KR20180134104A - Method for manufacturing pellicle - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method of manufacturing a lithographic pellicle used as a dustproof film when manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display. More particularly, the present invention relates to a method for producing a pellicle for ultraviolet rays. The method comprises a step a) of manufacturing an organic substrate, a step b) of forming a pellicle film on the organic substrate, a step c) of attaching the organic substrate on which the pellicle film is formed to a transfer frame, a step d) of removing at least a portion of the organic substrate, and a step e) of transferring the pellicle film attached to the transfer frame to a pellicle frame. According to the present invention, it is possible to produce a pellicle having an inorganic pellicle film of a very thin thickness and a good condition without wrinkles.

Description

펠리클 제조방법{Method for manufacturing pellicle}Method for manufacturing pellicle < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 반도체 디바이스 또는 액정 디스플레이 등을 제조할 때 방진막으로 사용되는 리소그래피용 펠리클의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 초극자외선용 펠리클의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a pellicle for lithography used as a vibration damping film when manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display or the like, and more particularly, to a method of manufacturing a pellicle for ultraviolet ray.

반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 있어서 반도체 웨이퍼 또는 액정용 기판에 패터닝을 하는 경우에 포토리소그래피라는 방법이 사용된다. 포토리소그래피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 전사된다. 이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다는 문제가 발생한다. 따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 행해지고 있다. 이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그래피시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는 이점이 있다. In the production of a semiconductor device or a liquid crystal display panel, a method called photolithography is used for patterning a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate. In photolithography, a mask is used as an original plate for patterning, and a pattern on the mask is transferred to a wafer or liquid crystal substrate. If the dust adheres to the mask, light is absorbed or reflected by the dust, so that the transferred pattern is damaged, resulting in a problem that the performance and the yield of the semiconductor device, the liquid crystal display panel, and the like are lowered. Therefore, although these operations are usually performed in a clean room, there is dust in the clean room, so that a method of attaching a pellicle to prevent dust from adhering to the surface of the mask is performed. In this case, the dust does not directly adhere to the surface of the mask but sticks to the pellicle film. At the time of lithography, the focal point matches the pattern of the mask, so that the dust on the pellicle is not focused and transferred to the pattern.

점차 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV광원은 자외광 g선(436), I선(365), KrF 엑시머 레이저(248), ArF 엑시머 레이저(193)에서 초극자외선(EUV, extreme UltraViolet, 13.5㎚)로 점점 파장이 짧아지고 있다. 이러한 초극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다. 즉, 종래의 유기 펠리클 막은 높은 에너지를 가진 노광 광원에 의해서 물성이 변화되고, 수명이 짧기 때문에 초극자외선용 펠리클에는 사용되기 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 다양한 시도가 진행되고 있다.Gradually, the required resolution of an exposure apparatus for semiconductor manufacturing is getting higher, and the wavelength of the light source is getting shorter to realize the resolution. Specifically, the UV light source is gradually shortened in ultraviolet light (EUV, extreme ultra violet, 13.5 nm) in the ultraviolet light g line 436, the I line 365, the KrF excimer laser 248 and the ArF excimer laser 193 ought. Development of a new light source, a resist, a mask, and a pellicle is indispensable to realize such an exposure technique using ultraviolet rays. That is, the conventional organic pellicle film has a problem that its physical properties are changed by an exposure light source having a high energy, and its life is short, so that it is difficult to use the pellicle for an ultraviolet ray pellicle. Various attempts have been made to solve these problems.

예를 들어, 공개특허 제2009-0088396호에는 에어로겔 필름으로 이루어진 펠리클이 개시되어 있다.For example, Patent Publication No. 2009-0088396 discloses a pellicle made of an aerogel film.

그리고 공개특허 제2009-0122114호에는 실리콘 단결정막으로 이루어지는 펠리클 막과 그 펠리클 막을 지지하는 베이스 기판을 포함하며, 베이스 기판은 60% 이상의 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 초극자외선용 펠리클이 개시되어 있다. Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-0122114 discloses a pellicle for a super ultraviolet ray, which comprises a pellicle film made of a silicon single crystal film and a base substrate for supporting the pellicle film, wherein the base substrate forms an opening of 60% or more .

그러나 공개특허 제2009-0122114호에 개시된 초극자외선용 펠리클은 초극자외선의 투과를 위해서 실리콘 단결정막을 박막으로 형성하여야 한다. 이러한 실리콘 단결정 박막은 작은 충격에도 쉽게 손상될 수 있으므로, 이를 지지하기 위한 베이스 기판을 사용한다. 이러한 베이스 기판의 보강틀은 일정한 패턴을 형성하며, 이 패턴이 리소그래피 공정에서 기판에 전사된다는 문제가 있다. 또한, 투과율이 60% 정도로 매우 낮다는 문제가 있다. However, the pellicle for ultraviolet rays disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-0122114 needs to form a silicon single crystal film as a thin film in order to transmit ultraviolet rays. Since such a silicon single crystal thin film can be easily damaged even in a small impact, a base substrate for supporting the silicon single crystal thin film is used. Such reinforcing frame of the base substrate forms a certain pattern, and there is a problem that this pattern is transferred to the substrate in the lithography process. In addition, there is a problem that the transmittance is as low as about 60%.

초극자외선은 파장이 짧기 때문에 에너지가 매우 높으며, 투과율이 낮기 때문에 상당량의 에너지가 펠리클 막과 베이스 기판에 흡수되어 펠리클 막과 베이스 기판이 가열될 수 있다. 따라서 펠리클 막과 베이스 기판의 재질이 서로 다를 경우에는 리소그래피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의해서 변형이 발생할 수 있다는 문제 또한 있다.Since ultraviolet rays have a short wavelength, energy is very high, and because of low transmittance, a considerable amount of energy is absorbed by the pellicle film and the base substrate, and the pellicle film and the base substrate can be heated. Therefore, when the materials of the pellicle film and the base substrate are different from each other, there is a problem that deformation may occur due to the thermal expansion difference caused by the heat generated in the lithography process.

펠리클 막을 보강하기 위한 별도의 베이스 기판을 사용하지 않는 프리스텐딩 펠리클을 사용하는 방법도 개시되어 있다.Also disclosed is a method of using a pre-staged pellicle that does not use a separate base substrate to reinforce the pellicle membrane.

예를 들어, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1552940호에는 니켈 호일에 흑연 박막을 형성한 후 니켈 호일을 염화철이 포함된 수용액을 이용하여 식각하여 분리된 흑연 박막을 얻는 방법이 개시되어 있다.For example, Japanese Patent No. 1552940, filed and filed by the present applicant, discloses a method of forming a graphite thin film on a nickel foil and then etching the nickel foil with an aqueous solution containing iron chloride to obtain a separated graphite thin film have.

또한, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1303795호에는 유기물 기판에 지르코늄 또는 몰리브덴 금속 박막 층을 형성한 후 유기물 기판을 용매를 이용하여 용해하여 펠리클 막을 얻는 방법이 개시되어 있다.In addition, Japanese Patent No. 1303795, filed and filed by the present applicant, discloses a method of forming a zirconium or molybdenum metal thin film layer on an organic substrate and then dissolving the organic substrate using a solvent to obtain a pellicle membrane.

또한, 다른 방법으로 유기물 기판 위에 무기물로 이루어진 펠리클 막을 형성한 후 펠리클 막이 형성된 유기물 기판을 펠리클 프레임에 부착한 후 유기물 기판을 제거하여 펠리클을 제조하는 방법이 있다. 이 방법은 펠리클 막을 펠리클 프레임에 부착하기 용이하다는 장점이 있으나, 도 11에 도시된 바와 같이, 유기물 기판을 제거한 후에 펠리클 막의 가장자리 부분에 주름이 생겨서 펠리클로 사용하기 어렵다는 문제가 있다.In another method, a pellicle film made of an inorganic material is formed on an organic substance substrate, and then an organic substance substrate having a pellicle membrane formed thereon is attached to a pellicle frame, and then an organic substance substrate is removed to produce a pellicle. This method has an advantage in that it is easy to adhere the pellicle membrane to the pellicle frame. However, as shown in FIG. 11, there is a problem that after the organic substrate is removed, wrinkles are formed in the edge portion of the pellicle membrane and it is difficult to use it as a pellicle.

공개특허 제2009-0088396호Published Patent No. 2009-0088396 공개특허 제2009-0122114호Published Patent No. 2009-0122114 등록특허 제1552940호Patent No. 1552940 등록특허 제1303795호Patent No. 1303795

본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 펠리클 막에 주름이 발생하는 것을 방지할 수 있는 새로운 펠리클 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a new pellicle manufacturing method capable of preventing wrinkles from being generated in a pellicle membrane.

상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 a) 유기물 기판을 제조하는 단계와, b) 상기 유기물 기판에 펠리클 막을 형성하는 단계와, c) 상기 펠리클 막이 형성된 상기 유기물 기판을 전사 프레임에 부착하는 단계와, d) 상기 유기물 기판의 적어도 일부를 제거하는 단계와, e) 상기 전사 프레임에 부착된 상기 펠리클 막을 펠리클 프레임에 전사하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a pellicle membrane, comprising the steps of: a) preparing an organic substrate, b) forming a pellicle film on the organic substrate, c) attaching the organic substrate on which the pellicle film is formed to the transfer frame And d) removing at least a portion of the organic substrate, and e) transferring the pellicle membrane attached to the transfer frame to the pellicle frame.

또한, 상기 전사 프레임은 원형, 타원형, 오각형 이상의 다각형 또는 한 쌍의 나란한 직선부와 직선부를 서로 연결하는 곡선부를 구비한 프레임인 펠리클 제조방법을 제공한다.Further, the transfer frame is a frame having a circular, elliptical, polygonal shape having a pentagon or more, or a frame having a pair of parallel linear portions and a curved portion connecting the linear portions to each other.

또한, 상기 펠리클 막은 실리콘카바이드(SiC) 박막 층, 실리콘(Si) 박막 층, 카본(C) 박막 층, 보론 카바이드(B4C) 박막 층, 지르콘(ZrSiO4) 박막 층 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 포함하는 펠리클 제조방법을 제공한다.The pellicle film may include at least one layer selected from the group consisting of a silicon carbide (SiC) thin film layer, a silicon (Si) thin film layer, a carbon (C) thin film layer, a boron carbide (B 4 C) thin film layer, and a zircon (ZrSiO 4 ) The present invention also provides a method of manufacturing a pellicle.

또한, 상기 펠리클 막은 실리콘카바이드(SiC) 박막 층 위에 실리콘(Si) 박막 층과 실리콘카바이드(SiC) 박막 층이 순서대로 형성된 다층 구조인 펠리클 제조방법을 제공한다.Further, the pellicle film provides a pellicle manufacturing method in which a silicon (Si) thin film layer and a silicon carbide (SiC) thin film layer are sequentially formed on a silicon carbide (SiC) thin film layer.

또한, 상기 b) 단계는, b-1) 상기 유기물 기판 위에 제1 코팅 층을 형성하는 단계와, b-2) 상기 제1 코팅 층 위에 무기 박막 층을 형성하는 단계와, b-3) 상기 무기 박막 층 위에 제2 코팅 층을 형성하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법을 제공한다.B) forming an inorganic thin film layer on the first coating layer; b-3) forming an inorganic thin film layer on the organic coating layer; And forming a second coating layer on the inorganic thin film layer.

또한, 상기 b) 단계에서 상기 유기물 기판은 상기 유기물 기판을 지지 및 냉각하는 냉각면을 구비한 냉각 지그에 의해서 냉각되는 펠리클 제조방법을 제공한다.Also, in the step b), the organic substrate is cooled by a cooling jig having a cooling surface for supporting and cooling the organic substrate.

또한, 상기 e) 단계는, e-1) 상기 펠리클 프레임에 접착제를 도포한 후 80 내지 120℃로 30초 내지 120초 열처리하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법을 제공한다.The step (e) may further include: (e-1) applying an adhesive to the pellicle frame and then heat-treating the pellicle frame at 80 to 120 ° C for 30 seconds to 120 seconds.

또한, 상기 e) 단계는, e-1) 단계 후 상기 펠리클 프레임은 상온에서 1시간 내지 48시간 방치하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법을 제공한다.In the step (e), the pellicle frame may be left at room temperature for 1 to 48 hours after the step (e-1).

또한, 상기 d) 단계는, 상기 펠리클 막이 형성된 상기 유기물 기판이 부착된 상기 전사 프레임을 챔버에 배치하는 단계와, 전기 전도성 표면을 구비한 지그를, 상기 표면이 상기 펠리클 막과 간격을 두고 나란하게 배치되도록 위치시키는 단계와, 상기 챔버 내에 플라스마를 형성 또는 도입하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법을 제공한다.The step d) includes the steps of disposing the transfer frame having the organic material substrate on which the pellicle film is formed, in a chamber; and jigging the jig with the electrically conductive surface so that the surface is spaced apart from the pellicle film And placing or introducing a plasma in the chamber. The present invention also provides a method of manufacturing a pellicle including the step of forming or introducing a plasma in the chamber.

또한, 상기 지그는 상기 전사 프레임의 하면과 접하는 상면을 구비한 판형부와 그 판형부에서 상기 유기물 기판 방향으로 상기 전사 프레임의 두께에 비해서 낮은 높이로 돌출된 돌출부를 포함하며, 상기 전기 전도성 표면은 상기 돌출부의 상면에 형성되며, 상기 돌출부는 상기 전사 프레임의 내면과 일정한 간격을 유지하는 측면을 구비하는 펠리클 제조방법을 제공한다.The jig includes a plate portion having an upper surface in contact with a lower surface of the transfer frame and a protrusion protruding from the plate portion toward the organic material substrate at a height lower than the thickness of the transfer frame, Wherein the protrusions are formed on an upper surface of the protrusions, and the protrusions have side surfaces that maintain a certain distance from the inner surface of the transfer frame.

또한, 상기 지그와 상기 전사 프레임은 전기적으로 연결된 펠리클 제조방법을 제공한다.Further, the jig and the transfer frame provide a method of manufacturing a pellicle electrically connected thereto.

또한, 상기 d) 단계는, 상기 펠리클 막이 형성된 상기 유기물 기판이 부착된 상기 전사 프레임을 챔버에 배치하는 단계와, 상기 유기물 기판에 자외선을 조사하는 단계와, 상기 챔버 내에 오존을 형성 또는 도입하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법을 제공한다.The step d) includes the steps of disposing the transfer frame having the organic material substrate on which the pellicle film is formed in a chamber, irradiating the organic material substrate with ultraviolet light, and forming or introducing ozone in the chamber The present invention also provides a method of manufacturing a pellicle.

또한, 상기 챔버의 온도는 상기 유기물 기판의 유리전이온도(glass transition temperature)의 90% 미만으로 유지되는 펠리클 제조방법을 제공한다.Also, a method of manufacturing a pellicle wherein the temperature of the chamber is maintained at less than 90% of the glass transition temperature of the organic substrate.

또한, 상기 유기물 기판은 CAB(cellulose acetate butyrate), 니트로셀룰로오스(nitrocellulose), 불소 수지(fluororesin), PMMA(poly(methyl methacrylate) 기판 중에서 선택되는 초극자외선용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the organic material substrate may be prepared from a cellulose acetate butyrate (CAB), a nitrocellulose, a fluororesin, and a poly (methyl methacrylate) substrate.

또한, 상기 무기 박막 층은 실리콘카바이드(SiC) 박막 층, 실리콘(Si) 박막 층, 카본(C) 박막 층, 보론 카바이드(B4C) 박막 층, 지르콘(ZrSiO4) 박막 층 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 포함하는 펠리클 제조방법을 제공한다.The inorganic thin film layer may include at least one selected from the group consisting of a silicon carbide (SiC) thin film layer, a silicon (Si) thin film layer, a carbon (C) thin film layer, a boron carbide (B 4 C) thin film layer, and a zircon (ZrSiO 4 ) Of the pellicle.

또한, 상기 제1 코팅 층은 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb) 중에서 선택되는 금속을 포함하는 펠리클 제조방법을 제공한다.Also, the first coating layer may include a metal selected from ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), and niobium (Nb).

또한, 상기 제2 코팅 층은 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb) 중에서 선택되는 금속을 포함하는 펠리클 제조방법을 제공한다.Also, the second coating layer may include a metal selected from ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), and niobium (Nb).

본 발명에 따르면, 두께가 매우 얇으면서도, 주름이 없는 양호한 상태의 무기 펠리클 막을 구비한 펠리클을 제조할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to produce a pellicle having an inorganic pellicle film with a very thin thickness and a good condition without wrinkles.

도 1은 본 발명에 따른 펠리클의 제조방법의 일실시예에 있어서, 유기물 기판을 제조하는 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 펠리클의 제조방법의 일실시예에 있어서, 펠리클 막이 형성된 상태를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 펠리클 막의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 펠리클의 제조방법의 일실시예에 사용되는 전사 프레임의 예들을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 펠리클의 제조방법의 일실시예에 있어서, 펠리클 막이 형성된 유기물 기판이 전사 프레임에 부착된 상태를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 펠리클의 제조방법의 일실시예에 있어서, 전도성 지그가 배치된 상태를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 펠리클의 제조방법의 일실시예에 있어서, 유기물 기판이 제거된 상태를 나타낸 도면이다.
도 8은 전사 프레임의 형태에 따른 펠리클 막을 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 펠리클의 제조방법의 일실시예에 있어서, 전사 프레임에 부착되어 있는 펠리클 막의 중심 부분을 펠리클 프레임에 접착하는 단계를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 펠리클의 제조방법의 일실시예에 의해서 제조된 펠리클의 단면도이다.
도 11은 가장자리 부분에 주름이 생긴 종래의 펠리클의 사진이다.
1 is a view for explaining a step of manufacturing an organic substrate in an embodiment of the method for producing a pellicle according to the present invention.
2 is a view showing a state in which a pellicle film is formed in an embodiment of the method for producing a pellicle according to the present invention.
3 is a view showing an example of the pellicle membrane shown in Fig.
4 is a view showing examples of a transfer frame used in an embodiment of the method for manufacturing a pellicle according to the present invention.
5 is a view showing a state in which an organic substrate on which a pellicle film is formed is attached to a transfer frame in an embodiment of the method for manufacturing a pellicle according to the present invention.
6 is a view showing a state in which a conductive jig is disposed in an embodiment of the method for manufacturing a pellicle according to the present invention.
7 is a view showing a state in which an organic substrate is removed in an embodiment of the method for manufacturing a pellicle according to the present invention.
8 is a view showing a pellicle film according to the shape of a transfer frame.
9 is a view illustrating a step of bonding a center portion of a pellicle film attached to a transfer frame to a pellicle frame in an embodiment of the method for manufacturing a pellicle according to the present invention.
10 is a cross-sectional view of a pellicle manufactured by an embodiment of the method for producing a pellicle according to the present invention.
Fig. 11 is a photograph of a conventional pellicle having a wrinkle on an edge portion thereof.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 펠리클 제조방법에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a pellicle according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

본 발명에 따른 펠리클 제조방법은 a) 유기물 기판을 제조하는 단계와, b) 유기물 기판에 펠리클 막을 형성하는 단계와, c) 펠리클 막이 형성된 유기물 기판을 전사 프레임에 부착하는 단계와, d) 유기물 기판의 적어도 일부를 제거하는 단계와, e) 전사 프레임에 부착된 펠리클 막을 펠리클 프레임에 전사하는 단계를 포함한다.The method of manufacturing a pellicle according to the present invention comprises the steps of: a) preparing an organic substrate, b) forming a pellicle film on the organic substrate, c) attaching the organic substrate on which the pellicle film is formed to the transfer frame, d) And e) transferring the pellicle film attached to the transfer frame to the pellicle frame.

먼저, 유기물 기판(10)을 제조하는 단계에 대해서 설명한다.First, the step of manufacturing the organic material substrate 10 will be described.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기물 기판(10)은 표면이 매끈한 다른 기판(1) 위에 수지를 용해한 용액을 코팅하고, 건조하여 형성할 수 있다. 기판(1)으로는 석영 유리 기판, 일반 유리 기판, 실리콘 기판 등을 사용할 수 있으나, 석영 유리 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 코팅하는 방법으로는 공지된 다양한 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 롤 코팅, 캐스팅, 스핀 코팅, 물 캐스팅, 딥 코팅 또는 랑그무어 블로지트(langmuir blodgett)와 같은 코팅 방법에 의해 기판(1) 위에 유기물 기판(10)을 형성할 수 있다. 스핀 코팅 방법을 사용할 경우, 막의 두께는 기판(1)에 도포하는 용액의 농도와 스핀 코터(spin coater)의 회전수 등의 조건을 변경하여 조절할 수 있다. 유기물 기판(10)은 0.2 내지 2㎛ 정도의 두께로 형성할 수 있다. As shown in FIG. 1, the organic substrate 10 can be formed by coating a solution in which a resin is dissolved on another substrate 1 having a smooth surface, followed by drying. As the substrate 1, a quartz glass substrate, a general glass substrate, a silicon substrate, or the like can be used, but a quartz glass substrate is preferably used. As the coating method, various known methods can be used. For example, the organic substrate 10 can be formed on the substrate 1 by a coating method such as roll coating, casting, spin coating, water casting, dip coating or langmuir blodgett. When the spin coating method is used, the thickness of the film can be controlled by changing conditions such as the concentration of the solution to be coated on the substrate 1 and the number of revolutions of the spin coater. The organic material substrate 10 may be formed to a thickness of about 0.2 to 2 mu m.

건조가 완료되면, 유기물 기판(10)에 셀로판 테이프나 접착제를 도포한 틀 모양 치구(治具)를 대고 접착하여, 셀로판테이프나 틀 모양 치구를 손이나 기계적 수단에 의해 한쪽 끝으로부터 들어올리는 방법으로 유기물 기판(10)을 떼어낼 수가 있다.After the drying is completed, a mold jig coated with a cellophane tape or an adhesive is bonded to the organic substrate 10, and the cellophane tape or the frame jig is lifted from one end by hand or mechanical means The organic substrate 10 can be removed.

유기물 기판(10)으로는 CAB(cellulose acetate butyrate), 니트로셀룰로오스(nitrocellulose), 불소 수지(fluororesin), PMMA(poly(methyl methacrylate) 막 등을 사용할 수 있다.Examples of the organic substrate 10 include cellulose acetate butyrate (CAB), nitrocellulose, fluororesin, and poly (methyl methacrylate) film.

다음, 유기물 기판(10) 위에 펠리클 막(20)을 형성하는 단계를 설명한다.Next, the step of forming the pellicle film 20 on the organic substrate 10 will be described.

도 2에 도시된 바와 같이, 만들어진 얇은 유기물 기판(10) 위에 펠리클 막(20)을 형성한다. 펠리클 막(20)으로는 무기 박막 층을 사용할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘(Si), 카본(C), 보론 카바이드(B4C) 박막 층, 지르콘(ZrSiO4) 박막 층을 펠리클 막(20)으로 사용할 수 있다.As shown in Fig. 2, the pellicle film 20 is formed on the thin organic substrate 10 made. As the pellicle film 20, an inorganic thin film layer can be used. For example, silicon carbide (SiC), silicon (Si), carbon (C), boron carbide (B 4 C) thin film layer and zircon (ZrSiO 4 ) thin film layer can be used as the pellicle film 20.

또한, 펠리클 막(20)을 형성하는 공정 중 유기물 기판(10)의 온도가 상승하는 것을 방지하기 위해서 상온에서 펠리클 막(20)을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 냉각 지그를 이용하여 유기물 기판(10)을 냉각하는 것이 바람직하다. 냉각 지그에는 냉각수가 흐를 수 있는 배관이 형성될 수 있다.In order to prevent the temperature of the organic substrate 10 from rising during the process of forming the pellicle film 20, it is preferable to form the pellicle film 20 at room temperature. Further, it is preferable to cool the organic substrate 10 using a cooling jig. The cooling jig may be provided with a pipe through which cooling water can flow.

또한, 펠리클 막(20)은 단일 막이 아니라 복수의 박막 층으로 이루어진 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 실리콘카바이드 박막과 실리콘 박막을 포함하는 다층 구조의 무기 박막 층일 수 있다. 즉, SiC/Si/SiC, SiC/Si 등의 다층 구조일 수도 있다.In addition, the pellicle film 20 may be a multi-layer structure composed of a plurality of thin film layers instead of a single film. For example, a multi-layered inorganic thin film layer including a silicon carbide thin film and a silicon thin film. That is, it may be a multilayer structure of SiC / Si / SiC, SiC / Si, and the like.

또한, 펠리클 막(20)은 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 코팅 층(21), 무기 박막 층(22), 제2 코팅 층(23)으로 이루어진 다층 구조일 수 있다. 이러한 구조는 유기물 기판(10) 위에 제1 코팅 층(21)을 형성하는 단계와, 제1 코팅 층(21) 위에 무기 박막 층(22)을 형성하는 단계와, 무기 박막 층(22) 위에 제2 코팅 층(23)을 형성하는 단계를 통해서 형성할 수 있다. 제1 코팅 층(21)과 제2 코팅 층(23)은 고출력의 광원으로부터 무기 박막 층(22)을 보호하는 역할을 한다. 제1 코팅 층(21)과 제2 코팅 층(23)은 EUV 광에 의해서 발생하는 수소 라디칼에 안정적이며, EUV 광에 의한 열 부하로부터 무기 박막 층(22)을 보호할 수 있어야 한다. 제1 코팅 층(21)과 제2 코팅 층(23)은 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb) 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 제1 코팅 층(21)과 제2 코팅 층(23)은 CVD 법, 스퍼터링법, 전자빔 증착법, 이온빔 원용 증착법 등의 다양한 방법으로 형성할 수 있다. 무기 박막 층(22)은 단일 막일 수도 있으며, 다층 구조일 수도 있다.3, the pellicle film 20 may have a multi-layer structure composed of a first coating layer 21, an inorganic thin film layer 22, and a second coating layer 23. This structure includes the steps of forming a first coating layer 21 on the organic substrate 10, forming an inorganic thin film layer 22 on the first coating layer 21, 2 < / RTI > coating layer (23). The first coating layer 21 and the second coating layer 23 serve to protect the inorganic thin film layer 22 from a light source of high output. The first coating layer 21 and the second coating layer 23 should be stable to hydrogen radicals generated by EUV light and be capable of protecting the inorganic thin film layer 22 from heat load by EUV light. The first coating layer 21 and the second coating layer 23 preferably include at least one of ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), and niobium (Nb). The first coating layer 21 and the second coating layer 23 can be formed by various methods such as a CVD method, a sputtering method, an electron beam deposition method, and an ion beam source deposition method. The inorganic thin film layer 22 may be a single film or may have a multi-layer structure.

다음, 펠리클 막이 형성된 유기물 기판을 전사 프레임에 부착하는 단계를 설명한다.Next, the step of attaching the organic substrate on which the pellicle film is formed to the transfer frame will be described.

먼저, 전사 프레임(9)을 준비한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 전사 프레임(9)은 오각형 이상의 다각형, 원형, 타원형 프레임, 또는 도 4의 (d)에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 직선부와 직선부를 연결하는 한 쌍의 곡선부로 이루어진 프레임인 것이 바람직하다. 다음, 전사 프레임(9)에 접착제(8)를 도포한 후 열처리한다. 그리고 펠리클 막(20)이 형성된 유기물 기판(10)을 전사 프레임(9)에 접착하여 하여, 도 5에 도시된 바와 같이, 펠리클 막(20)이 형성된 유기물 기판(10)이 부착된 전사 프레임(9)을 얻을 수 있다. 도 5에서는 펠리클 막(20)이 전사 프레임(9)과 접하도록 접착하는 것으로 도시되어 있으나, 유기물 기판(10)이 전사 프레임(9)과 접하도록 뒤집어서 접착할 수도 있다. First, the transfer frame 9 is prepared. As shown in Fig. 4, the transfer frame 9 has a pair of curved lines connecting a pair of rectilinear portions and a rectilinear portion, as shown in Fig. 4 (d) Is preferably a frame composed of two parts. Next, an adhesive 8 is applied to the transfer frame 9 and then heat-treated. 5, the organic substrate 10 on which the pellicle film 20 is formed is adhered to the transfer frame 9 to form a transfer frame 9 having the organic substrate 10 on which the pellicle film 20 is formed 9) can be obtained. 5, the pellicle film 20 is shown bonded to the transfer frame 9. However, the pellicle film 20 may be adhered to the transfer frame 9 so that the organic substrate 10 contacts the transfer frame 9.

다음, 유기물 기판(10)의 적어도 일부를 제거하는 단계를 설명한다. 유기물 기판(10)의 적어도 일부를 제거하는 단계는 건식 애싱(dry asching) 단계일 수 있다. 건식 애싱은 산화력이 강한 산성용액 등을 사용하지 않고, 유기물을 제거하는 방법으로서, 플라스마를 이용한 방법, 자외선 및 오존을 이용한 방법 등이 포함된다. 이하에서는, 플라스마를 이용하여 유기물 기판(10)의 적어도 일부를 제거하는 단계를 설명한다.Next, a step of removing at least a part of the organic substrate 10 will be described. The step of removing at least a part of the organic substrate 10 may be a dry ashing step. Dry ashing includes a method using plasma, a method using ultraviolet rays and ozone, and the like, without using an acidic solution having a strong oxidizing power and removing organic substances. Hereinafter, the step of removing at least a part of the organic substrate 10 using the plasma will be described.

본 단계에서는 챔버 내에 전사 프레임(9)에 부착된 상태의 유기물 기판(10)을 배치하고, 진공 챔버 내에 플라스마를 발생시킨 후 이 플라스마를 유기물 기판(10)에 접촉시켜 유기물 기판(10)을 제거한다. 플라스마로는 산소 플라스마를 사용할 수 있다.In this step, the organic substrate 10 attached to the transfer frame 9 is placed in the chamber, a plasma is generated in the vacuum chamber, and the plasma is brought into contact with the organic substrate 10 to remove the organic substrate 10 do. As the plasma, an oxygen plasma can be used.

이때, 전사 프레임(9)에 플라스마가 집중되어 유기물 기판(10)의 중심부와 둘레의 제거 속도에 차이가 생길 수 있다. 유기물 기판(10)의 둘레가 먼저 제거되면, 중심부에 남아있는 유기물 기판(10)의 잔유물의 장력에 의해서 펠리클 막(20)이 손상될 수 있다. 따라서 플라스마가 전사 프레임(9)에 집중되지 않도록, 펠리클 막(20) 쪽에 인접하게 플라스마를 균일하게 유도하는 전도성 지그(2)를 배치한다.At this time, the plasma may be concentrated on the transfer frame 9, resulting in a difference in removal rates of the center portion and the peripheral portion of the organic substrate 10. When the periphery of the organic substrate 10 is first removed, the pellicle membrane 20 may be damaged by the tension of the remnants of the organic substrate 10 remaining in the center portion. Therefore, the conductive jig 2 for uniformly inducing the plasma is disposed adjacent to the pellicle film 20 so that the plasma is not concentrated on the transfer frame 9. [

도 6은 전도성 지그가 배치된 상태를 나타낸 도면이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 전도성 지그(2)는 전사 프레임(9)의 하면과 접하는 상면(5)을 구비한 판형부(3)와 판형부(3)에서 유기물 기판(10)의 방향으로 전사 프레임(9)의 두께에 비해서 낮은 높이로 돌출된 돌출부(4)를 포함한다. 전도성 지그(2)와 전사 프레임(9)은 전사 프레임(9)의 하면과, 판형부(3)의 상면(5)의 접촉을 통해서 전기적으로 연결되어 있다.6 is a view showing a state in which the conductive jig is disposed. 6, the conductive jig 2 has a plate-like portion 3 having an upper surface 5 in contact with the lower surface of the transfer frame 9 and a plate-like portion 3 in the direction of the organic substrate 10 in the plate- And a protrusion 4 protruding at a height lower than the thickness of the transfer frame 9. [ The conductive jig 2 and the transfer frame 9 are electrically connected through the contact between the lower surface of the transfer frame 9 and the upper surface 5 of the plate-

돌출부(4)는 유기물 기판(10)과 일정한 간격을 유지하는 전기 전도성이 있는 상면(6)과, 전사 프레임(9)의 내면과 일정한 간격을 유지하는 측면(7)을 구비한다. 전도성 지그(2)를 배치하면, 플라스마가 유기물 기판(10)에 균일하게 작용하여, 펠리클 막(20)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.The protruding portion 4 has an electrically conductive upper surface 6 and a side surface 7 that maintains a certain distance from the inner surface of the transfer frame 9 and maintains a constant gap with the organic substrate 10. Arranging the conductive jig 2 makes it possible to prevent the plasma from acting on the organic substrate 10 uniformly and damaging the pellicle film 20.

유기물 기판(10)이 제거된 상태에서 진공 챔버의 압력을 1시간 정도에 걸쳐서 천천히 대기압까지 상승시킨 후 펠리클 막(20)이 부착된 전사 프레임(9)을 진공 챔버에서 꺼낸다. 막이 얇아진 상태이므로 압력을 빠르게 올리면, 펠리클 막(20)이 손상될 수 있기 때문이다.After the organic substrate 10 is removed, the pressure of the vacuum chamber is slowly raised to atmospheric pressure over about 1 hour, and the transfer frame 9 with the pellicle film 20 attached thereon is removed from the vacuum chamber. This is because if the pressure is increased rapidly, the pellicle membrane 20 may be damaged because the membrane is in a thin state.

건식 애싱의 다른 방법으로는 유기물 기판(10)을 상압에서 자외선(UV)과 오존(ozone)을 이용하여 제거하는 방법이 있다. 자외선 램프가 배열되어 있는 챔버 내에 전사 프레임(9)에 부착된 상태의 유기물 기판(10)을 배치한 후 챔버 내에 오존을 발생시켜 유기물 기판(10)을 제거한다. 이때, 챔버의 온도를 올리면 회화(ashing) 속도가 빨라지지만, 지나치게 높아지면, 유기물 기판(10)의 변성이 일어나 유기물 기판(10)의 제거가 어렵다는 문제가 있다. 따라서 챔버의 온도는 유기물 기판(10)의 유리전이온도의 90% 미만으로 유지하는 것이 바람직하다.As another method of dry ashing, there is a method of removing the organic material substrate 10 by using ultraviolet rays (UV) and ozone at normal pressure. The organic substrate 10 attached to the transfer frame 9 is placed in a chamber in which ultraviolet lamps are arranged, and then the ozone is generated in the chamber to remove the organic substrate 10. [ At this time, if the temperature of the chamber is raised, the ashing rate is increased. However, if the temperature is increased, the organic substrate 10 may be denatured and the organic substrate 10 may be difficult to remove. Thus, it is desirable that the temperature of the chamber be maintained at less than 90% of the glass transition temperature of the organic substrate 10.

도 7은 유기물 기판이 제거된 상태를 나타낸 도면이다. 도 7에서 알 수 있듯이, 전사 프레임(9)과 펠리클 막(20) 사이에 접착제 층(8)이 배치된다.7 is a view showing a state where an organic substrate is removed. 7, an adhesive layer 8 is disposed between the transfer frame 9 and the pellicle film 20. As shown in Fig.

도 8은 전사 프레임에 부착된 펠리클 막을 나타낸 도면이다. 도 8에서 알 수 있듯이, 펠리클 막(20)이 형성된 유기물 기판(10)을 전사 프레임(9)에 접착한 후 유기물 기판(10)을 제거하면 펠리클 막(20)의 가장자리 부분에 주름이 발생한다. 유기물 기판(10)의 두께가 펠리클 막(20)의 두께보다 상대적으로 매우 두껍기 때문에 유기물 기판(10)에 펠리클 막(20)이 형성된 구조에서는 펠리클 막(20)의 늘어남 등의 현상이 관측되지 않지만, 유리물 기판(10)이 제거되면, 펠리클 막(20)이 늘어나면서 주름이 발생한다. 펠리클 막(20)을 제조하는 공정에서 발생한 열, 유기물 기판(10)의 냉각 등의 요인에 의해서 펠리클 막(20)의 면적이 유기물 기판(10)의 면적에 비해서 크기 때문이다.8 is a view showing a pellicle film attached to a transfer frame. 8, when the organic substrate 10 on which the pellicle film 20 is formed is adhered to the transfer frame 9 and the organic substrate 10 is removed, wrinkles are generated in the edge portions of the pellicle film 20 . The phenomenon such as elongation of the pellicle film 20 is not observed in the structure in which the pellicle film 20 is formed on the organic substrate 10 because the thickness of the organic substance substrate 10 is relatively thicker than the thickness of the pellicle film 20 When the glass substrate 10 is removed, the pellicle film 20 is stretched and wrinkles are generated. This is because the area of the pellicle film 20 is larger than the area of the organic substrate 10 due to heat generated in the process of manufacturing the pellicle film 20 and cooling of the organic substrate 10 and the like.

주름이 발생하는 면적은 전사 프레임(9)의 형태에 크게 영향을 받는다. 다각형은 꼭짓점의 수가 많아질수록 주름이 발생하는 영역이 전사 프레임(9)에 가까워지며, 주름이 발생하는 영역의 면적이 작아진다. 도 8의 (a)와 (b)에서 알 수 있듯이, 사각형 전사 프레임(9)을 사용하는 경우에 비해서 팔각형 전사 프레임(9)을 사용하는 경우의 주름 발생 영역의 면적이 훨씬 작다. 또한, 도 8의 (c)와 (d)에서 알 수 있듯이, 원형이나 타원형 전사 프레임(9)을 사용하는 경우에도 주름 발생 영역의 면적이 감소한다. 또한, 도 8의 (e)와 같은 형태의 전사 프레임을 사용하는 경우에도 주름 발생 영역이 감소한다.The area where the wrinkles are generated is greatly influenced by the shape of the transfer frame 9. As the number of vertexes increases, the area of the polygon where the corrugation occurs becomes closer to the transfer frame 9, and the area of the corrugation area becomes smaller. As can be seen from Figs. 8A and 8B, the area of the wrinkle generation area in the case of using the octagonal transfer frame 9 is much smaller than that in the case of using the rectangular transfer frame 9. 8 (c) and 8 (d), the area of the wrinkle generation area also decreases when the circular or elliptical transfer frame 9 is used. Further, even in the case of using the transfer frame of the type shown in FIG. 8E, the wrinkle occurrence area decreases.

다음, 전사 프레임(9)에 부착된 펠리클 막(20)을 펠리클 프레임(30)에 전사하는 단계를 설명한다.Next, the step of transferring the pellicle film 20 attached to the transfer frame 9 to the pellicle frame 30 will be described.

먼저, 펠리클 프레임(30)을 준비한다. 펠리클 프레임(30)은 흑색 알루마이트 피막 또는 DLC(Diamond like carbon) 피막, 실리콘 카바이드(SiC) 피막, 산화 플라스마 코팅 피막 등이 형성된 알루미늄 합금 프레임일 수 있다. 펠리클 프레임(30)은 그 용도에 따라서 사각 이상의 다각형, 원형 또는 타원형일 수 있다.First, the pellicle frame 30 is prepared. The pellicle frame 30 may be an aluminum alloy frame in which a black alumite coating or a diamond like carbon (DLC) coating, a silicon carbide (SiC) coating, an oxidized plasma coating, or the like is formed. The pellicle frame 30 may be polygonal, circular, or elliptical with a square or more depending on its use.

다음, 펠리클 프레임(30)에 접착제(40)를 도포한 후 80 내지 120℃ 정도에서 약 30 내지 120초 동안 열처리한다. 그리고 상온에서 1시간 내지 48시간 정도 방치하여, 접착제(40)의 유기가스를 제거한다. 그리고 도 9에 도시된 바와 같이, 전사 프레임(9)에 부착되어 있는 펠리클 막(20)의 주름이 없는 중심 부분을 펠리클 프레임(30)에 접착한다. 그리고 펠리클 프레임(30)의 가장자리를 따라서 펠리클 막(20)을 잘라내면, 도 10에 도시된 바와 같이, 주름이 없는 펠리클 막(20)이 펠리클 프레임(30)에 부착된 펠리클을 얻을 수 있다.Next, the adhesive 40 is applied to the pellicle frame 30 and then heat-treated at about 80 to 120 DEG C for about 30 to 120 seconds. Then, it is left at room temperature for about 1 hour to 48 hours to remove the organic gas of the adhesive 40. Then, as shown in Fig. 9, the wrinkle free center portion of the pellicle film 20 attached to the transfer frame 9 is adhered to the pellicle frame 30. As shown in Fig. When the pellicle film 20 is cut along the edge of the pellicle frame 30, a pellicle in which the pellicle film 20 without wrinkles is attached to the pellicle frame 30 can be obtained as shown in Fig.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the invention as defined by the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention.

10: 유기물 기판
20: 펠리클 막
21: 제1 코팅 층
22: 무기 박막 층
23: 제2 코팅 층
30: 펠리클 프레임
40: 접착제
10: organic substrate
20: Pellicle membrane
21: First coating layer
22: inorganic thin film layer
23: Second coating layer
30: Pellicle frame
40: Adhesive

Claims (17)

a) 유기물 기판을 제조하는 단계와,
b) 상기 유기물 기판에 펠리클 막을 형성하는 단계와,
c) 상기 펠리클 막이 형성된 상기 유기물 기판을 전사 프레임에 부착하는 단계와,
d) 상기 유기물 기판의 적어도 일부를 제거하는 단계와,
e) 상기 전사 프레임에 부착된 상기 펠리클 막을 펠리클 프레임에 전사하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법.
comprising the steps of: a) preparing an organic substrate,
b) forming a pellicle film on the organic substrate,
c) attaching the organic material substrate on which the pellicle film is formed to a transfer frame,
d) removing at least a portion of the organic substrate,
e) transferring the pellicle membrane attached to the transfer frame to the pellicle frame.
제1항에 있어서,
상기 전사 프레임은 원형, 타원형, 오각형 이상의 다각형 또는 한 쌍의 나란한 직선부와 직선부를 서로 연결하는 곡선부를 구비한 프레임인 펠리클 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the transfer frame is a frame having a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape having a pentagon or more, or a curved portion connecting a pair of parallel straight portions and straight portions.
제1항에 있어서,
상기 펠리클 막은 실리콘카바이드(SiC) 박막 층, 실리콘(Si) 박막 층, 카본(C) 박막 층, 보론 카바이드(B4C) 박막 층. 지르콘(ZrSiO4) 박막 층 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 포함하는 펠리클 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the pellicle film comprises a silicon carbide (SiC) thin film layer, a silicon (Si) thin film layer, a carbon (C) thin film layer, a boron carbide (B 4 C) thin film layer. Zircon (ZrSiO 4 ) thin film layer.
제1항에 있어서,
상기 펠리클 막은 실리콘카바이드(SiC) 박막 층 위에 실리콘(Si) 박막 층과 실리콘카바이드(SiC) 박막 층이 순서대로 형성된 다층 구조인 펠리클 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the pellicle film is a multi-layer structure in which a silicon (Si) thin film layer and a silicon carbide (SiC) thin film layer are formed in order on a silicon carbide (SiC) thin film layer.
제1항에 있어서,
상기 b) 단계는,
b-1) 상기 유기물 기판 위에 제1 코팅 층을 형성하는 단계와,
b-2) 상기 제1 코팅 층 위에 무기 박막 층을 형성하는 단계와,
b-3) 상기 무기 박막 층 위에 제2 코팅 층을 형성하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법.
The method according to claim 1,
The step b)
b-1) forming a first coating layer on the organic substrate,
b-2) forming an inorganic thin film layer on the first coating layer,
b-3) forming a second coating layer on the inorganic thin film layer.
제1항에 있어서,
상기 b) 단계에서 상기 유기물 기판은 상기 유기물 기판을 지지 및 냉각하는 냉각면을 구비한 냉각 지그에 의해서 냉각되는 펠리클 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the organic material substrate is cooled by a cooling jig having a cooling surface for supporting and cooling the organic material substrate in the step b).
제1항에 있어서,
상기 e) 단계는,
e-1) 상기 펠리클 프레임에 접착제를 도포한 후 80 내지 120℃로 30초 내지 120초 열처리하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법.
The method according to claim 1,
The step e)
e-1) applying an adhesive to the pellicle frame, and then heat-treating the pellicle frame at 80 to 120 DEG C for 30 seconds to 120 seconds.
제7항에 있어서,
상기 e) 단계는,
e-1) 단계 후 상기 펠리클 프레임은 상온에서 1시간 내지 48시간 방치하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법.
8. The method of claim 7,
The step e)
wherein the pellicle frame is left at room temperature for 1 to 48 hours after the step (e-1).
제1항에 있어서,
상기 d) 단계는,
상기 펠리클 막이 형성된 상기 유기물 기판이 부착된 상기 전사 프레임을 챔버에 배치하는 단계와,
전기 전도성 표면을 구비한 지그를, 상기 표면이 상기 펠리클 막과 간격을 두고 나란하게 배치되도록 위치시키는 단계와,
상기 챔버 내에 플라스마를 형성 또는 도입하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법.
The method according to claim 1,
The step d)
Disposing the transfer frame to which the organic material substrate on which the pellicle film is formed is placed in a chamber;
Positioning a jig having an electrically conductive surface such that the surface is spaced apart from the pellicle membrane and spaced apart,
And forming or introducing a plasma into the chamber.
제9항에 있어서,
상기 지그는 상기 전사 프레임의 하면과 접하는 상면을 구비한 판형부와 그 판형부에서 상기 유기물 기판 방향으로 상기 전사 프레임의 두께에 비해서 낮은 높이로 돌출된 돌출부를 포함하며, 상기 전기 전도성 표면은 상기 돌출부의 상면에 형성되며, 상기 돌출부는 상기 전사 프레임의 내면과 일정한 간격을 유지하는 측면을 구비하는 펠리클 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the jig includes a plate portion having an upper surface in contact with a lower surface of the transfer frame and a protrusion protruding from the plate portion toward the organic substrate in a height lower than the thickness of the transfer frame, Wherein the projecting portion has a side surface that is spaced apart from the inner surface of the transfer frame at a predetermined interval.
제10항에 있어서,
상기 지그와 상기 전사 프레임은 전기적으로 연결된 펠리클 제조방법.
11. The method of claim 10,
And the jig and the transfer frame are electrically connected to each other.
제1항에 있어서,
상기 d) 단계는,
상기 펠리클 막이 형성된 상기 유기물 기판이 부착된 상기 전사 프레임을 챔버에 배치하는 단계와,
상기 유기물 기판에 자외선을 조사하는 단계와,
상기 챔버 내에 오존을 형성 또는 도입하는 단계를 포함하는 펠리클 제조방법.
The method according to claim 1,
The step d)
Disposing the transfer frame to which the organic material substrate on which the pellicle film is formed is placed in a chamber;
Irradiating the organic substrate with ultraviolet light,
And forming or introducing ozone into the chamber.
제12항에 있어서,
상기 챔버의 온도는 상기 유기물 기판의 유리전이온도(glass transition temperature)의 90% 미만으로 유지되는 펠리클 제조방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the temperature of the chamber is maintained at less than 90% of the glass transition temperature of the organic substrate.
제1항에 있어서,
상기 유기물 기판은 CAB(cellulose acetate butyrate), 니트로셀룰로오스(nitrocellulose), 불소 수지(fluororesin), PMMA(poly(methyl methacrylate) 기판 중에서 선택되는 초극자외선용 펠리클의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the organic substrate is selected from the group consisting of cellulose acetate butyrate (CAB), nitrocellulose, fluororesin, and poly (methyl methacrylate).
제5항에 있어서,
상기 무기 박막 층은 실리콘카바이드(SiC) 박막 층, 실리콘(Si) 박막 층, 카본(C) 박막 층, 보론 카바이드(B4C) 박막 층, 지르콘(ZrSiO4) 박막 층 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 포함하는 펠리클 제조방법.
6. The method of claim 5,
The inorganic thin film layer may include at least one layer selected from the group consisting of a silicon carbide (SiC) thin film layer, a silicon (Si) thin film layer, a carbon (C) thin film layer, a boron carbide (B 4 C) thin film layer, and a zircon (ZrSiO 4 ) ≪ / RTI >
제5항에 있어서,
상기 제1 코팅 층은 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb) 중에서 선택되는 금속을 포함하는 펠리클 제조방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the first coating layer comprises a metal selected from ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), and niobium (Nb).
제5항에 있어서,
상기 제2 코팅 층은 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb) 중에서 선택되는 금속을 포함하는 펠리클 제조방법.

6. The method of claim 5,
Wherein the second coating layer comprises a metal selected from ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), and niobium (Nb).

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