JP6282194B2 - Wafer processing method - Google Patents

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Description

本発明は、２種類の切削ブレードを用いるウェーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing method using two types of cutting blades.

分割予定ライン（ストリート）と重なる領域にＴＥＧ（Test Elements Group）や金属膜等が形成されたウェーハを表面側から切削ブレードで切削すると、切削ブレードが目詰まりしてウェーハの裏面側に大きなチッピングが発生し易い。   When a wafer with TEG (Test Elements Group) or metal film formed on the area that overlaps the planned dividing line (street) is cut from the front side with a cutting blade, the cutting blade becomes clogged and large chipping occurs on the back side of the wafer. It is easy to generate.

そこで、このようなウェーハを分割する際には、幅の広い（厚い）第１の切削ブレードでＴＥＧ等を除去するように浅い溝を形成してから、幅の狭い（薄い）第２の切削ブレードでこの溝をさらに切削して分割するステップカットと呼ばれる方法を採用することがある。   Therefore, when dividing such a wafer, a shallow groove is formed so as to remove TEG and the like with a wide (thick) first cutting blade, and then a narrow (thin) second cutting is performed. A method called step cut in which the groove is further cut and divided by a blade may be employed.

一方、ウェーハを切削ブレードで切削すると、切削中に発生する熱等の要因で、分割予定ラインと垂直な方向へ切削ブレードを移動させる割り出し送りの送り量（割り出し送り量）が変動する。この割り出し送り量の変動を放置すると、分割予定ラインに対する切削ブレードのずれが徐々に大きくなって、ウェーハの加工精度は低下してしまう。   On the other hand, when a wafer is cut with a cutting blade, an index feed amount (index feed amount) for moving the cutting blade in a direction perpendicular to the division line is changed due to factors such as heat generated during the cutting. If this variation in the index feed amount is left unattended, the deviation of the cutting blade with respect to the division planned line gradually increases, and the wafer processing accuracy is lowered.

そこで、ウェーハの表面側に露出した特徴的なターゲットパターンを基準に、形成された溝の位置を特定し、予定された位置から溝がずれている場合に割り出し送り量を補正することでウェーハの加工精度を維持している（例えば、特許文献１参照）。   Therefore, the position of the formed groove is specified based on the characteristic target pattern exposed on the front side of the wafer, and the index feed amount is corrected when the groove is deviated from the planned position. Processing accuracy is maintained (for example, refer to Patent Document 1).

特開平４−９９６０７号公報Japanese Patent Laid-Open No. 4-99607

ところで、近年では、ウェーハの状態でパッケージングまで行うＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）が注目されている。ＷＬ−ＣＳＰでは、ウェーハの表面側に形成されたデバイスに、再配線層及び電極を設けて樹脂等で封止し、封止後のウェーハを切削等の方法で分割する。   By the way, in recent years, WL-CSP (Wafer Level Chip Size Package) which performs packaging in a wafer state has been attracting attention. In the WL-CSP, a device formed on the front side of a wafer is provided with a rewiring layer and an electrode and sealed with a resin or the like, and the sealed wafer is divided by a method such as cutting.

しかしながら、このウェーハでは、表面側の広い領域が樹脂等で覆われており、露出しているターゲットパターンの数が少ない。そのため、従来の方法では、このウェーハに対して、任意のタイミングで割り出し送り量を補正できないという問題があった。   However, in this wafer, a wide area on the front surface side is covered with resin or the like, and the number of exposed target patterns is small. Therefore, the conventional method has a problem that the index feed amount cannot be corrected at an arbitrary timing for this wafer.

また、従来の方法では、ターゲットパターンを基準に溝の位置を求めていたので、ターゲットパターン自体に不備があると、補正の精度も低下してしまう。そのため、割り出し送り量を高い精度でより確実に補正できる方法が求められていた。   Further, in the conventional method, since the position of the groove is obtained based on the target pattern, if the target pattern itself is deficient, the correction accuracy is also lowered. For this reason, there has been a demand for a method that can correct the index feed amount with high accuracy.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、割り出し送り量を任意のタイミングかつ高い精度でより確実に補正できるウェーハの加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a wafer processing method that can more reliably correct the index feed amount with arbitrary timing and high accuracy.

本発明によれば、表面に形成された分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウェーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウェーハを切削する第１の切削ブレードを備えた第１の切削手段及び第２の切削ブレードを備えた第２の切削手段と、該保持テーブルをＸ軸方向に加工送りする加工送り手段と、該分割予定ラインの間隔に対応して該第１の切削手段及び該第２の切削手段をＹ軸方向に割り出し送りする割り出し送り手段と、ウェーハの切削すべき領域を検出する撮像手段と、を備える切削装置でウェーハを切削するウェーハの加工方法であって、該撮像手段によって該保持テーブルに保持されたウェーハの切削すべき領域を割り出すアライメントステップと、該アライメントステップの後に、該第１の切削手段及び該第２の切削手段による切削と、該分割予定ラインの間隔に対応する割り出し送りとを繰り返すことで、該第１の切削手段で該分割予定ラインに第１の切削溝を形成し、該第２の切削手段で該第１の切削溝に第２の切削溝を形成する切削ステップと、該切削ステップの途中で、該第１の切削溝を形成する前の該分割予定ラインと該第１の切削溝との距離ａを測定し、該第１の切削手段の割り出し送り量と該距離ａとの差に相当する該第１の切削手段のずれ量ｂを用いて該第１の切削手段の該割り出し送り量を補正する第１の切削手段補正ステップと、該切削ステップの途中で、該第１の切削溝を形成する前の該分割予定ラインに該第２の切削手段で計測用溝を形成し、該計測用溝と該第１の切削溝との距離ｃを測定して、該第２の切削手段の割り出し送り量と該距離ｃとの差に相当する該第２の切削手段のずれ量ｄを用いて該第２の切削手段の該割り出し送り量を補正する第２の切削手段補正ステップと、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。   According to the present invention, the holding table for holding the wafer on which the device is formed in the area defined by the division lines formed on the surface, and the first cutting blade for cutting the wafer held on the holding table are provided. A first cutting means and a second cutting means provided with a second cutting blade; a processing feed means for processing and feeding the holding table in the X-axis direction; Wafer processing for cutting a wafer with a cutting apparatus comprising: an index feeding means for indexing and feeding the first cutting means and the second cutting means in the Y-axis direction; and an imaging means for detecting a region to be cut of the wafer. An alignment step for determining a region to be cut of a wafer held on the holding table by the imaging means, and after the alignment step By repeating the cutting by the first cutting means and the second cutting means and the index feed corresponding to the interval between the division lines, the first cutting means applies the first cutting to the division lines. Forming a groove and forming a second cutting groove in the first cutting groove by the second cutting means, and before forming the first cutting groove in the middle of the cutting step, A distance a between the planned dividing line and the first cutting groove is measured, and a deviation amount b of the first cutting means corresponding to a difference between the index feed amount of the first cutting means and the distance a is used. A first cutting means correction step for correcting the indexing feed amount of the first cutting means, and the second division line before the first cutting groove is formed in the middle of the cutting step. The measuring groove is formed by the cutting means, and the distance c between the measuring groove and the first cutting groove is measured. The second cutting means corrects the indexing feed amount of the second cutting means using a deviation d of the second cutting means corresponding to the difference between the index c feed amount of the second cutting means and the distance c. And a cutting means correction step. A wafer processing method is provided.

本発明において、前記第２の切削手段補正ステップでは、前記計測用溝がウェーハの外周部にのみ形成されることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that in the second cutting means correction step, the measurement groove is formed only on the outer peripheral portion of the wafer.

また、本発明において、前記ウェーハは、表面の外周部を除いた領域が樹脂で封止され、該外周部には前記分割予定ラインが前記撮像手段で撮像可能に露出したパッケージウェーハであることが好ましい。   Further, in the present invention, the wafer is a package wafer in which a region excluding the outer peripheral portion of the surface is sealed with resin, and the division line is exposed on the outer peripheral portion so as to be imaged by the imaging means. preferable.

本発明に係るウェーハの加工方法では、第１の切削溝を形成する前の分割予定ラインと第１の切削溝との距離ａを測定し、第１の切削手段の割り出し送り量と距離ａとの差に相当するずれ量ｂを用いて第１の切削手段の割り出し送り量を補正するので、第１の切削手段の割り出し送り量の補正にターゲットパターンを用いる必要がない。   In the wafer processing method according to the present invention, the distance a between the planned dividing line and the first cutting groove before forming the first cutting groove is measured, and the index feed amount of the first cutting means and the distance a are determined. Since the indexing feed amount of the first cutting means is corrected using the deviation amount b corresponding to the difference between the two, there is no need to use the target pattern for correcting the indexing feed amount of the first cutting means.

よって、露出しているターゲットパターンが少ないウェーハを加工する場合にも、第１の切削手段の割り出し送り量を任意のタイミングで補正できる。また、第１の切削手段の実際の割り出し送り量である距離ａを、ターゲットパターンを介さず分割予定ラインの近傍を撮像等する方法で直接的に測定するので、第１の切削手段の割り出し送り量を高い精度でより確実に補正できる。   Therefore, even when a wafer with a small number of exposed target patterns is processed, the index feed amount of the first cutting means can be corrected at an arbitrary timing. Further, since the distance a which is the actual index feed amount of the first cutting means is directly measured by a method such as imaging the vicinity of the line to be divided without using the target pattern, the index feed of the first cutting means The amount can be corrected more reliably with high accuracy.

さらに、本発明に係るウェーハの加工方法では、第１の切削溝を形成する前の分割予定ラインに第２の切削手段で計測用溝を形成し、計測用溝と第１の切削溝との距離ｃを測定して、第２の切削手段の割り出し送り量と距離ｃとの差に相当するずれ量ｄを用いて第２の切削手段の割り出し送り量を補正するので、第２の切削手段の割り出し送り量の補正にターゲットパターンを用いる必要がない。   Furthermore, in the wafer processing method according to the present invention, the measurement groove is formed by the second cutting means on the division planned line before the first cutting groove is formed, and the measurement groove and the first cutting groove are formed. Since the distance c is measured, and the deviation d corresponding to the difference between the index feed amount of the second cutting means and the distance c is used to correct the index feed amount of the second cutting means, the second cutting means There is no need to use a target pattern for correcting the index feed amount.

よって、露出しているターゲットパターンが少ないウェーハを加工する場合にも、第２の切削手段の割り出し送り量を任意のタイミングで補正できる。また、第２の切削手段の実際の割り出し送り量である距離ｃを、ターゲットパターンを介さず直接的に測定するので、第２の切削手段の割り出し送り量を高い精度でより確実に補正できる。   Therefore, even when a wafer with a small number of exposed target patterns is processed, the index feed amount of the second cutting means can be corrected at an arbitrary timing. In addition, since the distance c, which is the actual index feed amount of the second cutting means, is directly measured without using the target pattern, the index feed amount of the second cutting means can be corrected more reliably with high accuracy.

このように、本発明に係るウェーハの加工方法によれば、露出しているターゲットパターンが少ないウェーハを加工する場合にも、割り出し送り量を任意のタイミングかつ高い精度でより確実に補正できる。   As described above, according to the wafer processing method of the present invention, even when a wafer with a small number of exposed target patterns is processed, the index feed amount can be more reliably corrected at an arbitrary timing and with high accuracy.

本実施形態に係るウェーハの加工方法が実施される切削装置の構成例を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view showing typically an example of composition of a cutting device with which a processing method of a wafer concerning this embodiment is implemented. 図２（Ａ）は、ウェーハを模式的に示す平面図であり、図２（Ｂ）は、保持テーブルに吸引保持された状態のウェーハを模式的に示す一部断面側面図である。2A is a plan view schematically showing the wafer, and FIG. 2B is a partial cross-sectional side view schematically showing the wafer sucked and held by the holding table. 切削ステップを模式的に示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows a cutting step typically. 第１の補正ステップ及び第２の補正ステップを説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating a 1st correction step and a 2nd correction step. 図５（Ａ）は、第１の切削溝を形成する前の分割予定ラインを含む領域を撮像して形成される撮像画像を示す図であり、図５（Ｂ）は、第１の切削溝を含む領域を撮像して形成される撮像画像を示す図であり、図５（Ｃ）は、計測用溝を含む領域を撮像して形成される撮像画像を示す図であり、図５（Ｄ）は、第１の切削溝を含む領域を撮像して形成される撮像画像を示す図である。FIG. 5A is a diagram showing a captured image formed by imaging a region including a planned division line before forming the first cutting groove, and FIG. 5B shows the first cutting groove. FIG. 5C is a diagram illustrating a captured image formed by imaging a region including a measurement groove, and FIG. (A) is a figure which shows the captured image formed by imaging the area | region containing a 1st cutting groove.

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、アライメントステップ、切削ステップ（図３参照）、第１の補正ステップ（第１の切削手段補正ステップ）（図４参照）、及び第２の補正ステップ（第２の切削手段補正ステップ）（図４参照）を含む。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The wafer processing method according to the present embodiment includes an alignment step, a cutting step (see FIG. 3), a first correction step (first cutting means correction step) (see FIG. 4), and a second correction step (first step). 2 cutting means correction step) (see FIG. 4).

アライメントステップでは、ウェーハの向き等を調整し、分割予定ライン（ストリート）の位置を割り出すことができるようにする。切削ステップでは、第１の切削ユニット（第１の切削手段）でウェーハを切削して分割予定ラインに第１の切削溝を形成するとともに、第２の切削ユニット（第２の切削手段）でウェーハを切削して第１の切削溝に第２の切削溝を形成する。   In the alignment step, the orientation of the wafer and the like are adjusted so that the position of the division planned line (street) can be determined. In the cutting step, the wafer is cut by the first cutting unit (first cutting means) to form the first cutting groove in the division line, and the wafer is cut by the second cutting unit (second cutting means). To form a second cutting groove in the first cutting groove.

第１の補正ステップでは、第１の切削溝を形成する前の分割予定ラインと第１の切削溝との距離に基づいて、第１の切削ユニットの割り出し送り量を補正する。第２の補正ステップでは、第１の切削溝を形成する前の分割予定ラインに第２の切削ユニットで計測用溝を形成し、この計測用溝と第１の切削溝との距離に基づいて、第２の切削ユニットの割り出し送り量を補正する。なお、第１の補正ステップ及び第２の補正ステップは、切削ステップ中の任意のタイミングで実施される。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。   In the first correction step, the indexing feed amount of the first cutting unit is corrected based on the distance between the planned dividing line and the first cutting groove before forming the first cutting groove. In the second correction step, the measurement groove is formed by the second cutting unit on the planned division line before the first cutting groove is formed, and based on the distance between the measurement groove and the first cutting groove. The index feed amount of the second cutting unit is corrected. The first correction step and the second correction step are performed at an arbitrary timing during the cutting step. Hereinafter, the wafer processing method according to the present embodiment will be described in detail.

まず、本実施形態に係るウェーハの加工方法が実施される切削装置について説明する。図１は、切削装置の構成例を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、切削装置２は、各構造を支持する基台４を備えている。   First, a cutting apparatus in which the wafer processing method according to the present embodiment is implemented will be described. FIG. 1 is a perspective view schematically showing a configuration example of a cutting device. As shown in FIG. 1, the cutting device 2 includes a base 4 that supports each structure.

基台４の前方の角部には、矩形状の開口４ａが形成されており、この開口４ａ内には、カセット載置台６が昇降可能に設置されている。カセット載置台６の上面には、複数のウェーハを収容する直方体状のカセット８が載置される。なお、図１では、説明の便宜上、カセット８の輪郭のみを示している。   A rectangular opening 4a is formed at the front corner of the base 4, and a cassette mounting table 6 is installed in the opening 4a so as to be movable up and down. A rectangular parallelepiped cassette 8 that accommodates a plurality of wafers is placed on the upper surface of the cassette mounting table 6. In FIG. 1, only the outline of the cassette 8 is shown for convenience of explanation.

カセット載置台６の側方には、Ｘ軸方向（前後方向、加工送り方向）に長い矩形状の開口４ｂが形成されている。この開口４ｂ内には、Ｘ軸移動テーブル１０、Ｘ軸移動テーブル１０をＸ軸方向に移動させるＸ軸移動機構（加工送り手段）（不図示）、及びＸ軸移動機構を覆う防塵防滴カバー１２が設けられている。   A rectangular opening 4b that is long in the X-axis direction (front-rear direction and processing feed direction) is formed on the side of the cassette mounting table 6. In this opening 4b, an X-axis moving table 10, an X-axis moving mechanism (processing feed means) (not shown) for moving the X-axis moving table 10 in the X-axis direction, and a dustproof and splash-proof cover that covers the X-axis moving mechanism 12 is provided.

Ｘ軸移動機構は、Ｘ軸方向に平行な一対のＸ軸ガイドレール（不図示）を備えており、Ｘ軸ガイドレールには、Ｘ軸移動テーブル１０がスライド可能に設置されている。Ｘ軸移動テーブル１０の下面側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレールと平行なＸ軸ボールネジ（不図示）が螺合されている。   The X-axis movement mechanism includes a pair of X-axis guide rails (not shown) parallel to the X-axis direction, and the X-axis movement table 10 is slidably installed on the X-axis guide rails. A nut portion (not shown) is provided on the lower surface side of the X-axis moving table 10, and an X-axis ball screw (not shown) parallel to the X-axis guide rail is screwed to the nut portion.

Ｘ軸ボールネジの一端部には、Ｘ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｘ軸パルスモータでＸ軸ボールネジを回転させることで、Ｘ軸移動テーブル１０は、Ｘ軸ガイドレールに沿ってＸ軸方向に移動する。   An X-axis pulse motor (not shown) is connected to one end of the X-axis ball screw. By rotating the X-axis ball screw with the X-axis pulse motor, the X-axis moving table 10 moves in the X-axis direction along the X-axis guide rail.

Ｘ軸移動テーブル１０の上方には、ウェーハを吸引保持する保持テーブル１４が設けられている。保持テーブル１４の周囲には、ウェーハを支持する環状のフレームを四方から挟持固定する４個のクランプ１６が設置されている。   A holding table 14 for sucking and holding the wafer is provided above the X-axis moving table 10. Around the holding table 14, four clamps 16 are provided for holding and fixing an annular frame for supporting the wafer from four directions.

保持テーブル１４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向）に平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル１４は、上述のＸ軸移動機構でＸ軸方向に加工送りされる。   The holding table 14 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis parallel to the Z-axis direction (vertical direction). The holding table 14 is processed and fed in the X-axis direction by the above-described X-axis moving mechanism.

保持テーブル１４の表面（上面）は、ウェーハを吸引保持する保持面１４ａとなっている。この保持面１４ａは、保持テーブル１４の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）と接続されている。   The surface (upper surface) of the holding table 14 is a holding surface 14a for sucking and holding the wafer. The holding surface 14 a is connected to a suction source (not shown) through a flow path (not shown) formed inside the holding table 14.

図２（Ａ）は、本実施形態に係るウェーハを模式的に示す平面図であり、図２（Ｂ）は、保持テーブル１４に吸引保持された状態のウェーハを模式的に示す一部断面側面図である。   FIG. 2A is a plan view schematically showing the wafer according to the present embodiment, and FIG. 2B is a partial sectional side view schematically showing the wafer sucked and held by the holding table 14. FIG.

図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１は、例えば、ＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）等のパッケージウェーハであり、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のベースウェーハ１３を含む。ベースウェーハ１３の表面１３ａは、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１５で複数の領域に区画されており、各領域にはＩＣ等のデバイス１７が形成されている。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the wafer 11 is a package wafer such as WL-CSP (Wafer Level Chip Size Package), and has a disk-like base made of a semiconductor material such as silicon. A wafer 13 is included. The surface 13a of the base wafer 13 is divided into a plurality of regions by division lines (streets) 15 arranged in a lattice pattern, and a device 17 such as an IC is formed in each region.

各デバイス１７には、特徴的な形状のキーパターン（ターゲットパターン）１９が含まれている。ベースウェーハ１３の表面１３ａにおいて、外周部を除く領域（中央部）は、樹脂２１で封止されており、デバイス１７及びキーパターン１９が露出していない。これに対して、表面１３ａの外周部は樹脂２１で覆われておらず、デバイス１７及びキーパターン１９の一部が露出している。   Each device 17 includes a key pattern (target pattern) 19 having a characteristic shape. In the surface 13 a of the base wafer 13, a region (central portion) excluding the outer peripheral portion is sealed with the resin 21, and the device 17 and the key pattern 19 are not exposed. On the other hand, the outer peripheral portion of the surface 13a is not covered with the resin 21, and a part of the device 17 and the key pattern 19 are exposed.

図２（Ｂ）に示すように、ベースウェーハ１３の裏面１３ｂ側には、ウェーハ１１より大径のダイシングテープ２３が貼着されている。ダイシングテープ２３の外周部は、環状のフレーム２５に固定されている。すなわち、ウェーハ１１はダイシングテープ２３を介してフレーム２５に支持されている。   As shown in FIG. 2B, a dicing tape 23 having a diameter larger than that of the wafer 11 is attached to the back surface 13 b side of the base wafer 13. An outer peripheral portion of the dicing tape 23 is fixed to an annular frame 25. That is, the wafer 11 is supported by the frame 25 via the dicing tape 23.

切削装置２において、開口４ｂと近接する位置には、上述したウェーハ１１を保持テーブル１４へと搬送する搬送機構（搬送手段）（不図示）が設けられている。搬送機構で搬送されたウェーハ１１は、樹脂２１で封止された表面１３ａ側が上方に露出するように保持テーブル１４に載置される。   In the cutting apparatus 2, a transfer mechanism (transfer means) (not shown) for transferring the wafer 11 to the holding table 14 is provided at a position close to the opening 4 b. The wafer 11 transported by the transport mechanism is placed on the holding table 14 so that the surface 13a side sealed with the resin 21 is exposed upward.

基台４の上面には、第１の切削ユニット（第１の切削手段）１８ａ及び第２の切削ユニット（第２の切削手段）１８ｂを支持する門型の支持構造２０が、開口４ｂを跨ぐように配置されている。支持構造２０の前面上部には、第１の切削ユニット１８ａ及び第２の切削ユニット１８ｂをＹ軸方向（割り出し送り方向）及びＺ軸方向に移動させる２組の切削ユニット移動機構（割り出し送り手段）２２が設けられている。   On the upper surface of the base 4, a gate-type support structure 20 that supports a first cutting unit (first cutting means) 18a and a second cutting unit (second cutting means) 18b straddles the opening 4b. Are arranged as follows. Two sets of cutting unit moving mechanisms (index feed means) for moving the first cutting unit 18a and the second cutting unit 18b in the Y-axis direction (index feed direction) and the Z-axis direction are provided on the upper front surface of the support structure 20. 22 is provided.

各切削ユニット移動機構２２は、支持構造２０の前面に配置されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール２４を共通に備えている。Ｙ軸ガイドレール２４には、各切削ユニット移動機構２２を構成するＹ軸移動プレート２６がスライド可能に設置されている。   Each cutting unit moving mechanism 22 includes a pair of Y-axis guide rails 24 arranged in front of the support structure 20 and parallel to the Y-axis direction. On the Y-axis guide rail 24, a Y-axis moving plate 26 constituting each cutting unit moving mechanism 22 is slidably installed.

各Ｙ軸移動プレート２６の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール２４と平行なＹ軸ボールネジ２８がそれぞれ螺合されている。各Ｙ軸ボールネジ２８の一端部には、Ｙ軸パルスモータ３０が連結されている。Ｙ軸パルスモータ３０でＹ軸ボールネジ２８を回転させれば、Ｙ軸移動プレート２６は、Ｙ軸ガイドレール２４に沿ってＹ軸方向に移動する。   A nut portion (not shown) is provided on the rear surface side (rear surface side) of each Y-axis moving plate 26, and a Y-axis ball screw 28 parallel to the Y-axis guide rail 24 is screwed into each nut portion. Has been. A Y-axis pulse motor 30 is connected to one end of each Y-axis ball screw 28. If the Y-axis ball screw 28 is rotated by the Y-axis pulse motor 30, the Y-axis moving plate 26 moves in the Y-axis direction along the Y-axis guide rail 24.

各Ｙ軸移動プレート２６の表面（前面）には、Ｚ軸方向に平行な一対のＺ軸ガイドレール３２が設けられている。Ｚ軸ガイドレール３２には、Ｚ軸移動プレート３４がスライド可能に設置されている。   A pair of Z-axis guide rails 32 parallel to the Z-axis direction are provided on the surface (front surface) of each Y-axis moving plate 26. A Z-axis moving plate 34 is slidably installed on the Z-axis guide rail 32.

各Ｚ軸移動プレート３４の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール３２と平行なＺ軸ボールネジ３６がそれぞれ螺合されている。各Ｚ軸ボールネジ３６の一端部には、Ｚ軸パルスモータ３８が連結されている。Ｚ軸パルスモータ３８でＺ軸ボールネジ３６を回転させれば、Ｚ軸移動プレート３４は、Ｚ軸ガイドレール３２に沿ってＺ軸方向に移動する。   A nut portion (not shown) is provided on the back surface side (rear surface side) of each Z-axis moving plate 34, and a Z-axis ball screw 36 parallel to the Z-axis guide rail 32 is screwed to each nut portion. Has been. A Z-axis pulse motor 38 is connected to one end of each Z-axis ball screw 36. When the Z-axis ball screw 36 is rotated by the Z-axis pulse motor 38, the Z-axis moving plate 34 moves in the Z-axis direction along the Z-axis guide rail 32.

各Ｚ軸移動プレート３４の下部には、ウェーハ１１を切削する第１の切削ユニット１８ａ及び第２の切削ユニット１８ｂが設けられている。また、第１の切削ユニット１８ａと隣接する位置には、ウェーハ１１の上面側（表面１３ａ側）を撮像するカメラ（撮像手段）４０が設置されている。   A first cutting unit 18 a and a second cutting unit 18 b for cutting the wafer 11 are provided below each Z-axis moving plate 34. In addition, a camera (imaging means) 40 that images the upper surface side (front surface 13a side) of the wafer 11 is installed at a position adjacent to the first cutting unit 18a.

各切削ユニット移動機構２２で、Ｙ軸移動プレート２６をＹ軸方向に移動させれば、第１の切削ユニット１８ａ、第２の切削ユニット１８ｂ、及びカメラ４０は割り出し送りされ、Ｚ軸移動プレート３４をＺ軸方向に移動させれば、第１の切削ユニット１８ａ、第２の切削ユニット１８ｂ、及びカメラ４０は昇降する。   If the Y-axis moving plate 26 is moved in the Y-axis direction by each cutting unit moving mechanism 22, the first cutting unit 18 a, the second cutting unit 18 b, and the camera 40 are indexed and fed, and the Z-axis moving plate 34. Is moved in the Z-axis direction, the first cutting unit 18a, the second cutting unit 18b, and the camera 40 are moved up and down.

第１の切削ユニット１８ａは、Ｙ軸方向に平行な回転軸を構成するスピンドル４２ａ（図３参照）の一端側に装着された円環状の第１の切削ブレード４４ａを備えている。スピンドル４２ａの他端側にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドルに装着された第１の切削ブレード４４ａを回転させる。   The first cutting unit 18a includes an annular first cutting blade 44a mounted on one end side of a spindle 42a (see FIG. 3) constituting a rotation axis parallel to the Y-axis direction. A rotation drive source (not shown) such as a motor is connected to the other end side of the spindle 42a, and rotates the first cutting blade 44a mounted on the spindle.

また、第２の切削ユニット１８ｂは、Ｙ軸方向に平行な回転軸を構成するスピンドル４２ｂ（図３参照）の一端側に装着された円環状の第２の切削ブレード４４ｂ（図３参照）を備えている。スピンドル４２ｂの他端側にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドル４２ｂに装着された第２の切削ブレード４４ｂを回転させる。   Further, the second cutting unit 18b includes an annular second cutting blade 44b (see FIG. 3) attached to one end of a spindle 42b (see FIG. 3) constituting a rotation axis parallel to the Y-axis direction. I have. A rotation drive source (not shown) such as a motor is connected to the other end side of the spindle 42b, and rotates the second cutting blade 44b mounted on the spindle 42b.

第１の切削ブレード４２ａ及び第２の切削ブレード４２ｂを回転させてウェーハ１１に切り込ませることで、ウェーハ１１を切削できる。第１の切削ブレード４４ａは、第２の切削ブレード４４ｂより厚く形成されており、第１の切削ブレード４４ａで形成される第１の切削溝の幅は、第２の切削ブレード４４ｂで形成される第２の切削溝の幅より広くなる。   The wafer 11 can be cut by rotating the first cutting blade 42 a and the second cutting blade 42 b into the wafer 11. The first cutting blade 44a is formed thicker than the second cutting blade 44b, and the width of the first cutting groove formed by the first cutting blade 44a is formed by the second cutting blade 44b. It becomes wider than the width of the second cutting groove.

開口４ｂに対して開口４ａと反対側の位置には、円形状の開口４ｃが形成されている。開口４ｃ内には、切削後のウェーハ１１を洗浄する洗浄機構（洗浄手段）４６が設けられている。   A circular opening 4c is formed at a position opposite to the opening 4a with respect to the opening 4b. A cleaning mechanism (cleaning means) 46 for cleaning the wafer 11 after cutting is provided in the opening 4c.

次に、上述した切削装置２で実施されるウェーハの加工方法を説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法では、はじめに、ウェーハ１１の分割予定ライン１５の位置を切削装置２に認識させるアライメントステップを実施する。   Next, a wafer processing method performed by the above-described cutting apparatus 2 will be described. In the wafer processing method according to the present embodiment, first, an alignment step for causing the cutting apparatus 2 to recognize the position of the division line 15 of the wafer 11 is performed.

アライメントステップでは、まず、ウェーハ１１を搬送機構で搬送し、樹脂２１側（表面１３ａ側）が上方に露出するように保持テーブル１４に載置する。次に、吸引源の負圧を作用させて、ウェーハ１１を保持テーブル１４に吸引保持させる。   In the alignment step, first, the wafer 11 is transported by a transport mechanism, and is placed on the holding table 14 so that the resin 21 side (surface 13a side) is exposed upward. Next, the negative pressure of the suction source is applied, and the wafer 11 is sucked and held on the holding table 14.

ウェーハ１１を保持テーブル１４に吸引保持させた後には、カメラ４０でウェーハ１１の上面側（表面１３ａ側）を撮像する。次に、あらかじめ登録しておいたキーパターン１９の座標情報と、撮像により形成されたウェーハ１１の画像（撮像画像）とに基づいて、例えば、所定の分割予定ライン１５に対応し、被加工物１１の外周部で露出している任意のキーパターン１９を検出する。   After the wafer 11 is sucked and held on the holding table 14, the upper surface side (front surface 13 a side) of the wafer 11 is imaged by the camera 40. Next, on the basis of the coordinate information of the key pattern 19 registered in advance and the image (captured image) of the wafer 11 formed by imaging, for example, a workpiece corresponding to a predetermined division line 15 is processed. 11 detects an arbitrary key pattern 19 exposed at the outer peripheral portion.

その後、検出されたキーパターン１９の実際の座標を撮像画像から求め、その座標情報に基づいて、分割予定ライン１５の向きがＸ軸方向（加工送り方向）と平行になるようにウェーハ１１の向きを調整する。具体的には、算出されたキーパターン１９の実座標に基づいて適切な回転角度を設定し、保持テーブル１４を回転させる。   Thereafter, the actual coordinates of the detected key pattern 19 are obtained from the captured image, and based on the coordinate information, the orientation of the wafer 11 is set so that the direction of the division line 15 is parallel to the X-axis direction (machining feed direction). Adjust. Specifically, an appropriate rotation angle is set based on the calculated actual coordinates of the key pattern 19, and the holding table 14 is rotated.

キーパターン１９と分割予定ライン１５との距離は既知なので、分割予定ライン１５の向きをＸ軸方向と平行に調整することで、切削装置２は、分割予定ライン１５の位置を割り出すことができる。   Since the distance between the key pattern 19 and the planned division line 15 is known, the cutting apparatus 2 can determine the position of the planned division line 15 by adjusting the direction of the planned division line 15 in parallel with the X-axis direction.

アライメントステップの後には、分割予定ライン１５に沿ってウェーハ１１を切削する切削ステップを実施する。図３は、切削ステップを模式的に示す一部断面側面図である。この切削ステップでは、まず、Ｘ軸方向と平行な分割予定ライン１５の切削開始位置に、第１の切削ブレード４４ａを位置付ける。   After the alignment step, a cutting step for cutting the wafer 11 along the scheduled division line 15 is performed. FIG. 3 is a partial cross-sectional side view schematically showing the cutting step. In this cutting step, first, the first cutting blade 44a is positioned at the cutting start position of the division line 15 parallel to the X-axis direction.

次に、回転させた第１の切削ブレード４４ａの下端を、ベースウェーハ１３の表面１３ａと裏面１３ｂとの間の高さに位置付けて、保持テーブル１４をＸ軸方向に加工送りする。これにより、ウェーハ１１の分割予定ライン１５を第１の切削ブレード４４ａで切削し、ベースウェーハ１３の裏面１３ｂに達しない深さの第１の切削溝２７を形成できる。   Next, the lower end of the rotated first cutting blade 44a is positioned at a height between the front surface 13a and the back surface 13b of the base wafer 13, and the holding table 14 is processed and fed in the X-axis direction. Thereby, the division | segmentation scheduled line 15 of the wafer 11 is cut with the 1st cutting blade 44a, and the 1st cutting groove 27 of the depth which does not reach the back surface 13b of the base wafer 13 can be formed.

また、このように形成した第１の切削溝２７には、第２の切削ブレード４４ｂを位置付ける。次に、回転させた第２の切削ブレード４４ｂの下端を、ベースウェーハ１３の裏面１３ｂより低い高さに位置付けて、保持テーブル１４をＸ軸方向に加工送りする。これにより、第１の切削溝２７を第２の切削ブレード４４ｂでさらに切削し、ウェーハ１１を完全に切断する深さの第２の切削溝２９を形成できる。   Moreover, the 2nd cutting blade 44b is positioned in the 1st cutting groove 27 formed in this way. Next, the lower end of the rotated second cutting blade 44b is positioned at a lower height than the back surface 13b of the base wafer 13, and the holding table 14 is processed and fed in the X-axis direction. Thus, the first cutting groove 27 can be further cut by the second cutting blade 44b, and the second cutting groove 29 having a depth for completely cutting the wafer 11 can be formed.

第１の切削溝２７を形成した後には、分割予定ライン１５の間隔に対応する割り出し送り量で第１の切削ユニット１８ａを割り出し送りして、隣接する分割予定ライン１５に第１の切削ブレード４４ａを位置付ける。   After the first cutting groove 27 is formed, the first cutting unit 18a is indexed and fed at an index feed amount corresponding to the interval between the scheduled division lines 15, and the first cutting blade 44a is moved to the adjacent scheduled division line 15. Position.

同様に、第２の切削溝２９を形成した後には、分割予定ライン１５の間隔に対応する割り出し送り量で第２の切削ユニット１８ｂを割り出し送りして、隣接する第１の切削溝２７に第２の切削ブレード４４ｂを位置付ける。このような切削（加工送り）と割り出し送りとを繰り返すことで、Ｘ軸方向に平行な全ての分割予定ライン１５に第１の切削溝２７及び第２の切削溝２９を形成できる。   Similarly, after the second cutting groove 29 is formed, the second cutting unit 18b is indexed and fed at an index feed amount corresponding to the interval between the division lines 15 and the first cutting groove 27 is adjacent to the first cutting groove 27. The second cutting blade 44b is positioned. By repeating such cutting (machining feed) and indexing feed, the first cutting groove 27 and the second cutting groove 29 can be formed in all the division lines 15 parallel to the X-axis direction.

この切削ステップの任意のタイミングで、第１の切削ユニット１８ａの割り出し送り量を補正する第１の補正ステップと、第２の切削ユニット１８ｂの割り出し送り量を補正する第２の補正ステップとを実施する。図４は、第１の補正ステップ及び第２の補正ステップを説明するための平面図である。   At an arbitrary timing of this cutting step, a first correction step for correcting the index feed amount of the first cutting unit 18a and a second correction step for correcting the index feed amount of the second cutting unit 18b are performed. To do. FIG. 4 is a plan view for explaining the first correction step and the second correction step.

第１の補正ステップでは、まず、カメラ４０でウェーハ１１の上面側（表面１３ａ側）を撮像する。具体的には、図４に示すように、第１の切削溝２７を形成する前の分割予定ライン１５を含む領域Ａと、この分割予定ライン１５に隣接した第１の切削溝２７を含む領域Ｂとを撮像する。   In the first correction step, first, the camera 40 images the upper surface side (front surface 13a side) of the wafer 11. Specifically, as shown in FIG. 4, a region A including the planned dividing line 15 before forming the first cutting groove 27 and a region including the first cutting groove 27 adjacent to the planned dividing line 15. B is imaged.

図５（Ａ）は、第１の切削溝２７を形成する前の分割予定ライン１５を含む領域Ａを撮像して形成される撮像画像を示す図であり、図５（Ｂ）は、第１の切削溝２７を含む領域Ｂを撮像して形成される撮像画像を示す図である。   FIG. 5A is a diagram illustrating a captured image formed by imaging the region A including the planned division line 15 before the first cutting groove 27 is formed, and FIG. It is a figure which shows the picked-up image formed by imaging the area | region B containing this cutting groove 27. FIG.

領域Ａ及び領域Ｂを撮像した後には、図５（Ａ）に示す領域Ａの撮像画像に基づいて、分割予定ライン１５を幅方向（Ｙ軸方向）に２等分する中心座標ｙ１を求める。また、図５（Ｂ）に示す領域Ｂの撮像画像に基づいて、第１の切削溝２７を幅方向（Ｙ軸方向）に２等分する中心座標ｙ２を求める。なお、このように分割予定ライン１５を含む領域Ａを撮像して中心座標ｙ１を直接的に求めることができるのは、近年におけるカメラ４０の感度向上や制御ソフトの進歩によるところが大きい。   After imaging the area A and the area B, based on the captured image of the area A shown in FIG. 5A, the center coordinate y1 that divides the planned division line 15 into two equal parts in the width direction (Y-axis direction) is obtained. Further, based on the captured image of the region B shown in FIG. 5B, the center coordinate y2 for dividing the first cutting groove 27 into two equal parts in the width direction (Y-axis direction) is obtained. The reason that the center coordinate y1 can be directly obtained by imaging the area A including the division line 15 in this way is largely due to the recent improvement in sensitivity of the camera 40 and the advancement of control software.

その後、分割予定ライン１５の中心座標ｙ１と第１の切削溝２７の中心座標ｙ２とから、分割予定ライン１５と第１の切削溝２７との距離ａ（＝ｙ１−ｙ２）を求め、第１の切削ユニット１８ａの適切な割り出し送り量Ｙ１との差に相当するずれ量ｂ（＝Ｙ１−ａ）を算出する。そして、このずれ量ｂを用いて第１の切削ユニット１８ａの割り出し送り量を補正する。具体的には、例えば、ずれ量ｂを割り出し送り量に加える補正を行う。   Thereafter, the distance a (= y1-y2) between the planned dividing line 15 and the first cutting groove 27 is obtained from the central coordinate y1 of the planned dividing line 15 and the central coordinate y2 of the first cutting groove 27, and the first A deviation amount b (= Y1-a) corresponding to the difference from the appropriate index feed amount Y1 of the cutting unit 18a is calculated. Then, the index feed amount of the first cutting unit 18a is corrected using the deviation amount b. Specifically, for example, correction for adding the deviation amount b to the index feed amount is performed.

第２の補正ステップでは、まず、図４に示すように、第１の切削溝２７を形成する前の分割予定ライン１５に、第２の切削ユニット１８ｂを用いて計測用溝３１を形成する。計測用溝３１は、例えば、後に実施される加工の妨げとならない長さで、ウェーハ１１の外周部に形成される。   In the second correction step, first, as shown in FIG. 4, the measurement groove 31 is formed on the division line 15 before the first cutting groove 27 is formed, using the second cutting unit 18b. The measurement groove 31 is formed, for example, on the outer peripheral portion of the wafer 11 with a length that does not hinder subsequent processing.

次に、カメラ４０でウェーハ１１の上面側（表面１３ａ側）を撮像する。具体的には、図４に示すように、計測用溝３１を含む領域Ｃと、この計測用溝３１に隣接した第１の切削溝２７を含む領域Ｄとを撮像する。   Next, the upper surface side (front surface 13a side) of the wafer 11 is imaged by the camera 40. Specifically, as shown in FIG. 4, a region C including the measurement groove 31 and a region D including the first cutting groove 27 adjacent to the measurement groove 31 are imaged.

図５（Ｃ）は、計測用溝３１を含む領域Ｃを撮像して形成される撮像画像を示す図であり、図５（Ｄ）は、第１の切削溝２７を含む領域Ｄを撮像して形成される撮像画像を示す図である。   FIG. 5C is a diagram showing a captured image formed by imaging the region C including the measurement groove 31, and FIG. 5D illustrates the region D including the first cutting groove 27. It is a figure which shows the captured image formed.

領域Ｃ及び領域Ｄを撮像した後には、図５（Ｃ）に示す領域Ｃの撮像画像に基づいて、計測用溝３１を幅方向（Ｙ軸方向）に２等分する中心座標ｙ３を求める。また、図５（Ｄ）に示す領域Ｄの撮像画像に基づいて、第１の切削溝２７を幅方向（Ｙ軸方向）に２等分する中心座標ｙ４を求める。   After imaging the area C and the area D, based on the captured image of the area C shown in FIG. 5C, the center coordinate y3 for equally dividing the measurement groove 31 in the width direction (Y-axis direction) is obtained. Further, based on the captured image of the region D shown in FIG. 5D, a center coordinate y4 that divides the first cutting groove 27 into two equal parts in the width direction (Y-axis direction) is obtained.

その後、計測用溝３１の中心座標ｙ３と第１の切削溝２７の中心座標ｙ４とから、計測用溝３１と第１の切削溝２７との距離ｃ（＝ｙ３−ｙ４）を求め、第２の切削ユニット１８ｂの適切な割り出し送り量Ｙ２との差に相当するずれ量ｄ（＝Ｙ２−ｃ）を算出する。そして、このずれ量ｄを用いて第２の切削ユニット１８ｂの割り出し送り量を補正する。具体的には、例えば、ずれ量ｄを割り出し送り量に加える補正を行う。   Thereafter, the distance c (= y3−y4) between the measurement groove 31 and the first cutting groove 27 is obtained from the center coordinate y3 of the measurement groove 31 and the center coordinate y4 of the first cutting groove 27, and the second The deviation d (= Y2-c) corresponding to the difference from the appropriate index feed amount Y2 of the cutting unit 18b is calculated. Then, the index feed amount of the second cutting unit 18b is corrected using the deviation amount d. Specifically, for example, correction for adding the shift amount d to the index feed amount is performed.

以上のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、第１の切削溝２７を形成する前の分割予定ライン１５と第１の切削溝２７との距離ａを測定し、第１の切削ユニット（第１の切削手段）１８ａの適切な割り出し送り量Ｙ１と距離ａとの差に相当するずれ量ｂを用いて第１の切削ユニット１８ａの割り出し送り量を補正するので、第１の切削ユニット１８ａの割り出し送り量の補正にキーパターン（ターゲットパターン）１９を用いる必要がない。   As described above, in the wafer processing method according to this embodiment, the distance a between the division line 15 and the first cutting groove 27 before forming the first cutting groove 27 is measured, and the first cutting is performed. Since the indexing feed amount of the first cutting unit 18a is corrected using the deviation amount b corresponding to the difference between the appropriate indexing feed amount Y1 of the unit (first cutting means) 18a and the distance a, the first cutting It is not necessary to use the key pattern (target pattern) 19 for correcting the index feed amount of the unit 18a.

よって、露出しているキーパターン１９が少ないウェーハ１１を加工する場合にも、第１の切削ユニット１８ａの割り出し送り量を任意のタイミングで補正できる。また、第１の切削ユニット１８ａの実際の割り出し送り量である距離ａを、ターゲットパターンを介さず分割予定ライン１５の近傍を撮像することで直接的に測定するので、第１の切削ユニット１８ａの割り出し送り量を高い精度でより確実に補正できる。   Therefore, even when the wafer 11 with few exposed key patterns 19 is processed, the index feed amount of the first cutting unit 18a can be corrected at an arbitrary timing. Further, since the distance a which is the actual indexing feed amount of the first cutting unit 18a is directly measured by imaging the vicinity of the planned dividing line 15 without using the target pattern, the distance of the first cutting unit 18a The index feed amount can be corrected more reliably with high accuracy.

さらに、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、第１の切削溝１７を形成する前の分割予定ライン１５に第２の切削ユニット（第２の切削手段）１８ｂで計測用溝３１を形成し、計測用溝３１と第１の切削溝２７との距離ｃを測定して、第２の切削ユニット１８ｂの適切な割り出し送り量Ｙ２と距離ｃとの差に相当するずれ量ｄを用いて第２の切削ユニット１８ｂの割り出し送り量を補正するので、第２の切削ユニット１８ｂの割り出し送り量の補正にキーパターン１９を用いる必要がない。   Further, in the wafer processing method according to the present embodiment, the measurement groove 31 is formed by the second cutting unit (second cutting means) 18b in the planned division line 15 before the first cutting groove 17 is formed. Then, the distance c between the measurement groove 31 and the first cutting groove 27 is measured, and the deviation d corresponding to the difference between the appropriate index feed amount Y2 of the second cutting unit 18b and the distance c is used. Since the index feed amount of the second cutting unit 18b is corrected, it is not necessary to use the key pattern 19 for correcting the index feed amount of the second cutting unit 18b.

よって、露出しているキーパターン１９が少ないウェーハ１１を加工する場合にも、第２の切削ユニット１８ｂの割り出し送り量を任意のタイミングで補正できる。また、第２の切削ユニット１８ｂの実際の割り出し送り量である距離ｃを、キーパターン１９を介さず直接的に測定するので、第２の切削ユニット１８ｂの割り出し送り量を高い精度でより確実に補正できる。   Therefore, even when the wafer 11 with few exposed key patterns 19 is processed, the index feed amount of the second cutting unit 18b can be corrected at an arbitrary timing. Further, since the distance c, which is the actual index feed amount of the second cutting unit 18b, is directly measured without using the key pattern 19, the index feed amount of the second cutting unit 18b is more reliably and accurately determined. Can be corrected.

このように、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、露出しているキーパターン１９が少ないウェーハ１１を加工する場合にも、割り出し送り量を任意のタイミングかつ高い精度でより確実に補正できる。   As described above, according to the wafer processing method according to the present embodiment, even when the wafer 11 with a small number of exposed key patterns 19 is processed, the index feed amount is more reliably corrected with arbitrary timing and high accuracy. it can.

なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、パッケージウェーハを加工する場合を例示しているが、本発明は樹脂で封止されていないウェーハを加工する際にも使用できる。   In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, although the case where a package wafer is processed is illustrated in the said embodiment, this invention can be used also when processing the wafer which is not sealed with resin.

その他、上記実施形態に係る構成、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。   In addition, the configurations, methods, and the like according to the above-described embodiments can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

１１ ウェーハ
１３ ベースウェーハ
１３ａ 表面
１３ｂ 裏面
１５ 分割予定ライン（ストリート）
１７ デバイス
１９ キーパターン（ターゲットパターン）
２１ 樹脂
２３ ダイシングテープ
２５ フレーム
２７ 第１の切削溝
２９ 第２の切削溝
３１ 計測用溝
２ 切削装置
４ 基台
４ａ，４ｂ，４ｃ 開口
６ カセット載置台
８ カセット
１０ Ｘ軸移動テーブル
１２ 防塵防滴カバー
１４ 保持テーブル
１４ａ 保持面
１６ クランプ
１８ａ 第１の切削ユニット（第１の切削手段）
１８ｂ 第２の切削ユニット（第２の切削手段）
２０ 支持構造
２２ 切削ユニット移動機構（割り出し送り手段）
２４ Ｙ軸ガイドレール
２６ Ｙ軸移動プレート
２８ Ｙ軸ボールネジ
３０ Ｙ軸パルスモータ
３２ Ｚ軸ガイドレール
３４ Ｚ軸移動プレート
３６ Ｚ軸ボールネジ
３８ Ｚ軸パルスモータ
４０ カメラ（撮像手段）
４２ａ，４２ｂ スピンドル
４４ａ 第１の切削ブレード
４４ｂ 第２の切削ブレード
４６ 洗浄機構（洗浄手段）
11 Wafer 13 Base wafer 13a Front surface 13b Back surface 15 Scheduled division line (street)
17 Device 19 Key pattern (target pattern)
21 resin 23 dicing tape 25 frame 27 first cutting groove 29 second cutting groove 31 measuring groove 2 cutting device 4 base 4a, 4b, 4c opening 6 cassette mounting table 8 cassette 10 X-axis moving table 12 dustproof and drip-proof Cover 14 Holding table 14a Holding surface 16 Clamp 18a First cutting unit (first cutting means)
18b Second cutting unit (second cutting means)
20 Support structure 22 Cutting unit moving mechanism (index feed means)
24 Y-axis guide rail 26 Y-axis moving plate 28 Y-axis ball screw 30 Y-axis pulse motor 32 Z-axis guide rail 34 Z-axis moving plate 36 Z-axis ball screw 38 Z-axis pulse motor 40 Camera (imaging means)
42a, 42b Spindle 44a First cutting blade 44b Second cutting blade 46 Cleaning mechanism (cleaning means)

Claims (3)

表面に形成された分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウェーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウェーハを切削する第１の切削ブレードを備えた第１の切削手段及び第２の切削ブレードを備えた第２の切削手段と、該保持テーブルをＸ軸方向に加工送りする加工送り手段と、該分割予定ラインの間隔に対応して該第１の切削手段及び該第２の切削手段をＹ軸方向に割り出し送りする割り出し送り手段と、ウェーハの切削すべき領域を検出する撮像手段と、を備える切削装置でウェーハを切削するウェーハの加工方法であって、
該撮像手段によって該保持テーブルに保持されたウェーハの切削すべき領域を割り出すアライメントステップと、
該アライメントステップの後に、該第１の切削手段及び該第２の切削手段による切削と、該分割予定ラインの間隔に対応する割り出し送りとを繰り返すことで、該第１の切削手段で該分割予定ラインに第１の切削溝を形成し、該第２の切削手段で該第１の切削溝に第２の切削溝を形成する切削ステップと、
該切削ステップの途中で、該第１の切削溝を形成する前の該分割予定ラインと該第１の切削溝との距離ａを測定し、該第１の切削手段の割り出し送り量と該距離ａとの差に相当する該第１の切削手段のずれ量ｂを用いて該第１の切削手段の該割り出し送り量を補正する第１の切削手段補正ステップと、
該切削ステップの途中で、該第１の切削溝を形成する前の該分割予定ラインに該第２の切削手段で計測用溝を形成し、該計測用溝と該第１の切削溝との距離ｃを測定して、該第２の切削手段の割り出し送り量と該距離ｃとの差に相当する該第２の切削手段のずれ量ｄを用いて該第２の切削手段の該割り出し送り量を補正する第２の切削手段補正ステップと、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。 A first cutting device comprising: a holding table that holds a wafer on which a device is formed in a region defined by a division line formed on the surface; and a first cutting blade that cuts the wafer held on the holding table A second cutting means having a means and a second cutting blade, a processing feed means for processing and feeding the holding table in the X-axis direction, the first cutting means corresponding to the interval between the divided lines, and A wafer processing method for cutting a wafer with a cutting apparatus comprising: an indexing feeding means for indexing and feeding the second cutting means in the Y-axis direction; and an imaging means for detecting an area to be cut of the wafer,
An alignment step of determining an area to be cut of the wafer held on the holding table by the imaging means;
After the alignment step, the division by the first cutting means is repeated by the cutting by the first cutting means and the second cutting means and the index feed corresponding to the interval of the division planned lines. A cutting step of forming a first cutting groove in a line and forming a second cutting groove in the first cutting groove by the second cutting means;
In the middle of the cutting step, a distance a between the dividing line and the first cutting groove before forming the first cutting groove is measured, and the index feed amount and the distance of the first cutting means are measured. a first cutting means correction step for correcting the index feed amount of the first cutting means using a deviation amount b of the first cutting means corresponding to a difference from a;
In the middle of the cutting step, a measurement groove is formed by the second cutting means on the planned dividing line before the first cutting groove is formed, and the measurement groove and the first cutting groove are The index c of the second cutting means is measured by measuring the distance c and using the shift amount d of the second cutting means corresponding to the difference between the index feed amount of the second cutting means and the distance c. A wafer cutting method comprising: a second cutting means correction step for correcting the amount. 前記第２の切削手段補正ステップでは、前記計測用溝がウェーハの外周部にのみ形成されることを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。   2. The wafer processing method according to claim 1, wherein, in the second cutting means correcting step, the measurement groove is formed only on an outer peripheral portion of the wafer. 前記ウェーハは、表面の外周部を除いた領域が樹脂で封止され、該外周部には前記分割予定ラインが前記撮像手段で撮像可能に露出したパッケージウェーハであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のウェーハの加工方法。

2. The package wafer according to claim 1, wherein a region excluding the outer peripheral portion of the surface is sealed with a resin, and the division line is exposed on the outer peripheral portion so as to be imaged by the imaging means. Or the processing method of the wafer of Claim 2.

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