Ｌ２（２），
…，Ｌ２（３）は直列接続され、出力端子１７と基準電
位点、例えば、アースとの間に挿入されている。以上
が、多値ＡＳＫ回路の構成である。The synthesizer 16 includes a high-frequency amplifier 13
(1), 13 (2),..., 13 (N) in the same number as the number of synthesis transformers 161 (1), 161 (2),.
Having. Synthetic transformers 161 (1), 161 (2),
, 161 (N) primary windings L1 (1), L1 (2),
, L1 (N) are the corresponding high-frequency amplifiers 13
(1), 13 (2),..., 13 (N). On the other hand, the secondary windings L2 (1), L2 (2),
, L2 (3) are connected in series and inserted between the output terminal 17 and a reference potential point, for example, the ground. The above is the configuration of the multi-level ASK circuit.
【００２５】次に、図１に示す高周波増幅器の構成を説
明する。図示の高周波増幅器は、図２に示す高周波増幅
器１３（１），１３（２），…，１３（Ｎ）の１つに相
当する。Next, the configuration of the high-frequency amplifier shown in FIG. 1 will be described. The illustrated high-frequency amplifier corresponds to one of the high-frequency amplifiers 13 (1), 13 (2),..., 13 (N) shown in FIG.
【００２６】図示の高周波増幅器１３（ｎ）（ｎ＝１，
２，…，Ｎ）は、フルブリッジ・シングルエンデット・
プッシュプル回路構成を有する。すなわち、この高周波
増幅器１３（ｎ）は、４つのスイッチング増幅素子１３
１（ｎ），１３２（ｎ），１３３（ｎ），１３４（ｎ）
と、ヒューズ１３５（ｎ）と、反転回路１３６（ｎ）と
を有する。The illustrated high-frequency amplifier 13 (n) (n = 1,
2, ..., N) are full bridge, single end,
It has a push-pull circuit configuration. That is, the high-frequency amplifier 13 (n) includes four switching amplifying elements 13 (n).
1 (n), 132 (n), 133 (n), 134 (n)
And a fuse 135 (n) and an inverting circuit 136 (n).
【００２７】スイッチング増幅素子１３１（ｎ），１３
４（ｎ）は、搬送波発振器１２から出力される搬送波信
号ＣＷに従ってスイッチング動作し、スイッチング信号
を出力する機能を有する。スイッチング増幅素子１３２
（ｎ），１３３（ｎ）は、反転回路１３６（ｎ）の出力
信号に従ってスイッチング動作し、スイッチング信号を
出力する機能を有する。これらスイッチング増幅素子１
３１（ｎ），１３２（ｎ），１３３（ｎ），１３４
（ｎ）は、例えば、電界効果トランジスタ等の半導体素
子によって構成されている。Switching amplification elements 131 (n), 13
4 (n) performs a switching operation in accordance with the carrier signal CW output from the carrier oscillator 12, and has a function of outputting a switching signal. Switching amplification element 132
(N) and 133 (n) have a function of performing a switching operation in accordance with an output signal of the inverting circuit 136 (n) and outputting a switching signal. These switching amplifiers 1
31 (n), 132 (n), 133 (n), 134
(N) is constituted by a semiconductor element such as a field effect transistor, for example.
【００２８】ヒューズ１３５（ｎ）は、高周波増幅器１
３（ｎ）に過度の電流が流れるのを防止する機能を有す
る。反転回路１３６（ｎ）は、搬送波発振器１２から出
力される搬送波信号ＣＷを反転することにより、スイッ
チング増幅素子１３１（ｎ），１３４（ｎ）とスイッチ
ング増幅素子１３２（ｎ），１３３（ｎ）とを交互にオ
ン状態に設定する機能を有する。The fuse 135 (n) is connected to the high-frequency amplifier 1
3 (n) has a function of preventing an excessive current from flowing. The inverting circuit 136 (n) inverts the carrier signal CW output from the carrier oscillator 12, thereby switching the switching amplifiers 131 (n) and 134 (n) and the switching amplifiers 132 (n) and 133 (n). Are alternately set to the ON state.
【００２９】スイッチング増幅素子１３１（ｎ），１３
２（ｎ）は、入力端子と、出力端子と、スイッチング制
御端子と、イネーブル端子とを有する。スイッチング増
幅素子１３３（ｎ），１３４（ｎ）は、入力端子と、出
力端子と、スイッチング制御端子とを有する。Switching amplification elements 131 (n), 13
2 (n) has an input terminal, an output terminal, a switching control terminal, and an enable terminal. Each of the switching amplification elements 133 (n) and 134 (n) has an input terminal, an output terminal, and a switching control terminal.
【００３０】電源側のスイッチング増幅素子１３１
（ｎ），１３２（ｎ）の入力端子は、ヒューズ１３５
（ｎ）の一端に接続されている。スイッチング増幅素子
１３１（ｎ）のスイッチング制御端子には、搬送波発振
器１２から出力される搬送波信号ＣＷが供給される。ス
イッチング増幅素子１３２（ｎ）のスイッチング制御端
子には、反転回路１３６（ｎ）により反転された搬送波
信号ＣＷが供給される。スイッチング増幅素子１３１
（ｎ），１３２（ｎ）のイネーブル端子には、エンコー
ダ１５から出力されるオン・オフ制御信号Ｃ（ｎ）がイ
ネーブル信号として供給される。Switching amplification element 131 on power supply side
The input terminals of (n) and 132 (n) are connected to the fuse 135
(N). The carrier signal CW output from the carrier oscillator 12 is supplied to a switching control terminal of the switching amplifier 131 (n). The carrier signal CW inverted by the inverting circuit 136 (n) is supplied to the switching control terminal of the switching amplifier 132 (n). Switching amplification element 131
On / off control signals C (n) output from the encoder 15 are supplied as enable signals to the enable terminals of (n) and 132 (n).
【００３１】スイッチング増幅素子１３３（ｎ），１３
４（ｎ）の入力端子は、それぞれスイッチング増幅素子
１３１（ｎ），１３２（ｎ）の出力端子に接続されてい
る。スイッチング増幅素子１３３（ｎ），１３４（ｎ）
の出力端子は接地されている。スイッチング増幅素子１
３３（ｎ）のスイッチング制御端子には、反転回路１３
６（ｎ）により反転された搬送波信号ＣＷが供給され
る。スイッチング増幅素子１３４（ｎ）のスイッチング
制御端子には、搬送波発振器１２から出力される搬送波
信号ＣＷが供給される。Switching amplification elements 133 (n), 13
The input terminals of 4 (n) are connected to the output terminals of switching amplification elements 131 (n) and 132 (n), respectively. Switching amplification elements 133 (n), 134 (n)
Output terminal is grounded. Switching amplifier 1
The switching control terminal 33 (n) has an inverting circuit 13
6 (n) supplies the inverted carrier signal CW. The carrier signal CW output from the carrier oscillator 12 is supplied to the switching control terminal of the switching amplifier 134 (n).
【００３２】ヒューズ１３５（ｎ）の他端は、直流電源
Ｖｃｃに接続されている。スイッチング増幅素子１３１
（ｎ）の出力端子とスイッチング増幅素子１３３（ｎ）
の入力端子との接続点は、合成トランス１６１（ｎ）の
一次巻線Ｌ１（ｎ）の一方の端子に接続されている。ス
イッチング増幅素子１３２（ｎ）の出力端子とスイッチ
ング増幅素子１３４（ｎ）の入力端子との接続点は、合
成トランス１６１（ｎ）の一次巻線Ｌ１（ｎ）の他方の
端子に接続されている。以上が、高周波増幅器１３
（ｎ）の構成である。The other end of the fuse 135 (n) is connected to a DC power supply Vcc. Switching amplification element 131
(N) output terminal and switching amplifier 133 (n)
Is connected to one terminal of the primary winding L1 (n) of the composite transformer 161 (n). A connection point between the output terminal of the switching amplification element 132 (n) and the input terminal of the switching amplification element 134 (n) is connected to the other terminal of the primary winding L1 (n) of the synthesis transformer 161 (n). . The above is the description of the high-frequency amplifier 13
This is the configuration of (n).
【００３３】上記構成において、動作を説明する。ま
ず、図２に示す多値ＡＳＫ回路の動作を説明する。The operation of the above configuration will be described. First, the operation of the multi-level ASK circuit shown in FIG. 2 will be described.
【００３４】搬送波発振器１２から出力される搬送波信
号ＣＷは、高周波増幅器１３（１），１３（２），…，
１３（Ｎ）に供給される。また、入力端子１１に供給さ
れたアナログベースバンド信号は、Ａ／Ｄ変換器１４に
より２値のディジタルベースバンド信号に変換される。The carrier signal CW output from the carrier oscillator 12 is supplied to high-frequency amplifiers 13 (1), 13 (2),.
13 (N). The analog baseband signal supplied to the input terminal 11 is converted by the A / D converter 14 into a binary digital baseband signal.
【００３５】この２値のディジタルベースバンド信号
は、エンコーダ１５によりｍ（ｍは２以上の整数）ビッ
トごとにエンコードされる。これにより、２m 値のディ
ジタルベースバンド信号が得られる。この２m 値のディ
ジタルベースバンド信号は、Ｎ個の信号Ｃ（１），Ｃ
（２），…，Ｃ（Ｎ）によって表される。ここで、ｍと
Ｎの間には、例えば、次式で表されるような関係があ
る。 ２m ＝Ｎ＋１The binary digital baseband signal is encoded by the encoder 15 every m (m is an integer of 2 or more) bits. As a result, a digital baseband signal having a 2 m value is obtained. The 2 m- value digital baseband signal is composed of N signals C (1), C
(2),..., C (N). Here, between m and N, for example, there is a relationship represented by the following equation. 2 m = N + 1
【００３６】このＮ個のエンコード出力Ｃ（１），Ｃ
（２），…，Ｃ（Ｎ）は、それぞれ高周波増幅器１３
（１），１３（２），…，１３（Ｎ）にオン・オフ制御
信号として供給される。高周波増幅器１３（１），１３
（２），…，１３（Ｎ）は、例えば、対応するオン・オ
フ制御信号Ｃ（１），Ｃ（２），…，Ｃ（Ｎ）がアクテ
ィブ状態の場合はオン状態に設定され、インアクティブ
状態の場合はオフ状態に設定される。これにより、高周
波増幅器１３（１），１３（２），…，１３（Ｎ）は、
２m 値のディジタルベースバンド信号の値に応じた数だ
けオン状態に設定される。The N encoded outputs C (1), C (1)
(2),..., C (N) are high-frequency amplifiers 13
, 13 (N) are supplied as on / off control signals. High frequency amplifiers 13 (1), 13
, 13 (N) are set to the on state when the corresponding on / off control signals C (1), C (2),..., C (N) are in the active state. In the case of the active state, it is set to the off state. Thus, the high frequency amplifiers 13 (1), 13 (2),..., 13 (N)
The ON state is set by the number corresponding to the value of the digital baseband signal of 2 m value.
【００３７】高周波増幅器１３（１），１３（２），
…，１３（Ｎ）に供給された搬送波信号ＣＷは、オン状
態に設定されている１つまたは複数の高周波増幅器１３
（ｎ）により増幅された後、合成器１６により合成され
る。これにより、出力端子１７には、搬送波信号ＣＷを
２m 値のディジタルベースバンド信号で振幅変調した変
調波信号が得られる。The high frequency amplifiers 13 (1), 13 (2),
, 13 (N) is supplied to one or more high-frequency amplifiers 13 which are set to the on state.
After being amplified by (n), they are combined by the combiner 16. As a result, a modulated wave signal obtained by amplitude-modulating the carrier signal CW with the 2 m- value digital baseband signal is obtained at the output terminal 17.
【００３８】以上の動作を具体例を使って説明する。２
m 値のディジタルベースバンド信号の値（ｍビットのデ
ィジタル情報の値）が１０進で“０”の場合、オン・オ
フ制御信号Ｃ（１），Ｃ（２），…，Ｃ（Ｎ）は、すべ
てインアクティブ状態に設定される。これにより、この
場合は、すべての高周波増幅器１３（１），１３
（２），…，１３（Ｎ）がオフ状態に設定される。その
結果、この場合は、振幅変調波信号のレベルは、例え
ば、１０進で“０”に設定される。The above operation will be described using a specific example. 2
When the value of the m- value digital baseband signal (the value of the m-bit digital information) is “0” in decimal, the on / off control signals C (1), C (2),. , All are set to the inactive state. Thus, in this case, all the high frequency amplifiers 13 (1), 13
(2),..., 13 (N) are turned off. As a result, in this case, the level of the amplitude modulated wave signal is set to “0” in decimal, for example.
【００３９】また、２m 値のディジタルベースバンド信
号が１０進で“１”の場合、オン・オフ制御信号Ｃ
（１）のみがアクティブ状態に設定され、そのほかのオ
ン・オフ制御信号Ｃ（２），Ｃ（３），…，Ｃ（Ｎ）は
インアクティブ状態に設定される。これにより、この場
合は、高周波増幅器１３（１）のみがオン状態に設定さ
れ、そのほかの高周波増幅器１３（２），１３（３），
…，１３（Ｎ）は、オフ状態に設定される。その結果、
この場合は、振幅変調波信号のレベルは、例えば、１０
進で“１”に設定される。When the digital baseband signal of 2 m value is "1" in decimal, the on / off control signal C
Only (1) is set to the active state, and the other ON / OFF control signals C (2), C (3),..., C (N) are set to the inactive state. Thus, in this case, only the high frequency amplifier 13 (1) is set to the ON state, and the other high frequency amplifiers 13 (2), 13 (3),
, 13 (N) are set to the off state. as a result,
In this case, the level of the amplitude modulated wave signal is, for example, 10
Hex is set to "1".
【００４０】また、２m 値のディジタルベースバンド信
号の値が１０進で“２”の場合、オン・オフ制御信号Ｃ
（１），Ｃ（２）がアクティブ状態に設定され、そのほ
かのオン・オフ制御信号Ｃ（３），Ｃ（４），…，Ｃ
（Ｎ）はインアクティブ状態に設定される。これによ
り、この場合は、高周波増幅器１３（１），１３（２）
がオン状態に設定され、そのほかの高周波増幅器１３
（３），１３（４），…，１３（Ｎ）は、オフ状態に設
定される。その結果、この場合は、振幅変調波信号のレ
ベルは、例えば、１０進で“２”に設定される。When the value of the 2 m digital baseband signal is "2" in decimal, the on / off control signal C
(1) and C (2) are set to the active state, and the other on / off control signals C (3), C (4),.
(N) is set to the inactive state. Thereby, in this case, the high frequency amplifiers 13 (1) and 13 (2)
Is set to the ON state, and the other high-frequency amplifiers 13
(3), 13 (4), ..., 13 (N) are set to the off state. As a result, in this case, the level of the amplitude modulated wave signal is set to, for example, "2" in decimal.
【００４１】以下、同様に、２m 値のディジタルベース
バンド信号の値が１０進で“ｘ”（ｘ＝１，２，…，２
m ）の場合は、振幅変調波信号のレベルは、例えば、１
０進で“ｘ”となる。以上が、図２に示す多値ＡＳＫ回
路の動作である。Hereinafter, similarly, the value of the digital baseband signal of 2 m value is “x” (x = 1, 2,..., 2) in decimal.
m ), the level of the amplitude modulated wave signal is, for example, 1
It becomes "x" in zero base. The above is the operation of the multi-level ASK circuit shown in FIG.
【００４２】次に、図１に示す高周波増幅器１３（ｎ）
の動作を説明する。Next, the high frequency amplifier 13 (n) shown in FIG.
Will be described.
【００４３】エンコーダ１５から高周波増幅器１３
（ｎ）に供給されるオン・オフ制御信号Ｃ（ｎ）は、こ
の高周波増幅器１３（ｎ）の電源側のスイッチング増幅
素子１３１（ｎ），１３２（ｎ）にイネーブル信号とし
て供給される。このイネーブル信号がアクティブ状態の
場合は、スイッチング増幅素子１３１（ｎ），１３２
（ｎ）がイネーブル状態に設定される。これにより、こ
の場合は、高周波増幅器１３（ｎ）がオン状態に設定さ
れる。From the encoder 15 to the high-frequency amplifier 13
The on / off control signal C (n) supplied to (n) is supplied as an enable signal to the switching amplification elements 131 (n) and 132 (n) on the power supply side of the high frequency amplifier 13 (n). When the enable signal is in the active state, the switching amplification elements 131 (n), 132
(N) is set to the enable state. Thereby, in this case, the high-frequency amplifier 13 (n) is set to the ON state.
【００４４】このとき、搬送波発振器１２から出力され
る搬送波信号ＣＷが正であれば、例えば、スイッチング
増幅素子１３１（ｎ），１３４（ｎ）がオン状態とな
り、スイッチング増幅素子１３２（ｎ），１３３（ｎ）
がオフ状態となる。その結果、この場合は、電源Ｖｃｃ
からヒューズ１３５（ｎ）、スイッチング増幅素子１３
１（ｎ）、合成トランス１６１（ｎ）の一次巻線Ｌ１
（ｎ）、スイッチング増幅素子１３４（ｎ）を介してア
ースに電流が流れる。At this time, if the carrier signal CW output from the carrier oscillator 12 is positive, for example, the switching amplifiers 131 (n) and 134 (n) are turned on, and the switching amplifiers 132 (n) and 133 are turned on. (N)
Is turned off. As a result, in this case, the power supply Vcc
To fuse 135 (n), switching amplifying element 13
1 (n), the primary winding L1 of the composite transformer 161 (n)
(N), a current flows to the ground via the switching amplifier 134 (n).
【００４５】これに対し、搬送波発振器１２から出力さ
れる搬送波信号ＣＷが負であれば、例えば、スイッチン
グ増幅素子１３２（ｎ），１３３（ｎ）がオン状態とな
り、スイッチング増幅素子１３１（ｎ），１３４（ｎ）
がオフ状態となる。その結果、この場合は、電源Ｖｃｃ
からヒューズ１３５（ｎ）、スイッチング増幅素子１３
２（ｎ）、合成トランス１６１（ｎ）の一次巻線Ｌ１
（ｎ）、スイッチング増幅素子１３３（ｎ）を介してア
ースに電流が流れる。これにより、この場合は、合成ト
ランス１６１（ｎ）の一次巻線Ｌ１（ｎ）には、搬送波
信号ＣＷが正の場合とは逆向きの電流が流れる。On the other hand, if the carrier signal CW output from the carrier oscillator 12 is negative, for example, the switching amplifiers 132 (n) and 133 (n) are turned on, and the switching amplifiers 131 (n), 134 (n)
Is turned off. As a result, in this case, the power supply Vcc
To fuse 135 (n), switching amplifying element 13
2 (n), the primary winding L1 of the composite transformer 161 (n)
(N), a current flows to the ground via the switching amplifier 133 (n). Thus, in this case, a current flows in the primary winding L1 (n) of the combining transformer 161 (n) in a direction opposite to that in the case where the carrier signal CW is positive.
【００４６】以上から、イネーブル信号がアクティブ状
態の場合は、合成トランス１６１（ｎ）の１次巻線Ｌ１
（ｎ）に、搬送波発振器１２から出力される搬送波信号
ＣＷの増幅出力が現れる。この増幅出力は、電磁誘導に
より２次巻線Ｌ２（ｎ）に伝達される。As described above, when the enable signal is in the active state, the primary winding L1 of the synthesizing transformer 161 (n)
The amplified output of the carrier signal CW output from the carrier oscillator 12 appears at (n). This amplified output is transmitted to the secondary winding L2 (n) by electromagnetic induction.
【００４７】これに対し、イネーブル信号がインアクテ
ィブ状態の場合は、電源側のスイッチング増幅素子１３
１（ｎ），１３２（ｎ）がディスイネーブル状態に設定
される。これにより、この場合は、高周波増幅器１３
（ｎ）がオフ状態に設定される。On the other hand, when the enable signal is in the inactive state, the switching amplifier 13 on the power supply side
1 (n) and 132 (n) are set to the disabled state. Thereby, in this case, the high-frequency amplifier 13
(N) is set to the off state.
【００４８】しかし、この場合、接地側のスイッチング
増幅素子１３３（ｎ），１３４（ｎ）がイネーブル状態
に設定されている。これにより、この場合は、高周波増
幅器１３（ｎ）の出力端子からみたインピーダンスは、
接地側の低いインピーダンスにより０となり、高周波増
幅器１３（ｎ）の２つの出力端子間が短絡状態となる。
その結果、合成トランス１６１（ｎ）の一次側インピー
ダンスが０となり、合成トランス１６１（ｎ）の一次側
巻線Ｌ１（ｎ）の両端が短絡状態となる。However, in this case, the switching amplification elements 133 (n) and 134 (n) on the ground side are set to the enabled state. Accordingly, in this case, the impedance viewed from the output terminal of the high-frequency amplifier 13 (n) is
It becomes 0 due to the low impedance on the ground side, and the two output terminals of the high frequency amplifier 13 (n) are short-circuited.
As a result, the primary impedance of the combined transformer 161 (n) becomes 0, and both ends of the primary winding L1 (n) of the combined transformer 161 (n) are short-circuited.
【００４９】これにより、合成トランス１６１（ｎ）が
チョークコイルとして動作することが防止される。その
結果、他の合成トランス１６１（ｎ）の出力が著しく低
下したり、自分自身が発熱破損してしまうことが防止さ
れる。This prevents the synthesizing transformer 161 (n) from operating as a choke coil. As a result, it is possible to prevent the output of the other synthesizing transformer 161 (n) from remarkably lowering and from being damaged by heat generation.
【００５０】以上詳述した本実施の形態によれば、高周
波増幅器１３（ｎ）をオフ状態に設定する場合、電源側
のスイッチング増幅素子１３１（ｎ），１３２（ｎ）を
ディスイネーブル状態に設定することにより、オフ状態
に設定するようにしたので、ヒューズ１３５（ｎ）が切
れた場合でも、合成トランス１６１（ｎ）の一次側イン
ピーダンスを０に保つことができる。これにより、この
場合でも、他の合成トランス１６１（ｎ）の出力が著し
く低下したり、自分自身が発熱破損してしまうことを防
止することができる。According to the present embodiment described above, when the high frequency amplifier 13 (n) is set to the off state, the switching amplifying elements 131 (n) and 132 (n) on the power supply side are set to the disabled state. By doing so, the off state is set, so that the primary impedance of the combined transformer 161 (n) can be kept at 0 even when the fuse 135 (n) is blown. Thus, even in this case, it is possible to prevent the output of the other synthesis transformer 161 (n) from being significantly reduced or from being damaged by heat generation.
【００５１】すなわち、図２に示す多値ＡＳＫ回路は、
各高周波増幅器１３（ｎ）ごとに合成トランス１６１
（ｎ）を設け、この合成トランス１６１（ｎ）の一次巻
線Ｌ１（ｎ）を高周波増幅器１３（ｎ）の出力端子に接
続し、２次巻線Ｌ２（ｎ）を直列接続することにより、
各高周波増幅器１３（ｎ）の増幅出力を合成するように
なっている。That is, the multi-level ASK circuit shown in FIG.
A synthesizing transformer 161 is provided for each high-frequency amplifier 13 (n).
(N), the primary winding L1 (n) of the synthesis transformer 161 (n) is connected to the output terminal of the high-frequency amplifier 13 (n), and the secondary winding L2 (n) is connected in series.
The amplification output of each high-frequency amplifier 13 (n) is synthesized.
【００５２】しかしながら、このような合成構成の場
合、各高周波増幅器１３（ｎ）がオフ状態に設定された
ときに、合成トランス１６１（ｎ）の一次側インピーダ
ンスが無限大であると（一次巻線Ｌ１（ｎ）の両端が開
放状態にあると）、合成トランス１６１（ｎ）がチョー
クコイルとして動作する。これにより、他の合成トラン
ス１６１（ｎ）の出力が著しく低下したり、自分自身が
発熱破損してしまう。However, in the case of such a combined configuration, when each high-frequency amplifier 13 (n) is set to the off state, the primary impedance of the combined transformer 161 (n) is infinite (primary winding). When both ends of L1 (n) are open), the combining transformer 161 (n) operates as a choke coil. As a result, the output of the other synthesizing transformer 161 (n) is remarkably reduced, and the heat is damaged by itself.
【００５３】この問題に対処するために、従来は、図３
に示すように、高周波増幅器１３（ｎ）をオフ状態に設
定する場合、接地側のスイッチング増幅素子１３３
（ｎ），１３４（ｎ）をディスイネーブル状態に設定す
ることにより、オフ状態に設定するようになっていた。In order to deal with this problem, conventionally, FIG.
When the high frequency amplifier 13 (n) is set to the OFF state as shown in FIG.
By setting (n) and 134 (n) to the disabled state, they are set to the off state.
【００５４】このような構成によれば、スイッチング増
幅素子１３３（ｎ），１３４（ｎ）をディスイネーブル
状態に設定して、高周波増幅器１３（ｎ）をオフ状態に
設定すると、合成トランス１６１（ｎ）の一次巻線Ｌ１
（ｎ）の両端が短絡状態となる。これにより、合成トラ
ンス１６１（ｎ）がチョークコイルとして動作すること
がないので、他の合成トランス１６１（ｎ）の出力が著
しく低下したり、自分自身が発熱破損してしまうことを
防止することができる。According to such a configuration, when the switching amplification elements 133 (n) and 134 (n) are set to the disabled state and the high frequency amplifier 13 (n) is set to the off state, the combining transformer 161 (n) is set. ) Primary winding L1
Both ends of (n) are short-circuited. As a result, since the combining transformer 161 (n) does not operate as a choke coil, it is possible to prevent the output of the other combining transformer 161 (n) from remarkably decreasing or from being damaged by heat generation. it can.
【００５５】しかしながら、このような構成では、電源
側の低いインピーダンスにより短絡状態を作り出してい
るため、ヒューズ１３５（ｎ）が切れた場合、高周波増
幅器１３（ｎ）の出力端子から見たインピーダンスが無
限大となる。これにより、この場合は、合成トランス１
６１（ｎ）の一次巻線Ｌ１（ｎ）の両端が開放状態とな
り、他の合成トランス１６１（ｎ）の出力の低下や自分
自身の発熱破損が発生する。However, in such a configuration, since the short-circuit state is created by the low impedance on the power supply side, when the fuse 135 (n) is blown, the impedance viewed from the output terminal of the high frequency amplifier 13 (n) is infinite. It will be great. Thereby, in this case, the synthetic transformer 1
Both ends of the primary winding L1 (n) of the primary transformer 61 (n) are opened, and the output of the other combined transformer 161 (n) is reduced and the heat generated by itself is damaged.
【００５６】これに対し、本実施の形態では、接地側の
低いインピーダンスにより短絡状態を作り出しているた
め、ヒューズ１３５（ｎ）が切れた場合でも、高周波増
幅器１３（ｎ）の出力端子から見たインピーダンスを０
に保つことができる。これにより、合成トランス１６１
（ｎ）の一次巻線Ｌ１（ｎ）の両端が開放状態になるこ
とがないので、他の合成トランス１６１（ｎ）の出力が
著しく低下したり、自分自身が発熱破損してしまうこと
が防止される。On the other hand, in the present embodiment, since a short-circuit state is created by the low impedance on the ground side, even when the fuse 135 (n) is blown, the state is viewed from the output terminal of the high-frequency amplifier 13 (n). 0 impedance
Can be kept. Thereby, the synthesis transformer 161
Since both ends of the primary winding L1 (n) do not become open, the output of the other combined transformer 161 (n) is prevented from remarkably decreasing and the heat generating damage of the transformer itself is prevented. Is done.
【００５７】以上、本発明の一実施の形態を詳細に説明
したが、本発明は、上述したような実施の形態に限定さ
れるものではない。例えば、先の実施の形態では、本発
明の高周波増幅器を多値ＡＳＫ回路に適用する場合を説
明した。しかしながら、本発明の高周波増幅器は、搬送
波信号を２値のディジタルベースバンド信号で振幅変調
する２値ＡＳＫ回路にも適用することができる。このほ
かにも、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々
様々変形実施可能なことは勿論である。Although the embodiment of the present invention has been described in detail, the present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, in the above embodiment, the case where the high-frequency amplifier of the present invention is applied to a multilevel ASK circuit has been described. However, the high-frequency amplifier of the present invention can also be applied to a binary ASK circuit for amplitude-modulating a carrier signal with a binary digital baseband signal. In addition, it goes without saying that the present invention can be variously modified and implemented without departing from the gist thereof.
【００５８】[0058]
【発明の効果】以上詳述したように請求項１記載の多値
ＡＳＫ回路または請求項２記載の高周波増幅器によれ
ば、高周波増幅器をオフ状態に設定する場合、電源側の
スイッチング増幅素子をディスイネーブル状態に設定す
ることにより、オフ状態に設定するようにしたので、ヒ
ューズが切れた場合でも、出力端子から見た内部インピ
ーダンスを０に保つことができる。これにより、ヒュー
ズの切断による他の合成トランスの出力の低下や自分自
身の発熱破損を防止することができる。As described above in detail, according to the multilevel ASK circuit according to the first aspect or the high-frequency amplifier according to the second aspect, when the high-frequency amplifier is set to the off state, the switching amplifying element on the power supply side is disabled. Since the off state is set by setting the enable state, the internal impedance viewed from the output terminal can be kept at 0 even when the fuse is blown. As a result, it is possible to prevent a decrease in the output of another combined transformer due to the cutting of the fuse and a breakage of heat generated by itself.
【図１】本発明に係る高周波増幅器の一実施の形態の構
成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an embodiment of a high-frequency amplifier according to the present invention.
【図２】本発明に係る多値ＡＳＫ回路の一実施の形態の
構成を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of one embodiment of a multi-level ASK circuit according to the present invention.
【図３】従来の高周波増幅器の構成を説明するための回
路図である。FIG. 3 is a circuit diagram for explaining a configuration of a conventional high-frequency amplifier.
１１…入力端子、１２…搬送波発振器、１３（１），１
３（２），…，１３（Ｎ）…高周波増幅器、１４…Ａ／
Ｄ変換器、１５…エンコーダ、１６…合成器、１７…出
力端子、１６１（１），１６１（２），…，１６１
（Ｎ）…合成トランス、１３１（ｎ），１３２（ｎ），
１３３（ｎ），１３４（ｎ）…スイッチング増幅素子、
１３５（ｎ）…ヒューズ、１３６（ｎ）…反転回路、Ｌ
１（ｎ）…一次巻線、Ｌ２（ｎ）…二次巻線。11 input terminal, 12 carrier oscillator, 13 (1), 1
3 (2),..., 13 (N)... High-frequency amplifier, 14.
D converter, 15 encoder, 16 synthesizer, 17 output terminal, 161 (1), 161 (2), ..., 161
(N): Synthetic transformer, 131 (n), 132 (n),
133 (n), 134 (n): switching amplifying element,
135 (n): fuse, 136 (n): inverting circuit, L
1 (n): primary winding, L2 (n): secondary winding.
Claims (2)
位点側のスイッチング増幅素子とを有し、これらスイッ
チング増幅素子を使ってディジタルベースバンド信号を
搬送するための搬送波信号を増幅するフルブリッジ・シ
ングルエンデッド・プッシュプル回路構成の複数の高周
波増幅手段と、 多値のディジタルベースバンド信号に基づいて、前記複
数の高周波増幅手段の前記電源側のスイッチング増幅素
子を選択的に動作可能状態または動作不可状態に設定す
ることにより、これら複数の高周波増幅手段を選択的に
オン状態またはオフ状態に設定する制御手段と、 前記複数の高周波増幅手段の増幅出力を合成することに
より、前記搬送波信号を前記多値のディジタルベースバ
ンド信号で振幅変調した振幅変調波信号を得る合成手段
とを備えたことを特徴とする多値ディジタル振幅変調回
路。1. A full-bridge single unit having a switching amplification element on a power supply side and a switching amplification element on a reference potential point side, and amplifying a carrier signal for carrying a digital baseband signal using these switching amplification elements. A plurality of high-frequency amplifying means having an end push-pull circuit configuration; and a switching amplifying element on the power supply side of the plurality of high-frequency amplifying means selectively enabled or disabled based on a multi-valued digital baseband signal. Control means for selectively setting the plurality of high-frequency amplifying means to an on state or an off state by setting a state; and amplifying outputs of the plurality of high-frequency amplifying means to synthesize the carrier signal. Synthesizing means for obtaining an amplitude-modulated wave signal amplitude-modulated with a digital baseband signal having a value. Multilevel digital amplitude modulation circuit, characterized in that.
制御端子と、イネーブル端子とを有し、入力端子が電源
側に接続され、スイッチング制御端子に高周波信号が供
給され、イネーブル端子にイネーブル信号が供給される
第１のスイッチング増幅素子と、 入力端子と、出力端子と、スイッチング制御端子と、イ
ネーブル端子とを有し、入力端子が前記電源側に接続さ
れ、スイッチング制御端子に前記高周波信号の反転信号
が供給され、イネーブル端子にイネーブル信号が供給さ
れる第２のスイッチング増幅素子と、 入力端子と、出力端子と、スイッチング制御端子とを有
し、入力端子が前記第１のスイッチング増幅素子の出力
端子側に接続され、出力端子が基準電位点側に接続さ
れ、スイッチング制御端子に前記高周波信号の反転信号
が供給される第３のスイッチング増幅素子と、 入力端子と、出力端子と、スイッチング制御端子とを有
し、入力端子が前記第２のスイッチング増幅素子の出力
端子側に接続され、出力端子が前記基準電位点側に接続
され、スイッチング制御端子に前記高周波信号が供給さ
れる第４のスイッチング増幅素子とを備えたことを特徴
とする高周波増幅器。2. An input terminal, an output terminal, a switching control terminal, and an enable terminal, wherein the input terminal is connected to a power supply side, a high-frequency signal is supplied to the switching control terminal, and the enable signal is supplied to the enable terminal. A first switching amplification element to be supplied, an input terminal, an output terminal, a switching control terminal, and an enable terminal; an input terminal connected to the power supply side; and a switching control terminal for inverting the high-frequency signal. A second switching amplifier element to which a signal is supplied and an enable signal is supplied to an enable terminal; an input terminal; an output terminal; and a switching control terminal, wherein the input terminal is an output of the first switching amplifier element. Terminal, the output terminal is connected to the reference potential point side, and an inverted signal of the high-frequency signal is supplied to the switching control terminal. A third switching amplifier element, an input terminal, an output terminal, and a switching control terminal, the input terminal is connected to the output terminal side of the second switching amplifier element, and the output terminal is connected to the reference potential. A fourth switching amplifier connected to the point side and supplied to the switching control terminal with the high-frequency signal.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP7520897A JPH10271170A (en) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | Multi-value digital amplitude modulation circuit and high frequency amplifier |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10271170A true JPH10271170A (en) | 1998-10-09 |
Family
ID=13569559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7520897A Pending JPH10271170A (en) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | Multi-value digital amplitude modulation circuit and high frequency amplifier |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10271170A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267856A (en) * | 2000-01-21 | 2001-09-28 | Harris Corp | Rf power amplifier and its improvement |
| JP2008072210A (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Denso Corp | On-vehicle radio transmitter |
| WO2013136539A1 (en) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | 株式会社 東芝 | Amplitude modulation device |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP7520897A patent/JPH10271170A/en active Pending
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| US8064854B2 (en) | 2006-09-12 | 2011-11-22 | Denso Corporation | Device and method of radio wave transmission |
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| JP2013191930A (en) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | Amplitude modulation device |
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