KR200448310Y1 - Vacuun chuck table for sawing apparatus of semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 고안은 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 관한 것으로서, 척 베이스, 상기 척 베이스의 상면에 결합되는 경질지지부, 및 상기 경질지지부의 상면에 접착되고 반도체소자 몰딩체를 지지하며 상기 경질지지부의 재질보다 낮은 경도를 갖는 재질로 이루어지는 연질지지부를 포함하되, 상기 연질지지부에는 복수의 진공홀이 형성되고, 상기 진공홀을 통해 공기가 흡입됨으로써 상기 반도체소자 몰딩체가 상기 연질지지부에 흡착된다.The present invention relates to a vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device, comprising: a chuck base, a hard support portion coupled to an upper surface of the chuck base, and a hard support portion bonded to an upper surface of the hard support portion to support a semiconductor device molding and It includes a soft support made of a material having a lower hardness, wherein the plurality of vacuum holes are formed in the soft support, the air is sucked through the vacuum hole, the semiconductor element molding body is adsorbed to the soft support.

본 고안의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블을 이용하면, 반도체소자 몰딩체를 흡착할 때 반도체소자 몰딩체에 가해지는 충격을 경감시킬 수 있고, 휘어진 반도체소자 몰딩체도 견고하고 안정적으로 흡착 지지할 수 있으며, 반도체소자 몰딩체를 절단할 때에 반도체소자 몰딩체의 밀림 현상을 방지할 수 있다.By using the vacuum chuck table for the semiconductor device cutting device of the present invention, it is possible to reduce the impact on the semiconductor device molding when the semiconductor device molding is adsorbed, and to support the curved and the semiconductor device molding firmly and stably. In addition, when the semiconductor device molded body is cut, the sliding phenomenon of the semiconductor device molded body can be prevented.

반도체소자, 절단장치, 척 테이블, 진공척, 경도 Semiconductor element, cutting device, chuck table, vacuum chuck, hardness

Description

반도체소자 절단장치용 진공척 테이블 {Vacuum chuck table for sawing apparatus of semiconductor device}Vacuum chuck table for sawing apparatus of semiconductor device

본 고안은 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체소자 몰딩체를 흡착할 때 충격으로 인한 반도체소자 몰딩체의 파손을 방지하고, 휘어진 반도체소자 몰딩체도 견고하고 안정적으로 흡착 지지할 수 있으며, 반도체소자 몰딩체에 대한 절단 정확성을 향상시킬 수 있는 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device, and more particularly, to prevent breakage of a semiconductor device molding due to an impact when the semiconductor device molding is adsorbed, and also to rigidly and stably adsorb a curved semiconductor device molding. The present invention relates to a vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device capable of supporting and improving cutting accuracy of a semiconductor device molding.

일반적으로 반도체소자 몰딩체는 반도체칩을 리드 프레임(Lead frame)의 탑재판 또는 회로기판에 부착시키는 다이본딩(Die bonding) 공정, 반도체칩 상에 구비된 칩 패드와 리드 프레임 또는 회로기판의 리드를 와이어로 연결시키는 와이어본딩(Wire bonding) 공정, 반도체칩의 내부회로와 그 외의 구성부품을 보호하기 위하여 봉지재로 외부를 감싸는 몰딩(Molding) 공정 등을 거쳐 제조된다.In general, a semiconductor device molding includes a die bonding process in which a semiconductor chip is attached to a mounting plate or a circuit board of a lead frame, a chip pad provided on the semiconductor chip, and a lead of a lead frame or a circuit board. It is manufactured through a wire bonding process for connecting wires, a molding process for enclosing the outside with an encapsulant to protect internal circuits and other components of a semiconductor chip.

이렇게 제조된 반도체소자 몰딩체는 반도체소자 절단장치(Sawing apparatus)로 이송되어 각각의 반도체칩 단위인 반도체소자들로 절단된다. 이러한 반도체소자 절단장치에는 절단칼(Sawing blade)을 이용하여 각각의 반도체칩 단위로 반도체소 자 몰딩체를 절단하기 위해, 반도체소자 몰딩체를 안정적으로 흡착 지지하는 진공척 테이블이 구비된다.The semiconductor device molding manufactured as described above is transferred to a semiconductor device cutting apparatus and cut into semiconductor devices that are each semiconductor chip unit. The semiconductor device cutting device includes a vacuum chuck table for stably adsorbing and supporting the semiconductor device molding in order to cut the semiconductor device molding in units of semiconductor chips using a cutting blade.

이와 같은 종래의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 진공척 테이블의 몸체를 이루는 척 베이스(10) 및 척 베이스(10)의 상면에 위치되어 반도체소자 몰딩체를 정렬된 상태로 지지하는 하나 이상의 지지부(20)로 구성된다.As shown in FIGS. 1 and 2, the conventional vacuum chuck table for cutting a semiconductor device is located on the upper surface of the chuck base 10 and the chuck base 10 forming the body of the vacuum chuck table. It consists of one or more supports 20 which support the molding in an aligned state.

상기 척 베이스(10)에는 상ㆍ하면을 관통하도록 복수의 연통홀(11)이 형성되고, 지지부(20)에는 마찬가지로 상ㆍ하면을 관통하도록 복수의 진공홀(21)이 형성된다. 이때, 복수의 연통홀(11)과 복수의 진공홀(21)은 각각 서로 연통되도록 구비되고, 복수의 연통홀(11)은 진공압을 제공하는 별도의 진공장치(미도시)와 연결된다.A plurality of communication holes 11 are formed in the chuck base 10 so as to penetrate the upper and lower surfaces, and a plurality of vacuum holes 21 are formed in the support portion 20 so as to penetrate the upper and lower surfaces. In this case, the plurality of communication holes 11 and the plurality of vacuum holes 21 are provided to communicate with each other, the plurality of communication holes 11 is connected to a separate vacuum device (not shown) for providing a vacuum pressure.

따라서, 지지부(20)의 상면에 반도체소자 몰딩체가 위치되면 진공장치가 작동하여 복수의 연통홀(11)과 복수의 진공홀(21)을 통해 공기가 흡입됨으로써, 반도체소자 몰딩체가 지지부(20)에 흡착된다. 이처럼 흡착된 반도체소자 몰딩체는 절단칼에 의해 각각의 반도체칩 단위로 절단된다.Therefore, when the semiconductor device molding body is positioned on the upper surface of the support part 20, the vacuum device is operated to suck air through the plurality of communication holes 11 and the plurality of vacuum holes 21, so that the semiconductor device molding body supports the support part 20. Is adsorbed on. The adsorbed semiconductor element moldings are cut into respective semiconductor chip units by a cutting knife.

이러한 종래의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 있어서, 지지부(20)는 하나의 단일 부재로 구성되는데, 이러한 지지부(20)가 Hs60 이상의 높은 경도를 갖는 재질로 이루어질 경우, 반도체소자 몰딩체가 지지부(20)에 위치되거나 흡착될 때 충격을 받아 파손될 수 있는 문제점이 있다.In the conventional vacuum chuck table for semiconductor device cutting device, the support portion 20 is composed of one single member, when the support portion 20 is made of a material having a high hardness of Hs60 or more, the semiconductor element molding body is a support portion ( 20) there is a problem that can be damaged by being impacted when positioned or adsorbed.

또한, 일반적으로 반도체소자 몰딩체는 유연성이 있어 1mm 안팎의 휨어짐이 발생할 수 있는데, 이렇게 휘어짐이 발생한 반도체소자 몰딩체가 지지부(20)에 흡착될 때, 반도체소자 몰딩체가 평평한 지지부(20)의 상면에 밀착되면서 반도체소자 몰딩체가 휘어진 방향과 반대 방향으로 힘을 받아 파손되거나, 정렬된 상태가 흐트러지는 단점이 있다.In addition, in general, the semiconductor device molding may have flexibility, which may cause warpage of about 1 mm. When the semiconductor device molding in which the bending occurs is adsorbed to the support 20, the upper surface of the support 20 having the flat semiconductor device molding is flat. While being in close contact with the semiconductor device molding, there is a disadvantage in that it is damaged due to a force in a direction opposite to the bending direction, or the alignment state is disturbed.

반대로, 상기 지지부(20)가 Hs55 이하의 낮은 경도를 갖는 재질로 이루어질 경우, 반도체소자 몰딩체가 지지부(20)에 흡착된 상태에서 절단칼에 의해 절단될 때 발생하는 절삭측압에 따라 밀림 현상이 발생하여 정렬된 상태가 흐트러지는 단점이 있다.On the contrary, when the support part 20 is made of a material having a low hardness of Hs55 or less, a sliding phenomenon occurs according to the cutting side pressure generated when the semiconductor device molding is cut by the cutting knife while being adsorbed to the support part 20. There is a disadvantage that the arrangement is disturbed.

이와 같이, 반도체소자 몰딩체의 정렬된 상태가 흐트러지면 반도체소자 몰딩체에 대한 절단 정확성이 떨어져 불량률이 증가하는 문제점이 있다.As such, when the aligned state of the semiconductor device molding is disturbed, the cutting accuracy of the semiconductor device molding is lowered, thereby increasing the defective rate.

상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 고안은, 반도체소자 몰딩체를 흡착할 때 반도체소자 몰딩체에 가해지는 충격을 경감시킬 수 있고, 휘어진 반도체소자 몰딩체도 견고하고 안정적으로 흡착할 수 있으며, 반도체소자 몰딩체를 절단할 때 반도체소자 몰딩체가 밀려 정렬 상태가 불량해지는 것을 방지할 수 있는 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블을 제공하고자 한다.In order to solve the problems as described above, the present invention can reduce the impact applied to the semiconductor device molding when the semiconductor device molding adsorbed, it is possible to adsorb firmly and stably the curved semiconductor device molding, An object of the present invention is to provide a vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device capable of preventing the semiconductor device molding from being pushed out so that the alignment state is poor when the device molding is cut.

상기한 바와 같은 과제를 해결하기 위해, 본 고안에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블은, 척 베이스, 상기 척 베이스의 상면에 결합되는 경질지지부, 및 상기 경질지지부의 상면에 접착되고 반도체소자 몰딩체를 지지하며 상기 경질지지부의 재질보다 낮은 경도를 갖는 재질로 이루어지는 연질지지부를 포함하되, 상기 연질지지부에는 복수의 진공홀이 형성되고, 상기 진공홀을 통해 공기가 흡입됨으로써 상기 반도체소자 몰딩체가 상기 연질지지부에 흡착된다.In order to solve the problems as described above, the vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to the present invention is bonded to the upper surface of the chuck base, the upper surface of the chuck base, and the upper surface of the hard support portion, the semiconductor element molding And a soft support part formed of a material having a hardness lower than that of the hard support part, wherein the soft support part has a plurality of vacuum holes formed therein, and the semiconductor device molding body is formed by suctioning air through the vacuum holes. Adsorbed to the soft support.

상기 경질지지부와 상기 연질지지부는, 고무 재질로 이루어질 수 있다.The hard support part and the soft support part may be made of a rubber material.

상기 연질지지부는, 경도가 Hs10 내지 Hs55로 구비될 수 있다.The soft support may have a hardness of Hs10 to Hs55.

상기 경질지지부는, 경도가 Hs60 내지 Hs95로 구비될 수 있다.The hard support portion, the hardness may be provided with Hs60 to Hs95.

상기 연질지지부는, 0.1mm 내지 1.0 mm의 두께로 구비될 수 있다.The soft support part may be provided with a thickness of 0.1 mm to 1.0 mm.

상기 경질지지부는, 상기 베이스의 상면에 형성되는 수용홈에 삽입 결합될 수 있다.The hard support portion may be inserted into the receiving groove formed on the upper surface of the base.

상기 척 베이스에는 진공압을 제공하는 별도의 진공장치와 연결되는 복수의 제1연통홀이 형성되고, 상기 경질지지부에는 복수의 상기 제1연통홀과 복수의 상기 진공홀을 각각 연통시키는 복수의 제2연통홀이 형성될 수 있다.A plurality of first communication holes are formed in the chuck base and connected to a separate vacuum device for providing a vacuum pressure, and the hard support portion includes a plurality of first communication holes for communicating the plurality of first communication holes and the plurality of vacuum holes, respectively. Two communication holes may be formed.

또한, 본 고안에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블은, 척 베이스, 상기 척 베이스의 상면에 결합되는 연질지지부, 및 상기 연질지지부의 상면에 접착되고 반도체소자 몰딩체를 지지하며 상기 연질지지부의 재질보다 높은 경도를 갖는 재질로 이루어지는 경질지지부를 포함하되, 상기 경질지지부에는 복수의 진공홀이 형성되고, 상기 진공홀을 통해 공기가 흡입됨으로써 상기 반도체소자 몰딩체가 상기 경질지지부에 흡착된다.In addition, the vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to the present invention, the soft support portion coupled to the upper surface of the chuck base, the chuck base, and the upper surface of the soft support portion and supports the semiconductor element molding body and the soft support portion It includes a hard support portion made of a material having a higher hardness than the material, the hard support portion is formed with a plurality of vacuum holes, the air is sucked through the vacuum hole, the semiconductor element molding body is adsorbed to the hard support portion.

이러한 본 고안의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 의하면, 경도가 낮은 연질지지부가 반도체소자 몰딩체를 지지하도록 구비되어, 반도체소자 몰딩체를 흡착할 때 반도체소자 몰딩체에 가해지는 충격을 경감시킬 수 있고, 휘어진 반도체소자 몰딩체도 견고하고 안정적으로 흡착할 수 있다.According to the vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device of the present invention, a soft support portion having a low hardness is provided to support the semiconductor device molding, thereby reducing the impact on the semiconductor device molding when the semiconductor device molding is adsorbed. The curved semiconductor element molding can be absorbed firmly and stably.

따라서, 반도체소자 몰딩체들의 휘어짐 정도에 상관없이 정상적인 흡착이 가능하고, 반도체소자 몰딩체의 파손을 방지할 수 있다.Therefore, normal adsorption is possible regardless of the degree of bending of the semiconductor device moldings, and it is possible to prevent breakage of the semiconductor device moldings.

또한, 상기 연질지지부의 하면에 경도가 높은 경질지지부가 구비되어, 반도체소자 몰딩체를 절단할 때에 절삭측압으로 인해 반도체소자 몰딩체의 밀림 현상이 발생하여 정렬 상태가 불량해지는 것을 방지할 수 있다.In addition, a hard support having a high hardness may be provided on a lower surface of the soft support, thereby preventing the alignment of the semiconductor device molding from being poor due to the cutting side pressure when cutting the semiconductor device molding.

이와 같이, 절단 불량의 반도체소자 몰딩체가 양산되는 것을 방지할 수 있으 므로, 불량률을 낮추어 시간당 생산량을 증대시킬 수 있다.As such, since the semiconductor element molding body of the cutting defect can be prevented from being mass produced, the yield per hour can be increased by lowering the defective rate.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 고안의 실시예에 대하여 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 고안은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 그 범위가 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail to be easily carried out by those of ordinary skill in the art with respect to the embodiment of the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

본 고안의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블에 안착 지지되는 반도체소자 몰딩체는 반도체칩을 리드 프레임의 탑재판 또는 회로기판에 부착시키는 다이본딩 공정, 반도체칩 상에 구비된 칩 패드와 리드 프레임 또는 회로기판의 리드를 와이어로 연결시키는 와이어본딩 공정, 반도체칩의 내부회로와 그 외의 구성부품을 보호하기 위하여 봉지재로 외부를 감싸는 몰딩 공정 등을 거쳐 제조되는, 다수의 반도체칩들이 리드 프레임 또는 회로기판에 실장되어 함께 몰딩된 몰딩체이다.The semiconductor device molding body seated and supported on the vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device of the present invention includes a die bonding process for attaching a semiconductor chip to a mounting plate or a circuit board of a lead frame, a chip pad and a lead frame provided on the semiconductor chip, or A plurality of semiconductor chips manufactured through a wire bonding process for connecting the leads of the circuit board with wires and a molding process for enclosing the outside with an encapsulant to protect the internal circuits and other components of the semiconductor chips are produced in a lead frame or circuit. It is a molded body mounted on a substrate and molded together.

이하, 첨부된 도 3 및 4를 참조하여, 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블의 구성, 작용효과 및 사용상태를 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying Figures 3 and 4, the configuration, operation effect and use state of the vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail.

본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블은 척 베이스(100), 경질지지부(200) 및 연질지지부(300)를 포함한다.Vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to a preferred embodiment of the present invention includes a chuck base 100, the hard support portion 200 and the soft support portion 300.

상기 척 베이스(100)는 진공척 테이블의 몸체를 이루고, 상면에 수용홈(110)이 형성된다. 그리고, 상기 수용홈(110)의 바닥면과 척 베이스(100)의 하면을 관통하도록 복수의 제1연통홀(120)이 형성된다.The chuck base 100 forms the body of the vacuum chuck table, and the receiving groove 110 is formed on the upper surface. A plurality of first communication holes 120 are formed to penetrate the bottom surface of the receiving groove 110 and the bottom surface of the chuck base 100.

상기 경질지지부(200)는 바람직하게는 Hs60 내지 Hs95의 경도를 갖는 경질의 고무 재질로 이루어지고, 반도체소자 몰딩체를 흡착 지지하는 연질지지부(300)의 하측에 결합되어 반도체소자 몰딩체가 절삭측압에 의해 밀림 현상이 발생되지 않도록 진공척 테이블에 안정성을 부여한다.The hard support part 200 is preferably made of a hard rubber material having a hardness of Hs60 to Hs95, and is coupled to the lower side of the soft support part 300 which adsorbs and supports the semiconductor device molding body so that the semiconductor device molding body has a cutting side pressure. Stability is provided to the vacuum chuck table so that the rolling phenomenon does not occur.

상기 경질지지부(200)는 수용홈(110)의 내부에 삽입된 상태로 척 베이스(100)와 결합되고, 복수의 제1연통홀(120)에 각각 대응되도록 상ㆍ하면을 관통하는 복수의 제2연통홀(210)이 형성된다.The hard support part 200 is coupled to the chuck base 100 in a state of being inserted into the receiving groove 110, and a plurality of agents penetrating the upper and lower surfaces so as to correspond to the plurality of first communication holes 120, respectively. Two communication holes 210 are formed.

상기 연질지지부(300)는 바람직하게는 Hs10 내지 Hs55의 경도를 갖는 연질의 고무 재질로 이루어지고, 상면에 정렬 안착된 반도체소자 몰딩체를 흡착 지지한다. 상기 연질지지부(300)는 이처럼 연질의 재질로 이루어지므로 반도체소자 몰딩체가 상면에 안착 또는 흡착될 때 발생하는 충격을 최소화할 수 있다.The soft support part 300 is preferably made of a soft rubber material having a hardness of Hs10 to Hs55, and adsorbs and supports the semiconductor device molding body aligned on the upper surface. Since the soft support 300 is made of a soft material as described above, an impact generated when the semiconductor device molding is seated or adsorbed on the upper surface can be minimized.

그리고, 상기 연질지지부(300)와 경질지지부(200)는 수지 접착물질에 의해 접착되는데, 동일한 고무 재질로 구비됨으로써 서로 수지 접착될 때에 접착성이 향상될 수 있다.In addition, the soft support part 300 and the hard support part 200 are bonded by a resin adhesive material, and are provided with the same rubber material, thereby improving adhesiveness when the resin is bonded to each other.

한편, 반도체소자 몰딩체는 플라스틱 등으로 이루어져 있으므로 1mm 안팎의 휘어짐 현상이 발생할 수 있는데, 이처럼 휘어진 반도체소자 몰딩체가 평평한 면에 흡착될 때, 휘어진 형상이 복원되면서 휘어진 방향의 반대 방향으로 힘(Bending force)을 받게 된다. 즉, 반도체소자 몰딩체가 1mm 만큼 휘어졌다면, 평평한 면에 흡착될 때에 1mm 만큼 복원되어 평평하게 되도록 힘을 받게 되는데, 이 과정에서 반도체소자 몰딩체가 과도한 힘을 받아 파손될 우려가 있다.On the other hand, since the semiconductor device molding is made of plastic or the like, a bending phenomenon of about 1 mm may occur. When the curved semiconductor device molding is adsorbed on a flat surface, the bending shape is restored and the force in the opposite direction of the bending direction (bending force) ) Will be received. That is, if the semiconductor device molded body is bent by 1 mm, it is forced to be restored and flattened by 1 mm when adsorbed on a flat surface. In this process, the semiconductor device molding body may be damaged due to excessive force.

그러나, 본 고안의 바람직한 실시예에 있어서, 연질지지부(300)는 연질의 재질로 이루어져 이렇게 휘어진 반도체소자 몰딩체가 흡착될 때, 반도체소자 몰딩체의 휘어짐을 일부 수용함으로써, 흡착시 반도체소자 몰딩체에 과도한 힘이 가해지는 것을 방지한다.However, in a preferred embodiment of the present invention, the soft support portion 300 is made of a soft material when the bent semiconductor element molding body is adsorbed, so as to accommodate a part of the bent of the semiconductor element molding body, the adsorption to the semiconductor element molding body at the time of adsorption To prevent excessive force from being applied;

보다 상세히 설명하면, 반도체소자 몰딩체가 1mm만큼 휘어졌다면, 연질지지부(300)의 상면에 흡착될 때에 연질지지부(300)의 연성으로 인해 0.5mm 정도 휘어진 상태로도 흡착이 될 수 있다. 따라서, 1mm 만큼 휘어진 반도체소자 몰딩체라 하더라도 연질지지부(300)의 상면에 흡착될 때에는 약 0.5mm 만큼만 복원되면 흡착될 수 있어, 과도한 힘을 받지 않게 된다.In more detail, when the semiconductor device molding is bent by 1 mm, the semiconductor device molding may be adsorbed in a bent state of about 0.5 mm due to the ductility of the soft support 300 when it is adsorbed on the upper surface of the soft support 300. Therefore, even if the semiconductor element molded body bent by 1mm, when it is adsorbed on the upper surface of the soft support 300, only about 0.5mm can be restored, so that it is not subjected to excessive force.

또한, 이렇게 휘어진 반도체소자 몰딩체는 정렬된 상태로 평평한 면에 위치되고, 휘어져 있기 때문에 흡착이 시작될 때 반도체소자 몰딩체의 특정 일부분만 평평한 면에 접촉된 상태인데, 그 상태로 형상이 복원되는 과정에서 접촉된 특정 일부분 중 평평한 면과의 사이에 작용하는 마찰력이 작은 곳이 미끄러지면서 반도체소자 몰딩체가 위치 이동될 수 있다. 이와 같이, 정렬되어 있던 반도체소자 몰딩체의 위치가 이동되어 정렬 상태가 훼손되면, 흡착 완료 후 절단 과정이 진행될 때에 절단 정확성이 저하될 수 있다.In addition, the bent semiconductor element molding body is placed on a flat surface in an aligned state, and because it is bent, only a specific portion of the semiconductor element molding body is in contact with the flat surface when adsorption is started. The semiconductor device molding may be moved by sliding a small portion of the frictional force acting between the flat surface and the specific portion contacted at. As such, when the positions of the aligned semiconductor element moldings are moved and the alignment state is damaged, the cutting accuracy may decrease when the cutting process is performed after the adsorption is completed.

상기 연질지지부(300)는 상술한 바와 같이, 연질의 재질로 이루어졌으므로 복원량도 적을 뿐 아니라, 흡착 전에 반도체소자 몰딩체와 접촉되는 부분과의 마찰력도 크다. 따라서, 휘어진 반도체소자 몰딩체를 흡착할 때의 미끄러짐이 차단되므로, 반도체소자 몰딩체의 위치 이동이 방지된다. 이처럼 반도체소자 몰딩체의 위치 이동이 방지되면, 절단 정확성이 향상될 수 있다.As described above, since the soft support part 300 is made of a soft material, the soft support part 300 has a low restoring amount as well as a high frictional force with a part contacting the semiconductor element molding before adsorption. Therefore, since the slippage at the time of absorbing the curved semiconductor element molding is blocked, the positional movement of the semiconductor element molding is prevented. As such, when the positional movement of the semiconductor device molding is prevented, cutting accuracy may be improved.

한편, 상기 연질지지부(300)는 바람직하게는 0.1mm 내지 1.0mm의 두께로 구비된다. 전술된 바와 같이 연질지지부(300)는 Hs10 내지 Hs55의 경도를 갖는 고무 재질로 이루어지는데, 큰 경도의 고무 재질로 구비될수록 연질지지부(300)의 두께는 두껍게 구비되는 것이 바람직하다.On the other hand, the soft support 300 is preferably provided with a thickness of 0.1mm to 1.0mm. As described above, the soft support 300 is made of a rubber material having a hardness of Hs10 to Hs55, and the greater the thickness of the soft support 300 is provided with a rubber material having a greater hardness.

그러나, 연질지지부(300)가 Hs55의 경도로 구비되더라도, 두께가 1.0mm를 초과하는 경우에는 흡착 지지된 반도체소자 몰딩체에 대해 절단 작업이 수행될 때, 연질지지부(300)의 연성으로 인해 반도체소자 몰딩체가 절단칼의 절삭측압에 의해 밀림으로써 절단 정확성이 저하될 수 있어 바람직하지 않다.However, even if the soft support part 300 is provided with a hardness of Hs55, when the thickness is greater than 1.0 mm, when the cutting operation is performed on the semiconductor element molding body supported by the adsorption, the semiconductor may be due to the softness of the soft support part 300. Since the element molding is pushed by the cutting side pressure of the cutting knife, the cutting accuracy may be lowered, which is not preferable.

또한, 연질지지부(300)가 Hs10의 경도로 구비되더라도, 두께가 0.1mm 미만일 경우에는 반도체소자 몰딩체의 휘어짐을 충분히 수용할 수 없고, 반도체소자 몰딩체의 안착 및 흡착 충격도 충분히 흡수할 수 없으므로 바람직하지 않다.In addition, even if the soft support part 300 is provided with a hardness of Hs10, when the thickness is less than 0.1 mm, the bending of the semiconductor device molding may not be sufficiently accommodated, and the mounting and adsorption shock of the semiconductor device molding may not be sufficiently absorbed. Not desirable

상기 연질지지부(300)에는 상면에 정렬 안착된 반도체소자 몰딩체를 흡착 지지하기 위해 상ㆍ하면을 관통하는 복수의 진공홀(310)이 형성된다. 이러한 복수의 진공홀(310)은 반도체소자 몰딩체가 절단칼에 의해 절단되어 생성되는 각각의 반도체칩 단위의 반도체소자들을 각각 흡착할 수 있도록 형성된다. 즉, 복수의 진공홀(310)은 각각의 반도체칩 단위의 반도체소자들에 대응되는 위치 및 개수로 구비된다.In the soft support part 300, a plurality of vacuum holes 310 penetrating the upper and lower surfaces are formed to adsorb and support the semiconductor device moldings aligned and mounted on the upper surface. The plurality of vacuum holes 310 are formed so that the semiconductor element molding body may absorb the semiconductor elements of each of the semiconductor chip units generated by cutting by the cutting knife. That is, the plurality of vacuum holes 310 are provided at positions and numbers corresponding to semiconductor elements of each semiconductor chip unit.

복수의 진공홀(310)은 경질지지부(200)에 형성된 복수의 제2연통홀(210)과 각각 연통된다. 따라서, 복수의 진공홀(310), 복수의 제1연통홀(120) 및 복수의 제 2연통홀(210)이 각각 서로 연통됨으로써, 도 4에 도시된 바와 같이 척 베이스(100)의 하면에서부터 연질지지부(300)의 상면까지 관통하는 복수의 공기유로들을 형성한다.The plurality of vacuum holes 310 communicate with the plurality of second communication holes 210 formed in the hard support part 200, respectively. Accordingly, the plurality of vacuum holes 310, the plurality of first communication holes 120, and the plurality of second communication holes 210 communicate with each other, and thus, from the lower surface of the chuck base 100 as shown in FIG. 4. A plurality of air passages penetrate to the upper surface of the soft support 300 is formed.

복수의 제1연통홀(120)은 진공압을 제공하는 별도의 진공장치(Vacuum device; 미도시)와 각각 연결되고, 진공장치의 작동에 따라 상기 공기유로들을 통해 공기가 흡입된다. 따라서, 반도체소자 몰딩체가 연질지지부(300)에 안착 정렬된 상태로 진공장치가 작동되면, 반도체소자가 연질지지부(300)의 상면에 흡착 고정된다.The plurality of first communication holes 120 are respectively connected to a separate vacuum device (not shown) that provides a vacuum pressure, and air is sucked through the air flow paths according to the operation of the vacuum device. Therefore, when the vacuum device is operated while the semiconductor device molding is seated and aligned with the soft support 300, the semiconductor device is sucked and fixed to the upper surface of the soft support 300.

본 고안의 바람직한 실시예에서는 연질지지부(300)에 형성된 복수의 진공홀(310)과 각각 연통되는 복수의 제1ㆍ제2연통홀(120, 210)이 척 베이스(100) 및 경질지지부(200)의 상ㆍ하면을 관통하도록 형성되고, 복수의 제1연통홀(120)이 진공장치와 연결되도록 구비되었으나, 복수의 진공홀(310)이 진공장치와 연결되는 형태가 이에 한정되는 것은 아니다.In the preferred embodiment of the present invention, the chuck base 100 and the hard support part 200 include a plurality of first and second communication holes 120 and 210 communicating with the plurality of vacuum holes 310 formed in the soft support part 300, respectively. It is formed so as to pass through the upper and lower surfaces, and the plurality of first communication holes 120 are provided to be connected to the vacuum device, but the plurality of vacuum holes 310 are connected to the vacuum device is not limited thereto.

예를 들어, 복수의 진공홀(310)과 각각 연통되는 복수의 제2연통홀(210)이 경질지지부(200)에 형성되되, 복수의 제2연통홀(210)의 하측과 연통되는 공동부가 척 베이스(100)에 형성되고, 상기 공동부가 별도의 연결관들을 통해 진공장치와 연결되는 형태로 구비될 수도 있다.For example, a plurality of second communication holes 210 communicating with the plurality of vacuum holes 310, respectively, are formed in the hard support part 200, and the cavity part communicating with the lower side of the plurality of second communication holes 210 is formed. It is formed in the chuck base 100, the cavity may be provided in the form of being connected to the vacuum device through a separate connecting pipe.

또한, 본 고안의 바람직한 실시예에서는 척 베이스(100)의 상면에 경질지지부(200), 경질지지부(200)의 상면에 연질지지부(300)가 결합되도록 구비되었으나, 척 베이스의 상면에 연질지지부, 연질지지부의 상면에 경질지지부가 결합되도록 구 비될 수도 있다.In addition, in the preferred embodiment of the present invention, the hard support portion 200 is provided on the upper surface of the chuck base 100, the soft support portion 300 is provided to be coupled to the upper surface of the hard support portion 200, the soft support portion on the upper surface of the chuck base, It may be provided so that the hard support is coupled to the upper surface of the soft support.

이 경우, 경질지지부에 상ㆍ하면을 관통하도록 복수의 진공홀이 형성되고, 이러한 복수의 진공홀이 별도의 진공장치와 연결된다. 따라서, 진공장치의 작동에 따라 반도체소자 몰딩체가 경질지지부의 상면에 흡착 또는 분리된다.In this case, a plurality of vacuum holes are formed to penetrate the upper and lower surfaces of the hard support portion, and the plurality of vacuum holes are connected to a separate vacuum device. Therefore, the semiconductor element molding is adsorbed or separated on the upper surface of the hard support part in accordance with the operation of the vacuum apparatus.

이처럼 연질지지부의 상면에 경질지지부가 결합된 경우에도, 반도체소자 몰딩체가 경질지지부의 상면에 안착 지지될 때, 경질지지부와의 접촉을 통해 반도체소자 몰딩체가 받는 충격을 연질지지부가 완화할 수 있으므로 반도체소자 몰딩체의 파손이 방지될 수 있다.In this case, even when the hard support is coupled to the upper surface of the soft support, when the semiconductor device molding is seated and supported on the upper surface of the hard support, the soft support can mitigate the impact of the semiconductor element molding through contact with the hard support. Breakage of the device molding can be prevented.

이상에서 본 고안은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 본 고안의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부되어 있는 실용신안등록청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and changes are possible within the technical spirit of the present invention, and those belonging to the utility model registration claims to which such modifications and modifications are attached. Is a matter of course.

도 1은 종래의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블의 사시도,1 is a perspective view of a vacuum chuck table for a conventional semiconductor device cutting device,

도 2는 종래의 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블의 도 1에 도시된 A-A 단면도,2 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 1 of a vacuum chuck table for a conventional semiconductor device cutting device;

도 3은 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블의 분해 사시도,3 is an exploded perspective view of a vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블의 도 3에 도시된 B-B 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line B-B of the vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device according to the preferred embodiment of the present invention.

＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ＊＊ Explanation of symbols for main part of drawing ＊

100 : 척 베이스 110 : 수용홈100: chuck base 110: receiving groove

120 : 제1연통홀 200 : 경질지지부120: first communication hole 200: hard support

210 : 제2연통홀 300 : 연질지지부210: second communication hole 300: soft support

310 : 진공홀310: vacuum hole

Claims (8)

반도체소자 몰딩체를 절단하는 장치에 구비되고, 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하는 척 테이블에 있어서,A chuck table provided in an apparatus for cutting a semiconductor device molding, the chuck table supporting the semiconductor device molding, 척 베이스;Chuck base; 상기 척 베이스의 상면에 결합되는 경질지지부; 및A hard support coupled to an upper surface of the chuck base; And 상기 경질지지부의 상면에 접착되고 상기 반도체소자 몰딩체를 지지하며, 상기 경질지지부의 재질보다 낮은 경도를 갖는 재질로 이루어지는 연질지지부;를 포함하되,And a soft support part adhered to an upper surface of the hard support part and supporting the semiconductor device molding body, the soft support part made of a material having a hardness lower than that of the hard support part. 상기 연질지지부에는 복수의 진공홀이 형성되고, 상기 진공홀을 통해 공기가 흡입됨으로써 상기 반도체소자 몰딩체가 상기 연질지지부에 흡착되고,A plurality of vacuum holes are formed in the soft support part, and air is sucked through the vacuum holes, so that the semiconductor element molding body is adsorbed to the soft support part. 상기 경질지지부와 상기 연질지지부는,The hard support and the soft support, 고무 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블.Vacuum chuck table for semiconductor element cutting device, characterized in that made of a rubber material. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 연질지지부는,The soft support portion, 경도가 Hs10 내지 Hs55로 구비되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블.Hardness is Hs10 to Hs55 vacuum chuck table for the semiconductor device cutting device, characterized in that provided. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 경질지지부는,The hard support portion, 경도가 Hs60 내지 Hs95로 구비되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 절단장치용 진공척 테이블.Hardness is Hs60 to Hs95 characterized in that the vacuum chuck table for a semiconductor device cutting device. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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