KR102003593B1 - Apparatus and method of manufacturing a graphene film - Google Patents

Apparatus and method of manufacturing a graphene film Download PDF

Info

Publication number
KR102003593B1
KR102003593B1 KR1020170098613A KR20170098613A KR102003593B1 KR 102003593 B1 KR102003593 B1 KR 102003593B1 KR 1020170098613 A KR1020170098613 A KR 1020170098613A KR 20170098613 A KR20170098613 A KR 20170098613A KR 102003593 B1 KR102003593 B1 KR 102003593B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laminated structure
porous
graphene film
support
vacuum suction
Prior art date
Application number
KR1020170098613A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190014751A (en
Inventor
김완수
Original Assignee
안양대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 안양대학교 산학협력단 filed Critical 안양대학교 산학협력단
Priority to KR1020170098613A priority Critical patent/KR102003593B1/en
Publication of KR20190014751A publication Critical patent/KR20190014751A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102003593B1 publication Critical patent/KR102003593B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18—Handling of layers or the laminate
    • B32B38/1875—Tensioning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/0007—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding involving treatment or provisions in order to avoid deformation or air inclusion, e.g. to improve surface quality
    • B32B37/003—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding involving treatment or provisions in order to avoid deformation or air inclusion, e.g. to improve surface quality to avoid air inclusion
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18—Handling of layers or the laminate
    • B32B38/1858—Handling of layers or the laminate using vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
    • B32B9/007—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile comprising carbon, e.g. graphite, composite carbon
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B9/045—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/20—Graphite
    • C01B32/205—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/20—Graphite
    • C01B32/21—After-treatment

Abstract

본 발명은, 베이스 기재 및 상기 베이스 기재 상에 적층된 그래핀 필름을 포함한 적층 구조물의 주름을 평탄화시키기 위한 주름 평탄화 수단을 포함하여 이루어지고, 상기 주름 평탄화 수단은 상기 적층 구조물과 접촉하여 상기 적층 구조물을 진공 흡착하는 다공성 흡착 부재, 및 상기 다공성 흡착 부재를 지지하기 위한 지지 부재를 포함하여 이루어지고, 상기 다공성 흡착 부재는 서로 이격되어 있는 복수의 다공질 구조물 및 상기 복수의 다공질 구조물을 이격시키기 위해서 상기 복수의 다공질 구조물 사이에 구비된 복수의 격벽을 포함하여 이루어지고, 상기 지지 부재는 상기 복수의 격벽과 오버랩되는 복수의 지지 구조물 및 상기 복수의 지지 구조물 사이에 마련되어 상기 복수의 다공질 구조물과 오버랩되는 복수의 중공부를 포함하여 이루어지고, 상기 복수의 다공질 구조물과 상기 복수의 중공부는 서로 일대일로 대응하도록 구비되어 있는 그래핀 필름의 제조 장치 및 그를 이용한 그래핀 필름의 제조 방법을 제공한다.The present invention comprises a pleated flattening means for flattening the corrugation of a laminated structure including a base substrate and a graphene film laminated on the base substrate, wherein the pleated flattening means is in contact with the laminated structure, And a support member for supporting the porous adsorption member, wherein the porous adsorption member includes a plurality of porous structures spaced apart from each other, and a plurality of porous structures for separating the plurality of porous structures from each other Wherein the support structure includes a plurality of support structures overlapping the plurality of partition walls and a plurality of support structures provided between the plurality of support structures and overlapping the plurality of porous structures, Comprising a hollow portion , Of said plurality of porous structures with said plurality of hollow portion provides a method of manufacturing a pin Yes film to each other is provided with graphene production of a film unit with him, and so as to correspond one-to-one.

Description

그래핀 필름의 제조 장치 및 방법{Apparatus and method of manufacturing a graphene film}[0001] Apparatus and method for manufacturing graphene film [0002]

본 발명은 그래핀 필름의 제조 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 주름을 평탄화할 수 있는 그래핀 필름의 제조 장치 및 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a graphene film, and more particularly, to an apparatus and a method for manufacturing a graphene film capable of flattening wrinkles.

탄소 원자들로 구성된 물질로서 플러렌(fullerene), 탄소 나노 튜브(carbon nanotube), 그래핀(graphene), 및 흑연(graphite) 등이 알려져 있다. 그 중에서 그래핀(graphene)은 탄소 원자들이 2차원 상에서 벌집 모양의 배열을 이루고 있는 전도성 물질이다. Fullerene, carbon nanotube, graphene, graphite and the like are known as materials composed of carbon atoms. Among them, graphene is a conductive material in which carbon atoms are arranged in a two-dimensional honeycomb shape.

이와 같은 그래핀은 구조적 및 화학적으로 매우 안정할 뿐 아니라 뛰어난 전도체로서 실리콘보다 빠르게 전자를 이동시킬 수 있고 구리보다 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있는 것으로 보고되어 있다. 또한, 그래핀은 투명하고 나노 패턴으로의 가공이 용이한 장점이 있다. 따라서, 상기와 같은 장점이 있는 그래핀을 센서, 메모리 및 평판 디스플레이 장치에 적용하고자 하는 연구가 꾸준히 진행되고 있다. Such graphene is not only very structurally and chemically stable, but is also an excellent conductor, which is reported to be able to move electrons faster than silicon and allow more current to flow than copper. In addition, graphene is transparent and has an advantage of being easily processed into a nano pattern. Accordingly, studies for applying the graphene having the above advantages to sensors, memories, and flat panel display devices have been continuously conducted.

그래핀을 다양한 분야에 적용하기 위해서는 그래핀을 대량 합성하는 방법이 필요하다. 종래의 경우 흑연을 기계적으로 분쇄하여 용액 상에 분산시킨 후 자기조립 현상을 이용하여 박막의 그래핀 필름을 합성하는 방법이 있었지만, 그 경우 얻어진 그래핀 필름의 전기적 및 기계적 특성이 기대에 미치지 못하였다. In order to apply graphene to various fields, it is necessary to mass-synthesize graphene. Conventionally, there has been a method of mechanically crushing graphite and dispersing it in a solution, and then synthesizing a thin film graphene film using self-assembly phenomenon. However, the electrical and mechanical characteristics of the obtained graphene film are not satisfactory .

이에 화학 기상 증착법을 이용하여 금속 촉매 기재 상에 그래핀 필름을 합성하는 방법이 고안된 바 있고, 그를 이용하여 원하는 기판 상에 그래핀 필름을 형성하는 방법이 제안된 바 있다. A method of synthesizing a graphene film on a metal catalyst substrate using a chemical vapor deposition method has been devised, and a method of forming a graphene film on a desired substrate by using the method has been proposed.

도 1a 내지 도 1e는 종래의 그래핀 필름을 제조하는 방법의 개략적인 공정도이다. FIGS. 1A to 1E are schematic process drawings of a conventional method for producing a graphene film.

우선, 도 1a에서 알 수 있듯이, 금속 촉매 기재(1)의 상면 상에 화학적 기상 증착법을 이용하여 그래핀 필름(2)을 증착한다. First, as shown in FIG. 1A, the graphene film 2 is deposited on the upper surface of the metal catalyst base material 1 by chemical vapor deposition.

다음, 도 1b에서 알 수 있듯이, 상기 그래핀 필름(2)의 상면 상에 지지 기판(3)을 적층한다. 1B, the supporting substrate 3 is laminated on the upper surface of the graphene film 2. Then, as shown in FIG.

다음, 도 1c에서 알 수 있듯이, 상기 그래핀 필름(2)의 하면에 형성되어 있는 금속 촉매 기재(1)를 식각하여 제거한다. 1C, the metal catalyst substrate 1 formed on the lower surface of the graphene film 2 is etched and removed.

다음, 도 1d에서 알 수 있듯이, 상기 금속 촉매 기재(1)가 제거된 그래핀 필름(2)의 하면 상에 원하는 목표 기판(4)을 적층한다. 1 (d), a desired target substrate 4 is laminated on the lower surface of the graphene film 2 from which the metal catalyst substrate 1 is removed.

다음, 도 1e에서 알 수 있듯이, 상기 그래핀 필름(2)의 상면 상에 형성되어 있는 지지 기판(3)을 박리하여, 원하는 목표 기판(4) 상에 형성된 그래핀 필름(2)을 얻는다. 1E, the support substrate 3 formed on the upper surface of the graphene film 2 is peeled off to obtain a graphene film 2 formed on the desired target substrate 4. Then, as shown in FIG.

이와 같은 도 1a 내지 도 1e에 따른 방법의 경우 화학적 기상 증착법을 이용한 그래핀 필름(2)의 증착 공정, 금속 촉매 기재(1)의 식각 공정, 목표 기판(4)의 적층 공정 및 지지 기판(3)의 분리 공정을 통해서, 최종적으로 원하는 목표 기판(4) 상에 그래핀 필름(2)을 형성할 수 있다. 1A to 1E, the process of depositing the graphene film 2, the process of etching the metal catalyst substrate 1, the process of stacking the target substrate 4, and the process of stacking the support substrate 3 The graphene film 2 can be formed on the desired target substrate 4 finally.

이와 같은 방법은 금속 촉매 기재(1) 상에 그래핀 필름(2)을 증착하는 공정을 필수적으로 포함하고 있는데, 그로 인해서 다음과 같은 문제점이 발생할 수 있다. Such a method essentially includes a step of depositing the graphene film 2 on the metal catalyst base 1, which may cause the following problems.

도 1a의 화살표로 인출된 확대도에서 알 수 있듯이, 금속 촉매 기재(1) 상에 그래핀 필름(2)을 증착한 이후에 상기 금속 촉매 기재(1)와 그래핀 필름(2)의 적층 구조물에 주름이 발생하는 문제가 있다. 상기 금속 촉매 기재(1)에 이미 주름이 발생한 상태에서 상기 그래핀 필름(2)을 증착함으로써 주름이 있는 적층 구조물이 얻어질 수도 있고, 고온에서 상기 그래핀 필름(2)을 증착하는 과정 또는 증착 후 취급하는 과정에서 상기 금속 촉매 기재(1)에 주름이 발생함으로써 주름이 있는 적층 구조물이 얻어질 수 있다. 1A, after the graphene film 2 is deposited on the metal catalyst base material 1, the laminate structure of the metal catalyst base material 1 and the graphene film 2, There is a problem in that wrinkles are generated on the surface. A wrinkled laminated structure may be obtained by depositing the graphene film 2 in a state where wrinkles have already been formed on the metal catalyst base material 1 or a process of depositing the graphene film 2 at a high temperature, Wrinkles are generated in the metal catalyst base material 1 during the post-treatment, so that a wrinkled laminated structure can be obtained.

상기 금속 촉매 기재(1)와 그래핀 필름(2)의 적층 구조물에 주름이 발생하게 되면, 도 1c의 화살표로 인출된 확대도에서 알 수 있듯이, 그래핀 필름(2)의 하면에 형성되어 있는 금속 촉매 기재(1)를 식각하여 제거한 이후에 상기 그래핀 필름(2)에 보이드(void) 결함 영역(2a)이 생기거나 또는 그래핀이 겹쳐져 두께가 균일하지 못한 겹침 결함 영역(2b)이 생기게 된다. 그에 따라, 도 1e의 화살표로 인출된 확대도에서 알 수 있듯이, 최종적으로 얻은 목표 기판(4) 상에 형성된 그래핀 필름(2)에 보이드(void) 결함 영역(2a) 또는 겹침 결함 영역(2b)이 잔존하게 된다. When wrinkles are generated in the laminated structure of the metal catalyst base material 1 and the graphene film 2, as shown in the enlarged view drawn by the arrow in FIG. 1C, The void defect region 2a is formed in the graphene film 2 after the metal catalyst base material 1 is removed by etching or the overlapping defect region 2b in which the graphene is overlapped and the thickness is not uniform do. Thus, as can be seen from the enlarged drawing drawn by the arrows in Fig. 1E, the void defective area 2a or the overlap defective area 2b (Fig. 1B) is formed in the graphene film 2 formed on the finally obtained target substrate 4 ).

이와 같이 그래핀 필름(2)에 보이드(void) 결함 영역(2a) 또는 겹침 결함 영역(2b)이 잔존하게 되면, 균일한 그래핀 필름의 형성이 곤란해지며, 상기 그래핀 필름(2)이 적용되는 소자의 면저항 특성이 저하되고 또한 상기 보이드 결함 영역(2a)을 통한 산소 또는 수분 침투로 인해서 소자의 신뢰성이 떨어지는 문제가 있다. If the void defective region 2a or the overlapped defective region 2b remains in the graphen film 2 as described above, it becomes difficult to form a uniform graphene film, and the graphen film 2 There is a problem that the sheet resistance characteristic of the applied device is deteriorated and the reliability of the device is deteriorated due to oxygen or moisture permeation through the void deficient region 2a.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 그래핀 필름을 증착한 이후 그래핀 필름의 주름을 평탄화시킴으로써 최종적으로 얻어지는 그래핀 필름에 보이드 결함 영역 또는 겹침 결함 영역의 발생을 방지하여 균일한 그래핀 필름을 제조할 수 있는 제조 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been devised to overcome the above-described problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a graphene film which is obtained by depositing a graphene film and then flattening the corrugation of the graphene film, And to provide a manufacturing apparatus and a method capable of producing a uniform graphene film.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 베이스 기재 및 상기 베이스 기재 상에 적층된 그래핀 필름을 포함한 적층 구조물의 주름을 평탄화시키기 위한 주름 평탄화 수단을 포함하여 이루어지고, 상기 주름 평탄화 수단은 상기 적층 구조물과 접촉하여 상기 적층 구조물을 진공 흡착하는 다공성 흡착 부재, 및 상기 다공성 흡착 부재를 지지하기 위한 지지 부재를 포함하여 이루어지고, 상기 다공성 흡착 부재는 서로 이격되어 있는 복수의 다공질 구조물 및 상기 복수의 다공질 구조물을 이격시키기 위해서 상기 복수의 다공질 구조물 사이에 구비된 복수의 격벽을 포함하여 이루어지고, 상기 지지 부재는 상기 복수의 격벽과 오버랩되는 복수의 지지 구조물 및 상기 복수의 지지 구조물 사이에 마련되어 상기 복수의 다공질 구조물과 오버랩되는 복수의 중공부를 포함하여 이루어지고, 상기 복수의 다공질 구조물과 상기 복수의 중공부는 서로 일대일로 대응하도록 구비되어 있는 그래핀 필름의 제조 장치를 제공한다.In order to achieve the above-mentioned object, the present invention comprises a wrinkle flattening means for flattening wrinkles of a laminated structure including a base substrate and a graphene film laminated on the base substrate, wherein the wrinkle flattening means comprises: And a support member for supporting the porous adsorption member, wherein the porous adsorption member comprises a plurality of porous structures spaced apart from each other, and a plurality of porous structures A plurality of support structures overlapping with the plurality of partition walls, and a plurality of support structures provided between the plurality of support structures to overlap the plurality of porous structures, A plurality of Wherein the plurality of porous structures and the plurality of hollow portions correspond to each other in a one-to-one correspondence.

본 발명은 또한 베이스 기재 및 상기 베이스 기재 상에 적층된 그래핀 필름을 포함한 적층 구조물의 주름을 평탄화시키는 공정; 및 상기 그래핀 필름 상에 지지층 필름을 적층하는 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 적층 구조물의 주름을 평탄화시키는 공정은 상기 적층 구조물을 주름 평탄화 수단 상에 로딩하는 공정, 상기 적층 구조물의 일단을 고정하는 공정, 및 상기 적층 구조물의 일단을 제외한 나머지 부분을 상기 적층 구조물의 일단에서 타단 방향으로 순차적으로 진공 흡착하는 공정을 포함하여 이루어진 그래핀 필름의 제조 방법을 제공한다.The present invention also relates to a process for planarizing wrinkles of a laminated structure including a base substrate and a graphene film laminated on the base substrate; And a step of laminating a supporting layer film on the graphene film, wherein the step of flattening the corrugation of the lamination structure comprises the steps of: loading the lamination structure onto the corrugation flattening means; fixing the one end of the lamination structure And sequentially vacuum-absorbing the remaining portion of the laminated structure except for one end of the laminated structure from one end to the other end of the laminated structure.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 베이스 기재와 그래핀 필름을 포함한 적층 구조물을 그 일단에서부터 타단까지 순차적으로 진공 흡착하는 공정을 통해서 상기 적층 구조물의 주름을 보다 정밀하게 평탄화시킬 수 있다. 그에 따라, 최종적으로 얻어지는 그래핀 필름에 보이드 결함 영역 또는 겹침 결함 영역의 발생을 방지할 수 있고, 결국, 균일하게 형성된 그래핀 필름을 얻을 수 있어 그와 같은 그래핀 필름이 적용되는 소자의 면저항 특성 저하 및 신뢰성 저하 문제를 방지할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the wrinkles of the laminated structure can be more precisely flattened by sequentially vacuum-adsorbing the laminated structure including the base substrate and the graphene film from one end to the other end. As a result, it is possible to prevent the occurrence of void defective regions or overlapping defective regions in finally obtained graphene films, and as a result, uniformly formed graphene films can be obtained, and the sheet resistance characteristics of the devices to which such graphene films are applied Degradation and lowering of reliability can be prevented.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 적층 구조물과 주름 평탄화 수단 사이에 기포가 발생하는 것을 방지하기 위한 기포 방지 부재를 추가로 구비하여, 상기 적층 구조물과 주름 평탄화 수단 사이에 잔존하는 공기를 배출하는 공정 및 상기 진공 흡착 공정으로 이루어진 싸이클(cycle)을 상기 적층 구조물의 일단에서부터 타단까지 순차적으로 반복 수행함으로써, 상기 적층 구조물에 대한 보다 정밀하고 균일한 평탄화를 얻을 수 있다. According to an embodiment of the present invention, there is further provided an air bubble preventing member for preventing air bubbles between the laminated structure and the wrinkle flattening unit, so that air remaining between the laminated structure and the wrinkle flattening unit More precise and uniform planarization of the laminated structure can be obtained by repeating the cycle consisting of the step of discharging and the vacuum adsorption process sequentially from one end to the other end of the laminated structure.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 지지층 필름 또는 목표 기판을 롤 장비 대신에 스퀴즈(squeeze) 장비를 이용하여 적층함으로써 상기 지지층 필름 또는 목표 기판을 보다 밀착되게 적층할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the support layer film or the target substrate may be laminated more closely by stacking the support layer film or the target substrate by using a squeeze device instead of the roll equipment.

도 1a 내지 도 1e는 종래의 그래핀 필름을 제조하는 방법의 개략적인 공정도이다.
도 2a 내지 도 2i는 본 발명에 따른 그래핀 필름을 제조하는 방법의 개략적인 공정도이다. FIGS. 1A to 1E are schematic process drawings of a conventional method for producing a graphene film.
2A to 2I are schematic process drawings of a method for producing a graphene film according to the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. In the case where the word 'includes', 'having', 'done', etc. are used in this specification, other parts can be added unless '~ only' is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다. It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2a 내지 도 2i는 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 필름을 제조하는 방법의 개략적인 공정도이다. 2A to 2I are schematic process drawings of a method of manufacturing a graphene film according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 2a에서 알 수 있듯이, 베이스 기재(10) 상에 그래핀 필름(20)을 형성한다. First, as can be seen from FIG. 2A, a graphene film 20 is formed on the base substrate 10.

상기 베이스 기재(10)는 상기 그래핀 필름(20)의 형성을 위한 촉매 재료로 이루어질 수 있다. 구체적으로 상기 베이스 기재(10)는 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, 황동(brass), 청동(bronze), 백동(white brass), 스테인레스 스틸(stainless steel) 및 Ge로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속 또는 합금으로 이루어질 수 있다. 다만, 상기 베이스 기재(10)가 반드시 금속으로 이루어져야 하는 것은 아니고, 실리콘과 같은 비금속 재료로 이루어질 수도 있으며, 이 경우 상기 비금속 재료 상에 전술한 금속 또는 합금의 촉매층이 추가로 적층될 수 있다. The base substrate 10 may be made of a catalyst material for forming the graphene film 20. In detail, the base substrate 10 may be made of a metal such as Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, brass ), Bronze, white brass, stainless steel, and Ge. At least one metal or alloy may be used. However, the base substrate 10 is not necessarily made of metal, but may be made of a non-metallic material such as silicon. In this case, a catalyst layer of the above-described metal or alloy may be further laminated on the non-metallic material.

상기 그래핀 필름(20)은 상기 베이스 기재(10)의 상면 상에 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 이용하여 증착 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 그래핀 필름(20)은 일산화탄소, 이산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 또는 톨루엔 등과 같은 탄소 소스를 이용하여 당업계에 공지된 화학적 기상 증착법, 예를 들어, 급속 고온 화학 기상 증착법(Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition; RTCVD), 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착법(Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition; ICP-CVD), 저압 화학 기상 증착법(Low Pressure Chemical Vapor Deposition; LPCVD), 상압 화학 기상 증착법(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition; APCVD), 금속 유기 화학 기상 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 또는 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD)을 통해 형성할 수 있다. The graphene film 20 may be deposited on the upper surface of the base substrate 10 by using a chemical vapor deposition (CVD) method. Specifically, the graphene film 20 may be made of a material such as carbon monoxide, carbon dioxide, methane, ethane, ethylene, ethanol, acetylene, propane, butane, butadiene, pentane, pentene, cyclopentadiene, hexane, cyclohexane, benzene, (RTCVD), Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition (ICP-CVD), or the like can be performed using a carbon source, a chemical vapor deposition method known in the art, for example, Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition , Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD), Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD), Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), or Plasma Chemical Vapor Deposition Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD).

상기 그래핀 필름(20)을 증착하기 이전에 상기 베이스 기재(10)에 주름이 형성되어 있거나 또는 상기 그래핀 필름(20)을 증착하는 공정 또는 증착 후 취급하는 공정 중에 상기 베이스 기재(10)에 주름이 형성됨으로써, 도 2a 공정을 거쳐 얻어진 상기 베이스 기재(10)와 그래핀 필름(20)의 적층 구조물에 주름이 발생할 수 있다. The base substrate 10 is formed with a wrinkle on the base substrate 10 before the graphene film 20 is deposited or on the base substrate 10 during the process of depositing the graphene film 20, Wrinkles may be formed in the laminate structure of the base substrate 10 and the graphene film 20 obtained through the process of Fig. 2A.

다음, 도 2b 내지 도 2e에서와 같이, 주름 평탄화 수단(100)을 이용하여 상기 베이스 기재(10)와 그래핀 필름(20)의 적층 구조물에 발생한 주름을 제거한다. Next, as shown in FIGS. 2B to 2E, wrinkles generated in the laminated structure of the base substrate 10 and the graphene film 20 are removed by using the corrugation leveling means 100.

상기 주름 평탄화 수단(100)은 다공성 흡착 부재(110), 지지 부재(120), 진공 흡입 부재(130), 및 기포 방지 부재(140)를 포함하여 이루어진다. The pleated planarization means 100 includes a porous adsorption member 110, a support member 120, a vacuum suction member 130, and a bubble prevention member 140.

상기 다공성 흡착 부재(110)는 상기 그래핀 필름(20)과는 접촉하지 않고 상기 베이스 기재(10)와 접촉한 상태에서 상기 베이스 기재(10)를 진공 흡착시킴으로써 상기 적층 구조물의 주름을 평탄화시킨다. 즉, 상기 다공성 흡착 부재(110)는 상기 베이스 기재(10)와 그래핀 필름(20)의 적층 구조물의 하면과 접촉하여 상기 적층 구조물의 하면을 흡착할 수 있도록 구비된다. 상기 적층 구조물과 접촉하는 다공성 흡착 부재(110)의 상면은 평탄하게 형성되며, 그에 따라 진공 흡착 공정을 통해서 상기 적층 구조물의 주름을 평탄화시킬 수 있다. The porous adsorption member 110 is vacuum-adsorbed on the base substrate 10 in a state of being in contact with the base substrate 10 without contacting the graphene film 20, thereby flattening the wrinkles of the laminated structure. That is, the porous adsorption member 110 is provided to contact the lower surface of the laminated structure of the base substrate 10 and the graphene film 20 to adsorb the lower surface of the laminated structure. The upper surface of the porous adsorption member 110 in contact with the laminated structure is flat formed, and the wrinkles of the laminated structure can be flattened through a vacuum adsorption process.

상기 다공성 흡착 부재(110)는 복수의 다공질 구조물(111) 및 복수의 격벽(112)을 포함하여 이루어진다. The porous adsorption member 110 includes a plurality of porous structures 111 and a plurality of partition walls 112.

상기 복수의 다공질 구조물(111) 각각은 상기 복수의 격벽(112)에 의해 구획된 영역에 개별적으로 배치된다. 따라서, 상기 복수의 다공질 구조물(111)은 상기 격벽(112)을 사이에 두고 서로 물리적으로 이격되어 있다. Each of the plurality of porous structures (111) is individually disposed in an area partitioned by the plurality of partition walls (112). Accordingly, the plurality of porous structures 111 are physically spaced from each other with the partition 112 interposed therebetween.

상기 복수의 다공질 구조물(111)은 세라믹 등과 같은 당업계에 공지된 다양한 다공질 물질로 이루어질 수 있다. 상기 복수의 다공질 구조물(111) 각각은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 다공질 구조물(111) 내의 복수의 홀은 상기 적층 구조물의 주름 평탄화에 적합하도록 그 크기 및 간격이 조절될 수 있다. The plurality of porous structures 111 may be made of various porous materials known in the art such as ceramics. Each of the plurality of porous structures 111 may be made of the same material but is not limited thereto. The plurality of holes in the porous structure 111 may be adjusted in size and spacing so as to be suitable for flattening the wrinkles of the laminated structure.

상기 복수의 격벽(112)은 상기 복수의 다공질 구조물(111)을 물리적으로 이격시키면서 상기 복수의 다공질 구조물(111)의 배치 공간을 마련한다. 따라서, 상기 복수의 격벽(112)은 상기 복수의 다공질 구조물(111) 사이에서 서로 이격되어 있으며 상기 복수의 격벽(112) 사이의 이격 거리는 일정할 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The plurality of partition walls 112 physically separate the plurality of porous structures 111 to provide an arrangement space for the plurality of porous structures 111. Accordingly, the plurality of barrier ribs 112 are spaced apart from each other between the plurality of porous structures 111, and the spacing distance between the plurality of barrier ribs 112 may be constant, but is not limited thereto.

상기 지지 부재(120)는 상기 다공성 흡착 부재(110)를 지지하고 있다. 이와 같은 지지 부재(120)는 복수의 지지 구조물(121), 커버부(122), 복수의 중공부(123), 및 복수의 진공 흡입홀(124)을 포함하여 이루어진다. The support member 120 supports the porous adsorption member 110. The support member 120 includes a plurality of support structures 121, a cover portion 122, a plurality of hollow portions 123, and a plurality of vacuum suction holes 124.

상기 복수의 지지 구조물(121)은 상기 다공성 흡착 부재(110)와 접촉하면서 상기 다공성 흡착 부재(110)를 지지한다. 상기 복수의 지지 구조물(121)은 상기 복수의 격벽(112)과 오버랩되도록 배치된다. 도시된 바와 같이, 상기 복수의 지지 구조물(121)은 상기 복수의 다공질 구조물(111)과 일부 오버랩될 수도 있다. 상기 복수의 지지 구조물(121)과 상기 복수의 격벽(112)은 서로 일대일로 대응하도록 배치된다. The plurality of support structures 121 support the porous adsorption member 110 in contact with the porous adsorption member 110. The plurality of support structures 121 are arranged to overlap with the plurality of partition walls 112. As shown, the plurality of support structures 121 may partially overlap the plurality of porous structures 111. The plurality of support structures 121 and the plurality of partition walls 112 are arranged to correspond one to one with respect to each other.

상기 커버부(122)는 상기 복수의 지지 구조물(121) 사이를 연결하면서 상기 지지 부재(120)의 하부를 커버한다. The cover part 122 covers the lower part of the support member 120 while connecting the plurality of support structures 121.

상기 복수의 중공부(123)는 상기 복수의 다공질 구조물(111), 상기 복수의 지지 구조물(121) 및 상기 커버부(122)에 의해 둘러싸인 공간에 마련된다. 따라서, 상기 복수의 중공부(123)는 상기 복수의 지지 구조물(121) 사이의 영역에 마련된다. 이와 같은 복수의 중공부(123)는 상기 복수의 다공질 구조물(111)과 오버랩되며, 특히, 복수의 중공부(123)와 상기 복수의 다공질 구조물(111)은 서로 일대일로 대응하도록 배치된다. 상기 중공부(123)는 상기 다공질 구조물(111) 내의 복수의 홀과 연통된다. 따라서, 어느 하나의 중공부(123)는 그에 대응하는 어느 하나의 다공질 구조물(111) 내의 복수의 홀과 연통된다. The plurality of hollow portions 123 are provided in a space surrounded by the plurality of porous structures 111, the plurality of support structures 121, and the cover portions 122. Therefore, the plurality of hollow portions 123 are provided in the region between the plurality of support structures 121. The plurality of hollow portions 123 overlap with the plurality of porous structures 111. In particular, the plurality of hollow portions 123 and the plurality of porous structures 111 are arranged to correspond one to one with each other. The hollow portion 123 communicates with a plurality of holes in the porous structure 111. Therefore, one of the hollow portions 123 is communicated with a plurality of holes in one of the porous structures 111 corresponding thereto.

상기 복수의 진공 흡입홀(124)은 상기 커버부(122)에 마련된다. 상기 복수의 진공 흡입홀(124)은 상기 복수의 중공부(123)와 일대일로 대응하도록 형성된다. 따라서, 어느 하나의 진공 흡입홀(124)은 그에 대응하는 어느 하나의 중공부(123)와 연통된다. The plurality of vacuum suction holes 124 are provided in the cover portion 122. The plurality of vacuum suction holes 124 are formed to correspond one-to-one with the plurality of hollow portions 123. Therefore, one of the vacuum suction holes 124 communicates with one hollow portion 123 corresponding thereto.

따라서, 어느 하나의 진공 흡입홀(124)을 통해 진공 흡입이 이루어지면 그에 대응하는 어느 하나의 중공부(123) 및 상기 어느 하나의 중공부(123)에 연통된 어느 하나의 다공질 구조물(111) 내의 복수의 홀을 통해 진공 흡착이 이루어지면서 상기 적층 구조물의 주름이 평탄화된다. Accordingly, when vacuum suction is performed through any one vacuum suction hole 124, any one porous structure 111 communicating with any one hollow part 123 and the corresponding one hollow part 123 is formed, The wrinkles of the laminated structure are flattened by vacuum adsorption through the plurality of holes in the laminated structure.

상기 진공 흡입 부재(130)는 복수의 진공 흡입 배관(131) 및 복수의 진공 흡입 장치(132)를 포함하여 이루어진다. The vacuum suction member 130 includes a plurality of vacuum suction pipes 131 and a plurality of vacuum suction devices 132.

상기 복수의 진공 흡입 배관(131)은 상기 복수의 진공 흡입홀(124)에 연통되며, 상기 복수의 진공 흡입 배관(131)과 상기 복수의 진공 흡입홀(124)은 서로 일대일로 대응한다. 따라서, 어느 하나의 진공 흡입 배관(131)을 경유하여 그에 대응하는 어느 하나의 진공 흡입홀(124)을 통해 진공 흡입 공정이 가능하다. The plurality of vacuum suction pipes 131 are communicated with the plurality of vacuum suction holes 124 and the plurality of vacuum suction pipes 131 and the plurality of vacuum suction holes 124 correspond to each other one to one. Therefore, a vacuum suction process is possible through one of the vacuum suction pipes 124 via one of the vacuum suction pipes 131.

상기 복수의 진공 흡입 장치(132)는 상기 복수의 진공 흡입 배관(131)과 일대일로 대응하도록 형성될 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 도시하지는 않았지만, 상기 복수의 진공 흡입 배관(131)과 연결되는 하나의 진공 흡입 장치만이 구성되고 상기 복수의 진공 흡입 배관(131) 각각에 개별 밸브를 형성함으로써, 상기 복수의 진공 흡입 배관(131)에 대한 개별적인 진공 흡입 공정을 수행하는 것도 가능하다. The plurality of vacuum suction apparatuses 132 may be formed to correspond one-to-one with the plurality of vacuum suction pipes 131. However, the present invention is not limited thereto, and only one vacuum suction device connected to the plurality of vacuum suction pipes 131 is formed, and a separate valve is formed in each of the plurality of vacuum suction pipes 131 , It is also possible to perform an individual vacuum suction process for the plurality of vacuum suction pipes 131.

상기 기포 방지 부재(140)는 상기 베이스 기재(10)와 그래핀 필름(20)의 적층 구조물의 상부에 배치된다. 상기 기포 방지 부재(140)는 상기 적층 구조물과 상기 다공성 흡착 부재(110) 사이에 잔존하는 공기를 배출시킴으로써, 상기 적층 구조물의 평탄화 공정시 상기 적층 구조물과 상기 다공성 흡착 부재(110) 사이에서 기포가 발생하는 것을 방지하여 기포에 의한 평탄화 오류가 발생하는 것을 방지한다. The bubble preventive member 140 is disposed on the upper portion of the laminated structure of the base substrate 10 and the graphene film 20. The bubble preventing member 140 discharges the air remaining between the laminated structure and the porous adsorption member 110 so that air bubbles are formed between the laminated structure and the porous adsorption member 110 during the planarization process of the laminated structure Thereby preventing occurrence of a flattening error due to bubbles.

즉, 상기 적층 구조물과 상기 다공성 흡착 부재(110) 사이에 공기가 잔존한 상태에서 상기 적층 구조물의 평탄화 공정을 수행하게 되면, 상기 잔류하는 공기가 빠져나가지 못하고 남아서 상기 적층 구조물과 상기 다공성 흡착 부재(110) 사이에 다수의 기포가 발생하고 이와 같은 다수의 기포에 의해서 상기 적층 구조물에 대한 균일한 평탄화 공정이 이루어지지 못하게 된다. That is, when the planarization process of the laminated structure is performed in a state where air remains between the laminated structure and the porous adsorption member 110, the remaining air can not escape and the porous structure of the porous adsorption member 110 A plurality of bubbles are generated between the plurality of bubbles and the uniform planarization process for the multilayer structure can not be performed.

따라서, 본 발명에서는 상기 다공성 흡착 부재(110)를 통해 진공 흡착 공정을 수행하기 이전에 상기 기포 방지 부재(140)를 통해서 상기 적층 구조물과 상기 다공성 흡착 부재(110) 사이에 잔존하는 공기를 배출시킴으로써 상기 적층 구조물에 대한 균일한 평탄화가 이루어질 수 있도록 한다. 경우에 따라서, 상기 다공성 흡착 부재(110)를 통해 진공 흡착 공정을 수행함과 동시에 상기 기포 방지 부재(140)를 통해서 상기 적층 구조물과 상기 다공성 흡착 부재(110) 사이에 잔존하는 공기를 배출시키는 것도 가능하다. Therefore, in the present invention, the air remaining between the stacked structure and the porous adsorption member 110 is discharged through the air bubble prevention member 140 before the vacuum adsorption process is performed through the porous adsorption member 110 So that uniform planarization of the laminated structure can be achieved. The vacuum adsorption process may be performed through the porous adsorption member 110 and the air remaining between the stacked structure and the porous adsorption member 110 may be discharged through the bubble prevention member 140 Do.

상기 기포 방지 부재(140)는 에어 나이프(air knife)로 이루어질 수 있다. 상기 에어 나이프를 이용하여 상기 적층 구조물의 상면, 즉, 상기 그래핀 필름(20)의 상면에 에어를 분사함으로써, 상기 분사되는 에어의 압력에 의해서 상기 적층 구조물과 상기 다공성 흡착 부재(110) 사이에 잔존하는 공기가 외부로 배출될 수 있다. 상기 기포 방지 부재(140)는 도시하지는 않았지만 이송기구와 연결되어 있어 상기 이송기구에 의해서 상기 기포 방지 부재(140)가 상기 적층 구조물의 상부에서 이동할 수 있게 된다. The bubble preventing member 140 may be formed of an air knife. Air is sprayed onto the upper surface of the laminate structure, that is, the upper surface of the graphene film 20 by using the air knife, so that the pressure of air injected causes air to be introduced between the laminate structure and the porous adsorption member 110 The remaining air can be discharged to the outside. The bubble prevention member 140 is connected to a conveyance mechanism, though not shown, so that the bubble prevention member 140 can be moved above the laminate structure by the conveyance mechanism.

이하에서는 전술한 주름 평탄화 수단(100)을 이용하여 상기 베이스 기재(10)와 그래핀 필름(20)의 적층 구조물에 발생한 주름을 제거하는 공정에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the process of removing wrinkles in the laminated structure of the base substrate 10 and the graphene film 20 using the above-described corrugated planarization means 100 will be described in detail.

우선, 도 2b에서 알 수 있듯이, 복수의 진공 흡입 배관(131)에서의 진공 흡입을 오프(off)로 유지한 상태에서, 상기 다공성 흡착 부재(110) 상에 상기 베이스 기재(10)와 그래핀 필름(20)의 적층 구조물을 로딩하고, 상기 적층 구조물의 일단 상부에 상기 기포 방지 부재(140)를 배치한다. 2B, in a state in which the vacuum suction of a plurality of vacuum suction pipes 131 is kept off, the base substrate 10 and the graphene (not shown) are formed on the porous suction member 110, The laminated structure of the film 20 is loaded, and the bubble prevention member 140 is disposed on one end of the laminated structure.

다음, 도 2c에서 알 수 있듯이, 상기 적층 구조물의 일단을 고정한다. Next, as shown in FIG. 2C, one end of the stacked structure is fixed.

이 공정은 상기 복수의 다공질 구조물(111) 중에서 상기 적층 구조물의 일단에 대응하는 어느 하나의 다공질 구조물(111)을 통해 상기 적층 구조물의 일단을 진공 흡착하는 공정으로 이루어진다. 이를 위해서 상기 어느 하나의 다공질 구조물(111)에 대응하는 어느 하나의 진공 흡입 배관(131)에서의 진공 흡입을 온(on)으로 변경하고 나머지 다른 진공 흡입 배관(131)에서의 진공 흡입은 오프(off)로 유지한다. 그리하면, 상기 온(on)으로 변경된 어느 하나의 진공 흡입 배관(131)과 일대일로 대응하는 어느 하나의 진공 흡입홀(124), 어느 하나의 중공부(123), 및 상기 어느 하나의 다공질 구조물(111)을 통해서 상기 적층 구조물의 일단만이 진공흡착되고 그에 따라 상기 적층 구조물의 일단만이 상기 다공성 흡착 부재(110)의 상면에 고정된다. 상기 적층구조물의 일단이 상기 다공성 흡착 부재(110)의 상면에 고정되면서 상기 적층 구조물의 일단 근처 영역의 평탄화 공정도 일부 이루어진다. This process comprises a step of vacuum-sucking one end of the laminated structure through any one porous structure 111 corresponding to one end of the laminated structure among the plurality of porous structures 111. For this purpose, the vacuum suction in one of the vacuum suction pipes 131 corresponding to one of the porous structures 111 is turned on and the vacuum suction in the remaining vacuum suction pipes 131 is turned off off. One of the vacuum suction holes 124, one hollow portion 123, and one of the vacuum suction pipes 131, which correspond to the vacuum suction pipe 131, Only one end of the stacked structure is vacuum-adsorbed through the porous layer 111 so that only one end of the stacked structure is fixed to the upper surface of the porous adsorption member 110. One end of the laminated structure is fixed to the upper surface of the porous adsorption member 110, and a part of the planarization process in the vicinity of one end of the laminated structure is also performed.

다음, 도 2d 및 도 2e에서 알 수 있듯이, 상기 기포 방지 부재(140)를 이용하여 상기 적층 구조물과 상기 다공성 흡착 부재(110) 사이에 잔존하는 공기를 외부로 순차적으로 배출하면서 상기 복수의 다공질 구조물(111)을 통해 상기 적층 구조물의 나머지 부분을 순차적으로 진공 흡착함으로써 상기 적층 구조물에 대한 평탄화 공정을 수행한다. 2d and 2e, the air remaining between the laminated structure and the porous adsorption member 110 is sequentially discharged to the outside by using the air bubble prevention member 140, And the remaining portion of the laminated structure is sequentially vacuum-adsorbed through the through hole 111 to perform a planarization process on the laminated structure.

즉, 상기 적층 구조물의 일단을 제외한 상기 적층 구조물의 나머지 부분 전체에 대한 진공 흡착 공정을 한번에 수행하는 것이 아니라 상기 적층 구조물의 일단에서 타단까지 순차적으로 진공 흡착 공정을 진행하며, 상기 기포 방지 부재(140)를 이용한 잔존하는 공기의 배출도 순차적으로 진행한다. That is, instead of performing the vacuum adsorption process for the entirety of the remaining part of the laminated structure except for one end of the laminated structure, the vacuum adsorption process is sequentially performed from one end to the other end of the laminated structure, ) Of the remaining air is also progressed sequentially.

이를 위해서, 도 2d와 같이 상기 적층 구조물의 일단에 대응하는 상기 어느 하나의 진공 흡입 배관(131) 및 그 옆의 다른 하나의 진공 흡입 배관(131)에서의 진공 흡입을 온(on)으로 변경하고 그 외의 나머지 다른 진공 흡입 배관(131)에서의 진공 흡입은 오프(off)로 유지한다. 이때, 상기 그 옆의 다른 하나의 진공 흡입 배관(131)에서의 진공 흡입을 온(on)으로 변경하기 전에 상기 기포 방지 부재(140)를 먼저 이동하면서 잔존하는 공기를 배출할 수 있다. To this end, as shown in FIG. 2D, the vacuum suction in one of the vacuum suction pipes 131 and the other vacuum suction pipe 131 corresponding to one end of the laminated structure is changed to on And the vacuum suction in the other vacuum suction pipe 131 is kept off. At this time, before the vacuum suction in the other vacuum suction pipe 131 next to the vacuum suction pipe 131 is changed to on, the air bubble prevention member 140 may be moved first to discharge the remaining air.

이와 같이 본 발명에 따르면 상기 기포 방지 부재(140)를 이동하면서 잔존 공기를 배출하는 공정 및 상기 복수의 다공질 구조물(111)을 통한 적층 구조물의 진공 흡착 공정을 상기 적층 구조물의 일단에서 타단까지 순차적으로 수행함으로써, 상기 적층 구조물에 대해서 보다 균일하고 정밀한 평탄화를 얻을 수 있다. As described above, according to the present invention, the step of discharging the residual air while moving the bubble preventing member 140 and the vacuum adsorption process of the laminated structure through the plurality of porous structures 111 are sequentially performed from one end to the other end of the laminated structure , More uniform and precise planarization can be obtained for the laminated structure.

즉, 본 발명에 따르면, 전술한 도 2c공정을 통해 상기 적층 구조물의 일단을 고정한 이후에, 상기 기포 방지 부재(140)에 의한 잔존 공기 배출 공정과 상기 다공질 구조물(111)을 통한 적층 구조물의 진공 흡착 공정으로 이루어진 하나의 싸이클(cycle)을 반복수행하면서 상기 적층 구조물에 대해서 순차적으로 평탄화 공정을 수행한다. That is, according to the present invention, after one end of the laminated structure is fixed through the process of FIG. 2C, the remaining air discharge process by the air bubble prevention member 140 and the vacuum of the laminated structure via the porous structure 111 The planarization process is sequentially performed on the laminated structure while repeating one cycle of the adsorption process.

상기 순차적인 진공 흡착 공정을 위해서 본 발명의 경우 소정의 위치별로 개별 진공 흡착 공정이 가능하도록 상기 주름 평탄화 수단(100)을 구성한 것이며, 이를 위해서, 전술한 바와 같이 상기 다공성 흡착 부재(110)가 복수의 격벽(112)에 의해 이격된 복수의 다공질 구조물(111)을 포함하여 이루어지고 상기 지지 부재(120)가 복수의 지지 구조물(121) 사이에 배치된 복수의 중공부(123) 및 그와 연통되는 복수의 진공 흡입홀(124)을 포함하여 이루어지고 상기 진공 흡입 부재(130)가 상기 복수의 진공 흡입홀(124)과 연통된 복수의 진공 흡입 배관(131)을 포함하여 이루어진 것이다In order to perform the vacuum adsorption process sequentially, the pleated flattening unit 100 is constructed so that the individual vacuum adsorption process can be performed at predetermined positions in the present invention. To this end, the porous adsorption member 110 includes a plurality of And a plurality of porous structures (111) spaced apart from each other by partition walls (112) of the support structure (120), and the support member (120) And a plurality of vacuum suction pipes 131 including a plurality of vacuum suction holes 124 and communicating with the plurality of vacuum suction holes 124

이에 대해서 보다 구체적으로 설명하면, 상기 적층 구조물의 전체에 대한 진공 흡착 공정을 한번에 수행할 경우에도 상기 적층 구조물에 대한 어느 정도의 평탄화 효과를 얻을 수 있다. 그러나, 이 경우에는 상기 적층 구조물과 주름 평탄화 수단(100) 사이에 잔존하는 공기가 외부로 완전히 배출되지 않은 상태에서 전체적인 진공 흡착에 의해서 공기의 배출 통로가 막히게 되고 그에 따라 잔존하는 공기에 의해서 상기 적층 구조물의 주름이 완전히 펴지지 못하고 구겨지면서 압착되는 문제가 발생하여 결국 전술한 종래의 문제점인 그래핀 필름에 보이드(void) 결함 영역 또는 겹침 결함 영역이 발생할 가능성이 있게 된다. More specifically, even when the vacuum adsorption process for the entire laminated structure is performed at once, a certain leveling effect on the laminated structure can be obtained. However, in this case, since the air remaining between the laminated structure and the wrinkle leveling means 100 is not completely discharged to the outside, the discharge passage of the air is blocked by the overall vacuum suction, There is a problem that the wrinkles of the structure can not be fully expanded and the wrinkles are crushed while being compressed. As a result, a void defect region or an overlap defect region may occur in the graphene film, which is a conventional problem.

그에 반하여, 본 발명의 경우 상기 적층 구조물의 일단에서 타단까지 순차적으로 진공 흡착 공정을 수행하기 때문에, 상기 적층 구조물과 주름 평탄화 수단(100) 사이에 잔존하는 공기가 일정한 방향, 즉, 상기 적층 구조물의 일단에서 타단 방향으로 순차적으로 배출되기 때문에, 상기 적층 구조물의 전체에 대한 진공 흡착 공정을 한번에 수행하는 경우에 비하여 잔존하는 공기의 배출 통로가 막히지 않게 된다. 따라서, 본 발명의 경우 상기 적층 구조물의 주름이 구겨지면서 압착되는 문제가 발생하지 않게 되어 그래핀 필름에 보이드(void) 결함 영역 또는 겹침 결함 영역이 발생하는 문제가 해소될 수 있다. On the other hand, in the case of the present invention, since the vacuum adsorption process is sequentially performed from one end to the other end of the laminated structure, air remaining between the laminated structure and the pleated flattening means 100 flows in a certain direction, The exhaust passage of the remaining air is not blocked as compared with the case where the vacuum adsorption process for the whole of the laminated structure is performed at a time. Therefore, in the case of the present invention, there is no problem that the wrinkles of the laminated structure are crimped while being crimped, thereby eliminating the problem of a void defective area or an overlap defective area in the graphene film.

다음, 도 2f에서 알 수 있듯이, 상기 주름이 평탄화된 적층 구조물 상에 지지층 필름(30)을 적층한다. 상기 지지층 필름(30)은 상기 그래핀 필름(20)의 상면 상에 적층한다. 따라서, 상기 그래핀 필름(20)의 하면 상에는 베이스 기재(10)가 형성되어 있고 상기 그래핀 필름(20)의 상면 상에는 상기 지지층 필름(30)이 형성된다. Next, as shown in FIG. 2F, the supporting layer film 30 is laminated on the wrinkled flattened laminated structure. The support layer film 30 is laminated on the upper surface of the graphene film 20. Therefore, the base substrate 10 is formed on the lower surface of the graphene film 20, and the support layer film 30 is formed on the upper surface of the graphene film 20.

상기 지지층 필름(30)을 적층하는 공정은 상기 다공성 흡착 부재(110) 상에 상기 베이스 기재(10)와 그래핀 필름(20)의 적층 구조물이 로딩된 상태에서 수행하며, 특히, 상기 복수의 다공질 구조물(111)을 통해서 상기 적층 구조물을 전체적으로 진공 흡착한 상태에서 상기 지지층 필름(30)의 적층 공정을 수행한다. 따라서, 상기 적층 구조물의 평탄화 공정과 상기 지지층 필름(30)의 적층 공정은 동일한 공정 장비 내에서 연속 공정으로 이루어질 수 있다. 이를 위해서, 상기 평탄화 공정과 적층 공정을 수행하는 하나의 공정 장비 내에는 이동 가능하게 설치된 기포 방지 부재(140) 및 이동 가능하게 설치된 스퀴즈 장비(200)와 같은 적층 장비가 구비되어 있다. The step of laminating the support layer film 30 is performed in a state in which the laminated structure of the base substrate 10 and the graphene film 20 is loaded on the porous adsorption member 110. In particular, The laminating process of the supporting layer film 30 is performed in a state where the laminated structure is entirely vacuum-adsorbed through the structure 111. Therefore, the planarization process of the laminated structure and the lamination process of the support layer film 30 can be performed in a continuous process in the same process equipment. To this end, a laminating device such as a bubble preventive member 140 movably installed and a squeeze device 200 movably installed are provided in one process equipment for performing the planarization process and the laminating process.

상기 지지층 필름(30)은 후술하는 베이스 기재(10)의 식각 공정시 식각액에 손상되지 않는 재료를 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 지지층 필름(30)은 지지체(31) 및 상기 지지체(31)를 상기 그래핀 필름(20)에 부착시키기 위한 점착층(32)을 포함하여 이루어질 수 있다. The support layer film 30 may be a material that is not damaged by the etching solution during the etching process of the base substrate 10 described later. Specifically, the support layer film 30 may include a support 31 and an adhesive layer 32 for attaching the support 31 to the graphene film 20.

상기 지지체(31)는 상기 지지층 필름(30)의 베이스 역할을 한다. 상기 지지체(31)는 온도가 높거나 습도가 높은 조건에서 변형이 일어나게 되면 상기 지지층 필름(30)에 접힘이나 주름이 발생하게 된다. 따라서, 상기 지지체(31)는 내열 및 내습 특성을 가지고 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 지지체(31)는 쿠션 성질을 가지고 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 내열 및 내습 특성, 및 쿠션 성질을 가지는 상기 지지체(31)의 재료로는 폴리에틸렌테레프탈레이트(poly(ethylene terephthalte); PET)를 이용할 수 있다. The support 31 serves as a base of the support layer film 30. If the support 31 deforms under a high temperature or a high humidity condition, the supporting layer film 30 may be folded or wrinkled. Therefore, it is preferable that the support 31 has heat resistance and moisture resistance. Further, it is preferable that the support 31 has a cushioning property. Poly (ethylene terephthalate) (PET) can be used as the material of the support 31 having such heat and moisture resistance characteristics and cushioning properties.

상기 점착층(32)은 상기 지지체(31)의 일면에 형성되어 있다. 상기 지지체(31)가 형성되지 않은 상기 점착층(32)의 일면에는 상기 그래핀 필름(20)이 부착된다. The adhesive layer 32 is formed on one surface of the support 31. The graphene film 20 is attached to one side of the adhesive layer 32 on which the support 31 is not formed.

상기 점착층(32)은 상기 그래핀 필름(20)에 잘 부착되어야 하고, 또한 상기 그래핀 필름(20)에서 박리될 때 상기 그래핀 필름(20)에 보이드가 발생하지 않도록 함과 더불어 상기 그래핀 필름(20)에 잔류하지 않고 잘 떨어져야 한다. 이와 같은 점착층(32)의 재료로는 실리콘(silicone)계 고분자를 이용할 수 있다. 상기 실리콘계 고분자는 상기 그래핀 필름(20)에 잘 부착되며 상기 그래핀 필름(20)으로부터 용이하게 박리되는 장점이 있다. 특히, 상기 그래핀 필름(20)과의 부착성 및 박리성을 향상시키기 위해서, 상기 실리콘계 고분자로 이루어진 점착층(32)은 오일 성분 함유량이 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 실리콘계 고분자로 이루어진 점착층(32)은 그 내부에 오일 성분을 1중량% 이하로 포함하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 그 내부에 오일 성분을 함유하지 않는 것이 좋다. The adhesive layer 32 should adhere well to the graphene film 20 and voids are not generated in the graphene film 20 when the graphene film 20 is peeled off, It should be separated from the fin film 20 and not fall off. As the material of the adhesive layer 32, a silicone polymer may be used. The silicone-based polymer adheres well to the graphene film 20 and is easily peeled off from the graphene film 20. Particularly, in order to improve the adhesion with the graphene film 20 and the peelability of the adhesive layer 32, it is preferable that the adhesive layer 32 made of the silicone polymer has a low oil component content. Specifically, the pressure-sensitive adhesive layer 32 made of the silicone-based polymer preferably contains an oil component in an amount of 1 wt% or less, more preferably, it does not contain an oil component therein.

상기 점착층(32)은 적절한 점착력을 가지고 있는 것이 바람직하다. 구체적으로 설명하면, 상기 점착층(32)의 점착력이 너무 크면 상기 지지층 필름(30)을 상기 그래핀 필름(20)으로부터 박리할 때 상기 점착층(32)이 상기 지지층 필름(30)으로부터 부분적으로 박리가 불완전하게 되면서 상기 그래핀 필름(20)의 일부분이 뜯겨 나가 상기 그래핀 필름(20)에 보이드(void)와 같은 미세 결함이 발생할 수 있고, 경우에 따라서 상기 그래핀 필름(20)에 점착층(32)의 일부분이 잔류하여 상기 그래핀 필름(20)이 오염될 수 있다. The adhesive layer 32 preferably has appropriate adhesive strength. Specifically, when the adhesion of the adhesive layer 32 is too great, the adhesive layer 32 is partially removed from the supporting layer film 30 when the supporting layer film 30 is peeled from the graphene film 20 A part of the graphene film 20 may be torn out due to incomplete peeling so that micro defects such as voids may occur in the graphene film 20 and the graphene film 20 may be adhered A portion of the layer 32 may remain and the graphene film 20 may be contaminated.

또한, 상기 점착층(32)의 점착력이 너무 작으면 상기 지지층 필름(30)의 적층 공정에서 상기 지지층 필름(30)과 상기 그래핀 필름(20) 사이에 미세기포다발과 같은 보이드가 발생하면서 상기 지지층 필름(30)과 그래핀 필름(20) 사이의 접촉(contact)이 불완전하게 된다. 이와 같이, 지지층 필름(30)과 그래핀 필름(20) 사이의 접촉이 불완전하여 상기 지지층 필름(30)과 그래핀 필름(20) 사이에 비접촉 영역이 발생하면, 상기 베이스 기재(10)의 식각 공정에서 식각액이 상기 지지층 필름(30)과 그래핀 필름(20) 사이의 비접촉 영역으로 침투하여 상기 그래핀 필름(20)에 보이드와 같은 미세 결함이 발생한다. If the adhesive strength of the adhesive layer 32 is too small, a void such as a microbubble bundle is generated between the supporting layer film 30 and the graphene film 20 in the step of laminating the supporting layer film 30, The contact between the support layer film 30 and the graphene film 20 becomes incomplete. If the non-contact area is generated between the supporting layer film 30 and the graphene film 20 due to incomplete contact between the supporting layer film 30 and the graphene film 20, The etchant penetrates into the noncontact region between the support layer film 30 and the graphene film 20 to cause fine defects such as voids in the graphene film 20.

이와 같이, 상기 그래핀 필름(20)에 미세 결함 발생을 방지함과 더불어 상기 그래핀 필름(20)의 오염을 방지하기 위해서, 상기 점착층(32)의 점착력은 0.1gf/in 이상 및 3gf/in 미만이 바람직하다. 즉, 상기 점착층(32)의 점착력이 0.1gf/in 보다 낮으면 상기 지지층 필름(30)과 그래핀 필름(20) 사이에 비접촉 영역이 발생하여 상기 베이스 기재(10)의 식각 공정 이후에 상기 그래핀 필름(20)에 보이드와 같은 미세 결함이 발생할 수 있고, 상기 점착층(32)의 점착력이 3gf/in 이상이면 상기 지지층 필름(30)의 박리 공정 이후에 상기 그래핀 필름(20)에 보이드(void)와 같은 미세 결함이 발생하거나 또는 상기 그래핀 필름(20)에 점착층(32)의 일부분이 잔류하여 상기 그래핀 필름(20)이 오염될 수 있다. The adhesive strength of the adhesive layer 32 is 0.1 gf / in or more and 3 gf / in or more in order to prevent fine defects from occurring in the graphene film 20 and to prevent contamination of the graphene film 20, in. That is, when the adhesive force of the adhesive layer 32 is lower than 0.1 gf / in, a non-contact area is generated between the supporting layer film 30 and the graphene film 20, Fine defects such as voids may occur in the graphene film 20 and if the adhesive strength of the adhesive layer 32 is 3 gf / in or more, the graphene film 20 is peeled off after the peeling process of the supporting layer film 30 Minute defects such as voids may occur or a part of the adhesive layer 32 may remain on the graphene film 20 and the graphene film 20 may be contaminated.

상기 그래핀 필름(20)에 상기 지지층 필름(30)이 잘 부착되기 위해서, 상기 점착층(32)은 자가 흡착력(wetting성, 퍼짐성, 또는 젖음성)이 우수한 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 점착층(32)의 자가 흡착력은 10 gf 내지 50 gf 범위인 것이 바람직하다. 만약, 상기 점착층(32)의 자가 흡착력이 10 gf 미만일 경우에는 상기 그래핀 필름(20)에 상기 지지층 필름(30)을 부착할 때 상기 점착층(32)에 기포나 버블이 발생하여 상기 그래핀 필름(20)에 상기 지지층 필름(30)이 쉽게 부착되지 않을 수 있고, 상기 점착층(32)의 자가 흡착력이 50 gf 보다 클 경우에는 상기 점착층(32)의 자가 흡착력이 너무 커서 상기 그래핀 필름(20)에서 상기 지지층 필름(30)을 박리할 때 상기 점착층(32)이 상기 그래핀 필름(20)에 이물로 남겨질 수 있다. 본 명세서에서 점착력과 자가 흡착력 특성은 JISZ0237법에 의해 측정된 값이다. The adhesive layer 32 preferably has excellent self-adsorption force (wetting property, spreadability, or wettability) so that the supporting layer film 30 adheres well to the graphene film 20. Specifically, the self-adsorption force of the adhesive layer 32 is preferably in the range of 10 gf to 50 gf. If the self-adsorption force of the adhesive layer 32 is less than 10 gf, bubbles or bubbles are generated in the adhesive layer 32 when the supporting layer film 30 is attached to the graphene film 20, The supporting layer film 30 may not easily adhere to the pin film 20 and if the self-adsorption force of the adhesive layer 32 is larger than 50 gf, the self-adsorption force of the adhesive layer 32 is too large, The adhesive layer 32 may be left as an impurity on the graphene film 20 when the supporting layer film 30 is peeled from the fin film 20. In this specification, the adhesive force and the self-adsorption force property are the values measured by the JIS Z0237 method.

또한, 상기 그래핀 필름(20)에서 상기 지지층 필름(30)을 박리하는 과정에서 마찰력에 의한 정전기가 발생할 수 있다. 따라서, 상기 그래핀 필름(20)과 접촉하는 상기 점착층(32)은 마찰력에 의한 정전기 발생이 최소화될 수 있도록 구성된 것이 바람직하다. 상기 마찰력에 의한 정전기 발생을 최소화하기 위해서 상기 점착층(32)은 그 내부에 정전기 방지제를 포함하는 것이 바람직하다. Also, in the process of peeling the support layer film 30 from the graphene film 20, static electricity may be generated due to frictional force. Therefore, it is preferable that the adhesive layer 32 contacting the graphene film 20 is configured to minimize the generation of static electricity due to frictional force. In order to minimize the generation of static electricity due to the frictional force, the adhesive layer 32 preferably includes an antistatic agent.

상기 지지층 필름(30)은 150㎛ 내지 300㎛의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 만약, 상기 지지층 필름(30)이 150㎛ 미만의 두께를 가질 경우에는 적층 공정시 작업이 어렵고 또한 상기 그래핀 필름(20)을 지지하는 지지층으로의 기능을 원활히 수행하기 어렵고, 상기 지지층 필름(30)이 300㎛의 두께를 초과할 경우에도 적층 공정시 작업이 용이하지 않을 수 있고 또한 비용이 증가되어 경제성이 저하된다. The support layer film 30 preferably has a thickness of 150 mu m to 300 mu m. If the support layer film 30 has a thickness of less than 150 mu m, it is difficult to perform the function as a support layer for supporting the graphene film 20, and the support layer film 30 ) Exceeds the thickness of 300 mu m, the work may not be easy in the laminating step, and the cost is increased and the economical efficiency is lowered.

상기 지지층 필름(30)의 적층 공정은 롤 등과 같은 적층 장비를 이용한 당업계에 공지된 다양한 라미네이션(lamination) 공정을 통해 수행할 수 있지만, 도시된 바와 같은 스퀴즈(squeeze) 장비(200)를 이용하는 것이 바람직하다. 롤을 이용하는 경우에 비하여 상기 스퀴즈 장비(200)를 이용하는 경우가 상기 적층 구조물 상에 상기 지지층 필름(30)을 보다 밀착되게 적층할 수 있기 때문이다. The laminating process of the support layer film 30 can be performed through various lamination processes known in the art using a laminating device such as a roll, but it is possible to use the squeeze device 200 as shown desirable. The supporting layer film 30 can be stacked on the laminated structure more closely in the case of using the squeeze equipment 200 than in the case of using the roll.

다음, 도 2g에서 알 수 있듯이, 상기 그래핀 필름(20)의 하면 상에 형성되어 있는 베이스 기재(10)를 식각 공정을 통해 제거한다. 그리하면, 상기 그래핀 필름(20)의 상면 상에 상기 지지층 필름(30)이 적층된 적층 구조가 얻어진다. Next, as shown in FIG. 2G, the base substrate 10 formed on the lower surface of the graphene film 20 is removed through an etching process. Thus, a laminated structure in which the supporting layer film 30 is laminated on the upper surface of the graphene film 20 is obtained.

상기 식각 공정은 상기 베이스 기재(10), 상기 그래핀 필름(20), 및 상기 지지층 필름(30)의 적층 구조물을 식각 용액에 침지하는 공정을 통해 수행할 수 있다. 상기 식각 용액은 상기 베이스 기재(10)를 선택적으로 식각하여 제거할 수 있는 용액을 사용한다. 예를 들어, 상기 식각 용액은 (NH4)2S2O8, HF, BOE, Fe(NO3)3, FeCl3 또는, CuCl2 등을 이용할 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The etching process may be performed by immersing the laminated structure of the base substrate 10, the graphene film 20, and the supporting layer film 30 in an etching solution. The etching solution uses a solution capable of selectively etching and removing the base substrate 10. For example, the etching solution may be (NH 4 ) 2 S 2 O 8 , HF, BOE, Fe (NO 3 ) 3 , FeCl 3 or CuCl 2 .

다음, 도 2h에서 알 수 있듯이, 상기 베이스 기재(10)가 제거된 그래핀 필름(20)의 하면 상에 목표 기판(40)을 적층한다. 2 (h), the target substrate 40 is laminated on the lower surface of the graphene film 20 from which the base substrate 10 is removed.

상기 목표 기판(40)의 적층 공정은 롤 등과 같은 가압기구를 이용한 당업계에 공지된 다양한 라미네이션(lamination) 공정을 통해 수행할 수 있지만, 전술한 도 2f 공정과 같이 스퀴즈(squeeze) 장비(200)를 이용하는 것이 상기 목표 기판(40)을 보다 밀착되게 적층할 수 있어 바람직하다. The laminating process of the target substrate 40 may be performed through various lamination processes known in the art using a pressurizing mechanism such as a roll or the like. However, the squeeze device 200, It is preferable that the target substrate 40 is laminated so as to be closer to the target substrate 40.

상기 목표 기판(40)의 재료는 얻고자 하는 최종 소자에 따라 적절히 변경될 수 있으며, 예로서 유리 기판 또는 플라스틱 기판으로 이루어질 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate; PET), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyehylene naphthalate; PEN), 또는 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC)를 이용할 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The material of the target substrate 40 may be appropriately changed depending on the final device to be obtained, and may be a glass substrate or a plastic substrate, for example. The plastic substrate may be made of polyethylene terephthalate (PET), polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), or polycarbonate (PC), but the present invention is not limited thereto.

상기 목표 기판(40)은 고무(rubber)계열 고분자, 실리콘(silicon)계열 고분자, 또는 아크릴(acryl)계열 고분자와 같은 당업계에 공지된 다양한 점착제를 이용하여 상기 그래핀 필름(20)의 하면 상에 적층될 수 있다. The target substrate 40 may be formed on the lower surface of the graphene film 20 using a variety of pressure-sensitive adhesives known in the art such as rubber-based polymers, silicon-based polymers, or acryl- As shown in FIG.

다음, 도 2i에서 알 수 있듯이, 상기 그래핀 필름(20)의 상면 상에 형성되어 있는 지지층 필름(30)을 박리하여, 상기 목표 기판(40) 상에 그래핀 필름(20)이 형성된 최종 적층 구조를 얻는다. 2I, the supporting layer film 30 formed on the upper surface of the graphene film 20 is peeled off to form a final laminate 20 on which the graphene film 20 is formed on the target substrate 40. Then, Structure is obtained.

상기 지지층 필름(30)의 박리 공정은 롤에 상기 지지층 필름(30)을 전사하는 방식과 같이 당업계에 공지된 다양한 필름 박리 방법을 이용하여 수행할 수 있다. The peeling process of the support layer film 30 may be performed using various film peeling methods known in the art, such as a method of transferring the support layer film 30 to a roll.

한편, 도시된 바와 같이, 도 2h에 따른 목표 기판(40)의 적층 공정을 수행한 후에 도 2i에 따른 지지층 필름(30)의 박리 공정을 수행하는 것도 가능하지만, 상기 목표 기판(40)의 적층 공정과 상기 지지층 필름(30)의 박리 공정을 동시에 수행하는 것도 가능하다. 예로서, 도 2g에 따른 공정 이후 상기 그래핀 필름(20)의 하면에는 목표 기판(40)이 감겨진 공급 롤러를 위치시키고 상기 지지층 필름(30)의 상면에서 박리 롤러를 위치시킨 후, 상기 공급 롤러와 상기 박리 롤러 사이로 상기 그래핀 필름(20)과 지지층 필름(30)의 적층 구조물을 통과시킴으로써, 상기 그래핀 필름(20)의 하면 상에 목표 기판(40)을 적층함과 동시에 상기 그래핀 필름(30)의 상면 상에 적층된 지지층 필름(30)을 동시에 박리하는 것도 가능하다. As shown in the drawing, it is also possible to perform the peeling process of the supporting layer film 30 according to Fig. 2 (i) after the laminating process of the target substrate 40 according to Fig. 2 (h) And the peeling process of the support layer film 30 may be simultaneously performed. 2G, a feed roller on which the target substrate 40 is wound is placed on the lower surface of the graphene film 20, the peeling roller is positioned on the upper surface of the support film 30, The target substrate 40 is laminated on the lower surface of the graphene film 20 by passing the lamination structure of the graphene film 20 and the supporting layer film 30 between the roller and the peeling roller, It is also possible to peel the support film 30 laminated on the upper surface of the film 30 at the same time.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

10: 베이스 기재 20: 그래핀 필름
30: 지지층 필름 40: 목표 기판
100: 주름 평탄화 수단 110: 다공성 흡착 부재
120: 지지 부재 130: 진공 흡입 부재
140: 기포 방지 부재 200: 스퀴즈 장비10: base substrate 20: graphene film
30: support layer film 40: target substrate
100: corrugation planarization means 110: porous adsorption member
120: support member 130: vacuum suction member
140: air bubble prevention member 200: squeeze equipment

Claims (11)

베이스 기재 및 상기 베이스 기재 상에 적층된 그래핀 필름을 포함한 적층 구조물의 주름을 평탄화시키기 위한 주름 평탄화 수단을 포함하여 이루어지고,
상기 주름 평탄화 수단은 상기 적층 구조물과 접촉하여 상기 적층 구조물을 진공 흡착하는 다공성 흡착 부재, 및 상기 다공성 흡착 부재를 지지하기 위한 지지 부재를 포함하여 이루어지고,
상기 다공성 흡착 부재는 서로 이격되어 있는 복수의 다공질 구조물 및 상기 복수의 다공질 구조물을 이격시키기 위해서 상기 복수의 다공질 구조물 사이에 구비된 복수의 격벽을 포함하여 이루어지고,
상기 지지 부재는 상기 복수의 격벽과 오버랩되는 복수의 지지 구조물 및 상기 복수의 지지 구조물 사이에 마련되어 상기 복수의 다공질 구조물과 오버랩되는 복수의 중공부를 포함하여 이루어지고,
상기 복수의 다공질 구조물과 상기 복수의 중공부는 서로 일대일로 대응하도록 구비되어 있고,
상기 지지 부재는 상기 복수의 지지 구조물 사이를 연결하면서 상기 지지 부재의 하부를 커버하는 커버부를 추가로 포함하고, 상기 커버부에는 상기 복수의 중공부와 연통되는 복수의 진공 흡입홀이 구비되어 있고, 상기 복수의 진공 흡입홀과 상기 복수의 중공부는 서로 일대일로 대응하도록 구비되어 있고,
상기 주름 평탄화 수단은 상기 적층 구조물 상부에 이동 가능하도록 배치되어 상기 적층 구조물과 상기 다공성 흡착 부재 사이에서 기포가 발생하는 것을 방지하기 위한 기포 방지 부재를 추가로 포함하여, 상기 적층 구조물의 일단에서 타단까지 순차적으로 진공 흡착 공정을 수행하여 주름을 평탄화하도록 구비되어 있는 그래핀 필름의 제조 장치. And a wrinkle flattening means for flattening the wrinkles of the laminated structure including the base substrate and the graphene film laminated on the base substrate,
Wherein the pleated flattening means comprises a porous adsorption member for contacting the laminated structure and vacuum adsorbing the laminated structure, and a support member for supporting the porous adsorption member,
Wherein the porous adsorption member comprises a plurality of porous structures spaced apart from each other and a plurality of partition walls provided between the plurality of porous structures to separate the plurality of porous structures,
Wherein the support member includes a plurality of support structures overlapping the plurality of partition walls and a plurality of hollow portions provided between the plurality of support structures and overlapping the plurality of porous structures,
Wherein the plurality of porous structures and the plurality of hollow portions are provided so as to correspond one to one with each other,
Wherein the support member further includes a cover portion covering the lower portion of the support member while connecting the plurality of support structures, wherein the cover portion is provided with a plurality of vacuum suction holes communicating with the plurality of hollow portions, The plurality of vacuum suction holes and the plurality of hollow portions are provided so as to correspond one to one with each other,
Wherein the wrinkle flattening means further includes a bubble preventing member disposed movably above the laminated structure for preventing air bubbles from being generated between the laminated structure and the porous adsorption member, And a vacuum adsorption process is sequentially performed to planarize the wrinkles. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 주름 평탄화 수단은 상기 복수의 진공 흡입홀과 연통되는 복수의 진공 흡입 배관을 포함하는 진공 흡입 부재를 추가로 포함하고, 상기 복수의 진공 흡입 배관을 통해서 상기 복수의 진공 흡입홀 각각에 대해서 개별적으로 진공 흡입이 이루어지는 그래핀 필름의 제조 장치. The method according to claim 1,
Wherein the pleated flattening means further comprises a vacuum suction member including a plurality of vacuum suction pipes communicating with the plurality of vacuum suction holes, and the vacuum suction member is separately provided for each of the plurality of vacuum suction holes through the plurality of vacuum suction pipes A device for manufacturing a graphene film in which vacuum suction is performed. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기포 방지 부재는 에어 나이프로 이루어진 그래핀 필름의 제조 장치.The method according to claim 1,
Wherein the bubble preventing member is an air knife. 제1항에 있어서,
상기 적층 구조물 상에 지지층 필름을 적층하기 위한 스퀴즈 장비를 추가로 포함하여 이루어진 그래핀 필름의 제조 장치. The method according to claim 1,
And a squeeze device for stacking a support layer film on the laminated structure. 베이스 기재 및 상기 베이스 기재 상에 적층된 그래핀 필름을 포함한 적층 구조물의 주름을 평탄화시키는 공정; 및
상기 그래핀 필름 상에 지지층 필름을 적층하는 공정을 포함하여 이루어지고,
상기 적층 구조물의 주름을 평탄화시키는 공정은 상기 적층 구조물을 주름 평탄화 수단 상에 로딩하는 공정, 상기 적층 구조물의 일단을 고정하는 공정, 및 상기 적층 구조물의 일단을 제외한 나머지 부분을 상기 적층 구조물의 일단에서 타단 방향으로 순차적으로 진공 흡착하는 공정을 포함하여 이루어지고,
상기 적층 구조물을 주름 평탄화 수단 상에 로딩하는 공정은 서로 이격되어 있는 복수의 다공질 구조물 및 상기 복수의 다공질 구조물을 이격시키기 위해서 상기 복수의 다공질 구조물 사이에 구비된 복수의 격벽을 포함하여 이루어진 다공성 흡착 부재 상에 상기 적층 구조물을 로딩하는 공정을 포함하여 이루어지고,
상기 적층 구조물의 일단을 고정하는 공정은 상기 복수의 다공질 구조물 중에서 상기 적층 구조물의 일단에 대응하는 어느 하나의 다공질 구조물만을 통해서 상기 적층 구조물의 일단을 진공 흡착하는 공정을 포함하여 이루어지고,
상기 적층 구조물의 나머지 부분을 순차적으로 진공 흡착하는 공정은 상기 복수의 다공질 구조물을 통한 진공 흡착 공정을 순차적으로 진행하는 공정을 포함하여 이루어지고,
상기 적층 구조물의 주름을 평탄화시키는 공정은 상기 적층 구조물과 상기 주름 평탄화 수단 사이에 잔존하는 공기를 상기 적층 구조물의 일단에서 타단 방향으로 순차적으로 배출시키는 공정을 추가로 포함하고,
상기 공기를 배출시키고 그 후에 상기 진공 흡착을 수행하는 하나의 싸이클을 상기 적층 구조물의 일단에서 타단 방향으로 반복 수행하는 그래핀 필름의 제조 방법.A step of planarizing the wrinkles of the laminated structure including the base substrate and the graphene film laminated on the base substrate; And
And laminating a support layer film on the graphene film,
Wherein the step of flattening the corrugation of the laminated structure comprises the steps of: loading the laminated structure on the corrugated flattening means; fixing one end of the laminated structure; and removing the remaining part of the laminated structure except one end from the one end of the laminated structure And sequentially performing vacuum adsorption in the other end direction,
Wherein the step of loading the laminated structure on the pleated planarization means comprises a plurality of porous structures spaced apart from each other and a plurality of partition walls provided between the plurality of porous structures to separate the plurality of porous structures, And loading the stacked structure on the substrate,
Wherein the step of fixing one end of the laminated structure includes a step of vacuum-absorbing one end of the laminated structure through only one porous structure corresponding to one end of the laminated structure among the plurality of porous structures,
Wherein the step of sequentially vacuum-absorbing the remaining portion of the laminated structure includes a step of sequentially performing a vacuum adsorption process through the plurality of porous structures,
Wherein the step of flattening the corrugation of the laminated structure further includes the step of sequentially discharging air remaining between the laminated structure and the corrugated flattening means from one end to the other end of the laminated structure,
Wherein one cycle for discharging the air and then performing the vacuum adsorption is repeatedly performed from one end to the other end of the laminated structure. 삭제delete 삭제delete 제7항에 있어서,
상기 지지층 필름을 적층하는 공정 이후에, 상기 베이스 기재를 식각하는 공정, 상기 베이스 기재가 제거된 그래핀 필름의 하면 상에 목표 기판을 적층하는 공정, 및 상기 지지층 필름을 박리하는 공정을 추가로 포함하여 이루어지고,
상기 지지층 필름을 적층하는 공정 및 상기 목표 기판을 적층하는 공정 중 적어도 하나의 공정은 스퀴즈 장비를 이용하여 수행하는 그래핀 필름의 제조 방법. 8. The method of claim 7,
After the step of laminating the supporting layer film, a step of etching the base substrate, a step of laminating the target substrate on the lower surface of the graphene film from which the base substrate is removed, and a step of peeling the supporting layer film Lt; / RTI >
Wherein at least one of a step of laminating the supporting layer film and a step of laminating the target substrate is performed using a squeeze equipment. 제7항에 있어서,
상기 지지층 필름은 지지체 및 상기 지지체의 일면에 구비된 점착층을 포함하여 이루어지고, 상기 점착층은 0.1gf/in 이상 및 3gf/in 미만의 점착력을 가지고 1중량% 이하의 오일 성분을 포함하고 10 gf 내지 50 gf 범위의 자가 흡착력을 가지는 실리콘계 고분자로 이루어진 그래핀 필름의 제조 방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the support layer film comprises a support and a pressure sensitive adhesive layer provided on one side of the support, wherein the pressure sensitive adhesive layer has an adhesive strength of not less than 0.1 gf / in and less than 3 gf / in, and a silicon-based polymer having a self-adsorption force in a range of from 50 to 50 gf.
KR1020170098613A 2017-08-03 2017-08-03 Apparatus and method of manufacturing a graphene film KR102003593B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170098613A KR102003593B1 (en) 2017-08-03 2017-08-03 Apparatus and method of manufacturing a graphene film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170098613A KR102003593B1 (en) 2017-08-03 2017-08-03 Apparatus and method of manufacturing a graphene film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190014751A KR20190014751A (en) 2019-02-13
KR102003593B1 true KR102003593B1 (en) 2019-07-24

Family

ID=65366421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170098613A KR102003593B1 (en) 2017-08-03 2017-08-03 Apparatus and method of manufacturing a graphene film

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102003593B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230014666A (en) 2021-07-21 2023-01-30 기초과학연구원 Folding-free Graphene and the Fabrication Method Thereof
KR102631978B1 (en) 2021-11-26 2024-02-01 (주)엠씨케이테크 Flatting unit of graphene composite structure and manufacturing apparatus of graphene composite structure comprising the same
CN115337793B (en) * 2022-08-15 2023-09-26 山东凤鸣桓宇环保有限公司 Nanometer film preparation method based on graphene anchoring technology

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013255979A (en) * 2012-06-14 2013-12-26 Fuji Electric Co Ltd Suction device, processing device, sucking method, and processing method
KR101673031B1 (en) * 2015-07-31 2016-11-07 그래핀스퀘어 주식회사 Apparatus and method of manufacturing a graphene film

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101716186B1 (en) * 2014-03-11 2017-03-14 한화테크윈 주식회사 Apparatus for transferring graphene

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013255979A (en) * 2012-06-14 2013-12-26 Fuji Electric Co Ltd Suction device, processing device, sucking method, and processing method
KR101673031B1 (en) * 2015-07-31 2016-11-07 그래핀스퀘어 주식회사 Apparatus and method of manufacturing a graphene film

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190014751A (en) 2019-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101673031B1 (en) Apparatus and method of manufacturing a graphene film
KR102003593B1 (en) Apparatus and method of manufacturing a graphene film
JP6788013B2 (en) Multi-layer composite with adhesive and one or more nanofiber sheets
KR101858642B1 (en) Graphene transfer method
US8916013B2 (en) Method for transferring graphene using a hot press
KR101405463B1 (en) Graphene protective film for preventing gas and water, method of forming the same and uses of the same
JP2014234338A (en) Method for producing carbon nanotube sheet and carbon nanotube sheet
US20130233480A1 (en) Method and apparatus for transferring graphene
KR20170017946A (en) Layered product and process for producing same
EP3239115A1 (en) Heat transport structure and manufacturing method therefor
JP2008207830A (en) Thin packaging bag and method of manufacturing the same
CN107709232A (en) CNT woods layered product and the method for producing CNT woods layered product
KR101481594B1 (en) Method for manufacturing graphene
KR20150090754A (en) Method of manufacturing touch sensor plate and touch screen panel including the same
KR102654336B1 (en) electrostatic absorber
KR102631978B1 (en) Flatting unit of graphene composite structure and manufacturing apparatus of graphene composite structure comprising the same
KR101937869B1 (en) Supporting film for transferring in a manufacturing process of Graphene film and method of manufacturing a graphene film using the same
KR101926485B1 (en) Method for getting graphene
KR101915194B1 (en) Transparent electrode board including graphene and method thereof
JP5853194B2 (en) Membrane-catalyst layer assembly manufacturing method and manufacturing apparatus thereof
KR101842019B1 (en) Manufacturing method for multi-layer graphene sheet
US10800658B2 (en) Laminated body
KR101716186B1 (en) Apparatus for transferring graphene
KR20140030723A (en) Graphene substrate and method for manufacturing the same
KR20120095149A (en) Apparatus for transferring graphene and method for transferring graphene

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant