JP2002223565A - Dc-to-dc converter - Google Patents

Dc-to-dc converter

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JP2002223565A
JP2002223565A JP2001016019A JP2001016019A JP2002223565A JP 2002223565 A JP2002223565 A JP 2002223565A JP 2001016019 A JP2001016019 A JP 2001016019A JP 2001016019 A JP2001016019 A JP 2001016019A JP 2002223565 A JP2002223565 A JP 2002223565A
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switching
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converter
switching elements
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信広 栗尾
Hitoshi Nakagaki
仁志 中垣
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Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a DC-to-DC converter which enables reduction in switching losses and use of low breakdown voltage MOSFETs of low on-resistance. SOLUTION: In a DC-to-DC converter, having rectifying circuit portions 21, 22 fitted through transformers Tr1-Tr2 on the output sides of conversion circuit portions 11, 12 for converting the source voltage of a DC power source E into Acs, two groups of conversion circuit portions 11, 12 composed by connecting two pairs of switching elements Q1-Q4, Q5-Q8 by full bridge formation are provided for the DC power source E, and series capacitors C1, C2 are inserted and connected between those converting portions 11, 12 and the transformers Tr1, Tr2. Along with shifting the switching phases of switching elements Q4, Q8 on one side by 1/3n period, with respect to switching elements Q1, Q5 on the other side, from among switching elements which form pairs in each connecting circuit 11, 12, the switching phases of the switching elements Q1, Q5 which correspond between individual converting circuits 11, 12 are shifted by 1/2n period.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はDC−DCコンバー
タに関し、詳しくは、直流電源回路に使用され、直流電
源の電源電圧を、異なった直流電圧に変換するDC−D
Cコンバータに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a DC-DC converter, and more particularly to a DC-DC converter used in a DC power supply circuit for converting a power supply voltage of a DC power supply into a different DC voltage.
It relates to a C converter.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、直流電源回路に使用されるDC
−DCコンバータの一例を図7に示し、そのDC−DC
コンバータの各スイッチング素子Q1〜Q4をオンオフさ
せるゲート信号Gのタイミングチャートを図8に示す。
2. Description of the Related Art For example, DC used in a DC power supply circuit is known.
An example of a DC-DC converter is shown in FIG.
FIG. 8 shows a timing chart of the gate signal G for turning on / off each of the switching elements Q 1 to Q 4 of the converter.

【0003】図7に示すDC−DCコンバータは、二対
のスイッチング素子Q1,Q4とQ2,Q3(MOS−FE
T)をフルブリッジ構成で直流電源Eに接続した変換回
路部1と、その変換回路部1の出力側に接続されたトラ
ンスTrと、そのトランスTrの二次側出力に接続さ
れ、二対のダイオードD1,D4とD2,D3からなる整流
回路2と、その整流回路2の出力側に接続されたLC平
滑回路3とで構成されている。
The DC-DC converter shown in FIG. 7 has two pairs of switching elements Q 1 , Q 4 and Q 2 , Q 3 (MOS-FE
T) is connected to the DC power supply E in a full-bridge configuration, a transformer Tr connected to the output side of the converter circuit section 1, and two pairs of transformers connected to the secondary side output of the transformer Tr. It comprises a rectifier circuit 2 composed of diodes D 1 and D 4 and D 2 and D 3 , and an LC smoothing circuit 3 connected to the output side of the rectifier circuit 2.

【0004】このDC−DCコンバータでは、図8のタ
イミングチャートで示すように変換回路部1のスイッチ
ング素子Q1,Q4とQ2,Q3を交互にオンオフさせて交
流波形出力を得る。この変換回路部1の交流波形出力を
トランスTrにより変成し、そのトランスTrの二次側
出力を整流回路2により整流すると共にLC平滑回路3
により平滑することにより、所望の直流電圧を生成す
る。
In this DC-DC converter, as shown in the timing chart of FIG. 8, the switching elements Q 1 , Q 4 and Q 2 , Q 3 of the conversion circuit unit 1 are alternately turned on and off to obtain an AC waveform output. The AC waveform output of the conversion circuit unit 1 is transformed by a transformer Tr, and the secondary output of the transformer Tr is rectified by a rectifier circuit 2 and an LC smoothing circuit 3
, A desired DC voltage is generated.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したD
C−DCコンバータのトランス入力側から負荷側を見る
と、一般的に誘導性負荷(遅れ負荷)に見え、その場
合、スイッチング素子Q1〜Q4の電圧、つまり、ドレイ
ン−ソース間電圧Vds及びドレイン電流Idは図9に示
すような波形となる。図10(a)は図9に示すスイッ
チング素子Q1〜Q4のドレイン−ソース間電圧Vds及び
ドレイン電流Idの各波形を模式的に表したものであ
り、同図(b)はターンオン時のスイッチング損失P1
とターンオフ時のスイッチング損失P3、および導通損
失P2を示す。
By the way, the aforementioned D
Looking at the load side from the transformer input side of the C-DC converter, looks generally inductive load (delay load), in which case the voltage of the switching element Q 1 to Q 4, i.e., the drain - source voltage V ds And the drain current Id has a waveform as shown in FIG. 10 (a) is the drain of the switching element Q 1 to Q 4 shown in FIG. 9 - is the respective waveforms of the source voltage V ds and drain current I d which schematically illustrates, FIG (b) is turned on Switching loss P 1
And the switching loss P 3 at the time of turn-off and the conduction loss P 2 .

【0006】スイッチング素子Q1〜Q4(MOS−FE
T)における損失には、図10(b)に示すようにスイ
ッチング損失P1,P3と導通損失P2とがあり、そのス
イッチング損失には、スイッチング素子Q1〜Q4のター
ンオン時に生じるターンオンスイッチング損失P1と、
スイッチング素子Q1〜Q4のターンオフ時に生じるター
ンオフスイッチング損失P3とがある。スイッチング損
失は、スイッチング素子Q1〜Q4がオンからオフ及びオ
フからオンに変化する短時間の過渡状態において、ドレ
イン電流Idが流れながらドレイン−ソース間電圧Vds
が印加されることで発生する。一方、導通損失P2は、
スイッチング素子Q1〜Q4のオン時に生じ、オン抵抗と
ドレイン電流による抵抗損である。
The switching elements Q 1 to Q 4 (MOS-FE
The losses in T) include switching losses P 1 and P 3 and conduction losses P 2 as shown in FIG. 10B, and the switching losses include the turn-on that occurs when the switching elements Q 1 to Q 4 are turned on. the switching loss P 1,
There is a turn-off switching losses P 3 generated upon turning off of switching elements Q 1 to Q 4. The switching loss is caused by the drain-source voltage V ds while the drain current I d flows in a short transient state in which the switching elements Q 1 to Q 4 change from on to off and from off to on.
Is generated by the application of. On the other hand, the conduction loss P 2 is
It occurs when the switching element Q 1 to Q 4, the resistance loss due to the on resistance and the drain current.

【0007】なお、スイッチング損失については、誘導
性負荷(遅れ負荷)の場合、ターンオフスイッチング損
失P3の方がターンオンスイッチング損失P1よりも大き
いのが一般的であり、ターンオンスイッチング損失P1
は、回路定数の設定によっては発生しない場合もある。
As for switching loss, in the case of an inductive load (delayed load), the turn-off switching loss P 3 is generally larger than the turn-on switching loss P 1 , and the turn-on switching loss P 1
May not occur depending on the setting of the circuit constant.

【0008】このDC−DCコンバータを小型化しよう
とする場合、スイッチング周波数を高周波化すれば、ト
ランスTrの小型化が図れることから、スイッチング周
波数の高周波化は有効な手段である。しかしながら、ス
イッチング周波数が高くなると、そのスイッチング周波
数に比例するスイッチング損失も増加することになり、
スイッチング損失を低減するためには、スイッチング周
波数の高周波化は好適な手段とはならない。
If the DC-DC converter is to be miniaturized, the transformer Tr can be miniaturized if the switching frequency is increased. Therefore, increasing the switching frequency is an effective means. However, as the switching frequency increases, the switching loss proportional to the switching frequency also increases,
To reduce the switching loss, increasing the switching frequency is not a suitable means.

【0009】一方、スイッチング素子Q1〜Q4にMOS
−FETを使用した場合、そのMOS−FETは、バイ
ポーラトランジスタやIGBTに比べてターンオンやタ
ーンオフが速く高速スイッチングが可能であるが、高耐
圧のものであってもオン電圧があまり増加しないバイポ
ーラトランジスタやIGBTと比較して、MOS−FE
Tのオン抵抗は素子耐圧の2.5乗に比例して増大する
という特性を持っている。このMOS−FETの導通損
失は、オン抵抗とドレイン電流によって決まる抵抗損で
あることから、そのオン抵抗が素子耐圧の2.5乗に比
例して増大するという特性により高耐圧のMOS−FE
Tを使用することは、導通損失の指数関数的な増加を招
来し、DC−DCコンバータの効率を低下させる原因と
なっている。
On the other hand, switching elements Q 1 to Q 4 are MOS
-When a MOS-FET is used, the MOS-FET is faster in turn-on and turn-off than a bipolar transistor or an IGBT, and can perform high-speed switching. Compared to IGBT, MOS-FE
The on-resistance of T has the characteristic that it increases in proportion to the element withstand voltage to the power of 2.5. Since the conduction loss of this MOS-FET is a resistance loss determined by the on-resistance and the drain current, the MOS-FE having a high breakdown voltage has a characteristic that the on-resistance increases in proportion to the 2.5th power of the element breakdown voltage.
The use of T causes an exponential increase in conduction loss, causing a decrease in the efficiency of the DC-DC converter.

【0010】そこで、本発明は前記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、スイッチング
損失の低減化を図り、スイッチング素子にMOS−FE
Tを使用した場合、オン抵抗が低い低耐圧のMOS−F
ETの使用を可能とするDC−DCコンバータを提供す
ることにある。
In view of the above, the present invention has been proposed in view of the above-mentioned problems. An object of the present invention is to reduce the switching loss and to use a MOS-FE for the switching element.
When T is used, a low breakdown voltage MOS-F with low on-resistance
An object of the present invention is to provide a DC-DC converter capable of using ET.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の技術的手段として、請求項1の発明は、直流電源の電
源電圧を交流に変換する変換回路部の出力側にトランス
を介して整流回路部を設けたDC−DCコンバータにお
いて、二対のスイッチング素子をフルブリッジ構成で接
続した変換回路部を前記直流電源に対してn群設け、そ
れら各変換回路部とトランスとの間に直列コンデンサを
挿入接続し、各変換回路部で対をなすスイッチング素子
のうち、一方のスイッチング素子に対して他方のスイッ
チング素子のスイッチング位相を1/3n周期ずらすと
共に、前記各変換回路部間で対応するスイッチング素子
のスイッチング位相を1/2n周期ずらすことを特徴と
する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a rectifier for converting a power supply voltage of a DC power supply into an AC through a transformer on an output side thereof. In a DC-DC converter provided with a circuit portion, n groups of conversion circuit portions in which two pairs of switching elements are connected in a full bridge configuration are provided for the DC power source, and a series capacitor is provided between each of the conversion circuit portions and the transformer. Among the switching elements forming a pair in each conversion circuit unit, the switching phase of the other switching element is shifted by 1 / 3n cycle with respect to one switching element, and the corresponding switching between the conversion circuit units is performed. The switching phase of the element is shifted by 1 / 2n cycle.

【0012】請求項1の発明では、n群の変換回路部に
おいて、各変換回路部で対をなすスイッチング素子のう
ち、一方のスイッチング素子に対して他方のスイッチン
グ素子のスイッチング位相を1/3n周期ずらすと共
に、前記各変換回路部間で対応するスイッチング素子の
スイッチング位相を1/2n周期ずらすことにより、転
流によりスイッチング素子にスイッチング電流が流れな
がらスイッチング電圧が印加される状態がなくなるので
スイッチング損失が発生することはない。また、変換回
路部とトランスとの間に直列コンデンサを挿入接続した
ことにより、変換回路部の出力電圧の平坦部にドループ
(傾き)をつけ、立ち上がり部分の高い電圧波形とする
ことで、転流タイミング時の前後で電圧差を大きくして
転流動作を確実に行う。なお、この請求項1の発明は、
スイッチング素子として、MOS−FET以外に、バイ
ポーラトランジスタやIGBTにも適用可能である。
According to the first aspect of the present invention, in the conversion circuits of n groups, the switching phase of one of the switching elements forming a pair in each of the conversion circuits is set to the switching phase of the other switching element for 1 / 3n cycle. In addition, by shifting the switching phase of the corresponding switching element between each of the conversion circuit sections by nn cycle, the state in which the switching voltage is applied while the switching current flows through the switching element due to commutation is eliminated, so that the switching loss is reduced. It does not occur. In addition, by connecting a series capacitor between the conversion circuit and the transformer, a droop (slope) is applied to the flat part of the output voltage of the conversion circuit, and a voltage waveform with a high rising portion is formed, so that commutation is performed. The commutation operation is reliably performed by increasing the voltage difference before and after the timing. The invention of claim 1 is
As a switching element, a bipolar transistor or an IGBT can be applied in addition to the MOS-FET.

【0013】請求項2の発明は、前記スイッチング素子
をMOS−FETとし、n群の変換回路部を直流電源に
対して直列に接続したことを特徴とする。この発明で
は、変換回路部の各MOS−FETにかかる電圧を直流
電源の電源電圧の1/nに低減することができ、これに
よって、スイッチング素子に使用するMOS−FETの
耐圧も1/nに低減することができ、この耐圧の2.5
乗に比例して増大するオン抵抗による導通損失を抑制す
ることができる。
According to a second aspect of the present invention, the switching element is a MOS-FET, and n groups of converter circuits are connected in series to a DC power supply. According to the present invention, the voltage applied to each MOS-FET of the conversion circuit unit can be reduced to 1 / n of the power supply voltage of the DC power supply, whereby the withstand voltage of the MOS-FET used for the switching element is also reduced to 1 / n. This withstand voltage of 2.5
The conduction loss due to the on-resistance that increases in proportion to the power can be suppressed.

【0014】請求項3の発明は、前記各変換回路部で対
をなすスイッチング素子のうち、一方のスイッチング素
子をコンデンサに置き換えることにより各変換回路部を
ハーフブリッジ構成としたことを特徴とする。この請求
項3の発明では、各変換回路部間で対応するスイッチン
グ素子のスイッチング位相を1/2n周期ずらすことに
より、各変換回路部で対をなすスイッチング素子のうち
のいずれか一方のスイッチング素子を転流のトリガとし
ていることから、各変換回路部で対をなすスイッチング
素子のうちのいずれか一方のスイッチング素子のみでハ
ーフブリッジ構成が可能となる。
According to a third aspect of the present invention, each of the conversion circuits has a half-bridge configuration by replacing one of the switching elements forming a pair in each of the conversion circuits with a capacitor. According to the third aspect of the present invention, the switching phase of the corresponding switching element is shifted by nn periods between the conversion circuit sections, so that one of the switching elements forming a pair in each conversion circuit section is switched. Since the commutation is used as a trigger, a half-bridge configuration can be realized with only one of the switching elements forming a pair in each conversion circuit unit.

【0015】なお、請求項4に記載したように、前記n
群の変換回路部を直流電源に対して並列に接続した構成
とすることも可能である。
As described in claim 4, the n
It is also possible to adopt a configuration in which the conversion circuit units of the group are connected in parallel to the DC power supply.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明に係るDC−DCコンバー
タの実施形態を以下に詳述する。図1は本発明の実施形
態におけるDC−DCコンバータの回路図、図2はその
DC−DCコンバータの各スイッチング素子Q1〜Q8
オンオフさせるゲート信号Gのタイミングチャート、図
3は整流回路部21,22の出力電圧V1,V2、トラン
スTr 1,Tr2の一次側電圧、各スイッチング素子Q1
〜Q8のドレイン−ソース間電圧Vdsおよびドレイン電
流Idの波形図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A DC-DC converter according to the present invention
The embodiment of the data is described in detail below. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
Circuit diagram of the DC-DC converter in the state, FIG.
Each switching element Q of DC-DC converter1~ Q8To
Timing chart and diagram of gate signal G to be turned on / off
3 is an output voltage V of the rectifier circuit units 21 and 221, VTwo, Tran
Str 1, TrTwoPrimary side voltage, each switching element Q1
~ Q8Drain-source voltage VdsAnd drain current
Style IdFIG.

【0017】この実施形態のDC−DCコンバータは、
二対のスイッチング素子Q1,Q4とQ2,Q3および
5,Q8とQ6,Q7(例えば、MOS−FET、バイポ
ーラトランジスタやIGBT)をフルブリッジ構成で接
続したn群、例えば二群の変換回路部11,12と、そ
の変換回路部11,12の出力側に接続された二つのト
ランスTr1,Tr2と、そのトランスTr1,Tr2の二
次側出力に接続され、二対のダイオードD1,D4
2,D3およびD5,D8とD6,D7からなる二群の整流
回路21,22と、その整流回路21,22の出力側に
共通して接続されたLC平滑回路33とで構成されてい
る。このDC−DCコンバータにおいて、二群の変換回
路部11,12は直流電源Eに対して直列に接続されて
いる。また、各変換回路部11,12の出力側とトラン
スTr1,Tr2の一次側との間には直列コンデンサ
1,C2が挿入接続されている。
The DC-DC converter of this embodiment is
An n group in which two pairs of switching elements Q 1 , Q 4 and Q 2 , Q 3 and Q 5 , Q 8 and Q 6 , Q 7 (for example, MOS-FET, bipolar transistor or IGBT) are connected in a full bridge configuration; For example, two groups of conversion circuit units 11 and 12, two transformers Tr 1 and Tr 2 connected to the output sides of the conversion circuit units 11 and 12, and connected to the secondary side outputs of the transformers Tr 1 and Tr 2 And two groups of rectifier circuits 21 and 22 including two pairs of diodes D 1 , D 4 and D 2 , D 3 and D 5 , D 8 and D 6 and D 7 , and the output sides of the rectifier circuits 21 and 22. And an LC smoothing circuit 33 that is commonly connected to the control circuit. In this DC-DC converter, the two groups of conversion circuit units 11 and 12 are connected in series to the DC power supply E. Further, series capacitors C 1 and C 2 are inserted and connected between the output sides of the conversion circuit sections 11 and 12 and the primary sides of the transformers Tr 1 and Tr 2 .

【0018】このDC−DCコンバータでは、図2のタ
イミングチャートで示すように変換回路部11,12の
スイッチング素子Q1,Q4とQ2,Q3およびQ5,Q8
6,Q7を交互にオンオフさせて交流波形出力を得る。
この変換回路部11,12の交流波形出力をトランスT
1,Tr2により変成し、そのトランスTr1,Tr2
二次側出力を整流回路21,22により整流すると共に
LC平滑回路33により平滑することにより、所望の直
流電圧を生成する。
In this DC-DC converter, as shown in the timing chart of FIG. 2, switching elements Q 1 , Q 4 and Q 2 , Q 3 and Q 5 , Q 8 and Q 6 , Q 6 of switching circuits 11 and 12 are provided. 7 is turned on and off alternately to obtain an AC waveform output.
The AC waveform output of the conversion circuit units 11 and 12 is
The transformers are transformed by r 1 and Tr 2 , and the secondary outputs of the transformers Tr 1 and Tr 2 are rectified by the rectifier circuits 21 and 22 and smoothed by the LC smoothing circuit 33 to generate a desired DC voltage.

【0019】二群の変換回路部11,12では、図2の
タイミングチャートで示すように一方の変換回路部11
で対をなすスイッチング素子Q1,Q4のうち、一方のス
イッチング素子Q1(スイッチング素子Q2はスイッチン
グ素子Q1の反転)に対して他方のスイッチング素子Q4
(スイッチング素子Q3はスイッチング素子Q4の反転)
のスイッチング位相を1/3n周期、例えば1/6周期
遅らせる。また、変換回路部11と12間で対応するス
イッチング素子Q1,Q5について、他方の変換回路部1
2のスイッチング素子Q5(スイッチング素子Q6はスイ
ッチング素子Q5の反転)のスイッチング位相をスイッ
チング素子Q1に対して1/2n周期、例えば1/4周
期遅らせる。さらに、他方の変換回路部12で対をなす
スイッチング素子Q5,Q8のうち、一方のスイッチング
素子Q5に対して他方のスイッチング素子Q8(スイッチ
ング素子Q7はスイッチング素子Q8の反転)のスイッチ
ング位相を1/6周期遅らせる。
As shown in the timing chart of FIG. 2, one of the two conversion circuit units 11 and 12
Of the switching elements Q 1 and Q 4 , one switching element Q 1 (the switching element Q 2 is the inverse of the switching element Q 1 ) and the other switching element Q 4
(Switching element Q 3 are inverted switching element Q 4)
Is delayed by 1 / 3n cycle, for example, 1/6 cycle. Also, regarding the switching elements Q 1 and Q 5 corresponding between the conversion circuit units 11 and 12, the other conversion circuit unit 1
The switching phase of the second switching element Q 5 (the switching element Q 6 is the inversion of the switching element Q 5 ) is delayed by nn cycle, for example, 1 / cycle, with respect to the switching element Q 1 . Further, of the switching elements Q 5 and Q 8 forming a pair in the other conversion circuit section 12, one switching element Q 5 is switched to the other switching element Q 8 (the switching element Q 7 is the inverse of the switching element Q 8 ). Is delayed by 1/6 cycle.

【0020】前記変換回路部11,12のスイッチング
素子Q1〜Q4,Q5〜Q8は、図3に示すようなドレイン
−ソース間電圧Vdsおよびドレイン電流Idでもってス
イッチング動作する(図4の表参照)。ここで、図4の
表は、各スイッチング素子Q 1〜Q4,Q5〜Q8の電流値
の変化・推移を示す。負荷に一定電力を供給、つまり定
電圧出力のもとで一定電流を供給するため、スイッチン
グ素子Q1〜Q4,Q5〜Q8からの出力電流の合計は、い
ずれのタイミングにおいても電流値1puとなる。すな
わち、いずれかのタイミングで一方の変換回路部11の
スイッチング素子Q1〜Q4からの出力電流が0→1pu
に変化していれば、他方の変換回路部12のスイッチン
グ素子Q5〜Q8からの出力電流は1→0puに変化して
いる。また、別のタイミングで一方の変換回路部11の
スイッチング素子Q1〜Q4からの出力電流が1puであ
れば、他方の変換回路部12のスイッチング素子Q5
8からの出力電流は0puである。
Switching of the conversion circuit units 11 and 12
Element Q1~ QFour, QFive~ Q8Is the drain as shown in FIG.
−Source voltage VdsAnd drain current IdSo
The switching operation is performed (see the table in FIG. 4). Here, FIG.
The table shows each switching element Q 1~ QFour, QFive~ Q8Current value
This shows the change and transition of. Supply constant power to the load,
To supply constant current under voltage output, switch
Element Q1~ QFour, QFive~ Q8The total output current from
The current value is 1 pu even at the timing of the shift. sand
That is, at one of the timings,
Switching element Q1~ QFourOutput current from 0 → 1pu
, The switching of the other conversion circuit unit 12
Element QFive~ Q8Output current changes from 1 → 0pu
I have. Also, at another timing, the conversion circuit 11
Switching element Q1~ QFourOutput current is 1 pu
Then, the switching element Q of the other conversion circuit section 12Five~
Q8Is 0 pu.

【0021】なお、区間t1〜t8は、0<t1≦1/4
・T、0≦t2<1/4・T、0<t 3≦1/4・T、0
≦t4<1/4・T、0<t5≦1/4・T、0≦t6
1/4・T、0<t7≦1/4・T、0≦t8<1/4・
Tの条件の範囲内で自由に変更可能である。この8つの
条件はor条件であるが、t1+t2+t3+t4+t5
6+t7+t8=Tを満たすことが必要である。電流が
増減する区間t1,t3,t5,t7は回路定数により波形
が異なるので、実際上、スイッチング損失が発生しない
範囲に限られる。
The interval t1~ T8Is 0 <t1≤ 1/4
・ T, 0 ≦ tTwo<1 / T, 0 <t Three≦ 1 / · T, 0
≤tFour<1 / T, 0 <tFive≦ 1 / · T, 0 ≦ t6<
1 / 4.T, 0 <t7≦ 1 / · T, 0 ≦ t8<1/4
It can be freely changed within the range of the condition of T. These eight
The condition is the or condition, but t1+ TTwo+ TThree+ TFour+ TFive+
t6+ T7+ T8= T must be satisfied. The current
Section t to increase or decrease1, TThree, TFive, T7Is the waveform by the circuit constant
Are practically free from switching losses.
Limited to range.

【0022】各スイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8
スイッチング動作により、トランスTr1,Tr2の一次
側電圧(図3の最上段から二番目)にトランスTr1
Tr2の変成比をかけてその絶対値をとったもの、つま
り、一次側電圧の波形を零点で折り返したもの(図3の
最上段)が、トランスTr1,Tr2の二次側電圧を整流
回路部21,22により整流した結果に得られる出力電
圧V1,V2となる。この整流回路部21,22の出力電
圧V1,V2を転流により最も電圧値の高いところでトレ
ースすることにより負荷電圧Voutが生成される。この
転流は、図3の矢印で示すタイミングでもって、スイッ
チング素子Q1,Q4→スイッチング素子Q 5,Q8→スイ
ッチング素子Q2,Q3→スイッチング素子Q6,Q7→ス
イッチング素子Q1,Q4の順で繰り返し行われる。
Each switching element Q1~ QFour, QFive~ Q8of
The switching operation allows the transformer Tr1, TrTwoPrimary
Transformer Tr is connected to the side voltage (second from the top in FIG. 3).1,
TrTwoOf the absolute value of the metamorphic ratio of
In FIG. 3, the primary-side voltage waveform is folded at the zero point.
The top) is the transformer Tr1, TrTwoRectifies the secondary voltage of
Output power obtained as a result of rectification by the circuit units 21 and 22
Pressure V1, VTwoBecomes The output power of the rectifier circuits 21 and 22
Pressure V1, VTwoCommutation at the highest voltage value.
Load voltage VoutIs generated. this
The commutation is performed at the timing indicated by the arrow in FIG.
Ching element Q1, QFour→ Switching element Q Five, Q8→ Sui
Switching element QTwo, QThree→ Switching element Q6, Q7→ S
Switching element Q1, QFourIt is repeated in the order of.

【0023】この変換回路部11,12では、スイッチ
ング素子Q1(Q2)に対してスイッチング素子Q
4(Q3)を1/6周期遅らせたタイミングでオンオフさ
せ、また、スイッチング素子Q5(Q6)を前記スイッチ
ング素子Q1(Q2)に対して1/4周期遅らせたタイミ
ングでオンオフさせ、さらに、スイッチング素子Q
8(Q7)をスイッチング素子Q5(Q6)に対して1/6
周期遅らせたタイミングでオンオフさせる。
In the conversion circuit units 11 and 12, the switching element Q 1 (Q 2 ) is
4 (Q 3 ) is turned on / off at a timing delayed by 1 / cycle, and the switching element Q 5 (Q 6 ) is turned on / off at a timing delayed by 1 / cycle with respect to the switching element Q 1 (Q 2 ). , And the switching element Q
8 (Q 7 ) is 1/6 of the switching element Q 5 (Q 6 ).
It is turned on and off at the timing delayed by the period.

【0024】これにより、整流回路部21,22の出力
電圧V1,V2は、転流によりスイッチング素子Q1〜Q8
にドレイン電流Idが流れながらドレイン−ソース間電
圧Vd sが印加される状態がなくなるのでスイッチング損
失が発生することはない。また、転流のタイミングを決
定するのは、転流のトリガとなっているスイッチング素
子Q3,Q4,Q7,Q8であるが、これらのスイッチング
素子Q3,Q4,Q7,Q8は、ゲート信号Gが付与されて
ターンオンしてもドレイン電流IdがトランスTr1,T
2の漏れリアクタンスのために転流後瞬時にピーク電
流に達するのではなく、電流の立ち上がりが抑制される
ことから、ターンオンスイッチング損失が発生すること
はない。
Thus, the outputs of the rectifier circuits 21 and 22 are output.
Voltage V1, VTwoIs the switching element Q1~ Q8
The drain current IdFlows between the drain and source
Pressure Vd sSwitching loss because the state where
No loss occurs. Also, determine the commutation timing.
The switching element that triggers commutation is
Child QThree, QFour, Q7, Q8But these switching
Element QThree, QFour, Q7, Q8Is given the gate signal G
Even when turned on, drain current IdIs a transformer Tr1, T
rTwoInstantaneously after commutation due to leakage reactance of
Current rise is suppressed rather than reaching the current
Therefore, turn-on switching loss occurs
There is no.

【0025】また、変換回路部11,12とトランスT
1,Tr2との間に直列コンデンサC1,C2を挿入接続
したことにより、変換回路部11,12の出力電圧の平
坦部にドループ(傾き)をつけ、立ち上がり部分の高い
電圧波形とすることで、転流タイミング時の前後で電圧
差を大きくして転流動作を確実に行う。さらに、スイッ
チング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8の個体差によるオン抵抗
やスイッチング速度のばらつきによって含まれる直流成
分をカットしてトランスTr1,Tr2の直流偏励磁を防
止することも可能である。
The conversion circuit units 11 and 12 and the transformer T
By inserting and connecting the series capacitors C 1 and C 2 between r 1 and Tr 2 , a droop (slope) is applied to the flat portion of the output voltage of the conversion circuit portions 11 and 12, and a voltage waveform having a high rising portion is obtained. By doing so, the voltage difference is increased before and after the commutation timing, and the commutation operation is reliably performed. Further, it is also possible to prevent DC bias excitation of the transformers Tr 1 and Tr 2 by cutting DC components included due to variations in ON resistance and switching speed due to individual differences among the switching elements Q 1 to Q 4 and Q 5 to Q 8. It is possible.

【0026】前記構成からなる前記スイッチング素子Q
1〜Q4,Q5〜Q8をMOS−FETとした実施形態にお
いては、二群の変換回路部11,12を直流電源Eに対
して直列に接続することにより、スイッチング時におい
ても、変換回路部11,12の各MOS−FETにかか
る電圧(サージ電圧を除く)を直流電源Eの電源電圧の
1/2に低減することができ、これによって、スイッチ
ング素子Q1〜Q4,Q 5〜Q8に使用するMOS−FET
の耐圧も、従来例のDC−DCコンバータ(図7参照)
と比較して1/2に低減することができ、この耐圧の
2.5乗に比例して増大するオン抵抗による導通損失を
抑制することができる。
The switching element Q having the above configuration
1~ QFour, QFive~ Q8In the embodiment in which is a MOS-FET,
In other words, the two groups of conversion circuit units 11 and 12 are connected to the DC power supply E.
And connect them in series.
However, each MOS-FET of the conversion circuit units 11 and 12 may have
Voltage (excluding surge voltage) of DC power supply E
Can be reduced by a factor of two, so that the switch
Element Q1~ QFour, Q Five~ Q8MOS-FET used for
The withstand voltage of the conventional DC-DC converter (see FIG. 7)
Can be reduced by half compared to
The conduction loss due to the on-resistance that increases in proportion to the power of 2.5
Can be suppressed.

【0027】つまり、スイッチング素子Q1〜Q4,Q5
〜Q8の耐圧が1/2に低減されれば、そのオン抵抗
は、(1/2)2.5%、約20%(80%減)にまで低
減されることになる。スイッチングパターンを1パルス
/1周期として、各スイッチング素子Q1〜Q4,Q5
8の導通損失を以下に求めて比較する。
That is, the switching elements Q 1 to Q 4 and Q 5
If the breakdown voltage of the to Q 8 is reduced to 1/2, the on-resistance will be reduced to (1/2) 2.5%, about 20% (down 80%). Each switching element Q 1 -Q 4 , Q 5-
The conduction losses Q 8 compares seek below.

【0028】従来例のDC−DCコンバータにおいて、
スイッチング素子Q1〜Q4のオン抵抗をr1、ドレイン
電流をid1、スイッチング周期をtswとし、スイッチン
グ素子の導通率を50%とすれば、スイッチング素子1
pcの1周期(1パルス)あたりの導通損失P
loss1は、Ploss1=r1×id1 2×tsw/2となる。
In a conventional DC-DC converter,
If the on-resistance of the switching elements Q 1 to Q 4 is r 1 , the drain current is id 1 , the switching cycle is t sw, and the conductivity of the switching elements is 50%, the switching element 1
conduction loss P per one cycle (1 pulse) of pc
loss1 is a P loss1 = r 1 × i d1 2 × t sw / 2.

【0029】これに対して、実施形態のDC−DCコン
バータにおいて、スイッチング素子Q1〜Q4,Q5〜Q8
のオン抵抗をr2、ドレイン電流をid2、スイッチング
周期を従来例と同様、tswとする。この実施形態におけ
るスイッチングパターン(図2参照)に示すように1周
期での電流の転流は、スイッチング素子Q1,Q4に1/
4周期、次の1/4周期はスイッチング素子Q5,Q8
次の1/4周期はスイッチング素子Q2,Q3、次の1/
4周期はスイッチング素子Q6,Q7に流れることにな
る。また、一群の変換回路部の出力電圧は従来例の場合
の半分であるため、最終出力を従来の場合と同じにする
ためにはスイッチング素子1pc当たりのドレイン電流
d2は従来の場合のドレイン電流id1の二倍、スイッチ
ング素子Q 1〜Q4,Q5〜Q8の導通率は従来の場合の1
/2で25%となる。
On the other hand, the DC-DC converter of the embodiment
In the converter, the switching element Q1~ QFour, QFive~ Q8
The on-resistance ofTwoAnd the drain current is id2, Switching
The period is set to tswAnd In this embodiment
One round as shown in the switching pattern (see FIG. 2)
Commutation in the period is the switching element Q1, QFour1 /
Four cycles, the next quarter cycle is the switching element QFive, Q8,
The next 周期 cycle is the switching element QTwo, QThree, The next 1 /
Four cycles are the switching element Q6, Q7Will flow to
You. Also, the output voltage of the group of converter circuits is
, So the final output is the same as before
In order to achieve this, the drain current per pc of switching element
id2Is the drain current i in the conventional case.d1Twice the switch
Element Q 1~ QFour, QFive~ Q8Is 1 in the conventional case.
/ 2 is 25%.

【0030】これにより、スイッチング素子1pcの1
周期(1パルス)当たりの導通損失Ploss2は、Ploss2
=r2×id2 2×tsw/4となる。ここで、id2=2×i
d1、r2がr1の20%程度であることからr2/r1
0.2であることから、 Ploss2=(0.2×r1)×(2×id12×tsw/4 =0.4×r1×id1 2×tsw/2 =0.4×Ploss1 となる。これは、実施形態の場合の導通損失が、従来例
の場合の40%(−60%)に低減されることを示して
いる。これに基づいて、変換回路部11,12でフルブ
リッジ接続されたスイッチング素子全ての合計を考える
と、従来例の場合、スイッチング素子4pcに対して実
施形態の場合、スイッチング素子8pcで構成されてい
ることから、従来例での全てのスイッチング素子(4p
c)での導通損失合計を100%とすると、実施形態で
の全てのスイッチング素子(8pc)での導通損失合計
は80%(−20%)となり、20%分の損失が低減さ
れる。
As a result, the switching element 1pc
The conduction loss P loss2 per cycle (1 pulse) is P loss2
= A r 2 × i d2 2 × t sw / 4. Where i d2 = 2 × i
d1, r because r 2 is about 20% of the r 1 2 / r 1 =
Since 0.2, P loss2 = (0.2 × r 1 ) × (2 × id 1 ) 2 × t sw / 4 = 0.4 × r 1 × id 12 × t sw / 2 = 0 0.4 × P loss1 . This indicates that the conduction loss in the case of the embodiment is reduced to 40% (−60%) in the case of the conventional example. Based on this, considering the total of all the switching elements connected in full bridge by the conversion circuit units 11 and 12, the switching element is 4pc in the conventional example and the switching element 8pc in the embodiment. Therefore, all the switching elements (4p
Assuming that the total conduction loss in c) is 100%, the total conduction loss in all the switching elements (8 pc) in the embodiment is 80% (−20%), and the loss by 20% is reduced.

【0031】本発明の他の実施形態として、図5に示す
ように二群の変換回路部11’,12’のそれぞれをハ
ーフブリッジ構成とすることが可能である。この二群の
変換回路部11’,12’において、転流のタイミング
を決定するため、転流のトリガとなっているのはスイッ
チング素子Q3,Q4,Q7,Q8であることから、それら
以外のスイッチング素子Q1,Q2,Q5,Q6をコンデン
サC11,C12,C21,C22に置き換えてハーフブリッジ
構成とすることが可能である。この実施形態におけるス
イッチング素子Q3,Q4,Q7,Q8をスイッチングさせ
るタイミング(位相)は、フルブリッジ構成の場合と同
様である。
As another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 5, each of the two groups of conversion circuit units 11 'and 12' can have a half-bridge configuration. In the two groups of conversion circuit units 11 'and 12', the switching elements Q 3 , Q 4 , Q 7 and Q 8 are used as triggers for the commutation in order to determine the commutation timing. The other switching elements Q 1 , Q 2 , Q 5 , and Q 6 can be replaced with capacitors C 11 , C 12 , C 21 , and C 22 to form a half-bridge configuration. The timing (phase) at which the switching elements Q 3 , Q 4 , Q 7 , Q 8 are switched in this embodiment is the same as in the case of the full bridge configuration.

【0032】また、他の実施形態として、図6に示すよ
うに二群の変換回路部11’’,12’’を直流電源E
に並列に接続した構成とすることも可能であり、その場
合、スイッチング損失の発生を抑止することができる。
この実施形態においてもスイッチング素子Q1〜Q4,Q
5〜Q8をスイッチングさせるタイミング(位相)は、フ
ルブリッジ構成の場合と同様である。
As another embodiment, as shown in FIG. 6, two groups of conversion circuit units 11 ″ and 12 ″ are connected to a DC power supply E.
Can be connected in parallel to each other, in which case, the occurrence of switching loss can be suppressed.
Also in this embodiment, the switching elements Q 1 to Q 4 , Q
5 timing for switching to Q 8 (phase) is the same as in the full-bridge configuration.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明によれば、n群の変換回路部にお
いて、各変換回路部で対をなすスイッチング素子のう
ち、一方のスイッチング素子に対して他方のスイッチン
グ素子のスイッチング位相を1/3n周期ずらすと共
に、前記各変換回路部間で対応するスイッチング素子の
スイッチング位相を1/2n周期ずらすことにより、転
流によりスイッチング素子にスイッチング電流が流れな
がらスイッチング電圧が印加される状態がなくなるので
スイッチング損失が発生することはない。
According to the present invention, the switching phase of one of the switching elements forming a pair in each of the n conversion circuits is set to 1 / 3n with respect to the switching phase of the other switching element. By shifting the switching phases of the corresponding switching elements by nn cycles at the same time as shifting the cycles, the state in which the switching voltage is not applied while the switching current flows through the switching elements due to commutation is eliminated. Does not occur.

【0034】また、前記スイッチング素子をMOS−F
ETとした場合、n群の変換回路部を直流電源に対して
直列に接続したことにより、変換回路部の各MOS−F
ETにかかる電圧を直流電源の電源電圧の1/nに低減
することができ、これによって、スイッチング素子に使
用するMOS−FETの耐圧も1/nに低減することが
でき、この耐圧の2.5乗に比例して増大するオン抵抗
による導通損失を抑制することができる。
Further, the switching element is a MOS-F
In the case of ET, each of the MOS-Fs of the conversion circuit section is connected by connecting the n groups of conversion circuit sections in series with the DC power supply.
The voltage applied to the ET can be reduced to 1 / n of the power supply voltage of the DC power supply, whereby the withstand voltage of the MOS-FET used for the switching element can also be reduced to 1 / n. The conduction loss due to the on-resistance that increases in proportion to the fifth power can be suppressed.

【0035】従って、スイッチング損失の低減化を図
り、スイッチング素子にMOS−FETを使用した場
合、オン抵抗が低い低耐圧のMOS−FETの使用を可
能とする高効率のDC−DCコンバータを提供すること
ができる。
Therefore, a high efficiency DC-DC converter which can reduce the switching loss and use a low withstand voltage MOS-FET having a low on-resistance when a MOS-FET is used as a switching element is provided. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態におけるDC−DCコンバー
タの回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a DC-DC converter according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のDC−DCコンバータの各スイッチング
素子をオンオフさせるゲート信号のタイミングチャート
である。
FIG. 2 is a timing chart of a gate signal for turning on / off each switching element of the DC-DC converter of FIG. 1;

【図3】図1の整流回路部の出力電圧、トランスの一次
側電圧、各スイッチング素子のドレイン−ソース間電圧
およびドレイン電流の波形図である。
3 is a waveform diagram of an output voltage of a rectifier circuit unit in FIG. 1, a primary voltage of a transformer, a drain-source voltage and a drain current of each switching element.

【図4】図3のトランスの一次側電圧波形の1周期にお
ける各スイッチング素子のオンオフ状態を示す表であ
る。
FIG. 4 is a table showing ON / OFF states of respective switching elements in one cycle of a primary side voltage waveform of the transformer in FIG. 3;

【図5】本発明の他の実施形態で、変換回路部をハーフ
ブリッジ構成したDC−DCコンバータを示す回路図で
ある。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a DC-DC converter according to another embodiment of the present invention, in which a conversion circuit section has a half-bridge configuration.

【図6】本発明の他の実施形態で、二群の変換回路部を
直流電源に並列接続したDC−DCコンバータを示す回
路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a DC-DC converter according to another embodiment of the present invention in which two groups of conversion circuit units are connected in parallel to a DC power supply.

【図7】DC−DCコンバータの従来例を示す回路図で
ある。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a conventional example of a DC-DC converter.

【図8】図7のDC−DCコンバータの各スイッチング
素子をオンオフさせるゲート信号のタイミングチャート
である。
8 is a timing chart of a gate signal for turning on / off each switching element of the DC-DC converter of FIG. 7;

【図9】図7の各スイッチング素子のドレイン−ソース
間電圧およびドレイン電流の波形図である。
9 is a waveform diagram of a drain-source voltage and a drain current of each switching element of FIG.

【図10】(a)は図9に示すスイッチング素子のドレ
イン−ソース間電圧及びドレイン電流の各波形を示す模
式図、(b)はターンオン時とターンオフ時のスイッチ
ング損失および導通損失を示す模式図である。
10A is a schematic diagram showing waveforms of a drain-source voltage and a drain current of the switching element shown in FIG. 9, and FIG. 10B is a schematic diagram showing switching loss and conduction loss at turn-on and turn-off. It is.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,12 変換回路部 21,22 整流回路部 C1,C2 直列コンデンサ E 直流電源 Tr1,Tr2 トランス Q1〜Q4,Q5〜Q8 スイッチング素子11,12 converter circuit unit 21, 22 a rectifier circuit portion C 1, C 2 series capacitor E DC power source Tr 1, Tr 2 trans Q 1 ~Q 4, Q 5 ~Q 8 switching element

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 直流電源の電源電圧を交流に変換する変
換回路部の出力側にトランスを介して整流回路部を設け
たDC−DCコンバータにおいて、 二対のスイッチング素子をフルブリッジ構成で接続した
変換回路部を前記直流電源に対してn群設け、それら各
変換回路部とトランスとの間に直列コンデンサを挿入接
続し、各変換回路部で対をなすスイッチング素子のう
ち、一方のスイッチング素子に対して他方のスイッチン
グ素子のスイッチング位相を1/3n周期ずらすと共
に、前記各変換回路部間で対応するスイッチング素子の
スイッチング位相を1/2n周期ずらすことを特徴とす
るDC−DCコンバータ。
1. A DC-DC converter having a rectifier circuit section via a transformer on the output side of a conversion circuit section for converting a power supply voltage of a DC power supply into an alternating current, wherein two pairs of switching elements are connected in a full bridge configuration. Conversion circuit sections are provided in n groups for the DC power supply, a series capacitor is inserted and connected between each of the conversion circuit sections and the transformer, and one of the switching elements forming a pair in each of the conversion circuit sections is connected to one of the switching elements. A DC-DC converter characterized in that the switching phase of the other switching element is shifted by 1 / 3n cycle, and the switching phase of the corresponding switching element is shifted by 1 / 2n cycle between the conversion circuit sections.
【請求項2】 前記スイッチング素子をMOS−FET
とし、n群の変換回路部を直流電源に対して直列に接続
したことを特徴とする請求項1に記載のDC−DCコン
バータ。
2. The switching element is a MOS-FET.
The DC-DC converter according to claim 1, wherein n groups of conversion circuit units are connected in series to a DC power supply.
【請求項3】 前記各変換回路部で対をなすスイッチン
グ素子のうち、一方のスイッチング素子をコンデンサに
置き換えることにより各変換回路部をハーフブリッジ構
成としたことを特徴とする請求項1又は2に記載のDC
−DCコンバータ。
3. The conversion circuit section according to claim 1, wherein one of the switching elements forming a pair in each of the conversion circuit sections is replaced with a capacitor, so that each conversion circuit section has a half-bridge configuration. DC described
-DC converter.
【請求項4】 前記n群の変換回路部を直流電源に対し
て並列に接続したことを特徴とする請求項1又は3に記
載のDC−DCコンバータ。
4. The DC-DC converter according to claim 1, wherein the n groups of conversion circuit units are connected in parallel to a DC power supply.
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