JPWO2012176403A1 - Buck / Boost AC / DC Converter - Google Patents
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Abstract
本発明に係る昇降圧型AC/DCコンバータは、交流信号を全波整流することにより全波整流信号を生成する全波整流動作と、降圧動作とを行うためのスイッチ素子(206〜209)と、昇圧動作を行うためのスイッチ素子(212及び213)と、リアクタ(11)と、スイッチ素子(206〜209)と、スイッチ素子(212及び213)との一方に、PWMを用いた降圧動作及び昇圧動作の一方を選択的に行わせることにより、直流電圧(Vdc)を一定に制御する制御部(200)とを備え、スイッチ素子(206〜209、212及び213)は、FET特性、逆FET特性及び逆導通特性を有し、制御部(200)は、さらに、交流信号の極性に応じて、スイッチ素子(206〜209)に供給するゲート/ソース間電圧を切り替えることにより、スイッチ素子(206〜209)に全波整流動作を行わせる。A step-up / step-down AC / DC converter according to the present invention includes a switch element (206 to 209) for performing a full-wave rectification operation for generating a full-wave rectification signal by full-wave rectification of an AC signal, and a step-down operation. Step-down operation and step-up using PWM for one of the switch elements (212 and 213), the reactor (11), the switch elements (206 to 209), and the switch elements (212 and 213) for performing the step-up operation A control unit (200) that controls the DC voltage (Vdc) to be constant by selectively performing one of the operations, and the switch elements (206 to 209, 212, and 213) have FET characteristics and inverse FET characteristics. The control unit (200) further supplies a gate / source voltage supplied to the switch elements (206 to 209) according to the polarity of the AC signal. By replacing it Ri, to perform full-wave rectification operation to the switch elements (206-209).
Description
本発明は、入力交流電圧を整流して所望の直流電圧を出力する高入力力率で高効率の昇降圧型AC/DCコンバータに関する。 The present invention relates to a high input power factor and high efficiency step-up / step-down AC / DC converter that rectifies an input AC voltage and outputs a desired DC voltage.
図17は、特許文献1に記載されているDC(直流)ブラシレスモータ駆動装置の回路ブロック図である。このDCブラシレスモータ駆動装置は、全波整流ダイオードブリッジ4と、コンバータ5と、制御回路43に内蔵されているコンバータ制御回路とにより、当該駆動装置の入力信号である商用電源1に対して交流電源の力率改善制御を行う。つまり、当該駆動装置は、商用電源1の交流電流波形が全波整流の入力電圧波形と相似形である高入力力率PFC(Power Factor Correction:力率改善)コンバータを有する。
FIG. 17 is a circuit block diagram of a DC (direct current) brushless motor driving device described in
当該DCブラシレスモータ駆動装置の要点は、上記の高入力力率に加え、コンバータ5が昇降圧コンバータ動作によりインバータの直流電圧Vdcを、当該駆動装置の入力信号である商用電源1の交流電圧に関わらず、所望の値に設定できることにある。この機能によりDCブラシレスモータ31を駆動するインバータ18は、PWM(Pulse Width Modulation)駆動時の変調率が絶えず最大になるように、インバータ18の直流電圧Vdcを可能な限り低くした状態でDCブラシレスモータ31を駆動することができる。これにより、当該駆動装置は、インバータのスイッチング損失を小さく抑えることができ、なお且つモータ駆動電流の脈流成分を小さくできる。これらにより、当該駆動装置は、モータの鉄損を減らすことができる。
The main point of the DC brushless motor driving device is that, in addition to the above high input power factor, the converter 5 operates the buck-boost converter to change the DC voltage Vdc of the inverter to the AC voltage of the
しかしながら、従来の昇降圧型AC/DCコンバータ(昇降圧型PFCコンバータ)では、還流電流用にダイオードを用いている。このダイオード内の少数キャリア蓄積効果により、リカバリー電流が発生する。そのために、昇降圧コンバータ動作時において、スイッチ素子をターンオンする時にリアクタに流れる電流だけでなくダイオードのリカバリー電流も駆動しなければならない。 However, a conventional buck-boost AC / DC converter (buck-boost PFC converter) uses a diode for the return current. A recovery current is generated due to the minority carrier accumulation effect in the diode. Therefore, during the buck-boost converter operation, not only the current flowing through the reactor when the switch element is turned on but also the diode recovery current must be driven.
ここで、ダイオードのリカバリー電流は、リアクタに流れる電流に比べて大きな電流である。且つリカバリー電流をスイッチ素子が駆動する時は、スイッチ素子のコレクタ/エミッタ間電圧Vce又はドレイン/ソース間電圧Vdsが大きい。よって、電圧Vce又は電圧Vdsとこれらのスイッチ素子のコレクタ電流又はドレイン電流との積の時間積分であるスイッチング損失は大きな値である。 Here, the recovery current of the diode is larger than the current flowing through the reactor. When the switch element drives the recovery current, the collector / emitter voltage Vce or the drain / source voltage Vds of the switch element is large. Therefore, the switching loss, which is the time integration of the product of the voltage Vce or the voltage Vds and the collector current or drain current of these switch elements, is a large value.
そこで本発明は、スイッチング損失を低減できる昇降圧型AC/DCコンバータを提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a buck-boost AC / DC converter that can reduce switching loss.
上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る昇降圧型AC/DCコンバータは、交流信号を直流信号に変換するとともに、前記直流信号の電圧値を一定に制御する昇降圧型AC/DCコンバータであって、前記交流信号が入力される第1及び第2入力端子と、前記直流信号を出力するための出力端子と、前記第1及び第2入力端子に接続されており、前記交流信号を全波整流することにより全波整流信号を生成する全波整流動作と、降圧動作とを行うための第1スイッチ素子群と、前記出力端子に接続されており、昇圧動作を行うための第2スイッチ素子群と、前記第1スイッチ素子群と前記第2スイッチ素子群との間に接続されているリアクタと、前記出力端子に接続されている平滑コンデンサと、前記第1及び第2スイッチ素子群の一方に、PWM(Pulse Width Modulation)を用いた前記降圧動作及び前記昇圧動作の一方を選択的に行わせることにより、前記直流信号の電圧値を一定に制御する制御部とを備え、前記第1及び第2スイッチ素子群に含まれるスイッチ素子の各々は、ゲート端子、ドレイン端子及びソース端子を備え、前記ソース端子の電圧を基準とした前記ゲート端子の電圧であるゲート/ソース間電圧が閾値電圧より高い場合に、前記ドレイン端子と前記ソース端子との間の電圧差の極性に応じて前記ドレイン端子から前記ソース端子へ又は前記ソース端子から前記ドレイン端子へ電流を流し、前記ゲート/ソース間電圧が前記閾値電圧以下の場合に、前記ドレイン端子から前記ソース端子への電流を遮断し、前記ゲート/ソース間電圧が前記閾値電圧以下であり、かつ前記ドレイン端子の電圧を基準とした前記ゲート端子の電圧が前記閾値電圧以上の場合、前記ソース端子から前記ドレイン端子に電流を流し、前記制御部は、さらに、前記交流信号の極性に応じて、前記第1スイッチ素子群に含まれるスイッチ素子に供給するゲート/ソース間電圧を切り替えることにより、前記第1スイッチ素子群に全波整流動作を行わせる。 In order to achieve the above object, a step-up / step-down AC / DC converter according to an aspect of the present invention converts an AC signal into a DC signal and controls the voltage value of the DC signal to be constant. The first and second input terminals to which the AC signal is input, the output terminal for outputting the DC signal, and the first and second input terminals are connected, and the AC signal is A first switch element group for performing a full-wave rectification operation that generates a full-wave rectification signal by full-wave rectification and a step-down operation, and a second switch element that is connected to the output terminal and performs a step-up operation. A switch element group; a reactor connected between the first switch element group and the second switch element group; a smoothing capacitor connected to the output terminal; and the first and second switch element groups On the other hand, a control unit that controls the voltage value of the DC signal constant by selectively performing one of the step-down operation and the step-up operation using PWM (Pulse Width Modulation), Each of the switch elements included in the second switch element group includes a gate terminal, a drain terminal, and a source terminal, and a gate-source voltage that is a voltage of the gate terminal with reference to the voltage of the source terminal is a threshold voltage. If higher, current flows from the drain terminal to the source terminal or from the source terminal to the drain terminal depending on the polarity of the voltage difference between the drain terminal and the source terminal, and the gate-source voltage Is cut off from the drain terminal to the source terminal, and the gate / source When the voltage between the gate terminal with respect to the threshold voltage is equal to or higher than the threshold voltage, a current flows from the source terminal to the drain terminal. Furthermore, the first switch element group is made to perform a full-wave rectification operation by switching the gate-source voltage supplied to the switch elements included in the first switch element group according to the polarity of the AC signal.
この構成によれば、スイッチ素子がダイオードの代わりとして機能するので、ダイオードを用いることなく、昇降圧型AC/DCコンバータを実現できる。これにより、本発明の一形態に係る昇降圧型AC/DCコンバータは、ダイオードのリカバリー電流よるスイッチング損失を低減できる。これにより、当該昇降圧型AC/DCコンバータは、PWMスイッチング周波数を上げてリアクタを小型化することができ、且つヒートシンク等の放熱設計部品も小型化できるので、小型化及び高効率を実現できる。 According to this configuration, since the switch element functions as a diode, a step-up / step-down AC / DC converter can be realized without using a diode. Thereby, the step-up / step-down AC / DC converter according to an embodiment of the present invention can reduce switching loss due to the recovery current of the diode. As a result, the step-up / step-down AC / DC converter can increase the PWM switching frequency to reduce the size of the reactor, and can also reduce the heat radiation design components such as the heat sink, thereby realizing downsizing and high efficiency.
また、前記第1スイッチ素子群は、前記第1入力端子にドレイン端子が接続され、第1ノードにソース端子が接続されている第1スイッチ素子と、ソース端子同士又はドレイン端子同士が直列接続されているとともに、前記第1入力端子と第2ノードとの間に接続されている第2及び第3スイッチ素子と、前記第2入力端子にドレイン端子が接続され、前記第1ノードにソース端子が接続されている第4スイッチ素子と、ソース端子同士又はドレイン端子同士が直列接続されているとともに、前記第2入力端子と前記第2ノードとの間に接続されている第5及び第6スイッチ素子とを含んでもよい。 The first switch element group includes a first switch element having a drain terminal connected to the first input terminal and a source terminal connected to a first node, and source terminals or drain terminals connected in series. And a second and third switch elements connected between the first input terminal and the second node, a drain terminal connected to the second input terminal, and a source terminal connected to the first node. The fourth switch element connected to each other and the source terminals or the drain terminals are connected in series, and the fifth and sixth switch elements are connected between the second input terminal and the second node. And may be included.
また、前記第2スイッチ素子と前記第3スイッチ素子とはドレイン端子同士が接続されており、当該2つのドレイン端子は共通化されており、前記第5スイッチ素子と前記第6スイッチ素子とはドレイン端子同士が接続されており、当該2つのドレイン端子は共通化されていてもよい。 The drain terminals of the second switch element and the third switch element are connected to each other, the two drain terminals are shared, and the fifth switch element and the sixth switch element are drains. The terminals may be connected to each other, and the two drain terminals may be shared.
この構成によれば、第2及び第3スイッチ素子と、第5及び第6スイッチ素子とを小型化できる。 According to this configuration, the second and third switch elements and the fifth and sixth switch elements can be reduced in size.
また、前記リアクタは、前記第2ノードと第3ノードとの間に接続されており、前記第2スイッチ素子群は、前記第1ノードにソース端子が接続され、前記第3ノードにドレイン端子が接続されている第7スイッチ素子と、前記第3ノードにソース端子が接続され、前記出力端子にドレイン端子が接続されている第8スイッチ素子とを含んでもよい。 The reactor is connected between the second node and the third node. The second switch element group has a source terminal connected to the first node and a drain terminal connected to the third node. The seventh switch element may be connected, and the eighth switch element may have a source terminal connected to the third node and a drain terminal connected to the output terminal.
また、前記リアクタは、前記第1ノードと第3ノードとの間に接続されており、前記第2スイッチ素子群は、前記第3ノードにソース端子が接続され、前記第2ノードにドレイン端子が接続されている第7スイッチ素子と、前記第2ノードにソース端子が接続され、前記出力端子にドレイン端子が接続されている第8スイッチ素子とを含んでもよい。 The reactor is connected between the first node and the third node. In the second switch element group, a source terminal is connected to the third node, and a drain terminal is connected to the second node. A seventh switch element connected to the second node may be included, and an eighth switch element having a source terminal connected to the second node and a drain terminal connected to the output terminal may be included.
また、前記制御部は、前記降圧動作の際、前記第2及び第3スイッチ素子の一方と、前記第5及び第6スイッチ素子の一方とに、2つのスイッチ素子のうち、一方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、他方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下の電圧にするとともに、ゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高い電圧にするスイッチ素子を順次切り替えるスイッチング制御を行い、前記第2及び前記第3スイッチ素子の他方と、前記第5及び第6スイッチ素子の他方と、前記第8スイッチ素子とのゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、前記第7スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下の電圧にしてもよい。 The control unit may include one of the second and third switch elements and one of the fifth and sixth switch elements, and one gate / source of the two switch elements during the step-down operation. Switching control for sequentially switching switch elements that make the voltage between the gates and sources higher than the threshold voltage, the other gate / source voltage is lower than the threshold voltage, and the gate / source voltage is higher than the threshold voltage. And the gate / source voltage of the other of the second and third switch elements, the other of the fifth and sixth switch elements, and the eighth switch element is made higher than the threshold voltage, and the seventh The gate-source voltage of the switch element may be set to a voltage equal to or lower than the threshold voltage.
また、前記第2スイッチ素子のソース端子は前記第1入力端子に接続されており、前記第3スイッチ素子のソース端子は前記第2ノードに接続されており、前記制御部は、前記第1入力端子の電圧が正であり、前記第2入力端子の電圧が負である場合、前記第1スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第2、第4及び第6スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、前記第3及び第5スイッチ素子に前記スイッチング制御を行い、前記第1入力端子の電圧が負であり、前記第2入力端子の電圧が正である場合、前記第4スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第1、第3及び第5スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、前記第2及び第6スイッチ素子に前記スイッチング制御を行ってもよい。 Further, a source terminal of the second switch element is connected to the first input terminal, a source terminal of the third switch element is connected to the second node, and the control unit includes the first input. When the voltage of the terminal is positive and the voltage of the second input terminal is negative, the gate-source voltage of the first switch element is made lower than the threshold voltage, and the second, fourth, and sixth switch elements And the switching control is performed on the third and fifth switch elements, the voltage at the first input terminal is negative, and the voltage at the second input terminal is positive. The gate / source voltage of the fourth switch element is made lower than the threshold voltage, the gate / source voltages of the first, third and fifth switch elements are made higher than the threshold voltage, and the second And the second It may perform the switching control on the switching element.
また、前記制御部は、前記昇圧動作の際、前記第7及び第8スイッチ素子に、2つのスイッチ素子のうち、一方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、他方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下の電圧にするとともに、ゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高い電圧にするスイッチ素子を順次切り替えるスイッチング制御を行い、前記第1入力端子の電圧が正であり、前記第2入力端子の電圧が負である場合、前記第1、第5及び第6スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第2、第3及び第4スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、前記第1入力端子の電圧が負であり、前記第2入力端子の電圧が正である場合、前記第2、第3及び第4スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第1、第5及び第6スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高い電圧にしてもよい。 In addition, during the step-up operation, the control unit causes the seventh and eighth switch elements to have one gate / source voltage of two switch elements higher than the threshold voltage, and the other gate / source. The switching control is performed to sequentially switch the switching elements that make the voltage between the gate voltage and the source voltage higher than the threshold voltage while making the voltage between the threshold voltage and the voltage below the threshold voltage, the voltage of the first input terminal is positive, When the voltage at the second input terminal is negative, the gate / source voltages of the first, fifth, and sixth switch elements are made equal to or lower than the threshold voltage, and the gate / source voltages of the second, third, and fourth switch elements are reduced. When the source voltage is higher than the threshold voltage, the voltage at the first input terminal is negative, and the voltage at the second input terminal is positive, the gates of the second, third, and fourth switch elements Source voltage is below the threshold voltage, the first, the gate / source voltage of the fifth and sixth switch elements may be a higher voltage than the threshold voltage.
また、前記第1スイッチ素子群は、第1ノードにソース端子が接続され、前記第1入力端子にドレイン端子が接続されている第1スイッチ素子と、前記第1入力端子にソース端子が接続され、第2ノードにドレイン端子が接続されている第2スイッチ素子と、前記第1ノードにソース端子が接続され、前記第2入力端子にドレイン端子が接続されている第3スイッチ素子と、前記第2入力端子にソース端子が接続され、前記第2ノードにドレイン端子が接続されている第4スイッチ素子と、前記第1ノードにソース端子が接続され、第3ノードにドレイン端子が接続されている第5スイッチ素子と、前記第3ノードにソース端子が接続され、前記第2ノードにドレイン端子が接続されている第6スイッチ素子とを含んでもよい。 The first switch element group includes a first switch element having a source terminal connected to a first node, a drain terminal connected to the first input terminal, and a source terminal connected to the first input terminal. A second switch element having a drain terminal connected to the second node; a third switch element having a source terminal connected to the first node; and a drain terminal connected to the second input terminal; A fourth switch element having a source terminal connected to two input terminals, a drain terminal connected to the second node, a source terminal connected to the first node, and a drain terminal connected to the third node; A fifth switch element and a sixth switch element having a source terminal connected to the third node and a drain terminal connected to the second node may be included.
また、前記リアクタは、前記第3ノードと第4ノードとの間に接続されており、前記第2スイッチ素子群は、前記第1ノードにソース端子が接続され、前記第4ノードにドレイン端子が接続されている第7スイッチ素子と、前記第4ノードにソース端子が接続され、前記出力端子にドレイン端子が接続されている第8スイッチ素子とを含んでもよい。 The reactor is connected between the third node and the fourth node. The second switch element group has a source terminal connected to the first node and a drain terminal connected to the fourth node. The seventh switch element may be connected, and the eighth switch element may have a source terminal connected to the fourth node and a drain terminal connected to the output terminal.
また、前記リアクタは、前記第1ノードと第4ノードとの間に接続されており、前記第2スイッチ素子群は、前記第4ノードにソース端子が接続され、前記第3ノードにドレイン端子が接続されている第7スイッチ素子と、前記第3ノードにソース端子が接続され、前記出力端子にドレイン端子が接続されている第8スイッチ素子とを含んでもよい。 The reactor is connected between the first node and the fourth node, and the second switch element group has a source terminal connected to the fourth node and a drain terminal connected to the third node. The seventh switch element may be connected, and the eighth switch element may have a source terminal connected to the third node and a drain terminal connected to the output terminal.
また、前記制御部は、前記降圧動作の際、前記第7スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第8スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、前記第5及び第6スイッチ素子に、2つのスイッチ素子のうち、一方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、他方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下の電圧にするとともに、ゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高い電圧にするスイッチ素子を順次切り替えるスイッチング制御を行い、前記昇圧動作の際、前記第5スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第6スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、前記第7及び第8スイッチ素子に前記スイッチング制御を行ってもよい。 In addition, the control unit, during the step-down operation, the gate-source voltage of the seventh switch element is made lower than the threshold voltage, the gate-source voltage of the eighth switch element is made higher than the threshold voltage, In the fifth and sixth switch elements, one of the two switch elements has a gate / source voltage higher than the threshold voltage, and the other gate / source voltage is set to a voltage equal to or lower than the threshold voltage. Switching control is performed to sequentially switch switching elements that make the gate / source voltage higher than the threshold voltage. During the step-up operation, the gate / source voltage of the fifth switch element is set to be equal to or lower than the threshold voltage. The gate / source voltage of the 6 switch elements may be higher than the threshold voltage, and the switching control may be performed on the seventh and eighth switch elements. .
また、前記制御部は、前記第1入力端子の電圧が正であり、前記第2入力端子の電圧が負である場合、前記第1及び第4スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第2及び第3スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、前記第1入力端子の電圧が負であり、前記第2入力端子の電圧が正である場合、前記第2及び第3スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第1及び第4スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くしてもよい。 The control unit may determine the gate-source voltage of the first and fourth switch elements as the threshold voltage when the voltage at the first input terminal is positive and the voltage at the second input terminal is negative. When the gate / source voltage of the second and third switch elements is higher than the threshold voltage, the voltage of the first input terminal is negative, and the voltage of the second input terminal is positive, The gate / source voltage of the second and third switch elements may be less than or equal to the threshold voltage, and the gate / source voltage of the first and fourth switch elements may be higher than the threshold voltage.
また、前記第1及び第2スイッチ素子群に含まれるスイッチ素子は、窒化ガリウム半導体を用いたヘテロ接合電界効果トランジスタであり、半導体基板の上に形成された窒化物半導体で構成される半導体積層体と、前記半導体積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたドレイン電極及びソース電極と、前記ドレイン電極とソース電極との間に形成されたゲート電極とを備えてもよい。 The switch elements included in the first and second switch element groups are heterojunction field effect transistors using a gallium nitride semiconductor, and a semiconductor stacked body formed of a nitride semiconductor formed on a semiconductor substrate. And a drain electrode and a source electrode formed on the semiconductor stacked body at intervals, and a gate electrode formed between the drain electrode and the source electrode.
この構成によれば、スイッチ素子は少数キャリア蓄積効果がほとんどない。これにより、本発明の一形態に係る昇降圧型AC/DCコンバータは、リカバリー電流によるスイッチング損失をより低減できる。 According to this configuration, the switch element has almost no minority carrier accumulation effect. Thereby, the step-up / step-down AC / DC converter according to an aspect of the present invention can further reduce switching loss due to the recovery current.
なお、本発明は、このような昇降圧型AC/DCコンバータとして実現できるだけでなく、昇降圧型AC/DCコンバータに含まれる特徴的な手段をステップとする昇降圧型AC/DCコンバータの制御方法として実現したり、そのような特徴的なステップをコンピュータに実行させるプログラムとして実現したりすることもできる。そして、そのようなプログラムは、CD−ROM等の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体、及びインターネット等の伝送媒体を介して流通させることができるのは言うまでもない。 The present invention can be realized not only as such a step-up / step-down AC / DC converter, but also as a method for controlling a step-up / step-down AC / DC converter using characteristic means included in the step-up / step-down AC / DC converter as a step. Or, it can be realized as a program for causing a computer to execute such characteristic steps. Needless to say, such a program can be distributed via a non-transitory computer-readable recording medium such as a CD-ROM and a transmission medium such as the Internet.
さらに、本発明は、このような昇降圧型AC/DCコンバータの機能の一部又は全てを実現する半導体集積回路(LSI)として実現できる。 Furthermore, the present invention can be realized as a semiconductor integrated circuit (LSI) that realizes part or all of the functions of such a step-up / step-down AC / DC converter.
以上より、本発明は、スイッチング損失を低減できる昇降圧型AC/DCコンバータを提供できる。 As described above, the present invention can provide a buck-boost AC / DC converter that can reduce switching loss.
以下に、本発明に係る昇降圧型PFCコンバータについて順次、好適な実施形態を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に記載した具体的な構成に限定されるものではなく、実施形態において説明する技術的思想と同様の技術的思想及び当技術分野における技術常識に基づいて構成されるものを含むものである。例えば、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。 Hereinafter, preferred embodiments of a step-up / step-down PFC converter according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited to the specific structure described in the following embodiment, It is comprised based on the technical idea similar to the technical idea demonstrated in embodiment, and the technical common sense in this technical field. Is included. For example, numerical values, shapes, materials, constituent elements, arrangement positions and connection forms of constituent elements, steps, order of steps, and the like shown in the following embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention. In addition, among the constituent elements in the following embodiments, constituent elements that are not described in the independent claims indicating the highest concept are described as optional constituent elements.
(比較例)
まず、本発明の実施形態を説明する前に、本発明の比較例に係る昇降圧型PFCコンバータについて説明する。(Comparative example)
First, before explaining an embodiment of the present invention, a step-up / step-down PFC converter according to a comparative example of the present invention will be described.
図1は、図17に示すコンバータ5と、当該コンバータ5の動作を制御する制御部100との構成を示す図である。以下にPFC動作と昇降圧コンバータ動作とについて説明する。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of converter 5 shown in FIG. 17 and
まず初めに、PFC動作について説明する。 First, the PFC operation will be described.
第1エラーアンプ101は、直流電圧Vdc検出用の分圧抵抗15及び16で検出された直流電圧Vdcと、直流電圧Vdcを定値制御するための設定電圧VdcINとの差分であるエラー信号VE1を生成する。
The
乗算回路102は、エラー信号VE1と、全波整流電圧検出用の分圧抵抗6及び7で生成された全波整流電圧Vrとを乗算することで、電流制御信号VE2を生成する。ここで全波整流電圧Vrは、商用電源1の交流電圧が、整流ダイオードブリッジ4により全波整流された電圧である。
The
アンプ103は、全波整流電流検出用の抵抗である電流センサ10により検出された整流ダイオードブリッジ4の出力電流Irを増幅することで電圧信号VIRを生成する。
The
第2エラーアンプ104は、電流制御信号VE2と、電圧信号VIRとを比較することで、PFCエラー信号VE3を生成する。
The
PWMコンパレータ106は、PFCエラー信号VE3と、三角波発生回路105で生成された三角波信号Vsawとを用いて信号PWMを生成する。この信号PWMは、降圧チョッパ用半導体スイッチ素子8又は昇圧チョッパ用半導体スイッチ素子12のいずれかをPWMスイッチングさせるための信号である。
The
降圧チョッパ用半導体スイッチ素子8又は昇圧チョッパ用半導体スイッチ素子12によるPWMスイッチングにより、整流ダイオードブリッジ4の出力電流Irが増幅された電圧信号VIRと、電流制御信号VE2とがほぼ等しくなるように調整される。
By PWM switching by the step-down chopper
また、電流制御信号VE2は、エラー信号VE1と全波整流電圧Vrとを乗算した信号である。この電流制御信号VE2の波形は、全波整流電圧Vrとほぼ相似形の波形である。従って、整流ダイオードブリッジ4の出力電流Irは、全波整流電圧Vrと相似形である。このことは商用電源1から整流ダイオードブリッジ4を経由してコンバータ5に入力される電流と、商用電源1の交流電圧との位相が同位相であることを意味する。結果として、整流ダイオードブリッジ4及びコンバータ5は、入力力率がほぼ1である高入力力率のPFCコンバータとなっている。
The current control signal VE2 is a signal obtained by multiplying the error signal VE1 and the full-wave rectified voltage Vr. The waveform of the current control signal VE2 is substantially similar to the full-wave rectified voltage Vr. Therefore, the output current Ir of the rectifier diode bridge 4 is similar to the full-wave rectified voltage Vr. This means that the phase of the current input from the
また、比例積分制御(PI制御)のように第1エラーアンプ101のDCゲイン(低域周波数でのゲイン)を十分に大きくしておけば、コンバータ5から出力される直流電圧Vdcは、設定電圧VdcINに、直流電圧Vdc検出用の分圧抵抗15及び16の分圧比の逆数をかけた値である。従って、設定電圧VdcINを調整することにより、直流電圧Vdcを制御することができる。
Further, if the DC gain (gain at a low frequency) of the
次に昇降圧コンバータ動作について説明する。 Next, the operation of the buck-boost converter will be described.
降圧チョッパ用の半導体スイッチ素子であるスイッチ素子8又は昇圧チョッパ用の半導体スイッチ素子であるスイッチ素子12のいずれか一方のスイッチ素子は、PWMコンパレータ106で生成された信号PWMにより、全波整流電圧Vrと直流電圧Vdcとの関係に応じてPWMスイッチング動作する。
Either one of the
このことにより、全波整流電圧Vrが直流電圧Vdcよりも高い電圧であろうとも低い電圧であろうとも、直流電圧Vdcが設定電圧VdcINにより定められた電圧に定値制御される。このように、いわゆる昇降圧コンバータ動作が実現できている。そのために、制御部100に含まれる第1コンパレータ107は、全波整流電圧Vrと直流電圧Vdcとを比較することで方向信号DRを生成する。ドライブロジック回路108は、方向信号DRの論理値(High又はLowレベル)に基づき、信号PWMを用いて降圧チョッパ用スイッチ素子8又は昇圧チョッパ用半導体スイッチ素子12のいずれか一方をPWMスイッチング動作させることで、上記の昇降圧コンバータ動作を実現させている。
As a result, whether the full-wave rectified voltage Vr is higher or lower than the DC voltage Vdc, the DC voltage Vdc is controlled at a constant value to a voltage determined by the set voltage VdcIN. Thus, a so-called step-up / down converter operation can be realized. For this purpose, the
次に、図2A〜図2Dを用いて、整流ダイオードブリッジ4とコンバータ5の各パワー素子とがどのような働きをして、降圧コンバータ動作(降圧動作とも呼ぶ)及び昇圧コンバータ動作(昇圧動作とも呼ぶ)が行われるかを説明する。 Next, referring to FIGS. 2A to 2D, the rectifier diode bridge 4 and each power element of the converter 5 function to perform a step-down converter operation (also referred to as a step-down operation) and a boost converter operation (both the step-up operation). Will be explained.
図2A〜図2Dには、単相交流電源の商用電源1と、整流ダイオードブリッジ4に含まれるダイオードD1〜D4と、コンバータ5の主回路を構成するパワー素子であるスイッチ素子8及び12と、還流電流用のダイオード9及び13と、リアクタ11と、平滑コンデンサ14とが図示されている。
2A to 2D, a
図2Aは、商用電源1の極性(交流電源極性とも呼ぶ)が正であり、且つ降圧コンバータ動作時の、PWMスイッチング動作による電流の流れを2つの破線A及びBで示している。破線Aはスイッチ素子8がオン時のリアクタ11に流れる電流を示す。破線Bはスイッチ素子8がオフ時のリアクタ11に流れる電流を示す。
FIG. 2A shows the current flow by the PWM switching operation with two broken lines A and B when the
同様に図2Bは、商用電源1の極性が負であり、且つ降圧コンバータ動作時の、リアクタ11の電流の流れを示している。破線A及びBの意味は図2Aと同じである。
Similarly, FIG. 2B shows the current flow of the
同様に図2Cは、商用電源1の極性が正であり、且つ昇圧コンバータ動作時に、スイッチ素子12がPWMスイッチング動作による電流の流れを2つの破線A及びBで示している。このとき、リアクタ11に蓄えられたエネルギーにより、破線A及びBに示す電流が流れる。破線Aはスイッチ素子12がオン時のリアクタ11に流れる電流を示す。破線Bはスイッチ素子12がオフ時のリアクタ11に流れる電流を示す。
Similarly, in FIG. 2C, the polarity of the
同様に図2Dは、商用電源1の極性が負であり、且つ昇圧コンバータ動作時の、リアクタ11にながれる電流を示している。破線A及びBの意味は図2Cと同じである。
Similarly, FIG. 2D shows a current that flows to the
コンバータ5が降圧コンバータ動作するか昇圧コンバータ動作をするかは、全波整流電圧Vrと直流電圧Vdcとの大小関係で決まる。 Whether the converter 5 performs a step-down converter operation or a step-up converter operation is determined by the magnitude relationship between the full-wave rectified voltage Vr and the DC voltage Vdc.
この点について図3A及び図3Bを用いて説明する。図3A及び図3Bに示すように、全波整流電圧Vrは、商用電源1の交流電圧を全波整流した電圧であり、一定の電圧値とはならない。また、直流電圧Vdcは設定電圧VdcINで定められた一定電圧値である。
This point will be described with reference to FIGS. 3A and 3B. As shown in FIGS. 3A and 3B, the full-wave rectified voltage Vr is a voltage obtained by full-wave rectifying the AC voltage of the
図3Aに示すように、全波整流電圧Vrのピーク電圧値が直流電圧Vdcより小さい場合は、コンバータ5は昇圧動作する。一方、図3Bに示すように、全波整流電圧Vrのピーク電圧値が直流電圧Vdcより大きい場合は、コンバータ5は基本的には降圧コンバータ動作を行う。しかし全波整流電圧Vrは全波整流された電圧波形のために、交流の電気角度(図3A及び図3Bでは「交流角」と定義している。)の全角度において、全波整流電圧Vrの電圧値が固定電圧値である直流電圧Vdcに対して大きいわけではない。そのために図3Bに示すように、コンバータ動作として2つの方法が考えられる。どちらの方法をとってもよいが以下の点の留意が必要である。 As shown in FIG. 3A, when the peak voltage value of full-wave rectified voltage Vr is smaller than DC voltage Vdc, converter 5 performs a boosting operation. On the other hand, as shown in FIG. 3B, when the peak voltage value of full-wave rectified voltage Vr is larger than DC voltage Vdc, converter 5 basically performs a step-down converter operation. However, because the full-wave rectified voltage Vr is a full-wave rectified voltage waveform, the full-wave rectified voltage Vr at all angles of the AC electrical angle (defined as “AC angle” in FIGS. 3A and 3B). Is not larger than the DC voltage Vdc, which is a fixed voltage value. Therefore, as shown in FIG. 3B, two methods are conceivable as converter operations. Either method can be used, but the following points should be noted.
第1の方法は、図3Bにおいてコンバータ動作Aとして示している。このコンバータ動作Aでは、コンバータ5は、Vr>Vdcが成り立つ交流角の範囲のみにおいて降圧動作をし、それ以外のVr<Vdcが成り立つ交流角の範囲ではコンバータ動作をしない。 The first method is shown as converter operation A in FIG. 3B. In this converter operation A, the converter 5 performs the step-down operation only in the range of the AC angle where Vr> Vdc is satisfied, and does not perform the converter operation in the other range of AC angles where Vr <Vdc is satisfied.
第2の方法は、図3Bにおいてコンバータ動作Bとして示している。このコンバータ動作Bでは、コンバータ5は、Vr>Vdcが成り立つ交流角の範囲では降圧動作をし、それ以外のVr<Vdcが成り立つ交流角の範囲では昇圧動作をする。 The second method is shown as converter operation B in FIG. In this converter operation B, the converter 5 performs a step-down operation in an AC angle range where Vr> Vdc is satisfied, and performs a boost operation in other AC angle ranges where Vr <Vdc is satisfied.
第1の方法は制御が簡単であるが、Vr<Vdcの範囲ではコンバータ動作を停止するために、商用電源1から入力される電流の交流角の範囲が狭くなる。その結果、コンバータ5の入力力率が小さくなる欠点がある。
The first method is easy to control, but the converter operation is stopped in the range of Vr <Vdc, so the range of the AC angle of the current input from the
第2の方法は制御が複雑になるが、Vr<Vdcの範囲でも商用電源1から電流が入力されるので、コンバータ5の入力力率は小さくならない。
Although control is complicated in the second method, since current is input from the
ちなみに図1は第2の方法を想定した回路ブロック図である。 Incidentally, FIG. 1 is a circuit block diagram assuming the second method.
再度、図2A〜図2Dを参照して、コンバータ5の昇降圧動作の説明をする。 With reference to FIGS. 2A to 2D again, the step-up / step-down operation of the converter 5 will be described.
まず全波整流電圧Vrが直流電圧Vdcに対して、Vr>Vdcの場合に行われる降圧動作について説明する。商用電源1の極性が正の場合の降圧動作は図2Aに示され、商用電源1の極性が負の場合の降圧動作は図2Bに示されている。図2A及び図2Bに示す破線A及びBの電流の流れからわかるように、極性が正か負の違いは、4つのダイオードD1〜D4で構成される整流ダイオードブリッジ4で吸収される。よって、整流ダイオードブリッジ4の後段のコンバータ5の動作は交流信号の極性が正であるか負であるかに依存しない。従って、降圧コンバータ動作の説明として、図2Aの説明だけを行う。
First, a step-down operation performed when the full-wave rectified voltage Vr is Vr> Vdc with respect to the DC voltage Vdc will be described. The step-down operation when the polarity of the
降圧コンバータ動作時には、スイッチ素子8はPWMスイッチング動作をし、スイッチ素子12は常にオフ状態である。スイッチ素子8がオン時には、破線Aで示される電流の流れのように、商用電源1の正の端子からから整流ダイオードブリッジ4、スイッチ素子8、リアクタ11、ダイオード13、該平滑コンデンサ14及び整流ダイオードブリッジ4を、この順で経由して、商用電源1の負の端子へ電流が流れる。
During the step-down converter operation, the
スイッチ素子8がオフ時には、スイッチ素子8がオン時の破線Aで示された電流によってリアクタ11に貯えられたエネルギーにより、破線Bで示されるように電流が流れる。つまり、ダイオード9、リアクタ11、ダイオード13、及び平滑コンデンサ14を、この順で経由して、再びダイオード9へと還流電流が流れる。
When the
PWMスイッチング動作時のスイッチ素子8とリアクタ11との間のノードの電圧VAのスイッチング波形を図4Aに示す。
FIG. 4A shows a switching waveform of the voltage VA at the node between the
スイッチ素子8がオン時の電圧VAのHighレベルの電圧値はVrである。また、スイッチ素子8がオフ時の電圧VAのLowレベルの電圧値はダイオード9の順方向電圧VFで決まり、ほぼ−0.7Vである。降圧動作時の直流電圧Vdcは、スイッチ素子8がオン時に破線Aで示す電流によりリアクタ11に貯えられるエネルギーと、スイッチ素子8がオフ時にダイオード9を経由する破線Bで示す循環電流によりリアクタ11から放出されるエネルギーとが等しくなることで決まる。結果として、直流電圧Vdcは、電圧VAのHighレベルとLowレベルとの平均値である。
The voltage value of the high level of the voltage VA when the
次に、全波整流電圧Vrが直流電圧Vdcに対して、Vr<Vdcの場合に行われる昇圧動作について説明する。 Next, a boosting operation performed when the full-wave rectified voltage Vr is Vr <Vdc with respect to the DC voltage Vdc will be described.
商用電源1の極性が正の場合の昇圧動作は図2Cに示され、商用電源1の極性が負の場合の昇圧動作は図2Dに示されている。また、降圧動作時と同様に、コンバータ5の動作は極性が正であるか負であるかに依存しない。従って、昇圧コンバータ動作の説明として、図2Cの説明だけを行なう。
The boosting operation when the polarity of the
昇圧コンバータ動作時には、スイッチ素子12はPWMスイッチング動作をし、スイッチ素子8は整流ダイオードブリッジ4とリアクタ11とをつなぐために常にオン状態である。スイッチ素子12がオン時には、破線Aで示される電流の流れのように、商用電源1から、整流ダイオードブリッジ4、スイッチ素子8、リアクタ11、スイッチ素子12及び整流ダイオードブリッジ4を、この順で経由して商用電源1へ電流が流れる。
During the step-up converter operation, the
スイッチ素子12がオフ時には、スイッチ素子12がオン時の破線Aで示された電流によってリアクタ11に貯えられたエネルギーにより、破線Bで示されるように電流が流れる。つまり、整流ダイオードブリッジ4から、スイッチ素子8、リアクタ11、ダイオード13及び平滑コンデンサ14をこの順で経由し、再び整流ダイオードブリッジ4へと還流電流が流れる。
When the
PWMスイッチング動作時のスイッチ素子12とリアクタ11との間のノードの電圧VBのスイッチング波形を図4Bに示す。
FIG. 4B shows a switching waveform of the node voltage VB between the
スイッチ素子12がオン時の電圧VBのHighレベルの電圧値はほぼVdc+0.7Vである。この0.7Vはダイオード13の順方向電圧VF近似の値である。また、スイッチ素子12のオフ時の電圧VBのLowレベルの電圧値はほぼ0Vである。昇圧動作時の直流電圧Vdcは、スイッチ素子12がオン時に破線Aで示す電流によってリアクタ11に貯えられるエネルギーと、スイッチ素子12がオフ時にダイオード13を経由する破線Bで示す循環電流によりリアクタ11から放出されるエネルギーとが等しくなることで決まる。その結果、直流電圧Vdcの電圧値は、スイッチ素子12がPWMスイッチング動作の1周期の中でオン状態の期間、つまりオンデューティに依存して決まる。
The high-level voltage value of the voltage VB when the
以上のことから、図1に図示す整流ダイオードブリッジ4及びコンバータ5は、制御部100によるスイッチ素子8及び12のPWMスイッチング動作の制御により、商用電源1の全波整流電圧Vrと、直流電圧Vdcとの大小関係によって降圧コンバータ又は昇圧コンバータ動作を行う。さらに、整流ダイオードブリッジ4及びコンバータ5は、高入力力率のPFCコンバータとしても機能し、1つのリアクタ11と1つの平滑コンデンサ14で動作する昇降圧型PFCコンバータである。また、この昇降圧型PFCコンバータは、昇圧コンバータと降圧コンバータとを併用しているので、昇圧コンバータと降圧コンバータとを直列接続したコンバータに比べて効率がよい。
From the above, the rectifier diode bridge 4 and the converter 5 shown in FIG. 1 are controlled by the
しかしながら、図1に図示された昇降圧型PFCコンバータでは、以下の課題がある。 However, the buck-boost PFC converter illustrated in FIG. 1 has the following problems.
コンバータ5の還流電流用のダイオード9及び13にはダイオード内の少数キャリア蓄積効果によるリカバリー電流が発生する。
A recovery current due to the minority carrier accumulation effect in the diode is generated in the
そのために図4Aに示すように降圧コンバータ動作時には、スイッチ素子8はターンオンする時にリアクタ11に流れる電流だけでなくダイオード9のリカバリー電流も駆動しなければならない。
Therefore, as shown in FIG. 4A, during the step-down converter operation, the
また、図4Bに示す昇圧コンバータ動作時では、スイッチ素子12は、ターンオン時にリアクタ11に流れる電流だけでなくダイオード13のリカバリー電流も引き込む。
In the step-up converter operation shown in FIG. 4B, the
ここで、ダイオード9及び13のリカバリー電流はリアクタ11に流れる電流に比べて大きな電流である。且つリカバリー電流をこれらのスイッチ素子が駆動する時は、スイッチ素子のコレクタ/エミッタ間電圧Vce又はドレイン/ソース間電圧Vdsが大きい。よって、電圧Vce又は電圧Vdsとこれらのスイッチ素子のコレクタ電流又はドレイン電流との積の時間積分であるスイッチング損失は大きい。
Here, the recovery current of the
また、降圧コンバータ動作時のスイッチ素子8の電圧Vce又は電圧Vdsは図4Aに示す電圧VAの波形を上下逆転した波形である。この波形とスイッチ素子8のコレクタ電流又はドレイン電流であるIce(8)とを乗算した値を図4Aに示すターンオン期間において積分した値がターンオン時のスイッチ素子8のスイッチング損失である。図4Aからわかるようにダイオード9のリカバリー電流をスイッチ素子8が駆動する必要があるために、ターンオン期間のスイッチング損失は大きい。
Further, the voltage Vce or the voltage Vds of the
また、昇圧コンバータ動作時のスイッチ素子12の電圧Vce又は電圧Vdsは図4Bに示す電圧VBの波形と同じである。この波形とスイッチ素子12のコレクタ電流又はドレイン電流であるIce(12)とを乗算した値を図4Bに示されたターンオン期間において積分した値がターンオン時のスイッチ素子12のスイッチング損失である。図4Bからわかるようにダイオード13のリカバリー電流をスイッチ素子12が駆動する必要があるために、ターンオン期間のスイッチング損失は大きくなっている。
Further, the voltage Vce or the voltage Vds of the
これらのスイッチング損失の大部分は、降圧コンバータ動作又は昇圧コンバータ動作には不必要なダイオードのリカバリー電流で発生している。よって、このリカバリー電流の損失をなくさないとコンバータ5の効率に大きな影響がでる。コンバータ5のスイッチング動作による消費電力は、上記のスイッチング損失とコンバータ5のPWMスイッチング周波数との積である。コンバータ5のリアクタ11の値を小さくするためにはPWMスイッチング周波数を上げる必要がある。しかし、PWMスイッチング周波数を上げることはスイッチ素子8及び12による上記のスイッチング損失によってコンバータ5のスイッチング動作による消費電力の増大をまねく。結果としてコンバータ5の効率が劣化し、リアクタ11を小型化することでコンバータ5を小型化することができなくなる。従って、この比較例に係る昇降圧型PFCコンバータはコンバータ5の効率の観点と小型化の観点とにおいて実用的でない。
Most of these switching losses are caused by a diode recovery current that is unnecessary for the step-down converter operation or the step-up converter operation. Therefore, if the loss of the recovery current is not lost, the efficiency of the converter 5 is greatly affected. The power consumed by the switching operation of the converter 5 is the product of the above switching loss and the PWM switching frequency of the converter 5. In order to reduce the value of the
そこで本発明は、高入力力率を維持しながら高効率の昇降圧型PFCコンバータを実現する。その実現のために本発明では還流電流用ダイオードを用いない昇降圧型PFCコンバータを実現する。また現在、開発が進められている窒化物半導体を用いたヘテロ接合電界効果トランジスタ等の新たなパワースイッチ素子が有する特長を利用することで、本発明は、還流ダイオードを用いないだけでなく、高入力力率で、より高効率で、より小型化できる昇降圧型PFCコンバータを提供する。 Therefore, the present invention realizes a highly efficient buck-boost PFC converter while maintaining a high input power factor. For this purpose, the present invention realizes a step-up / step-down PFC converter that does not use a diode for return current. Further, by utilizing the features of a new power switch element such as a heterojunction field effect transistor using a nitride semiconductor that is currently being developed, the present invention not only does not use a freewheeling diode, but also Provided is a buck-boost PFC converter that can be made more efficient and more compact with an input power factor.
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態について説明する。(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described.
図5は、本発明の第1の実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータの構成を示す回路ブロック図である。以下にこの図5を用いて、本発明の第1の実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータの説明をする。 FIG. 5 is a circuit block diagram showing the configuration of the buck-boost PFC converter according to the first embodiment of the present invention. Hereinafter, the step-up / step-down PFC converter according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
図5に示す昇降圧型PFCコンバータは、本発明の昇降圧型AC/DCコンバータに相当し、交流信号を直流信号(直流電圧Vdc)に変換するとともに、直流信号の電圧値を一定に制御する。この昇降圧型PFCコンバータは、AC/DCコンバータ部245と、制御部200とを備える。また、当該昇降圧型PFCコンバータは、交流信号が入力される第1入力端子T1及びT2と、直流電圧Vdcを出力するための出力端子T3とを備える。
The step-up / step-down PFC converter shown in FIG. 5 corresponds to the step-up / step-down AC / DC converter of the present invention, converts an AC signal into a DC signal (DC voltage Vdc), and controls the voltage value of the DC signal to be constant. This step-up / step-down PFC converter includes an AC /
制御部200は、図1に示す比較例に係る昇降圧型PFCコンバータの制御部100とほぼ同じ構成であるが、AC/DCコンバータ部245の構成に合わせて、一部が変更されている。
The
制御部200は、制御部100の構成に加え、さらに、差動アンプ116と、絶対値回路117と、第2コンパレータ118とを備える。
In addition to the configuration of the
差動アンプ116は、商用電源1の交流信号を検出することで交流電圧信号V0を生成する。絶対値回路117は、差動アンプ116から出力される正負の交流電圧信号V0を、全波整流された正電圧のみの全波整流信号V1に変換する。第2コンパレータ118は、差動アンプ116から出力される正負の交流電圧信号V0から商用電源1の交流信号の極性を検出する。
The
また、制御部200に含まれるドライブロジック回路108aの機能が、比較例に係るドライブロジック回路108と異なる。この機能変更は、比較例に係る昇降圧PFCコンバータから整流ダイオードブリッジ4を無くし、また還流電流用ダイオードであるダイオード9及び13を無くしたためである。
The function of the
以下にその差異の説明を付け加え、比較例に係る制御部100の説明と重複する部分も含めて、制御部200のPFCコンバータ制御について説明をする。その後で、AC/DCコンバータ部245について説明をする。
The description of the difference is added below, and PFC converter control of the
第1エラーアンプ101は、AC/DCコンバータ部245により出力される直流電圧Vdcと、直流電圧Vdcを定値制御するための設定電圧VdcINとの差分であるエラー信号VE1を生成する。
The
乗算回路102は、エラー信号VE1と、絶対値回路117により出力された全波整流信号V1とを乗算することで電流制御信号VE2を生成する。
The
アンプ103は、AC/DCコンバータ部245に含まれる電流センサ10により検出された商用電源1の出力電流Irを増幅することで電圧信号VIRを生成する。
The
第2エラーアンプ104は、電流制御信号VE2と電圧信号VIRとを比較することでPFCエラー信号VE3を生成する。
The
三角波発生回路105は、三角波信号Vsawを生成する。
The triangular
PWMコンパレータ106は、PFCエラー信号VE3と三角波信号Vsawとを用いて信号PWMを生成する。この信号PWMは、AC/DCコンバータ部245の2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子208及び209の組と、双方向スイッチ素子212及び213の組とのいずれか1組のスイッチ素子ペアをPWMスイッチングさせるための信号である。この信号PWMはドライブロジック回路108aに入力される。
The
第2コンパレータ118は、交流電圧信号V0の正負の極性を判別し、判別結果を示す極性信号PNを生成し、生成した極性信号PNをドライブロジック回路108aへ出力する。
The
第1コンパレータ107は、全波整流信号V1と、AC/DCコンバータ部245から出力される直流電圧Vdcとを比較し、その大小の判別結果を示す方向信号DRを生成し、生成した方向信号DRをドライブロジック回路108aへ出力する。
The
ドライブロジック回路108aは、この極性信号PN及び方向信号DRに応じて、PWMスイッチング信号PWMと、信号PWMの信号極性を反転させ且つ信号PWMとHighレベルの期間が重ならない同期整流用の補完信号PWMXとを、スイッチ素子208及び209の組と、スイッチ素子212及び213の組とのいずれか1組のスイッチ素子ペアへ出力する。別途これらの信号の流れについては後ほど説明する。
In response to the polarity signal PN and the direction signal DR, the
また、ドライブロジック回路108aは、電圧信号VIRがほぼゼロである場合に信号PWMXをLowレベルにする。このことについても後ほど説明する。
The
スイッチ素子208及び209の組と、スイッチ素子212及び213の組とのいずれか1組の双方向スイッチ素子のPWMスイッチングにより、電圧信号VIRと電流制御信号VE2とがほぼ等しくなるように調整される。また、電流制御信号VE2は、エラー信号VE1と全波整流信号V1とを乗算した信号である。この電流制御信号VE2の波形は全波整流信号V1とほぼ相似形の波形である。従って、出力電流Irは全波整流信号V1と相似形である。
The voltage signal VIR and the current control signal VE2 are adjusted to be substantially equal to each other by PWM switching of one of the
このことは双方向スイッチ素子208又は209を経由した出力電流Irと、商用電源1の交流電圧との位相が同位相であることを意味する。結果として、制御部200は、AC/DCコンバータ部245を上記の説明のように制御することで、AC/DCコンバータ部245を、入力力率がほぼ1である高入力力率のPFCコンバータとして働かせる。
This means that the phase of the output current Ir that has passed through the
また、比例積分制御(PI制御)のように第1エラーアンプ101のDCゲイン(低域周波数でのゲイン)を十分に大きくしておけば、直流電圧Vdcは、設定電圧VdcINに、直流電圧Vdc検出用の分圧抵抗15及び16の分圧比の逆数をかけた値である。従って、設定電圧VdcINを調整することにより直流電圧Vdcを制御できる。
Further, if the DC gain (gain at a low frequency) of the
次に、AC/DCコンバータ部245の昇降圧コンバータ動作について説明する。
Next, the step-up / step-down converter operation of the AC /
AC/DCコンバータ部245は、比較例のSi系半導体のスイッチ素子8及び12とダイオード9及び13とに代わり、下記で説明する特性を持つ4個の双方向スイッチ素子206、207、212及び213と、双方向スイッチ素子2つを互いに逆向きに直列接続した、2つのゲート端子を持つ2個の双方向スイッチ素子208及び209と、これらの双方向スイッチ素子のゲート端子を駆動するための8個のプリドライブ回路41と、プリドライブ回路41のための5個の電源42と、1つのリアクタ11と、1つの平滑コンデンサ14とを備える。また、AC/DCコンバータ部245には電流センサ10も図示されているが、これは制御部200がPWMスイッチング動作制御するために用いられる。
The AC /
具体的には、スイッチ素子206(第1スイッチ素子)は、第1入力端子T1にドレイン端子が接続され、第1ノード(GND)にソース端子が接続されている。 Specifically, the switch element 206 (first switch element) has a drain terminal connected to the first input terminal T1 and a source terminal connected to the first node (GND).
スイッチ素子208は、ドレイン端子同士が直列接続されているとともに、第1入力端子T1と第2ノードとの間に接続されているスイッチ素子208a及び208b(第2及び第3スイッチ素子)を含む。つまり、スイッチ素子208aのソース端子は第1入力端子T1に接続されている。スイッチ素子208bのソース端子は第2ノードに接続されている。なお、スイッチ素子208a及び208bは、ソース端子同士が直列接続されていてもよい。
The
スイッチ素子207(第4スイッチ素子)は、第2入力端子T1にドレイン端子が接続され、第1ノードにソース端子が接続されている。 The switch element 207 (fourth switch element) has a drain terminal connected to the second input terminal T1, and a source terminal connected to the first node.
スイッチ素子209は、ドレイン端子同士が直列接続されているとともに、第2入力端子T1と第2ノードとの間に接続されているスイッチ素子209a及び209b(第5及び第6スイッチ素子)を含む。つまり、スイッチ素子209aのソース端子は第2入力端子T1に接続されている。スイッチ素子209bのソース端子は第2ノードに接続されている。なお、スイッチ素子209a及び209bは、ソース端子同士が直列接続されていてもよい。
The
これらのスイッチ素子206〜209は、本発明の第1スイッチ素子群に相当する。この第1スイッチ素子群は、第1入力端子T1及びT2に接続されており、第1入力端子T1及びT2に入力された交流信号を全波整流することにより全波整流信号を生成する全波整流動作と、降圧動作とを行うために用いられる。
These switch
スイッチ素子212(第7スイッチ素子)は、第1ノードにソース端子が接続され、第3ノードにドレイン端子が接続されている。スイッチ素子213(第8スイッチ素子)は、第3ノードにソース端子が接続され、出力端子T3にドレイン端子が接続されている。 The switch element 212 (seventh switch element) has a source terminal connected to the first node and a drain terminal connected to the third node. The switch element 213 (eighth switch element) has a source terminal connected to the third node and a drain terminal connected to the output terminal T3.
これらのスイッチ素子212及び213は、本発明の第2スイッチ素子群に相当する。この第2スイッチ素子群は、出力端子T3に接続されており、昇圧動作を行うために用いられる。
These switch
リアクタ11は、上記第1スイッチ素子群と第2スイッチ素子群との間に接続されている。具体的には、リアクタ11は、第2ノードと第3ノードとの間に接続されている。
The
平滑コンデンサ14は、出力端子T3に接続されている。
The smoothing
制御部200は、上記第1及び第2スイッチ素子群の一方に、PWMを用いた降圧動作及び昇圧動作の一方を選択的に行わせることにより、直流電圧Vdcを一定に制御する。また、制御部100は、交流信号の極性に応じて、第1スイッチ素子群に含まれるスイッチ素子に供給するゲート/ソース間電圧を切り替えることにより、第1スイッチ素子群に全波整流動作を行わせる。
The
以下、双方向スイッチ素子について説明する。 Hereinafter, the bidirectional switch element will be described.
双方向スイッチ素子206、207、208a、208b、209a、209b、212及び213は、図6A、図6B及び図6Cに示すI−V特性を有する。以下にこの特性について説明する。
The
この双方向スイッチ素子は、電流制御をするゲート端子と、この電流を流出入するためのドレイン端子及びソース端子とを有する。なお、ゲート端子、ドレイン端子及びソース端子の電圧を、それぞれゲート電圧、ドレイン電圧及びソース電圧と呼ぶ。また、双方向スイッチ素子は、FET特性及び逆FET特性を有する。このFET特性及び逆FET特性とは、ゲート/ソース間電圧Vgsが閾値電圧Vthより高い場合に、電圧VDSの極性に応じてドレイン端子からソース端子へ又はソース端子からドレイン端子へ電流IDSを流すことができる特性である。ここで、電圧Vgsとは、ソース電圧を基準とした、ソース電圧とゲート電圧との電圧差である。電圧VDSは、ソース電圧を基準とした、ソース電圧とドレイン電圧との電圧差である。 This bidirectional switch element has a gate terminal for current control, and a drain terminal and a source terminal for flowing in and out of this current. Note that voltages at the gate terminal, the drain terminal, and the source terminal are referred to as a gate voltage, a drain voltage, and a source voltage, respectively. The bidirectional switch element has FET characteristics and reverse FET characteristics. The FET characteristics and the reverse FET characteristics are such that when the gate-source voltage Vgs is higher than the threshold voltage Vth, the current IDS flows from the drain terminal to the source terminal or from the source terminal to the drain terminal depending on the polarity of the voltage VDS. It is a characteristic that can be Here, the voltage Vgs is a voltage difference between the source voltage and the gate voltage with reference to the source voltage. The voltage VDS is a voltage difference between the source voltage and the drain voltage with reference to the source voltage.
図6A及び図6Bは、電圧Vgsが閾値電圧Vthより高い場合、つまり、双方向スイッチ素子が、ドレイン端子とソース端子との間に電流を流すオン状態における、電流IDSと電圧VDSとの特性を示す図である。また、この図をI−V特性図と呼ぶ。電流IDSはドレイン端子からソース端子へ流れる場合を正の値とする。 6A and 6B show the characteristics of the current IDS and the voltage VDS when the voltage Vgs is higher than the threshold voltage Vth, that is, when the bidirectional switch element is in an on state in which current flows between the drain terminal and the source terminal. FIG. This figure is called an IV characteristic diagram. The current IDS is a positive value when flowing from the drain terminal to the source terminal.
このI−V特性は、MOSFETのI−V特性のように3極管領域と飽和領域とを有する。3極管領域とは電圧VDSがゼロ電圧からある電圧値に達するまでのゼロ電圧近傍の領域である。飽和領域とは電圧VDSが変化しても電流IDSはあまり変化しない定電流特性に類似した特性を示す領域である。3極管領域では、I−V特性に直線性があり、電流IDSに対する電圧VDSの傾きを双方向スイッチ素子のオン抵抗Ronとして定義できる。双方向スイッチ素子では、この3極管領域の特性がスイッチング特性として重要なため、以下の説明では3極管領域の特性について説明する。 This IV characteristic has a triode region and a saturation region like the MOSFET's IV characteristic. The triode region is a region near the zero voltage until the voltage VDS reaches a certain voltage value from the zero voltage. The saturation region is a region that exhibits characteristics similar to the constant current characteristic in which the current IDS does not change much even when the voltage VDS changes. In the triode region, the IV characteristic has linearity, and the slope of the voltage VDS with respect to the current IDS can be defined as the on-resistance Ron of the bidirectional switch element. In the bidirectional switch element, since the characteristics of the triode region are important as switching characteristics, the following description will explain the characteristics of the triode region.
図6Aは、電圧VDSが正の場合、つまりドレイン電圧がソース電圧より高い場合のI−V特性図である。このI−V特性図からわかるように電流IDSは正の値である。つまり、電流はドレイン端子からソース端子へ流れる。また、この図6Aに示すI−V特性をFET特性と呼ぶ。 FIG. 6A is an IV characteristic diagram when the voltage VDS is positive, that is, when the drain voltage is higher than the source voltage. As can be seen from the IV characteristic diagram, the current IDS is a positive value. That is, current flows from the drain terminal to the source terminal. Further, the IV characteristics shown in FIG. 6A are called FET characteristics.
図6Bは、電圧VDSが負の場合、つまりドレイン電圧がソース電圧より低い場合のI−V特性図である。このI−V特性図からわかるように電流IDSは負の値である。つまり、電流はソース端子からドレイン端子へ流れる。この図6Bに示すI−V特性を逆FET特性と呼ぶ。 FIG. 6B is an IV characteristic diagram when the voltage VDS is negative, that is, when the drain voltage is lower than the source voltage. As can be seen from the IV characteristic diagram, the current IDS is a negative value. That is, current flows from the source terminal to the drain terminal. The IV characteristics shown in FIG. 6B are called reverse FET characteristics.
双方向スイッチ素子は、電圧Vgsが閾値電圧Vthより低い場合、ドレイン端子からソース端子へは電流IDSを流せない。但し、双方向スイッチ素子は、電圧Vgsが閾値電圧Vthより低い場合でも、ゲート電圧よりドレイン電圧が低く、且つこの電圧差(Vgs−VDS)が閾値電圧Vthより高い場合にはソース端子からドレイン端子に電流IDSを流すことができる。この特性を逆導通特性と呼ぶ。 When the voltage Vgs is lower than the threshold voltage Vth, the bidirectional switch element cannot flow the current IDS from the drain terminal to the source terminal. However, in the bidirectional switch element, even when the voltage Vgs is lower than the threshold voltage Vth, when the drain voltage is lower than the gate voltage and the voltage difference (Vgs−VDS) is higher than the threshold voltage Vth, the source terminal is connected to the drain terminal. The current IDS can be supplied to the current. This characteristic is called a reverse conduction characteristic.
図6Cは、この逆導通特性を示すI−V特性図である。この図からわかるように、逆導通特性は、Vgs=0Vの状態すなわちゲート端子とソース端子とがショートした状態では、ダイオードのI−V特性と同じである。この場合、ソース端子はアノードに、ドレイン端子はカソードに、閾値電圧Vthが順方向電圧VFに対応する。 FIG. 6C is an IV characteristic diagram showing the reverse conduction characteristic. As can be seen from this figure, the reverse conduction characteristic is the same as the IV characteristic of the diode when Vgs = 0 V, that is, when the gate terminal and the source terminal are short-circuited. In this case, the source terminal corresponds to the anode, the drain terminal corresponds to the cathode, and the threshold voltage Vth corresponds to the forward voltage VF.
以上のように、双方向スイッチ素子は、電圧Vgsが閾値電圧Vth以上であれば、図6Aに示すFET動作と、図6Bに示す逆FET動作とからわかるようにあるオン抵抗値Ronを持つ抵抗と見なすことができる。また、双方向スイッチ素子は、電圧Vgsが閾値電圧Vth以下であれば図6Cに示す逆導通特性からわかるようにソース端子をアノードとしドレイン端子をカソードとするダイオードと見なせる。このダイオードの順方向電圧は(Vth−Vgs)である。 As described above, when the voltage Vgs is equal to or higher than the threshold voltage Vth, the bidirectional switch element has a resistance having an on-resistance value Ron as can be understood from the FET operation shown in FIG. 6A and the reverse FET operation shown in FIG. 6B. Can be considered. Further, when the voltage Vgs is equal to or lower than the threshold voltage Vth, the bidirectional switch element can be regarded as a diode having a source terminal as an anode and a drain terminal as a cathode, as can be seen from the reverse conduction characteristics shown in FIG. 6C. The forward voltage of this diode is (Vth−Vgs).
今後、本実施形態においては、双方向スイッチ素子を以下のように等価変換して、AC/DCコンバータの動作を考える。 In the future, in this embodiment, the bidirectional switch element is equivalently converted as follows, and the operation of the AC / DC converter is considered.
(1)電圧Vgsが閾値電圧Vthより高い状態、つまり双方向スイッチ素子がオン状態の場合、当該双方向スイッチ素子をオン抵抗値Ronの抵抗と見なす。 (1) When the voltage Vgs is higher than the threshold voltage Vth, that is, when the bidirectional switch element is on, the bidirectional switch element is regarded as a resistance having an on-resistance value Ron.
(2)ゲート端子とソース端子とが短絡された双方向スイッチ素子のオフ状態では、当該双方向スイッチ素子を、ソース端子をアノードとし、ドレイン端子をカソードとするダイオードと見なす。 (2) In the OFF state of the bidirectional switch element in which the gate terminal and the source terminal are short-circuited, the bidirectional switch element is regarded as a diode having the source terminal as an anode and the drain terminal as a cathode.
図7Aは、上記の等価変換規則の(1)を示す図である。図7Bは、上記の等価変換規則の(2)を示す図である。図7Aは、双方向スイッチ素子が通電モードを示す図であり、電流は図面上の上から下へ、又は下から上の双方向に流れる。図7Bは逆導通モードを示す図であり、電流は図面上の上から下へは流れないが、下から上には流れる。 FIG. 7A is a diagram showing (1) of the above equivalent conversion rule. FIG. 7B is a diagram showing (2) of the above equivalent conversion rule. FIG. 7A is a diagram showing the energization mode of the bidirectional switch element, and current flows in the bidirectional direction from the top to the bottom or from the bottom to the top in the drawing. FIG. 7B is a diagram showing a reverse conduction mode, in which current does not flow from top to bottom on the drawing, but flows from bottom to top.
また、上記の等価変換規則は2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子208及び209についても適用される。2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子の場合、ゲート端子が2つあるので、図8に示す4つの状態が存在する。
The above equivalent conversion rule is also applied to the
図8(a)は、導通モードにおける、2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子を示す図である。電流は図面上の上から下、及び下から上の双方向に流れる。 FIG. 8A is a diagram showing a bidirectional switch element having two gate terminals in the conduction mode. Current flows in both directions from top to bottom and from bottom to top on the drawing.
図8(b)は、逆導通モード1における、2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子を示す図である。電流は図面上の上から下へは流れないが、下から上には流れる。
FIG. 8B is a diagram illustrating a bidirectional switch element having two gate terminals in the
図8(c)は、逆導通モード2における、2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子を示す図である。電流は図面上の上から下へは流れるが、下から上には流れない。 FIG. 8C is a diagram showing a bidirectional switch element having two gate terminals in the reverse conduction mode 2. The current flows from top to bottom on the drawing but does not flow from bottom to top.
図8(d)は、遮断モードにおける、2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子を示す図である。電流は図面上の上から下及び下から上の両方向で流れない。 FIG. 8D shows a bidirectional switch element having two gate terminals in the cutoff mode. Current does not flow in both directions from top to bottom and from bottom to top on the drawing.
また、8個のプリドライブ回路41は、8個のスイッチ素子206、207、208a、208b、209a、209b、212及び213の各々に対応して設けられている。各プリドライブ回路41は、制御部200の制御に従い、対応するスイッチ素子のゲート/ソース間電圧Vgsを制御する。具体的には、各プリドライブ回路41は、対応するスイッチ素子のゲート/ソース間電圧Vgsを閾値電圧より高い電圧、又は、閾値電圧以下の電圧にする。また、プリドライブ回路41は、例えば、制御部200からの信号をレベルシフトし、レベルシフトした信号を、対応するスイッチ素子のゲート/ソース間に供給する。
The eight
なお、以下では、スイッチ素子のゲート/ソース間電圧Vgsを閾値電圧より高い電圧にすることを、スイッチ素子にHighレベルの電圧を供給する、又は、スイッチ素子をオンするとも記す。また、スイッチ素子のゲート/ソース間電圧Vgsを閾値電圧以下にすることを、スイッチ素子にLowレベルの電圧を供給するとも記す。また、スイッチ素子にHighレベルの電圧が供給されている状態(上記導通モードの状態)をスイッチ素子がオンしているとも記す。また、スイッチ素子にLowレベルの電圧が供給されている状態(上記逆導通モードの状態)をスイッチ素子がオフしているとも記す。 Hereinafter, setting the gate / source voltage Vgs of the switch element to a voltage higher than the threshold voltage is also referred to as supplying a high level voltage to the switch element or turning on the switch element. Further, setting the gate-source voltage Vgs of the switch element to be equal to or lower than the threshold voltage is also referred to as supplying a low level voltage to the switch element. In addition, a state in which a high level voltage is supplied to the switch element (the state of the conduction mode) is also referred to as a switch element being on. In addition, a state in which a low level voltage is supplied to the switch element (the state of the reverse conduction mode) is also referred to as the switch element being turned off.
以下、本実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータの動作を説明する。 Hereinafter, the operation of the buck-boost PFC converter according to the present embodiment will be described.
降圧動作の際、制御部200は、スイッチ素子208a及び208bの一方と、スイッチ素子209a及び209bの一方とに、2つのスイッチ素子のうち、一方をオンし、他方をオフするとともに、オンするスイッチ素子を順次切り替えるスイッチング制御を行う。また、制御部200は、スイッチ素子208a及び208bの他方と、スイッチ素子209a及び209bの他方と、スイッチ素子213とをオンし、スイッチ素子212をオフする。
During the step-down operation, the
また、第1入力端子T1の電圧が正であり、第2入力端子T1の電圧が負(以下、「商用電源1の極性が正」と記す)である場合、制御部200は、スイッチ素子206をオフし、スイッチ素子208a、207及び209bをオンし、スイッチ素子208b及び209aに上記スイッチング制御を行う。
Further, when the voltage of the first input terminal T1 is positive and the voltage of the second input terminal T1 is negative (hereinafter referred to as “the polarity of the
一方、第1入力端子T1の電圧が負であり、第2入力端子T1の電圧が正(以下、「商用電源1の極性が負」と記す)である場合、つまり、場合、制御部200は、スイッチ素子207をオフし、スイッチ素子206、208b及び209aをオンし、スイッチ素子208a及び209bに上記スイッチング制御を行う。
On the other hand, when the voltage of the first input terminal T1 is negative and the voltage of the second input terminal T1 is positive (hereinafter referred to as “the polarity of the
また、昇圧動作の際、制御部200は、スイッチ素子212及び213に、上記スイッチング制御を行う。
Further, during the boosting operation, the
さらに、商用電源1の極性が正の場合、制御部200は、スイッチ素子206、209a及び209bをオフし、スイッチ素子207、208a及び208bをオンする。
Further, when the polarity of the
一方、商用電源1の極性が負の場合、制御部200は、スイッチ素子207、208a及び208bをオフし、スイッチ素子206、209a及び209bをオンする。
On the other hand, when the polarity of the
図9A、図9B、図9C及び図9Dは、交流信号の極性が正又は負の場合の降圧コンバータ動作時と昇圧コンバータ動作時との昇降圧型PFCコンバータの動作を説明するための図である。 9A, 9B, 9C, and 9D are diagrams for explaining the operation of the step-up / step-down PFC converter during the step-down converter operation when the polarity of the AC signal is positive or negative and during the step-up converter operation.
図5に示す制御部200のドライブロジック回路108aは、第2コンパレータ118からの極性信号PNと第1コンパレータ107からの方向信号DRとにより、商用電源1の交流電圧信号V0の極性と、全波整流信号V1と直流電圧Vdcとの大小関係とを判断する。その状況に応じてドライブロジック回路108aは、PWMコンパレータ106から出力される信号PWMとそれの補完信号である同期整流信号PWMXとを、スイッチ素子208及び209の組と、スイッチ素子212及び213の組とのいずれか1組のスイッチ素子ペアの各ゲートに供給する。
The
図9Aは、商用電源1の極性が正の場合、かつ降圧コンバータ動作時の説明図である。ドライブロジック回路108aは、図示されているように、スイッチ素子208bのゲート端子に信号PWMを、スイッチ素子209aのゲート端子に信号PWMXを供給する。また、ドライブロジック回路108aは、スイッチ素子207及び213のゲート端子及びスイッチ素子208及び209の他方のゲート端子にHighレベルの信号を供給し、スイッチ素子206及び212のゲート端子にLowレベルの信号を供給する。
FIG. 9A is an explanatory diagram when the polarity of the
信号PWMがHighレベルであり、かつ信号PWMXがLowレベルである場合、スイッチ素子208が通電モードであり、スイッチ素子209が逆導通モード1である。よって、図9Aに示す破線Aのように、商用電源1の極性が正の端子から、スイッチ素子208、リアクタ11、スイッチ素子213、平滑コンデンサ14、及びスイッチ素子207をこの順で経由して、商用電源1の負の出力端子へ電流が流れる。この状態は、商用電源1からリアクタ11に電流が流れることで、リアクタ11に磁気的エネルギーが貯えられている状態である。
When the signal PWM is at the high level and the signal PWMX is at the low level, the
一方、信号PWMがLowレベルであり、かつ信号PWMXがHighレベルの場合、スイッチ素子209が通電モードであり、スイッチ素子208が遮断モードである。破線Bは、この場合の電流の流れを示す。この場合、スイッチ素子208が逆導通モード2であるために商用電源1からリアクタ11には磁気的なエネルギーは貯えられない。逆にリアクタ11で磁気的なエネルギーの放出が始まり破線Bで示される経路で電流が流れる。つまり、電流は、リアクタ11、スイッチ素子213、平滑コンデンサ14、スイッチ素子207、及びスイッチ素子209をこの順で経由してリアクタ11に戻る。この電流によりリアクタ11の磁気的エネルギーの放出が行われる。
On the other hand, when the signal PWM is at the low level and the signal PWMX is at the high level, the
制御部200による一般的な制御状態では、リアクタ11に貯えられた磁気的エネルギーと放出される磁気的エネルギーとが等しくなるように制御される。結果として商用電源1の電圧がAC/DCコンバータ部245の直流電圧Vdcより高い場合でも、直流電圧Vdcが設定電圧VdcINで決められた商用電源1の交流振幅電圧値より低い電圧に定値制御される降圧コンバータ制御が実現される。
In a general control state by the
但し、例えば制御部200の制御応答性の遅れ等の現象で、破線Bに示す電流の流れにより、リアクタ11に蓄えられた磁気的エネルギーの放出が完了し終えても、すぐに破線Aに示す電流の流れにより、リアクタ11に磁気的エネルギーが貯えられない場合が発生する可能性がある。この場合、リアクタ11に流れる電流は、破線Bに示す電流の流れとは逆に流れる。これにより、平滑コンデンサ14は電荷充電から電荷放電の状態に変化し始める。この現象を防止するために、ドライブロジック回路108aは、電圧信号VIRがほぼゼロである場合に信号PWMXをLowレベルの信号に変えて出力する。このことは、リアクタ11の電流がほぼゼロになった時点で、信号PWMXをHighレベルからLowレベルに変えることを意味する。図9Aにおいて信号PWMXがLowレベルであれば、スイッチ素子209は図8(b)に示す逆導通モード1である。これにより、図9Aに示す破線Bの流れと逆方向に電流が流れることによる平滑コンデンサ14の電荷放電現象を防ぐことができる。
However, even if the release of the magnetic energy stored in the
以上の説明のようにドライブロジック回路108aは、極性信号PNと方向信号DRと電圧信号VIRとを用いて、AC/DCコンバータ部245を降圧コンバータとして安定に動作させることができる。
As described above, the
図9Bは、商用電源1の極性が負の場合の降圧コンバータ動作時の説明図である。ドライブロジック回路108aは、図示されているように、スイッチ素子209bのゲート端子に信号PWMを、スイッチ素子208aのゲート端子に信号PWMXを供給する。また、ドライブロジック回路108aは、スイッチ素子206及び213のゲート端子と、スイッチ素子208及び209の他方のゲート端子とにHighレベルの信号を供給する。ドライブロジック回路108aは、スイッチ素子207及び212のゲート端子にLowレベルの信号を供給する。
FIG. 9B is an explanatory diagram when the step-down converter operates when the polarity of the
信号PWMがHighレベルであり、かつ信号PWMXがLowレベルである場合、スイッチ素子209が通電モードであり、スイッチ素子208が逆導通モード1である。よって、図9Bに示す破線Aのように、商用電源1の極性が正の出力端子から、スイッチ素子209、リアクタ11、スイッチ素子213、平滑コンデンサ14、及びスイッチ素子206をこの順で経由して、商用電源1の負の出力端子へ電流が流れる。この破線Aで示す電流の流れの場合は、上記の説明と同じくリアクタ11に磁気的エネルギーが貯えられている状態である。
When the signal PWM is at the high level and the signal PWMX is at the low level, the
一方、信号PWMがLowレベルであり、かつ信号PWMXがHighレベルの場合、スイッチ素子208が通電モードであり、スイッチ素子209が逆導通モード2である。破線Bは、この場合の電流の流れを示す。この場合、上記の説明と同じく、破線Bに示すように、リアクタ11、スイッチ素子213、平滑コンデンサ14、スイッチ素子206、及びスイッチ素子208をこの順で経由してリアクタ11に循環電流が流れる。この電流によりリアクタ11の磁気的エネルギーの放出が行われる。
On the other hand, when the signal PWM is at the low level and the signal PWMX is at the high level, the
制御部200による降圧コンバータ制御についての説明と、破線Bに示す電流の流れと逆になるのを防止するための保護の方法についての説明は上記の説明と同じなので省略する。
The description of the step-down converter control by the
以上の説明のように本実施形態に係るAC/DCコンバータ部245は、ドライブロジック回路108aの制御によって、商用電源1の極性が正であろうと負であろうと、降圧コンバータとして動作できる。
As described above, the AC /
ここで、降圧コンバータの動作の本質は、交流電源である商用電源1の正電圧を出力している端子からリアクタ11へ供給している電流を遮断することにある。そのために図8(c)に示す、2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子による逆導通モード2によって、商用電源1の正の交流出力端子からリアクタ11への電流を遮断することが必要である。
Here, the essence of the operation of the step-down converter is to cut off the current supplied to the
図5に示すように、商用電源1に対して、2つの双方向スイッチ素子208及び209を配置することが、その目的を達成するために必要である。
As shown in FIG. 5, it is necessary to arrange two
なお、上記の理由により、双方向スイッチ素子206及び207は、1つのゲート端子のみを有する双方向スイッチ素子で十分に目的の機能をはたすが、当該双方向スイッチ素子206及び207に、スイッチ素子208又は209のように2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子を用いてもよい。
For the above-described reasons, the
図9Cは、商用電源1の極性が正であり、かつ昇圧コンバータ動作時の説明図である。ドライブロジック回路108aは、図示されているように、スイッチ素子212のゲート端子に信号PWMを、スイッチ素子213のゲート端子に信号PWMXを供給する。また、ドライブロジック回路108aは、スイッチ素子207及び208のゲート端子に、Highレベルの信号を供給する。ドライブロジック回路108aは、スイッチ素子206及び209のゲート端子にLowレベルの信号を供給する。
FIG. 9C is an explanatory diagram when the polarity of the
図9Cにおいて破線Aは、信号PWMがHighレベルであり、信号PWMXがLowレベルである時の電流の流れを示している。この場合、スイッチ素子212が通電モードであり、スイッチ素子213が逆導通モードである。よって、破線Aで示す電流は、商用電源1の極性が正の出力端子から、スイッチ素子208、リアクタ11、スイッチ素子212、及びスイッチ素子207をこの順で経由して、商用電源1の負の出力端子へ流れる。この破線Aに示す電流の流れによって、リアクタ11には磁気的エネルギーが貯えられる。
In FIG. 9C, a broken line A indicates a current flow when the signal PWM is at a high level and the signal PWMX is at a low level. In this case, the
一方、信号PWMがLowであり、信号PWMXがHighレベルである場合、スイッチ素子213は通電モードであり、スイッチ素子212は逆導通モードである。破線Bは、この場合の電流の流れを示す。この場合、破線Bで示す電流は、商用電源1の極性が正の出力端子から、スイッチ素子208、リアクタ11、スイッチ素子213、平滑コンデンサ14及びスイッチ素子207をこの順で経由して、商用電源1の負の出力端子へ流れる。この破線Bで示す電流の流れによって、リアクタ11から磁気的エネルギーが放出され、平滑コンデンサ14に電荷が充電される。これにより、直流電圧Vdcを商用電源1の交流振幅電圧より高い電圧に昇圧することが可能である。
On the other hand, when the signal PWM is low and the signal PWMX is at the high level, the
制御部200による一般的な制御状態では、リアクタ11に貯えられた磁気的エネルギーと放出される磁気的エネルギーとが等しくなるように制御される。これにより、直流電圧Vdcが設定電圧VdcINで決められた商用電源1の交流振幅電圧値より高い電圧に定値制御される昇圧コンバータ制御が実現される。
In a general control state by the
但し、例えば直流電圧Vdcの負荷が軽い場合等で、破線Bで示す電流の流れで、リアクタ11に貯えられた磁気的エネルギーの放出が完了し終えても、すぐに破線Aで示す電流の流れにより、リアクタ11に磁気的エネルギーが貯えられない場合が発生する可能性がある。この場合ではリアクタ11に流れる電流は、破線Bで示す電流の流れとは逆に流れる。これにより、平滑コンデンサ14は電荷充電から電荷放電の状態に変化し始める。この現象を防止するために、ドライブロジック回路108aは、電圧信号VIRがほぼゼロである場合に信号PWMXをLowレベルの信号に変えて出力する。このことは、リアクタ11の電流がほぼゼロになった時点で、信号PWMXをHighレベルからLowレベルに変えることを意味する。図9Cで信号PWMXがLowレベルであれば、スイッチ素子213は図7Bに示す逆導通モードである。これにより、図9Cの破線Bで示す流れと逆方向に電流が流れることによる平滑コンデンサ14の電荷放電現象を防ぐことができる。
However, for example, when the load of the DC voltage Vdc is light, the current flow indicated by the broken line A immediately after the completion of the release of the magnetic energy stored in the
以上の説明のようにドライブロジック回路108aは、極性信号PNと方向信号DRと電圧信号VIRとを用いて、AC/DCコンバータ部245を昇圧コンバータとして安定に動作させることができる。
As described above, the
図9Dは、商用電源1の極性が負の場合の昇圧コンバータ動作時の説明図である。ドライブロジック回路108aは、図示されているように、スイッチ素子212のゲート端子に信号PWMを、スイッチ素子213のゲート端子に信号PWMXを供給する。また、ドライブロジック回路108aは、スイッチ素子206及び209のゲート端子にHighレベルの信号を供給する。ドライブロジック回路108aは、スイッチ素子207及び208のゲート端子にLowレベルの信号を供給する。
FIG. 9D is an explanatory diagram when the boost converter operates when the polarity of the
図9Dにおいて、破線Aは信号PWMがHighレベルであり、信号PWMXがLowレベルである時の電流の流れを示している。破線Bは信号PWMがLowレベルであり、信号PWMXがHighレベルである場合の電流の流れを示している。このとき、スイッチ素子213は通電モードであり、スイッチ素子212は逆導通モードである。
In FIG. 9D, a broken line A indicates a current flow when the signal PWM is at a high level and the signal PWMX is at a low level. A broken line B indicates a current flow when the signal PWM is at a low level and the signal PWMX is at a high level. At this time, the
図9Dの商用電源1の極性が負の場合において、スイッチ素子206、207、208及び209の各ゲート電圧の設定が異なること以外は、昇圧コンバータの動作の説明は、上記図9Cに示す商用電源1の極性が正の場合と同じである。従って、ドライブロジック回路108aにより、AC/DCコンバータ部245は商用電源1の極性が負の場合でも昇圧コンバータとして安定に動作する。
In the case where the polarity of the
以上のように図5及び図9A〜図9Dからわかるように、本実施形態に係るAC/DCコンバータ部245は、リアクタ11の磁気的エネルギー放出時の還流電流を流すためのダイオードを有さない。また、AC/DCコンバータ部245を構成する双方向スイッチ素子には、少数キャリア蓄積効果がなく、リカバリー電流及びスイッチ素子がターンオフする時のテール電流がほとんど無いことを前提としている。
As can be seen from FIGS. 5 and 9A to 9D as described above, the AC /
このことは、AC/DCコンバータ部245を有する本実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータでは、PWMスイッチング動作時に、Si系半導体素子のダイオードによるリカバリー電流によるスイッチング損失成分がほとんど無いことを意味している。従って、当該昇降圧型PFCコンバータでは、スイッチング周波数を上げてもスイッチング損失による大幅な消費電力の増加はない。よって、当該昇降圧型PFCコンバータは、スイッチング周波数を上げることで昇圧用コイルのインダクタを小さくすることが可能である。
This means that the buck-boost PFC converter according to the present embodiment having the AC /
なお、少数キャリア効果がない双方向スイッチ素子としては、以下に説明するGaNトランジスタがある。この双方向スイッチ素子は、半導体基板の上に形成された窒化物半導体で構成される半導体積層体と、前記半導体積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたドレイン端子及びソース端子と、前記ドレイン端子とソース端子との間に形成されたゲート端子とを備えることを特徴とする。この双方向スイッチ素子について図10を用いて説明する。 As a bidirectional switch element having no minority carrier effect, there is a GaN transistor described below. The bidirectional switch element includes a semiconductor stacked body formed of a nitride semiconductor formed on a semiconductor substrate, a drain terminal and a source terminal formed on the semiconductor stacked body at a distance from each other, And a gate terminal formed between the drain terminal and the source terminal. This bidirectional switch element will be described with reference to FIG.
図10は、双方向スイッチ素子の断面図である。この双方スイッチ素子は、半導体基板の上に形成された、窒化物半導体で構成されるノーマリオフ型のヘテロ接合FETである。この双方向スイッチ素子は、半導体積層体403の上に形成される。半導体積層体403は、シリコン基板401の上にバッファ層402を介在させて形成される。
FIG. 10 is a cross-sectional view of the bidirectional switch element. This two-way switch element is a normally-off type heterojunction FET formed on a semiconductor substrate and made of a nitride semiconductor. This bidirectional switch element is formed on the semiconductor stacked body 403. The semiconductor stacked body 403 is formed on the
バッファ層402は、交互に積層された窒化アルミニウムと窒化ガリウムとを含む。
The
半導体積層体403は、アンドープの窒化ガリウム層404と、当該アンドープの窒化ガリウム層404の上に形成されたn型の窒化アルミニウムガリウム層405とを含む。このアンドープの窒化ガリウム層404とn型の窒化アルミニウムガリウム層405との間のヘテロ界面近傍には2次元電子ガスと呼ばれるキャリア濃度の高いFETのチャンネル領域が生成される。
The semiconductor stacked body 403 includes an undoped
半導体積層体403の上に、チャンネル領域とオーミック接合する、ソース端子及びドレイン端子を形成するためのソース端子用オーミック電極406a及びドレイン端子用オーミック電極406bと、配線410とが図10に示すように配置される。
A source terminal
コントロール層409は、ソース端子用オーミック電極406aとドレイン端子用オーミック電極406bとの間の領域、かつ、n型の窒化アルミニウムガリウム層405の上に形成される。このコントロール層409は、FET特性を制御するためのp型半導体層である。
The
ゲート電極408は、コントロール層409の上に形成され、コントロール層409とオーミック接触している。このゲート電極408に与えられる電気信号により、ノーマリオフ型のヘテロ接合FETすなわち双方向スイッチ素子のドレイン端子とソース端子との間に流れる電流が制御される。
The
保護膜407は、上記の構成を覆うように形成されている。
The
なお、図10において、ドレイン端子用オーミック電極406bからゲート電極408までの距離が、ソース端子用オーミック電極406aからゲート電極408までの距離より長い。これは、ドレイン端子とゲート端子との間の耐圧のほうがソース端子とゲート端子との間の耐圧より大きいことが要求されるためである。
In FIG. 10, the distance from the drain terminal
図10のように形成された双方向スイッチ素子はGaNトランジスタと呼ばれ、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)のように高耐圧で大電流駆動することができるデバイスである。さらに、GaNトランジスタは、IGBTの電流電圧特性におけるPN接合によるオフセット電圧を持たずに、図6A及び図6Bに示すような双方向に電流を流すFET特性と逆FET特性とを有する。さらに、GaNトランジスタは、そのデバイスのチップ面積に対してそのオン抵抗成分Ronの非常に小さなスイッチ素子である。さらに、GaNトランジスタは図6Cに示す逆導通特性をも有する。 The bidirectional switch element formed as shown in FIG. 10 is called a GaN transistor, and is a device that can be driven with a high current with a high breakdown voltage, such as an insulated gate bipolar transistor (IGBT). Furthermore, the GaN transistor does not have an offset voltage due to the PN junction in the current-voltage characteristics of the IGBT, and has FET characteristics and reverse FET characteristics that allow current to flow in both directions as shown in FIGS. 6A and 6B. Further, the GaN transistor is a switching element having a very small on-resistance component Ron with respect to the chip area of the device. Furthermore, the GaN transistor also has reverse conduction characteristics shown in FIG. 6C.
図5などに示す2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子208及び209は、2個のGaNトランジスタを互いに逆向きに直列接続した双方向スイッチ素子である。この2つのゲート端子を有する双方向スイッチ素子について図11を用いて説明する。
図11は、この2つのゲート端子を有する双方向スイッチ素子の断面図である。この2つのゲート端子を有する双方向スイッチ素子は、ドレイン端子同士が接続されている2つの双方向スイッチ素子と等価であり、当該2つのドレイン端子は共通化されている。具体的には、2つのゲート端子を有するスイッチ素子は、図10に示す半導体基板の上に形成された窒化物半導体からなるノーマリオフ型のヘテロ接合FETを、そのFETのドレイン端子部分のチャンネル領域を共通にして、2個直列に並べた構成をしている。この2つのゲート端子を有するスイッチ素子は半導体積層体413の上に形成される。半導体積層体413は、シリコン基板411の上にバッファ層412を介在させて形成されている。
FIG. 11 is a cross-sectional view of the bidirectional switch element having the two gate terminals. The bidirectional switch element having two gate terminals is equivalent to two bidirectional switch elements in which the drain terminals are connected to each other, and the two drain terminals are shared. Specifically, the switch element having two gate terminals includes a normally-off type heterojunction FET made of a nitride semiconductor formed on the semiconductor substrate shown in FIG. 10 and a channel region in the drain terminal portion of the FET. In common, two are arranged in series. The switch element having the two gate terminals is formed on the semiconductor stacked
バッファ層412及び半導体積層体413は、図10に示すバッファ層402及び半導体積層体403と同じ構成である。半導体積層体413は、アンドープの窒化ガリウム層414と、当該アンドープの窒化ガリウム層414の上に形成されたn型の窒化アルミニウムガリウム層415とを含む。このアンドープの窒化ガリウム層414とn型の窒化アルミニウムガリウム層415との間のヘテロ界面近傍には2次元電子ガスと呼ばれるキャリア濃度の高いFETのチャンネル領域が生成される。
The
半導体積層体413の上に、第1出力端子である第1ソース端子と第2出力端子である第2ソース端子とを形成するために、チャンネル領域とオーミック接合するする第1ソース端子用オーミック電極416aと第2ソース端子用オーミック電極416bと、当該第1ソース端子用オーミック電極416a及び第2ソース端子用オーミック電極416bの各々に接続される配線420とが図11のように配置される。
An ohmic electrode for a first source terminal that is in ohmic contact with the channel region to form a first source terminal that is a first output terminal and a second source terminal that is a second output terminal on the semiconductor stacked
第1コントロール層419a及び第2コントロール層419bは、第1ソース端子用オーミック電極416aと第2ソース端子用オーミック電極416bとの間の領域、かつn型の窒化アルミニウムガリウム層415の上に形成される。この第1コントロール層419a及び第2コントロール層419bは、FET特性を制御するためのp型半導体層である。
The
第1ゲート電極418a及び第2ゲート電極は、第1コントロール層419a及び第2コントロール層419bの上には各々形成されている。第1コントロール層419aと第1ゲート電極418aとはオーミック接触をしている。第2コントロール層419bと第2ゲート電極418bとはオーミック接触をしている。
The
保護膜417は、上記の構成を覆うように形成されている。
The
前述したように、2つのこのゲート端子を有する双方向スイッチ素子は、1つのゲート端子を有するノーマリオフ型のヘテロ接合FETを、そのFETのドレイン端子部分のチャンネル領域を共通にして、2個直列に並べた構成と同じである。第1ゲート電極418aに与えられる電気信号に応じて、第1ゲート電極と第1ソース端子とを持つノーマリオフ型のヘテロ接合FETは、もう一つの第2ヘテロ接合FETと共有しているドレイン領域からソース端子へ流れる電流を制御する。同様に、第2ゲート電極418bに与えられる電気信号に応じて、第2ゲート電極と第2ソース端子を持つもう一つのノーマリオフ型のヘテロ接合FETは、もう一つの第1ヘテロ接合FETと共有しているドレイン領域からソース端子へ流れる電流を制御する。
As described above, in the bidirectional switch element having two gate terminals, two normally-off type heterojunction FETs having one gate terminal are connected in series with the channel region of the drain terminal portion of the FET being common. The arrangement is the same. In response to an electrical signal applied to the
なお、図11において、第1ゲート電極418aと第2ゲート電極418bとの間の距離が、第1ゲート電極418aから第1ソース端子用オーミック電極416aまでの距離及び第2ゲート電極418bから第2ソース端子用オーミック電極416bまでの距離より長い。これは、第1ゲート電極418aから第2ゲート電極418bまでの領域は、先ほど説明したように、2つのヘテロ接合FETを直列に接続したときの共有のドレイン領域となっているためである。耐圧の関係でこのような配置を用いる。
In FIG. 11, the distance between the
図11からわかるように2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子は、耐圧が要求されるドレイン領域を、2つの直列接続したヘテロ接合FETで共有した構成である。これにより、図11に示す構成は、独立した1つのゲート端子を有するスイッチ素子を2個直列に接続した場合に比べサイズを小さくできる。また、この双方向スイッチ素子は、図8で説明した4つ導通通常をもつ双方向スイッチ素子である。つまり、図8(d)に示すように、双方向スイッチ素子の両端端子の電圧及び電流を遮断することが可能である。 As can be seen from FIG. 11, the bidirectional switch element having two gate terminals has a configuration in which a drain region requiring a breakdown voltage is shared by two heterojunction FETs connected in series. As a result, the configuration shown in FIG. 11 can be reduced in size compared to the case where two switch elements each having one independent gate terminal are connected in series. Further, this bidirectional switch element is the bidirectional switch element having the four conduction normals described with reference to FIG. That is, as shown in FIG. 8D, the voltage and current at both terminals of the bidirectional switch element can be cut off.
この2個のGaNトランジスタで構成された2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子は、GaNトランジスタと同じく高耐圧で大電流が流せ、且つオン抵抗成分が小さいスイッチ素子である。 The bi-directional switch element having two gate terminals composed of the two GaN transistors is a switch element having a high withstand voltage, a large current, and a small on-resistance component, like the GaN transistor.
それに加え、上記の2個のGaNトランジスタを用いた双方向スイッチ素子は、少数キャリアによる蓄積効果がほとんどなく、IGBT及び他のシリコン系半導体素子のようなターンオフ時のテール電流効果もほとんどない。このことについて図12A及び図12Bと図4A及び図4Bとを比較して説明する。 In addition, the bidirectional switch element using the two GaN transistors described above has almost no accumulation effect due to minority carriers, and almost no tail current effect during turn-off as in IGBTs and other silicon-based semiconductor elements. This will be described by comparing FIGS. 12A and 12B with FIGS. 4A and 4B.
図12A及び図12Bは、本実施形態に係る昇降圧PFCコンバータで、2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子208と双方向スイッチ素子212とがスイッチング動作する時の駆動電流波形を示す図である。
12A and 12B are diagrams showing drive current waveforms when the
図12Aは、図9Aで説明した、商用電源1の極性が正の場合の降圧コンバータ動作時におけるスイッチ素子208のスイッチング動作による電流波形を示す図である。
FIG. 12A is a diagram illustrating a current waveform due to the switching operation of the
降圧コンバータ動作ではスイッチ素子208及び209が同期整流した形でPWMスイッチング動作をする。図9Aにおいてスイッチ素子209がオンした状態であり、破線Bで示す電流が流れている状態から、スイッチ素子209がオフした後にスイッチ素子208がターンオンした時に、もしスイッチ素子209に少数キャリア蓄積効果があれば、スイッチ素子209のリカバリー電流をスイッチ素子208が駆動することになる。しかし、2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子には少数キャリア蓄積効果が無い。これにより、図12Aに示すようにスイッチ素子208の電流Ids(208)の波形におけるターンオン時の電流ピーク値は、図4Aに示すスイッチ素子8におけるターンオン時のコレクタ電流Ice(8)の電流ピーク値と比べると、非常に小さくなる。
In the step-down converter operation, the switching
また、図12Aに示すように、2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子には少数キャリア蓄積効果が無いのでスイッチ素子208がターンオフする時のテール電流も少ない。この点についても図4Aと比較すると明確である。
Further, as shown in FIG. 12A, since the bidirectional switch element having two gate terminals has no minority carrier accumulation effect, the tail current when the
降圧コンバータ動作時のスイッチ素子208の両端子間の電圧Vdsは、図12Aの波形VAを上下逆転した波形となり、この波形とスイッチ素子208の電流Ids(208)を乗算した値を、図12Aに示すターンオン期間で積分した値が、ターンオン時のスイッチ素子208のスイッチング損失である。図12Aからわかるようにスイッチ素子208のターンオン時のスイッチング損失は、図4Aに示すリカバリー電流の影響がないので、小さい値である。同様にスイッチ素子208のターンオフ時のスイッチング損失も、スイッチ素子208のターンオフ時のテール電流が無いため、小さい値である。
The voltage Vds between both terminals of the
図12Bは、図9Cで説明した、商用電源1の極性が正の場合の昇圧コンバータ動作時におけるスイッチ素子212のスイッチング動作による電流波形を示す図である。
FIG. 12B is a diagram illustrating a current waveform due to the switching operation of the
昇圧コンバータ動作ではスイッチ素子212及び213が同期整流した形でPWMスイッチング動作をする。図9Cにおいてスイッチ素子213がオンした状態であり、破線Bで示す電流が流れている状態から、スイッチ素子213がオフした後にスイッチ素子212がターンオンした時に、もしスイッチ素子213に少数キャリア蓄積効果があれば、スイッチ素子213のリカバリー電流をスイッチ素子212が駆動することになる。しかし、双方向スイッチ素子には少数キャリア蓄積効果が無いために、図12Bに示すようにスイッチ素子212の電流Ids(212)の波形のターンオン時の電流ピーク値は、図4Bでのスイッチ素子12のターンオン時のコレクタ電流Ice(12)の電流ピーク値と比べると、非常に小さい。
In the step-up converter operation, the switching
また、図12Bに示すように、双方向スイッチ素子には少数キャリア蓄積効果が無いのでスイッチ素子212がターンオフ時のテール電流も少ない。この点についても図4Bと比較すると明確である。
Further, as shown in FIG. 12B, since the bidirectional switch element has no minority carrier accumulation effect, the tail current when the
昇圧コンバータ動作時のスイッチ素子212の両端子間の電圧Vdsは、図12Bに示す波形VBと同じ波形である。この波形とスイッチ素子212の電流Ids(212)とを乗算した値を図12Bに示すターンオン期間で積分した値がターンオン時のスイッチ素子212のスイッチング損失である。図12Bからわかるようにスイッチ素子212のターンオン時のスイッチング損失は、図4Bに示すリカバリー電流の影響がないので、小さい値である。同様にスイッチ素子212のターンオフ時のスイッチング損失も、スイッチ素子212のターンオフ時テール電流が無いため、小さい値である。
The voltage Vds between both terminals of the
また、商用電源1の極性が負の場合には、降圧コンバータ動作ではスイッチ素子208を、スイッチ素子209に置き換え、昇圧コンバータ動作時は同じスイッチ素子212のままで、上記説明の繰り返しである。従って、この場合のスイッチ素子に対するスイッチング損失削減の効果の説明については省略する。
When the polarity of the
以上の説明のように、AC/DCコンバータ部245を有する本実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータでは、PWMスイッチング動作時にSi系半導体素子のダイオードによるリカバリー電流によるスイッチング損失成分がほとんど無い。従って、当該昇降圧型PFCコンバータではスイッチング周波数を上げてもスイッチング損失による大幅な消費電力の増加はない。よって当該昇降圧型PFCコンバータは、スイッチング周波数を上げて昇圧用コイルのインダクタを小さくすることでリアクタを小型化できる。
As described above, in the step-up / step-down PFC converter according to this embodiment having the AC /
また、本実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータでは、ダイオードが存在しない構成であり、整流ダイオードブリッジ及び還流電流用ダイオードでのダイオード順方向電圧VFの電圧降下による消費電力を無くすことができる。 Further, the buck-boost PFC converter according to the present embodiment has a configuration in which no diode is present, and power consumption due to a voltage drop of the diode forward voltage VF at the rectifier diode bridge and the return current diode can be eliminated.
このように、本実施形態は、スイッチング損失削減による消費電力削減効果と、このダイオードの順方向電圧VFでの消費電力の削減と、GaNトランジスタのオン抵抗が小さいことによる導通損失削減効果との3つの効果により、効率の良い昇降圧型PFCコンバータが実現できる。 As described above, this embodiment has the following three effects: the power consumption reduction effect by reducing the switching loss, the power consumption reduction at the forward voltage VF of the diode, and the conduction loss reduction effect due to the small on-resistance of the GaN transistor. Due to these effects, an efficient buck-boost PFC converter can be realized.
その上、図5に示すAC/DCコンバータ部245と、比較例に係る図1に示す整流ダイオードブリッジ4及びコンバータ5との比較からわかるように、本実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータのほうが、比較例の降圧チョッパ用の半導体スイッチ素子8と降圧動作還流用のダイオード9との員数分だけ、パワー半導体素子の数が少ない。
In addition, as can be seen from a comparison between the AC /
また、上記の効率の向上とパワー半導体素子の削減とにより、ヒートシンク等の放熱設計部品を小さくできる。これにより、前述のリアクタの小型化も含めて、より小型化した昇降圧型PFCコンバータが実現できる。 Moreover, the heat radiation design components such as the heat sink can be reduced by the improvement of the efficiency and the reduction of the power semiconductor elements. As a result, it is possible to realize a step-down / step-up PFC converter that is further downsized, including the downsizing of the reactor described above.
なお、本発明の第1の実施形態の変形として、図13に示すように、リアクタ11の配置を変えた構成が考えられる。図13に示すAC/DCコンバータ部246では、リアクタ11及びPFC制御に用いる電流センサ10は、2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子208及び209の接続点と、双方向スイッチ素子212及び213の接続点との間に配置されるのでなく、双方向スイッチ素子207のソース端子と双方向スイッチ素子212のソース端子との間に配置される。
As a modification of the first embodiment of the present invention, a configuration in which the arrangement of the
つまり、リアクタ11は、第1ノードと第3ノード(GND)との間に接続されている。
That is, the
スイッチ素子212(第7スイッチ素子)は、第3ノードにソース端子が接続され、第2ノードにドレイン端子が接続されている。スイッチ素子213(第8スイッチ素子)は、第2ノードにソース端子が接続され、出力端子T3にドレイン端子が接続されている。 The switch element 212 (seventh switch element) has a source terminal connected to the third node and a drain terminal connected to the second node. The switch element 213 (eighth switch element) has a source terminal connected to the second node and a drain terminal connected to the output terminal T3.
このような配置においても、降圧コンバータ動作時のスイッチ素子208及び209のリアクタ11に対する電流遮断機能と、昇圧コンバータ動作時のスイッチ素子212のリアクタ11に対する電流遮断機能とは、図5に示すリアクタ11の配置の場合と変わらない。結果として、いくつかの回路接点でのスイッチング電圧波形は異なるが、商用電源1の交流電源から直流電圧Vdcを生成するAC/DCコンバータ動作は同じになる。
Even in such an arrangement, the current cut-off function for the
(第2の実施形態)
図14は、本発明の第2の実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータの具体的な構成を示すブロック図である。以下にこの図14を用いて、本実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータを説明する。(Second Embodiment)
FIG. 14 is a block diagram showing a specific configuration of the buck-boost PFC converter according to the second embodiment of the present invention. Hereinafter, the step-up / step-down PFC converter according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
図14に示す昇降圧型PFCコンバータは、AC/DCコンバータ部345と、制御部300とを備える。
The step-up / step-down PFC converter shown in FIG. 14 includes an AC /
AC/DCコンバータ部345は、スイッチ素子304〜309、312及び313を備える。
The AC /
スイッチ素子306(第1スイッチ素子)は、第1ノードN1(GND)にソース端子が接続され、第1入力端子T1にドレイン端子が接続されている。 The switch element 306 (first switch element) has a source terminal connected to the first node N1 (GND) and a drain terminal connected to the first input terminal T1.
スイッチ素子304(第2スイッチ素子)は、第1入力端子T1にソース端子が接続され、第2ノードにドレイン端子が接続されている。 The switch element 304 (second switch element) has a source terminal connected to the first input terminal T1 and a drain terminal connected to the second node.
スイッチ素子307(第3スイッチ素子)は、第1ノードN1にソース端子が接続され、第2入力端子T2にドレイン端子が接続されている。 The switch element 307 (third switch element) has a source terminal connected to the first node N1, and a drain terminal connected to the second input terminal T2.
スイッチ素子305(第4スイッチ素子)は、第2入力端子T2にソース端子が接続され、第2ノードN2にドレイン端子が接続されている。 The switch element 305 (fourth switch element) has a source terminal connected to the second input terminal T2 and a drain terminal connected to the second node N2.
スイッチ素子309(第5スイッチ素子)は、第1ノードN1にソース端子が接続され、第3ノードN3にドレイン端子が接続されている。 The switch element 309 (fifth switch element) has a source terminal connected to the first node N1 and a drain terminal connected to the third node N3.
スイッチ素子308は、第3ノードN3にソース端子が接続され、第2ノードN2にドレイン端子が接続されている。
The
これらのスイッチ素子304〜309は、本発明の第1スイッチ素子群に相当する。この第1スイッチ素子群は、第1入力端子T1及びT2に入力された交流信号を全波整流することにより全波整流信号を生成する全波整流動作と、降圧動作とを行うために用いられる。
These switch
リアクタ11は、第3ノードN3と第4ノードN4との間に接続されている。
The
スイッチ素子312(第7スイッチ素子)は、第1ノードN1にソース端子が接続され、第4ノードN4にドレイン端子が接続されている。 The switch element 312 (seventh switch element) has a source terminal connected to the first node N1 and a drain terminal connected to the fourth node N4.
スイッチ素子313(第8スイッチ素子)は、第4ノードN4にソース端子が接続され、出力端子T3にドレイン端子が接続されている。 The switch element 313 (eighth switch element) has a source terminal connected to the fourth node N4 and a drain terminal connected to the output terminal T3.
これらのスイッチ素子312及び313は、本発明の第2スイッチ素子群に相当する。この第2スイッチ素子群は、出力端子T3に接続されており、昇圧動作を行うために用いられる。
These switch
制御部300は、図5に示す制御部200とほぼ同じ機能を有する。図14では図示されていないが制御部300が備えるドライブロジック回路から8個の双方向スイッチ素子のゲート端子に供給される8本の出力信号の一部分が、図5に示すドライブロジック回路108aの対応する8本の出力信号と異なるだけである。この違いは、図15A〜図15Dと前述の第1の実施形態における昇降圧PFCコンバータの動作説明図である図9A〜図9Dとを比較することで容易にわかる。よって文中での説明は省略する。またPFC制御の説明についての制御部300の動作説明は第1の実施形態で説明したものと同じであり、この点についても詳しい説明は省略する。
The
具体的には、降圧動作の際、制御部300は、スイッチ素子312をオフし、スイッチ素子313をオンする。また、制御部300は、スイッチ素子308及び309に、上記スイッチング制御を行う。
Specifically, during the step-down operation, the
昇圧動作の際、制御部300は、スイッチ素子309をオフし、スイッチ素子308をオンする。また、制御部300は、スイッチ素子312及び313にスイッチング制御を行う。
During the boosting operation, the
また、制御部300は、商用電源1の極性が正の場合、スイッチ素子305及び306をオフし、スイッチ素子304及び307をオンする。一方、商用電源1の極性が負の場合、スイッチ素子304及び307をオフし、スイッチ素子305及び306をオンする。
In addition, when the polarity of the
図15A〜図15Dの4つの図は、商用電源1の極性が正又は負の場合の降圧コンバータ動作及び昇圧コンバータ動作時のAC/DCコンバータ部345の動作を説明するための図である。
15A to 15D are diagrams for explaining the operation of the AC /
図15Aは、商用電源1の極性が正の場合の降圧コンバータ動作時の説明図である。
FIG. 15A is an explanatory diagram during operation of the step-down converter when the polarity of the
制御部300は、図示されているように、スイッチ素子308に信号PWMを、スイッチ素子309に信号PWMXを供給する。また、制御部300は、スイッチ素子304、307及び313の各ゲート端子にHighレベルの信号を供給する。制御部300は、スイッチ素子305、306及び312の各ゲート端子にLowレベルの信号を供給する。
The
図15Aにおいて、信号PWMがHighレベルであり、信号PWMXがLowレベルである場合、スイッチ素子308が図7Aに示す通電モードであり、スイッチ素子309が図7Bに示す逆導通モードである。この場合、破線Aに示すように、商用電源1の極性が正の出力端子から、スイッチ素子304、スイッチ素子308、リアクタ11、スイッチ素子313、平滑コンデンサ14及びスイッチ素子307をこの順で経由して、商用電源1の負の出力端子へ電流が流れる。破線Aに示す電流の流れの場合、商用電源1からリアクタ11に電流が流れることで、リアクタ11に磁気的エネルギーが貯えられている状態である。
In FIG. 15A, when the signal PWM is at a high level and the signal PWMX is at a low level, the
一方、信号PWMがLowレベルであり、信号PWMXがHighレベルである場合、スイッチ素子309が通電モードであり、スイッチ素子308が逆導通モードである。この場合、商用電源1からリアクタ11への電流は遮断される。破線Bは、この場合の電流の流れを示す。この場合、商用電源1からリアクタ11には磁気的なエネルギーは貯えられない。逆にリアクタ11で磁気的なエネルギーの放出が始まり破線Bで示される経路で電流が流れる。電流は、リアクタ11、スイッチ素子313、平滑コンデンサ14、及びスイッチ素子309をこの順で経由してリアクタ11に戻る。この電流によりリアクタ11の磁気的エネルギーの放出が行われる。
On the other hand, when the signal PWM is at the low level and the signal PWMX is at the high level, the
制御部300による一般的な制御状態では、リアクタ11に貯えられた磁気的エネルギーと放出される磁気的エネルギーとが等しくなるように制御が行われる。結果として商用電源1の電圧が直流電圧Vdcより高い場合でも、直流電圧Vdcが設定電圧VdcINで決められた商用電源1の交流振幅電圧値より低い電圧に定値制御される降圧コンバータ制御が実現される。
In a general control state by the
但し、例えば制御部300の制御応答性の遅れ等の現象で、破線Bで示す電流の流れでリアクタ11に貯えられた磁気的エネルギーの放出が完了し終えても、すぐに破線Aで示す電流の流れでリアクタ11に磁気的エネルギーが貯えられない場合が発生する可能性がある。この場合、リアクタ11に流れる電流は、破線Bで示す電流の流れとは逆に流れる。これにより、平滑コンデンサ14は電荷充電から電荷放電の状態に変化し始める。この現象を防止するために、制御部300は、電流センサ10で検知された商用電源1からの出力電流Irがほぼゼロである場合に上記の同期整流信号PWMXをLowレベルの信号に変えて出力する。このことはリアクタ11の電流がほぼゼロであれば同期整流信号PWMXをLowレベルにすることを意味する。図15Aにおいて信号PWMXがLowレベルであれば、スイッチ素子309は図7Bに示す逆導通モードである。これにより、図15Aに示す破線Bの流れと逆方向に電流が流れることによる平滑コンデンサ14の電荷放電現象を防ぐことができる。
However, even if the release of the magnetic energy stored in the
以上の説明のように制御部300は、AC/DCコンバータ部345を降圧コンバータとして安定に動作させることができる。
As described above, the
図15Bは、商用電源1の極性が負で降圧コンバータ動作時の説明図である。
FIG. 15B is an explanatory diagram when the
制御部300は、図示されているように、スイッチ素子308に信号PWMを、スイッチ素子309に信号PWMXを供給する。また、制御部300は、スイッチ素子304と305と306と307と312と313の各ゲート端子に、図示されているようにHigh又はLowレベルの信号を供給する。
The
図15Bに示す破線Aは、図15Aに示す破線Aに対して、スイッチ素子304、305、306及び307の電流の流れが、交流電源である商用電源1の極性の正負の違いを吸収するために変更されている点だけが異なる。故に、この降圧コンバータ動作の説明は省略する。
The broken line A shown in FIG. 15B is different from the broken line A shown in FIG. 15A in that the current flow of the
図15Cは、商用電源1の極性が正の場合の昇圧コンバータ動作時の説明図である。制御部300は、図示されているように、スイッチ素子312に信号PWMを、スイッチ素子313に信号PWMXを供給する。また、制御部300は、スイッチ素子304、305、306、307、308及び309の各ゲート端子に、図示されているようにHigh又はLowレベルの信号を供給する。
FIG. 15C is an explanatory diagram during operation of the boost converter when the polarity of the
図15Cに示す破線Aは、信号PWMがHighレベルであり、信号PWMXがLowレベルである時の電流の流れを示す。この場合、図7A及び図7Bで説明したように、スイッチ素子312が通電モードであり、スイッチ素子313が逆導通モードである。よって、破線Aで示す電流は、商用電源1の極性が正の出力端子からスイッチ素子304、スイッチ素子308、リアクタ11、スイッチ素子312及びスイッチ素子307をこの順で経由して、商用電源1の負の出力端子へ流れる。破線Aで示す電流の流れによって、リアクタ11には磁気的エネルギーが貯えられる。
A broken line A shown in FIG. 15C indicates a current flow when the signal PWM is at a high level and the signal PWMX is at a low level. In this case, as described in FIGS. 7A and 7B, the
信号PWMがLowレベルであり、信号PWMXがHighレベルである場合、スイッチ素子313が通電モードであり、スイッチ素子312が逆導通モードである。破線Bは、この場合の電流の流れを示す。この場合、破線Bで示す電流は、商用電源1の極性が正の出力端子から、スイッチ素子304、スイッチ素子308、リアクタ11、スイッチ素子313、平滑コンデンサ14及びスイッチ素子307をこの順で経由して、商用電源1の負の出力端子へ流れる。破線Bで示す電流の流れによって、リアクタ11の磁気的エネルギーが放出されることで、平滑コンデンサ14に電荷が充電される。これにより、直流電圧Vdcを商用電源1の交流振幅電圧より高い電圧に昇圧することが可能である。
When the signal PWM is at the low level and the signal PWMX is at the high level, the
制御部300による一般的な制御状態では、リアクタ11に貯えられた磁気的エネルギーと放出される磁気的エネルギーとが等しくなるように制御が行われる。よって、直流電圧Vdcが設定電圧VdcINで決められた商用電源1の交流振幅電圧値より高い電圧に定値制御される昇圧コンバータ制御が実現される。
In a general control state by the
但し、例えば直流電圧Vdcの負荷が軽い場合等で、破線Bで示す電流の流れによりリアクタ11に貯えられた磁気的エネルギーの放出が完了し終えても、すぐに破線Aで示す電流の流れによりリアクタ11に磁気的エネルギーを貯えられない場合が発生する可能性がある。この場合、リアクタ11に流れる電流は、破線Bで示す電流の流れとは逆に流れる。これにより、平滑コンデンサ14は電荷充電から電荷放電の状態に変化し始める。この現象を防止するために、制御部300は、電流センサ10で検知された商用電源1からの出力電流Irがほぼゼロである場合に信号PWMXをLowレベルの信号に変えて出力する。このことは、リアクタ11の電流がほぼゼロになった時点で、信号PWMXをHighレベルからLowレベルに変えることを意味する。図15Cで信号PWMXがLowレベルであれば、スイッチ素子313は図7Bの逆導通モードである。よって、図15Cの破線Bで示す流れと逆方向に電流が流れることによる平滑コンデンサ14の電荷放電現象を防ぐことができる。
However, for example, when the load of the DC voltage Vdc is light, even if the release of the magnetic energy stored in the
以上の説明のように制御部300は、AC/DCコンバータ部345を昇圧コンバータとして安定に動作させることができる。
As described above, the
図15Dは、商用電源1の極性が負の場合の昇圧コンバータ動作時の説明図である。
FIG. 15D is an explanatory diagram during operation of the boost converter when the polarity of the
制御部300は、図示されているように、スイッチ素子312に信号PWMを、スイッチ素子313に信号PWMXを供給する。また、制御部300は、スイッチ素子304、305、306、307、308及び309の各ゲート端子に、図示されているようにHigh又はLowレベルの信号を供給する。
The
図15Dに示す破線Aは、図15Cに示す破線Aに対して、スイッチ素子304、305、306及び307の電流の流れが、交流電源である商用電源1の極性の正負の違いを吸収するために変更されている点だけが異なる。故に、この場合の昇圧コンバータ動作の説明は省略する。
The broken line A shown in FIG. 15D is different from the broken line A shown in FIG. 15C in that the current flow of the
図14に示す昇降圧型PFCコンバータは、第1の実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータと同様に、リアクタ11の磁気的エネルギー放出時の還流電流を流すためのダイオードを備えないとともに、整流ダイオードブリッジを備えない。
The buck-boost PFC converter shown in FIG. 14 does not include a diode for flowing a return current when the magnetic energy is released from the
また、本実施形態に係るAC/DCコンバータ部345を構成する双方向スイッチ素子は、第1の実施形態と同じく、少数キャリア蓄積効果がなく、リカバリー電流及びスイッチ素子がターンオフする時のテール電流がほとんど無いことを前提としている。またそのような双方向スイッチ素子として第1の実施形態で説明したGaNトランジスタを想定している。従って、AC/DCコンバータ部345を有する本実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータでは、PWMスイッチング動作時のスイッチング損失が非常に小さくなる。また、双方向スイッチ素子のオン抵抗成分も小さいので、導通損失も小さくなる。
Further, the bidirectional switch element constituting the AC /
以上の説明のように、AC/DCコンバータ部345を有する本実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータでは、PWMスイッチング動作時にSi系半導体素子のダイオードによるリカバリー電流によるスイッチング損失成分がほとんど無い。従って、当該昇降圧型PFCコンバータではスイッチング周波数を上げてもスイッチング損失による大幅な消費電力の増加はない。これにより、当該昇降圧型PFCコンバータは、スイッチング周波数を上げて昇圧用コイルのインダクタを小さくすることでリアクタを小型化できる。
As described above, the buck-boost PFC converter according to the present embodiment having the AC /
また、本発明の昇降圧型PFCコンバータは、ダイオードを備えない構成である。これにより、整流ダイオードブリッジと還流ダイオードとでのダイオード順方向電圧VFの電圧降下による消費電力を無くすことができる。また、スイッチング損失削減による消費電力削減効果と、このダイオードの順方向電圧VFでの消費電力の削減と、GaNトランジスタのオン抵抗が小さいことによる導通損失削減効果との3つの効果により、効率の良い昇降圧型PFCコンバータを実現できる。 In addition, the step-up / step-down PFC converter of the present invention is configured not to include a diode. As a result, it is possible to eliminate power consumption due to a voltage drop of the diode forward voltage VF between the rectifier diode bridge and the return diode. In addition, the power consumption is reduced by switching loss reduction, the power consumption is reduced at the forward voltage VF of the diode, and the conduction loss reduction effect due to the small on-resistance of the GaN transistor is effective. A buck-boost PFC converter can be realized.
そして上記の効率の向上により、ヒートシンク等の放熱設計部品が小さくできる。これにより、前述のリアクタの小型化も含めて、より小型化した昇降圧型PFCコンバータを実現できる。 And the improvement of said efficiency can make small heat radiation design parts, such as a heat sink. As a result, a step-down / step-up PFC converter that is further downsized, including the above-described downsizing of the reactor, can be realized.
なお、本発明の第2の実施形態の変形として、図16に示すように、リアクタ11の配置を変えた構成が考えられる。図16に示すAC/DCコンバータ部346では、リアクタ11とPFC制御に用いる電流センサ10は、双方向スイッチ素子308と309との接続点と、双方向スイッチ素子312と313との接続点との間に配置されるのでなく、双方向スイッチ素子309のソース端子と312のソース端子との間に配置される。
As a modification of the second embodiment of the present invention, a configuration in which the arrangement of the
具体的には、リアクタ11は、第1ノードN1と第4ノードN4(GND)との間に接続されている。スイッチ素子312(第7スイッチ素子)は、第4ノードN4にソース端子が接続され、第3ノードN3にドレイン端子が接続されている。スイッチ素子313(第8スイッチ素子)は、第3ノードN3にソース端子が接続され、出力端子T3にドレイン端子が接続されている。
Specifically, the
このような配置においても、降圧コンバータ動作時のスイッチ素子308のリアクタ11に対する電流遮断機能及び昇圧コンバータ動作時のスイッチ素子312のリアクタ11に対する電流遮断機能は図14でのリアクタ11の配置の場合と変わらない。結果として、いくつかの回路接点でのスイッチング電圧波形は異なるが、商用電源1の交流電源から直流電圧Vdcに対するAC/DCコンバータ動作は同じになる。
Even in such an arrangement, the current interruption function for the
(まとめ)
以上、図面を用いて説明したように、本発明の第1の実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータで用いられるスイッチ素子は、電流制御をするゲート端子と、この電流を流出入するためのドレイン端子及びソース端子とを持ち、ソース端子電圧を基準としたゲート端子電圧の電圧であるゲート/ソース間電圧が、ある閾値電圧より高い場合に、ドレイン端子とソース端子間の電圧差の極性に応じてドレイン端子からソース端子へ又はソース端子からドレイン端子へ電流を流すことができるFET特性及び逆FET特性を有し、且つゲート/ソース間電圧が閾値電圧以下の場合にはドレインからソースへの電流は遮断するが、ドレイン端子電圧を基準にしたゲート端子電圧が閾値電圧以上になるとソース端子からドレイン端子に電流を流すことができる逆導通特性を有する。(Summary)
As described above with reference to the drawings, the switching element used in the step-up / step-down PFC converter according to the first embodiment of the present invention includes a gate terminal for current control and a drain terminal for flowing this current in and out. When the gate / source voltage, which is the voltage of the gate terminal voltage with reference to the source terminal voltage, is higher than a certain threshold voltage, depending on the polarity of the voltage difference between the drain terminal and the source terminal FET characteristics and reverse FET characteristics that allow current to flow from the drain terminal to the source terminal or from the source terminal to the drain terminal, and when the gate-source voltage is below the threshold voltage, the current from the drain to the source is Shuts down, but when the gate terminal voltage with respect to the drain terminal voltage becomes equal to or higher than the threshold voltage, current flows from the source terminal to the drain terminal. Having reverse conducting properties as possible.
また、本発明の第1の実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータは、このスイッチ素子で構成される、整流用ブリッジを兼用する図5或いは図13に示すAC/DCコンバータ部245或いは246、又は、当該AC/DCコンバータ部245或いは246と同じようにリアクタ11の電流制御をする類似形のAC/DCコンバータ部を有する。
In addition, the step-up / step-down PFC converter according to the first embodiment of the present invention includes the AC /
また、上記スイッチ素子は少数キャリア蓄積効果がなく、リカバリー電流及びターンオフ時のテール電流がほとんどないものとする。 The switch element has no minority carrier accumulation effect and has almost no recovery current and no tail current at turn-off.
また、双方向スイッチ素子は、半導体基板の上に形成された窒化物半導体で構成される半導体積層体と、当該半導体積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたドレイン端子及びソース端子と、ドレイン端子とソース端子との間に形成されたゲート端子とを備えることを特徴としたものであっても良い。双方向スイッチ素子は、一般的に窒化ガリウム半導体を用いたヘテロ接合電界効果トランジスタとして知られていて、GaNトランジスタと呼ばれている。 Further, the bidirectional switch element includes a semiconductor stacked body formed of a nitride semiconductor formed on a semiconductor substrate, and a drain terminal and a source terminal formed on the semiconductor stacked body at intervals from each other, A gate terminal formed between the drain terminal and the source terminal may be provided. The bidirectional switch element is generally known as a heterojunction field effect transistor using a gallium nitride semiconductor, and is called a GaN transistor.
GaNトランジスタは、上記のゲート/ソース間電圧がある閾値電圧より高い場合のFET特性及び逆FET特性を有し、且つゲート/ソース間電圧が閾値電圧以下の場合の逆導通特性を有する、前述で説明した双方向スイッチ素子であり、且つ高耐圧特性を有する双方向スイッチ素子であり、且つFET特性及び逆FET特性において非常に低いオン抵抗値を有するFETトランジスタでもある。また、GaNトランジスタは、シリコン系半導体素子のような少数キャリア蓄積効果がなくリカバリー電流によるスイッチング損失増大の影響もほとんど無い。 The GaN transistor has FET characteristics and reverse FET characteristics when the gate-source voltage is higher than a threshold voltage, and has reverse conduction characteristics when the gate-source voltage is lower than the threshold voltage. It is the bidirectional switch element described, is a bidirectional switch element having a high withstand voltage characteristic, and is also an FET transistor having a very low on-resistance value in FET characteristics and reverse FET characteristics. In addition, the GaN transistor does not have a minority carrier accumulation effect unlike a silicon-based semiconductor element, and has almost no influence of an increase in switching loss due to a recovery current.
従って、上述したAC/DCコンバータ部245及び246では、上述の課題であるダイオードが無く、ダイオードの代わりを双方向スイッチ素子が担うため、スイッチ素子がダイオードのリカバリー電流を駆動することによるスイッチ素子のスイッチング損失分がなくなる。その結果、昇降圧型PFCコンバータのPWMスイッチング周波数を上げた場合でも、昇降圧型PFCコンバータのPWMスイッチング動作による消費電力を小さくできる。
Accordingly, in the above-described AC /
また、ダイオードが無いので、整流ダイオードブリッジ及び還流電流用ダイオードにおける、ダイオード順方向電圧VFの電圧降下による消費電力を無くすことができる。この2つの消費電力の削減効果で、効率の良い昇降圧型PFCコンバータが実現できる。 Further, since there is no diode, power consumption due to a voltage drop of the diode forward voltage VF in the rectifier diode bridge and the freewheeling diode can be eliminated. Due to the two power consumption reduction effects, an efficient buck-boost PFC converter can be realized.
その上、AC/DCコンバータ部245及び246において、2個の双方向スイッチ素子206と2個の2つゲート端子を持つ双方向スイッチ素子208及び209とで構成された第1スイッチ素子群が、比較例の降圧チョッパ用の半導体スイッチ素子8と還流電流用のダイオード9の代わりも担う。そのために、パワー半導体素子である半導体スイッチ素子8及びダイオード9を削減させた分だけヒートシンク等の放熱設計部品が小さくできる。これにより、前述のPWMスイッチング周波数を上げることによるリアクタのインダクタを小さくすることによるリアクタの小型化も含めて、より小型化した昇降圧型PFCコンバータが実現できる。
In addition, in the AC /
また、前述の目的を達成するための本発明に係る第2の実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータで用いられる双方向スイッチ素子は、電流制御をするゲート端子と、この電流を流出入するためのドレイン端子及びソース端子とを持ち、上記FET特性及び逆FET特性と、上記逆導通特性とを有する。 In addition, a bidirectional switch element used in the step-up / step-down PFC converter according to the second embodiment of the present invention for achieving the above-described object includes a gate terminal for current control and a current terminal for flowing in and out of the current. It has a drain terminal and a source terminal, and has the FET characteristics and reverse FET characteristics, and the reverse conduction characteristics.
また、本発明の第2の実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータは、このスイッチ素子で構成される、整流用ブリッジを兼用する図14或いは図16に示すAC/DCコンバータ部345或いは346、又は、当該AC/DCコンバータ部345或いは346と同じ電流制御をする類似形のAC/DCコンバータ部を有する。
In addition, the step-up / step-down PFC converter according to the second embodiment of the present invention includes an AC /
また、上記スイッチ素子は少数キャリア効果がなく、リカバリー電流及びターンオフ時のテール電流もほとんどないものとする。 Further, the switching element has no minority carrier effect, and has almost no recovery current and no tail current at turn-off.
また、双方向スイッチ素子は、前記で説明した、半導体基板の上に形成された窒化物半導体で構成される半導体積層体と、前記半導体積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたドレイン端子及びソース端子と、前記ドレイン端子とソース端子との間に形成されたゲート端子とを備える、窒化ガリウム半導体を用いたヘテロ接合電界効果トランジスタとして知られているGaNトランジスタであっても良い。 In addition, the bidirectional switch element includes the semiconductor stacked body formed of the nitride semiconductor formed on the semiconductor substrate and the drain terminals formed on the semiconductor stacked body at intervals from each other as described above. And a GaN transistor known as a heterojunction field effect transistor using a gallium nitride semiconductor, which includes a source terminal and a gate terminal formed between the drain terminal and the source terminal.
このGaNトランジスタは、上記説明の双方向スイッチ素子であり、また、シリコン系半導体素子のような少数キャリア蓄積効果がなくリカバリー電流によるスイッチング損失増大の影響もほとんど無いものである。 This GaN transistor is the bidirectional switch element described above, and has no minority carrier accumulation effect unlike the silicon-based semiconductor element and is hardly affected by an increase in switching loss due to a recovery current.
従って、AC/DCコンバータ部345及び346では、上述の課題であるダイオードは無く、ダイオードの代わりを双方向スイッチ素子が担うため、スイッチ素子がダイオードのリカバリー電流を駆動することによるスイッチ素子のスイッチング損失分がなくなる。その結果、昇降圧型PFCコンバータのPWMスイッチング周波数を上げた場合でも、昇降圧型PFCコンバータのPWMスイッチング動作による消費電力は小さくできる。
Therefore, in the AC /
また、ダイオードが無いので、整流ダイオードブリッジ及び還流ダイオードにおけるダイオード順方向電圧VFの電圧降下による消費電力を無くすことができる。この2つの消費電力の削減で、効率の良い昇降圧型PFCコンバータが実現できる。 Further, since there is no diode, power consumption due to a voltage drop of the diode forward voltage VF in the rectifier diode bridge and the freewheeling diode can be eliminated. By reducing these two power consumptions, an efficient buck-boost PFC converter can be realized.
その上、前述のPWMスイッチング周波数を上げることで、リアクタのインダクタを小さくできるのでリアクタを小型化した昇降圧型PFCコンバータが実現できる。 In addition, since the inductor of the reactor can be reduced by increasing the PWM switching frequency described above, a step-up / step-down PFC converter with a smaller reactor can be realized.
また、本発明の昇降圧型AC/DCコンバータを、モータを駆動するインバータに用いることで、インバータのスイッチング損失を減らし、且つモータの鉄損を減らすことができ、且つ高入力力率で高効率のインバータ装置が実現できる。 In addition, by using the buck-boost AC / DC converter of the present invention for an inverter that drives a motor, switching loss of the inverter can be reduced, iron loss of the motor can be reduced, and a high input power factor and high efficiency can be achieved. An inverter device can be realized.
以上、本発明の実施形態に係る昇降圧型PFCコンバータについて説明したが、本発明は、この実施形態に限定されるものではない。 The step-up / step-down PFC converter according to the embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to this embodiment.
また、上記実施形態に係る、昇降圧型PFCコンバータに含まれる各処理部は典型的には集積回路であるLSIとして実現される。これらは個別に1チップ化されてもよいし、一部又は全てを含むように1チップ化されてもよい。 Each processing unit included in the step-up / step-down PFC converter according to the above embodiment is typically realized as an LSI which is an integrated circuit. These may be individually made into one chip, or may be made into one chip so as to include a part or all of them.
また、集積回路化はLSIに限るものではなく、専用回路又は汎用プロセッサで実現してもよい。LSI製造後にプログラムすることが可能なFPGA(Field Programmable Gate Array)、又はLSI内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なリコンフィギュラブル・プロセッサを利用してもよい。 Further, the circuit integration is not limited to LSI, and may be realized by a dedicated circuit or a general-purpose processor. An FPGA (Field Programmable Gate Array) that can be programmed after manufacturing the LSI or a reconfigurable processor that can reconfigure the connection and setting of circuit cells inside the LSI may be used.
また、本発明の実施形態に係る、昇降圧型PFCコンバータの機能の一部を、CPU等のプロセッサがプログラムを実行することにより実現してもよい。 Further, a part of the function of the step-up / step-down PFC converter according to the embodiment of the present invention may be realized by a processor such as a CPU executing a program.
さらに、本発明は上記プログラムであってもよいし、上記プログラムが記録された非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体であってもよい。また、上記プログラムは、インターネット等の伝送媒体を介して流通させることができるのは言うまでもない。 Furthermore, the present invention may be the above program or a non-transitory computer-readable recording medium on which the above program is recorded. Needless to say, the program can be distributed via a transmission medium such as the Internet.
また、上記断面図等において、各構成要素の角部及び辺を直線的に記載しているが、製造上の理由により、角部及び辺が丸みをおびたものも本発明に含まれる。 Moreover, although the corner | angular part and edge | side of each component are described linearly in the said sectional drawing etc., what rounded the corner | angular part and edge | side is also included in this invention for the reason on manufacture.
また、上記第1及び第2の実施形態に係る、昇降圧型PFCコンバータ、及びそれらの変形例の機能又は構成のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。 Moreover, you may combine at least one part among the functions or structures of the step-up / step-down PFC converters and modifications thereof according to the first and second embodiments.
また、上記で用いた数字は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数字に制限されない。さらに、ハイ/ローにより表される論理レベル又はオン/オフにより表されるスイッチング状態は、本発明を具体的に説明するために例示するものであり、例示された論理レベル又はスイッチング状態の異なる組み合わせにより、同等な結果を得ることも可能である。さらに、上で示した論理回路の構成は本発明を具体的に説明するために例示するものであり、異なる構成の論理回路により同等の入出力関係を実現することも可能である。また、上記で示した各構成要素の材料は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された材料に制限されない。また、構成要素間の接続関係は、本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明の機能を実現する接続関係はこれに限定されない。 Moreover, all the numbers used above are illustrated for specifically explaining the present invention, and the present invention is not limited to the illustrated numbers. Furthermore, the logic levels represented by high / low or the switching states represented by on / off are illustrative for the purpose of illustrating the present invention, and different combinations of the illustrated logic levels or switching states. Therefore, it is possible to obtain an equivalent result. Furthermore, the configuration of the logic circuit shown above is exemplified for specifically explaining the present invention, and an equivalent input / output relationship can be realized by a logic circuit having a different configuration. Further, the materials of the constituent elements shown above are all exemplified for specifically explaining the present invention, and the present invention is not limited to the exemplified materials. In addition, the connection relationship between the components is exemplified for specifically explaining the present invention, and the connection relationship for realizing the function of the present invention is not limited to this.
また、上記回路図に示す回路構成は、一例であり、本発明は上記回路構成に限定されない。つまり、上記回路構成と同様に、本発明の特徴的な機能を実現できる回路も本発明に含まれる。例えば、上記回路構成と同様の機能を実現できる範囲で、ある素子に対して、直列又は並列に、スイッチ素子(トランジスタ)、抵抗素子、又は容量素子等の素子を接続したものも本発明に含まれる。言い換えると、上記実施形態における「接続される」とは、2つの端子(ノード)が直接接続される場合に限定されるものではなく、同様の機能が実現できる範囲において、当該2つの端子(ノード)が、素子を介して接続される場合も含む。 The circuit configuration shown in the circuit diagram is an example, and the present invention is not limited to the circuit configuration. That is, like the above circuit configuration, a circuit that can realize a characteristic function of the present invention is also included in the present invention. For example, the present invention includes an element in which a switch element (transistor), a resistor element, a capacitor element, or the like is connected in series or in parallel to a certain element within a range in which a function similar to the above circuit configuration can be realized. It is. In other words, “connected” in the above-described embodiment is not limited to the case where two terminals (nodes) are directly connected, and the two terminals (nodes) can be realized within a range in which a similar function can be realized. ) Is connected via an element.
更に、本発明の主旨を逸脱しない限り、本実施形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。 Furthermore, various modifications in which the present embodiment is modified within the scope conceived by those skilled in the art are also included in the present invention without departing from the gist of the present invention.
本発明は、昇降圧型AC/DCコンバータに適用でき、特に、高入力力率で高効率の昇降圧型PFCコンバータに有用である。また、本発明は、昇降圧型PFCコンバータを用いる、モータを駆動するインバータにも有用である。 The present invention can be applied to a buck-boost AC / DC converter, and is particularly useful for a buck-boost PFC converter having a high input power factor and high efficiency. The present invention is also useful for an inverter that uses a buck-boost PFC converter and drives a motor.
1 商用電源
6、7、15、16 分圧抵抗
8、12 スイッチ素子
9、13 ダイオード
10 電流センサ
11 リアクタ
14 平滑コンデンサ
18 インバータ
31 ブラシレスモータ
42 電源
41 プリドライブ回路
43 制御回路
100、200、300 制御部
101 第1エラーアンプ
102 乗算回路
103 アンプ
104 第2エラーアンプ
105 三角波発生回路
106 PWMコンパレータ
107 第1コンパレータ
108、108a ドライブロジック回路
116 差動アンプ
117 絶対値回路
118 第2コンパレータ
206、207、208、208a、208b、209、209a、209b、212、213、304、305、306、307、308、309、312、313 スイッチ素子
245、246、345、346 AC/DCコンバータ部
401、411 シリコン基板
402、412 バッファ層
403、413 半導体積層体
404、414 アンドープの窒化ガリウム層
405、415 n型の窒化アルミニウムガリウム層
406a ソース端子用オーミック電極
406b ドレイン端子用オーミック電極
407、417 保護膜
408 ゲート電極
409 コントロール層
410、420 配線
416a 第1ソース端子用オーミック電極
416b 第2ソース端子用オーミック電極
418a 第1ゲート電極
418b 第2ゲート電極
419a 第1コントロール層
419b 第2コントロール層
D1、D2、D3、D4 ダイオード
DR 方向信号
Ir 出力電流
PN 極性信号
PWM 信号
PWMX 信号
V0 交流電圧信号
V1 全波整流信号
Vdc 直流電圧
VdcIN 設定電圧
VE1 エラー信号
VE2 電流制御信号
VE3 PFCエラー信号
VIR 電圧信号
Vr 全波整流電圧
Vsaw 三角波信号DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Commercial power supply 6, 7, 15, 16 Voltage dividing resistor 8, 12 Switch element 9, 13 Diode 10 Current sensor 11 Reactor 14 Smoothing capacitor 18 Inverter 31 Brushless motor 42 Power supply 41 Pre-drive circuit 43 Control circuit 100, 200, 300 Control Unit 101 First error amplifier 102 Multiplication circuit 103 Amplifier 104 Second error amplifier 105 Triangular wave generation circuit 106 PWM comparator 107 First comparator 108, 108a Drive logic circuit 116 Differential amplifier 117 Absolute value circuit 118 Second comparator 206, 207, 208 208a, 208b, 209, 209a, 209b, 212, 213, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 312, 313 switch elements 245, 246, 345, 46 AC / DC converter 401, 411 Silicon substrate 402, 412 Buffer layer 403, 413 Semiconductor stack 404, 414 Undoped gallium nitride layer 405, 415 n-type aluminum gallium nitride layer 406a Ohmic electrode for source terminal 406b For drain terminal Ohmic electrode 407, 417 Protective film 408 Gate electrode 409 Control layer 410, 420 Wiring 416a Ohm electrode for first source terminal 416b Ohm electrode for second source terminal 418a First gate electrode 418b Second gate electrode 419a First control layer 419b First 2 Control layer D1, D2, D3, D4 Diode DR Direction signal Ir Output current PN Polarity signal PWM signal PWMX signal V0 AC voltage signal V1 Full wave rectified signal Vd DC voltage VdcIN set voltage VE1 error signal VE2 current control signal VE3 PFC error signal VIR voltage signal Vr full wave rectified voltage Vsaw triangular wave signal
図5に示す昇降圧型PFCコンバータは、本発明の昇降圧型AC/DCコンバータに相当し、交流信号を直流信号(直流電圧Vdc)に変換するとともに、直流信号の電圧値を一定に制御する。この昇降圧型PFCコンバータは、AC/DCコンバータ部245と、制御部200とを備える。また、当該昇降圧型PFCコンバータは、交流信号が入力される第1入力端子T1及び第2入力端子T2と、直流電圧Vdcを出力するための出力端子T3とを備える。
The step-up / step-down PFC converter shown in FIG. 5 corresponds to the step-up / step-down AC / DC converter of the present invention, converts an AC signal into a DC signal (DC voltage Vdc), and controls the voltage value of the DC signal to be constant. This step-up / step-down PFC converter includes an AC /
スイッチ素子209は、ドレイン端子同士が直列接続されているとともに、第2入力端子T2と第2ノードとの間に接続されているスイッチ素子209a及び209b(第5及び第6スイッチ素子)を含む。つまり、スイッチ素子209aのソース端子は第2入力端子T2に接続されている。スイッチ素子209bのソース端子は第2ノードに接続されている。なお、スイッチ素子209a及び209bは、ソース端子同士が直列接続されていてもよい。
これらのスイッチ素子206〜209は、本発明の第1スイッチ素子群に相当する。この第1スイッチ素子群は、第1入力端子T1及び第2入力端子T2に接続されており、第1入力端子T1及び第2入力端子T2に入力された交流信号を全波整流することにより全波整流信号を生成する全波整流動作と、降圧動作とを行うために用いられる。
These switch
制御部200は、上記第1及び第2スイッチ素子群の一方に、PWMを用いた降圧動作及び昇圧動作の一方を選択的に行わせることにより、直流電圧Vdcを一定に制御する。また、制御部200は、交流信号の極性に応じて、第1スイッチ素子群に含まれるスイッチ素子に供給するゲート/ソース間電圧を切り替えることにより、第1スイッチ素子群に全波整流動作を行わせる。
The
また、第1入力端子T1の電圧が正であり、第2入力端子T2の電圧が負(以下、「商用電源1の極性が正」と記す)である場合、制御部200は、スイッチ素子206をオフし、スイッチ素子208a、207及び209bをオンし、スイッチ素子208b及び209aに上記スイッチング制御を行う。
Further, the voltage of the first input terminal T1 is positive, the voltage of the second input terminal T 2 a negative if it is (hereinafter, referred to as "polarity of the
一方、第1入力端子T1の電圧が負であり、第2入力端子T2の電圧が正(以下、「商用電源1の極性が負」と記す)である場合、つまり、場合、制御部200は、スイッチ素子207をオフし、スイッチ素子206、208b及び209aをオンし、スイッチ素子208a及び209bに上記スイッチング制御を行う。
On the other hand, a negative voltage of the first input terminal T1, the voltage of the second input terminal T 2 is positive if it is (hereinafter, "the polarity of the
一方、信号PWMがLowレベルであり、かつ信号PWMXがHighレベルの場合、スイッチ素子209が通電モードであり、スイッチ素子208が逆導通モード2である。破線Bは、この場合の電流の流れを示す。この場合、スイッチ素子208が逆導通モード2であるために商用電源1からリアクタ11には磁気的なエネルギーは貯えられない。逆にリアクタ11で磁気的なエネルギーの放出が始まり破線Bで示される経路で電流が流れる。つまり、電流は、リアクタ11、スイッチ素子213、平滑コンデンサ14、スイッチ素子207、及びスイッチ素子209をこの順で経由してリアクタ11に戻る。この電流によりリアクタ11の磁気的エネルギーの放出が行われる。
On the other hand, when the signal PWM is at the low level and the signal PWMX is at the high level, the
図12A及び図12Bは、本実施形態に係る昇降圧PFCコンバータで、2つのゲート端子を持つ双方向スイッチ素子208とスイッチ素子212とがスイッチング動作する時の駆動電流波形を示す図である。
12A and 12B, in the buck-boost PFC converter according to the present embodiment, the
これらのスイッチ素子304〜309は、本発明の第1スイッチ素子群に相当する。この第1スイッチ素子群は、第1入力端子T1及び第2入力端子T2に入力された交流信号を全波整流することにより全波整流信号を生成する全波整流動作と、降圧動作とを行うために用いられる。
These switch
Claims (14)
前記交流信号が入力される第1及び第2入力端子と、
前記直流信号を出力するための出力端子と、
前記第1及び第2入力端子に接続されており、前記交流信号を全波整流することにより全波整流信号を生成する全波整流動作と、降圧動作とを行うための第1スイッチ素子群と、
前記出力端子に接続されており、昇圧動作を行うための第2スイッチ素子群と、
前記第1スイッチ素子群と前記第2スイッチ素子群との間に接続されているリアクタと、
前記出力端子に接続されている平滑コンデンサと、
前記第1及び第2スイッチ素子群の一方に、PWM(Pulse Width Modulation)を用いた前記降圧動作及び前記昇圧動作の一方を選択的に行わせることにより、前記直流信号の電圧値を一定に制御する制御部とを備え、
前記第1及び第2スイッチ素子群に含まれるスイッチ素子の各々は、
ゲート端子、ドレイン端子及びソース端子を備え、
前記ソース端子の電圧を基準とした前記ゲート端子の電圧であるゲート/ソース間電圧が閾値電圧より高い場合に、前記ドレイン端子と前記ソース端子との間の電圧差の極性に応じて前記ドレイン端子から前記ソース端子へ又は前記ソース端子から前記ドレイン端子へ電流を流し、
前記ゲート/ソース間電圧が前記閾値電圧以下の場合に、前記ドレイン端子から前記ソース端子への電流を遮断し、
前記ゲート/ソース間電圧が前記閾値電圧以下であり、かつ前記ドレイン端子の電圧を基準とした前記ゲート端子の電圧が前記閾値電圧以上の場合、前記ソース端子から前記ドレイン端子に電流を流し、
前記制御部は、さらに、前記交流信号の極性に応じて、前記第1スイッチ素子群に含まれるスイッチ素子に供給するゲート/ソース間電圧を切り替えることにより、前記第1スイッチ素子群に全波整流動作を行わせる
昇降圧型AC/DCコンバータ。A step-up / step-down AC / DC converter that converts an AC signal into a DC signal and controls the voltage value of the DC signal to be constant,
First and second input terminals to which the AC signal is input;
An output terminal for outputting the DC signal;
A first switch element group connected to the first and second input terminals, for performing a full-wave rectification operation by generating a full-wave rectification signal by full-wave rectifying the AC signal, and a step-down operation; ,
A second switch element group connected to the output terminal for performing a boosting operation;
A reactor connected between the first switch element group and the second switch element group;
A smoothing capacitor connected to the output terminal;
By causing one of the first and second switch element groups to selectively perform one of the step-down operation and the step-up operation using PWM (Pulse Width Modulation), the voltage value of the DC signal is controlled to be constant. And a control unit that
Each of the switch elements included in the first and second switch element groups is:
A gate terminal, a drain terminal and a source terminal;
The drain terminal according to the polarity of the voltage difference between the drain terminal and the source terminal when the gate / source voltage, which is the voltage of the gate terminal with respect to the voltage of the source terminal, is higher than a threshold voltage. Current from the source terminal to the source terminal or from the source terminal to the drain terminal,
When the gate-source voltage is less than or equal to the threshold voltage, the current from the drain terminal to the source terminal is interrupted,
When the gate-source voltage is equal to or lower than the threshold voltage and the voltage of the gate terminal with respect to the voltage of the drain terminal is equal to or higher than the threshold voltage, a current is passed from the source terminal to the drain terminal,
The control unit further performs full-wave rectification on the first switch element group by switching a gate-source voltage supplied to the switch elements included in the first switch element group according to the polarity of the AC signal. A buck-boost AC / DC converter that operates.
前記第1入力端子にドレイン端子が接続され、第1ノードにソース端子が接続されている第1スイッチ素子と、
ソース端子同士又はドレイン端子同士が直列接続されているとともに、前記第1入力端子と第2ノードとの間に接続されている第2及び第3スイッチ素子と、
前記第2入力端子にドレイン端子が接続され、前記第1ノードにソース端子が接続されている第4スイッチ素子と、
ソース端子同士又はドレイン端子同士が直列接続されているとともに、前記第2入力端子と前記第2ノードとの間に接続されている第5及び第6スイッチ素子とを含む
請求項1記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The first switch element group includes:
A first switch element having a drain terminal connected to the first input terminal and a source terminal connected to a first node;
Source terminals or drain terminals are connected in series, and second and third switch elements connected between the first input terminal and the second node;
A fourth switch element having a drain terminal connected to the second input terminal and a source terminal connected to the first node;
The step-up / step-down type according to claim 1, wherein source terminals or drain terminals are connected in series, and include fifth and sixth switch elements connected between the second input terminal and the second node. AC / DC converter.
前記第5スイッチ素子と前記第6スイッチ素子とはドレイン端子同士が接続されており、当該2つのドレイン端子は共通化されている
請求項2記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The drain terminals of the second switch element and the third switch element are connected to each other, and the two drain terminals are shared.
The step-up / step-down AC / DC converter according to claim 2, wherein drain terminals of the fifth switch element and the sixth switch element are connected to each other, and the two drain terminals are shared.
前記第2スイッチ素子群は、
前記第1ノードにソース端子が接続され、前記第3ノードにドレイン端子が接続されている第7スイッチ素子と、
前記第3ノードにソース端子が接続され、前記出力端子にドレイン端子が接続されている第8スイッチ素子とを含む
請求項2又は3記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The reactor is connected between the second node and a third node;
The second switch element group includes:
A seventh switch element having a source terminal connected to the first node and a drain terminal connected to the third node;
The step-up / step-down AC / DC converter according to claim 2, further comprising: an eighth switch element having a source terminal connected to the third node and a drain terminal connected to the output terminal.
前記第2スイッチ素子群は、
前記第3ノードにソース端子が接続され、前記第2ノードにドレイン端子が接続されている第7スイッチ素子と、
前記第2ノードにソース端子が接続され、前記出力端子にドレイン端子が接続されている第8スイッチ素子とを含む
請求項2又は3記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The reactor is connected between the first node and a third node;
The second switch element group includes:
A seventh switch element having a source terminal connected to the third node and a drain terminal connected to the second node;
The step-up / step-down AC / DC converter according to claim 2, further comprising: an eighth switch element having a source terminal connected to the second node and a drain terminal connected to the output terminal.
前記第2及び第3スイッチ素子の一方と、前記第5及び第6スイッチ素子の一方とに、2つのスイッチ素子のうち、一方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、他方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下の電圧にするとともに、ゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高い電圧にするスイッチ素子を順次切り替えるスイッチング制御を行い、
前記第2及び前記第3スイッチ素子の他方と、前記第5及び第6スイッチ素子の他方と、前記第8スイッチ素子とのゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、前記第7スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下の電圧にする
請求項4又は5記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The control unit, during the step-down operation,
In one of the second and third switch elements and one of the fifth and sixth switch elements, one of the two switch elements has a gate / source voltage higher than the threshold voltage, and the other gate. A switching control for sequentially switching the switch elements that make the voltage between the source / source lower than the threshold voltage and the gate / source voltage higher than the threshold voltage,
The gate / source voltage of the other of the second and third switch elements, the other of the fifth and sixth switch elements, and the eighth switch element is made higher than the threshold voltage, and the seventh switch element The step-up / step-down AC / DC converter according to claim 4 or 5, wherein a voltage between the gate and the source is set to a voltage equal to or lower than the threshold voltage.
前記第3スイッチ素子のソース端子は前記第2ノードに接続されており、
前記制御部は、
前記第1入力端子の電圧が正であり、前記第2入力端子の電圧が負である場合、前記第1スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第2、第4及び第6スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、前記第3及び第5スイッチ素子に前記スイッチング制御を行い、
前記第1入力端子の電圧が負であり、前記第2入力端子の電圧が正である場合、前記第4スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第1、第3及び第5スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、前記第2及び第6スイッチ素子に前記スイッチング制御を行う
請求項6記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。A source terminal of the second switch element is connected to the first input terminal;
A source terminal of the third switch element is connected to the second node;
The controller is
When the voltage at the first input terminal is positive and the voltage at the second input terminal is negative, the voltage between the gate and the source of the first switch element is made equal to or lower than the threshold voltage, and the second, fourth, and A gate / source voltage of the sixth switch element is made higher than the threshold voltage, and the switching control is performed on the third and fifth switch elements;
When the voltage of the first input terminal is negative and the voltage of the second input terminal is positive, the voltage between the gate and source of the fourth switch element is made not more than the threshold voltage, and the first, third, and The step-up / step-down AC / DC converter according to claim 6, wherein a gate-source voltage of a fifth switch element is set higher than the threshold voltage, and the switching control is performed on the second and sixth switch elements.
前記第7及び第8スイッチ素子に、2つのスイッチ素子のうち、一方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、他方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下の電圧にするとともに、ゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高い電圧にするスイッチ素子を順次切り替えるスイッチング制御を行い、
前記第1入力端子の電圧が正であり、前記第2入力端子の電圧が負である場合、前記第1、第5及び第6スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第2、第3及び第4スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、
前記第1入力端子の電圧が負であり、前記第2入力端子の電圧が正である場合、前記第2、第3及び第4スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第1、第5及び第6スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高い電圧にする
請求項4〜7のいずれか1項に記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The control unit, during the boost operation,
In the seventh and eighth switch elements, one of the two switch elements has a gate / source voltage higher than the threshold voltage, and the other gate / source voltage is set to a voltage equal to or lower than the threshold voltage. Performing switching control for sequentially switching the switch elements that make the gate-source voltage higher than the threshold voltage,
When the voltage of the first input terminal is positive and the voltage of the second input terminal is negative, the gate / source voltages of the first, fifth, and sixth switch elements are set to be equal to or lower than the threshold voltage, and The gate / source voltages of the second, third and fourth switch elements are made higher than the threshold voltage;
When the voltage of the first input terminal is negative and the voltage of the second input terminal is positive, the gate / source voltages of the second, third, and fourth switch elements are made not more than the threshold voltage, and The step-up / step-down AC / DC converter according to any one of claims 4 to 7, wherein a gate / source voltage of the first, fifth, and sixth switch elements is set to a voltage higher than the threshold voltage.
第1ノードにソース端子が接続され、前記第1入力端子にドレイン端子が接続されている第1スイッチ素子と、
前記第1入力端子にソース端子が接続され、第2ノードにドレイン端子が接続されている第2スイッチ素子と、
前記第1ノードにソース端子が接続され、前記第2入力端子にドレイン端子が接続されている第3スイッチ素子と、
前記第2入力端子にソース端子が接続され、前記第2ノードにドレイン端子が接続されている第4スイッチ素子と、
前記第1ノードにソース端子が接続され、第3ノードにドレイン端子が接続されている第5スイッチ素子と、
前記第3ノードにソース端子が接続され、前記第2ノードにドレイン端子が接続されている第6スイッチ素子とを含む
請求項1記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The first switch element group includes:
A first switch element having a source terminal connected to the first node and a drain terminal connected to the first input terminal;
A second switch element having a source terminal connected to the first input terminal and a drain terminal connected to a second node;
A third switch element having a source terminal connected to the first node and a drain terminal connected to the second input terminal;
A fourth switch element having a source terminal connected to the second input terminal and a drain terminal connected to the second node;
A fifth switch element having a source terminal connected to the first node and a drain terminal connected to the third node;
The step-up / step-down AC / DC converter according to claim 1, further comprising: a sixth switch element having a source terminal connected to the third node and a drain terminal connected to the second node.
前記第2スイッチ素子群は、
前記第1ノードにソース端子が接続され、前記第4ノードにドレイン端子が接続されている第7スイッチ素子と、
前記第4ノードにソース端子が接続され、前記出力端子にドレイン端子が接続されている第8スイッチ素子とを含む
請求項9記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The reactor is connected between the third node and the fourth node;
The second switch element group includes:
A seventh switch element having a source terminal connected to the first node and a drain terminal connected to the fourth node;
The step-up / step-down AC / DC converter according to claim 9, further comprising: an eighth switch element having a source terminal connected to the fourth node and a drain terminal connected to the output terminal.
前記第2スイッチ素子群は、
前記第4ノードにソース端子が接続され、前記第3ノードにドレイン端子が接続されている第7スイッチ素子と、
前記第3ノードにソース端子が接続され、前記出力端子にドレイン端子が接続されている第8スイッチ素子とを含む
請求項9記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The reactor is connected between the first node and the fourth node;
The second switch element group includes:
A seventh switch element having a source terminal connected to the fourth node and a drain terminal connected to the third node;
The step-up / step-down AC / DC converter according to claim 9, further comprising: an eighth switch element having a source terminal connected to the third node and a drain terminal connected to the output terminal.
前記降圧動作の際、
前記第7スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、
前記第8スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、
前記第5及び第6スイッチ素子に、2つのスイッチ素子のうち、一方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、他方のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下の電圧にするとともに、ゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高い電圧にするスイッチ素子を順次切り替えるスイッチング制御を行い、
前記昇圧動作の際、
前記第5スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、
前記第6スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、
前記第7及び第8スイッチ素子に前記スイッチング制御を行う
請求項10又は11記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The controller is
During the step-down operation,
The gate-source voltage of the seventh switch element is made lower than the threshold voltage;
A gate-source voltage of the eighth switch element is made higher than the threshold voltage;
In the fifth and sixth switch elements, one of the two switch elements has a gate / source voltage higher than the threshold voltage, and the other gate / source voltage is set to a voltage equal to or lower than the threshold voltage. Performing switching control for sequentially switching the switch elements that make the gate-source voltage higher than the threshold voltage,
During the boosting operation,
The gate / source voltage of the fifth switch element is made not more than the threshold voltage,
A gate-source voltage of the sixth switch element is made higher than the threshold voltage;
The step-up / step-down AC / DC converter according to claim 10 or 11, wherein the switching control is performed on the seventh and eighth switch elements.
前記第1入力端子の電圧が正であり、前記第2入力端子の電圧が負である場合、前記第1及び第4スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第2及び第3スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くし、
前記第1入力端子の電圧が負であり、前記第2入力端子の電圧が正である場合、前記第2及び第3スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧以下にし、前記第1及び第4スイッチ素子のゲート/ソース間電圧を前記閾値電圧より高くする
請求項10〜12のいずれか1項に記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The controller is
When the voltage at the first input terminal is positive and the voltage at the second input terminal is negative, the gate-source voltage of the first and fourth switch elements is set to be equal to or lower than the threshold voltage, and the second and second A gate-source voltage of the third switch element is made higher than the threshold voltage;
When the voltage of the first input terminal is negative and the voltage of the second input terminal is positive, the gate / source voltage of the second and third switch elements is made lower than the threshold voltage, and the first and The step-up / step-down AC / DC converter according to any one of claims 10 to 12, wherein a voltage between a gate and a source of the fourth switch element is made higher than the threshold voltage.
窒化ガリウム半導体を用いたヘテロ接合電界効果トランジスタであり、
半導体基板の上に形成された窒化物半導体で構成される半導体積層体と、
前記半導体積層体の上に互いに間隔をおいて形成されたドレイン電極及びソース電極と、
前記ドレイン電極とソース電極との間に形成されたゲート電極とを備える
請求項1〜13のいずれか1項に記載の昇降圧型AC/DCコンバータ。The switch elements included in the first and second switch element groups are:
A heterojunction field effect transistor using a gallium nitride semiconductor,
A semiconductor laminate composed of a nitride semiconductor formed on a semiconductor substrate;
A drain electrode and a source electrode formed on the semiconductor stacked body at a distance from each other;
The step-up / step-down AC / DC converter according to claim 1, further comprising a gate electrode formed between the drain electrode and the source electrode.
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