KR101846084B1 - Fabrication method of conductive fibers - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전도성 섬유의 제작 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소정의 섬유(예컨대, 면 섬유) 표면에 저온 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 이용하여 전도성 금속(예컨대, Pt) 박막을 코팅함으로써, 낮은 저항을 구현함과 더불어 코팅막 두께에 따라 저항 자체를 용이하게 조절할 수 있게 하고 미세 섬유에도 전도성 박막이 균일하게 코팅되도록 하며 전도성 섬유로서의 이질감을 최소화할 수 있는, 저항 조절이 용이하고 유연성이 우수한 저저항의 전도성 섬유를 제작하는 새로운 방법에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a method of fabricating a conductive metal (e.g., Pt) thin film on a predetermined fiber (e.g., cotton fiber) surface using a low temperature atomic layer deposition (ALD) Coating, it is possible to easily adjust the resistance itself according to the thickness of the coating film, to uniformly coat the conductive thin film on the fine fiber, to minimize the heterogeneity as the conductive fiber, to easily adjust the resistance, Lt; RTI ID = 0.0 > low-resistance < / RTI > conductive fibers.

Description

전도성 섬유의 제작 방법{FABRICATION METHOD OF CONDUCTIVE FIBERS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a conductive fiber,

본 발명은 전도성 섬유의 제작 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소정의 섬유(예컨대, 면 섬유) 표면에 저온 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 이용하여 전도성 금속(예컨대, Pt) 박막을 코팅함으로써, 낮은 저항을 구현함과 더불어 코팅막 두께에 따라 저항 자체를 용이하게 조절할 수 있게 하고 미세 섬유에도 전도성 박막이 균일하게 코팅되도록 하며 전도성 섬유로서의 이질감을 최소화할 수 있는, 저항 조절이 용이하고 유연성이 우수한 저저항의 전도성 섬유를 제작하는 새로운 방법에 관한 것이다.
More particularly, the present invention relates to a method of fabricating a conductive metal (e.g., Pt) thin film on a predetermined fiber (e.g., cotton fiber) surface using a low temperature atomic layer deposition (ALD) Coating, it is possible to easily adjust the resistance itself according to the thickness of the coating film, to uniformly coat the conductive thin film on the fine fiber, to minimize the heterogeneity as the conductive fiber, to easily adjust the resistance, Lt; RTI ID = 0.0 > low-resistance < / RTI > conductive fibers.

입을 수 있는 컴퓨터(또는 웨어러블 컴퓨터; Wearable computer)는 과거 MIT의 Ivan Sutherland에 의해 최초 발표된, 컴퓨터를 옷에 결합시켜 입는다는 의미로서 언제 어디서든지 장소 및 환경에 구애받지 않고 컴퓨터를 사용할 수 있도록 하게 하는 기술이다. 이와 관련하여 소형화 및 경량화를 통해 이를 신체 또는 의복에 착용할 수 있도록 하기 위한 다수의 연구들이 진행되어 왔으며, 최근 들어서는 다양한 형태의 입을 수 있는 컴퓨터가 상용화되어 군사 및 의료 분야를 비롯한 다양한 분야에서 활용되고 있다.A wearable computer (or wearable computer), which was originally announced by Ivan Sutherland of MIT in the past, is a combination of a computer and clothing that allows computers to be used anywhere, anytime, anywhere. Technology. In this regard, a number of studies have been carried out in order to make it possible to wear it on the body or clothes through miniaturization and light weight, and recently, various types of wearable computers have been commercialized and utilized in various fields including military and medical fields have.

또한, 입을 수 있는 컴퓨터는 섬유패션 분야와 결합하여 새로운 개념인 스마트 의류라는 신분야를 탄생시켰다. 스마트 의류는 의류용 섬유에 전도성 물질을 결합한 전도성 섬유를 이용하여 웨어러블 시스템을 의류 위에 구현시키는 기술이다.
In addition, the wearable computer combined with the textile fashion field has created a new field of smart clothing, a new concept. Smart clothing is a technology that embodies wearable systems on clothing using conductive fibers that combine conductive materials with clothing fibers.

이러한 전도성 섬유(Conductive fiber)는 전기전도성을 나타내는 섬유로서, 유연성이 우수한 전도성 섬유는 입을 수 있는 컴퓨터의 핵심 소재가 된다. 입을 수 있는 컴퓨터에 대한 관심이 높아지면서 전도성 섬유에 대한 개발도 활발히 진행되고 있는 상황이다.
These conductive fibers are electrically conductive fibers. Conductive fibers with excellent flexibility are the core materials of computers that can be worn. As interest in computers that can be worn increases, the development of conductive fibers is actively under way.

한편, 전도성 섬유를 입을 수 있는 컴퓨터의 소재로 적용하기 위해서는 낮은 저항(즉, 높은 전기전도도)이 기본적으로 요구되는바, 전도성 섬유의 저저항을 구현하기 위한 여러가지 시도들이 있었다.On the other hand, low resistance (i.e., high electrical conductivity) is basically required to be applied to a computer material that can be worn with conductive fibers, and various attempts have been made to realize low resistance of conductive fibers.

그러나, 전도성 섬유는 그 구체적인 용도에 따라 적절한 저항값을 지닐 필요가 있고 높은 유연성과 함께 착용시의 이질감이 적어야 하며 일정 수준의 내구성을 지녀야 하는데, 이러한 측면에 대한 관심은 상대적으로 많지 않았다. 또한 종래의 전도성 섬유 제작 방법은 고온 등 높은 에너지를 소요하여 제조 공정 상 효율성이 떨어지고, 경우에 따라서는 고온 등에 의해 원재료 섬유를 손상시킬 수 있는 문제가 있었다.
However, the conductive fiber needs to have a proper resistance value according to its specific use, has high flexibility, has a low degree of heterogeneity at the time of wearing, and has a certain level of durability. In addition, conventional conductive fiber fabrication methods require high energy, such as high temperature, resulting in inefficiency in the manufacturing process, and in some cases, there is a problem that raw fiber can be damaged due to high temperature or the like.

이에, 저저항 및 유연성과 더불어, 저항 자체를 원하는대로 쉽게 조절할 수 있고 섬유로서의 이질감을 최소화하며 균일한 전도성 부여를 통해 내구성을 향상시킬 수 있고 또한 저온 공정을 통해 수행될 수 있는, 새로운 형태의 전도성 섬유 제작 방법에 대한 개발이 요구되는 실정이다.
In addition to low resistance and flexibility, a new type of conductive material, which can easily adjust the resistance itself as desired, minimizes the heterogeneity of the fibers, improves the durability through the provision of uniform conductivity, Development of fiber fabrication methods is required.

한국공개특허 제10-2012-0017436호Korean Patent Publication No. 10-2012-0017436

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자 한 것으로, 저저항, 유연성, 저항 조절의 용이성, 최소화된 이질감, 전도도의 균일성, 내구성 및 저온 공정성을 동시에 구현할 수 있는, 새로운 형태의 전도성 섬유 제작 방법을 제공함을 기술적 과제로 한다.
The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and it is an object of the present invention to provide a new type of conductive fiber capable of simultaneously realizing low resistance, flexibility, ease of resistance control, minimized heterogeneity, uniformity of conductivity, durability, And a manufacturing method thereof.

상기한 기술적 과제를 달성하고자, 본 발명은 섬유 표면에 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 이용하여 금속을 증착시켜 전도성 박막을 코팅하는 것이며, 상기 원자층 증착 공정의 단위 사이클 횟수를 변경하여 상기 전도성 박막의 코팅 두께를 조정함으로써, 전도성 섬유의 저항을 조절할 수 있는 것임을 특징으로 하는, 전도성 섬유의 제작 방법을 제공한다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a method of coating a conductive thin film by depositing a metal on the surface of a fiber by using an atomic layer deposition (ALD) method, wherein the number of unit cycles of the atomic layer deposition process is changed Wherein the thickness of the conductive thin film is adjusted so that the resistance of the conductive fiber can be controlled.

또한, 상기 섬유는 (의류용) 면(Cotton) 섬유, 마(Hemp) 섬유, 견(Silk) 섬유, 또는 노맥스(Nomax) 합성섬유인 것을 특징으로 하는, 전도성 섬유의 제작 방법을 제공한다.Also, the present invention provides a method for producing a conductive fiber, wherein the fiber is a cotton fiber, hemp fiber, silk fiber, or Nomax synthetic fiber.

또한, 상기 금속은 백금(Pt)인 것을 특징으로 하는, 전도성 섬유의 제작 방법을 제공한다.Further, the present invention provides a method for producing a conductive fiber, wherein the metal is platinum (Pt).

또한, 상기 금속의 증착은 상온~300℃의 저온에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 전도성 섬유의 제작 방법을 제공한다.Also, the present invention provides a method for fabricating a conductive fiber, wherein the deposition of the metal is performed at a low temperature of from room temperature to 300 ° C.

또한, 상기 전도성 박막은 100~1000 Å 범위의 두께로 코팅되는 것을 특징으로 하는, 전도성 섬유의 제작 방법을 제공한다.Also, the conductive thin film is coated with a thickness in the range of 100 to 1000 ANGSTROM.

또한, 상기 전도성 섬유는 코팅막의 두께에 따라 단위 길이 당 2~50 Ω/cm 수준의 저항을 지니는 것을 특징으로 하는, 전도성 섬유의 제작 방법을 제공한다.Also, the conductive fiber has a resistance of 2? 50? / Cm per unit length according to the thickness of the coating film.

또한, 상기 전도성 섬유는 입을 수 있는 컴퓨터(Wearable computer)의 소재(예컨대, 히터 또는 압력센서 등)로 사용되는 것을 특징으로 하는, 전도성 섬유의 제작 방법을 제공한다.Further, the conductive fiber is used as a material of a wearable computer (e.g., a heater or a pressure sensor).

또한, a) 반응 챔버 내에 면 섬유를 배치하는 단계; b) 상기 반응 챔버 내의 면 섬유 위로 기화된 금속 전구체를 공급 및 흡착시키는 단계; c) 퍼징가스를 공급하여 반응 챔버로부터 잉여의 기화된 금속 전구체를 제거하는 단계; d) 금속 전구체가 흡착된 면 섬유 위에 반응가스를 공급 및 반응시켜 전도성 박막을 형성하는 단계; e) 퍼징가스를 공급하여 반응 챔버로부터 잉여의 반응가스 및 반응 부산물을 제거하는 단계; 및 f) 원하는 두께의 전도성 박막이 획득될 때까지 상기 b) 단계 내지 e) 단계를 순차적으로 반복 수행하는 단계;를 포함하는, 전도성 섬유의 제작 방법을 제공한다.
A) disposing cotton fibers in the reaction chamber; b) feeding and adsorbing the vaporized metal precursor over the face fibers in the reaction chamber; c) supplying a purge gas to remove excess vaporized metal precursor from the reaction chamber; d) forming a conductive thin film by supplying and reacting a reaction gas onto the surface fiber on which the metal precursor is adsorbed; e) supplying a purge gas to remove excess reaction gas and reaction by-products from the reaction chamber; And f) repeating the steps b) to e) sequentially until a conductive thin film having a desired thickness is obtained.

본 발명에 따르면 저온에서 원료 섬유에 전도성 박막을 효율적으로 형성할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to efficiently form a conductive thin film on raw fiber at a low temperature.

특히, 전도성 섬유에 낮은 저항(단위 길이 당 최저 2 Ω 정도)을 부여함은 물론, ALD 사이클 조정을 통한 코팅 두께 변화를 이용하여 저항값을 용이하게 조절할 수 있는 장점이 있다.In particular, there is an advantage that the resistance value can be easily adjusted by using the change of the coating thickness through the ALD cycle adjustment as well as the low resistance (about 2 Ω per unit length) is given to the conductive fiber.

또한, 현재 의류 소재로 실제 사용되고 있는 면 등에 직접 적용하여 전도성 섬유를 제작하기 때문에 기존 전도성 섬유들이 지니는 특유의 이질감을 최소화할 수 있다.In addition, since the conductive fiber is directly applied to the surface which is currently used as a clothing material, it is possible to minimize the inherent heterogeneity of existing conductive fibers.

또한, ALD 공정의 우수한 단차피복성을 통해 섬유를 이루고 있는 수많은 미세 섬유에도 금속 박막을 균일하게 코팅할 수 있고 우수한 내구성을 담보할 수 있다.In addition, the excellent step coverage of the ALD process can uniformly coat the metal thin film on many fine fibers forming the fiber and can ensure excellent durability.

본 발명에 따라 제작된 전도성 섬유는 입을 수 있는 컴퓨터의 다양한 소자 및 센서에 적용이 가능하고, 이질감 없이 일상 의류 속에 심을 수 있어 입을 수 있는 컴퓨터 자체의 발전에도 크게 기여할 수 있을 것으로 기대된다.
The conductive fiber fabricated according to the present invention is expected to be applicable to various devices and sensors of a computer that can be worn and can contribute to the development of a computer itself which can be planted in everyday clothing without any sense of difference.

도 1은 본 발명에 따라 전도성 박막을 섬유에 코팅하는데 사용되는 원자층 증착법(ALD)의 공정 사이클을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 저온 ALD Pt 공정에 있어서 박막의 성장 속도(Growth rate)와 비저항을 증착 온도에 따라 도시한 도면이다.
도 3은 80℃의 증착 온도에서 SiO2 위에 증착된 ALD Pt의 SEM 이미지이다.
도 4는 본 발명의 저온 ALD Pt 공정에 있어서 코팅 두께(ALD 사이클 횟수)에 따른 저항 변화를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 80℃의 증착 온도에서 면 섬유 위에 ALD Pt가 증착된 전도성 섬유의 SEM 이미지이다.
도 6은 본 발명에 따라 제작된 전도성 섬유의 응용 사례로서, 압력센서의 구조와 그 성능을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따라 제작된 전도성 섬유의 응용 사례로서, 히터의 구조와 그 성능을 보여주는 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a schematic representation of a process cycle of an atomic layer deposition (ALD) process used to coat a conductive thin film on a fiber according to the present invention.
FIG. 2 is a graph showing a growth rate and a resistivity of a thin film according to the deposition temperature in the low-temperature ALD Pt process of the present invention. FIG.
3 is a SEM image of ALD Pt deposited on SiO 2 at a deposition temperature of 80 ° C.
FIG. 4 is a graph showing a resistance change according to a coating thickness (ALD cycle number) in the low temperature ALD Pt process of the present invention.
Figure 5 is an SEM image of conductive fibers deposited with ALD Pt on cotton fibers at a deposition temperature of 80 ° C in accordance with one embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view showing the structure of a pressure sensor and its performance as an application example of the conductive fiber fabricated according to the present invention.
FIG. 7 shows an example of application of the conductive fiber fabricated according to the present invention, showing the structure of a heater and its performance.

이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 전도성 섬유의 제작 방법은 섬유 표면에 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 이용하여 금속을 증착시켜 전도성 박막을 코팅하는 것으로서, 상기 원자층 증착 공정의 단위 사이클 횟수를 변경하여 상기 전도성 박막의 코팅 두께를 조정함으로써 전도성 섬유의 저항을 조절할 수 있는 것임을 특징으로 한다.A method of fabricating a conductive fiber according to the present invention includes coating a conductive thin film by depositing a metal on the surface of a fiber using an atomic layer deposition (ALD) method, wherein the conductive thin film is formed by changing the number of unit cycles of the atomic layer deposition process And the resistance of the conductive fiber can be controlled by adjusting the coating thickness of the conductive thin film.

즉, 본 발명은 원자층 증착법(ALD)을 이용함으로써, 원료 섬유에 전도성 금속 박막을 균일하게 코팅하여 낮은 저항을 부여함과 동시에, ALD 공정 조건의 조정(ALD 사이클 조정)을 통해 이러한 저항 자체를 매우 쉽게 조절할 수 있도록 한 기술이다.That is, the present invention uses the atomic layer deposition (ALD) method to uniformly coat a conductive metal thin film on a raw fiber to provide low resistance and adjust the ALD process condition (ALD cycle adjustment) It is a very easy-to-adjust technology.

원자층 증착법(ALD)은 서로 화학 반응을 일으킬 수 있는 전구체(Precursor)와 반응물(Reactant)의 공급을 주기적으로 반복하여(도 1 참조), 증착 대상 위에서 자기포화(자가제한) 표면 반응을 통해 박막을 형성하는 방법이다. 여기서 전구체들의 반응은 오직 당해 표면 위에서만 이루어지고 사이클 단위로 박막을 증착하기 때문에 우수한 단차피복성과 더불어 원자레벨로 두께조절이 가능한 특징이 있으며, 박막 특성이 우수하고 불순물 형성을 억제할 수 있는 장점도 있다.
The atomic layer deposition (ALD) is a process in which a precursor and a reactant capable of causing a chemical reaction with each other are cyclically repeated (see FIG. 1) . The reaction of the precursors is performed only on the surface of the precursor, and since the thin film is deposited on a cycle basis, excellent step coverage can be achieved, and the thickness can be controlled at the atomic level. The advantage of the thin film characteristic and suppression of impurity formation have.

본 발명에 있어서, 전도성 섬유를 제작하기 위한 주재료인 상기 섬유는 의류 제조용으로 실제 사용되고 있는 임의의 섬유 소재일 수 있다. 예를 들어 천연섬유로서 면(Cotton), 마(Hemp) 또는 견(Silk); 및 합성섬유로서 노맥스(Nomax)(케블라 섬유를 함유한 난연성 섬유);를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 면(Cotton) 섬유를 사용한다. 즉 본 발명은 대표적 의류 소재인 면 소재의 실이나 천 등을 적용하여 전도성 섬유를 제작하는바, 기존 전도성 섬유들이 지니는 특유의 이질감 문제를 해결할 수 있고 우수한 유연성을 확보할 수 있다.
In the present invention, the fiber, which is a main material for producing the conductive fiber, may be any fiber material actually used for producing clothes. For example, natural fibers such as Cotton, Hemp or Silk; And Nomax (flame retardant fiber containing Kevlar fiber) as a synthetic fiber, and cotton fibers are preferably used. That is, the present invention can produce a conductive fiber by applying yarn or cloth of a cotton material, which is a typical clothing material, to solve the inherent heterogeneity problem inherent in existing conductive fibers and to secure excellent flexibility.

본 발명에 있어서, 상기 금속은 비전도성 섬유에 전도성을 부여할 수 있는 임의의 금속, 예컨대 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 백금(Pt)을 사용한다. 한편 본원에서는 금속으로 백금(Pt)을 사용하여 원자층 증착법(ALD)으로 비전도성 섬유의 표면을 코팅하는 공정을 "ALD Pt 공정"으로도 약칭한다.In the present invention, the metal may be any metal capable of imparting conductivity to the nonconductive fiber, such as platinum (Pt), gold (Au), silver (Ag), copper (Cu) Platinum (Pt) is used. Meanwhile, the process of coating the surface of the nonconductive fiber with atomic layer deposition (ALD) using platinum (Pt) as a metal is also abbreviated as "ALD Pt process".

본 발명에 따라 원자층 증착법(ALD)을 수행 시, 금속 전구체로는 금속 원자에 결합된 리간드(Ligand)의 종류에 따라 유기 금속(Metal organic), 할로겐화 금속(Metal halide) 등을 사용할 수 있다.When the atomic layer deposition (ALD) is performed according to the present invention, the metal precursor may be a metal organic or a metal halide depending on the kind of a ligand bonded to a metal atom.

금속 전구체와 반응하여 전도성 박막을 형성하기 위한 반응가스로는 H2O, H2O2, O2 및 O3 등을 사용할 수 있으며, 수산화기가 포함된 산화물의 생성을 최소화하는 측면에서 산소(O2)를 사용하는 것이 바람직하다.
The reaction gas for forming the conductive thin film to react with the metal precursor is oxygen from the side which may be used, such as H 2 O, H 2 O 2 , O 2 and O 3, to minimize the formation of oxide containing a hydroxyl group (O 2 ) Is preferably used.

또한, 본 발명은 전도성 금속 박막의 증착이 상온~300℃의 저온, 예컨대 80~300℃, 더욱 상세하게는 80~100℃ 정도의 낮은 온도를 지닌 섬유 표면에서도 수행될 수 있는 장점이 있다. 그 결과 제작비용을 절감하고 증착 대상인 섬유 원료의 열에 의한 손상 등을 효과적으로 예방할 수 있다.The present invention is also advantageous in that the deposition of the conductive metal thin film can be performed on a fiber surface having a low temperature ranging from room temperature to 300 ° C, for example, from 80 to 300 ° C, more specifically, from 80 to 100 ° C or so. As a result, it is possible to reduce production cost and effectively prevent damages caused by heat of the fiber raw material to be deposited.

일 구체예에서, 본 발명에 따를 경우 80℃의 증착 온도에서 0.2 Å/cycle의 전도성 Pt 박막을 증착할 수 있다.
In one embodiment, according to the present invention, a conductive Pt film can be deposited at a deposition temperature of 80 캜 at a rate of 0.2 Å / cycle.

상기 전도성 섬유는 코팅막의 두께에 따라 단위 길이 당 2~50 Ω/cm 수준(예컨대, ALD 사이클 250~2000회의 경우)의 저항을 지니는 것일 수 있다. 즉 본 발명에 따라 제작된 전도성 섬유는 단위 길이 당 저항이 최저 2 Ω 정도로 저항이 낮을 뿐만 아니라, 이러한 저항값을 쉽게 조절할 수 있는 장점이 있는바, 입을 수 있는 컴퓨터의 다양한 소자 및 센서들에 광범위하게 적용이 가능하다.
The conductive fiber may have a resistance of 2 to 50 Ω / cm per unit length (for example, 250 to 2000 times of ALD cycle) depending on the thickness of the coating film. That is, the conductive fiber fabricated according to the present invention has a resistance of at least 2 Ω per unit length and has a low resistance. In addition, since the resistance value can be easily adjusted, various types of elements and sensors of a computer .

상기 전도성 박막의 두께는 ALD 사이클 횟수에 따라 다양하게 조절될 수 있으며, 예를 들어 100~1000 Å 범위(예컨대, ALD 사이클 500~5000회의 경우)일 수 있다.
The thickness of the conductive thin film can be variously adjusted according to the number of ALD cycles, for example, in the range of 100 to 1000 angstroms (for example, 500 to 5000 times of ALD cycles).

본 발명에 따라 제작된 전도성 섬유는 입을 수 있는 컴퓨터(Wearable computer)의 소재, 예를 들어 입을 수 있는 컴퓨터에 장착된 센서나 소자(예컨대, 섬유 기반 압력센서 및 히터 등)의 제조에 전도성 소재로서 광범위하게 활용될 수 있다.
The conductive fibers fabricated in accordance with the present invention may be used as a conductive material in the manufacture of wearable computer materials, such as sensors or devices mounted on wearable computers (e.g., fiber-based pressure sensors and heaters) Can be widely used.

본 발명의 전도성 섬유의 제작 방법은,The method for producing a conductive fiber of the present invention comprises:

a) 반응 챔버 내에 면 섬유를 배치(및 필요시 소정 온도로 가열)하는 단계;a) disposing cotton fibers in the reaction chamber (and heating to a predetermined temperature if necessary);

b) 상기 반응 챔버 내의 면 섬유 위로 기화된 금속 전구체를 공급 및 흡착시키는 단계;b) feeding and adsorbing the vaporized metal precursor over the face fibers in the reaction chamber;

c) 퍼징가스를 공급하여 반응 챔버로부터 잉여의 기화된 금속 전구체를 제거하는 단계;c) supplying a purge gas to remove excess vaporized metal precursor from the reaction chamber;

d) 금속 전구체가 흡착된 면 섬유 위에 반응가스를 공급 및 반응시켜 전도성 박막을 형성하는 단계;d) forming a conductive thin film by supplying and reacting a reaction gas onto the surface fiber on which the metal precursor is adsorbed;

e) 퍼징가스를 공급하여 반응 챔버로부터 잉여의 반응가스 및 반응 부산물을 제거하는 단계; 및e) supplying a purge gas to remove excess reaction gas and reaction by-products from the reaction chamber; And

f) 원하는 두께의 전도성 박막이 획득될 때까지 상기 b) 단계 내지 e) 단계를 순차적으로 반복 수행하는 단계;를 거쳐 수행될 수 있다.
f) repeating the steps b) to e) sequentially until a conductive thin film having a desired thickness is obtained.

이하, 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 어떠한 의미로든 본 발명의 범위가 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described more specifically by way of examples. However, these examples are provided only for the understanding of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these examples in any sense.

실시예 1: 실리카(SiOExample 1: Preparation of silica (SiO 22 ) 기판에 대한 ALD Pt 코팅) ALD Pt coating on substrate

하기 공정에 따라 증착 온도별로 실리카(SiO2) 기판 상에 ALD Pt 코팅을 수행하였다:ALD Pt coating was performed on silica (SiO 2 ) substrate by deposition temperature according to the following process:

a) 실리카(SiO2) 기판을 반응 챔버 내에 배치하였다.a) A silica (SiO 2 ) substrate was placed in the reaction chamber.

b) 상기 반응 챔버 내의 실리카(SiO2) 기판 표면 위로 기화된 Pt 전구체인 [(1,2,5,6-η)-1,5-hexadiene]dimethylplatinum(Ⅱ) (HDMP)를 캐리어 가스(Ar)와 함께 3초 동안 투여하였다. 이때 Pt 전구체의 적절한 증기압을 얻기 위해 전구체가 담긴 버블러(Bubbler)를 50℃로 가열하고, 캐리어 가스의 유량은 50sccm으로 유지하였다.[(1,2,5,6-η) -1,5-hexadiene] dimethylplatinum (II) (HDMP) which is a vaporized Pt precursor on the surface of a silica (SiO 2 ) ) For 3 seconds. At this time, to obtain a proper vapor pressure of the Pt precursor, a bubbler containing the precursor was heated to 50 DEG C and the flow rate of the carrier gas was maintained at 50 sccm.

c) 기판 표면에 물리적 또는 화학적으로 흡착된 Pt 전구체를 제외한 잉여의 기화된 Pt 전구체를 아르곤 퍼징가스(Purging gas)를 50sccm의 유량으로 3초 동안 공급하여 반응 챔버로부터 제거하였다.c) Excess vaporized Pt precursor, except for the Pt precursor adsorbed physically or chemically on the substrate surface, was removed from the reaction chamber by supplying argon purging gas at a flow rate of 50 sccm for 3 seconds.

d) Pt 전구체가 흡착된 실리카 기판에 반응가스로서 산소(O2)를 6초 동안 투여하여 흡착된 Pt 전구체와 반응시켜 전도성 박막을 형성하였다. 이때 산소(O2)의 유량은 200sccm으로 유지하였다.d) Oxygen (O 2 ) was added as a reaction gas to the silica substrate on which the Pt precursor was adsorbed for 6 seconds and reacted with the adsorbed Pt precursor to form a conductive thin film. At this time, the flow rate of oxygen (O 2 ) was maintained at 200 sccm.

e) 잉여의 반응가스 및 반응 부산물을 아르곤 퍼징가스를 50sccm의 유량으로 3초 동안 공급하여 반응 챔버로부터 제거하였다.e) Surplus reaction gas and reaction by-products were removed from the reaction chamber by supplying argon purging gas at a flow rate of 50 sccm for 3 seconds.

f) 상기 사이클을 전도성 박막이 원하는 두께로 형성될 때까지 반복하여, 원자층 증착법(ALD)에 의해 Pt를 코팅하였다.
f) The cycle was repeated until the conductive thin film was formed to a desired thickness and Pt was coated by atomic layer deposition (ALD).

도 2는 증착 온도에 따른 박막의 성장 속도(Growth rate)와 비저항을 나타낸 것으로, 80℃의 낮은 증착 온도에서도 전도성 박막이 증착되며 이때 박막의 성장 속도는 0.2 Å/cycle로 확인되었다.FIG. 2 shows the growth rate and resistivity of the thin film according to the deposition temperature. Even at a low deposition temperature of 80 ° C, the conductive thin film was deposited, and the growth rate of the thin film was found to be 0.2 Å / cycle.

도 3은 80℃의 증착 온도에서 SiO2 위에 증착된 ALD Pt의 SEM 이미지이다(* 박막 성장 속도: 0.2 Å/cycle, 사이클: 1000회, 박막 두께: 200 Å).
FIG. 3 is an SEM image of ALD Pt deposited on SiO 2 at a deposition temperature of 80 ° C. (* film growth rate: 0.2 Å / cycle, cycle: 1000 times, film thickness: 200 Å).

실시예Example 2:  2: 면실Cottonseed (( CottonCotton threadthread ) 섬유에 대한 ) For fiber ALDALD PtPt 코팅 coating

실리카(SiO2) 기판 대신 일반 의류용 면실(Cotton thread) 섬유를 대상으로 ALD Pt 코팅을 수행한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하다.
The same as Example 1, except that ALD Pt coating was performed on cotton thread fibers for general garments instead of silica (SiO 2 ) substrate.

도 4는 코팅 두께(ALD 사이클 횟수)에 따른 저항 변화를 나타낸 것으로서, 코팅 두께가 증가할수록 저항이 감소하며 저항값 또한 2~50 Ω/cm 수준으로 매우 낮음을 확인할 수 있었다.FIG. 4 shows the resistance change according to the coating thickness (the number of ALD cycles). As the thickness of the coating increases, the resistance decreases and the resistance value is also very low, which is about 2? 50? / Cm.

도 5는 실시예 2에 따라 제작된 전도성 섬유의 SEM 이미지로서, 면실 섬유 전반에 대해 우수한 단차피복으로 Pt가 균일하게 코팅됨을 확인할 수 있었다(* 증착 온도: 80℃, 박막 성장 속도: 0.2 Å/cycle, 사이클: 1000회, 박막 두께: 200 Å).
5 is an SEM image of the conductive fiber fabricated according to Example 2. It was confirmed that Pt was uniformly coated with excellent step coverage over the whole cotton fibers (* deposition temperature: 80 캜, thin film growth rate: 0.2 Å / cycle, cycle: 1000 times, thin film thickness: 200 Å).

실시예Example 3:  3: ALDALD PtPt 코팅된 면 섬유를 이용한 압력센서 및 히터 Pressure sensors and heaters using coated cotton fibers

실시예 2에 따라 제작된 전도성 섬유(* 증착 온도: 80℃, 박막 두께: 200 Å)를 이용하여 입을 수 있는 컴퓨터(Wearable computer)용의 압력센서와 히터를 제조하였다.
A pressure sensor and heater for a wearable computer were fabricated using the conductive fiber fabricated according to Example 2 (* deposition temperature: 80 캜, film thickness: 200 Å).

도 6 및 도 7은 실시예 3에 따라 제조된 압력센서 및 히터의 구조와 성능을 나타낸 것으로서, 본 발명에 따른 전도성 섬유를 이용한 경우 우수한 센싱 성능 및 열적 성능을 나타냄을 확인할 수 있었다.
FIGS. 6 and 7 illustrate the structure and performance of the pressure sensor and the heater manufactured according to Example 3, and it was confirmed that the conductive fiber according to the present invention exhibits excellent sensing performance and thermal performance.

Claims (12)

섬유 표면에 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 이용하여 금속을 증착시켜 전도성 박막을 코팅하는 것이며,
상기 원자층 증착법에 사용되는 금속 전구체는 [(1,2,5,6-η)-1,5-hexadiene]dimethylplatinum(Ⅱ) (HDMP)이고,
금속의 증착은 80~100℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는,
전도성 섬유의 제작 방법.
The conductive thin film is coated by depositing metal on the fiber surface using Atomic Layer Deposition (ALD)
The metal precursor used in the atomic layer deposition method is [(1,2,5,6-.eta.) - 1,5-hexadiene] dimethylplatinum (II) (HDMP)
Characterized in that the deposition of the metal is carried out at < RTI ID = 0.0 > 80-100 C. &
Method of making conductive fiber.
제1항에 있어서,
상기 섬유는 면(Cotton) 섬유, 마(Hemp) 섬유, 견(Silk) 섬유, 또는 노맥스(Nomax) 합성섬유인 것을 특징으로 하는,
전도성 섬유의 제작 방법.
The method according to claim 1,
Characterized in that the fibers are cotton fibers, Hemp fibers, silk fibers or Nomax synthetic fibers.
Method of making conductive fiber.
제2항에 있어서,
상기 섬유는 의류용 면(Cotton) 섬유인 것을 특징으로 하는,
전도성 섬유의 제작 방법.
3. The method of claim 2,
Characterized in that the fibers are cotton fibers for clothing.
Method of making conductive fiber.
제1항에 있어서,
상기 금속은 백금(Pt)인 것을 특징으로 하는,
전도성 섬유의 제작 방법.
The method according to claim 1,
Characterized in that the metal is platinum (Pt).
Method of making conductive fiber.
제1항에 있어서,
상기 원자층 증착 공정의 단위 사이클 횟수를 변경하여 상기 전도성 박막의 코팅 두께를 조정함으로써, 전도성 섬유의 저항을 조절할 수 있는 것임을 특징으로 하는,
전도성 섬유의 제작 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the resistance of the conductive fiber can be controlled by adjusting the coating thickness of the conductive thin film by changing the number of unit cycles of the atomic layer deposition process.
Method of making conductive fiber.
제1항에 있어서,
상기 전도성 박막은 100~1000 Å 범위의 두께로 코팅되는 것을 특징으로 하는,
전도성 섬유의 제작 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive thin film is coated to a thickness ranging from 100 to 1000 ANGSTROM.
Method of making conductive fiber.
제1항에 있어서,
상기 전도성 섬유는 코팅막의 두께에 따라 단위 길이 당 2~50 Ω/cm 수준의 저항을 지니는 것을 특징으로 하는,
전도성 섬유의 제작 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive fiber has a resistance of 2 to 50? / Cm per unit length depending on the thickness of the coating film.
Method of making conductive fiber.
제1항에 있어서,
상기 전도성 섬유는 입을 수 있는 컴퓨터(Wearable computer)의 소재로 사용되는 것을 특징으로 하는,
전도성 섬유의 제작 방법.
The method according to claim 1,
Characterized in that the conductive fibers are used as a material of a wearable computer.
Method of making conductive fiber.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전도성 섬유는 입을 수 있는 컴퓨터(Wearable computer)를 구성하는 소자 또는 센서의 소재로 사용되는 것을 특징으로 하는,
전도성 섬유의 제작 방법.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Characterized in that the conductive fibers are used as a material for elements or sensors constituting a wearable computer.
Method of making conductive fiber.
제9항에 있어서,
상기 소자는 섬유 기반 히터인 것을 특징으로 하는,
전도성 섬유의 제작 방법.
10. The method of claim 9,
Characterized in that the device is a fiber based heater.
Method of making conductive fiber.
제9항에 있어서,
상기 센서는 섬유 기반 압력센서인 것을 특징으로 하는,
전도성 섬유의 제작 방법.
10. The method of claim 9,
Characterized in that the sensor is a fiber based pressure sensor.
Method of making conductive fiber.
a) 반응 챔버 내에 면 섬유를 배치하는 단계;
b) 상기 반응 챔버 내의 면 섬유 위로 기화된 금속 전구체 [(1,2,5,6-η)-1,5-hexadiene]dimethylplatinum(Ⅱ) (HDMP)를 공급 및 흡착시키는 단계;
c) 퍼징가스를 공급하여 반응 챔버로부터 잉여의 기화된 금속 전구체를 제거하는 단계;
d) 금속 전구체가 흡착된 면 섬유 위에 반응가스를 공급하고, 80~100℃에서 반응시켜 전도성 박막을 형성하는 단계;
e) 퍼징가스를 공급하여 반응 챔버로부터 잉여의 반응가스 및 반응 부산물을 제거하는 단계; 및
f) 원하는 두께의 전도성 박막이 획득될 때까지 상기 b) 단계 내지 e) 단계를 순차적으로 반복 수행하는 단계;를 포함하는,
전도성 섬유의 제작 방법.


a) disposing cotton fibers in the reaction chamber;
b) feeding and adsorbing the vaporized metal precursor [(1,2,5,6-η) -1,5-hexadiene] dimethylplatinum (II) (HDMP) onto the surface fibers in the reaction chamber;
c) supplying a purge gas to remove excess vaporized metal precursor from the reaction chamber;
d) supplying a reaction gas onto the surface fiber on which the metal precursor is adsorbed and reacting at 80 to 100 캜 to form a conductive thin film;
e) supplying a purge gas to remove excess reaction gas and reaction by-products from the reaction chamber; And
f) repeating the steps b) to e) sequentially until a conductive thin film having a desired thickness is obtained.
Method of making conductive fiber.


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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102075719B1 (en) 2018-08-09 2020-02-11 한국생산기술연구원 Fiber type multi-pressure sensor
KR102272906B1 (en) 2020-04-03 2021-07-05 한국과학기술원 Nano pattern transfer method using water-soluble polymer and template for nano pattern transfer
US11378471B2 (en) 2019-11-26 2022-07-05 Korea Institute Of Industrial Technology Method of fabricating a conductive fabric, a multi-pressure sensor for a fiber type and a multi-pressure measuring method using the sensor
WO2024020555A1 (en) * 2022-07-21 2024-01-25 Opteev Technologies, Inc. Biosensors with one-dimensional conducting polymer systems

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070046784A (en) * 2004-03-02 2007-05-03 인터매틱스 코포레이션 Low platinum fuel cells, catalysts, and method for preparing the same
KR100984565B1 (en) * 2010-02-08 2010-09-30 주식회사 가소닉스 Fixing device for atomic layer deposition of powder type and method of superhydrophobic powder using the same
KR20150016457A (en) * 2013-08-02 2015-02-12 한국과학기술원 Stack structure electrode of metal coated polymer nanofiber membrane and manufacturing method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070046784A (en) * 2004-03-02 2007-05-03 인터매틱스 코포레이션 Low platinum fuel cells, catalysts, and method for preparing the same
KR100984565B1 (en) * 2010-02-08 2010-09-30 주식회사 가소닉스 Fixing device for atomic layer deposition of powder type and method of superhydrophobic powder using the same
KR20150016457A (en) * 2013-08-02 2015-02-12 한국과학기술원 Stack structure electrode of metal coated polymer nanofiber membrane and manufacturing method thereof

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Adriaan et al., Room-Temperature Atomic Layer Deposition of Platinum (Chem. Mater. 2013, 25, 1769-1774) (2013.03.18.) 1부. *
Chem. Mater, 2013, 25, pp.1769-1774 *
Chem. Mater, 2013, 25, pp.1769-1774*
논문(Adv. Funct. Mater. 2011) *
논문(Chem. Mater. 2013) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102075719B1 (en) 2018-08-09 2020-02-11 한국생산기술연구원 Fiber type multi-pressure sensor
US11378471B2 (en) 2019-11-26 2022-07-05 Korea Institute Of Industrial Technology Method of fabricating a conductive fabric, a multi-pressure sensor for a fiber type and a multi-pressure measuring method using the sensor
KR102272906B1 (en) 2020-04-03 2021-07-05 한국과학기술원 Nano pattern transfer method using water-soluble polymer and template for nano pattern transfer
WO2024020555A1 (en) * 2022-07-21 2024-01-25 Opteev Technologies, Inc. Biosensors with one-dimensional conducting polymer systems

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