JP5573638B2 - Information processing apparatus and operating method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、情報処理装置及びその作動方法に関する。   The present invention relates to an information processing apparatus and an operation method thereof.

サーバー等の情報処理装置においては、メインメモリとして活用されるメモリモジュールが装置本体(マザーボード等)に対して実装される。情報処理装置において、メインメモリが果たす役割は大きい。従って、情報処理装置内にメモリモジュールを組み込んだ状態でメモリモジュールの動作診断することが望ましい。   In an information processing apparatus such as a server, a memory module used as a main memory is mounted on an apparatus main body (motherboard or the like). The main memory plays a major role in the information processing apparatus. Therefore, it is desirable to diagnose the operation of the memory module with the memory module incorporated in the information processing apparatus.

特許文献1は、半導体試験システムに関し、同文献の図4に示すように、まず、オープン・ショート検査をし、その後、オープン箇所がある場合、オープン箇所を特定するための工程を行う点が開示されている。オープン・ショート検査には、同文献の図6に開示された直流測定器を活用して行われる。オープン箇所の特定のため、同文献の図2の波形検出用波形電圧比較回路20は、実際の接続確認検査において戻ってきた反射信号の波形と、波形検出レジスタ18にストアされている参照データの波形とを比較する。同回路20は、反射信号波形が正常波形信号と一致している場合、正常信号を出力する。同回路20は、反射信号波形がオープン波形信号のいずれかと一致している場合、そのいずれかと一致していることを示すオープン箇所指示信号を出力する。同回路20は、反射信号が、いずれとも異なるときは異常信号と共に、その反射信号波形を出力する。なお、同文献のページ5左上欄に記載のように、図2に示す波形検出レジスタ18には、接点P1〜P5を個別的にオープンにした状態で取得した反射波形のデータを予め登録しておく点が説明されている。   Patent Document 1 relates to a semiconductor test system, as shown in FIG. 4 of the same document, first disclosed is that an open / short inspection is performed, and then, if there is an open location, a process for identifying the open location is performed. Has been. The open / short inspection is performed by utilizing the DC measuring instrument disclosed in FIG. In order to identify the open location, the waveform detection waveform voltage comparison circuit 20 of FIG. 2 of the same document uses the waveform of the reflected signal returned in the actual connection check and the reference data stored in the waveform detection register 18. Compare the waveform. The circuit 20 outputs a normal signal when the reflected signal waveform matches the normal waveform signal. When the reflected signal waveform matches any of the open waveform signals, the circuit 20 outputs an open location instruction signal indicating that it matches any of the open waveform signals. The circuit 20 outputs the reflected signal waveform together with the abnormal signal when the reflected signal is different from each other. In addition, as described in the upper left column of page 5 of the same document, the waveform detection register 18 shown in FIG. 2 is registered in advance with the waveform data of the reflected waveform acquired in a state where the contacts P1 to P5 are individually opened. Points to keep in mind are explained.

特許文献2は、コネクタの接続確認装置に関し、同文献の図2に示す回路構成を採用する。接触不良の有無を確認する際には、同文献の図2に示すスイッチBをオンとし、スイッチAをオフとした状態で接続確認する。   Patent Document 2 relates to a connector connection confirmation device and employs a circuit configuration shown in FIG. When confirming the presence or absence of poor contact, the connection is confirmed with the switch B shown in FIG. 2 of the same document turned on and the switch A turned off.

特開平4−114445号公報JP-A-4-114445 特開平11−296261号公報JP 11-296261 A

メモリモジュールの動作診断は、本体側コネクタに対してメモリモジュールを差し込み、両者の電気的接続を確保したうえで行うと良い。コネクタに対するメモリモジュールの装着によって、メモリモジュールは、コネクタを介して本体側のメモリコントローラに接続され、メモリコントローラは、メモリモジュールの動作確認を実行する。   The operation diagnosis of the memory module may be performed after the memory module is inserted into the main body connector and electrical connection between the two is ensured. By mounting the memory module on the connector, the memory module is connected to the memory controller on the main body side via the connector, and the memory controller performs an operation check of the memory module.

しかしながら、メモリコントローラによるメモリモジュールの動作検証を経ても、メモリモジュールの動作不良が、メモリモジュールとコネクタ間の接続不良に起因して生じていることは分からない。従って、メモリモジュールの動作確認によって不良と判断されたメモリモジュールの中には、それ自体は良品であるものも含まれ得る。不良品として判断されたメモリモジュールは製品に組み込まれない場合があり、この場合、メモリモジュールの歩留まりが最終段階にて劣化してしまう。   However, even after the operation verification of the memory module by the memory controller, it is not known that the operation failure of the memory module is caused by the connection failure between the memory module and the connector. Therefore, some of the memory modules that are determined to be defective by the operation check of the memory module may be acceptable. A memory module determined as a defective product may not be incorporated into the product, and in this case, the yield of the memory module deteriorates at the final stage.

上述の説明から明らかなように、本体装置に対してモジュールを組み込んだ状態でモジュールの動作確認を本体側にて行う場合、モジュールと本体側コネクタ間の接続不良に起因してモジュールが動作不良と判断されてしまうおそれがある。なお、上述の説明では、メモリモジュールをモジュール例として説明しているが、これに限られるものではない。   As is clear from the above description, when the operation check of the module is performed on the main body side in a state where the module is incorporated into the main body device, the module is considered to be defective due to a poor connection between the module and the main body side connector. There is a risk of being judged. In the above description, the memory module is described as an example of a module, but the present invention is not limited to this.

本発明に係る情報処理装置は、複数の接点を介してモジュールが電気的に接続され、複数の前記接点を介して前記モジュールから複数ビットのデータが入力するコネクタと、 前記コネクタに対して接続されると共に、前記コネクタを介して入力する複数ビットの前記データに含まれるビットにエラーが生じているか否かを判断するビットエラー判定手段と、前記ビットエラー判定手段によりエラーが検出されたビットに対応する前記接点を含む第1配線と、前記ビットエラー判定手段によりエラーが検出されなかったビットに対応する前記接点を含む第2配線と、に対してテスト波形を入力し、当該テスト波形に応じて前記第1及び第2配線夫々にて生じる反射波のレベル差を評価することで前記第1配線の状態を判定する接続状態判定手段と、を備える。   The information processing apparatus according to the present invention is configured such that a module is electrically connected through a plurality of contacts, a connector through which a plurality of bits of data are input from the module through the plurality of contacts, and the connector is connected to the connector. A bit error determination means for determining whether or not an error has occurred in a bit included in the data of a plurality of bits input via the connector, and a bit in which an error is detected by the bit error determination means A test waveform is input to the first wiring including the contact and the second wiring including the contact corresponding to the bit for which no error is detected by the bit error determination unit, and the test waveform is A connection state determination unit that determines the state of the first wiring by evaluating a difference in level of reflected waves generated in the first and second wirings. And, equipped with a.

本発明にかかる情報処理装置の作動方法は、複数の接点を介してモジュールが電気的に接続され、複数の前記接点を介して前記モジュールから複数ビットのデータが入力するコネクタを備える情報処理装置の作動方法であって、ビットエラー判定手段は、前記コネクタを介して入力する複数ビットの前記データに含まれるビットにエラーが生じているか否かを判断し、接続状態判定手段は、前記ビットエラー判定手段によりエラーが検出されたビットに対応する前記接点を含む第1配線と、前記ビットエラー判定手段によりエラーが検出されなかったビットに対応する前記接点を含む第2配線と、に対してテスト波形を入力し、当該テスト波形に応じて前記第1及び第2配線夫々にて生じる反射波のレベル差を評価することで前記第1配線の状態を判定する。   An operation method of an information processing apparatus according to the present invention is an information processing apparatus including a connector to which a module is electrically connected through a plurality of contacts, and a plurality of bits of data are input from the module through the plurality of contacts. The bit error determination means determines whether or not an error has occurred in the bits included in the data of a plurality of bits input via the connector, and the connection state determination means determines the bit error determination. A test waveform for the first wiring including the contact corresponding to the bit in which the error is detected by the means and the second wiring including the contact corresponding to the bit in which the error is not detected by the bit error determination means And the difference in level of the reflected wave generated in each of the first and second wirings is evaluated according to the test waveform. Determine the state.

本発明によれば、モジュールと本体側コネクタ間の接続不良に起因してモジュールが動作不良と判断されることを抑制することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can suppress that a module is judged to be malfunctioning due to the connection failure between a module and a main body side connector.

実施の形態1にかかる情報処理装置の概略的ブロック図である。1 is a schematic block diagram of an information processing apparatus according to a first embodiment. 実施の形態1にかかる情報処理装置の動作を説明するための説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining an operation of the information processing apparatus according to the first embodiment; 実施の形態1にかかる情報処理装置の具体的な構成例を示す回路図である。1 is a circuit diagram illustrating a specific configuration example of an information processing apparatus according to a first embodiment; 実施の形態1にかかる検査工程を説明するための概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram for explaining an inspection process according to the first embodiment; 参考例にかかる情報処理装置の概略的ブロック図である。It is a schematic block diagram of the information processing apparatus concerning a reference example. 参考例にかかる検査工程を説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the test | inspection process concerning a reference example.

実施の形態1
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、情報処理装置の概略的ブロック図である。図2は、情報処理装置の動作を説明するための説明図である。図3は、情報処理装置の具体的な構成例を示す回路図である。図4は、検査工程を説明するための概略図である。
Embodiment 1
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic block diagram of the information processing apparatus. FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the operation of the information processing apparatus. FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a specific configuration example of the information processing apparatus. FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the inspection process.

図1に示すように、サーバー(情報処理装置)100は、メモリ装置(モジュール)10、コネクタ20、接続切り替えスイッチ(接続切り替え手段)30、メモリコントローラ(制御手段)40、及び接続確認回路(接続状態判定手段)50を有する。メモリコントローラ40は、ビットエラー検出部(ビットエラー判定手段、エラー判定手段)41を有する。接続確認回路50は、ライン選択制御部(配線選択手段)51、テスト波形ドライバ(テスト波形供給手段)52、反射波比較部(レベル差検出手段)53、及び差分判定部(レベル差判定手段)54を有する。   As shown in FIG. 1, a server (information processing apparatus) 100 includes a memory device (module) 10, a connector 20, a connection changeover switch (connection changeover means) 30, a memory controller (control means) 40, and a connection confirmation circuit (connection). State determination means) 50. The memory controller 40 includes a bit error detection unit (bit error determination means, error determination means) 41. The connection confirmation circuit 50 includes a line selection control unit (wiring selection unit) 51, a test waveform driver (test waveform supply unit) 52, a reflected wave comparison unit (level difference detection unit) 53, and a difference determination unit (level difference determination unit). 54.

図1から明らかなように、説明の便宜上、メモリ装置10とメモリコントローラ40間の接続配線数は簡略表示されている。はじめに、上述の構成要素の接続関係に着目して説明する。   As is clear from FIG. 1, the number of connection wirings between the memory device 10 and the memory controller 40 is simply displayed for convenience of explanation. First, the description will be given focusing on the connection relationship of the above-described components.

メモリ装置10は、出力端子T10〜T16を有する。コネクタ20は、入力端子T20〜T26を有する。接続切り替えスイッチ30は、入力端子Ti31〜Ti37を有する。接続切り替えスイッチ30は、第1の出力端子群として出力端子To41〜To47を有し、第2の出力端子群として出力端子To51〜To57を有する。なお、以降、入力、出力端子等を区別せずに単に端子と呼ぶ場合がある。   The memory device 10 has output terminals T10 to T16. The connector 20 has input terminals T20 to T26. The connection changeover switch 30 has input terminals Ti31 to Ti37. The connection changeover switch 30 has output terminals To41 to To47 as a first output terminal group, and has output terminals To51 to To57 as a second output terminal group. Hereinafter, the input and output terminals may be simply referred to as terminals without distinction.

コネクタ20に対するメモリ装置10の装着に応じて、メモリ装置10の端子T10〜T16とコネクタ20の端子T20〜T26とは個別接続される。端子T10と端子T20同士の接触により、両者の間に接点N10が生じる。同様に、N11〜N16が生じる。なお、コネクタ20に対するメモリ装置10の装着が不完全の場合、接点が良好に生じず、オープン箇所が生じてしまう。なお、コネクタ、メモリ装置の具体的形状は任意である。例えば、メモリ装置は、ドーターボード上にメモリチップが実装されたボード状部品である。例えば、コネクタは、メモリボードの一端に設けられた端子を挟持して保持するように構成されている。   Depending on the mounting of the memory device 10 to the connector 20, the terminals T10 to T16 of the memory device 10 and the terminals T20 to T26 of the connector 20 are individually connected. Due to the contact between the terminal T10 and the terminal T20, a contact N10 is generated between them. Similarly, N11 to N16 are generated. Note that, when the memory device 10 is not completely attached to the connector 20, the contact does not occur well, and an open portion occurs. The specific shapes of the connector and the memory device are arbitrary. For example, the memory device is a board-like component in which a memory chip is mounted on a daughter board. For example, the connector is configured to sandwich and hold a terminal provided at one end of the memory board.

コネクタの端子T20〜T26は、接続切り替えスイッチ30の端子Ti31〜Ti37に個別接続される。なお、端子T20〜26と端子Ti31〜Ti37間の接続は信頼性高く確保されている。   The terminals T20 to T26 of the connector are individually connected to the terminals Ti31 to Ti37 of the connection changeover switch 30. The connection between the terminals T20 to T26 and the terminals Ti31 to Ti37 is ensured with high reliability.

接続切り替えスイッチの端子To41〜To47は、配線L30〜L36を介して、メモリコントローラ40の端子群に個別接続される。接続切り替えスイッチの端子To51〜To57は、配線L40〜L46を介して、接続確認回路50の端子群に個別接続される。接続切り替えスイッチ30とメモリコントローラ40間の接続も信頼性高く確保されている。接続切り替えスイッチ30と接続確認回路50間の接続も信頼性高く確保されている。   The terminals To41 to To47 of the connection changeover switch are individually connected to the terminal group of the memory controller 40 via the wirings L30 to L36. The terminals To51 to To57 of the connection changeover switch are individually connected to the terminal group of the connection confirmation circuit 50 via the wirings L40 to L46. The connection between the connection changeover switch 30 and the memory controller 40 is also ensured with high reliability. The connection between the connection changeover switch 30 and the connection confirmation circuit 50 is also ensured with high reliability.

メモリコントローラ40に設けられたビットエラー検出部41の出力端子は、接続切り替えスイッチ30の入力端子に接続され、ライン選択制御部51の入力端子に接続される。ライン選択制御部51の出力端子は、テスト波形ドライバ52に接続される。テスト波形ドライバ52は、2つの出力端子を有する。テスト波形ドライバ52の第1出力端子は、配線L1を介して、ライン選択制御部51の第1入力端子に接続される。テスト波形ドライバ52の第2出力端子は、配線L2を介して、ライン選択制御部51の第2入力端子に接続される。配線L1は、接点DN1を介して反射波比較部53の第1入力端子に接続される。配線L2は、接点DN2を介して反射波比較部53の第2入力端子に接続される。反射波比較部53の出力端子は、差分判定部54の入力端子に対して接続される。差分判定部54の出力端子は、ビットエラー検出部41の入力端子に対して接続される。   An output terminal of the bit error detection unit 41 provided in the memory controller 40 is connected to an input terminal of the connection changeover switch 30 and is connected to an input terminal of the line selection control unit 51. The output terminal of the line selection control unit 51 is connected to the test waveform driver 52. The test waveform driver 52 has two output terminals. The first output terminal of the test waveform driver 52 is connected to the first input terminal of the line selection control unit 51 via the wiring L1. The second output terminal of the test waveform driver 52 is connected to the second input terminal of the line selection control unit 51 via the wiring L2. The wiring L1 is connected to the first input terminal of the reflected wave comparison unit 53 via the contact DN1. The wiring L2 is connected to the second input terminal of the reflected wave comparison unit 53 via the contact DN2. The output terminal of the reflected wave comparison unit 53 is connected to the input terminal of the difference determination unit 54. The output terminal of the difference determination unit 54 is connected to the input terminal of the bit error detection unit 41.

以下、上述のように説明した各構成素子の機能等について説明する。   Hereinafter, functions and the like of each component described above will be described.

サーバー100は、一般的な情報処理装置であって、CPU(Central Processing Unit)等の演算処理装置、ハードディスク等の主記憶装置、マザーボード、ドーターボード等の基板等を具備する。   The server 100 is a general information processing apparatus, and includes an arithmetic processing device such as a CPU (Central Processing Unit), a main storage device such as a hard disk, a substrate such as a motherboard and a daughter board, and the like.

メモリ装置10は、一次記憶装置として機能する記憶装置である。メモリ装置10は、コネクタ20に対して差し込まれることで、コネクタ20が設けられた基板に対して実装される。メモリ装置10は、論理値を記憶するメモリセルが多数配置されたメモリセル配置領域に加えて、複数のデータ線、複数のアドレス線、及び複数の制御線を内部に有する。   The memory device 10 is a storage device that functions as a primary storage device. The memory device 10 is mounted on the board on which the connector 20 is provided by being inserted into the connector 20. The memory device 10 includes a plurality of data lines, a plurality of address lines, and a plurality of control lines in addition to a memory cell arrangement region in which a large number of memory cells that store logical values are arranged.

コネクタ20は、一般的なコネクタであり、ここでは、マザーボード上に設けられている。接続切り替えスイッチ30は、メモリ装置10の出力先を、メモリコントローラ40及び接続確認回路50のいずれかに振り分けるスイッチング回路である。通常動作時、接続切り替えスイッチ30は、端子Ti31〜Ti37の入力を、端子To41〜To47から出力する。検査動作時、接続切り替えスイッチ30は、端子Ti31〜Ti37の入力を、端子To51〜To57から出力する。接続切り替えスイッチ30の選択状態は、ビットエラー検出部41の出力信号によって決定づけられる。   The connector 20 is a general connector and is provided on a mother board here. The connection changeover switch 30 is a switching circuit that distributes the output destination of the memory device 10 to either the memory controller 40 or the connection confirmation circuit 50. During normal operation, the connection changeover switch 30 outputs the inputs of the terminals Ti31 to Ti37 from the terminals To41 to To47. During the inspection operation, the connection changeover switch 30 outputs the inputs of the terminals Ti31 to Ti37 from the terminals To51 to To57. The selection state of the connection changeover switch 30 is determined by the output signal of the bit error detection unit 41.

メモリコントローラ40は、周知のように、メモリ装置10に対するメモリアクセスを制御する制御部である。ビットエラー検出部41は、メモリ装置10の出力データに含まれる冗長ビットに基づいて、メモリ装置10の動作状態を判定する機能回路である。ビットエラー検出部41は、上述の冗長ビットからメモリ装置10の出力データを構成するビット群のいずれにエラーがあるのかを判定する。なお、ビットエラー検出部41によるビットエラーの検出手法は、現時点において確立されており、ここでは詳細な説明は省略する。   As is well known, the memory controller 40 is a control unit that controls memory access to the memory device 10. The bit error detection unit 41 is a functional circuit that determines the operation state of the memory device 10 based on redundant bits included in the output data of the memory device 10. The bit error detection unit 41 determines which of the bit groups constituting the output data of the memory device 10 has an error from the redundant bits described above. Note that the bit error detection method by the bit error detection unit 41 has been established at the present time, and a detailed description thereof will be omitted here.

ビットエラー検出部41は、ビットエラーを検出すると、ビットエラー検出信号(Sig_error)を出力する。ビットエラー検出信号に応じて、接続切り替えスイッチ30は、端子Ti31〜Ti37と端子To51〜To57とを接続させる。ライン選択制御部51は、ビットエラー検出信号に基づいて、配線L40〜L46の中から一組の出力配線を選択する。一組の配線は、エラーが生じたビットに対応する配線(以下、単に検査用配線と呼ぶ場合がある)と、エラーが生じなかったビットに対応する配線(以下、単に比較用配線と呼ぶ場合がある)とによって構成される。ライン選択制御部51は、ライン選択動作の完了後、スタート信号(Sig_start)をテスト波形ドライバ52に対して出力する。なお、ビットエラー検出信号は、どの配線を検査用配線として選択し、どの配線を比較用配線として選択するのかを指示する情報を含むものとする。ライン選択制御部51の具体的な構成は任意であるが、例えば、ビットエラー検出信号を処理するコントローラと、スイッチング回路部とによりライン選択制御部51を構成すると良い。   When the bit error detection unit 41 detects a bit error, the bit error detection unit 41 outputs a bit error detection signal (Sig_error). In response to the bit error detection signal, the connection changeover switch 30 connects the terminals Ti31 to Ti37 and the terminals To51 to To57. The line selection control unit 51 selects a set of output wirings from the wirings L40 to L46 based on the bit error detection signal. A set of wirings is a wiring corresponding to a bit in which an error has occurred (hereinafter, simply referred to as an inspection wiring) and a wiring corresponding to a bit in which an error has not occurred (hereinafter simply referred to as a comparison wiring). Are). The line selection control unit 51 outputs a start signal (Sig_start) to the test waveform driver 52 after completion of the line selection operation. The bit error detection signal includes information indicating which wiring is selected as the inspection wiring and which wiring is selected as the comparison wiring. The specific configuration of the line selection control unit 51 is arbitrary. For example, the line selection control unit 51 may be configured by a controller that processes a bit error detection signal and a switching circuit unit.

テスト波形ドライバ52は、上述のスタート信号(Sig_start)の入力に応じて、各配線L1、L2に対して同一波形のテスト波形(検査波形)を出力する。配線L1、L2に入力された各波形は、ライン選択制御部51によって選択された配線(検査用配線、比較用配線)を介してメモリ装置10側へ伝搬する。メモリ装置10とコネクタ20間に正常に接点が生じていれば、検査用配線に入力された波形は、メモリ装置へ入力する。しかし、メモリ装置10とコネクタ20間に接点が生じていない場合、検査用配線に入力された波形は、そのオープン箇所にて反射される。なお、オープン箇所の有無の判別が可能であることが担保されれば、テスト波形の具体的な波形形状は任意である。   The test waveform driver 52 outputs the same test waveform (inspection waveform) to each of the wirings L1 and L2 in response to the input of the above-described start signal (Sig_start). Each waveform input to the wirings L1 and L2 propagates to the memory device 10 side via the wiring (inspection wiring and comparison wiring) selected by the line selection control unit 51. If a contact is normally generated between the memory device 10 and the connector 20, the waveform input to the inspection wiring is input to the memory device. However, when there is no contact between the memory device 10 and the connector 20, the waveform input to the inspection wiring is reflected at the open location. Note that the specific waveform shape of the test waveform is arbitrary as long as it is ensured that the presence or absence of the open portion can be determined.

反射波比較部53は、配線L1、L2から個別入力する各波形を比較して各波形のレベル差を検出する。反射波比較部53は、検出したレベル差に応じた値の信号を出力する。差分判定部54は、反射波比較部53からの入力値が閾値を超えるか否かを判定する。差分判定部54は、反射波比較部53からの入力値が閾値を超える場合、検査用配線にオープン箇所が含まれることを示す信号をビットエラー検出部41に出力する。ビットエラー検出部41は、オープン箇所が含まれるビットを特定するための信号を外部の処理回路―出力する(Sig_out)。   The reflected wave comparison unit 53 compares the waveforms individually input from the wirings L1 and L2, and detects the level difference between the waveforms. The reflected wave comparison unit 53 outputs a signal having a value corresponding to the detected level difference. The difference determination unit 54 determines whether or not the input value from the reflected wave comparison unit 53 exceeds a threshold value. When the input value from the reflected wave comparison unit 53 exceeds the threshold value, the difference determination unit 54 outputs a signal indicating that an open location is included in the inspection wiring to the bit error detection unit 41. The bit error detection unit 41 outputs a signal for specifying a bit including an open part to an external processing circuit (Sig_out).

上述のように、検査用配線は、エラーが生じたビットに対応する配線であり、比較用配線は、エラーが生じなかったビットに対応する配線である。比較用配線には、メモリ装置10とコネクタ20間で接点が正常に生じている。他方、検査用配線には、メモリ装置10とコネクタ20間で接点が正常に生じていない可能性がある。検査用配線においてメモリ装置10とコネクタ20間に接点が生じていない場合、検査用配線と比較用配線との間で入力波形の反射位置が異なる。この各入力波形の反射位置の相違は、配線L1、L2を介して反射波比較部53に入力するサンプリング波形間の波形の相違となって現れる。差分判定部54に設定される閾値は、サンプリング波形間の波形の相違が、検査用配線においてメモリ装置10とコネクタ20間で接点が正常に生じていないことを示すように設定されている。このような仕組みによって、コネクタとメモリ装置間の接続状態が診断される。   As described above, the inspection wiring is a wiring corresponding to a bit in which an error has occurred, and the comparison wiring is a wiring corresponding to a bit in which no error has occurred. In the comparison wiring, a contact is normally generated between the memory device 10 and the connector 20. On the other hand, there is a possibility that the contact between the memory device 10 and the connector 20 does not normally occur in the inspection wiring. When no contact is generated between the memory device 10 and the connector 20 in the inspection wiring, the reflection position of the input waveform is different between the inspection wiring and the comparison wiring. The difference in the reflection position of each input waveform appears as a difference in waveform between sampling waveforms input to the reflected wave comparison unit 53 via the wirings L1 and L2. The threshold value set in the difference determination unit 54 is set so that the difference in waveform between the sampling waveforms indicates that the contact is not normally generated between the memory device 10 and the connector 20 in the inspection wiring. With such a mechanism, the connection state between the connector and the memory device is diagnosed.

図2を参照して、上述の点について補足的に説明する。図2では、端子名T10に対応するビットには、ビット名B1が付されている。他の端子名についても同様にビット名が付されている。   With reference to FIG. 2, the above point will be supplementarily described. In FIG. 2, the bit name B1 is attached to the bit corresponding to the terminal name T10. Bit names are similarly assigned to other terminal names.

図2に示す場合、ビットエラー検出部41は、冗長ビットの信号処理に基づいて、メモリ装置10の出力端子T13に対応するビットにエラーが生じていると判定する。ビットエラー検出部41は、メモリ装置10のその余の出力端子に対応するビットにエラーが生じていないと判定する。ビットエラー検出部41は、接続切り替えスイッチ30に対して信号を出力し、端子Ti31〜Ti37が端子To41〜T47に接続されていた状態から、端子Ti31〜Ti37が端子To51〜T57に接続される状態に切り替えさせる。また、ビットエラー検出部41は、エラー有りビットに対応する配線L43とエラー無しビットに対応する配線L44とを選択するように指示する信号をライン選択制御部51に出力し、配線L43を検査用配線とし、配線L44を比較用配線として選択させる。これによって、配線L1と配線L44が接続され、配線L2と配線L43とが接続される。一組の配線の選択処理後、ライン選択制御部51は、テスト波形ドライバ52に対して波形出力を指示する。   In the case illustrated in FIG. 2, the bit error detection unit 41 determines that an error has occurred in the bit corresponding to the output terminal T <b> 13 of the memory device 10 based on the redundant bit signal processing. The bit error detection unit 41 determines that no error has occurred in the bits corresponding to the remaining output terminals of the memory device 10. The bit error detection unit 41 outputs a signal to the connection changeover switch 30, and the state where the terminals Ti31 to Ti37 are connected to the terminals To51 to T57 from the state where the terminals Ti31 to Ti37 are connected to the terminals To41 to T47. Switch to. In addition, the bit error detection unit 41 outputs a signal instructing to select the wiring L43 corresponding to the bit with error and the wiring L44 corresponding to the bit without error to the line selection control unit 51, and the wiring L43 is for inspection. The wiring L44 is selected as the comparison wiring. As a result, the wiring L1 and the wiring L44 are connected, and the wiring L2 and the wiring L43 are connected. After selecting a set of wirings, the line selection control unit 51 instructs the test waveform driver 52 to output a waveform.

図2に示す場合、テスト波形ドライバ52から配線L1に入力した波形は、配線L44、端子To55、端子Ti35、配線L24、端子T24、接点N14、及び端子T14を介してメモリ装置10に入力する。他方、テスト波形ドライバ52から配線L2に入力した波形は、配線L43、端子To54、端子Ti34、配線L23、端子T23、及び接点N13を介してメモリ装置10側へ伝搬する。この伝搬信号は、接点N13が生じていれば端子T13を介してメモリ装置10に入力し、接点N13が生じていなければ、そのオープン箇所にて反射する。   In the case shown in FIG. 2, the waveform input from the test waveform driver 52 to the wiring L1 is input to the memory device 10 via the wiring L44, the terminal To55, the terminal Ti35, the wiring L24, the terminal T24, the contact N14, and the terminal T14. On the other hand, the waveform input to the wiring L2 from the test waveform driver 52 propagates to the memory device 10 side via the wiring L43, the terminal To54, the terminal Ti34, the wiring L23, the terminal T23, and the contact N13. This propagation signal is input to the memory device 10 via the terminal T13 if the contact N13 occurs, and is reflected at the open location if the contact N13 does not occur.

図3を参照して、図1に示した構成素子の具体的な構成例について説明する。なお、ここでは、図2に示した場合を前提として説明する。   With reference to FIG. 3, the specific structural example of the component shown in FIG. 1 is demonstrated. Here, the description will be made on the assumption of the case shown in FIG.

メモリ装置10は、キャパシタC1、レジスタR1、キャパシタC2、レジスタR2、によって簡略的に表現される。テスト波形ドライバ52内では、配線L1、L2は結線されており、ドライバ52aの出力は、配線L1、L2が結線された配線L0に供給される。各配線L1、L2にはバッファが設けられている。反射波比較部53は、図3に模式的に示すような作動増幅器によって構成される。アンプAMPの+入力端子には抵抗R3が接続される。アンプAMPの出力端子と+入力端子間を接続する帰還配線には抵抗R4が設けられる。なお、抵抗R3は、アンプAMPの入力間のレベル調整をするために設けられている。作動増幅器は、+入力端子と−入力端子間の入力電圧値の差分を検出し、この差分値に応じた値の電圧値を出力する。差分判定部54は、コンパレータ等により構成され、作動増幅器53の出力電圧値が、予め設定された閾値電圧を超えると、オープン検出を示す接続状態判定信号を出力する。なお、図3に示す回路構成は一例であり、本発明は、この例に限られるべきものではない。   The memory device 10 is simply expressed by a capacitor C1, a resistor R1, a capacitor C2, and a resistor R2. In the test waveform driver 52, the wirings L1 and L2 are connected, and the output of the driver 52a is supplied to the wiring L0 to which the wirings L1 and L2 are connected. A buffer is provided for each of the wirings L1 and L2. The reflected wave comparison unit 53 is configured by an operational amplifier as schematically shown in FIG. A resistor R3 is connected to the + input terminal of the amplifier AMP. A resistor R4 is provided on the feedback wiring that connects between the output terminal and the + input terminal of the amplifier AMP. The resistor R3 is provided to adjust the level between the inputs of the amplifier AMP. The operational amplifier detects a difference between input voltage values between the + input terminal and the − input terminal, and outputs a voltage value having a value corresponding to the difference value. The difference determination unit 54 is configured by a comparator or the like, and outputs a connection state determination signal indicating open detection when the output voltage value of the operational amplifier 53 exceeds a preset threshold voltage. Note that the circuit configuration shown in FIG. 3 is an example, and the present invention should not be limited to this example.

図4を参照して、不具合の切り分けフローについて説明する。上述の構成及び手順に則り、接続確認を行う(S10)。接続ある場合(メモリ装置とコネクタ間にオープン箇所がない場合)と接続がない場合(メモリ装置とコネクタ間にオープン箇所がある場合)の双方において再現試験が行われる。接続がある場合でも、メモリ装置とコネクタ間以外でオープン箇所が生じている可能性もあるためである。   With reference to FIG. 4, a defect isolation flow will be described. Connection confirmation is performed in accordance with the above-described configuration and procedure (S10). The reproduction test is performed both when there is a connection (when there is no open portion between the memory device and the connector) and when there is no connection (when there is an open portion between the memory device and the connector). This is because even if there is a connection, there may be an open portion other than between the memory device and the connector.

再現試験(S20)により、次のように原因が区分される。R1の場合、メモリ装置に不具合がある。R2の場合、本体装置に不具合がある。R3の場合、その他の不具合の場合である(但し、接続不具合の場合を含む)。再現試験(S30)により、次のように原因が区分される。R1の場合、メモリ装置に不具合がある。R2の場合、本体装置に不具合がある。R3の場合、その他の不具合の場合である(但し、接続不具合は含まれない)。   The cause is classified as follows by the reproduction test (S20). In the case of R1, there is a problem with the memory device. In the case of R2, there is a problem with the main device. In the case of R3, it is a case of other troubles (however, including the case of connection troubles). The cause is classified as follows by the reproduction test (S30). In the case of R1, there is a problem with the memory device. In the case of R2, there is a problem with the main device. In the case of R3, it is a case of other troubles (however, a connection trouble is not included).

上述の説明から明らかなように、本実施形態に係るサーバー100は、メモリコントローラ40のビットエラー判定結果に基づいて、検査用配線と比較用配線とを一組の配線として選択し、一組の配線に対してテスト波形を入力し、一組の配線から検出される各反射波形のレベル差の評価により、検査用配線内に意図しないオープン箇所が含まれることを検出する。メモリコントローラ40によるビットエラーの検出は信頼性が高いため、ビットエラー有り/無しの結果に依存してオープン箇所の検査を行うことができる。この場合、オープン箇所の検査のために、サーバー100に対して複雑なコントローラを別途設ける必要はなく、サーバー100の構成の複雑化/高価格化を避けつつ、オープン箇所の検査を実機で行うことができる。この接続確認は、製品の出荷後、サーバー100の納入先においても行うことが可能であるため、メモリ増設時に生じうる接続不具合への対処方法としても非常に有効である。   As is clear from the above description, the server 100 according to the present embodiment selects the inspection wiring and the comparison wiring as a set of wiring based on the bit error determination result of the memory controller 40, and sets the set of wiring. A test waveform is input to the wiring, and by detecting the level difference of each reflected waveform detected from a set of wiring, it is detected that an unintended open portion is included in the inspection wiring. Since the detection of the bit error by the memory controller 40 is highly reliable, the open portion can be inspected depending on the result of presence / absence of the bit error. In this case, it is not necessary to separately provide a complicated controller for the server 100 for the inspection of the open portion, and the inspection of the open portion is performed with the actual machine while avoiding the complexity / high price of the configuration of the server 100. Can do. Since this connection check can be performed at the delivery destination of the server 100 after the product is shipped, it is very effective as a method for dealing with a connection failure that may occur when the memory is added.

参考例
図5及び図6を参照して参考例の場合について説明する。本参考例では、図1と図5との比較から明らかなように、本例では、図1に示された接続切り替えスイッチ30、及び接続確認回路50が設けられていない。メモリ装置10に設けられた端子T10〜T16は、コネクタの端子T20〜T26を介して、メモリコントローラ40に対して供給される。ビットエラー検出部41は、上述の実施形態と同様、冗長ビットの信号処理に基づいてビットエラーを検出する。
Reference Example A reference example will be described with reference to FIGS. In this reference example, as is clear from comparison between FIG. 1 and FIG. 5, the connection changeover switch 30 and the connection confirmation circuit 50 shown in FIG. 1 are not provided in this example. Terminals T10 to T16 provided in the memory device 10 are supplied to the memory controller 40 via the terminals T20 to T26 of the connector. The bit error detection unit 41 detects a bit error based on redundant bit signal processing, as in the above-described embodiment.

本参考例の場合、コネクタ20に対するメモリ装置10の装着に問題があるとき、メモリ装置10の端子とコネクタ20の端子間のオープン箇所に起因してビットエラーが検出されてしまう。この場合、メモリ装置10が不良品として処理されてしまうため、その歩留まりが本体機器への組み込み段階で劣化してしまうことになる。また、図6に示すように、その他の不具合にメモリ装置10とコネクタ20間の接続不良も含まれてしまう。上述の実施形態の場合には、コネクタ20に対するメモリ装置10の装着不具合を検出することができるため、その歩留まり劣化を抑制することが可能になる。   In the case of this reference example, when there is a problem with the mounting of the memory device 10 to the connector 20, a bit error is detected due to an open portion between the terminal of the memory device 10 and the terminal of the connector 20. In this case, since the memory device 10 is processed as a defective product, the yield deteriorates at the stage of incorporation into the main device. Further, as shown in FIG. 6, other problems include a connection failure between the memory device 10 and the connector 20. In the case of the above-described embodiment, it is possible to detect a mounting failure of the memory device 10 with respect to the connector 20, and thus it is possible to suppress the yield deterioration.

なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、メモリ装置以外のモジュールをコネクタに対して装着しても良い。つまり、コネクタに対して接続される部品の種類は任意である。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. For example, a module other than the memory device may be attached to the connector. That is, the type of component connected to the connector is arbitrary.

100 サーバー(情報処理装置)

10 メモリ装置
20 コネクタ
30 スイッチ
40 メモリコントローラ
41 ビットエラー検出部
50 接続確認回路
51 ライン選択制御部
52 テスト波形ドライバ
53 反射波比較部
54 差分判定部
100 servers (information processing equipment)

DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Memory device 20 Connector 30 Switch 40 Memory controller 41 Bit error detection part 50 Connection confirmation circuit 51 Line selection control part 52 Test waveform driver 53 Reflected wave comparison part 54 Difference determination part

Claims (8)

複数の接点を介してモジュールが電気的に接続され、複数の前記接点を介して前記モジュールから複数ビットのデータが入力するコネクタと、
前記コネクタに対して接続されると共に、前記コネクタを介して入力する複数ビットの前記データに含まれるビットにエラーが生じているか否かを判断するビットエラー判定手段と、
前記ビットエラー判定手段によりエラーが検出されたビットに対応する前記接点を含む第1配線と、前記ビットエラー判定手段によりエラーが検出されなかったビットに対応する前記接点を含む第2配線と、に対してテスト波形を入力し、当該テスト波形に応じて前記第1及び第2配線夫々にて生じる反射波のレベル差を評価することで前記第1配線の状態を判定する接続状態判定手段と、
を備える情報処理装置。
A connector in which a module is electrically connected through a plurality of contacts, and a plurality of bits of data are input from the module through the plurality of contacts;
Bit error determination means for determining whether or not an error has occurred in bits included in the data of a plurality of bits input through the connector and connected to the connector;
A first wiring including the contact corresponding to a bit in which an error is detected by the bit error determination means; and a second wiring including the contact corresponding to a bit in which no error is detected by the bit error determination means. A connection state determination means for inputting a test waveform and determining a state of the first wiring by evaluating a level difference between reflected waves generated in the first and second wirings according to the test waveform;
An information processing apparatus comprising:
前記ビットエラー判定手段及び前記接続状態判定手段との間で選択的に前記コネクタの出力先を切り替える接続切り替え手段を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。   The information processing apparatus according to claim 1, further comprising a connection switching unit that selectively switches an output destination of the connector between the bit error determination unit and the connection state determination unit. 前記接続状態判定手段は、同一波形の前記テスト波形を前記第1及び第2配線に対して入力することを特徴とする請求項1又は2に記載の情報処理装置。   The information processing apparatus according to claim 1, wherein the connection state determination unit inputs the test waveform having the same waveform to the first and second wirings. 前記接続状態判定手段は、
前記ビットエラー判定手段から供給される信号に基づいて前記第1及び第2配線を選択する配線選択手段と、
前記テスト波形を生成して前記第1及び第2配線に対して出力するテスト波形供給手段と、
前記第1及び第2配線に対して接続され、当該テスト波形に応じて前記第1及び第2配線夫々にて生じる反射波のレベル差を検出するレベル差検出手段と、
前記レベル差検出手段により検出された前記レベル差と閾値との比較に基づいて、前記第1配線にオープン箇所が含まれるか否かを判定するレベル差判定手段と、
を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の情報処理装置。
The connection state determination means includes
Wiring selection means for selecting the first and second wirings based on a signal supplied from the bit error determination means;
Test waveform supply means for generating the test waveform and outputting it to the first and second wirings;
Level difference detecting means connected to the first and second wirings and detecting a level difference of reflected waves generated in the first and second wirings according to the test waveform;
Level difference determination means for determining whether or not the first wiring includes an open portion based on a comparison between the level difference detected by the level difference detection means and a threshold;
The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising:
前記モジュールは、メモリ装置であり、
前記ビットエラー判定手段は、前記メモリ装置から出力される冗長ビットに基づいて、エラーが生じているビットを特定することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の情報処理装置。
The module is a memory device;
5. The information processing apparatus according to claim 1, wherein the bit error determination unit specifies a bit in which an error has occurred based on a redundant bit output from the memory device. 6. .
複数の接点を介してモジュールが電気的に接続され、複数の前記接点を介して前記モジュールから複数ビットのデータが入力するコネクタを備える情報処理装置の作動方法であって、
ビットエラー判定手段は、前記コネクタを介して入力する複数ビットの前記データに含まれるビットにエラーが生じているか否かを判断し、
接続状態判定手段は、前記ビットエラー判定手段によりエラーが検出されたビットに対応する前記接点を含む第1配線と、前記ビットエラー判定手段によりエラーが検出されなかったビットに対応する前記接点を含む第2配線と、に対してテスト波形を入力し、当該テスト波形に応じて前記第1及び第2配線夫々にて生じる反射波のレベル差を評価することで前記第1配線の状態を判定する、情報処理装置の作動方法。
An operation method of an information processing apparatus comprising a connector to which a module is electrically connected through a plurality of contacts, and a plurality of bits of data are input from the module through the plurality of contacts,
The bit error determination means determines whether an error has occurred in the bits included in the data of a plurality of bits input through the connector,
The connection state determination means includes a first wiring including the contact corresponding to the bit in which an error is detected by the bit error determination means, and the contact corresponding to a bit in which no error is detected by the bit error determination means. A test waveform is input to the second wiring, and the state of the first wiring is determined by evaluating a level difference between reflected waves generated in the first and second wirings according to the test waveform. An operation method of the information processing apparatus.
前記接続状態判定手段は、実質的に同一波形の前記テスト波形を前記第1及び第2配線に対して入力することを特徴とする請求項6に記載の情報処理装置の作動方法。   The operation method of the information processing apparatus according to claim 6, wherein the connection state determination unit inputs the test waveform having substantially the same waveform to the first and second wirings. 前記モジュールは、メモリ装置であり、
前記ビットエラー判定手段は、前記メモリ装置から出力される冗長ビットに基づいて、エラーが生じているビットを特定することを特徴とする請求項6又は7に記載の情報処理装置の作動方法。
The module is a memory device;
8. The method of operating an information processing apparatus according to claim 6, wherein the bit error determination unit specifies a bit in which an error has occurred based on a redundant bit output from the memory device.
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