JP2005238388A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 基体上に成長した炭素構造体の頂点付近の炭素原子と化学結合して該頂点上に成長したカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバーまたはグラファイトナノファイバーから成る炭素ナノ構造体。
2. 請求項１記載の炭素ナノ構造体の製造方法であって、炭素材料に高エネルギービームを照射することを特徴とする炭素ナノ構造体の製造方法。
3. 請求項１記載の炭素ナノ構造体の切断方法であって、基体上の炭素構造体および炭素ナノ構造体を樹脂中に埋め込み、樹脂および埋め込まれた炭素ナノ構造体を一緒に炭素ナノ構造体側から所定位置まで研磨した後、残留している樹脂を除去することを特徴とする炭素ナノ構造体の切断方法。
4. 請求項１記載の炭素ナノ構造体を有することを特徴とする走査トンネル顕微鏡または原子間力顕微鏡の探針。
5. 請求項１記載の炭素ナノ構造体を有することを特徴とする電界電子放出源。
6. 請求項１記載の炭素ナノ構造体が複数個並列に配置され且つ炭素構造体を単一の基材中に埋め込まれて一体化した構造を有することを特徴とする走査トンネル顕微鏡または原子間力顕微鏡の探針。
7. 請求項１記載の炭素ナノ構造体が複数個並列に配置され且つ炭素構造体を単一の基材中に埋め込まれて一体化した構造を有することを特徴とする電界電子放出源。
8. 請求項６記載の探針または請求項７記載の電界電子放出源の製造方法であって、
   基材の表面を、上記炭素ナノ構造体の複数個並列配置に対応する位置に開口を有するマスクで覆う工程、
   上記マスクの開口内に露出した基材の表面に、エッチングにより窪みを形成する工程、
   上記マスク上から炭素を堆積させる工程、
   上記マスクを除去して、上記窪み内のみに上記堆積炭素を残す工程、
   上記窪み内に炭素を堆積させた側の基材表面に高エネルギービームを照射することにより、該堆積炭素上に上記炭素ナノ構造体を成長させる工程
   を含むことを特徴とする探針または電界電子放出源の製造方法。
9. 請求項４または６において、炭素ナノ構造体のラマン分析により得られるＧバンドとＤバンドのピーク強度比Ｇ／Ｄが１よりも大きいことを特徴とする探針。
10. 請求項５または７において、炭素ナノ構造体のラマン分析により得られるＧバンドとＤバンドのピーク強度比Ｇ／Ｄが１よりも大きいことを特徴とする電界電子放出源。
11. 請求項４または６において、炭素ナノ構造体が多層カーボンナノチューブであり、最表層が化学的修飾により絶縁性を付与されていることを特徴とする探針。
12. 請求項５または７において、炭素ナノ構造体が多層カーボンナノチューブであり、最表層が化学的修飾により絶縁性を付与されていることを特徴とする電界電子放出源。
13. 請求項４または６において、炭素ナノ構造体が多層カーボンナノチューブであり、最表層がキラル構造またはジグザグ構造であることを特徴とする探針。
14. 請求項５または７において、炭素ナノ構造体が多層カーボンナノチューブであり、最表層がキラル構造またはジグザグ構造であることを特徴とする電界電子放出源。