JPH10171749A - Memory access controller - Google Patents

Memory access controller

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JPH10171749A
JPH10171749A JP32816896A JP32816896A JPH10171749A JP H10171749 A JPH10171749 A JP H10171749A JP 32816896 A JP32816896 A JP 32816896A JP 32816896 A JP32816896 A JP 32816896A JP H10171749 A JPH10171749 A JP H10171749A
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JP
Japan
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data
bus
signal
memories
memory
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP32816896A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Kitazawa
智 北沢
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NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Engineering Ltd
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Publication date
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Publication of JPH10171749A publication Critical patent/JPH10171749A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory access controller in which the high performance of data transfer can be ensured by a simple controlling processing. SOLUTION: This memory access controller is provided with a memory device 7 including memories 5 and 6 which store data, data bus 1 to which the data of the memories 5 and 6 are outputted, bus transceivers 2 and 3 for controlling the direction of data between this data bus 1 and the memories 5 and 6, and control circuit 4 for controlling access in the memories 5 and 6 and the bus transceivers 2 and 3. The bus transceivers 2 and 3 substituted for a conventional bus transceiver with a register having plural control transmission lines for input are controlled through two control transmission lines by the control circuit 4. The bus transceivers 2 and 3 are operated corresponding to the switching of the signal direction of a data signal, the output selection of the data signal, or the setting of high impedance or the like by a control signal from the control circuit 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、主としてコンピュ
ータの主記憶装置であるメモリのアドレス,データ,リ
フレッシュ等のアクセスを制御するメモリアクセス制御
装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a memory access control device for controlling access to a memory, which is a main storage device of a computer, such as address, data, and refresh.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のメモリにおけるアクセス
制御に関連する技術としては、例えば特開平5−539
05号公報に開示された共有メモリアクセス方法及び装
置が挙げられる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a technique related to access control in this kind of memory, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-539
Japanese Patent Laid-Open No. 05-2005 discloses a shared memory access method and apparatus.

【0003】図4は、この共有メモリアクセス装置(メ
モリアクセス制御装置)の基本構成を示したブロック図
である。この共有メモリアクセス装置は、データ幅が異
なるデータをアクセスする第1MPU14及び第2MP
U15と、第2MPU15がアクセスする共有の複数の
メモリ5,6を含むメモリ装置7と、第1MPU14に
接続されたデータバス1と、複数のメモリ5,6及びデ
ータバス1を接続する複数のレジスタ付バストランシー
バ9,10と、メモリ装置7及びレジスタ付バストラン
シーバ9,10のアクセスを制御する制御回路11とを
備えて成っている。
FIG. 4 is a block diagram showing a basic configuration of the shared memory access device (memory access control device). The shared memory access device includes a first MPU 14 and a second MPU for accessing data having different data widths.
U15, a memory device 7 including a plurality of shared memories 5 and 6 accessed by the second MPU 15, a data bus 1 connected to the first MPU 14, and a plurality of registers connecting the plurality of memories 5, 6 and the data bus 1. Bus transceivers 9, 10 and a control circuit 11 for controlling access to the memory device 7 and the bus transceivers 9, 10 with registers.

【0004】この共有メモリアクセス装置において、例
えばメモリ装置7から幅Wのデータを連続してn個読み
出させ、レジスタ付バストランシーバ9,10を介して
第1MPU14に読み込ませる場合、幅Wのデータをn
個同時にメモリ装置7から読み出させてn−1個のレジ
スタ付バストランシーバに保持させると共に、残りの1
個のレジスタ付バストランシーバ10をスルー状態にす
ることにより、スルー状態のレジスタ付バストランシー
バ10からデータを読み込ませ、次に読み出しデータが
保持されたn−1個のレジスタ付バストランシーバから
各々順にデータを読み込ませている。
In this shared memory access device, for example, when n data of width W are continuously read from the memory device 7 and read into the first MPU 14 via the bus transceivers 9 and 10 with registers, the data of width W To n
And at the same time read out from the memory device 7 and hold them in the (n-1) bus transceivers with registers.
The bus transceivers 10 with registers are set to the through state, thereby reading data from the bus transceivers 10 with the registers in the through state. Is being read.

【0005】図5は、この共有メモリアクセス装置の具
体的構成を示した簡易ブロック図である。この共有メモ
リアクセス装置は、データを記憶した2つのメモリ5,
6を含むメモリ装置7と、メモリ5,6のデータが出力
されるデータバス1と、このデータバス1及びメモリ
5,6の間におけるデータの方向を制御するための2つ
のレジスタ付バストランシーバ9,10と、メモリ5,
6及びレジスタ付バストランシーバ9,10におけるア
クセスを制御する制御回路11とを備え、レジスタ付バ
ストランシーバ9,10は、制御回路11からそれぞれ
6本の制御伝送線を介して制御されるようになってい
る。
FIG. 5 is a simplified block diagram showing a specific configuration of the shared memory access device. The shared memory access device has two memories 5 and 5 storing data.
6, a data bus 1 to which data of the memories 5 and 6 are outputted, and two register-equipped bus transceivers 9 for controlling the direction of data between the data bus 1 and the memories 5 and 6. , 10 and memory 5,
6 and a control circuit 11 for controlling access in the bus transceivers with registers 9 and 10. The bus transceivers with registers 9 and 10 are controlled by the control circuit 11 via six control transmission lines, respectively. ing.

【0006】図6は、図5のメモリアクセス制御装置に
備えられるレジスタ付バストランシーバ9,10の要部
構成を示した回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a main configuration of bus transceivers with registers 9 and 10 provided in the memory access control device of FIG.

【0007】このレジスタ付バストランシーバ9,10
は、制御回路11からの方向信号DIRによってデータ
信号A1やデータ信号B1の信号方向を切り替え制御す
るためのコントロール回路12を有し、このコントロー
ル回路12によってデータ信号A1からデータ信号B1
へ切り替えるか、或いはデータ信号B1からデータ信号
A1へと信号方向を切り替えることができる。又、コン
トロール回路12によって制御回路11からのイネーブ
ル信号Gバーによりデータ信号A1やデータ信号B1を
出力するか、或いはハイインピーダンスにするかを制御
できる。但し、ここでは入力されたデータを保持するた
め、データ信号A1,B1として入力されたデータに関
してはCBA信号の立ち下がりのエッジでそれぞれ保持
する。又、スルーモード,レジスタ出力モードの切り替
えは、SAB,SBAでそれぞれ行う。尚、このような
コントロール回路12は、通常レジスタ付バストランシ
ーバ9,10の1個につき複数搭載される。
The register-equipped bus transceivers 9, 10
Has a control circuit 12 for switching and controlling the signal directions of the data signal A1 and the data signal B1 according to the direction signal DIR from the control circuit 11, and the control circuit 12 converts the data signal A1 to the data signal B1.
Or the signal direction can be switched from the data signal B1 to the data signal A1. Further, the control circuit 12 can control whether the data signal A1 or the data signal B1 is output or the impedance is high by the enable signal G from the control circuit 11. However, here, in order to hold the input data, the data input as the data signals A1 and B1 are held at the falling edge of the CBA signal. Switching between the through mode and the register output mode is performed by SAB and SBA, respectively. It should be noted that a plurality of such control circuits 12 are usually mounted for each of the register-equipped bus transceivers 9 and 10.

【0008】以下は、このメモリアクセス制御装置の動
作処理について、図7に示すその各部における処理信号
の波形に関するタイミングチャートを参照して説明す
る。
The operation of the memory access control device will be described below with reference to a timing chart shown in FIG.

【0009】ここでは制御回路11によりメモリ装置7
のメモリ5,6からデータを読み出してデータバス1に
出力させるべく、レジスタ付バストランシーバ9,10
の方向信号DIRを制御し、メモリ装置7からデータバ
ス1方向にメモリ5,6のデータが流れるような設定を
行う。
Here, the control device 11 controls the memory device 7
Bus transceivers with registers 9 and 10 for reading data from memories 5 and 6 and outputting the data to data bus 1.
Of the memories 5 and 6 in the direction of the data bus 1 from the memory device 7 is set.

【0010】即ち、例えばメモリ5に関してアドレ
5 ,RAS5 ,CAS5 ,データ5 が図示のような関
係にあって、メモリ5の最初のデータ5 (D0)をデー
タバス1に出力させる場合、レジスタ付バストランシー
バ10のイネーブル信号Gバー10を制御して出力をハイ
インピーダンス状態にし、レジスタ付バストランシーバ
9に関するイネーブル信号Gバー9 ,方向信号DI
9 ,及びCAB信号9 の制御,並びにSAB信号9
操作を経てCBA信号9 及びSBA信号9 を制御するこ
とで出力をスルー状態にし、メモリ5,6を読み出し状
態にしてデータを出力させることにより、メモリ5のデ
ータ5 (D0)がデータバス1に出力される。
[0010] That is, for example, an address 5, RAS 5, CAS 5 with respect to the memory 5, data 5 is in the relation as shown, when to output the first data 5 in the memory 5 (D0) to the data bus 1, register with bus enable signal G bar 10 of the transceiver 10 controlled by the output in a high impedance state, the enable signal G bar 9 regarding register with bus transceiver 9, the direction signal DI
Controlling the R 9 and CAB signals 9 and controlling the CBA signal 9 and the SBA signal 9 through the operation of the SAB signal 9 to put the output into a through state and put the memories 5 and 6 into a reading state to output data. Thus, data 5 (D0) of the memory 5 is output to the data bus 1.

【0011】次に、メモリ6に関してアドレス6 ,RA
6 ,CAS6 ,データ6 が図示のような関係にあっ
て、メモリ6の最初のデータ6 (D1)をデータバス1
に出力させる場合、レジスタ付バストランシーバ9のイ
ネーブル信号Gバー9 を制御して出力をハイインピーダ
ンス状態にし、レジスタ付バストランシーバ10に関す
るイネーブル信号Gバー10,方向信号DIR10,及びC
AB信号10の制御,並びにSAB信号10の操作を経てC
BA信号10及びSBA信号10を制御することで出力をス
ルー状態にし、メモリ5,6を読み出し状態にしてデー
タを出力させることにより、メモリ6のデータ6 (D
1)がデータバス1に出力される。
Next, regarding the memory 6, the address 6 , RA
S 6 , CAS 6 , and data 6 have a relationship as shown in the figure, and the first data 6 (D 1) of the memory 6 is transferred to the data bus 1.
Case of output controls the enable signal G bar 9 of register with Bus Transceivers 9 the output in a high impedance state, the enable signal G bar 10 about the register with bus transceiver 10, the direction signal DIR 10, and C
After controlling the AB signal 10 and operating the SAB signal 10 , C
By controlling the BA signal 10 and the SBA signal 10 , the output is set to the through state, and the memories 5 and 6 are set to the read state and the data is output, so that the data 6 (D
1) is output to the data bus 1.

【0012】引き続いて、同様にメモリ5の次のデータ
5 (D2)をデータバス1に出力させる場合、レジスタ
付バストランシーバ10のイネーブル信号Gバー10を制
御して出力をハイインピーダンス状態にし、レジスタ付
バストランシーバ9に関するイネーブル信号Gバー9
方向信号DIR9 ,及びCAB信号9 の制御,並びにS
AB信号9 の操作を経てCBA信号9 及びSBA信号9
を制御することで出力をスルー状態にし、メモリ5,6
を読み出し状態にしてデータを出力させることにより、
メモリ5のデータ5 (D2)がデータバス1に出力され
る。
Subsequently, similarly, the next data in the memory 5
5 When (D2) is output to the data bus 1, the enable signal G bar 10 of the bus transceiver with register 10 is controlled to bring the output into a high impedance state, and the enable signals G bar 9 ,
Direction signal DIR 9, and the control of the CAB signals 9, and S
Through the operation of the AB signal 9 , the CBA signal 9 and the SBA signal 9
, The output is set to the through state, and the memories 5, 6
To read data and output data,
Data 5 (D2) of the memory 5 is output to the data bus 1.

【0013】更に、同様にメモリ6の次のデータ6 (D
3)をデータバス1に出力させる場合、レジスタ付バス
トランシーバ9のイネーブル信号Gバー9 を制御して出
力をハイインピーダンス状態にし、レジスタ付バストラ
ンシーバ10に関するイネーブル信号Gバー10,方向信
号DIR10,及びCAB信号10の制御,並びにSAB信
10の操作を経てCBA信号10及びSBA信号10を制御
することで出力をスルー状態にし、メモリ5,6を読み
出し状態にしてデータを出力させることにより、メモリ
6のデータ6 (D3)がデータバス1に出力される。
Further, similarly, the next data 6 (D
If to output 3) to the data bus 1, by controlling the enable signal G bar 9 of register with Bus Transceivers 9 the output in a high impedance state, the enable signal G bar 10 about the register with bus transceiver 10, the direction signal DIR 10, By controlling the CBA signal 10 and the SBA signal 10 through the control of the CAB signal 10 and the operation of the SAB signal 10 , the output is set to the through state, and the memories 5 and 6 are set to the read state and the data is output, so that the memory is output. The data 6 (D3) of No. 6 is output to the data bus 1.

【0014】図8は、従来の他例に係るメモリアクセス
制御装置の基本構成を示した簡易ブロック図である。こ
の共有メモリアクセス装置は、レジスタ付バストランシ
ーバが用いられず、データを記憶した2つのメモリ5,
6を含むメモリ装置7と、メモリ5,6のデータが出力
されるデータバス1と、このデータバス1及びメモリ
5,6におけるアクセスを制御する制御回路13とを備
え、データバス1及びメモリ5,6が直接接続された構
成となっている。
FIG. 8 is a simplified block diagram showing a basic configuration of a memory access control device according to another conventional example. In this shared memory access device, a bus transceiver with a register is not used, and two memories 5 and 5 storing data are used.
6, a data bus 1 to which data of the memories 5 and 6 are output, and a control circuit 13 for controlling access to the data bus 1 and the memories 5 and 6. , 6 are directly connected.

【0015】以下は、このメモリアクセス制御装置の動
作処理について、図9に示すその各部における処理信号
の波形に関するタイミングチャートを参照して説明す
る。
The operation of the memory access control device will be described below with reference to a timing chart shown in FIG.

【0016】ここでは制御回路13によりメモリ装置7
のメモリ5,6からデータを読み出してデータバス1に
出力させるべく、メモリ装置7からデータバス1方向に
メモリ5,6のデータが流れるような設定を行う。
Here, the control device 13 controls the memory device 7.
In order to read data from the memories 5 and 6 and output the data to the data bus 1, settings are made so that the data in the memories 5 and 6 flows from the memory device 7 toward the data bus 1.

【0017】即ち、例えばメモリ5に関してアドレ
5 ,RAS5 ,CAS5 ,データ5 が図示のような関
係にあって、メモリ5の最初のデータ5 (D0)をデー
タバス1に出力させる場合、メモリ5を読み出し状態に
してデータを出力させることにより、メモリ5のデータ
5 (D0)がデータバス1に出力される。この後、デー
タバス1でのバス衝突を回避するため、メモリ5のデー
タをハイインピーダンス状態にする。
[0017] That is, for example, an address 5, RAS 5, CAS 5 with respect to the memory 5, data 5 is in the relation as shown, when to output the first data 5 in the memory 5 (D0) to the data bus 1, memory 5 in a read state to output data,
5 (D0) is output to the data bus 1. Thereafter, the data in the memory 5 is set to a high impedance state in order to avoid a bus collision in the data bus 1.

【0018】次に、メモリ6に関してアドレス6 ,RA
6 ,CAS6 ,データ6 が図示のような関係にあっ
て、メモリ6の最初のデータ6 (D1)をデータバス1
に出力させる場合、メモリ6を読み出し状態にしてデー
タを出力させることにより、メモリ6のデータ6 (D
1)がデータバス1に出力される。ここでも、その後は
メモリ6のデータをハイインピーダンス状態にする。
Next, regarding the memory 6, the address 6 , RA
S 6 , CAS 6 , and data 6 have a relationship as shown in the figure, and the first data 6 (D 1) of the memory 6 is transferred to the data bus 1.
In this case, the memory 6 is set to the read state and the data is output, so that the data 6 (D
1) is output to the data bus 1. Here, after that, the data in the memory 6 is set to the high impedance state.

【0019】引き続いて、同様にメモリ5の次のデータ
5 (D2)をデータバス1に出力させる場合、メモリ5
を読み出し状態にしてデータを出力させることにより、
メモリ5のデータ5 (D2)がデータバス1に出力され
る。ここでも、その後はメモリ5のデータをハイインピ
ーダンス状態にする。
Subsequently, similarly, the next data in the memory 5
5 When (D2) is output to the data bus 1, the memory 5
To read data and output data,
Data 5 (D2) of the memory 5 is output to the data bus 1. Here, after that, the data in the memory 5 is set to the high impedance state.

【0020】更に、同様にメモリ6の次のデータ6 (D
3)をデータバス1に出力させる場合、メモリ6を読み
出し状態にしてデータを出力させることにより、メモリ
6のデータ6 (D3)がデータバス1に出力される。こ
こでも、その後はメモリ6のデータをハイインピーダン
ス状態にする。
Further, similarly, the next data 6 (D
When 3) is output to the data bus 1, the data 6 (D3) of the memory 6 is output to the data bus 1 by setting the memory 6 to the read state and outputting the data. Here, after that, the data in the memory 6 is set to the high impedance state.

【0021】因みに、一般的なコンピュータの主記憶装
置に関連する周知技術としては、例えば特開平5−53
905号公報等が挙げられる。
Incidentally, as a well-known technique related to a main storage device of a general computer, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-53 is known.
905 and the like.

【0022】[0022]

【発明が解決しようとする課題】上述した共有メモリア
クセス装置(メモリアクセス制御装置)の場合、第1M
PUが接続されるデータバスとメモリ装置におけるメモ
リとの接続にレジスタ付バストランシーバを使用してい
るが、1個のレジスタ付バストランシーバにはこれを制
御するための制御伝送線が6本必要となっており、制御
回路の方ではレジスタ付バストランシーバの数nに比例
したn×6の制御信号が必要となるため、このように多
数の制御信号を要すれば制御処理が複雑となり、制御回
路のLSI化が困難になる上、回路基板上の占有面積が
大きくなって小規模化を計り難く、しかも相当な消費電
力を要する等の問題がある。
In the case of the above-mentioned shared memory access device (memory access control device), the first M
Although a registered bus transceiver is used to connect the data bus to which the PU is connected to the memory in the memory device, one registered bus transceiver requires six control transmission lines for controlling the same. Since the control circuit needs n × 6 control signals in proportion to the number n of the register-equipped bus transceivers, control processing becomes complicated if such a large number of control signals are required, and the control circuit In addition, it is difficult to reduce the size of the circuit board to an LSI, and it is difficult to reduce the size of the circuit board because of the large area occupied by the circuit board.

【0023】特に、制御回路に図7に示したようなn×
6の制御信号を必要とする場合、データ転送に高性能が
要求され、処理動作が複雑になってしまうため、これが
コスト高を招く要因となっている。又、図8及び図9で
示したようにレジスタ付バストランシーバを使用しない
場合には制御が簡単になるが、ここではデータ転送の性
能が劣化されるため、信頼性において難点がある。
In particular, the control circuit has n × n as shown in FIG.
When the six control signals are required, high performance is required for the data transfer, and the processing operation becomes complicated, which causes a cost increase. When the bus transceiver with the register is not used as shown in FIGS. 8 and 9, the control is simplified. However, since the data transfer performance is deteriorated, there is a problem in reliability.

【0024】本発明は、このような問題点を解決すべく
なされたもので、その技術的課題は、簡単な制御処理で
データ転送の高性能を確保し得るメモリアクセス制御装
置を提供することにある。
The present invention has been made in order to solve such problems, and a technical problem of the present invention is to provide a memory access control device capable of ensuring high data transfer performance with a simple control process. is there.

【0025】[0025]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、データ
を記憶した複数のメモリを含むメモリ装置と、複数のメ
モリのデータが出力されるデータバスと、データバス及
び複数のメモリの間におけるデータの方向を制御するた
めの複数のバストランシーバと、複数のメモリ及び複数
のバストランシーバにおけるアクセスを制御する制御回
路とを備えたメモリアクセス制御装置が得られる。
According to the present invention, there is provided a memory device including a plurality of memories storing data, a data bus to which data of the plurality of memories is output, and a data bus between the data bus and the plurality of memories. A memory access control device including a plurality of bus transceivers for controlling the direction of data, a plurality of memories, and a control circuit for controlling access in the plurality of bus transceivers is obtained.

【0026】又、本発明によれば、上記メモリアクセス
制御装置において、複数のバストランシーバは、制御回
路からの制御信号によって複数のメモリの何れか一つの
データを含むデータ信号の信号方向の切り替え制御を行
うと共に、データ信号の出力選択又はハイインピーダン
ス状態の設定を行うコントロール回路をそれぞれ複数備
えたメモリアクセス制御装置が得られる。
According to the present invention, in the above memory access control device, the plurality of bus transceivers control switching of the signal direction of a data signal including any one of the plurality of memories by a control signal from a control circuit. And a memory access control device including a plurality of control circuits for selecting the output of the data signal or setting the high impedance state.

【0027】更に、本発明によれば、上記何れかのメモ
リアクセス制御装置において、複数のバストランシーバ
は、制御回路からそれぞれ2本の制御伝送線を介して制
御されるメモリアクセス制御装置が得られる。
Further, according to the present invention, in any of the above memory access control devices, a memory access control device in which a plurality of bus transceivers are controlled from a control circuit via two control transmission lines, respectively, is obtained. .

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下に実施例を挙げ、本発明のメ
モリアクセス制御装置について、図面を参照して詳細に
説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0029】図1は、本発明の一実施例に係るメモリア
クセス制御装置の基本構成を示した簡易ブロック図であ
る。
FIG. 1 is a simplified block diagram showing a basic configuration of a memory access control device according to one embodiment of the present invention.

【0030】このメモリアクセス制御装置は、データを
記憶した複数(ここでは2つ)のメモリ5,6を含むメ
モリ装置7と、メモリ5,6のデータが出力されるデー
タバス1と、このデータバス1及びメモリ5,6の間に
おけるデータの方向を制御するための複数(ここでは2
つ)のバストランシーバ2,3と、メモリ5,6及びバ
ストランシーバ2,3におけるアクセスを制御する制御
回路4とを備えて成っている。
The memory access control device includes a memory device 7 including a plurality of (here, two) memories 5 and 6 storing data, a data bus 1 to which data of the memories 5 and 6 are output, A plurality (here, 2) for controlling the direction of data between the bus 1 and the memories 5, 6
Bus transceivers 2 and 3 and a control circuit 4 for controlling accesses to the memories 5 and 6 and the bus transceivers 2 and 3.

【0031】即ち、このメモリアクセス制御装置では、
データバス1にバストランシーバ2,3が接続され、こ
れらのバストランシーバ2,3にそれぞれメモリ5,6
が接続されており、メモリ5,6及びバストランシーバ
2,3が制御回路4によって制御される。但し、バスト
ランシーバ2,3は、制御回路4からそれぞれ2本の制
御伝送線を介して制御されるようになっている。
That is, in this memory access control device,
The bus transceivers 2 and 3 are connected to the data bus 1, and these bus transceivers 2 and 3 are connected to memories 5 and 6 respectively.
Are connected, and the memories 5 and 6 and the bus transceivers 2 and 3 are controlled by the control circuit 4. However, the bus transceivers 2 and 3 are controlled by the control circuit 4 via two control transmission lines, respectively.

【0032】図2は、図1のメモリアクセス制御装置に
備えられるバストランシーバ2,3の要部構成を示した
回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a main configuration of bus transceivers 2 and 3 provided in the memory access control device of FIG.

【0033】バストランシーバ2,3は、制御回路4か
らの方向信号DIRによってデータ信号A1やデータ信
号B1の信号方向を切り替え制御するためのコントロー
ル回路8を有し、このコントロール回路8によってデー
タ信号A1からデータ信号B1へ切り替えるか、或いは
データ信号B1からデータ信号A1へと信号方向を切り
替えることができる。又、コントロール回路8によって
制御回路4からのイネーブル信号OEバーによりデータ
信号A1やデータ信号B1を出力するか、或いはハイイ
ンピーダンスにするかを制御できる。即ち、ここでのコ
ントロール回路8は、制御回路4からの制御信号によっ
てメモリ5,6の何れか一つのデータを含むデータ信号
の信号方向の切り替え制御を行うと共に、データ信号の
出力選択又はハイインピーダンス状態の設定を行う。
尚、このようなコントロール回路8は、通常バストラン
シーバ2,3の1個につき複数搭載される。
Each of the bus transceivers 2 and 3 has a control circuit 8 for switching and controlling the signal direction of the data signal A1 or the data signal B1 according to the direction signal DIR from the control circuit 4. The control circuit 8 controls the data signal A1. To the data signal B1, or the signal direction can be switched from the data signal B1 to the data signal A1. Further, the control circuit 8 can control whether the data signal A1 or the data signal B1 is output or the impedance is high by the enable signal OE from the control circuit 4. That is, the control circuit 8 controls the switching of the signal direction of the data signal including any one of the memories 5 and 6 by the control signal from the control circuit 4 and selects the output of the data signal or the high impedance. Set the status.
It should be noted that a plurality of such control circuits 8 are usually mounted for each of the bus transceivers 2 and 3.

【0034】以下は、このメモリアクセス制御装置の動
作処理について、図3に示すその各部における処理信号
の波形に関するタイミングチャートを参照して説明す
る。
The operation of the memory access control device will be described below with reference to the timing chart shown in FIG.

【0035】ここでは制御回路4によりメモリ装置7の
メモリ5,6からデータを読み出してデータバス1に出
力させるべく、バストランシーバ2,3の方向信号DI
Rを制御し、メモリ装置7からデータバス1方向にメモ
リ5,6のデータが流れるような設定を行う。
Here, the direction signal DI of the bus transceivers 2 and 3 is read by the control circuit 4 in order to read data from the memories 5 and 6 of the memory device 7 and output the data to the data bus 1.
R is controlled so that data in the memories 5 and 6 flows from the memory device 7 in the direction of the data bus 1.

【0036】即ち、例えばメモリ5に関してアドレ
5 ,RAS5 ,CAS5 ,データ5 が図示のような関
係にあって、メモリ5の最初のデータ5 (D0)をデー
タバス1に出力させる場合、バストランシーバ3のイネ
ーブル信号OEバーを制御して出力をハイインピーダン
ス状態にし、バストランシーバ2の方向信号DIRを制
御して出力をスルー状態にしてメモリ5,6を読み出し
状態にしてデータを出力させることにより、メモリ5の
データ5 (D0)がデータバス1に出力される。
That is, for example, when the address 5 , RAS 5 , CAS 5 and data 5 are in the relationship shown in the figure with respect to the memory 5 and the first data 5 (D0) of the memory 5 is output to the data bus 1, By controlling the enable signal OE of the transceiver 3 to set the output to a high impedance state, controlling the direction signal DIR of the bus transceiver 2 to set the output to a through state and reading the memories 5 and 6 to output data, , Data 5 (D0) of the memory 5 is output to the data bus 1.

【0037】次に、メモリ6に関してアドレス6 ,RA
6 ,CAS6 ,データ6 が図示のような関係にあっ
て、メモリ6の最初のデータ6 (D1)をデータバス1
に出力させる場合、バストランシーバ2のイネーブル信
号OEバーを制御して出力をハイインピーダンス状態に
し、バストランシーバ3のイネーブル信号OEバーを制
御すると共に、方向信号DIRを制御して出力をスルー
状態にしてメモリ5,6を読み出し状態にしてデータを
出力させることにより、メモリ6のデータ6 (D1)が
データバス1に出力される。
Next, regarding the memory 6, addresses 6 , RA
S 6 , CAS 6 , and data 6 have a relationship as shown in the figure, and the first data 6 (D 1) of the memory 6 is transferred to the data bus 1.
, The enable signal OE of the bus transceiver 2 is controlled to make the output a high impedance state, the enable signal OE of the bus transceiver 3 is controlled, and the direction signal DIR is controlled to make the output a through state. By causing the memories 5 and 6 to be in the read state and outputting data, the data 6 (D1) of the memory 6 is output to the data bus 1.

【0038】引き続いて、同様にメモリ5の次のデータ
5 (D2)をデータバス1に出力させる場合、バストラ
ンシーバ3のイネーブル信号OEバーを制御して出力を
ハイインピーダンス状態にし、バストランシーバ2の方
向信号DIRを制御して出力をスルー状態にしてメモリ
5,6を読み出し状態にしてデータを出力させることに
より、メモリ5のデータ5 (D2)がデータバス1に出
力される。
Subsequently, similarly, the next data in the memory 5
5 When (D2) is output to the data bus 1, the enable signal OE of the bus transceiver 3 is controlled so that the output is in a high impedance state, and the direction signal DIR of the bus transceiver 2 is controlled so that the output is in a through state. Data 5 (D 2) of the memory 5 is output to the data bus 1 by causing the data 5 and 6 to be in the read state and outputting the data.

【0039】更に、同様にメモリ6の次のデータ6 (D
3)をデータバス1に出力させる場合、バストランシー
バ2のイネーブル信号OEバーを制御して出力をハイイ
ンピーダンス状態にし、バストランシーバ3のイネーブ
ル信号OEバーを制御すると共に、方向信号DIRを制
御して出力をスルー状態にしてメモリ5,6を読み出し
状態にしてデータを出力させることにより、メモリ6の
データ6 (D3)がデータバス1に出力される。
Further, similarly, the next data 6 (D
When 3) is output to the data bus 1, the enable signal OE of the bus transceiver 2 is controlled to put the output into a high impedance state, the enable signal OE of the bus transceiver 3 is controlled, and the direction signal DIR is controlled. The data 6 (D3) of the memory 6 is output to the data bus 1 by setting the output to the through state and setting the memories 5 and 6 to the read state and outputting the data.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上に説明したように、本発明のメモリ
アクセス制御装置よれば、従来の多数の入力用制御伝送
線を有するレジスタ付バストランシーバに代用して少な
い入力用制御伝送線を有するバストランシーバを設け、
このバストランシーバで制御回路からの各種制御信号に
よってデータ信号の信号方向の切り替えやデータ信号の
出力選択、或いはハイインピーダンスの設定等を行うよ
うにしているので、簡単な制御処理でデータ転送の高性
能を確保し得るようになる。この結果、少数の制御信号
による簡単な制御処理で済むため、制御回路のLSI化
が容易になる上、回路基板上の占有面積が小さくなって
小規模化を計り易くなり、しかも小さな消費電力で運用
できるため、こうした理由により低コストで提供可能に
なる。
As described above, according to the memory access control device of the present invention, a bus having a small number of input control transmission lines can be used instead of the conventional bus transceiver with registers having a large number of input control transmission lines. Provide a transceiver,
The bus transceiver switches the signal direction of the data signal, selects the output of the data signal, or sets the high impedance according to various control signals from the control circuit. Can be secured. As a result, a simple control process using a small number of control signals is sufficient, so that the control circuit can be easily integrated into an LSI, and the area occupied on the circuit board is reduced, so that the scale can be easily reduced. Because it can be operated, it can be provided at low cost for these reasons.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例に係るメモリアクセス制御装
置の基本構成を示した簡易ブロック図である。
FIG. 1 is a simplified block diagram showing a basic configuration of a memory access control device according to one embodiment of the present invention.

【図2】図1のメモリアクセス制御装置に備えられるバ
ストランシーバの要部構成を示した回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a main configuration of a bus transceiver provided in the memory access control device of FIG. 1;

【図3】図1に示すメモリアクセス制御装置の各部にお
ける処理信号の波形を示したタイミングチャートであ
る。
FIG. 3 is a timing chart showing waveforms of processing signals in respective units of the memory access control device shown in FIG.

【図4】従来の一例に係る共有メモリアクセス装置(メ
モリアクセス制御装置)の基本構成を示したブロック図
である。
FIG. 4 is a block diagram showing a basic configuration of a shared memory access device (memory access control device) according to a conventional example.

【図5】図4に示すメモリアクセス制御装置の具体的構
成を示した簡易ブロック図である。
FIG. 5 is a simplified block diagram showing a specific configuration of the memory access control device shown in FIG.

【図6】図5のメモリアクセス制御装置に備えられるレ
ジスタ付バストランシーバの要部構成を示した回路図で
ある。
6 is a circuit diagram showing a main configuration of a bus transceiver with a register provided in the memory access control device of FIG. 5;

【図7】図5に示すメモリアクセス制御装置の各部にお
ける処理信号の波形を示したタイミングチャートであ
る。
7 is a timing chart showing waveforms of processing signals in respective units of the memory access control device shown in FIG.

【図8】従来の他例に係るメモリアクセス制御装置の基
本構成を示した簡易ブロック図である。
FIG. 8 is a simplified block diagram showing a basic configuration of a memory access control device according to another conventional example.

【図9】図8に示すメモリアクセス制御装置の各部にお
ける処理信号の波形を示したタイミングチャートであ
る。
9 is a timing chart showing the waveform of a processing signal in each section of the memory access control device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 データバス 2,3 バストランシーバ 4,11,13 制御回路 5,6 メモリ 7 メモリ装置 8,12 コントロール回路 9,10 レジスタ付バストランシーバ 14,15 MPU DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Data bus 2, 3 Bus transceiver 4, 11, 13 Control circuit 5, 6 Memory 7 Memory device 8, 12, Control circuit 9, 10, Bus transceiver with register 14, 15 MPU

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 データを記憶した複数のメモリを含むメ
モリ装置と、前記複数のメモリのデータが出力されるデ
ータバスと、前記データバス及び前記複数のメモリの間
におけるデータの方向を制御するための複数のバストラ
ンシーバと、前記複数のメモリ及び前記複数のバストラ
ンシーバにおけるアクセスを制御する制御回路とを備え
たことを特徴とするメモリアクセス制御装置。
1. A memory device including a plurality of memories storing data, a data bus to which data of the plurality of memories is output, and a direction of data between the data bus and the plurality of memories. A plurality of bus transceivers, and a control circuit for controlling access to the plurality of memories and the plurality of bus transceivers.
【請求項2】 請求項1記載のメモリアクセス制御装置
において、前記複数のバストランシーバは、前記制御回
路からの制御信号によって前記複数のメモリの何れか一
つのデータを含むデータ信号の信号方向の切り替え制御
を行うと共に、前記データ信号の出力選択又はハイイン
ピーダンス状態の設定を行うコントロール回路をそれぞ
れ複数備えたことを特徴とするメモリアクセス制御装
置。
2. The memory access control device according to claim 1, wherein the plurality of bus transceivers switch a signal direction of a data signal including any one of the plurality of memories according to a control signal from the control circuit. A memory access control device comprising a plurality of control circuits for performing control and for selecting the output of the data signal or setting a high impedance state.
【請求項3】 請求項1又は2記載のメモリアクセス制
御装置において、前記複数のバストランシーバは、前記
制御回路からそれぞれ2本の制御伝送線を介して制御さ
れるものであることを特徴とするメモリアクセス制御装
置。
3. The memory access control device according to claim 1, wherein the plurality of bus transceivers are controlled by the control circuit via two control transmission lines, respectively. Memory access control device.
JP32816896A 1996-12-09 1996-12-09 Memory access controller Withdrawn JPH10171749A (en)

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