KR100975919B1 - Method for forming external electrode of tantal condenser - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성을 위한 도금 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plating method for forming an external electrode of a tantalum capacitor.
본 발명에 따른 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성 방법은 탄탈 콘덴서의 몰딩재 표면에 불화물을 이용한 전처리 단계; 상기 몰딩재 표면에 노출된 탄탈 와이어의 단부측 표면이 팔라듐이 포함된 촉매 처리액에 의해서 1차 촉매 처리되는 단계; 상기 탄탈 와이어 단부 주위의 상기 몰딩재 표면이 팔라듐이 포함된 촉매 처리액에 의해서 2차 촉매 처리되는 단계; 및 상기 탄탈 와이어와 몰딩재의 표면에 니켈 도금막이 형성되는 단계;를 포함하며, 콘덴서 소자의 전기적 특성이 양호하게 유지되는 장점이 있으며, 탄탈 콘덴서의 정전용량 확보를 위한 콘덴서 소자의 체적 효율을 증대시킬 수 있는 이점이 있다.The method for forming an external electrode of a tantalum capacitor according to the present invention includes a pretreatment step using fluoride on the molding material surface of the tantalum capacitor; Primary catalytic treatment of the end side surface of the tantalum wire exposed to the molding material by the catalyst treatment liquid containing palladium; Subjecting the molding material surface around the tantalum wire end to a second catalytic treatment with a catalyst treatment liquid containing palladium; And forming a nickel plated film on the surface of the tantalum wire and the molding material, and having an advantage of maintaining good electrical characteristics of the capacitor element, and increasing the volumetric efficiency of the capacitor element for securing the capacitance of the tantalum capacitor. There is an advantage to this.
탄탈 콘덴서, 탄탈 와이어, 몰딩재, 촉매 처리, 팔라듐, 니켈 도금막 Tantalum Capacitors, Tantalum Wire, Molding Materials, Catalytic Treatment, Palladium, Nickel Plating
Description
본 발명은 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성을 위한 도금 방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 탄탈 와이어의 단부가 노출된 탄탈 콘덴서의 일면에 불화물을 이용한 전처리와 팔라듐을 이용한 이중의 촉매 처리를 한 후 무전해 니켈 도금에 의해 외부전극이 형성되도록 한 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plating method for forming an external electrode of a tantalum capacitor, and more particularly, electroless nickel after a pretreatment using fluoride and a double catalyst treatment using palladium on one surface of a tantalum capacitor having exposed tantalum wire ends. The present invention relates to a method of forming an external electrode of a tantalum capacitor in which an external electrode is formed by plating.
일반적으로, 고체 전해 콘덴서는 전기를 축적하는 기능 이외에 직류 전류를 차단하고 교류 전류를 통과시키려는 목적으로도 사용되는 전자부품으로, 이러한 고체 전해 콘덴서 중 대표적인 탄탈 콘덴서는 일반 산업 기기용 이외에 정격전압 사용 범위가 낮은 응용 회로에 주로 사용되며, 특히 주파수 특성이 문제되는 회로나 휴대 통신 기기의 잡음 감소를 위하여 많이 사용되고 있다.In general, solid electrolytic capacitors are electronic components used for the purpose of blocking direct current and passing alternating current in addition to the function of accumulating electricity. Representative tantalum capacitors among these solid electrolytic capacitors are rated voltage in addition to general industrial equipment. Is mainly used for low application circuits, and is particularly used for noise reduction of circuits or portable communication devices in which frequency characteristics are problematic.
이러한 고체 전해 콘덴서는 콘덴서의 용량 및 특성을 결정하는 유전체분말 소재로 루어진 콘덴서 소자와, 상기 콘덴서 소자에 연결되는 양극 및 음극 리드프 레임 및 상기 콘덴서 소자를 외부환경으로부터 보호하고 콘덴서 소자의 형상을 만들기 위한 에폭시(Epoxy) 재질의 몰딩재로 구성된다.The solid electrolytic capacitor is a capacitor element made of a dielectric powder material that determines the capacity and characteristics of the capacitor, the positive and negative lead frames connected to the capacitor element, and the capacitor element to protect the condenser element from the external environment and the shape of the capacitor element. It is composed of molding material made of epoxy material.
이때, 상기 콘덴서 소자는 일측 단부측에 봉상의 양극 와이어가 돌출 형성되어 있다.At this time, the condenser element has a rod-shaped anode wire protruding from one end side.
여기서, 상기 콘덴서 소자를 제조하는 공정은 프레스 공정에서 유전체분말을 직육면체 상으로 성형하여 소결하고, 화성 공정을 거치면서 외부면에 유전체 산화피막을 형성한 다음, 질산망간수용액에 함침하여 그 외부면에 고체 전해질로 된 이산화 망간층을 열분해하여 형성한다.Here, the process of manufacturing the condenser element is formed by sintering the dielectric powder onto a rectangular parallelepiped in the press process, forming a dielectric oxide film on the outer surface during the chemical conversion process, and then impregnating the aqueous solution of manganese nitrate on the outer surface thereof. The manganese dioxide layer of solid electrolyte is formed by pyrolysis.
상기와 같이 제조된 콘덴서 소자에 상기 양극 및 음극 리드프레임을 연결하는 공정은, 상기 콘덴서 소자의 일측면에 일정 길이로 돌출된 봉 상의 양극 와이어의 압공면에 판 상의 양극 리드프레임을 용접하여 양극 단자를 인출하는 단계와, 상기 콘덴서 소자의 외부 표면이나 음극 리드프레임에 도포된 도전성 접합제를 매개로 하여 상기 음극단자를 인출하는 단계로 이루어진다.The process of connecting the positive electrode and the negative lead frame to the condenser device manufactured as described above, the positive electrode terminal by welding a plate of the positive lead frame on the plate of the positive electrode wire of the rod protruding to a certain length on one side of the capacitor element And a step of withdrawing the negative electrode terminal through the conductive binder applied to the outer surface of the capacitor element or the negative lead frame.
그리고, 상기 양극 및 음극 리드프레임에 각각 전기적으로 연결된 상기 콘덴서 소자는 외장 공정에서 에폭시를 이용한 몰딩재에 의해서 외장이 형성한 후, 기타 후속 조립 공정을 통해 고체 전해 콘덴서로 완성된다.In addition, the capacitor device electrically connected to the anode and cathode lead frames, respectively, is formed by a molding material using epoxy in an exterior process, and is then completed as a solid electrolytic capacitor through other subsequent assembly processes.
이와 같이 제작된 종래의 고체 전해 콘덴서는 양극 와이어와 양극 리드프레임을 전기적으로 연결시키기 위하여 주로 전기 저항을 이용한 용접 방식이 이용됨에 따라 용접하는 과정에서 고온의 열이 발생하게 되며, 열적 스트레스로 인하여 콘덴서 소자의 유전체가 손상되어 제품의 특성 저하 및 불량이 발생되는 문제점이 있다.In the conventional solid electrolytic capacitor fabricated as described above, a high temperature heat is generated during the welding process because a welding method using electrical resistance is mainly used to electrically connect the anode wire and the anode lead frame. There is a problem in that the dielectric of the device is damaged to cause deterioration and defects of the product.
또한, 용접 과정에서의 콘덴서 소자 손상을 최소화하기 위하여 양극 와이어와 양극 리드프레임 사이에 보강재를 삽입한 후 용접이 이루어지도록 하고 있으나, 보강재의 삽입에 의해서 콘덴서 소자의 크기가 보강재의 크기만큼 줄어들 수 밖에 없기 때문에 콘덴서 소자의 체적 효율이 줄어들고, 정전용량이 현저히 작아지는 단점이 있다.In addition, in order to minimize the damage of the capacitor element in the welding process, welding is performed after inserting a reinforcement between the anode wire and the anode lead frame, but the size of the capacitor element can only be reduced by the size of the reinforcement by inserting the reinforcement material. There is a disadvantage in that the volumetric efficiency of the capacitor element is reduced and the capacitance is significantly smaller.
따라서, 본 발명은 종래 탄탈 콘덴서에서 제기되고 있는 상기 제반 단점과 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 탄탈 와이어의 단부가 노출된 탄탈 콘덴서의 외주면에 불화물을 이용한 전처리와 팔라듐(Pd)를 이용한 이중의 촉매 처리를 통해 무전해 니켈 도금층이 형성되어 탄탈 와이어와 양극 리드프레임이 전기적으로 연결되도록 함으로써, 탄탈 콘덴서의 정전용량 확보를 위한 콘덴서 소자의 체적 효율을 증대시킬 수 있으며, 콘덴서 소자의 전기적 특성이 양호하게 유지되도록 한 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성 방법이 제공됨에 발명의 목적이 있다.Accordingly, the present invention was devised to solve the above-mentioned disadvantages and problems in the conventional tantalum capacitor, and the pretreatment using fluoride on the outer circumferential surface of the tantalum capacitor having exposed ends of the tantalum wire and the dual use of palladium (Pd) The electroless nickel plating layer is formed through the catalytic treatment so that the tantalum wire and the anode lead frame are electrically connected to each other, thereby increasing the volumetric efficiency of the capacitor element for securing the capacitance of the tantalum capacitor, and the electrical characteristics of the capacitor element are good. It is an object of the present invention to provide a method for forming an external electrode of a tantalum capacitor, which is maintained to be maintained.
본 발명의 상기 목적은, 탄탈 콘덴서의 몰딩재 표면에 불화물을 이용한 전처리 단계와, 상기 몰딩재 표면에 노출된 탄탈 와이어의 표면과 상기 탄탈 와이어 주위의 몰딩재 표면에 팔라듐을 이용하여 이중으로 각각 촉매 처리를 하는 단계 및 탄탈 와이어와 몰딩재의 표면에 니켈 도금막이 형성되는 단계를 포함하는 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성 방법이 제공됨에 의해서 달성된다.The above object of the present invention, the pre-treatment step using a fluoride on the molding material surface of the tantalum capacitor, and the catalyst of the tantalum wire exposed to the molding material surface and the palladium on the surface of the molding material around the tantalum wire, respectively, respectively It is achieved by providing a method of forming an external electrode of a tantalum capacitor, including the step of performing the treatment and the step of forming a nickel plated film on the surface of the tantalum wire and the molding material.
이때, 상기 탄탈 콘덴서의 전처리 단계 이전에는 도금막 형성 부위에 알칼리 탈지와 산탈지 공정을 선행하여 도금막 형성 대상의 표면을 세척한다.At this time, prior to the pretreatment step of the tantalum capacitor, the surface of the plating film formation target is cleaned by performing an alkali degreasing and an acid degreasing process on the plating film formation site.
상기 탄탈 콘덴서의 전처리는 불화붕소산(HBF4) 계열의 불화물을 이용하여 탄탈 콘덴서의 몰딩재 표면에 형성된 산화막을 제거한다.The pretreatment of the tantalum capacitor removes an oxide film formed on the molding material surface of the tantalum capacitor by using fluoride of boron fluoride (HBF 4 ) series.
또한, 상기 탄탈 콘덴서는 콘덴서 소자의 외주면을 감싸고 있는 몰딩재의 양측 단부 표면과 상기 콘덴서 소자의 일측부에 결합되어 몰딩재 표면에 노출된 탄탈 와이어의 단부측에 각각 촉매 처리가 수행된다.In addition, the tantalum capacitor is coupled to both end surfaces of the molding material surrounding the outer circumferential surface of the condenser element and coupled to one side of the condenser element, respectively, and the catalytic treatment is performed on the end side of the tantalum wire exposed on the molding material surface.
여기서, 몰딩재와 탄탈 와이어의 촉매 처리는 1차로 이온 타입의 팔라듐 촉매액을 이용하여 금속 재질인 양극 와이어 단부에서만 선택적으로 팔라듐에 의한 치환 도금이 이루어지도록 하고, 콜로이드 타입의 팔라듐 촉매액을 사용하여 에폭시 재질인 몰딩재의 표면에 팔라듐에 의한 환원 도금으로 이루어진다.Here, the catalyst treatment of the molding material and the tantalum wire is primarily made of substitution plating by palladium at the end of the positive electrode wire made of metal using an ion type palladium catalyst solution, and using a colloidal palladium catalyst solution. It consists of reduction plating by palladium on the surface of the molding material which is an epoxy material.
한편, 탄탈 콘덴서의 양측부에 순차적으로 촉매 처리를 수행한 후, 무전해 도금에 의해서 균일한 도금층으로 성장된 니켈 도금막이 형성되도록 함으로써, 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성이 완료된다.On the other hand, after the catalyst treatment is sequentially performed on both sides of the tantalum capacitor, the nickel plated film grown in the uniform plating layer is formed by electroless plating, thereby forming the external electrode of the tantalum capacitor.
이때, 상기 니켈 도금막은 몰딩재로 둘러싸인 콘덴서 소자의 전기적 특성이 유지되도록 하기 위하여 저항값이 낮은 니켈 도금막으로 형성되며, 니켈 도금막을 형성하기 위한 무전해 도금액은 P 함량이 낮은 도금액이 주로 사용된다.In this case, the nickel plated film is formed of a nickel plated film having a low resistance value in order to maintain the electrical characteristics of the capacitor element surrounded by the molding material, the electroless plating solution for forming the nickel plated film is mainly used a plating solution with a low P content .
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성 방법은, 탄탈 콘덴서의 도금 대상면에 불화물을 이용한 전처리와 팔라듐(Pd)를 이용한 이중의 촉매 처리를 통해 도금 대상면 전체에 니켈 도금막이 균일한 두께로 성장되도록 함으로써, 콘덴서 소자의 전기적 특성이 양호하게 유지되는 장점이 있 으며, 탄탈 콘덴서의 정전용량 확보를 위한 콘덴서 소자의 체적 효율을 증대시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, in the method of forming an external electrode of a tantalum capacitor according to the present invention, nickel plating is performed on the entire surface of the tantalum capacitor by pretreatment using fluoride on the surface to be plated and dual catalyst treatment using palladium (Pd). By allowing the film to grow to a uniform thickness, there is an advantage that the electrical characteristics of the condenser element is maintained well, there is an advantage that can increase the volumetric efficiency of the condenser element for securing the capacitance of the tantalum capacitor.
본 발명에 따른 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성 방법의 상기 목적에 대한 기술적 구성을 비롯한 작용효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.Matters relating to the operational effects including the technical configuration of the external electrode forming method of the tantalum capacitor according to the present invention will be clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.
먼저, 도 1은 본 발명에 따른 외부전극 형성 방법이 적용된 탄탈 콘덴서의 일실시예 단면도이다.First, Figure 1 is a cross-sectional view of an embodiment of a tantalum capacitor to which the external electrode forming method according to the present invention is applied.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 일실시예의 외부전극 형성 방법이 채용되는 탄탈 콘덴서(100)는 탄탈륨 파우더의 소결에 의해 제작되는 펠렛(pellet) 형태의 콘덴서 소자(110)와, 콘덴서 소자(110)에 삽입되어 양극을 형성하는 탄탈 와이어(120)와, 콘덴서 소자(110)와 탄탈 와이어(120)의 외주면을 감싸는 몰딩재(130) 및 상기 몰딩재(130)의 양측부에 도금 방식에 의해 형성된 외부전극(140)으로 구성된다.As shown in the drawing, the
상기 콘덴서 소자(110)는 탄탈 콘덴서의 정전용량을 결정하는 것으로 몰딩재(130) 내에서 차지하는 체적을 크게 할수록 정전용량을 크게 할 수 있다. 따라서, 규격화된 크기의 탄탈 콘덴서 내에 콘덴서 소자(110)의 체적 효율을 얼마나 증가시키느냐가 기술 개발의 관건이며, 앞서 설명된 종래의 탄탈 콘덴서와 같이 용접 을 위한 보강재를 사용하지 않고 도금 방식에 의해 탄탈 와이어(120)와 연결된 양극의 단자를 가지도록 함으로써, 콘덴서 소자(110)의 체적 효율을 증가시킬 수 있다.The
상기 콘덴서 소자(110)는 일측에 탄탈 와이어(120)가 삽입 장착된 상태로 에폭시 재질의 몰딩재(130)로 둘러싸여 절연되며, 상기 몰딩재(130)의 일측부로 탄탈 와이어(120)의 일단부측이 노출된다.The
또한, 상기 몰딩재(130)의 양측부에는 외부 기기와의 전기적 접속을 위한 외부전극(140)이 형성되는 데, 상기 외부전극(140)은 도금 방식에 의해 몰딩재(130)의 양측부에 형성된다.In addition,
상기 외부전극(140)은 상기 몰딩재(130)의 일측 표면으로 노출된 탄탈 와이어(120)와 접속되어 양극의 극성을 가지고, 은 페이스트(150)와 접촉되어 음극을 극성을 가지도록 하며, 경우에 따라 도 2에 도시된 바와 같이 몰딩재(130)의 하면에 음극 및 양극 리드프레임(161)(162)이 별도로 부착되고, 양극 리드프레임(162)이 도금막(170)에 의해서 탄탈 와이어(120)와 전기적으로 연결된 구조를 취하도록 할 수 있다.The
한편, 도 1에 도시된 바와 같은 기술적 구성을 갖는 탄탈 콘덴서(100)는 양극과 음극을 갖는 리드프레임 자체가 도금막으로 이루어진 외부전극(140)으로 형성되기 때문에 콘덴서 소자(110)의 정전용량을 향상시킬 수 있으며, 외부전극(140)을 형성하기 위한 공정을 단축하여 제조 단가를 절감할 수 있다.Meanwhile, the
이때, 상기 외부전극(140) 형성을 위한 도금 방법은 팔라듐(Pd) 촉매 처리에 의한 니켈(Ni) 무전해 도금 방식에 의해 수행되는 바, 일반적인 무전해 도금 방식으로는 몰딩재(130)의 측면에 형성된 니켈 도금막이 불균일하게 형성될 수 있다.At this time, the plating method for forming the
이는, 에폭시 재질로 이루어진 몰딩재(130)와 몰딩재(130)에 노출된 탄탈 와이어(120)의 노출 표면, 즉 금속 재질과 비금속 재질의 표면에서 팔라듐 촉매가 불균일하게 흡착됨에 따라 니켈 도금층의 성장 속도가 각각 다르기 때문에 탄탈 와이어(120)와 몰딩재(130)의 경계 부위의 도금 편차에 의해서 주로 발생되며, 각 부위의 도금 편차에 의해 도금면의 전기적 특성에 편차가 발생된다.This is because the nickel plating layer grows as the palladium catalyst is unevenly adsorbed on the exposed surface of the
아래 도시된 도 3은 앞서 설명된 무전해 도금 방식에 의해 30분간 도금 후, 도금막이 형성된 몰딩재(130)의 외관을 촬영한 사진으로 중앙부의 탄탈 와이어(120)와 그 주위의 몰딩재(130) 표면이 불균일하게 도금되어 전기적 연결이 용이하게 이루어지지 않은 상태임을 알 수 있다.3 shown below is a photograph of the appearance of the
따라서, 본 발명은 탄탈 콘덴서(100)의 몰딩재(130)와 몰딩재(130) 표면에 노출된 탄탈 와이어(120) 단부면의 도금막이 균일하게 형성되도록 하기 위한 것으로, 탄탈 콘덴서(100)의 도금 대상면에 불화물 처리 후, 각기 다른 재질로 구성된 몰딩재(130)와 탄탈 와이어(120) 단부면에 각각 촉매 처리가 이루어지도록 함으로써, 무전해 도금에 의한 니켈 도금막이 균일하게 성장될 수 있도록 한다.Therefore, the present invention is to ensure that the plating film of the
아래 도시된 도 4는 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성 방법의 일실시예 순서도이고, 도 5 내지 도 6은 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서의 일측 단부 확대 단면도이다.4 is a flow chart illustrating an embodiment of a method of forming an external electrode of a tantalum capacitor according to the present invention, and FIGS. 5 to 6 are enlarged cross-sectional views of one end of the tantalum capacitor according to the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 외부전극 형성 방법은 먼저, 탄탈 와이어(120)가 결합된 콘덴서 소자(110)를 둘러싸고 있는 에폭시 재질의 몰딩재(130) 표면에 불화물을 이용한 전처리 공정이 수행된다.As shown, the external electrode forming method of the embodiment according to the present invention, first, a pretreatment process using a fluoride on the surface of the
상기 몰딩재(130) 표면의 전처리 공정은 불화붕소산(HBF4) 계열의 불화물을 이용하여 몰딩재(130) 표면의 도금 대상면에 산화막을 제거한다.In the pretreatment process on the surface of the
여기서, 상기 도금 대상면의 산화막을 제거하는 이유는, 도금막을 형성하고자 하는 몰딩재(130)의 표면과 탄탈 와이어(120)의 단부면에 산화막을 구성하는 옥사이드가 존재할 경우에 도금층이 형성되지 않거나 저항이 증가하게 됨에 따라 도금 효율을 향상시키기 위함이다.Here, the reason for removing the oxide film of the plating target surface is that the plating layer is not formed when there is an oxide constituting the oxide film on the surface of the
이때, 상기 불화물을 이용한 도금 대상면의 산화막을 제거하기 전에 몰딩재(130) 표면에 존재하는 이물질의 탈지나 유기물을 제거하기 위하여 알칼리 탈지와 산 탈지를 교대로 행하여 몰딩재 표면의 세척이 이루어지도록 한다.At this time, before removing the oxide film on the surface to be plated using the fluoride, alkali degreasing and acid degreasing are alternately performed to clean the surface of the molding material in order to remove degreasing of foreign matter or organic matter present on the surface of the
다음으로, 산화막이 제거된 도금 대상면에 팔라듐(Pd)이 포함된 촉매 처리액을 이용하여 1차 촉매 처리가 수행된다. 여기서, 1차 촉매 처리는 몰딩재(130) 표면에 노출된 탄탈 와이어(120)의 단부면에 선택적으로 팔라듐 도금층(210)이 형성되도록 하기 위한 것으로 주로 팔라듐이 포함된 이온(ion) 타입의 촉매 처리액이 사용된다.Next, the first catalyst treatment is performed using the catalyst treatment liquid containing palladium (Pd) on the plating target surface from which the oxide film is removed. Here, the primary catalyst treatment is to cause the
이때, 상기 이온 타입의 1차 촉매 처리액 중에 포함된 팔라듐은 팔라듐 치환 도금에 의해서 도 5a와 같이 탄탈 와이어(120) 단부의 표면 상에서만 선택적으로 흡착된다.At this time, palladium contained in the ionic type primary catalyst treatment liquid is selectively adsorbed only on the surface of the
한편, 상기와 같이 몰딩재(130)의 도금 대상면에 노출된 탄탈 와이어(120)의 표면에 선택적으로 팔라듐 도금층을 형성할 때, 불화붕소산(HBF4) 계열의 불화물과 팔라듐이 포함된 촉매 처리액을 이용하여 몰딩재(130) 표면으로 노출된 탄탈 와이어(120) 단부면의 산화막 제거와 팔라듐 도금층 형성이 동시에 수행될 수 있도록 할 수도 있다.On the other hand, when forming a palladium plating layer selectively on the surface of the
다음, 도금 대상면의 탄탈 와이어(120) 표면에 팔라듐 도금층이 형성되면, 산화막이 제거된 도금 대상면에 팔라듐(Pd)이 포함된 촉매 처리액을 이용하여 2차 촉매 처리가 수행된다. 여기서, 2차 촉매 처리는 도 5b에 도시된 바와 같이 도금 대상면의 몰딩재(130) 표면에 선택적으로 팔라듐 도금층(220)이 형성되도록 하기 위한 것으로, 주로 팔라듐이 포함된 콜로이드(colloid) 타입의 촉매 처리액이 사용된다.Next, when the palladium plating layer is formed on the surface of the
이때, 상기 콜로이드 타입의 2차 촉매 처리액 중에 포함된 팔라듐은 팔라듐 환원 도금에 의해 에폭시 재질인 몰딩재(130)의 표면 상에 선택적으로 흡착된다.At this time, palladium contained in the colloid type secondary catalyst treatment liquid is selectively adsorbed on the surface of the
이와 같이 1차 및 2차 촉매 처리액에 의한 도금 대상면의 촉매 처리에 의해서 도금 대상면인 몰딩재(130)와 탄탈 와이어(120) 단부면 상에 니켈 도금막이 균일하게 성장할 수 있는 팔라듐 도금층(210)(220)이 도금 대상면 전체에 걸쳐 균일하게 형성된다.As described above, a palladium plating layer in which a nickel plating film may be uniformly grown on the
한편, 상기와 같이 탄탈 와이어(120) 단부면이 몰딩재(130) 표면에 노출된 도금 대상면의 팔라듐 흡착을 위한 촉매 처리시, 이온 타입의 촉매 처리액과 콜로이드 타입의 촉매 처리액을 혼합하여 탄탈 와이어(120)의 단부면과 몰딩재(130) 표면이 동시에 팔라듐에 의한 촉매 처리가 이루어지도록 할 수 있다.On the other hand, as described above, during the catalyst treatment for adsorption of palladium on the surface to be plated, the
마지막으로, 탄탈 와이어(120)의 단부면과 몰딩재(130)의 표면에 촉매 처리액을 이용한 팔라듐 도금층이 형성되면, 외부전극을 형성하기 위한 니켈 도금막(230)을 형성한다.Finally, when the palladium plating layer using the catalyst treatment liquid is formed on the end surface of the
상기 니켈 도금막(230)은 P 함량이 3~4%가 포함된 무전해 도금액 중에 도금 대상면을 침지시켜 탄탈 콘덴서(100)의 도금 대상면에 비교적 저항값이 낮은 Ni-P 또는 Ni-B 도금막으로 형성되며, 도 6과 같이 팔라듐 도금층 상에 균일한 두께로 성장됨으로써, 도금 대상면 전체에 걸쳐 전기적 특성이 균일하게 구현될 수 있도록 한다.The
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이나, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for the purpose of illustration, and various substitutions, modifications, and changes within the scope without departing from the spirit of the present invention for those skilled in the art to which the present invention pertains. It will be possible, but such substitutions, changes and the like should be regarded as belonging to the following claims.
도 1은 본 발명에 따른 외부전극 형성 방법이 적용된 탄탈 콘덴서의 일실시예 단면도.1 is a cross-sectional view of an embodiment of a tantalum capacitor to which an external electrode forming method according to the present invention is applied.
도 2는 본 발명에 따른 외부전극 형성 방법이 적용된 탄탈 콘덴서의 다른 실시예 단면도.2 is a cross-sectional view of another embodiment of a tantalum capacitor to which an external electrode forming method according to the present invention is applied.
도 3은 무전해 도금 방식에 의해 니켈 도금막이 형성된 몰딩재의 외관을 촬영한 사진.3 is a photograph of the appearance of a molding material in which a nickel plating film is formed by an electroless plating method.
도 4는 본 발명에 따른 탄탈 콘덴서의 외부전극 형성 방법의 순서도.4 is a flowchart of a method of forming an external electrode of a tantalum capacitor according to the present invention.
도 5 내지 도 6은 본 발명에 의해 외부전극이 형성된 탄탈 콘덴서의 일측 단부 확대 단면도.5 to 6 is an enlarged cross-sectional view of one end of the tantalum capacitor formed with an external electrode according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
110. 콘덴서 소자 120. 탄탈 와이어110.
130. 몰딩재 140. 외부전극130.
210, 220. 팔라듐 도금층 230. 니켈 도금막210, 220.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05287540A (en) * | 1992-04-14 | 1993-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface treatment of tantalum and production of tantalum solid electrolyte capacitor by using the same |
| JP2003313672A (en) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Murata Mfg Co Ltd | Method for plating electronic parts, and electronic parts |
| JP2005026257A (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor and its manufacturing method |
| JP2005116745A (en) | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Works Ltd | Conductor coating polyimide film and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0620885A (en) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Chip-type solid-state electrolytic capacitor |
| JPH09246101A (en) * | 1996-03-05 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Chip solid electrolytic capacitor |
| JP2000297380A (en) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Yamato Denki Kogyo Kk | Electroless plating method for glass ceramic substrate |
| DE10002102A1 (en) * | 2000-01-20 | 2001-07-26 | Bayer Ag | Primer giving high adhesion values in electroless metallization of plastics, e.g. ABS moldings, glass or metals at low bath loads contains nanoscale hydrophilic swelling agent particles |
| JP4081576B2 (en) * | 2003-06-18 | 2008-04-30 | 上村工業株式会社 | Method for forming electroless plating film, replacement catalyst solution used therefor, printed wiring board, and heat dissipation plating member |
| JP5526455B2 (en) * | 2005-09-12 | 2014-06-18 | 富士ゼロックス株式会社 | Core |
| JP2007317813A (en) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Nec Tokin Corp | Solid-state electrolytic capacitor |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05287540A (en) * | 1992-04-14 | 1993-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface treatment of tantalum and production of tantalum solid electrolyte capacitor by using the same |
| JP2003313672A (en) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Murata Mfg Co Ltd | Method for plating electronic parts, and electronic parts |
| JP2005026257A (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor and its manufacturing method |
| JP2005116745A (en) | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Works Ltd | Conductor coating polyimide film and manufacturing method thereof |
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