JP5524039B2 - Manufacturing method of solar cell - Google Patents
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Description
本発明は、太陽電池の製造方法に関するものであり、より具体的には、結晶シリコン系太陽電池の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a solar cell, and more specifically to a method for manufacturing a crystalline silicon solar cell.
従来より、太陽電池では、結晶シリコン系太陽電池セルが一般的に用いられている。当該結晶シリコン系太陽電池セルは、単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板から作製される、太陽電池を構成する最小単位のセルであり、約100mm角程度の大きさである。 Conventionally, crystalline silicon solar cells have been generally used in solar cells. The crystalline silicon solar battery cell is a minimum unit cell constituting a solar battery manufactured from a single crystal silicon substrate or a polycrystalline silicon substrate, and has a size of about 100 mm square.
当該結晶シリコン系太陽電池セルをモジュール化工程によりモジュール化することにより、大面積の太陽電池が作製される。当該モジュール化工程に関しては、たとえば非特許文献1に開示されている。
A large area solar cell is manufactured by modularizing the crystalline silicon solar cell by a modularization process. The modularization process is disclosed in
モジュール化工程には、ストリング工程、レイアップ工程およびラミネーション工程などが含まれており、これらの工程が開示されている先行文献として、たとえば特許文献1や特許文献2などが存在する。
The modularization process includes a string process, a lay-up process, a lamination process, and the like, and there are, for example,
ストリング工程では、複数の結晶シリコン系太陽電池セルを、タブ配線を用いて、直列的接続する。ここで、従来のストリング工程では、結晶シリコン系太陽電池セルのバスバー電極とタブ配線とは、はんだ付けにより接続されている。当該ストリング工程により作製されたものを、太陽電池ストリングと称することとする。 In the string process, a plurality of crystalline silicon solar cells are connected in series using tab wiring. Here, in the conventional string process, the bus bar electrode of the crystalline silicon solar cell and the tab wiring are connected by soldering. What was produced by the said string process shall be called a solar cell string.
当該太陽電池ストリングを、複数列配列させ、結晶シリコン系太陽電池セルがマトリクス状に配置される。結晶シリコン系太陽電池セルがマトリクス状に配置されたものを、マトリクス化太陽電池セルと称することとする。ここで、マトリクス化太陽電池セルの端部に存する、隣接するタブ配線同士は、集電電極を用いて電気的に接続される。 The solar cell strings are arranged in a plurality of rows, and the crystalline silicon solar cells are arranged in a matrix. A crystal silicon solar cell arranged in a matrix is referred to as a matrix solar cell. Here, adjacent tab wirings existing at the ends of the matrix solar cells are electrically connected using the collecting electrodes.
レイアップ工程において、上記マトリクス化太陽電池セルを、ガラス基板、EVA(エチレン酢酸ビニル)および保護部材等を用いて挟み込み、ラミネーション工程において、レイアップ工程後の積層体が封止される。 In the layup process, the matrix solar cells are sandwiched using a glass substrate, EVA (ethylene vinyl acetate), a protective member, and the like, and in the lamination process, the stacked body after the layup process is sealed.
しかし、上記工程により太陽電池を製造した場合には、次の問題点があった。 However, when a solar cell is manufactured by the above process, there are the following problems.
つまり、マトリクス化太陽電池セルは、複数の結晶シリコン系太陽電池セルを、薄厚のタブ配線のみを用いて接続された構造物であるので、非常に機械的強度が弱く、また各結晶シリコン系太陽電池セルの位置が変動しやすい。 In other words, since the matrix solar cell is a structure in which a plurality of crystalline silicon solar cells are connected using only thin tab wiring, the mechanical strength is very low, and each crystalline silicon solar cell The position of the battery cell is likely to fluctuate.
したがって、レイアップ工程などにおいて、結晶シリコン系太陽電池セルおよびタブ配線は機械的ダメージを受け、また、レイアップ工程やラミネーション工程において、ガラス基板上におけるマトリクス化太陽電池セルの位置が、容易にズレる、などといった各種問題が発生する。当該問題の発生は、太陽電池モジュールの歩留まり悪化の要因となっていた。 Therefore, in the layup process etc., the crystalline silicon solar cell and the tab wiring are mechanically damaged, and in the layup process and the lamination process, the position of the matrix solar cell on the glass substrate is easily shifted. Various problems occur. The occurrence of the problem has been a factor in the deterioration of the yield of solar cell modules.
また、結晶シリコン系太陽電池セルとタブ配線とは、はんだ付けにより接続されていた。当該はんだ付けでは、高温の熱が印加されることから、当該高温が印加された部材において、熱的ダメージを受けることもあった。 In addition, the crystalline silicon solar cell and the tab wiring are connected by soldering. In the soldering, since high temperature heat is applied, the member to which the high temperature is applied may be thermally damaged.
そこで、本発明は、製造工程中における太陽電池を構成している各構成部材のダメージを軽減することができ、かつ、ガラス基板上におけるタブ配線および結晶シリコン系太陽電池セルの位置のズレを防止することができる、太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention can reduce the damage of each constituent member constituting the solar cell during the manufacturing process, and prevent the displacement of the tab wiring and the crystalline silicon solar cell on the glass substrate. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a solar cell.
上記の目的を達成するために、本発明に係る太陽電池の製造方法は、(A)バスバー電極を有する結晶シリコン系太陽電池セルを作製する工程と、(B)前記結晶シリコン系太陽電池セルが配設されるガラス基板上に、タブ配線を接合する工程と、(C)前記工程(B)の後、前記タブ配線と前記バスバー電極とを接触させる工程とを、備えている。さらに、前記タブ配線は、アルミニウムから成り、前記工程(B)は、超音波振動接合処理により、前記ガラス基板上に前記タブ配線を接合する工程である。 In order to achieve the above object, a method for manufacturing a solar cell according to the present invention includes (A) a step of producing a crystalline silicon solar cell having a bus bar electrode, and (B) the crystalline silicon solar cell. a glass substrate which is disposed, and bonding the tab wires, and a step of contacting a (C) after the step (B), the bus bar electrode and the tab wiring includes. Furthermore, the tab wiring is made of aluminum, and the step (B) is a step of bonding the tab wiring on the glass substrate by an ultrasonic vibration bonding process.
本発明に係る太陽電池の製造方法は、(A)バスバー電極を有する結晶シリコン系太陽電池セルを作製する工程と、(B)前記結晶シリコン系太陽電池セルが配設されるガラス基板上に、タブ配線を接合する工程と、(C)前記工程(B)の後、前記タブ配線と前記バスバー電極とを接触させる工程とを、備えている。さらに、前記タブ配線は、アルミニウムから成り、前記工程(B)は、超音波振動接合処理により、前記ガラス基板上に前記タブ配線を接合する工程である。
The method for producing a solar cell according to the present invention includes (A) a step of producing a crystalline silicon solar cell having a bus bar electrode, and (B) a glass substrate on which the crystalline silicon solar cell is disposed. and bonding the tab wires, and a step of contacting a (C) after the step (B), the bus bar electrode and the tab wiring includes. Furthermore, the tab wiring is made of aluminum, and the step (B) is a step of bonding the tab wiring on the glass substrate by an ultrasonic vibration bonding process.
したがって、ガラス基板により補強されているマトリクス状に配列された結晶シリコン系太陽電池セルを、レイアップ工程以降の工程で用いることができる。よって、製造工程において結晶シリコン系太陽電池セルが機械的ダメージを受けることを抑制することができる。 Therefore, the crystalline silicon solar cells arranged in a matrix reinforced by the glass substrate can be used in the steps after the lay-up step. Therefore, it can suppress that a crystalline silicon type photovoltaic cell receives a mechanical damage in a manufacturing process.
また、ガラス基板上に結晶シリコン系太陽電池セルを配設する前に、ガラス基板に対してタブ配線が接合固定されている。したがって、ガラス基板上において、タブ配線が所望の配置位置からズレることを防止でき、ガラス基板上に、タブ配線を精度よく配置させることが可能となる。また、精度良く配置されたタブ配線を基準に、各結晶シリコン系太陽電池セルをガラス基板上方に配列させることができる。よって、本発明に係る太陽電池の製造方法では、ライン工程による自動化作業が可能となる。 Further, the tab wiring is bonded and fixed to the glass substrate before the crystalline silicon-based solar cells are arranged on the glass substrate. Therefore, it is possible to prevent the tab wiring from being displaced from a desired arrangement position on the glass substrate, and the tab wiring can be accurately arranged on the glass substrate. In addition, the crystalline silicon solar cells can be arranged above the glass substrate with reference to the tab wiring arranged with high accuracy. Therefore, in the method for manufacturing a solar cell according to the present invention, it is possible to perform an automated operation by a line process.
また、バスバー電極とタブ配線とを接触させることにより、電気的接続を可能せしめている。つまり、バスバー電極とタブ配線との接続において、はんだ付け等の高温処理(たとえば、250℃以上)を施すことは、本発明では行っていない。したがって、結晶シリコン系太陽電池セルなどに高温によるダメージを与えることも防止できる。 Further, the bus bar electrode and the tab wiring are brought into contact with each other to enable electrical connection. That is, in the present invention, high-temperature processing (for example, 250 ° C. or higher) such as soldering is not performed in the connection between the bus bar electrode and the tab wiring. Therefore, it is possible to prevent the crystalline silicon solar cell from being damaged by a high temperature.
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings showing embodiments thereof.
<実施の形態>
まず、単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板を用いて、複数個の結晶シリコン系太陽電池セルを作製する。各結晶シリコン系太陽電池セルの平面図を、図1に示す。また、図1におけるA−A断面を、図2に示す。
<Embodiment>
First, a plurality of crystalline silicon solar cells are manufactured using a single crystal silicon substrate or a polycrystalline silicon substrate. A plan view of each crystalline silicon solar cell is shown in FIG. Moreover, the AA cross section in FIG. 1 is shown in FIG.
図1に示すように、結晶シリコン系太陽電池セル1の主面には、図面左右方向に複数本のフィンガー電極2が形成されている。また、各フィンガー電極2と接続するように、結晶シリコン系太陽電池セル1の主面には、図面上下方向に2本のバスバー電極3が形成されている。
As shown in FIG. 1, a plurality of
つまり、バスバー電極3は、複数のフィンガー電極2と交差して配設されている。ここで、バスバー電極3は、結晶シリコン系太陽電池セル1の端辺部付近に配設されている。なお、図2に示すように、結晶シリコン系太陽電池セル1の表裏面(第一の主面:セル1の下面および第二の主面:セル1の上面)には、図1に示す複数のフィンガー電極2と2本のバスバー電極3が、各々形成されている。
That is, the
結晶シリコン系太陽電池セル1の厚みは、0.1〜0.2mm程度であり、約100mm各程度の面積を有する。結晶シリコン系太陽電池セルの内部には、不純物注入によりPN接合が形成されている。
The thickness of the crystalline silicon
フィンガー電極2およびバスバー電極3は、銀ペーストなどにより形成される。フィンガー電極2は、結晶シリコン系太陽電池セル1内で光電効果により生成された電気を伝達するための電極である。バスバー電極3では、各フィンガー電極2を伝達した電気を集電する。
The
さて、結晶シリコン系太陽電池セル1の作製とは別に、複数のタブ配線5を用意する。タブ配線5の線幅は1〜4mm程度であり、厚みは0.1〜0.2mm程度である。ここで、図3に示すように、各タブ配線5は、水平部5aと、当該水平部5aと連接された立上り部5bとから成る。水平部5aと立上り部5bとで成す角度は、たとえば約90°である。なお、図3に示す形状のタブ配線5は、たとえば、線状の配線を途中で折り曲げることにより形成することができる。
A plurality of
厚さ数mm程度のガラス基板6を用意し、当該ガラス基板6の主面上の所定の箇所(設計に従う所定の位置)に、各タブ配線5の水平部5aを配置する。また、ガラス基板6の上記主面上の所定の箇所(設計に従う所定の位置)には、2本の集電電極8も配置する。当該集電電極8は、各タブ配線5から伝達された電気を集電する電極である。また、各タブ配線5の水平部5aとガラス基板6とを接合し、各タブ配線5をガラス基板6上に固定する。また、集電電極8とガラス基板6とを接合し、集電電極8をガラス基板6上に固定する。
A
ここで、タブ配線5がアルミニウムから構成されている場合には、超音波振動接合処理により、各水平部5aとガラス基板6とを接合することができる。つまり、各水平部5aに当接ツールを接触させ、当該当接ツールを水平方向に超音波振動させながら、下方向(水平部5aからガラス基板6に向かう方向)に所定の加重を印加する(超音波振動接合処理)。
Here, when the
図4は、各タブ配線5をガラス基板6に対して接合させた後の様子を示す平面図である。また、図5は、図4のB−B断面を示す図である。図4に示すように、ガラス基板6の主面上においてタブ配線5は、縦・横に規則正しくアレイ状に配設されている。また、集電電極8は、ガラス基板6の左右の端辺部近傍に設けられており、図4に示すように、図4の上下方向に延設されている。
FIG. 4 is a plan view showing a state after each
ここで、図4の左端列の各タブ配線5の水平部5aの下には、一方の集電電極8が配設されている。集電電極8がアルミニウムから構成されている場合には、超音波振動接合処理により、集電電極8とガラス基板6とを接合することができる。具体的に、図4の左端列の各タブ配線5が配設される場所においては、ガラス基板6、集電電極8およびタブ配線5の水平部5aを当該順に積層させ、各水平部5aに当接ツールを接触させ、当該当接ツールを水平方向に超音波振動させながら、下方向(水平部5aからガラス基板6に向かう方向)に所定の加重を印加する。これにより、上記左端列のタブ配線5および一方の集電電極8は共に、ガラス基板6に固定される。
Here, one
さて、上記工程の後、図4の左端列の各タブ配線5を除く全てのタブ配線5において、水平部5a上に、図1,2に示す結晶シリコン系太陽電池セル1の第一の主面側に形成されているバスバー電極3を接触させる。一部の結晶シリコン系太陽電池セル1の第一の主面側に形成されているバスバー電極3と水平部5aとが接触している様子を、図6の平面図に示す。また、図7は、図6のC−C断面を示す図である。
Now, after the above process, in all the
図7から分かるように、結晶シリコン系太陽電池セル1の第一の主面側(図7において結晶シリコン系太陽電池セル1の下側)に形成されているバスバー電極3は、タブ配線5の水平部5aと接触している。図2に示すように、結晶シリコン系太陽電池セル1の各主面上には、2本のバスバー電極3が形成されている。したがって、図6,7から分かるように、一つの結晶シリコン系太陽電池セル1には、2本のタブ配線5が接触することとなる。つまり、バスバー電極3の数だけ、当該バスバー電極3に対応して、タブ配線5が配設される。
As can be seen from FIG. 7, the
さて、各結晶シリコン系太陽電池セル1をタブ配線5の水平部5aに配置させた後、各タブ配線5の立上り部5bを倒す。つまり、各タブ配線5において、水平部5aと立上り部5bとの成す角が90°より大きくなるように、当該成す角が180°に近づくように、当該立上り部5bを倒す。当該立上り部5bを倒した後の様子を、図8の平面図に示す・図9は、図8のD−D断面を示す。また、図10は、図9の一部を拡大した拡大断面図である。
Now, after placing each crystalline silicon
図8,9,10から分かるように、立上り部5bは、図8の左右方向に倒れている。図10に示すように、一方の結晶シリコン系太陽電池セル1の第一の主面に形成されているバスバー電極3と接触しているタブ配線5において、立上り部5bが倒れ、当該立上り部5bは、タブ配線5の配設方向において隣接する結晶シリコン系太陽電池セル1の第二の主面に形成されているバスバー電極3と接触する。なお、当該隣接する結晶シリコン系太陽電池セル1の第一の主面に形成されているバスバー電極3は、図10に示すように、他のタブ配線5の水平部5aと接触している。
As can be seen from FIGS. 8, 9, and 10, the rising
ここで、図8の右端列に存する各タブ配線5では、立上り部5bが倒されることにより、ガラス基板8の右端辺部付近に存する集電電極8と接触する(図8,9参照)。図9の右端列の各タブ配線5の立上り部5bの下には、他方の集電電極8が配設されている。集電電極8がアルミニウムから構成されている場合には、超音波振動接合処理により、集電電極8とガラス基板6とを接合することができる。
Here, in each
具体的に、図8の右端列の各タブ配線5の立上り部5bが倒れた場所においては、ガラス基板6、他方の集電電極8およびタブ配線5の立上り部5bを当該順に積層させ、各立上り部5bに当接ツールを接触させ、当該当接ツールを水平方向に超音波振動させながら、下方向(立上り部5bからガラス基板6に向かう方向)に所定の加重を印加する。これにより、上記右端列のタブ配線5および他方の集電電極8は共に、ガラス基板6に固定される。
Specifically, in the place where the rising
図8に示すように、ガラス基板6の主面上には、複数の結晶シリコン系太陽電池セル1がマトリクス状に配置される。換言すると、図8に示すように、ガラス基板6の主面上に、複数列に渡って、太陽電池ストリング20が並走している。ここで、図8,9から分かるように、各太陽電池ストリング20は、タブ配線5により、複数の結晶シリコン系太陽電池セル1が直列に接続される構成である。
As shown in FIG. 8, a plurality of crystalline silicon-based
さて次に、図8,9に示す構造物において、タブ配線5上に、接着剤シート(EVAシート)25および保護部材30を、当該順に積層する(レイアップ工程、図11参照)。ここで、保護部材30は、厚さ0.1〜0.2mm程度のガラス基板またはPVA(ポリビニルアルコール)などの樹脂基板などが採用される。なお、完成品の太陽電池モジュールにおいて、ガラス基板6は、保護部材30と共に、結晶シリコン系太陽電池セル1を保護する機能も発揮する。
Next, in the structure shown in FIGS. 8 and 9, an adhesive sheet (EVA sheet) 25 and a
そして、レイアップ工程後の構造体に対して、ラミネーション工程を施す。具体的に、当該構造体を減圧下に置き、加熱を行いながら、所定の加重を印加する。これにより、ガラス基板6と保護部材30との間で、結晶シリコン系太陽電池セル1が封止され、太陽電池モジュールが完成する。
Then, a lamination process is performed on the structure after the layup process. Specifically, the structure is placed under reduced pressure, and a predetermined load is applied while heating. Thereby, between the
以上の工程から分かるように、本発明に係る太陽電池の製造方法では、レイアップ工程以後の工程において、結晶シリコン系太陽電池セル1は、ガラス基板6上に形成されている。ここで、ガラス基板6は、完成品の太陽電池モジュールにおいて、光透過の機能だけでなく、結晶シリコン系太陽電池セル1の保護としての機能も有する。
As can be seen from the above steps, in the method for manufacturing a solar cell according to the present invention, the crystalline silicon
したがって、ガラス基板6により補強されているマトリクス状に配列された結晶シリコン系太陽電池セル1を、レイアップ工程以降の工程で用いることができる。よって、製造工程において結晶シリコン系太陽電池セル1が機械的ダメージを受けることを抑制することができる。
Therefore, the crystalline silicon
また、本発明に係る太陽電池の製造方法では、ガラス基板6上に結晶シリコン系太陽電池セル1を配設する前に、ガラス基板6に対してタブ配線5が接合固定されている。
Further, in the method for manufacturing a solar cell according to the present invention, the
したがって、ガラス基板6上において、タブ配線5が所望の配置位置からズレることを防止でき、ガラス基板6上に、タブ配線5を精度よく配置させることが可能となる。また、精度良く配置されたタブ配線5を基準に、各結晶シリコン系太陽電池セル1をガラス基板6上方に配列させることができる。
Therefore, it is possible to prevent the
また、上記工程は、タブ配線5がガラス基板1上に精度良く配置・固定できるので、結晶シリコン系太陽電池セル1のタブ配線5上への配置工程以降の工程を、ライン工程で自動的に行うこともできる。なお、ガラス基板1上におけるタブ配線5の配置および接合固定も、設計に従って自動的に行うことができる。
In addition, since the
また、タブ配線5および集電電極8がアルミニウムから構成される場合には、これらの部材5,8とガラス基板8との接合には、超音波振動接合処理が実行される。
When the
当該超音波振動接合処理では、はんだ付け接合程の高温が、ガラス基板6、タブ配線5および集電電極8には印加しない。したがって、熱的ダメージを回避して、太陽電池モジュールを完成させることができる。
In the ultrasonic vibration bonding process, a temperature as high as solder bonding is not applied to the
また、上記説明では、バスバー電極3とタブ配線5とを接触させることにより、電気的接続を可能せしめている。つまり、バスバー電極3とタブ配線5との接続において、はんだ付け等の高温処理(たとえば、180℃以上)を施すことは、本発明では行っていない。したがって、結晶シリコン系太陽電池セル1などに高温によるダメージを与えることも防止できる。
In the above description, the electrical connection is made possible by bringing the
なお、図12に示すように、バスバー電極3を導電性樹脂40でコーティングされた結晶シリコン系太陽電池セル1を採用しても良い。当該導電性樹脂40でコーティングされた状態で、図6,7を用いて説明した工程および図8,9,10を用いて説明した工程において、各バスバー電極3はタブ配線5と接触する。
In addition, as shown in FIG. 12, you may employ | adopt the crystalline silicon type
図12に示す結晶シリコン系太陽電池セル1を採用した場合には、ラミネーション工程において印加される温度(160℃程度)により、導電性樹脂40が融解する。当該導電性樹脂40の溶解により、バスバー電極3とタブ配線5との電気的な接続が、強固なものとなる。
When the crystalline silicon
また、上記説明では、ガラス基板6と接合する前段階において、タブ配線5を折り曲げていた(つまり、ガラス基板5への接合前において、タブ配線5は、水平部5aと立上り部5bとを有していた)。
In the above description, the
しかしながら、線状のタブ配線5の一部をガラス基板6上に接合固定させた後、線状のタブ配線5の他部を折り曲げることにより、タブ配線5に立上り部5bを作製しても良い。
However, the rising
また、上記説明では、ガラス基板6、集電電極8およびタブ配線5の順に、積層していた(図4,5の左端列のタブ配線5の箇所および図8,9の右端列のタブ配線5の箇所着目)。
In the above description, the
しかしながら、タブ配線5の立上り部5bを倒した後、所定の場所において、タブ配線5上に、集電電極8を配置しても良い。図13は、当該工程を採用した場合の構造体の平面図であり、図14は、図13のE−E断面を示す図である。
However, the
図13,14に示すように、当該工程を採用した場合には、左端列のタブ配線5の箇所および右端列のタブ配線5の箇所に着目すると、ガラス基板6、タブ配線5および集電電極8の順に積層された積層物が構成される。タブ配線5および集電電極8がアルミニウムから構成される場合には、これらの部材5,8のガラス基板6への接合固定は、超音波振動接合処理により実行できる。この場合に、集電電極8上に、超音波振を行う当接ツールが当接される。
As shown in FIGS. 13 and 14, when the process is adopted, when attention is paid to the location of the
1 結晶シリコン系太陽電池セル
2 フィンガー電極
3 バスバー電極
5 タブ配線
5a 水平部
5b 立上り部
6 ガラス基板
8 集電電極
20 太陽電池ストリング
25 接着剤シート
30 保護部材
40 導電性樹脂
DESCRIPTION OF
Claims (5)
(B)前記結晶シリコン系太陽電池セルが配設されるガラス基板上に、タブ配線を接合する工程と、
(C)前記工程(B)の後、前記タブ配線と前記バスバー電極とを接触させる工程とを、備えており、
前記タブ配線は、
アルミニウムから成り、
前記工程(B)は、
超音波振動接合処理により、前記ガラス基板上に前記タブ配線を接合する工程である、
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。 (A) producing a crystalline silicon solar cell having a bus bar electrode;
(B) a step of bonding tab wiring on a glass substrate on which the crystalline silicon-based solar cells are disposed;
(C) after the step (B), and a step of contacting the bus bar electrode and the tab wiring comprises,
The tab wiring is
Made of aluminum,
The step (B)
It is a step of bonding the tab wiring on the glass substrate by ultrasonic vibration bonding processing.
A method for manufacturing a solar cell.
複数の前記タブ配線を前記ガラス基板に接合することにより、立上り部を有する前記タブ配線を、前記ガラス基板上にアレイ状に配置させる工程であり、 The step of arranging the tab wiring having a rising portion in an array on the glass substrate by bonding a plurality of the tab wiring to the glass substrate,
前記バスバー電極は、 The bus bar electrode is
前記結晶シリコン系太陽電池セルの第一の主面および第二の主面に、各々配設されており、 Arranged on the first main surface and the second main surface of the crystalline silicon solar cell,
前記工程(C)は、 The step (C)
(C−1)前記工程(B)の後に、各前記タブ配線において、前記ガラス基板と接合している部分の前記タブ配線上に、前記結晶シリコン系太陽電池セルの第一の主面に存する前記バスバー電極を接触する工程と、 (C-1) After the step (B), in each of the tab wirings, the first main surface of the crystalline silicon-based solar cell is present on the tab wiring of the portion bonded to the glass substrate. Contacting the bus bar electrode;
(C−2)前記タブ配線の前記立上り部を倒すことにより、当該タブ配線の配設方向に存し、他の前記タブ配線上に配置されている前記結晶シリコン系太陽電池セルの第二の主面に存する前記バスバー電極と、倒された当該立上り部とを接触する工程とを、備えている、 (C-2) Depressing the rising portion of the tab wiring causes the second of the crystalline silicon-based solar cells existing in the tab wiring arrangement direction and disposed on the other tab wiring. A step of contacting the bus bar electrode existing on the main surface and the rising part that has been brought down,
ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。The manufacturing method of the solar cell of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
(E)前記工程(D)の後に、前記ガラス基板と前記保護部材とを覆うように、ラミネート処理を施す工程とを、さらに備えている、 (E) After the step (D), further comprising a step of performing a laminating process so as to cover the glass substrate and the protective member.
ことを特徴とする請求項2に記載の太陽電池の製造方法。The manufacturing method of the solar cell of Claim 2 characterized by the above-mentioned.
ことを特徴とする請求項2に記載の太陽電池の製造方法。The manufacturing method of the solar cell of Claim 2 characterized by the above-mentioned.
前記バスバー電極が導電性樹脂でコーティングされている、前記前記結晶シリコン系太陽電池セルを作製する工程である、 The bus bar electrode is coated with a conductive resin, the step of producing the crystalline silicon solar cell,
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の太陽電池の製造方法。The method for manufacturing a solar cell according to any one of claims 1 to 4, wherein:
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