JPH0279386A - Pipe heating apparatus and semiconductor manufacturing apparatus using same - Google Patents

Pipe heating apparatus and semiconductor manufacturing apparatus using same

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JPH0279386A
JPH0279386A JP63228650A JP22865088A JPH0279386A JP H0279386 A JPH0279386 A JP H0279386A JP 63228650 A JP63228650 A JP 63228650A JP 22865088 A JP22865088 A JP 22865088A JP H0279386 A JPH0279386 A JP H0279386A
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JP
Japan
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pipe
power supply
ring
heating
heating device
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Application number
JP63228650A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisayuki Kato
久幸 加藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To make it possible to control temperature of a pipe uniformly by installing heating rings electrically connected to an electric power supplying cord on the pipe while keeping a prescribed distance between a ring and another one along to the longitudinal direction of the pipe. CONSTITUTION:A heating apparatus is composed with heating rings which are able to be installed on a pipe 2 and electric power supplying cords 4a, 4b to apply electric voltage to the heating rings 3 where the heating rings are made of a heat generating body of a metal or a rubber containing conductive powder such as carbon and can generate heat to a prescribed temperature by supply of electric power. The heating rings connected electrically with electric power by the electric power supplying cords are installed on the pipe while keeping a prescribed distance between a ring and another along the longitudinal direction of the pipe. As a result, the temperature of the pipe is controlled uniformly.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、配管加熱装置に関し、特に、配管温度の均一
化と半導体製造装置における反応ガスの露結防止とに適
用して有効な技術に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a pipe heating device, and in particular to a technique that is effective when applied to uniform pipe temperature and prevention of dew condensation of reaction gas in semiconductor manufacturing equipment. .

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体製造装置における真空装置への配管としては、た
とえば、配管内を流れる反応ガスの流体圧に耐え、かつ
熱や機械的衝撃に対して強いステンレス、鉄または銅合
金などの配管材料が使用されている。
For piping to vacuum equipment in semiconductor manufacturing equipment, piping materials such as stainless steel, iron, or copper alloys that can withstand the fluid pressure of the reaction gas flowing inside the piping and are resistant to heat and mechanical shock are used. There is.

これらの配管材料は、配管内を流れる反応ガスの腐食、
汚染などに対しても強い材料でなければならない。
These piping materials are susceptible to corrosion caused by reactive gases flowing inside the piping.
The material must also be resistant to contamination.

また、最近の半導体製造装置に用いられる反応ガスの中
には、高圧充填のため液化し、その液化された反応ガス
がガスボンベから長い配管を通り反応室へ導入されるも
のが多くなっている。
In addition, many of the reactive gases used in recent semiconductor manufacturing equipment are liquefied due to high-pressure filling, and the liquefied reactive gas is introduced into the reaction chamber from a gas cylinder through a long pipe.

たとえば、CVD装置やドライエツチング装置などで広
く使用されているNH3,N2 0.S 12H6、S
 i N2 C12などが挙げられ、これらの反応ガス
は、いずれも腐食性、液化性が高いものである。
For example, NH3, N20. S 12H6, S
Examples include iN2C12, and these reactive gases are highly corrosive and liquefiable.

従って、これらの反応ガスが配管中で露結し配管内に付
着すると、反応室に送られる反応ガスの流量制御が困難
になるばかりでなく、配管の耐腐食性を低下させ、配管
内で他の反応ガスと反応し付着物が形成されることがあ
る。そして、その付着物が配管内に付着し配管詰まりを
生じる恐れがある。
Therefore, if these reactive gases condense in the piping and adhere to the interior of the piping, it not only becomes difficult to control the flow rate of the reactive gas sent to the reaction chamber, but also reduces the corrosion resistance of the piping and may react with reactive gases to form deposits. There is a risk that the deposits will adhere to the inside of the pipes and cause pipe clogging.

このため、ゴムや布に発熱体を組み込み帯状にしたテー
プヒータなどの加熱装置を配管に巻き、配管温度を高く
することで反応ガスの露結を防ぎ、付着物による配管詰
まりを防止していた。
For this reason, heating devices such as band-shaped tape heaters with heating elements embedded in rubber or cloth were wrapped around the pipes to raise the temperature of the pipes, preventing condensation of the reactant gas and preventing clogging of the pipes due to deposits. .

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、前記のような従来技術では、テープヒータの
巻き方が不均一になり配管温度を均一にできないという
問題がある。特に、曲がっている配管については、テー
プヒータの巻き方が難しく、配管の全長において保温効
果を高めることがより困難である。
However, in the conventional technology as described above, there is a problem in that the tape heater is wound unevenly, making it impossible to make the pipe temperature uniform. In particular, it is difficult to wrap a tape heater around curved pipes, making it more difficult to increase the heat retention effect over the entire length of the pipe.

また、細い配管については、配管の外形に比べてテープ
ヒータを巻いた後の外形が異常に大きくなり、配管スペ
ースを必要以上に取ってしまうという問題がある。
Further, with regard to thin pipes, there is a problem in that the outer shape after wrapping the tape heater becomes abnormally large compared to the outer shape of the pipe, and the pipe space is taken up more than necessary.

さらに、テープヒータに組み込まれる発熱体を伸縮およ
び湾曲することは安全面から見ても望ましくない。
Furthermore, it is undesirable from a safety point of view to expand, contract, or curve the heating element incorporated in the tape heater.

そこで、本発明の目的は、保温効果を高め、しかも安全
に温度制御が可能な配管加熱装置を提供することにある
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a pipe heating device that enhances the heat retention effect and allows safe temperature control.

また、本発明の他の目的は、反応ガスの流中制御性を高
めることができる半導体製造装置を提供することにある
Another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus that can improve the flow controllability of a reactive gas.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、本発明の配管加熱装置は、配管の長さ方向に
沿って、所定の間隔をおいて、給電コードにより給電接
続された発熱リングを装着したものである。
That is, the pipe heating device of the present invention has heating rings connected to power supply by power supply cords installed at predetermined intervals along the length of the pipe.

また、本発明の配管加熱装置は、発熱リングの給電コー
ドが、所定の長さの少なくとも一端に、この発熱リング
の端子部に挿脱可能な接続端子を備えたものである。
Further, in the pipe heating device of the present invention, the power supply cord of the heating ring is provided with a connecting terminal at least one end of a predetermined length that can be inserted into and removed from the terminal portion of the heating ring.

さらに、本発明の配管加熱装置は、発熱リングが、予め
給電コードで互いに一体的に給電接続されたものである
Further, in the pipe heating device of the present invention, the heating rings are integrally connected to each other for power supply using a power supply cord in advance.

さらに、本発明の配管加熱装置を用いた半導体製造装置
は、上記の配管加熱装置を備えたものである。
Furthermore, a semiconductor manufacturing apparatus using the pipe heating device of the present invention is equipped with the above-mentioned pipe heating device.

〔作用〕[Effect]

前記した配管加熱装置によれば、配管の長さ方向に沿っ
て、所定の間隔をおいて、給電コードにより給電接続さ
れた発熱リングを装着したことにより、配管温度を均一
に制御することができる。
According to the above-mentioned pipe heating device, the temperature of the pipe can be uniformly controlled by installing heat-generating rings connected to the power supply by the power supply cord at predetermined intervals along the length of the pipe. .

また、本発明の配管加熱装置によれば、発熱リングの給
電コードが、所定の長さの少なくとも一端に、この発熱
リングの端子部に挿脱可能な接続端子を備えたことによ
り、配管への装着および配管からの着脱が自由にできる
Further, according to the pipe heating device of the present invention, the power supply cord of the heat generating ring is provided with a connecting terminal that can be inserted into and removed from the terminal portion of the heat generating ring at at least one end of the predetermined length, so that the power supply cord of the heat generating ring can be connected to the pipe. Can be installed and removed from piping freely.

さらに、本発明の半導体製造装置によれば、配管の長さ
方向に沿って発熱リングを装着できる配管加熱装置を用
いることにより、反応ガスを送る配管内の露結を防止す
ることができる。
Further, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, by using a pipe heating device in which a heat generating ring can be attached along the length of the pipe, dew condensation can be prevented in the pipe for feeding the reaction gas.

〔実施例〕〔Example〕

第1図(a)は本発明の一実施例である配管加熱装置を
示す斜視図、第1図(b)は本実施例の配管加熱装置の
分解斜視図、第2図(a)は本発明の配管加熱装置に用
いられる他の発熱リングの斜視図、第2図(b)はさら
に他の発熱リングの斜視図、第2図(C)は本発明の配
管加熱装置の他の実施例を示す斜視図、第3図は本発明
の配管加熱装置が用いられる減圧CVD装置の構成図で
ある。
FIG. 1(a) is a perspective view showing a pipe heating device according to an embodiment of the present invention, FIG. 1(b) is an exploded perspective view of the pipe heating device of this embodiment, and FIG. FIG. 2(b) is a perspective view of another heating ring used in the piping heating device of the invention, FIG. 2(C) is a perspective view of another heating ring, and FIG. 2(C) is another embodiment of the piping heating device of the invention. FIG. 3 is a configuration diagram of a reduced pressure CVD apparatus in which the pipe heating apparatus of the present invention is used.

まず、第1図(a)および(b)により配管加熱装置の
一実施例の構成を説明する。
First, the configuration of an embodiment of a pipe heating device will be described with reference to FIGS. 1(a) and 1(b).

第1図(a)に示すように、本実施例の配管加熱装置1
は、配管2に装着可能な発熱リング3と、発熱リング3
に電圧を供給する給電コード4a、4bとで構成されて
いる。
As shown in FIG. 1(a), the pipe heating device 1 of this embodiment
are a heat generating ring 3 that can be attached to the pipe 2, and a heat generating ring 3 that can be attached to the pipe 2.
It is comprised of power supply cords 4a and 4b that supply voltage to.

前記発熱リンク゛3は、金属またはカーボンなどの導電
性粉入のゴムなどの発熱体で形成され、電圧を供給する
ことによって所定の温度まで発熱させることができる。
The heating link 3 is formed of a heating element such as rubber containing metal or conductive powder such as carbon, and can be heated to a predetermined temperature by supplying voltage.

また、発熱リング3は第1図ら)に示すように、給電コ
ード4a、4bが接続される端子部5と、端子部5の反
対側側面にスリット6とが備えられ、上記材質により弾
性力をもって形成されているので、配管2への装着およ
び配管2からの着脱を自由に行うことができる。
In addition, as shown in FIG. 1, etc., the heating ring 3 is provided with a terminal portion 5 to which the power supply cords 4a and 4b are connected, and a slit 6 on the opposite side surface of the terminal portion 5, and has an elastic force made of the above material. Since it is formed, it can be freely attached to and detached from the piping 2.

給電コード4a、4bは、図示しない電圧供給源と発熱
リンク3とを接続する給電コード4aと、発熱リング3
の間を接続する給電コード4bとの2種類があり、いず
れも発熱リング3への電圧供給のために使用される。
The power supply cords 4a and 4b are a power supply cord 4a that connects a voltage supply source (not shown) and the heat generation link 3, and a heat generation ring 3.
There are two types of power supply cords 4b that connect between the two, and both are used to supply voltage to the heat generating ring 3.

また、給電コード4aは、一端に電圧供給源と接続され
る給電端子7aと、他端に発熱リング3と接続される接
続端子7bとを備えており、接続端子7aと接続端子7
bとが導電材料を被覆した耐熱コード8で接続され、所
定の長さに作られている。
Further, the power supply cord 4a includes a power supply terminal 7a connected to a voltage supply source at one end, and a connection terminal 7b connected to the heating ring 3 at the other end.
b are connected to each other by a heat-resistant cord 8 coated with a conductive material and made to have a predetermined length.

一方、給電コード4bは、発熱リング3と接続される接
続端子9a、9bを両端に備えており、両端の接続端子
9a、9bが導電材料を被覆した耐熱コード10で接続
され、発熱リング3が装着される間隔りの長さに作られ
ている。
On the other hand, the power supply cord 4b has connecting terminals 9a and 9b at both ends to be connected to the heat generating ring 3.The connecting terminals 9a and 9b at both ends are connected with a heat resistant cord 10 coated with a conductive material, and the heat generating ring 3 They are made to the length that fits the distance between them.

次に、第1図(a)および(b)の配管加熱装置1の作
用について説明する。
Next, the operation of the pipe heating device 1 shown in FIGS. 1(a) and 1(b) will be explained.

弾性力をもって形成された発熱リング3のスリット6部
を開くように力を加えることによって、発熱リング3は
、配管2に所定の間隔りをもって装着される。
By applying force to open the slits 6 of the heat generating ring 3 formed with elastic force, the heat generating ring 3 is attached to the piping 2 at a predetermined interval.

従って、予め配管2の外径が分かっていれば、それに合
った外径の発熱リング3を使用し長い配管2のどの位置
にも装着ができ、また、必要によって着脱が自由にでき
る。
Therefore, if the outer diameter of the pipe 2 is known in advance, the heating ring 3 having an outer diameter that matches the diameter can be used and attached to any position on the long pipe 2, and can be freely attached and detached as necessary.

そして、配管2に装着された発熱リング3のうち、電圧
供給源に近い第1の発熱リング3の端子部5の一端に給
電コード4aの接続端子7bが接続され、他端に種類の
異なる給電コード4bの接続端子9aが接続される。
Of the heat generating rings 3 attached to the piping 2, the connection terminal 7b of the power supply cord 4a is connected to one end of the terminal portion 5 of the first heat generating ring 3 near the voltage supply source, and the other end is connected to a power supply of a different type. The connecting terminal 9a of the cord 4b is connected.

また、一端が第1の発熱リング3の端子部5に接続され
た給電コード4aは、他端に備えである給電端子7aに
よって電圧供給源に接続される。
Further, the power supply cord 4a whose one end is connected to the terminal portion 5 of the first heating ring 3 is connected to a voltage supply source through a power supply terminal 7a at the other end.

一方、一端が第1の発熱リング3の端子部5に接続され
た給電コード4bは、他端に備えである接続端子9bに
よって第2の発熱リング3の端子部5に接続される。
On the other hand, the power supply cord 4b, which has one end connected to the terminal portion 5 of the first heat generating ring 3, is connected to the terminal portion 5 of the second heat generating ring 3 by a connecting terminal 9b provided at the other end.

このようにして、配管2に装着された全ての発熱リング
3は、給電コード4a、4bで接続され、装着された全
ての発熱リング3に電圧を供給することができる。
In this way, all the heat generating rings 3 attached to the pipe 2 are connected by the power supply cords 4a, 4b, and voltage can be supplied to all the heat generating rings 3 attached.

さらに、電圧が供給された発熱リング3は、温度が上昇
し配管2を一定の温度に保つことができる。
Furthermore, the temperature of the heating ring 3 to which voltage is supplied increases, and the pipe 2 can be kept at a constant temperature.

また、配管2の温度は、配管2に装着された発熱リング
3の間隔りと個数によって決定され、配管2の長さや曲
がり方などの形状に影響されることがない。
Furthermore, the temperature of the pipe 2 is determined by the spacing and number of heat generating rings 3 attached to the pipe 2, and is not affected by the shape of the pipe 2, such as its length or bending.

従って、発熱リング3の個数と装着された間隔Lとによ
って配管2の温度の均一化が図れると同時に、配管2内
を流れる流体の保温効果を高めることができる。
Therefore, the temperature of the pipe 2 can be made uniform by the number of heat generating rings 3 and the interval L between the heat generating rings 3 and the interval L between the heat generating rings 3 and the heat generating ring 3, and at the same time, the heat retention effect of the fluid flowing inside the pipe 2 can be enhanced.

また、発熱リング3の材質を変え発熱量を変化させるこ
とによって、たとえば、配管2の温度を徐々に高めたり
、逆に徐々に冷却したりすることなどができるので配管
2内を流れる流体の温度制御が容易になる。
In addition, by changing the material of the heat generating ring 3 and changing the amount of heat generated, it is possible, for example, to gradually increase the temperature of the pipe 2 or to gradually cool it, so that the temperature of the fluid flowing inside the pipe 2 can be increased. Easier to control.

次に、発熱リング3の応用例を第2図(a)およびら)
により説明する。
Next, an application example of the heating ring 3 is shown in Fig. 2 (a) and 2).
This is explained by:

第2図(a)の発熱リング3aは、第1図(a)、(b
)に示した発熱リング3と同様の材質で形成され、端子
部5aが発熱リング3aの外径と内径との間に備えられ
ている。
The heating ring 3a in FIG. 2(a) is similar to the heating ring 3a in FIG.
) is made of the same material as the heat generating ring 3 shown in FIG.

この発熱リング3aは、第1図(a)、(b)のように
接続端子7a、7bまたは9a、9bが備えられた給電
コード4a、4bの接続によって電圧が供給されてもよ
いし、あるいは、第2図(C)に示すように接続端子を
備えていない給電コード4c、4dと、予め互いに一体
接続されることによって電圧が供給される方法でもよい
This heating ring 3a may be supplied with voltage by connecting power supply cords 4a, 4b provided with connection terminals 7a, 7b or 9a, 9b as shown in FIGS. 1(a) and 1(b), or As shown in FIG. 2(C), a voltage may be supplied by integrally connecting the power supply cords 4c and 4d without connection terminals to each other in advance.

また、第2図(b)の発熱リング3bは、構造の外形は
第2図(a)の発熱リング3aと同じであるが、塑性変
形自在な材質で形成され、配管2に装着することによっ
てリング状に固定され、第2図(a)と同様の方法で電
圧が供給されるようになっている。
The heat generating ring 3b in FIG. 2(b) has the same external structure as the heat generating ring 3a in FIG. 2(a), but is made of a plastically deformable material and can be attached to the pipe 2 It is fixed in a ring shape, and voltage is supplied in the same manner as in FIG. 2(a).

続いて、本実施例の配管加熱装置1を半導体製造装置で
ある減圧CVD装置11に用いた場合について第3図に
より説明する。
Next, a case where the pipe heating device 1 of this embodiment is used in a low pressure CVD device 11 which is a semiconductor manufacturing device will be explained with reference to FIG.

減圧CVD装置11は、主に半導体ウェハ12の膜形成
が行われる反応室13と、反応室13内への反応ガスの
供給および制御を行うガスボンベ14、バルブ15およ
びユニフローメータ16などの機器と、反応室13内の
減圧を行うロークリポンプ17およびメカニカルブース
タポンプ18などの機器とで構成されている。
The low pressure CVD apparatus 11 includes a reaction chamber 13 in which film formation is mainly performed on a semiconductor wafer 12, and equipment such as a gas cylinder 14, a valve 15, and a uniflow meter 16 that supply and control a reaction gas into the reaction chamber 13. It is comprised of equipment such as a low-pressure pump 17 and a mechanical booster pump 18 that reduce the pressure inside the reaction chamber 13.

本実施例の配管加熱装置1は、たとえば、ガスボンベ1
4から反応室13までの各機器を接続し、ガスボンベ1
4から供給される反応ガスを反応室13内に送るための
配管19に用いられている。
The pipe heating device 1 of this embodiment is, for example, a gas cylinder 1.
Connect each device from 4 to reaction chamber 13, and connect gas cylinder 1
It is used as a pipe 19 for sending the reaction gas supplied from 4 into the reaction chamber 13.

まず、反応ガスの充填されたガスボンベ14より反応ガ
スが供給されると、ユニフローメータ16の計測のもと
に、バルブ15が開かれることによって、ガスボンベ1
4から供給された反応ガスは、配管加熱装置1が取付け
られた配管19を通って反応室13に送られる。
First, when a reaction gas is supplied from the gas cylinder 14 filled with reaction gas, the valve 15 is opened based on the measurement by the uniflow meter 16, and the gas cylinder 14 is filled with the reaction gas.
The reaction gas supplied from 4 is sent to the reaction chamber 13 through a pipe 19 to which a pipe heating device 1 is attached.

同時に、ロークリポンプ17およびメカニカルブースタ
ポンプ18によって反応室13内の反応ガスが吸引され
、反応室13内は、大気圧より低い圧力に減圧される。
At the same time, the reaction gas in the reaction chamber 13 is sucked by the low-pressure pump 17 and the mechanical booster pump 18, and the pressure in the reaction chamber 13 is reduced to a pressure lower than atmospheric pressure.

この時、反応室13内において処理が行われ、収納され
た多数の半導体ウェハ12は、同時に膜形成が行われる
At this time, processing is performed within the reaction chamber 13, and film formation is performed simultaneously on a large number of semiconductor wafers 12 housed therein.

従って、配管内を流れる反応ガスは、配管加熱装置1に
よって温度制御が行われるので、ガスボンベ14内との
圧力差による露結を生じることなく、また、長い配管1
9や曲がった配管19についても付着物による配管詰ま
りを発生することがないので、反応ガスの流量制御性を
高めることができる。
Therefore, the temperature of the reaction gas flowing inside the pipe is controlled by the pipe heating device 1, so that dew condensation due to the pressure difference with the inside of the gas cylinder 14 does not occur, and the long pipe 1
9 and the curved piping 19, the pipes are not clogged with deposits, so the controllability of the flow rate of the reaction gas can be improved.

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
As above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples, but it should be noted that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Not even.

たとえば、発熱リングについては、第1図(a)、ら)
および第2図(a)、(b)に示した外形のものに限ら
れず、配管に装着および配管から着脱できる構造であれ
ばよい。
For example, for the heating ring, see Figure 1 (a), et al.
The external shape is not limited to those shown in FIGS. 2(a) and 2(b), and any structure may be used as long as it can be attached to and detached from the piping.

また、発熱リングの端子部および給電コードの接続端子
については、第1図(b)および第2図(a)、(b)
に示したものに限られず、互いに給電接続できる構造、
たとえば、端子部を凸状にし接続端子を凹状にした構造
でもよい。勿論、たとえば、第2図(C)に示すように
発熱リングと給電コードが予め互いに一体的に給電接続
されたものであってもよい。
Also, regarding the terminal part of the heating ring and the connection terminal of the power supply cord, see Figure 1 (b) and Figures 2 (a) and (b).
Structures that can be connected to each other for power supply, including but not limited to those shown in
For example, a structure may be used in which the terminal portion is convex and the connection terminal is concave. Of course, for example, as shown in FIG. 2(C), the heating ring and the power supply cord may be integrally connected to each other for power supply in advance.

さらに、半導体製造装置については、第3図に示した減
圧CVD装置に限られず、他のCVD装スを用いる全て
の半導体製造装置に適用される。
Furthermore, the semiconductor manufacturing equipment is not limited to the low pressure CVD equipment shown in FIG. 3, but is applicable to all semiconductor manufacturing equipment using other CVD equipment.

以上の説明では、主として本発明者によってなされた発
明をその利用分野である半導体製造装置に用いられる配
管加熱装置に適用した場合について説明したが、これに
限定されるものではなく、配管加熱装置としては、たと
えば、金属製またはビニールなどのプラスチック製など
の配管を用いて流量制御する制御装置などにも広く適用
可能である。
In the above explanation, the invention made by the present inventor is mainly applied to a pipe heating device used in semiconductor manufacturing equipment, which is its field of application, but is not limited to this. The present invention is also widely applicable to control devices that control flow rate using pipes made of metal or plastic such as vinyl.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

(1)、配管の長さ方向に沿って、所定の間隔をおいて
、給電コードにより給電接続された発熱リングを装着し
たことにより、配管温度を均一に制御することができる
ので、保温効果が高まり、配管内を流れる流体の温度制
御が容易となる。
(1) By installing heat-generating rings that are connected to the power supply cord at predetermined intervals along the length of the pipe, the temperature of the pipe can be controlled uniformly and the heat retention effect can be improved. This makes it easier to control the temperature of the fluid flowing inside the pipe.

(2)1発熱リングの給電コードが、所定の長さの少な
くとも一端に、この発熱リングの端子部に挿脱可能な接
続端子を備えたことにより、配管への装着および配管か
らの着脱が自由にできるので、取り扱いが容易となり、
配管加熱装置の安全性を高めることができる。
(2) The power supply cord of the heating ring has a connecting terminal at least one end of the predetermined length that can be inserted into and removed from the terminal of the heating ring, so it can be easily attached to and removed from the piping. It is easy to handle because it can be
The safety of the pipe heating device can be improved.

(3)、配管の長さ方向に沿って発熱リングを装着でき
る配管加熱装置を半導体製造装置に用いることにより、
反応ガスを送る配管内の露結を防止することができるの
で、配管内に付着物が形成されることなく、反応ガスの
流量制御性を高めることができる。
(3) By using a pipe heating device in semiconductor manufacturing equipment that can attach a heating ring along the length of the pipe,
Since dew condensation can be prevented in the piping for feeding the reaction gas, the controllability of the flow rate of the reaction gas can be improved without the formation of deposits in the piping.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)は本発明の一実施例である配管加熱装置を
示す斜視図、 第1図(1))は本実施例の配管加熱装置の分解斜視図
、 第2図(a)は本発明の配管加熱装置に用いられる他の
発熱リングの斜視図、 第2図(b)はさらに他の発熱リングの斜視図、第2図
(C)は本発明の配管加熱装置の他の実施例を示す斜視
図、 第3図は本発明の配管加熱装置が用いられる減圧CVD
装置の構成図である。 1.1a・・・配管加熱装置、2,2a・・・配管、3
.3a、3b−・・発熱リング、4a。 4b、4c、4d−・ ・給電コード、5.5a。 5b・・・端子部、6.6a、6b・・・スリット、7
a・・・給電端子、7b、9a、9b・・・接続端子、
8.10・・・耐熱コード、11・・・減圧CVD装置
(半導体製造装置)、12・・・半導体ウェハ、13・
・・反応室、14・・・ガスボンベ、15・・・バルブ
、16・・・ユニフローメータ、17・・・ロータリボ
ンフ、18・・・メカニカルブースタポンプ、19・・
・配管、L・・・間隔。
FIG. 1(a) is a perspective view showing a pipe heating device according to an embodiment of the present invention, FIG. 1(1)) is an exploded perspective view of the pipe heating device of this embodiment, and FIG. 2(a) is FIG. 2(b) is a perspective view of another heat generating ring used in the pipe heating device of the present invention. FIG. 2(C) is a perspective view of another heat generating ring used in the pipe heating device of the present invention. A perspective view showing an example, FIG. 3 is a low pressure CVD in which the pipe heating device of the present invention is used.
It is a block diagram of a device. 1.1a... Piping heating device, 2, 2a... Piping, 3
.. 3a, 3b--Heating ring, 4a. 4b, 4c, 4d-・Power supply cord, 5.5a. 5b...Terminal part, 6.6a, 6b...Slit, 7
a...Power supply terminal, 7b, 9a, 9b...Connection terminal,
8.10...Heat-resistant cord, 11...Low pressure CVD equipment (semiconductor manufacturing equipment), 12...Semiconductor wafer, 13.
...Reaction chamber, 14...Gas cylinder, 15...Valve, 16...Uniflow meter, 17...Rotary ribbon valve, 18...Mechanical booster pump, 19...
・Piping, L... spacing.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、配管の長さ方向に沿って、所定の間隔をおいて、給
電コードにより給電接続された発熱リングを装着したこ
とを特徴とする配管加熱装置。 2、前記発熱リングの給電コードが、所定の長さの少な
くとも一端に、該発熱リングの端子部に挿脱可能な接続
端子を備えたことを特徴とする請求項1記載の配管加熱
装置。 3、前記発熱リングが、予め給電コードで互いに一体的
に給電接続されたことを特徴とする請求項1記載の配管
加熱装置。 4、請求項1、2または3記載の配管加熱装置を用いた
半導体製造装置。
[Scope of Claims] 1. A pipe heating device characterized in that heating rings connected to power supply by a power supply cord are attached at predetermined intervals along the length of the pipe. 2. The piping heating device according to claim 1, wherein the power supply cord of the heating ring is provided with a connecting terminal at least one end of a predetermined length that can be inserted into and removed from a terminal portion of the heating ring. 3. The piping heating device according to claim 1, wherein the heating rings are integrally connected to each other for power supply through a power supply cord in advance. 4. A semiconductor manufacturing device using the pipe heating device according to claim 1, 2 or 3.
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