JP2004015941A - Positive/negative dc power supply unit and semiconductor testing device using the same - Google Patents

Positive/negative dc power supply unit and semiconductor testing device using the same Download PDF

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JP2004015941A JP2002168305A JP2002168305A JP2004015941A JP 2004015941 A JP2004015941 A JP 2004015941A JP 2002168305 A JP2002168305 A JP 2002168305A JP 2002168305 A JP2002168305 A JP 2002168305A JP 2004015941 A JP2004015941 A JP 2004015941A
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Kazufumi Yoshida
吉田 和史
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor testing device having a positive/negative DC power supply unit and capable of shifting both output voltages of positive and negative power supplies, by eliminating the need for a DC-DC converter for an exclusive voltage shift, in an individual I/F circuit mounted on a performance board. <P>SOLUTION: This positive/negative DC power supply unit includes an isolated DC power supply. The DC power supply has a primary side and a secondary side for supplying the power isolated from each other, and delivers the positive/negative DC power supplies from the secondary side. With three output terminals of the DC power supply on the secondary side taken as a positive output terminal for supplying positive voltage, a negative output terminal for supplying negative voltage, and a common terminal COM of the positive and negative output terminals; the positive terminal and the negative terminal are connected to a load device, and are inserted in between a circuit ground GND of the load device and the common terminal COM to provide a voltage shift means of applying a predetermined voltage drop. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、正負電源を供給するDC電源装置における両方の正負電源の出力電圧をシフト可能な正負直流電源装置に関する。特に、半導体試験装置のパフォーマンスボード上に備える、DUTの品種に対応するインタフェース回路を実装するときに前記インタフェース回路へ供給する正負電源の出力電圧をシフト可能な正負直流電源装置を備える半導体試験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図7は半導体試験装置のテストヘッドの概念図である。テストヘッドの上にはDUTに対応した専用のパフォーマンスボードPBが装着されてDUTの各種試験が行われる。ここで、半導体試験装置は公知であり技術的に良く知られている為、本願に係る要部を除き、その他の信号や構成要素、及びその詳細説明については省略する。
【0003】
パフォーマンスボードPBには、例えばピンエレクトロニクス側と信号接続をするケーブルや、1個以上複数個のDUTとコンタクトするコンタクタ(ICソケット等)や、個別I/F回路100や、その他の回路を搭載している。
【0004】
個別I/F回路100は、テストヘッドに備えるピンエレクトロニクスのハード資源では試験できないような場合において、DUT個別のインタフェース回路を実装するものである。但し、パフォーマンスボード上であるため、実装可能なインタフェース回路の領域は有限であり、且つ狭い領域であり、使用出来るDC電源も限定されている。
ところで、DUT個別のインタフェース回路に使用するDC電源において、テストヘッドから供給されている5v、12v電源以外のDC電源を必要とする場合がある。この場合にはパフォーマンスボード上にDC電源を備える必要性が生じる。
【0005】
次に、図1(a)は図7に示す個別I/F回路100が必要とするDC電源部についての従来の構成例である。ここでは±15vのDCDCコンバータに対して−3v電圧シフトした+12vと−18vを発生する具体例と仮定する。また、個別I/F回路100は主にオペアンプ回路によるインタフェース回路を構成しているものと仮定する。尚、実際の半導体試験装置では、DUTの個数に対応して同様の回路構成が複数系統備えている。
【0006】
図1の構成要素は、DCDCコンバータDCDC1、DCDC2と、負荷回路RLを備える。
DCDCコンバータDCDC1は、絶縁型のDCDCコンバータであり、±15vのDC電圧で数百mAの電流を供給する。
【0007】
DCDCコンバータDCDC2は、±15vの両者の電圧を、シフト電圧V3を付与する為の電圧シフト手段であって、一例として−3vのDC電圧を発生する。
【0008】
これらの接続において、DCDCコンバータDCDC1の出力側のCOM端子は、図1に示すように、DCDC2の−3v端子に接続する。DCDCコンバータDCDC2の出力側のCOM端子は回路アースGNDに接続する。この結果、正電圧V1は−3vシフトされて+12vの電圧として負荷回路RL1の一端へ供給され、負電圧V2は−3vシフトされて−18vの電圧として負荷回路RL2の他端へ供給される。
【0009】
負荷回路RLは、パフォーマンスボード上でDUTとインタフェースするインタフェース回路であって、一例としてはオペアンプ回路による交流信号の増幅を行うインタフェース回路がある。尚、図示ないが、正電圧V1及び負電圧V2と回路アースとの間には所望容量のバイパスコンデンサが接続されている。
【0010】
図1(b)はオペアンプ回路に使用するDC電源に対して電圧シフトが要求される場合の回路例である。例えばDUTから出力される入力信号Vinは−12v〜0vの直流電圧が重畳した状態の50mVの交流信号であり、これをインタフェース回路であるオペアンプ回路が受けて、例えば100倍に増幅した5vの交流信号を出力する。このとき、要求される正負の電源は、入力信号及び出力信号に対してリニアリティ良く増幅可能なDC電源を供給することが求められる。
【0011】
ここで、オペアンプ回路のような構成の回路では、回路アースGNDへ流れる電流は少ない。従って、一方の負荷回路RL1に流れる電流i1と、他方の負荷回路RL2に流れる電流i2とはほぼ同一電流に近い。これに伴って、DCDCコンバータDCDC1のCOM端子へ流れるGND電流iGNDは少ない。例えば、電流i1が100mAの場合、GND電流iGNDは数mA以下の微小電流である。
【0012】
上述の従来構成によれば、電圧シフト手段としてDCDCコンバータDCDC2を備える必要がある。DCDCコンバータは比較的大きな実装スペースを必要とする。一方で有限スペースのパフォーマンスボードPB上に他のインタフェース回路と共に実装することを考えると、DC電源部は可能な限り実装スペースを低減することが望まれる。また、DUTの品種により異なる電圧シフトの電圧値が必要となる場合がある。尚、DC電源の許容可能な電源変動は、オペアンプの電源変動除去比PSRRが一般に±90dB程度あるので、例えば±0.3v程度までの電源変動が許容可能である。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上述説明したように従来技術においては、DUTの品種に対応した電圧シフトされた正負電源を供給する為に、電圧シフト専用のDCDCコンバータを備える構成により実現している。
ところで、負荷回路RLがオペアンプ回路のように、回路アースGNDへ流れる電流は少ないインタフェース回路の場合が多くある。
電圧シフト専用のDCDCコンバータは有限スペースのパフォーマンスボードPB上で比較的大きな実装スペースを必要とする難点がある。また、電圧シフト専用のDCDCコンバータの実装に伴って、他のインタフェース回路が実装上の制限を受ける場合もある。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、パフォーマンスボード上に備える個別I/F回路において、電圧シフト専用のDCDCコンバータを不要にし、正負電源の両出力電圧をシフト可能な正負直流電源装置を備える半導体試験装置を提供することである。
また、電圧シフト専用のDCDCコンバータを不要にした正負電源を供給する正負DC電源供給装置を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
第1の解決手段を示す。ここで第2図と第3図は、本発明に係る解決手段を示している。
上記課題を解決するために、絶縁型の直流電源(例えばDCDCコンバータDCDC1)を備え、前記直流電源は電源を供給する1次側と二次側とが絶縁され、二次側から正負の直流電源を供給するものであり、
直流電源の二次側の3つの出力端子は正電圧を供給する正出力端子、負電圧を供給する負出力端子、前記正負出力端子の共通のコモン端子COMであると呼称したとき、正出力端子と負出力端子とは負荷装置(負荷回路RL)へ接続され、
負荷装置の回路アースGNDとコモン端子COMとの間に挿入して、所定の電圧ドロップを付与する電圧シフト手段、を具備することを特徴とする正負直流電源装置である。
上記発明によれば、電圧シフト専用のDCDCコンバータを不要にし、正負電源の両出力電圧をシフト可能な正負直流電源装置が実現できる。
【0015】
次に、第2の解決手段を示す。ここで第2図と第6図(b)は、本発明に係る解決手段を示している。
上述電圧シフト手段30の一態様は、所定の電圧ドロップとなるように複数個を直列接続した第1のダイオード(順方向直列ダイオードD1)を具備し、
第1のダイオードとは逆並列に接続した第2のダイオード(逆方向ダイオードD2)を具備し、
絶縁型の直流電源の正出力端子若しくは負出力端子と負荷装置の回路アースGNDとの間に接続して負荷装置の電流変動により回路アースGNDへ流れる電流量の変動に対して、第1のダイオードが無電流状態とならない電流量とする所定のバイアス電流を第1のダイオードへ流す抵抗R1を具備し、
以上を具備して正出力端子と負出力端子の両者から負荷装置へ供給される両電源電圧を、上記第1のダイオードの接続方向及び上記抵抗R1の接続条件に基づいて、負側若しくは正側へ電圧シフトすることを特徴とする上述正負直流電源装置がある。
【0016】
次に、第3の解決手段を示す。ここで第4図(a)は、本発明に係る解決手段を示している。
上述電圧シフト手段30bの一態様は、所定の電圧ドロップとなるツェナー電圧特性を示すツェナーダイオードZD1を具備し、
絶縁型の直流電源の正出力端子若しくは負出力端子と負荷装置の回路アースGNDとの間に接続して負荷装置の電流変動により回路アースGNDへ流れる電流量の変動に対して、ツェナーダイオードZD1が無電流状態とならない所定のバイアス電流をツェナーダイオードZD1へ流す抵抗R1を具備し、
以上を具備して正出力端子と負出力端子の両者から負荷装置へ供給される両電源電圧を、上記ツェナーダイオードZD1の接続方向及び上記抵抗R1の接続条件に基づいて、負側若しくは正側へ電圧シフトすることを特徴とする上述正負直流電源装置がある。
【0017】
次に、第4の解決手段を示す。ここで第4図(b)は、本発明に係る解決手段を示している。
上述電圧シフト手段30bにおいて、更に、上記ツェナーダイオードZD1とは逆並列に接続する第2のダイオード(逆方向ダイオードD2)を備えることを特徴とする正負直流電源装置がある。
【0018】
次に、第5の解決手段を示す。ここで第5図は、本発明に係る解決手段を示している。
上述電圧シフト手段30dの一態様は、所定の電圧ドロップ特性を示し、且つドロップする電圧を外部から可変とする可変定電圧回路VZ3を具備し、
絶縁型の直流電源の正出力端子若しくは負出力端子と負荷装置の回路アースGNDとの間に接続して負荷装置の電流変動により回路アースGNDへ流れる電流量の変動に対して、可変定電圧回路VZ3が無電流状態とならない所定のバイアス電流を可変定電圧回路VZ3へ流す抵抗R1を具備し、
上記可変定電圧回路VZ3とは逆並列に接続する第2のダイオード(逆方向ダイオードD2)を具備し、
以上を具備して正出力端子と負出力端子の両者から負荷装置へ供給される両電源電圧を、上記可変定電圧回路VZ3の接続方向及び上記抵抗R1の接続条件に基づいて、負側若しくは正側へ電圧シフトすることを特徴とする上述正負直流電源装置がある。
【0019】
次に、第6の解決手段を示す。ここで第6図(a)は、本発明に係る解決手段を示している。
上述電圧シフト手段30、30b、30c、30dにおいて、更に、上記電圧シフト手段の両端に交流成分をバイパスさせるコンデンサC1を並列に接続して低周波及び高周波信号等の交流成分をバイパスすることを特徴とする正負直流電源装置がある。
【0020】
次に、第7の解決手段を示す。ここで第7図は、本発明に係る解決手段を示している。
半導体試験装置が備えるテストヘッドに装着するパフォーマンスボードPB上において、上述正負直流電源装置を少なくとも1チャンネル備える、ことを特徴とする半導体試験装置がある。
これにより、電圧シフト専用のDCDCコンバータが削除できる。
【0021】
尚、本願発明手段は、所望により、上記解決手段における各要素手段を適宜組み合わせて、実用可能な他の構成手段としても良い。また、上記各要素に付与されている符号は、発明の実施の形態等に示されている符号に対応するものの、これに限定するものではなく、実用可能な他の均等物を適用した構成手段としても良い。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を適用した実施の形態の一例を図面を参照しながら説明する。また、以下の実施の形態の説明内容によって特許請求の範囲を限定するものではないし、更に、実施の形態で説明されている要素や接続関係等が解決手段に必須であるとは限らない。更に、実施の形態で説明されている要素や接続関係等の形容/形態は、一例でありその形容/形態内容のみに限定するものではない。
【0023】
本発明について、図2〜図6を参照して以下に説明する。尚、従来構成に対応する要素は同一符号を付し、また重複する部位の説明は省略する。
【0024】
図2は個別I/F回路100が必要とするDC電源部の第1の構成例である。図3は電圧シフトの動作を説明する図である。ここで図2は従来同様に、±15vのDCDCコンバータに対して−3v電圧シフトした+12vと−18vを発生する具体例と仮定する。
この構成要素は、DCDCコンバータDCDC1と、電圧シフト手段30と、負荷回路RLとを備える。
【0025】
電圧シフト手段30は、±15vの両者の電圧を、所望のシフト電圧V3だけ−側へシフトする為の電圧シフト手段であって、一例として約−3vのDC電圧をシフトする。この内部要素は順方向直列ダイオードD1と、逆方向ダイオードD2と、抵抗R1とを備える。
【0026】
順方向直列ダイオードD1は、所望のシフト電圧V3となる電圧降下を付与する複数個のダイオードを直列接続したものである。例えば、ダイオード1個当たり0.6vの電圧降下と仮定したとき、約3vの電圧降下VD1を与えるには、3v/0.6v≒5個のダイオードを直列接続する。
【0027】
逆方向ダイオードD2は、逆方向のパルス的な電流を通過させる保護用のダイオードである。但し、殆どの場合、このような逆方向の電流は発生しないように、抵抗R1のバイアス電流が設定される。
【0028】
抵抗R1は、順方向直列ダイオードD1へ所望のバイアス電流iR1を供給して、約3vの電圧降下を付与するものである。バイアス電流iR1の電流量は、負荷回路RLに流れる電流i1、電流i2両者間の想定され得るアンバランス電流であるGND電流iGNDの最大値若しくはパルス電流に対して、例えば2倍程度以上の電流量を流す。一例として、GND電流iGNDの最大値が5mAとした場合、10mAのバイアス電流iR1となる抵抗値1.2KΩを使用する。
図3(a)はバイアス電流iR1の付与に伴うGND電流iGNDに対するコモン端子電流iCOMと実用範囲の関係図であり、図3(b)はコモン端子電流iCOMに対するシフト電圧V3と実用範囲の関係図である。これら関係図を説明する。
図3(a)では、GND電流iGNDが10mAのバイアス電流iR1(図3A参照)未満の範囲内の場合には、コモン端子電流iCOMが流れているので順方向直列ダイオードD1は能動状態にある。従って、順方向直列ダイオードD1による約3vの電圧降下VD1が維持される結果、この範囲内では使用可能な実用範囲(図3B参照)となる。
【0029】
図3(b)では、コモン端子電流iCOMが正方向の電流の実用範囲(図3G参照)においては、順方向直列ダイオードD1によって約3vの電圧降下VD1が得られる結果、DCDCコンバータDCDC1のコモン端子COMは−3vが維持される。従って、DCDCコンバータDCDC1の−15vの負出力端子側は回路アースGNDに対して−15v+(−3v)=−18vの電源発生と等価となる。逆に、DCDCコンバータDCDC1の+15vの正出力端子側は回路アースGNDに対して+15v+(−3v)=+12vの電源発生と等価となる。
尚、もしもコモン端子電流iCOMが負方向の電流状態(図3E参照)では、逆方向ダイオードD2により約+0.6vになってしまう。この場合には、目的とする−3vの電圧シフトにはならなくなってしまう。
【0030】
上述した図2の発明構成例によれば、電圧シフト手段30を具備する構成としたことにより、従来のような電圧シフト専用のDCDCコンバータDCDC2が不要となる大きな利点が得られる。また、パフォーマンスボード上に備えるDC電源部を1/2程度に小型化できる利点が得られる。
【0031】
次に、図4(a)は個別I/F回路100が必要とするDC電源部の第2の構成例である。この構成で、電圧シフト手段30bの内部構成要素は、抵抗R1と、1個のツェナーダイオードZD1で所望の電圧降下を与える構成である。尚、図4(b)の電圧シフト手段30cの内部構成例に示すように、逆方向ダイオードD2を追加して備える構成としても良い。
【0032】
ツェナーダイオードZD1は、3vのツェナー電圧のものを使用する。また、逆方向の電流に対しては、ツェナーダイオードのダイオード特性により逆方向のパルス的な電流を通過させる保護ができる。この構成例においても、従来のような電圧シフト専用のDCDCコンバータDCDC2が不要となる大きな利点が得られる。また、パフォーマンスボード上に備える電源部を最も小型化できる利点が得られる。
【0033】
次に、図5は個別I/F回路100が必要とするDC電源部の第3の構成例である。この構成で、電圧シフト手段30dの内部構成要素は、抵抗R1と、可変定電圧回路VZ3と、逆方向ダイオードD2とを備える。
【0034】
可変定電圧回路VZ3は、シフトする電圧を可変とする機能を備えるものであって、内部構成例としては、図5(b)に示すように、可変抵抗VR3と、トランジスタQ3とを備える。
トランジスタQ3は、ゲート電圧が例えば1.5v以上でON状態になるとしたとき、可変抵抗VR3の設定を中点位置に設定した場合、3vのツェナーダイオードとして機能する。従って、可変抵抗VR3の設定を調整することで、例えば1.5v〜10v程度に可変可能な可変ツェナーダイオードとして機能できる利点が得られる。この結果、DUTの品種毎に異なる電圧シフトのDC電源を供給する必要性がある場合においては、最適な電圧シフト条件に調整できる利便性が得られる。
【0035】
次に、図6(a)は個別I/F回路100が必要とするDC電源部の第4の構成例である。この構成では、上述した電圧シフト手段30〜30dのコモン端子COMと回路アースGND間にコンデンサC1を接続した構成である。
コンデンサC1は両端に生じる低周波及び高周波信号等の交流成分をバイパスする為のものであって、例えば100μF程度の電解コンデンサと、1μF程度のセラミックコンデンサを並接したものを適用する。これにより、交流信号に対する電源供給側の内部インピーダンスを低下させることができる。
【0036】
尚、本発明の技術的思想は、上述実施の形態の具体構成例、接続形態例に限定されるものではない。更に、本発明の技術的思想に基づき、上述実施の形態を適宜変形して広汎に応用してもよい。
例えば、上述実施例では、供給する正負電源の出力電圧を負側へ−3v電圧シフトする具体例であったが、図6(b)に示すように、電圧シフト手段30を逆の回路構成とすることで、正側へ+3vシフトすることも実現可能である。従って、DUTの品種に対応するインタフェース回路に対応して、所望に電圧シフトされた正負電源を供給することが可能である。
【0037】
また、バイアス電流iR1の量は、適用するインタフェース回路におけるに想定される最大のGND電流iGNDに対応して、十分余裕のある電流量を流すようにすれば良い。従って、インタフェース回路としてオペアンプ回路以外の回路にも適用できる。
【0038】
また、上述実施例では、半導体試験装置のパフォーマンスボード上に備える場合の具体例で説明したが、GND電流iGNDの大きな変動が無く、±0.3v前後の電源変動が許容できる他の回路装置の場合においても、本発明の正負電源の出力電圧をシフトするDC電源部を適用可能である。
【0039】
【発明の効果】
本発明は、上述の説明内容からして、下記に記載される効果を奏する。
上述説明したように本発明によれば正負のDC電源を電圧シフトする電圧シフト手段を具備する構成としたことにより、従来のような電圧シフト専用のDCDCコンバータDCDC2が不要となる大きな利点が得られる。また、パフォーマンスボード上に備える電源部を小型化できる利点が得られる。また、複数4個、8個等のDUTを同時測定する場合にも、実用的に複数チャンネルのDC電源をパフォーマンスボード上にインタフェース回路と共に実装できる利点が得られる。また、安価にDC電源部を構成できる利点もある。
従って、本発明の技術的効果は大であり、産業上の経済効果も大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の、個別I/F回路100が必要とするDC電源部についての構成例である。
【図2】個別I/F回路100が必要とするDC電源部の第1の構成例である。
【図3】バイアス電流iR1の付与に伴うGND電流iGNDに対するコモン端子電流iCOMと実用範囲の関係図と、コモン端子電流iCOMに対するシフト電圧V3と実用範囲の関係図である。
【図4】個別I/F回路100が必要とするDC電源部の第2の構成例である。
【図5】個別I/F回路100が必要とするDC電源部の第3の構成例である。
【図6】個別I/F回路100が必要とするDC電源部の第4の構成例と、正側へ電圧シフトする場合の構成例である。
【図7】半導体試験装置のテストヘッドの概念図である。
【符号の説明】
C1     コンデンサ
D1     順方向直列ダイオード
DCDC1,DCDC2 DCDCコンバータ
R1     抵抗
RL1,RL2,RL 負荷回路
ZD1   ツェナーダイオード
D2     逆方向ダイオード
Q3     トランジスタ
VR3   可変抵抗
VZ3   可変定電圧回路
30,30b,30c,30d 電圧シフト手段
100   個別I/F回路
DUT   被試験デバイス
PB     パフォーマンスボード
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a positive / negative DC power supply that can shift output voltages of both positive and negative power supplies in a DC power supply that supplies positive and negative power supplies. In particular, the present invention relates to a semiconductor test apparatus provided with a positive / negative DC power supply that can shift an output voltage of a positive / negative power supply supplied to the interface circuit when mounting an interface circuit corresponding to a type of DUT provided on a performance board of the semiconductor test apparatus. .
[0002]
[Prior art]
FIG. 7 is a conceptual diagram of a test head of a semiconductor test device. A dedicated performance board PB corresponding to the DUT is mounted on the test head, and various tests of the DUT are performed. Here, since the semiconductor test apparatus is well-known and well-known in the art, other signals and components, and the detailed description thereof will be omitted except for the main part according to the present application.
[0003]
The performance board PB includes, for example, a cable for signal connection with the pin electronics side, a contactor (such as an IC socket) for contacting one or more DUTs, an individual I / F circuit 100, and other circuits. ing.
[0004]
The individual I / F circuit 100 implements an interface circuit for each DUT in a case where the test cannot be performed with the hardware resources of the pin electronics provided in the test head. However, since it is on a performance board, the area of the interface circuit that can be mounted is finite and narrow, and the available DC power supply is also limited.
By the way, the DC power supply used for the DUT-specific interface circuit may require a DC power supply other than the 5v and 12v power supplies supplied from the test head. In this case, it becomes necessary to provide a DC power supply on the performance board.
[0005]
Next, FIG. 1A shows a conventional configuration example of a DC power supply unit required by the individual I / F circuit 100 shown in FIG. Here, it is assumed that a specific example of generating + 12v and -18v obtained by shifting the voltage by -3v with respect to the DCDC converter of ± 15v. Also, it is assumed that the individual I / F circuit 100 mainly forms an interface circuit including an operational amplifier circuit. Note that an actual semiconductor test apparatus has a plurality of similar circuit configurations corresponding to the number of DUTs.
[0006]
1 includes DCDC converters DCDC1 and DCDC2, and a load circuit RL.
The DCDC converter DCDC1 is an insulation type DCDC converter, and supplies a current of several hundred mA at a DC voltage of ± 15 V.
[0007]
The DCDC converter DCDC2 is a voltage shift means for applying a shift voltage V3 to both voltages of ± 15 V, and generates a DC voltage of −3 V as an example.
[0008]
In these connections, the COM terminal on the output side of the DCDC converter DCDC1 is connected to the -3v terminal of DCDC2 as shown in FIG. The COM terminal on the output side of the DCDC converter DCDC2 is connected to the circuit ground GND. As a result, the positive voltage V1 is shifted by -3v and supplied to one end of the load circuit RL1 as a voltage of + 12v, and the negative voltage V2 is shifted by -3v and supplied to the other end of the load circuit RL2 as a voltage of -18v.
[0009]
The load circuit RL is an interface circuit that interfaces with a DUT on a performance board. As an example, there is an interface circuit that amplifies an AC signal by an operational amplifier circuit. Although not shown, a bypass capacitor having a desired capacitance is connected between the positive voltage V1 and the negative voltage V2 and the circuit ground.
[0010]
FIG. 1B is a circuit example when a voltage shift is required for a DC power supply used in an operational amplifier circuit. For example, the input signal Vin output from the DUT is an AC signal of 50 mV in a state in which a DC voltage of -12v to 0v is superimposed, and the operational amplifier circuit serving as an interface circuit receives the AC signal and amplifies the input signal by, for example, 100 times. Output a signal. At this time, the required positive and negative power supplies are required to supply a DC power supply that can amplify the input signal and the output signal with high linearity.
[0011]
Here, in a circuit having a configuration such as an operational amplifier circuit, a small amount of current flows to the circuit ground GND. Therefore, the current i1 flowing through one load circuit RL1 and the current i2 flowing through the other load circuit RL2 are almost the same. Accordingly, the GND current iGND flowing to the COM terminal of the DCDC converter DCDC1 is small. For example, when the current i1 is 100 mA, the GND current iGND is a small current of several mA or less.
[0012]
According to the above-described conventional configuration, it is necessary to provide the DCDC converter DCDC2 as the voltage shift means. DCDC converters require a relatively large mounting space. On the other hand, considering that the DC power supply unit is mounted together with other interface circuits on a performance board PB having a finite space, it is desired that the mounting space of the DC power supply unit be reduced as much as possible. Further, a voltage value of a different voltage shift may be required depending on the type of DUT. The allowable power supply fluctuation of the DC power supply is generally about ± 90 dB because the power supply fluctuation rejection ratio PSRR of the operational amplifier is about ± 90 dB.
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in the related art, in order to supply a positive / negative power supply that is shifted in voltage corresponding to the type of DUT, a DCDC converter dedicated to voltage shifting is provided.
Incidentally, there are many cases where the load circuit RL is an interface circuit such as an operational amplifier circuit in which a small amount of current flows to the circuit ground GND.
The DCDC converter dedicated to the voltage shift has a disadvantage that a relatively large mounting space is required on the finite space performance board PB. Further, with the mounting of the DCDC converter dedicated to the voltage shift, other interface circuits may be subject to mounting restrictions.
Therefore, an object of the present invention is to provide a positive / negative DC power supply device capable of shifting both output voltages of positive and negative power supplies in an individual I / F circuit provided on a performance board without the need for a DCDC converter dedicated to voltage shift. It is to provide a semiconductor test device.
Another object of the present invention is to provide a positive / negative DC power supply device for supplying a positive / negative power supply that does not require a DCDC converter dedicated to voltage shift.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
A first solution is shown. Here, FIG. 2 and FIG. 3 show a solution according to the present invention.
In order to solve the above-mentioned problem, an insulated DC power supply (for example, DCDC1) is provided. The DC power supply is insulated from a primary side and a secondary side for supplying power, and a positive / negative DC power supply is provided from a secondary side. That supplies
The three output terminals on the secondary side of the DC power supply are a positive output terminal for supplying a positive voltage, a negative output terminal for supplying a negative voltage, and a common output terminal COM when the positive and negative output terminals are referred to as a positive output terminal. And the negative output terminal are connected to a load device (load circuit RL),
A positive / negative DC power supply device comprising: a voltage shift unit that is inserted between a circuit ground GND of a load device and a common terminal COM to give a predetermined voltage drop.
According to the above invention, a DC / DC converter dedicated to voltage shift is not required, and a positive / negative DC power supply device capable of shifting both output voltages of the positive and negative power supplies can be realized.
[0015]
Next, a second solution will be described. Here, FIGS. 2 and 6 (b) show a solution according to the present invention.
One embodiment of the voltage shift means 30 includes a first diode (forward series diode D1) in which a plurality of the diodes are connected in series so as to have a predetermined voltage drop.
A second diode (reverse diode D2) connected in anti-parallel with the first diode;
A first diode connected between a positive output terminal or a negative output terminal of an insulated DC power supply and a circuit ground GND of a load device to prevent a change in the amount of current flowing to the circuit ground GND due to a current change in the load device. Comprises a resistor R1 for flowing a predetermined bias current to the first diode so that the current does not enter a no-current state,
The power supply voltage supplied from both the positive output terminal and the negative output terminal to the load device is connected to the negative side or the positive side based on the connection direction of the first diode and the connection condition of the resistor R1. There is the above-mentioned positive / negative DC power supply device characterized in that the voltage is shifted.
[0016]
Next, a third solution will be described. Here, FIG. 4 (a) shows a solution according to the present invention.
One mode of the voltage shift means 30b includes a Zener diode ZD1 exhibiting a Zener voltage characteristic that causes a predetermined voltage drop,
The zener diode ZD1 is connected between the positive output terminal or the negative output terminal of the insulated DC power supply and the circuit ground GND of the load device, and the Zener diode ZD1 responds to a change in the amount of current flowing to the circuit ground GND due to a current change of the load device. A resistor R1 for flowing a predetermined bias current that does not enter a no-current state to the Zener diode ZD1;
The power supply voltage supplied from both the positive output terminal and the negative output terminal to the load device is supplied to the negative side or the positive side based on the connection direction of the Zener diode ZD1 and the connection condition of the resistor R1. There is the above-described positive / negative DC power supply device that performs voltage shift.
[0017]
Next, a fourth solution will be described. Here, FIG. 4 (b) shows a solution according to the present invention.
The voltage shift means 30b further includes a second diode (reverse diode D2) connected in anti-parallel to the zener diode ZD1.
[0018]
Next, a fifth solution will be described. Here, FIG. 5 shows a solution according to the present invention.
One embodiment of the voltage shift means 30d includes a variable constant voltage circuit VZ3 which exhibits a predetermined voltage drop characteristic and externally changes the voltage to be dropped.
A variable constant voltage circuit which is connected between a positive output terminal or a negative output terminal of an insulated DC power supply and a circuit ground GND of a load device to prevent a change in the amount of current flowing to the circuit ground GND due to a current change of the load device. A resistor R1 that allows a predetermined bias current that does not cause VZ3 to enter a no-current state to flow to the variable constant voltage circuit VZ3;
A second diode (reverse diode D2) connected in antiparallel with the variable constant voltage circuit VZ3;
The power supply voltage supplied from both the positive output terminal and the negative output terminal to the load device is connected to the negative side or the positive side based on the connection direction of the variable constant voltage circuit VZ3 and the connection condition of the resistor R1. The positive / negative DC power supply described above is characterized in that the voltage is shifted to the side.
[0019]
Next, a sixth solution will be described. Here, FIG. 6 (a) shows a solution according to the present invention.
In the voltage shift means 30, 30b, 30c, 30d, a capacitor C1 for bypassing an AC component is connected in parallel to both ends of the voltage shift means to bypass AC components such as low frequency and high frequency signals. There are positive and negative DC power supplies.
[0020]
Next, a seventh solution will be described. Here, FIG. 7 shows a solution according to the present invention.
There is a semiconductor test apparatus characterized in that at least one channel of the above-described positive / negative DC power supply device is provided on a performance board PB mounted on a test head included in the semiconductor test apparatus.
Thereby, the DCDC converter dedicated to the voltage shift can be eliminated.
[0021]
The means of the present invention may be practicable other constituent means by appropriately combining the respective element means in the above-mentioned solving means, if desired. Further, although the reference numerals given to the respective elements correspond to the reference numerals shown in the embodiments of the invention, the present invention is not limited to these, and other practical equivalents are applied. It is good.
[0022]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an example of an embodiment to which the present invention is applied will be described with reference to the drawings. Further, the scope of the claims is not limited by the following description of the embodiments, and the elements, connection relationships, and the like described in the embodiments are not necessarily essential to the solution. Furthermore, the descriptions / forms of the elements, connection relations, and the like described in the embodiments are merely examples, and are not limited to the descriptions / forms.
[0023]
The present invention will be described below with reference to FIGS. Elements corresponding to those in the conventional configuration are denoted by the same reference numerals, and description of overlapping parts is omitted.
[0024]
FIG. 2 shows a first configuration example of the DC power supply unit required by the individual I / F circuit 100. FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the voltage shift. Here, it is assumed that FIG. 2 is a specific example in which +12 V and −18 V are shifted by −3 V with respect to a DC / DC converter of ± 15 V as in the related art.
This component includes a DCDC converter DCDC1, voltage shift means 30, and a load circuit RL.
[0025]
The voltage shift means 30 is a voltage shift means for shifting both voltages of ± 15 V to the negative side by a desired shift voltage V3, and shifts a DC voltage of about −3 V as an example. This internal element comprises a forward series diode D1, a reverse diode D2, and a resistor R1.
[0026]
The forward series diode D1 is formed by connecting a plurality of diodes that provide a voltage drop that provides a desired shift voltage V3 in series. For example, assuming a voltage drop of 0.6 V per diode, to provide a voltage drop VD1 of about 3 V, 3 V / 0.6 V ≒ 5 diodes are connected in series.
[0027]
The reverse diode D2 is a protection diode that allows a reverse pulse current to pass. However, in most cases, the bias current of the resistor R1 is set so that such a reverse current does not occur.
[0028]
The resistor R1 supplies a desired bias current iR1 to the forward series diode D1 to give a voltage drop of about 3V. The amount of the bias current iR1 is, for example, about twice or more the maximum value or the pulse current of the GND current iGND, which is a possible imbalance current between the current i1 and the current i2 flowing through the load circuit RL. Flow. As an example, when the maximum value of the GND current iGND is 5 mA, a resistance value of 1.2 KΩ which becomes the bias current iR1 of 10 mA is used.
FIG. 3A is a diagram showing the relationship between the common terminal current iCOM and the practical range with respect to the GND current iGND accompanying the application of the bias current iR1, and FIG. 3B is a diagram showing the relationship between the shift voltage V3 and the practical range with respect to the common terminal current iCOM. It is. These relationship diagrams will be described.
In FIG. 3A, when the GND current iGND is less than the bias current iR1 of 10 mA (see FIG. 3A), the forward series diode D1 is in an active state because the common terminal current iCOM flows. Therefore, as a result of maintaining the voltage drop VD1 of about 3 V by the forward series diode D1, a usable practical range is obtained within this range (see FIG. 3B).
[0029]
In FIG. 3B, in the practical range of the common terminal current iCOM in the forward direction current (see FIG. 3G), a voltage drop VD1 of about 3 V is obtained by the forward series diode D1, resulting in the common terminal of the DCDC converter DCDC1. COM is maintained at -3v. Therefore, the −15 V negative output terminal side of the DCDC converter DCDC 1 is equivalent to a power generation of −15 V + (− 3 V) = − 18 V with respect to the circuit ground GND. Conversely, the + 15V positive output terminal side of the DCDC converter DCDC1 is equivalent to a power supply generation of + 15V + (-3V) = + 12V with respect to the circuit ground GND.
Incidentally, if the common terminal current iCOM is in the negative current state (see FIG. 3E), it becomes about +0.6 V due to the reverse diode D2. In this case, the intended voltage shift of -3v is not achieved.
[0030]
According to the configuration example of FIG. 2 described above, the configuration including the voltage shift means 30 provides a great advantage that a DCDC converter DCDC2 dedicated to voltage shift as in the related art becomes unnecessary. Further, there is an advantage that the DC power supply unit provided on the performance board can be reduced in size to about 1/2.
[0031]
Next, FIG. 4A illustrates a second configuration example of the DC power supply unit required by the individual I / F circuit 100. In this configuration, the internal components of the voltage shift means 30b are configured to provide a desired voltage drop by the resistor R1 and one zener diode ZD1. Incidentally, as shown in the internal configuration example of the voltage shift means 30c in FIG. 4B, a configuration may be adopted in which a reverse diode D2 is additionally provided.
[0032]
The zener diode ZD1 uses a zener voltage of 3V. In addition, with respect to the current in the reverse direction, the diode characteristic of the Zener diode can protect the pulse current in the reverse direction from passing. This configuration example also provides a great advantage that a DCDC converter DCDC2 dedicated to voltage shift as in the related art is not required. Further, there is obtained an advantage that the power supply unit provided on the performance board can be miniaturized most.
[0033]
Next, FIG. 5 shows a third configuration example of the DC power supply unit required by the individual I / F circuit 100. In this configuration, the internal components of the voltage shift unit 30d include a resistor R1, a variable constant voltage circuit VZ3, and a reverse diode D2.
[0034]
The variable constant voltage circuit VZ3 has a function of varying the voltage to be shifted. As an example of the internal configuration, as shown in FIG. 5B, the variable constant voltage circuit VZ3 includes a variable resistor VR3 and a transistor Q3.
The transistor Q3 functions as a 3V Zener diode when the setting of the variable resistor VR3 is set to a middle point position when the gate voltage is turned on at, for example, 1.5 V or more. Therefore, by adjusting the setting of the variable resistor VR3, there is obtained an advantage that the variable resistor VR3 can function as a variable zener diode that can be changed to, for example, about 1.5 V to 10 V. As a result, when it is necessary to supply a DC power supply having a different voltage shift for each type of DUT, it is possible to obtain the convenience of adjusting the voltage shift conditions to the optimum conditions.
[0035]
Next, FIG. 6A shows a fourth configuration example of the DC power supply unit required by the individual I / F circuit 100. In this configuration, a capacitor C1 is connected between the common terminal COM of the above-described voltage shift means 30 to 30d and the circuit ground GND.
The capacitor C1 is for bypassing AC components such as low-frequency and high-frequency signals generated at both ends. For example, an electrolytic capacitor of about 100 μF and a ceramic capacitor of about 1 μF are used in parallel. Thus, the internal impedance of the power supply side for the AC signal can be reduced.
[0036]
It should be noted that the technical idea of the present invention is not limited to the specific configuration examples and connection examples of the above-described embodiment. Furthermore, based on the technical idea of the present invention, the above-described embodiment may be appropriately modified and widely applied.
For example, in the above-described embodiment, a specific example in which the output voltage of the positive and negative power supplies to be supplied is shifted by −3V to the negative side, but as shown in FIG. By doing so, a + 3v shift to the positive side can be realized. Therefore, it is possible to supply a positive / negative power supply whose voltage is desirably shifted in accordance with the interface circuit corresponding to the type of DUT.
[0037]
In addition, the amount of the bias current iR1 may be set to a sufficiently large amount of current corresponding to the maximum GND current iGND assumed in the interface circuit to be applied. Therefore, the present invention can be applied to circuits other than the operational amplifier circuit as the interface circuit.
[0038]
Further, in the above-described embodiment, the specific example in which the semiconductor device is provided on the performance board of the semiconductor test device has been described. However, there is no large variation of the GND current iGND, and the power supply variation of about ± 0.3 V can be tolerated. Even in such a case, the DC power supply unit for shifting the output voltage of the positive and negative power supplies of the present invention can be applied.
[0039]
【The invention's effect】
The present invention has the following effects based on the above description.
As described above, according to the present invention, the configuration including the voltage shift means for shifting the voltage of the positive and negative DC power supplies provides a great advantage that the DCDC converter DCDC2 dedicated to the conventional voltage shift is not required. . Further, there is an advantage that the power supply unit provided on the performance board can be reduced in size. In addition, when simultaneously measuring a plurality of DUTs such as four or eight, there is obtained an advantage that a DC power supply of a plurality of channels can be practically mounted on a performance board together with an interface circuit. There is also an advantage that the DC power supply unit can be configured at low cost.
Therefore, the technical effect of the present invention is great, and the industrial economic effect is also great.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration example of a conventional DC power supply unit required by an individual I / F circuit 100;
FIG. 2 is a first configuration example of a DC power supply unit required by an individual I / F circuit 100;
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a common terminal current iCOM and a practical range with respect to a GND current iGND accompanying application of a bias current iR1, and a diagram showing a relationship between a shift voltage V3 and a practical range with respect to a common terminal current iCOM.
FIG. 4 is a second configuration example of a DC power supply unit required by the individual I / F circuit 100;
FIG. 5 is a third configuration example of the DC power supply unit required by the individual I / F circuit 100;
FIG. 6 shows a fourth configuration example of the DC power supply unit required by the individual I / F circuit 100 and a configuration example in the case of shifting the voltage to the positive side.
FIG. 7 is a conceptual diagram of a test head of the semiconductor test device.
[Explanation of symbols]
C1 Capacitor D1 Forward series diode DCDC1, DCDC2 DCDC converter R1 Resistance RL1, RL2, RL Load circuit ZD1 Zener diode D2 Reverse diode Q3 Transistor VR3 Variable resistance VZ3 Variable constant voltage circuit 30, 30b, 30c, 30d Voltage shift means 100 Individual I / F circuit DUT Device under test PB Performance board

Claims (7)

絶縁型の直流電源を備え、前記直流電源は電源を供給する1次側と二次側とが絶縁され、二次側から正負の直流電源を供給するものであり、
該直流電源の二次側の3つの出力端子は正電圧を供給する正出力端子、負電圧を供給する負出力端子、前記正負出力端子の共通のコモン端子COMであると呼称したとき、正出力端子と負出力端子とは負荷装置へ接続され、
負荷装置の回路アースGNDと該コモン端子COMとの間に挿入して、所定の電圧ドロップを付与する電圧シフト手段、を具備することを特徴とする正負直流電源装置。
An insulated DC power supply is provided, wherein the DC power supply is configured such that a primary side and a secondary side for supplying power are insulated from each other, and supplies positive and negative DC power from the secondary side.
The three output terminals on the secondary side of the DC power supply are a positive output terminal for supplying a positive voltage, a negative output terminal for supplying a negative voltage, and a common output terminal COM when the positive and negative output terminals are referred to as a common output terminal. Terminal and the negative output terminal are connected to the load device,
A positive / negative DC power supply device comprising: voltage shift means for inserting a predetermined voltage drop between a circuit ground GND of a load device and the common terminal COM.
該電圧シフト手段は、所定の電圧ドロップとなるように複数個を直列接続した第1のダイオードと、
該第1のダイオードとは逆並列に接続した第2のダイオードと、
絶縁型の直流電源の正出力端子若しくは負出力端子と負荷装置の回路アースGNDとの間に接続して所定のバイアス電流を該第1のダイオードへ流す抵抗と、
を具備して正出力端子と負出力端子の両者から負荷装置へ供給される両電源電圧を、該第1のダイオードの接続方向及び該抵抗の接続条件に基づいて、負側若しくは正側へ電圧シフトすることを特徴とする請求項1記載の正負直流電源装置。
The voltage shift means includes a first diode in which a plurality of diodes are connected in series so as to have a predetermined voltage drop;
A second diode connected in anti-parallel to the first diode;
A resistor connected between the positive output terminal or the negative output terminal of the insulated DC power supply and the circuit ground GND of the load device and flowing a predetermined bias current to the first diode;
The power supply voltage supplied from both the positive output terminal and the negative output terminal to the load device is supplied to the negative side or the positive side based on the connection direction of the first diode and the connection condition of the resistor. 2. The positive / negative DC power supply according to claim 1, wherein the shift is performed.
該電圧シフト手段は、所定の電圧ドロップとなるツェナーダイオードと、
絶縁型の直流電源の正出力端子若しくは負出力端子と負荷装置の回路アースGNDとの間に接続して所定のバイアス電流を該ツェナーダイオードへ流す抵抗と、
を具備して正出力端子と負出力端子の両者から負荷装置へ供給される両電源電圧を、該ツェナーダイオードの接続方向及び該抵抗の接続条件に基づいて、負側若しくは正側へ電圧シフトすることを特徴とする請求項1記載の正負直流電源装置。
The voltage shift means includes a Zener diode that causes a predetermined voltage drop,
A resistor connected between the positive output terminal or the negative output terminal of the insulated DC power supply and the circuit ground GND of the load device to flow a predetermined bias current through the Zener diode;
And shifts both power supply voltages supplied to the load device from both the positive output terminal and the negative output terminal to the negative side or the positive side based on the connection direction of the Zener diode and the connection condition of the resistor. 2. The positive / negative DC power supply according to claim 1, wherein:
請求項3記載の電圧シフト手段において、更に、該ツェナーダイオードとは逆並列に接続する第2のダイオードを備えることを特徴とする正負直流電源装置。4. The positive / negative DC power supply device according to claim 3, further comprising a second diode connected in anti-parallel to said Zener diode. 該電圧シフト手段は、所定の電圧ドロップ特性を示し、且つドロップする電圧を外部から可変とする可変定電圧回路と、
絶縁型の直流電源の正出力端子若しくは負出力端子と負荷装置の回路アースGNDとの間に接続して所定のバイアス電流を該可変定電圧回路へ流す抵抗と、
該可変定電圧回路とは逆並列に接続する第2のダイオードと、
を具備して正出力端子と負出力端子の両者から負荷装置へ供給される両電源電圧を、該可変定電圧回路の接続方向及び該抵抗の接続条件に基づいて、負側若しくは正側へ電圧シフトすることを特徴とする請求項1記載の正負直流電源装置。
The voltage shift means has a predetermined voltage drop characteristic, and a variable constant voltage circuit that externally changes a voltage to be dropped,
A resistor connected between the positive output terminal or the negative output terminal of the insulated DC power supply and the circuit ground GND of the load device to flow a predetermined bias current to the variable constant voltage circuit;
A second diode connected in antiparallel with the variable constant voltage circuit;
The power supply voltage supplied from both the positive output terminal and the negative output terminal to the load device is supplied to the negative side or the positive side based on the connection direction of the variable constant voltage circuit and the connection condition of the resistor. 2. The positive / negative DC power supply according to claim 1, wherein the shift is performed.
請求項1乃至5記載の該電圧シフト手段において、更に、該電圧シフト手段の両端に交流成分をバイパスさせるコンデンサを並列に接続して備えることを特徴とする正負直流電源装置。6. The positive / negative DC power supply device according to claim 1, further comprising a capacitor connected in parallel between both ends of said voltage shift means for bypassing an AC component. 半導体試験装置が備えるテストヘッドに装着するパフォーマンスボードPB上において、請求項1乃至6記載の該正負直流電源装置を少なくとも1チャンネル備える、ことを特徴とする半導体試験装置。7. A semiconductor test apparatus comprising at least one channel of the positive / negative DC power supply according to claim 1 on a performance board PB mounted on a test head included in the semiconductor test apparatus.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009088661A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-16 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for providing direct current
WO2011065051A1 (en) * 2009-11-25 2011-06-03 シャープ株式会社 Power-supply circuit and liquid crystal display device provided therewith
US7964837B2 (en) 2007-12-31 2011-06-21 Advanced Energy Industries, Inc. Photovoltaic inverter interface device, system, and method
US8134812B2 (en) 2008-01-29 2012-03-13 Advanced Energy Industries, Inc. Energy conversion system with fault detection and interruption
US8203069B2 (en) 2007-08-03 2012-06-19 Advanced Energy Industries, Inc System, method, and apparatus for coupling photovoltaic arrays
US8294296B2 (en) 2007-08-03 2012-10-23 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for remotely coupling photovoltaic arrays
US8362644B2 (en) 2008-12-02 2013-01-29 Advanced Energy Industries, Inc. Device, system, and method for managing an application of power from photovoltaic arrays
US8461508B2 (en) 2008-08-10 2013-06-11 Advanced Energy Industries, Inc. Device, system, and method for sectioning and coupling multiple photovoltaic strings
US8461507B2 (en) 2008-08-10 2013-06-11 Advanced Energy Industries, Inc Device system and method for coupling multiple photovoltaic arrays
US9172296B2 (en) 2007-05-23 2015-10-27 Advanced Energy Industries, Inc. Common mode filter system and method for a solar power inverter

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9172296B2 (en) 2007-05-23 2015-10-27 Advanced Energy Industries, Inc. Common mode filter system and method for a solar power inverter
US8203069B2 (en) 2007-08-03 2012-06-19 Advanced Energy Industries, Inc System, method, and apparatus for coupling photovoltaic arrays
US8294296B2 (en) 2007-08-03 2012-10-23 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for remotely coupling photovoltaic arrays
US8642879B2 (en) 2007-08-03 2014-02-04 Advanced Energy Industries, Inc. System for coupling photovoltaic arrays
WO2009088661A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-16 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for providing direct current
US7964837B2 (en) 2007-12-31 2011-06-21 Advanced Energy Industries, Inc. Photovoltaic inverter interface device, system, and method
US8134812B2 (en) 2008-01-29 2012-03-13 Advanced Energy Industries, Inc. Energy conversion system with fault detection and interruption
US8461508B2 (en) 2008-08-10 2013-06-11 Advanced Energy Industries, Inc. Device, system, and method for sectioning and coupling multiple photovoltaic strings
US8461507B2 (en) 2008-08-10 2013-06-11 Advanced Energy Industries, Inc Device system and method for coupling multiple photovoltaic arrays
US8362644B2 (en) 2008-12-02 2013-01-29 Advanced Energy Industries, Inc. Device, system, and method for managing an application of power from photovoltaic arrays
WO2011065051A1 (en) * 2009-11-25 2011-06-03 シャープ株式会社 Power-supply circuit and liquid crystal display device provided therewith

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