KR20130095453A - Noncontact resistance measurement apparatus and method using straight light source - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A contactless resistance measuring device using linear light source and a method thereof are provided to form a linear type light stimulation, thereby increasing the absolute voltage. CONSTITUTION: A linear type light stimulation is formed on an object (S301). The eddy current is generated in the object. The induced voltage by the eddy current is measured in the light stimulation (S303). Based on the measured induced voltage, the surface resistance of the object is calculated (S305). The linear type light fiber is used as the light source. The induced voltage is measured in a first location and a second location around the light stimulation, respectively. The light stimulation is parallel to the first location and the second location. The first location and the second location are in a predetermined distance from both sides of the light stimulation. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S301) Forming a linear type light stimulation; (S303) Measuring induced voltage aroud a light stimulation; (S305) Calculating surface resistance based on induced voltage

Description

직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치 및 방법{Noncontact Resistance Measurement Apparatus and Method using Straight Light Source}Noncontact Resistance Measurement Apparatus and Method using Straight Light Source}

본 발명은 태양전지 제작 등에 사용되는 반도체 웨이퍼 또는 박막 재료에 광자극을 가하여 면저항을 구하는 기술에 관한 것으로, 특히 광자극을 주는 형태를 개선하여 면저항의 측정 정밀도를 향상시키는 비접촉식 저항 측정 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for obtaining sheet resistance by applying photostimulation to a semiconductor wafer or thin film material used for manufacturing a solar cell, and more particularly, to a non-contact resistance measuring apparatus and method for improving the measurement accuracy of sheet resistance by improving a photostimulating form It is about.

반도체 웨이퍼나 박막재료 등의 비저항(resistivity) 및 면저항(sheet resistance)을 측정하기 위해서는 주로 접촉식 측정방식인 4-탐침법(four-point probe) 방법이 사용되어 왔다. 그러나 4-탐침법은 탐침을 박막 표면에 직접 접촉함으로써 박막의 손상을 가져올 뿐만 아니라 불량률을 최소화시키기 위해 수행하는 전수검사를 방해하는 요인으로 작용해 왔다. 따라서 최근에는 직접적인 탐침의 접촉 없이 저항을 측정할 수 있는 비접촉식 저항측정기가 도입되고 있다. In order to measure resistivity and sheet resistance of semiconductor wafers and thin film materials, a four-point probe method, which is a contact measurement method, has been mainly used. However, the four-probe method has not only damaged the thin film by directly contacting the probe with the surface of the thin film, but also has been a factor that prevents the inspection performed to minimize the defective rate. Therefore, in recent years, a non-contact resistance measuring instrument that can measure the resistance without direct probe contact has been introduced.

비접촉식 저항측정기는 웨이퍼나 박막재료에 광자극을 가했을 때 발생하는 와전류(eddy current)를 기초로 비접촉 상태의 전극을 통해 유도전압을 측정함으로써 저항을 계산한다. 이때 발생하는 전류는 빛이 비치는 면적과 광량에 비례한다.The non-contact resistance meter calculates resistance by measuring an induced voltage through an electrode in a non-contact state based on the eddy current generated when photo stimulation is applied to a wafer or thin film material. The current generated at this time is proportional to the area of light and the amount of light.

예를 들어, 태양전지 제작에 사용되는 웨이퍼는 광자극(light excitation) 또는 자기자극(magnetic excitation)에 의해 와전류가 유도되는데, 이 와전류에 의한 전압을 측정함으로써 면저항을 측정할 수 있다. 이 때 사용되는 광자극은 일반적으로 주파수 변조된 신호를 사용하며 주파수에 따라 유기되는 전압이 다르지만 그 정도는 크지 않다.For example, in a wafer used for fabricating a solar cell, an eddy current is induced by light excitation or magnetic excitation, and the sheet resistance can be measured by measuring the voltage caused by the eddy current. In this case, the photostimulus generally uses a frequency-modulated signal, and the induced voltage varies depending on the frequency, but the degree is not large.

도 1은 기존의 일반적인 비접촉식 저항측정기를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a conventional general non-contact resistance meter.

기존의 일반적인 비접촉식 저항측정기는, 도 1에 도시된 바와 같이, 점 형태의 광자극을 주는 LED 광원(11), 및 광자극 주위의 전압차를 측정하는 두 개의 원판형 전극(12,13)을 포함한다. Conventional non-contact resistance measuring instruments, as shown in Figure 1, the LED light source 11 to give a point-shaped photostimulation, and two disk-shaped electrodes (12, 13) for measuring the voltage difference around the photostimulation Include.

LED 광원(11)으로 점 형태의 광자극을 인가한 후, 전극(12)에서 V1과 전극(13)에서 V2를 측정하고, 그 비율로부터 저항을 계산하고, 이로부터 면저항을 계산한다. 이때 보통 절대적인 저항값을 측정하는 것이 아니라, 이미 저항을 알고 있는 웨이퍼를 기준으로 눈금조정(scaling)을 함으로써 상대적인 값을 구하는 방법을 이용한다.After applying a photo-stimulus in the form of a dot to the LED light source 11, V1 at the electrode 12 and V2 at the electrode 13 are measured, the resistance is calculated from the ratio, and the sheet resistance is calculated therefrom. In this case, rather than measuring the absolute resistance value, the relative value is calculated by scaling based on the wafer which already knows the resistance.

전술한 바와 같이, 기존의 일반적인 비접촉식 저항측정기의 광원(11)에 의한 점 형태의 광자극은 발생된 와전류가 방사형으로 퍼지게 된다. 이 때 광원(11)과 외부 전극(12)와의 거리를 r이라 하면, 와전류는 방사형으로 퍼지므로 r2에 반비례해서, 즉 1/r2의 비율로 감소하게 된다. 따라서 전극간의 거리가 멀어지면 와전류가 크게 감소되어 매우 작은 값을 측정해야 하므로 측정치의 신뢰성이 매우 떨어지게 된다.As described above, in the form of a dot-shaped photostimulus by the light source 11 of the conventional non-contact resistance measuring instrument, the generated eddy current spreads radially. At this time, if the distance between the light source 11 and the external electrode 12 is r, the eddy current spreads radially and is inversely proportional to r 2 , that is, reduced at a ratio of 1 / r 2 . Therefore, if the distance between the electrodes is far away, the eddy current is greatly reduced and very small value must be measured, so the reliability of the measured value is very poor.

결국, 기존의 점 형태 광자극을 사용하는 비접촉식 저항측정 기술에 따르면 와전류가 자극점을 중심으로 방사형으로 퍼지게 되고 또 퍼지는 중간에 전자 정공이 결합하여 자연적으로 전류가 감소하기도 하여, 와전류가 광자극 점으로부터 멀어질수록 거리의 제곱 이상으로 반비례한다. 따라서 매우 작은 전류에 의해 유도된 전압을 통해 측정해야하므로 측정치의 정밀도가 높지 않다는 문제점이 있다.As a result, according to the conventional non-contact resistance measurement technique using the point-type photostimulation, the eddy current spreads radially around the stimulus point, and the electron hole is coupled in the middle of the spread, so that the current naturally decreases. The further away from, the inverse of the distance squared. Therefore, there is a problem in that the measurement accuracy is not high because the measurement must be made through a voltage induced by a very small current.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 와전류의 감소율을 기존보다 현저히 감소시켜 유도전압을 측정하는 전극의 절대 전압을 높임으로써 측정치의 정확도를 증가시키기는, 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치 및 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its object is to significantly reduce the eddy current reduction rate than before, thereby increasing the accuracy of the measured value by increasing the absolute voltage of the electrode measuring the induced voltage. It is to provide a measuring device and method.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따른 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 방법은, (a) 반도체 웨이퍼 또는 박막 재료와 같은 대상체 상에 직선 형태의 광자극을 형성하는 단계; (b) 상기 광자극에 따라 상기 대상체에 발생되는 와전류에 의한 유도 전압을 측정하는 단계; 및 (c) 상기 측정된 유도 전압을 기초로 상기 대상체의 면저항을 산출하는 단계를 포함할 수 있다.In order to achieve the above object, a non-contact resistance measuring method using a linear light source according to an aspect of the present invention, (a) forming a linear photo-stimulation on the object, such as a semiconductor wafer or a thin film material; (b) measuring an induced voltage caused by an eddy current generated in the object according to the photostimulation; And (c) calculating sheet resistance of the object based on the measured induced voltage.

상기 단계 (a)는 직선형 광섬유를 광원으로 이용할 수 있고, 상기 단계 (b)는 상기 광자극 주위의 제1 위치 및 제2 위치에서의 유도 전압을 각각 측정할 수 있으며, 상기 광자극과 상기 제1 및 제2 위치는 서로 평행하고, 상기 제1 및 제2 위치는 상기 광자극으로부터 양측으로 일정 간격으로 이격된 위치를 나타낸다.The step (a) may use a straight optical fiber as a light source, the step (b) may measure the induced voltage at the first position and the second position around the photo-stimulation, respectively, The first and second positions are parallel to each other, and the first and second positions represent positions spaced at regular intervals from both sides of the photostimulus.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 측면에 따른 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치는, 반도체 웨이퍼 또는 박막 재료와 같은 대상체 상에 직선 형태의 광자극을 형성하기 위한 직선형 광원; 및 상기 광자극에 따라 상기 대상체에 발생되는 와전류에 의한 유도 전압을 측정하기 위한 복수개의 전극을 포함할 수 있고, 상기 직선형 광원은 광섬유로 구성될 수 있다.In order to achieve the above object, a non-contact resistance measuring apparatus using a linear light source according to another aspect of the present invention, a linear light source for forming a linear photo-stimulation on the object, such as a semiconductor wafer or a thin film material; And a plurality of electrodes for measuring an induced voltage caused by an eddy current generated in the object according to the photo stimulus, and the linear light source may be formed of an optical fiber.

상기 복수개의 전극은 상기 광자극 주위의 제1 위치 및 제2 위치에서의 전압을 각각 측정하기 위한 제1 전극 및 제2 전극을 포함할 수 있는데, 예를 들어, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 직선형 광원의 양측에 일정 거리 이격되어 평행하게 형성될 수 있다. The plurality of electrodes may include a first electrode and a second electrode for measuring a voltage at a first position and a second position around the photostimulus, respectively. For example, the first and second electrodes may be The linear light sources may be parallel to each other at a predetermined distance from each other.

이상 설명한 바와 같이 본 발명의 다양한 측면에 따르면, 직선 형태의 광원을 이용하여 직선형 광자극을 형성하므로 와전류가 거리에 따라 1/r의 비율로 감소하고, 따라서 와전류의 감소율이 기존보다 작아져 유도 전압을 측정하는 전극의 절대 전압이 높아지게 되고, 결과적으로 측정치의 정확도가 향상되는 효과가 있다.As described above, according to various aspects of the present invention, since the linear photo-stimulation is formed using a linear light source, the eddy current decreases at a rate of 1 / r according to the distance, and thus the reduction rate of the eddy current is smaller than that of the induction voltage. The absolute voltage of the electrode for measuring is increased, and as a result, the accuracy of the measured value is improved.

도 1은 기존의 일반적인 비접촉식 저항측정기를 설명하기 위한 도면,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치를 설명하기 위한 도면,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 방법의 흐름도이다.1 is a view for explaining a conventional general non-contact resistance measuring instrument,
2 is a view for explaining a non-contact resistance measuring apparatus using a linear light source according to an embodiment of the present invention,
3 is a flowchart of a non-contact resistance measuring method using a linear light source according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 구체적으로 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하였다. 또한, 본 발명의 실시예에 대한 설명 시 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown in different drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치를 설명하기 위한 도면으로, 동 도면에 도시된 바와 같이, 직선형 광원(21), 제1 전극(22), 및 제2 전극(23)을 포함할 수 있다.2 is a view for explaining a non-contact resistance measurement apparatus using a linear light source according to an embodiment of the present invention, as shown in the figure, the linear light source 21, the first electrode 22, and the second electrode (23) may be included.

본 실시예에 따른 직선형 광원(21)은, 반도체 웨이퍼 또는 박막 재료와 같은 면저항 측정을 위한 대상체(미도시)의 표면상에 직선 형태의 광자극(light excitation)을 주기 위한 것으로, 일 예로 광섬유로 구성될 수 있다.The linear light source 21 according to the present embodiment is to give a linear light excitation on the surface of an object (not shown) for measuring sheet resistance such as a semiconductor wafer or a thin film material. Can be configured.

본 실시예에 따른 제1 전극(22) 및 제2 전극(23)은 광자극에 따라 대상체에 발생되는 와전류에 의한 유도 전압을 측정하기 위한 것으로, 예를 들어, 제1 전극(22) 및 제2 전극(23)은 광자극 주위의 제1 위치 및 제2 위치에서의 전압을 각각 측정하기 위한 것이다.The first electrode 22 and the second electrode 23 according to the present exemplary embodiment are used to measure the induced voltage due to the eddy current generated in the object according to the photo stimulus. For example, the first electrode 22 and the second electrode 23 may be used. The second electrode 23 is for measuring the voltage at the first position and the second position around the photostimulus, respectively.

제1 전극(22)은 직선형 광원(21)으로부터 양측으로 일정 거리(예를 들어, 약 1mm) 떨어진 제1 위치에 그 직선형 광원(21)과 평행하게 형성된 두 개의 전극으로 구성될 수 있고, 이 두 개의 전극은 도면에는 도시되지 않았지만 서로 전기적으로 연결된다. The first electrode 22 may be composed of two electrodes formed parallel to the linear light source 21 at a first position separated by a predetermined distance (for example, about 1 mm) from both sides of the linear light source 21. The two electrodes are electrically connected to each other although not shown in the figure.

제2 전극(23) 또한 직선형 광원(21)으로부터 양측으로 일정 거리(예를 들어, 약 2mm) 떨어진 제2 위치에 그 직선형 광원(21)과 평행하게 형성되고 서로 전기적으로 연결된(미도시) 두 개의 전극으로 구성될 수 있다.The second electrode 23 is also formed in parallel with the linear light source 21 at a second distance away from the linear light source 21 at a predetermined distance (for example, about 2 mm) and electrically connected to each other (not shown). It may be composed of two electrodes.

전술한 바와 같이 제1 전극(21)과 제2 전극(23)은 직선형 광원(21)의 양측에 일정 간격(예를 들어 1mm 간격)으로 이격되어 직선형 광원(21)과 평행하게 형성되어 있다.As described above, the first electrode 21 and the second electrode 23 are spaced apart at regular intervals (for example, 1 mm intervals) on both sides of the linear light source 21 and are formed in parallel with the linear light source 21.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 방법의 흐름도로, 도 1의 장치를 이용하므로, 그 장치의 동작과 병행하여 설명한다.3 is a flowchart of a non-contact resistance measuring method using a linear light source according to an embodiment of the present invention. Since the apparatus of FIG. 1 is used, it will be described in parallel with the operation of the apparatus.

먼저, 직선형 광원(21)을 이용하여 반도체 웨이퍼 또는 박막 재료와 같은 대상체의 표면상에 직선 형태의 광자극을 형성하고(S301), 단계 S301에서 형성된 직선 형태의 광자극에 의해 해당 대상체에서 발생되는 와전류에 의한 유도 전압을 제1 전극(22) 및 제2 전극(23)을 이용하여 측정한다(S303).First, a linear photostimulus is formed on a surface of an object such as a semiconductor wafer or a thin film material by using the linear light source 21 (S301), and the linear photostimulus formed in step S301 is generated in the object. The induced voltage due to the eddy current is measured using the first electrode 22 and the second electrode 23 (S303).

단계 S303에서는, 예를 들어, 제1 전극(22) 및 제2 전극(23)을 이용하여 직선형 광자극 주위의 제1 위치 및 제2 위치에서의 유도 전압 V1, V2를 각각 측정하는데, 제1 및 제2 위치는 직선형 광자극과 평행하고 그 직선형 광자극으로부터 양측으로 일정 간격(약 1mm) 이격된 거리가 된다. In step S303, for example, the first and second electrodes 22 and 23 are used to measure the induced voltages V1 and V2 at the first and second positions around the linear photo-stimulation, respectively. And the second position is a distance parallel to the linear photostimulus and spaced at a predetermined interval (about 1 mm) from both sides of the linear photostimulus.

다음, 단계 S303에서 측정된 유도 전압 V1, V2를 기초로 대상체의 면저항을 산출한다(S305).Next, the sheet resistance of the object is calculated based on the induced voltages V1 and V2 measured in step S303 (S305).

즉, 서로 연결된 제1 전극(22)을 통해 전압 V1을 측정하고, 마찬가지로 서로 연결된 제2 전극(23)을 통하여 전압 V2를 측정하며, 그 비율로부터 면저항을 계산한다. 보통 절대적인 저항값을 측정하는 것이 아니라, 이미 저항을 알고 있는 웨이퍼를 기준으로 눈금조정(scaling)을 함으로써 상대적인 값을 구하는 방법을 이용한다.That is, the voltage V1 is measured through the first electrodes 22 connected to each other, the voltage V2 is measured through the second electrodes 23 connected to each other, and the sheet resistance is calculated from the ratio. In general, rather than measuring absolute resistance, a relative value is obtained by scaling based on a wafer whose resistance is already known.

전술한 바와 같이 직선 형태의 광자극에 의하면 와전류가 거리에 따라 1/r의 비율로 감소한다. 따라서 와전류의 감소율이 점 형태의 광자극을 이용한 기존의 방법보다 작아 유도전압을 측정하는 제1 및 제2 전극(22,23)의 절대 전압이 높게 되고, 결과적으로 측정치의 정확도가 증가하게 된다. As described above, according to the linear photostimulus, the eddy current decreases at a rate of 1 / r with distance. Therefore, the reduction rate of the eddy current is smaller than that of the conventional method using the point-type photostimulation, the absolute voltage of the first and second electrodes 22 and 23 measuring the induced voltage becomes high, and as a result, the accuracy of the measured value increases.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

21: 직선형 광원
22: 제1 전극
23: 제2 전극21: linear light source
22: first electrode
23: second electrode

Claims (10)

(a) 대상체 상에 직선 형태의 광자극을 형성하는 단계;
(b) 상기 광자극에 의해 상기 대상체에 발생되는 와전류에 의한 유도 전압을 측정하는 단계; 및
(c) 상기 측정된 유도 전압을 기초로 상기 대상체의 면저항을 산출하는 단계를 포함하는 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 방법.(a) forming a linear photostimulus on the object;
(b) measuring an induced voltage caused by an eddy current generated in the object by the photostimulation; And
(c) calculating the sheet resistance of the object based on the measured induced voltage. 제1항에 있어서,
상기 단계 (a)는 직선형 광섬유를 광원으로 이용하는 것을 특징으로 하는 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 방법.The method of claim 1,
The step (a) is a non-contact resistance measurement method using a linear light source, characterized in that using a straight optical fiber as a light source. 제1항에 있어서,
상기 단계 (b)는 상기 광자극 주위의 제1 위치 및 제2 위치에서의 유도 전압을 각각 측정하는 것을 특징으로 하는 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 방법.The method of claim 1,
Step (b) is a non-contact resistance measurement method using a linear light source, characterized in that for measuring the induced voltage at the first position and the second position around the photo-stimulation, respectively. 제3항에 있어서,
상기 광자극과 상기 제1 및 제2 위치는 서로 평행하고, 상기 제1 및 제2 위치는 상기 광자극으로부터 양측으로 일정 간격 이격된 거리인 것을 특징으로 하는 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 방법.The method of claim 3,
The photo-stimulation and the first and second positions are parallel to each other, the first and second positions are non-contact resistance measurement method using a linear light source, characterized in that the distance spaced apart from both sides by a predetermined interval. 제1항에 있어서,
상기 대상체는 반도체 웨이퍼 또는 박막 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 방법.The method of claim 1,
The object is a non-contact resistance measurement method using a linear light source, characterized in that the semiconductor wafer or a thin film material. 대상체 상에 직선 형태의 광자극을 형성하기 위한 직선형 광원; 및
상기 광자극에 따라 상기 대상체에 발생되는 와전류에 의한 유도 전압을 측정하기 위한 복수개의 전극을 포함하는 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치.A linear light source for forming a linear photostimulus on the object; And
Non-contact resistance measuring apparatus using a linear light source including a plurality of electrodes for measuring the induced voltage caused by the eddy current generated in the object according to the photo-stimulation. 제6항에 있어서,
상기 직선형 광원은 광섬유로 구성된 것을 특징으로 하는 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치.The method according to claim 6,
The non-contact resistance measuring apparatus using a linear light source, characterized in that the linear light source is composed of an optical fiber. 제6항에 있어서,
상기 복수개의 전극은 상기 광자극 주위의 제1 위치 및 제2 위치에서의 전압을 각각 측정하기 위한 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치.The method according to claim 6,
And the plurality of electrodes includes a first electrode and a second electrode for measuring voltages at first and second positions around the photostimulus, respectively. 제8항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극은 상기 직선형 광원의 양측에 평행하게 형성된 것을 특징으로 하는 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치.9. The method of claim 8,
The first and second electrodes are non-contact resistance measuring apparatus using a linear light source, characterized in that formed in parallel to both sides of the linear light source. 제6항에 있어서,
상기 대상체는 반도체 웨이퍼 또는 박막 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 직선형 광원을 이용한 비접촉식 저항 측정 장치.The method according to claim 6,
Non-contact resistance measuring apparatus using a linear light source, characterized in that the object comprises a semiconductor wafer or a thin film material.
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