JPH04250709A - Differential amplifier circuit - Google Patents

Differential amplifier circuit

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JPH04250709A
JPH04250709A JP2387791A JP2387791A JPH04250709A JP H04250709 A JPH04250709 A JP H04250709A JP 2387791 A JP2387791 A JP 2387791A JP 2387791 A JP2387791 A JP 2387791A JP H04250709 A JPH04250709 A JP H04250709A
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effect transistor
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gate
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Shinichi Koazechi
晋一 小畦地
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Abstract

PURPOSE:To prevent distortion of an output by connecting a constant current transistor (TR) deciding the operating current of a differential amplifier circuit and one conduction channel FET and selecting a gate potential of the FET as a gate potential of the constant current TR or a prescribed potential power supply. CONSTITUTION:The differential amplifier circuit consists of 1st-4th one- conduction channel (N channel) FETs 1, 2, 5 and 10 and 1st and 2nd opposite conduction channel (P-channel) FETs 3,4. A 5th N-channel FET 12 is connected in parallel with a 3rd N-channel FET 5 as a constant current TR in the differential amplifier circuit. Moreover, a gate potential of the 3rd N-channel FET 5 or a low potential power supply line 7 is selected for a gate potential of the 5th N-channel FET 12 by using 1st and 2nd analog switches 13, 14 turned on/off in response to the signal inputted to a 3rd input terminal 16. Thus, the differential amplifier circuit enhancing the drive capability when the operating speed is slow is realized.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は差増幅回路に関し、特に
半導体装置において実現される差動増幅回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a differential amplifier circuit, and more particularly to a differential amplifier circuit implemented in a semiconductor device.

【0002】0002

【従来の技術】従来の差動増幅回路は、図5に示すよう
に第1乃至第4のNチャネル電界効果トランジスタ30
,31,34,39と、第1及び第2のPチャネル電界
効果トランジスタ32,33を主体に構成されている。 即ち、第1のNチャネル電界効果トランジスタ30は、
ドレインを第1のPチャネル電界効果トランジスタ32
のドレインに接続し、ゲートを第1の入力端子35に接
続している。第2のNチャネル電界効果トランジスタ3
1は、ドレインを第2のPチャネル電界効果トランジス
タ33のドレインに接続し、ゲートを第2の入力端子3
6に接続している。又、第1及び第2のNチャネル電界
効果トランジスタ30,31の各ソースを第3のNチャ
ネル電界効果トランジスタ34のドレインに接続してい
る。第3のNチャネル電界効果トランジスタ34は、ゲ
ートを第4のNチャネル電界効果トランジスタ39のゲ
ート及びドレインに接続し、ソースを低電位電源線38
に接続している。又、第1及び第2のPチャネル電界効
果トランジスタ32,33は、ゲートを相互に接続した
上で第1のNチャネル電界効果トランジスタ30のドレ
インに接続し、かつ各ソースを高電位電源線37に接続
している。第4のNチャネル電界効果トランジスタ39
は、ドレインを定電流源40の一端に接続し、ソースを
前記低電位電源線38に接続している。そして、前記第
2のNチャネル電界効果トランジスタ31のドレインに
は出力端子41を接続している。負荷容量42は一端が
前記出力端子41に接続し、他端をGNDに接続してい
る。
2. Description of the Related Art A conventional differential amplifier circuit includes first to fourth N-channel field effect transistors 30 as shown in FIG.
, 31, 34, 39, and first and second P-channel field effect transistors 32, 33. That is, the first N-channel field effect transistor 30 is
The drain of the first P-channel field effect transistor 32
, and its gate is connected to the first input terminal 35. Second N-channel field effect transistor 3
1 has its drain connected to the drain of the second P-channel field effect transistor 33, and its gate connected to the second input terminal 3.
Connected to 6. Further, the respective sources of the first and second N-channel field effect transistors 30 and 31 are connected to the drain of the third N-channel field effect transistor 34. The third N-channel field effect transistor 34 has its gate connected to the gate and drain of the fourth N-channel field effect transistor 39, and its source connected to the low potential power supply line 38.
is connected to. Further, the first and second P-channel field effect transistors 32 and 33 have their gates connected to each other and then to the drain of the first N-channel field effect transistor 30, and have their respective sources connected to the high potential power supply line 37. is connected to. Fourth N-channel field effect transistor 39
has a drain connected to one end of a constant current source 40, and a source connected to the low potential power line 38. An output terminal 41 is connected to the drain of the second N-channel field effect transistor 31. One end of the load capacitor 42 is connected to the output terminal 41, and the other end is connected to GND.

【0003】次に、動作について説明する。Nチャネル
電界効果トランジスタは、飽和領域において、ドレイン
電流は数1で表せる。
Next, the operation will be explained. In the N-channel field effect transistor, the drain current can be expressed by equation 1 in the saturation region.

【数1】 同様にPチャネル電界効果トランジスタについても、ド
レイン電流は数2で表せる。
##EQU00001## Similarly, the drain current of a P-channel field effect transistor can be expressed by the formula 2.

【数2】 ここで、βN ,βP はトランジスタの製造プロセス
,ゲート長,トランジスタ幅によって決まるデバイス定
数である。λN ,λP はチャネル変調係数である。
[Formula 2] Here, βN and βP are device constants determined by the transistor manufacturing process, gate length, and transistor width. λN and λP are channel modulation coefficients.

【0004】一方、図5の差動増幅回路の直流増幅率は
数3で表せられる。
On the other hand, the DC amplification factor of the differential amplifier circuit shown in FIG. 5 is expressed by equation 3.

【数3】 ここで、前記第2のNチャネル電界効果トランジスタ3
1の相互コンダクタンスをgm1,チャネルコンダクタ
ンスをgds1 ,第2のPチャネル電界効果トランジ
スタ33のチャネルコンダクタンスをgds2 とした
。前記相互コンダクタンスgm2は、数1により数4で
表される。
[Equation 3] Here, the second N-channel field effect transistor 3
The mutual conductance of the second P-channel field effect transistor 33 is gm1, the channel conductance is gds1, and the channel conductance of the second P-channel field effect transistor 33 is gds2. The mutual conductance gm2 is expressed by Equation 4 using Equation 1.

【数4】[Math 4]

【0005】この数4より、前記負荷容量42の容量を
CLとすると、利得が1となる周波数と電流との関係は
数5のようになる。
From Equation 4, if the capacitance of the load capacitor 42 is CL, the relationship between the frequency and current at which the gain is 1 is as shown in Equation 5.

【数5】[Math 5]

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】この従来の差動増幅回
路は、回路に流れる電流が一定であるため、回路の動作
速度が限られている。このため、入力信号周波数が高く
なった場合に、出力が歪むことがあるという問題がある
。本発明の目的は動作速度が遅いときに駆動能力を高め
ることができる差動増幅回路を提供することにある。
Problems to be Solved by the Invention In this conventional differential amplifier circuit, since the current flowing through the circuit is constant, the operating speed of the circuit is limited. Therefore, there is a problem in that the output may be distorted when the input signal frequency becomes high. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a differential amplifier circuit that can increase drive capability when operating speed is slow.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の差動増幅回路は
、第1乃至第4の一導電チャネル電界効果トランジスタ
と、第1及び第2の逆導電チャネル電界効果トランジス
タで構成される差動増幅回路に、定電流トランジスタと
しての第3の一導電チャネル電界効果トランジスタと並
列に接続した第5の一導電チャネル電界効果トランジス
タと、この第5の一導電チャネル電界効果トランジスタ
のゲートと第2の電位電源線及び第3の一導電チャネル
電界効果トランジスタのゲートとの間に夫々介挿した第
1及び第2のアナログスイッチとを設け、これら第1及
び第2のアナログスイッチを第3の入力端子に入力され
る信号により選択的にオン・オフ制御するように構成し
ている。
[Means for Solving the Problems] A differential amplifier circuit of the present invention is a differential amplifier circuit comprising first to fourth one-conductivity channel field-effect transistors and first and second opposite-conductivity channel field-effect transistors. The amplifier circuit includes a fifth one-conductivity channel field-effect transistor connected in parallel with the third one-conductivity-channel field-effect transistor as a constant current transistor, and a gate of the fifth one-conductivity channel field-effect transistor and a second one-conductivity channel field-effect transistor. first and second analog switches are provided between the potential power supply line and the gate of the third one-channel field effect transistor, and the first and second analog switches are connected to the third input terminal. The device is configured to be selectively turned on and off by a signal input to the device.

【0008】[0008]

【作用】本発明によれば、定電流トランジスタとしての
第3の一導電チャネル電界効果トランジスタと並列に接
続した第5の一導電チャネル電界効果トランジスタのゲ
ート電位を第2の電位電源と定電流トランジスタのゲー
ト電位に切り換えることで、動作速度が遅いときに駆動
能力を向上させる。
[Operation] According to the present invention, the gate potential of the fifth one-conductivity channel field-effect transistor connected in parallel with the third one-conductivity channel field-effect transistor as a constant-current transistor is connected to the second potential power source and the constant-current transistor. By switching to the gate potential of , the drive capability is improved when the operating speed is slow.

【0009】[0009]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の第1実施例の回路図であり、第1乃
至第5のNチャネル電界効果トランジスタ1,2,5,
10,12と、第1及び第2のPチャネル電界効果トラ
ンジスタ3,4を主体に構成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be explained with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention, in which first to fifth N-channel field effect transistors 1, 2, 5,
10 and 12, and first and second P-channel field effect transistors 3 and 4.

【0010】第1のNチャネル電界効果トランジスタ1
は、ドレインを第1のPチャネル電界効果トランジスタ
3のドレインに接続し、ゲートを第1の入力端子8に接
続している。第2のNチャネル電界効果トランジスタ2
は、ドレインを第2のPチャネル電界効果トランジスタ
4のドレインに接続し、ゲートを第2の入力端子9に接
続している。又、このドレインには出力端子17が接続
され、かつ負荷容量18がGNDとの間に接続される。 これら第1及び第2のNチャネル電界効果トランジスタ
1,2はソースを相互に接続し、これらを第3及び第5
の各ドレインに接続している。第1及び第2のPチャネ
ル電界効果トランジスタ3,4はゲートを相互に接続し
、かつ第1のNチャネル電界効果トランジスタ1のドレ
インに接続し、各ソースを高電位電源線6に接続してい
る。第3のNチャネル電界効果トランジスタ5は、ゲー
トを第4のNチャネル電界効果トランジスタ10のゲー
ト及びドレインに接続し、ソースを低電位電源線7に接
続している。第4のNチャネル電界効果トランジスタ1
0は、ドレインを定電流源11の一端に接続し、ソース
を低電位電源線7に接続している。第5のNチャネル電
界効果トランジスタ12は、ソースを前記低電位電源線
7に接続し、ゲートを第1及び第2のアナログスイッチ
13,14に接続している。
First N-channel field effect transistor 1
has a drain connected to the drain of the first P-channel field effect transistor 3, and a gate connected to the first input terminal 8. Second N-channel field effect transistor 2
has a drain connected to the drain of the second P-channel field effect transistor 4 and a gate connected to the second input terminal 9. Further, an output terminal 17 is connected to this drain, and a load capacitor 18 is connected between it and GND. The sources of these first and second N-channel field effect transistors 1, 2 are connected to each other, and these are connected to the third and fifth N-channel field effect transistors.
connected to each drain of the The first and second P-channel field effect transistors 3 and 4 have gates connected to each other and to the drain of the first N-channel field effect transistor 1, and respective sources connected to a high potential power supply line 6. There is. The third N-channel field effect transistor 5 has its gate connected to the gate and drain of the fourth N-channel field effect transistor 10, and its source connected to the low potential power supply line 7. Fourth N-channel field effect transistor 1
0 has its drain connected to one end of the constant current source 11 and its source connected to the low potential power line 7. The fifth N-channel field effect transistor 12 has a source connected to the low potential power supply line 7 and a gate connected to the first and second analog switches 13 and 14.

【0011】第1のアナログスイッチ13は、前記第5
のNチャネル電界効果トランジスタ12のゲートと低電
位電源線7との間に接続される。第2のアナログスイッ
チ14は、前記第5のNチャネル電界効果トランジスタ
12のゲートと前記第4のNチャネル電界効果トランジ
スタ10のゲート(ドレイン)との間に接続している。 これら第1及び第2のアナログスイッチ13,14は、
制御信号が“H”レベルの時、オンとなるアナログスイ
ッチとして構成されている。そして、前記第1のアナロ
グスイッチ13は、インバータ15を通した第3の入力
端子16からの信号により制御され、第2のアナログス
イッチ14はこの第3の入力端子16からの直接信号に
より制御される。
[0011] The first analog switch 13
The low potential power supply line 7 is connected between the gate of the N-channel field effect transistor 12 and the low potential power supply line 7. The second analog switch 14 is connected between the gate of the fifth N-channel field effect transistor 12 and the gate (drain) of the fourth N-channel field effect transistor 10. These first and second analog switches 13 and 14 are
It is configured as an analog switch that is turned on when the control signal is at the "H" level. The first analog switch 13 is controlled by a signal from a third input terminal 16 through an inverter 15, and the second analog switch 14 is controlled by a direct signal from this third input terminal 16. Ru.

【0012】以上の回路において、第5のNチャネル電
界効果トランジスタ12のゲート長及びトランジスタ幅
は、第3のNチャネル電界効果トランジスタ5のゲート
長,トランジスタ幅と同じであるとする。第3の入力端
子16が“L”レベルである時、第5のNチャネル電界
効果トランジスタ12には電流が流れない。この時、第
3のNチャネル電界効果トランジスタ5に流れる電流を
2Iとする。前記負荷容量18の容量値をCL とし、
利得が1となる周波数をfULとする。次に、第3の入
力端子16が“H”レベルである時、第5のNチャネル
電界効果トランジスタ12には2Iの電流が流れる。こ
の時の利得が1となる周波数をfUHとすると、数6の
関係が成立する。
In the above circuit, it is assumed that the gate length and transistor width of the fifth N-channel field effect transistor 12 are the same as those of the third N-channel field effect transistor 5. When the third input terminal 16 is at the "L" level, no current flows through the fifth N-channel field effect transistor 12. At this time, the current flowing through the third N-channel field effect transistor 5 is assumed to be 2I. Let the capacitance value of the load capacitor 18 be CL,
Let fUL be the frequency at which the gain is 1. Next, when the third input terminal 16 is at the "H" level, a current of 2I flows through the fifth N-channel field effect transistor 12. If the frequency at which the gain is 1 at this time is fUH, then the relationship shown in Equation 6 holds true.

【数6】 この関係から、利得は下がっているが、fUHは2の平
方根倍になっている。因に、第3の入力端子16を“H
”レベル,“L”レベルにした時の周波数特性を夫々図
2の鎖線、実線で示す。
[Equation 6] From this relationship, although the gain has decreased, fUH has increased to the square root of 2. Incidentally, the third input terminal 16 is
The frequency characteristics when the signal is set to "level" and "L" level are shown by the chain line and solid line in FIG. 2, respectively.

【0013】図3は、本発明の差動増幅回路を使った演
算増幅器の回路図である。即ち、第3のPチャネル電界
効果トランジスタ20と、第6のNチャネル電界効果ト
ランジスタ21を新たに設け、第3のPチャネル電界効
果トランジスタ20は、ゲートを第2のNチャネル電界
効果トランジスタ2のドレインに接続した差動出力端子
19に接続し、ドレインを出力端子23に接続し、ソー
スを高電位電源線6に接続している。第6のNチャネル
電界効果トランジスタ21は、ドレインを前記出力端子
23に接続し、ゲートを第4のNチャネル電界効果トラ
ンジスタ10のドレインに接続し、ソースを低電位電源
線7に接続している。位相補償容量22は、一端を前記
差動出力端子19に接続し、他端を前記出力端子23に
接続している。
FIG. 3 is a circuit diagram of an operational amplifier using the differential amplifier circuit of the present invention. That is, a third P-channel field-effect transistor 20 and a sixth N-channel field-effect transistor 21 are newly provided, and the third P-channel field-effect transistor 20 has a gate connected to the gate of the second N-channel field-effect transistor 2. The drain is connected to the differential output terminal 19 connected to the drain, the drain is connected to the output terminal 23, and the source is connected to the high potential power line 6. The sixth N-channel field effect transistor 21 has a drain connected to the output terminal 23, a gate connected to the drain of the fourth N-channel field effect transistor 10, and a source connected to the low potential power supply line 7. . The phase compensation capacitor 22 has one end connected to the differential output terminal 19 and the other end connected to the output terminal 23.

【0014】図4は、本発明の第2実施例の回路図であ
り、図3に示した演算増幅器を演算増幅器24として用
いるとともに、誤差増幅器25及びコンパレータ26を
用いて構成している。演算増幅器24は、その第1の入
力端子8及び出力端子23を信号出力端子29に接続し
、第2の入力端子9を信号入力端子28に接続している
。又、誤差増幅器25の正相端子を前記信号端子28に
接続し、逆相端子を前記信号出力端子29に接続してい
る。コンパレータ26の正相端子は前記誤差増幅器25
の出力に接続し、逆相端子は基準電圧源27に接続し、
出力端子は前記演算増幅器24の第3の入力端子16に
接続している。
FIG. 4 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention, in which the operational amplifier shown in FIG. 3 is used as the operational amplifier 24, and an error amplifier 25 and a comparator 26 are also used. The operational amplifier 24 has its first input terminal 8 and output terminal 23 connected to a signal output terminal 29 , and its second input terminal 9 connected to a signal input terminal 28 . Further, the positive phase terminal of the error amplifier 25 is connected to the signal terminal 28, and the negative phase terminal is connected to the signal output terminal 29. The positive phase terminal of the comparator 26 is connected to the error amplifier 25.
The reverse phase terminal is connected to the reference voltage source 27,
The output terminal is connected to the third input terminal 16 of the operational amplifier 24.

【0015】この回路では、演算増幅器24は信号バッ
ファを形成しており、誤差増幅器25は信号入力端子2
8と信号出力端子29の信号振幅差を増幅している。信
号入力端子28に入力される信号が速くなり、信号出力
端子29との差が大きくなると、誤差増幅器25の出力
電圧が基準電圧源27の電圧値より低くなり、コンパレ
ータ26の出力が“H”レベルになる。この結果、演算
増幅器24の動作速度が速くなる。この実施例では演算
増幅器24の動作限界を検出できるという特徴を有する
In this circuit, the operational amplifier 24 forms a signal buffer, and the error amplifier 25 forms the signal input terminal 2.
8 and the signal output terminal 29 is amplified. When the signal input to the signal input terminal 28 becomes faster and the difference from the signal output terminal 29 increases, the output voltage of the error amplifier 25 becomes lower than the voltage value of the reference voltage source 27, and the output of the comparator 26 becomes "H". become the level. As a result, the operating speed of the operational amplifier 24 becomes faster. This embodiment has the feature that the operating limit of the operational amplifier 24 can be detected.

【0016】[0016]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、差動増幅
回路の動作電流を決めている定電流トランジスタと並列
に第5の一導電チャネル電界効果トランジスタを接続し
、この電界効果トランジスタのゲート電位を定電流トラ
ンジスタのゲート電位と第2の電位電源とで切り換える
ように構成しているので、回路の動作速度を変化可能と
し、動作速度が遅いときに駆動能力を上げて入力信号周
波数に対する出力の歪を防止することができる効果を奏
する。
As explained above, the present invention connects a fifth one-channel field effect transistor in parallel with a constant current transistor that determines the operating current of a differential amplifier circuit, and Since the potential is switched between the gate potential of the constant current transistor and the second potential power supply, the operating speed of the circuit can be changed, and when the operating speed is slow, the driving capacity is increased to increase the output according to the input signal frequency. This has the effect of preventing distortion.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の差動増幅回路の第1実施例の回路図で
ある。
FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of a differential amplifier circuit of the present invention.

【図2】図1の回路の周波数特性図である。FIG. 2 is a frequency characteristic diagram of the circuit in FIG. 1;

【図3】第1実施例の差動増幅回路を用いた演算増幅器
の回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of an operational amplifier using the differential amplifier circuit of the first embodiment.

【図4】本発明の第2実施例のブロック回路図である。FIG. 4 is a block circuit diagram of a second embodiment of the present invention.

【図5】従来の差動増幅回路の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of a conventional differential amplifier circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  第1のNチャネル電界効果トランジスタ2  第
2のNチャネル電界効果トランジスタ3  第1のPチ
ャネル電界効果トランジスタ4  第2のPチャネル電
界効果トランジスタ5  第3のNチャネル電界効果ト
ランジスタ6  高電位電源線      7  低電
位電源線10  第4のNチャネル電界効果トランジス
タ11  定電流源 12  第5のNチャネル電界効果トランジスタ13 
 第1のアナログスイッチ 14  第2のアナログスイッチ。
1 First N-channel field effect transistor 2 Second N-channel field effect transistor 3 First P-channel field effect transistor 4 Second P-channel field effect transistor 5 Third N-channel field effect transistor 6 High potential power supply line 7 Low potential power supply line 10 Fourth N-channel field effect transistor 11 Constant current source 12 Fifth N-channel field effect transistor 13
First analog switch 14 Second analog switch.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  ドレインを第1の逆導電チャネル電界
効果トランジスタのドレインに接続し、ゲートを第1の
入力端に接続した第1の一導電チャネル電界効果トラン
ジスタと、ドレインを第2の逆導電チャネル電界効果ト
ランジスタのドレインに接続し、ゲートを第2の入力端
子に接続した第2の一導電チャネル電界効果トランジス
タと、前記第1及び第2の一導電チャネル電界効果トラ
ンジスタのソースにドレインが接続され、ソースを第2
の電位電源線に接続した定電流トランジスタとしての第
3の一導電チャネル電界効果トランジスタと、ゲート及
びドレインを前記第3の一導電チャネル電界効果トラン
ジスタのゲートに接続し、ソースを前記第2の電位電源
線に接続した第4の一導電チャネル電界効果トランジス
タとを備え、前記第1及び第2の逆導電チャネル電界効
果トランジスタは夫々のソースを第1の電位電源線に接
続し、各ゲートを相互に接続して前記第1の一導電チャ
ネル電界効果トランジスタのドレインに接続し、かつ第
2の逆導電チャネル電界効果トランジスタのドレインに
出力端子を接続した構成の差動増幅回路において、前記
第3の一導電チャネル電界効果トランジスタと並列に接
続した第5の一導電チャネル電界効果トランジスタと、
この第5の一導電チャネル電界効果トランジスタのゲー
トと第2の電位電源線及び第3の一導電チャネル電界効
果トランジスタのゲートとの間に夫々介挿した第1及び
第2のアナログスイッチとを設け、これら第1及び第2
のアナログスイッチを第3の入力端子に入力される信号
により選択的にオン・オフ制御するように構成したこと
を特徴とする差動増幅回路。
1. A first one-conducting channel field-effect transistor, the drain of which is connected to the drain of a first reverse-conducting channel field-effect transistor, and the gate of which is connected to a first input terminal; a second one-conducting channel field-effect transistor connected to the drain of the channel field-effect transistor and having a gate connected to a second input terminal; and a drain connected to the sources of the first and second one-conducting channel field-effect transistors. and add the sauce to the second
a third one-conductivity channel field-effect transistor as a constant current transistor connected to the potential power supply line; a gate and a drain connected to the gate of the third one-conductivity channel field-effect transistor; and a source connected to the second potential a fourth one conductivity channel field effect transistor connected to a power supply line, the first and second opposite conductivity channel field effect transistors having respective sources connected to the first potential power supply line and respective gates connected to each other. in the differential amplifier circuit configured such that the third conductive channel field effect transistor is connected to the drain of the first conductive channel field effect transistor, and the output terminal is connected to the drain of the second reverse conductive channel field effect transistor. a fifth one conductive channel field effect transistor connected in parallel with the one conductive channel field effect transistor;
First and second analog switches are provided between the gate of the fifth one-conductivity channel field-effect transistor and the second potential power supply line and the gate of the third one-conductivity channel field-effect transistor, respectively. , these first and second
A differential amplifier circuit characterized in that the analog switch is configured to be selectively turned on and off by a signal input to a third input terminal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006339808A (en) * 2005-05-31 2006-12-14 Seiko Epson Corp Operational amplifier, drive circuit and electrooptical device

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