JP5254711B2 - Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、該有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた照明装置、面状光源、表示装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence element, a method for producing the organic electroluminescence element, an illumination device using the organic electroluminescence element, a planar light source, and a display device.

有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極と、有機発光層とを含んで構成される。有機エレクトロルミネッセンス素子は、電圧を印加すると、各電極から正孔および電子がそれぞれ注入され、注入された正孔と電子が有機発光層において再結合することによって発光する。有機エレクトロルミネッセンス素子は、無機エレクトロルミネッセンス素子と比べると低電圧での駆動が可能であり、また高輝度で発光することが可能なので、有機エレクトロルミネッセンス素子を表示装置や照明装置に用いることが検討されている。   The organic electroluminescence element includes a pair of electrodes and an organic light emitting layer. When a voltage is applied to the organic electroluminescence element, holes and electrons are injected from each electrode, and light is emitted by recombination of the injected holes and electrons in the organic light emitting layer. Organic electroluminescent elements can be driven at a lower voltage than inorganic electroluminescent elements and can emit light with high brightness. Therefore, it is considered to use organic electroluminescent elements for display devices and lighting devices. ing.

有機エレクトロルミネッセンス素子では、発光層からの光は、一対の電極のうちの少なくとも一方側から取出されるので、光が取出される側の電極は、透明である必要がある。例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明導電膜が形成された透明導電膜付き透明板に形成され、この透明導電膜を透明電極として用いることによって、発光層からの光を有機エレクトロルミネッセンス素子の外に効率的に取出している。   In the organic electroluminescence element, since light from the light emitting layer is extracted from at least one side of the pair of electrodes, the electrode on the side from which the light is extracted needs to be transparent. For example, an organic electroluminescent element is formed on a transparent plate with a transparent conductive film on which a transparent conductive film is formed. By using this transparent conductive film as a transparent electrode, light from the light emitting layer is removed from the organic electroluminescent element. It is taken out efficiently.

透明電極としては、例えば、酸化インジウムスズ(ITO:Indium Tin Oxide)等の金属酸化物によって形成される薄膜、および不規則な網目構造を有する導電性物質から成る網目状導電体などが用いられている(例えば、特許文献1参照)。
このような透明電極は、金属膜などから成る不透明な電極に比べると電気抵抗が高い。有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた装置では、発光面積が大きくなるにつれて大面積の透明電極が必要となる。大面積の透明電極を用いる場合、透明電極の抵抗が高いので、その電圧降下も大きくなり、電圧降下に起因する発光輝度のムラが無視できない程度に大きくなるという問題がある。
As the transparent electrode, for example, a thin film formed of a metal oxide such as indium tin oxide (ITO), a network conductor made of a conductive material having an irregular network structure, or the like is used. (For example, refer to Patent Document 1).
Such a transparent electrode has a higher electrical resistance than an opaque electrode made of a metal film or the like. In an apparatus using an organic electroluminescence element, a transparent electrode having a large area is required as the light emission area increases. When a transparent electrode having a large area is used, since the resistance of the transparent electrode is high, the voltage drop becomes large, and there is a problem that unevenness in light emission luminance due to the voltage drop becomes so large that it cannot be ignored.

上述の透明電極の電圧降下に起因する問題を解決するために、透明電極よりも電気抵抗が低い補助電極を透明電極に電気的に接続した有機エレクトロルミネッセンス素子を備える面状発光装置が開示されている(例えば特許文献2参照)。この面状発光装置では、電源に接続される接続端子から近い部分では前記補助電極を太くし、遠い部分では前記補助電極を細くしている。接続端子から近い部分では、太い補助電極のために電流値が高く発光強度が強い一方で、開口率が小さくなり、また、接続端子から遠い部分では、細い補助電極のために電流値が小さく発光強度が弱い一方で、開口率が大きくなるので、全体としての発光輝度のムラを抑制した面状発光装置を実現している。   In order to solve the problems caused by the voltage drop of the transparent electrode described above, a planar light emitting device including an organic electroluminescence element in which an auxiliary electrode having an electric resistance lower than that of the transparent electrode is electrically connected to the transparent electrode is disclosed. (For example, refer to Patent Document 2). In this planar light emitting device, the auxiliary electrode is thickened at a portion near a connection terminal connected to a power source, and the auxiliary electrode is thinned at a portion far from the connecting terminal. In the area close to the connection terminal, the current value is high and the emission intensity is strong because of the thick auxiliary electrode, while the aperture ratio is small, and in the area far from the connection terminal, the current value is small due to the thin auxiliary electrode and light is emitted. While the strength is weak, the aperture ratio increases, and thus a planar light emitting device that suppresses unevenness in the overall light emission luminance is realized.

しかしながら、特許文献2に記載されているような有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた場合でも、接続端子から遠い部分では電流値が小さくなるために、発光輝度のムラを十分に抑制することができなかった。また、開口率を調整することによって発光輝度のムラを抑制するので、光の利用効率が低下するという問題があった。   However, even when an organic electroluminescence element as described in Patent Document 2 is used, the current value becomes small at a portion far from the connection terminal, and thus unevenness in emission luminance cannot be sufficiently suppressed. . Moreover, since unevenness in light emission luminance is suppressed by adjusting the aperture ratio, there is a problem that the light use efficiency is lowered.

さらに発光層からの光は、透明電極と透明基板との界面において一部が反射することがあり、光取り出し効率が十分なものではく、光の利用効率が低いという問題があった。   Furthermore, the light from the light emitting layer may be partially reflected at the interface between the transparent electrode and the transparent substrate, resulting in a problem that the light extraction efficiency is not sufficient and the light utilization efficiency is low.

特開2004−228057号公報JP 2004-228057 A 特開2004−14128号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-14128

本発明は、上記従来技術が有する課題に鑑みてなされたものであり、その課題は、高い光利用効率を有し、発光面積が大きい場合でも発光輝度のムラが十分に抑制され、発光効率の高い有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、および該有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた照明装置、面状光源、及び表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and the problem is that it has high light utilization efficiency, and even when the light emission area is large, unevenness in light emission luminance is sufficiently suppressed, and light emission efficiency is improved. An object of the present invention is to provide a high organic electroluminescence element, a manufacturing method thereof, and an illumination device, a planar light source, and a display device using the organic electroluminescence element.

上記課題を解決するために、本発明は、下記構成を採用した有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、および該有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた照明装置、面状光源、及び表示装置を提供する。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides an organic electroluminescence element adopting the following configuration, a manufacturing method thereof, an illumination device, a planar light source, and a display device using the organic electroluminescence element.

[1] 透明な基板と、
前記基板に接して設けられる透明な第1電極と、
前記第1電極と比較して電気抵抗が低く、前記第1電極に接して設けられる補助電極と、
第2電極と、
前記第1電極および第2電極の間に配置された発光部と、を含み、
前記第1電極の屈折率をn1、前記基板の屈折率をn2とすると、n1、およびn2がそれぞれ次式(1)
[1] a transparent substrate;
A transparent first electrode provided in contact with the substrate;
An auxiliary electrode having a low electrical resistance compared to the first electrode and provided in contact with the first electrode;
A second electrode;
A light emitting portion disposed between the first electrode and the second electrode,
When the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the substrate is n2, n1 and n2 are respectively expressed by the following formula (1)

Figure 0005254711
を満たし、
前記第1電極の可視光領域の光の透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下であり、
前記補助電極が、
枠状の第1補助電極と、
該第1補助電極の枠内に配置されるとともに、該第1補助電極に電気的に接続され、該第1補助電極よりも線幅が狭い第2補助電極と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0005254711
The filling,
The transmittance of light in the visible light region of the first electrode is 80% or more, the volume resistivity is 1 Ω · cm or less, and the surface roughness is 100 nm or less,
The auxiliary electrode is
A frame-shaped first auxiliary electrode;
An organic electroluminescence device comprising: a second auxiliary electrode disposed within a frame of the first auxiliary electrode, electrically connected to the first auxiliary electrode, and having a line width narrower than the first auxiliary electrode.

[2] 前記第1電極が、
透明の膜本体と、
上記膜本体中に配置され、導電性を有するワイヤ状の導電体と、を含むことを特徴とする、上記[1]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[2] The first electrode is
A transparent membrane body,
The organic electroluminescent element according to the above [1], including a wire-like conductor disposed in the film main body and having conductivity.

[3] 前記ワイヤ状の導電体の径が200nm以下であることを特徴とする、上記[2]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [3] The organic electroluminescent element according to the above [2], wherein the wire-like conductor has a diameter of 200 nm or less.

[4] 前記ワイヤ状の導電体が前記膜本体中において網目構造を構成していることを特徴とする、上記[3]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [4] The organic electroluminescent element according to the above [3], wherein the wire-like conductor forms a network structure in the film main body.

[5] 前記膜本体が導電性を有する樹脂を含んでいることを特徴とする、上記[2]〜[4]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [5] The organic electroluminescent element according to any one of the above [2] to [4], wherein the film main body contains a resin having conductivity.

[6] 前記第2補助電極の線幅を前記第1補助電極の線幅で除した値が、1/1000〜1/10であることを特徴とする、上記[1]〜[5]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [6] A value obtained by dividing the line width of the second auxiliary electrode by the line width of the first auxiliary electrode is 1/1000 to 1/10, wherein [1] to [5] The organic electroluminescent element in any one.

[7] 前記基板が、支持基板であることを特徴とする、上記[1]〜[6]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [7] The organic electroluminescence element according to any one of [1] to [6], wherein the substrate is a support substrate.

[8] 前記基板が、封止基板であることを特徴とする、上記[1]〜[6]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 [8] The organic electroluminescence element according to any one of [1] to [6], wherein the substrate is a sealing substrate.

[9] 上記[1]〜[7]のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
導電性を有するワイヤ状の導電体を分散媒に分散させた分散液を用いる塗布法により、前記基板の前記発光部側の表面上に第1電極を形成する工程を含み、
該工程では、該第1電極の屈折率をn1、前記基板の屈折率をn2とすると、n1、およびn2がそれぞれ次式(1)
[9] The method for producing an organic electroluminescent element according to any one of [1] to [7],
Forming a first electrode on a surface of the substrate on the light emitting part side by a coating method using a dispersion in which a wire-like conductor having conductivity is dispersed in a dispersion medium;
In this step, assuming that the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the substrate is n2, n1 and n2 are respectively represented by the following formulas (1)

Figure 0005254711
を満たし、可視光領域の光の透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下の第1電極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Figure 0005254711
The manufacturing method of the organic electroluminescent element which satisfy | fills 1 and forms the 1st electrode whose light transmittance of visible region is 80% or more, volume resistivity is 1 ohm * cm or less, and surface roughness is 100 nm or less.

[10] 前記第1電極を形成する前に、前記基板の前記発光部側の表面に前記補助電極を設けることを特徴とする、上記[9]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 [10] The method for manufacturing an organic electroluminescent element according to the above [9], wherein the auxiliary electrode is provided on a surface of the substrate on the light emitting part side before forming the first electrode.

[11] 上記[8]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
導電性を有するワイヤ状の導電体を分散媒に分散させた分散液を用いる塗布法により、前記発光部の封止基板側に第1電極を形成する工程を含み、
該工程では、該第1電極の屈折率をn1、前記封止基板の屈折率をn2とすると、n1、およびn2がそれぞれ次式(1)
[11] The method for producing an organic electroluminescent element according to [8] above,
Including a step of forming a first electrode on the sealing substrate side of the light emitting part by a coating method using a dispersion liquid in which a wire-like conductor having conductivity is dispersed in a dispersion medium,
In this step, assuming that the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the sealing substrate is n2, n1 and n2 are represented by the following formula (1):

Figure 0005254711
を満たし、可視光領域の光の透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下の第1電極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Figure 0005254711
The manufacturing method of the organic electroluminescent element which satisfy | fills 1 and forms the 1st electrode whose light transmittance of visible region is 80% or more, volume resistivity is 1 ohm * cm or less, and surface roughness is 100 nm or less.

[12] 前記第1電極を形成した後に、該第1電極の封止基板側に補助電極を設けることを特徴とする、上記[11]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 [12] The method for producing an organic electroluminescent element according to the above [11], wherein after the first electrode is formed, an auxiliary electrode is provided on the sealing substrate side of the first electrode.

[13] 上記[1]〜[8]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする照明装置。 [13] An illumination device comprising the organic electroluminescence element according to any one of [1] to [8].

[14] 上記[1]〜[8]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする面状光源。 [14] A planar light source comprising the organic electroluminescence element according to any one of [1] to [8].

[15] 上記[1]〜[8]のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。 [15] A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of [1] to [8].

なお、本明細書では、「透明な基板」、「透明な電極」とは、入射した光の少なくとも一部が透過する基板、電極を意味する。   In this specification, “transparent substrate” and “transparent electrode” mean a substrate or an electrode through which at least part of incident light is transmitted.

本発明によれば、透明電極の抵抗による電圧降下を低減し、発光面積が大きい場合でも発光輝度のムラが十分に抑制され、均一発光が可能で、発光効率の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することが可能となる。
したがって、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、照明装置、バックライトとしての面状光源、フラットパネルディスプレイ等の表示装置として好適に使用できる。
According to the present invention, a voltage drop due to resistance of a transparent electrode is reduced, and even when a light emission area is large, unevenness in light emission luminance is sufficiently suppressed, uniform light emission is possible, and an organic electroluminescence element with high light emission efficiency is provided. It becomes possible.
Therefore, the organic electroluminescence element of the present invention can be suitably used as a display device such as a lighting device, a planar light source as a backlight, and a flat panel display.

以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。なお、以下の説明において示す図面における各部材の縮尺は実際と異なる場合がある。   Hereinafter, the organic electroluminescence element of the present invention will be described in detail in accordance with preferred embodiments thereof. Note that the scale of each member in the drawings shown in the following description may differ from the actual scale.

本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明な基板と、前記基板に接して設けられる透明な第1電極と、前記第1電極と比較して電気抵抗が低く、前記第1電極に接して設けられる補助電極と、第2電極と、前記第1電極および第2電極の間に配置された発光部と、を含み、
前記第1電極の屈折率をn1、前記基板の屈折率をn2とすると、n1、およびn2がそれぞれ次式(1)
The organic electroluminescence device according to the present invention is provided with a transparent substrate, a transparent first electrode provided in contact with the substrate, and an electric resistance lower than that of the first electrode, and provided in contact with the first electrode. An auxiliary electrode, a second electrode, and a light emitting unit disposed between the first electrode and the second electrode,
When the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the substrate is n2, n1 and n2 are respectively expressed by the following formula (1)

Figure 0005254711
を満たし、前記第1電極の可視光領域の光の透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下であり、
前記補助電極が、枠状の第1補助電極と、該第1補助電極の枠内に配置されるとともに、該第1補助電極に電気的に接続され、該第1補助電極よりも線幅が狭い第2補助電極と、を有することを特徴としている。
Figure 0005254711
The light transmittance in the visible light region of the first electrode is 80% or more, the volume resistivity is 1 Ω · cm or less, and the surface roughness is 100 nm or less,
The auxiliary electrode is disposed within a frame-shaped first auxiliary electrode and a frame of the first auxiliary electrode, and is electrically connected to the first auxiliary electrode, and has a line width larger than that of the first auxiliary electrode. And a narrow second auxiliary electrode.

[第1の実施形態]
上記基本的構成を有する本発明の一実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子を、図1に示す。なお、以下の説明において、支持基板1の厚み方向の一方を上方(または上)といい、支持基板1の厚み方向の他方を下方(または下)という場合がある。この上下関係の表記は、説明の便宜上、設定したもので、必ずしも実際に有機エレクトロルミネッセンス素子が製造される工程および使用される状況に適用されるものではない。
[First Embodiment]
An organic electroluminescence device according to an embodiment of the present invention having the above basic configuration is shown in FIG. In the following description, one side in the thickness direction of the support substrate 1 may be referred to as upper (or upper), and the other in the thickness direction of the support substrate 1 may be referred to as lower (or lower). The notation of this hierarchical relationship is set for convenience of explanation, and is not necessarily applied to the process and the situation where the organic electroluminescence element is actually manufactured.

支持基板1上に、第1補助電極2と第2補助電極3とからなる補助電極4が配置されている。これら補助電極4の上に透明の陽極(第1電極)5が配置されている。この陽極(第1電極)5の上に発光部6が配置され、その上に陰極(第2電極)7が配置されている。通常、これら支持基板1上に配置された積層体(発光機能部と呼称する場合もある)を保護するために積層体全体を保護する封止基板(上部封止膜と呼称する場合もある)8が設けられる。   An auxiliary electrode 4 composed of a first auxiliary electrode 2 and a second auxiliary electrode 3 is disposed on the support substrate 1. A transparent anode (first electrode) 5 is disposed on these auxiliary electrodes 4. A light emitting section 6 is disposed on the anode (first electrode) 5, and a cathode (second electrode) 7 is disposed thereon. Usually, a sealing substrate (also referred to as an upper sealing film) that protects the entire laminated body in order to protect the laminated body (also referred to as a light emitting function unit) disposed on the support substrate 1. 8 is provided.

なお、第1の実施形態では、透明な第1電極5が陽極であり、第2電極6が陰極であるが、積層体の積層順を逆順にして、透明な第1電極が陰極であり、第2電極が陽極である有機エレクトロルミネッセンス素子を構成してもよい。   In the first embodiment, the transparent first electrode 5 is an anode and the second electrode 6 is a cathode. However, the stacking order of the laminate is reversed, and the transparent first electrode is a cathode. You may comprise the organic electroluminescent element whose 2nd electrode is an anode.

(支持基板)
透明な支持基板1は、可視光領域の光の透過率が高く、また有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程において変化しないものが好適に用いられ、リジッド基板でも、フレキシブル基板でもよく、例えばガラス板、プラスチック板、高分子フィルムおよびシリコン板、およびこれらを積層した積層板などが好適に用いられる。
なお、支持基板1としては、例示したもののうち、透明な第1電極5との屈折率の差が、0.3未満の屈折率を示すものが適宜用いられる。
(Support substrate)
The transparent support substrate 1 has a high light transmittance in the visible light region and is preferably used so that it does not change in the step of forming the organic electroluminescence element. The transparent support substrate 1 may be a rigid substrate or a flexible substrate, such as a glass plate, A plastic plate, a polymer film and a silicon plate, and a laminated plate obtained by laminating them are preferably used.
As the support substrate 1, a substrate having a refractive index difference of less than 0.3 with respect to the transparent first electrode 5 is used as appropriate.

(第1電極)
第1電極5は、透明の膜本体と、膜本体中に配置され、導電性を有するワイヤ状の導電体とを含んで構成される。透明の膜本体は、可視光領域の光の透過率が高いものが好適に用いられ、樹脂や無機ポリマー、無機−有機ハイブリッド化合物などを含んで構成される。透明の膜本体としては、樹脂の中でも導電性を有する樹脂が好適に用いられる。このようにワイヤ状の導電体に加えて、導電性を有する膜本体を用いることによって、第1電極5の低電気抵抗化(以下、電気抵抗を略して抵抗という場合がある)を図ることができる。このような低抵抗の第1電極5を用いることによって、第1電極での電圧降下を抑制し、有機エレクトロルミネッセンス素子の低電圧駆動を実現するとともに、輝度ムラを抑制することができる。
(First electrode)
The first electrode 5 includes a transparent film body and a wire-like conductor disposed in the film body and having conductivity. The transparent film body preferably has a high light transmittance in the visible light region, and includes a resin, an inorganic polymer, an inorganic-organic hybrid compound, and the like. As the transparent film body, a resin having conductivity among the resins is preferably used. Thus, in addition to the wire-like conductor, by using a conductive film body, the first electrode 5 can be reduced in electrical resistance (hereinafter, electrical resistance may be abbreviated as resistance). it can. By using the first electrode 5 having such a low resistance, it is possible to suppress a voltage drop at the first electrode, realize low voltage driving of the organic electroluminescence element, and suppress luminance unevenness.

第1電極5の膜厚は、電気抵抗および可視光の透過率などによって適宜設定され、例えば、0.03μm〜10μmであり、好ましくは0.05μm〜1μmである。   The film thickness of the first electrode 5 is appropriately set depending on the electrical resistance and the visible light transmittance, and is, for example, 0.03 μm to 10 μm, preferably 0.05 μm to 1 μm.

ワイヤ状の導電体は、径の小さいものが好ましく、例えば、径が400nm以下のものが用いられ、好ましくは径が200nm以下のものであり、さらに好ましくは径が100nm以下のものである。膜本体に配置されるワイヤ状の導電体は、第1電極5を通る光を回折または散乱するので、第1電極5のヘイズ値を高めるとともに光の透過率を低下させるが、可視光の波長程度または可視光の波長よりも小さい径のワイヤ状の導電体を用いることによって、可視光に対するヘイズ値を低く抑えるとともに、光の透過率を向上させることができる。また、ワイヤ状の導電体の径は、小さすぎると、抵抗が高くなるので、径が10nm以上のものが好ましい。なお、有機エレクトロルミネッセンス素子を照明装置に用いる場合には、第1電極5のヘイズ値はある程度高い方が拡散機能を併せて付与することも可能となるので、第1電極5は、ヘイズ値の高いものが好適に用いられる場合もある。したがって第1電極5の光学的特性は、有機エレクトロルミネッセンス素子が用いられる装置に応じて適宜設定される。   The wire-like conductor preferably has a small diameter, for example, a diameter of 400 nm or less is used, preferably a diameter of 200 nm or less, and more preferably a diameter of 100 nm or less. The wire-like conductor disposed in the film main body diffracts or scatters the light passing through the first electrode 5, so that the haze value of the first electrode 5 is increased and the light transmittance is decreased, but the wavelength of visible light is reduced. By using a wire-like conductor having a diameter smaller than the wavelength of visible light or the wavelength of visible light, the haze value for visible light can be kept low and the light transmittance can be improved. Moreover, since resistance will become high if the diameter of a wire-shaped conductor is too small, a diameter of 10 nm or more is preferable. In addition, when using an organic electroluminescent element for an illuminating device, since the one where the haze value of the 1st electrode 5 is high to some extent can also provide a diffusion function, the 1st electrode 5 has a haze value. Higher ones may be used suitably. Therefore, the optical characteristics of the first electrode 5 are appropriately set according to the device in which the organic electroluminescence element is used.

膜本体中に配置されるワイヤ状の導電体は、1本でも、複数本でもよく、膜本体中において、網目構造を形成していることが好ましい。例えば膜本体中において、1つまたは複数のワイヤ状の導電体は、膜本体の全体に渡って複雑に絡み合って配置され、網目構造を形成している。具体的には、1本のワイヤ状の導電体が複雑に絡み合ったり、複数本のワイヤ状の導電体が互いに接触し合って配置されたりする構造が2次元的または3次元的に広がって網目構造を形成している。この網目構造を形成するワイヤ状の導電体によって、第1電極5の体積抵抗率を下げることができる。
またワイヤ状の導電体は、少なくとも一部が第1電極5の基板1とは反対側の表面寄りに配置されることが好ましい。このようにワイヤ状の導電体を配置することによって、第1電極5の表面部の抵抗を下げることができる。
ワイヤ状の導電体は、例えば曲線状でも、針状でもよい。曲線状及び/又は針状の導電体が互いに接触し合って網目構造を形成することによって、体積抵抗率の低い第1電極5を実現することができる。
One or a plurality of wire-like conductors arranged in the film main body may be used, and it is preferable that a network structure is formed in the film main body. For example, in the membrane body, one or more wire-like conductors are arranged in an intricately intertwined manner throughout the membrane body to form a network structure. Specifically, a structure in which one wire-like conductor is intertwined in a complicated manner or a plurality of wire-like conductors are arranged in contact with each other spreads two-dimensionally or three-dimensionally to form a mesh. Forming a structure. The volume resistivity of the first electrode 5 can be lowered by the wire-like conductor forming the network structure.
Further, it is preferable that at least a part of the wire-like conductor is disposed near the surface of the first electrode 5 on the side opposite to the substrate 1. By arranging the wire-like conductor in this way, the resistance of the surface portion of the first electrode 5 can be lowered.
The wire-shaped conductor may be, for example, curved or needle-shaped. The first electrode 5 having a low volume resistivity can be realized by forming a network structure by bringing curved and / or needle-shaped conductors into contact with each other.

(ワイヤ状の導電体の材料)
ワイヤ状の導電体の材料としては、例えば、Ag、Au、Cu、Alおよびこれらの合金などの抵抗の低い金属が好適に用いられる。ワイヤ状の導電体は、例えばN.R.Jana, L.Gearheart and C.J.Murphyによる方法(Chm.Commun.,2001, p617-p618)や、C.Ducamp-Sanguesa, R.Herrera-Urbina, and M.Figlarz等による方法(J. Solid State Chem.,Vol.100, 1992, p272〜p280)によって製造することができる。
(Wire-like conductor material)
As a material for the wire-like conductor, for example, a metal having low resistance such as Ag, Au, Cu, Al, and alloys thereof is preferably used. For example, the wire conductor is a method by NRJana, L. Gearheart and CJMurphy (Chm. Commun., 2001, p617-p618), a method by C. Ducamp-Sanguesa, R. Herrera-Urbina, and M. Figlarz, etc. (J. Solid State Chem., Vol. 100, 1992, p272-p280).

(第1電極の成膜方法)
第1電極5を成膜する方法としては、例えば、ワイヤ状の導電体を樹脂に練り込むことによって、ワイヤ状の導電体を樹脂に分散させる方法、ワイヤ状の導電体と、樹脂とを分散媒に分散させた分散液を用いる塗布法によって成膜化する方法、およびワイヤ状の導電体を樹脂から成る膜の表面にコーティングし、導電体を膜中に分散させる方法などを挙げることができる。
なお、第1電極5には、必要に応じて界面活性剤や酸化防止剤などの各種添加剤を加えてもよい。樹脂の種類は、屈折率、透光率および電気抵抗などの第1電極5の特性に応じて適宜選ばれる。
また、ワイヤ状の導電体を分散させる量は、第1電極5の電気抵抗、ヘイズ値および透光率などに影響するので、第1電極5の特性に応じて適宜設定される。
(First electrode deposition method)
As a method for forming the first electrode 5, for example, a method in which a wire-like conductor is dispersed in a resin by kneading the wire-like conductor in a resin, or a wire-like conductor and the resin are dispersed. Examples thereof include a method of forming a film by a coating method using a dispersion liquid dispersed in a medium, and a method of coating a wire-like conductor on the surface of a resin film and dispersing the conductor in the film. .
In addition, you may add various additives, such as surfactant and antioxidant, to the 1st electrode 5 as needed. The type of the resin is appropriately selected according to the characteristics of the first electrode 5 such as the refractive index, the light transmittance, and the electric resistance.
Further, the amount of the wire-like conductor dispersed affects the electrical resistance, haze value, translucency, etc. of the first electrode 5, so that it is appropriately set according to the characteristics of the first electrode 5.

本実施の形態の第1電極5は、導電性を有するワイヤ状の導電体を分散媒に分散させた分散液を、支持基板1の表面に塗布し、さらにこの塗膜を硬化することによって得られる。   The first electrode 5 of the present embodiment is obtained by applying a dispersion liquid in which a conductive wire-like conductor is dispersed in a dispersion medium to the surface of the support substrate 1 and further curing the coating film. It is done.

分散液は、ワイヤ状の導電体と樹脂とを分散媒に分散させることによって調合される。分散媒としては、たとえば樹脂を溶解させるものであればよく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒を挙げることができる。   The dispersion is prepared by dispersing a wire-like conductor and a resin in a dispersion medium. The dispersion medium may be any material that can dissolve the resin, for example, a chlorine solvent such as chloroform, methylene chloride or dichloroethane, an ether solvent such as tetrahydrofuran, an aromatic hydrocarbon solvent such as toluene or xylene, acetone or methyl ethyl ketone. And ketone solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate.

また、樹脂としては、透光率の高いものが好ましく、また第1電極5上に設けられる層を塗布法により形成する場合には、第1電極5の一部を構成する樹脂が塗布液に溶解しないものである必要がある。このような樹脂としては例えば、低密度または高密度のポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、エチレン−オクテン共重合体、エチレン−ノルボルネン共重合体、エチレン−ドモン共重合体、ポリプロピレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、アイオノマー樹脂などのポリオレフィン系樹脂;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル系樹脂;ナイロン−6、ナイロン−6,6、メタキシレンジアミン−アジピン酸縮重合体;ポリメチルメタクリルイミドなどのアミド系樹脂;ポリメチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂;ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアクリロニトリルなどのスチレン−アクリロニトリル系樹脂;トリ酢酸セルロース、ジ酢酸セルロースなどの疎水化セルロース系樹脂;ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレンなどのハロゲン含有樹脂;ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、セルロース誘導体などの水素結合性樹脂;ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリメチレンオキシド樹脂、ポリアリレート樹脂、液晶樹脂などのエンジニアリングプラスチック系樹脂などが挙げられる。   Also, the resin preferably has a high translucency, and when the layer provided on the first electrode 5 is formed by a coating method, the resin constituting a part of the first electrode 5 is used as the coating liquid. It must be insoluble. Examples of such resins include low density or high density polyethylene, ethylene-propylene copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, ethylene-octene copolymer, and ethylene-norbornene copolymer. Polyolefin resins such as ethylene-dmon copolymer, polypropylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-methyl methacrylate copolymer, ionomer resin; polyester resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate; Nylon-6, nylon-6,6, metaxylenediamine-adipic acid condensation polymer; amide resin such as polymethylmethacrylamide; acrylic resin such as polymethylmethacrylate; polystyrene, styrene-acrylic Styrene-acrylonitrile resins such as nitrile copolymers, styrene-acrylonitrile-butadiene copolymers, polyacrylonitrile; hydrophobic cellulose resins such as cellulose triacetate and cellulose diacetate; polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinylidene fluoride Halogen-containing resins such as polytetrafluoroethylene; hydrogen-bonding resins such as polyvinyl alcohol, ethylene-vinyl alcohol copolymers and cellulose derivatives; polycarbonate resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyetheretherketone resins, polyphenylene Examples thereof include engineering plastic resins such as oxide resins, polymethylene oxide resins, polyarylate resins, and liquid crystal resins.

また第1電極5上に設けられる層を塗布法により形成する場合、第1電極5の一部を構成する樹脂が塗布液に溶解し難いという観点からは、前記樹脂として熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、フォトレジスト材料が好適に用いられる。   Moreover, when forming the layer provided on the 1st electrode 5 by the apply | coating method, from a viewpoint that the resin which comprises a part of 1st electrode 5 is hard to melt | dissolve in a coating liquid, as said resin, thermosetting resin, light A curable resin and a photoresist material are preferably used.

例示した樹脂の中でも、導電性を有する樹脂が好適に用いられ、導電性を有する樹脂としては例えばポリアニリン、ポリチオフェンの誘導体などが挙げられる。   Among the exemplified resins, a resin having conductivity is preferably used, and examples of the resin having conductivity include polyaniline and polythiophene derivatives.

第1電極5の屈折率は、樹脂などによって構成される膜本体の屈折率によって主に決まる。この膜本体の屈折率は、例えば、用いる樹脂の種類によって主に決まるので、用いる樹脂を選択することによって、意図する屈折率を示す第1電極5を容易に形成することができる。   The refractive index of the first electrode 5 is mainly determined by the refractive index of the film body made of resin or the like. Since the refractive index of this film body is mainly determined by, for example, the type of resin used, the first electrode 5 exhibiting the intended refractive index can be easily formed by selecting the resin used.

なお、感光性フォトレジストに用いられる感光性材料および光硬化性モノマーに、ワイヤ状の導電体を分散させた分散液を用いれば、塗布法およびフォトリソグラフィによって所定のパターン形状を有する第1電極5を容易に形成することができる。   In addition, if the dispersion liquid which disperse | distributed the wire-like conductor is used for the photosensitive material and photocurable monomer used for a photosensitive photoresist, the 1st electrode 5 which has a predetermined pattern shape by the apply | coating method and photolithography. Can be easily formed.

第1電極5としては、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程において加熱される温度で変形しないものが好ましく、第1電極5を構成する樹脂としては、ガラス転移点Tgが、150℃以上のものが好ましく、180℃以上のものがより好ましく、200℃以上のものがさらに好ましい。このような樹脂としては、例えばガラス転移点Tgが230℃のポリエーテルサルホンや高耐熱性フォトレジスト材料などを挙げることができる。   As the 1st electrode 5, what does not change at the temperature heated in the process of forming an organic electroluminescent element is preferred, and as a resin which constitutes the 1st electrode 5, that whose glass transition point Tg is 150 ° C or more is used. Preferably, the thing of 180 degreeC or more is more preferable, and the thing of 200 degreeC or more is further more preferable. Examples of such a resin include polyether sulfone having a glass transition point Tg of 230 ° C. and a high heat resistant photoresist material.

ワイヤ状の導電体の分散量、並びに必要に応じて分散液に混入されるバインダーおよび添加剤などは、成膜の容易さ、および第1電極5の特性などの条件に応じて適宜設定および選択することができる。   The dispersion amount of the wire-like conductor, and the binder and additive mixed in the dispersion liquid as necessary are appropriately set and selected according to conditions such as ease of film formation and characteristics of the first electrode 5. can do.

ワイヤ状の導電体を分散した分散液の塗布方法としては、ディッピング法、バーコータによるコーティング法、スピンコータによるコーティング法、ドクターブレード法、噴霧塗布法、スクリーンメッシュ印刷法、刷毛塗り、吹き付け、ロールコーティング等の工業的に通常用いられている方法を挙げることができる。なお、熱硬化性樹脂および光硬化性樹脂を用いる場合には、分散液を塗布した後に、加熱または光照射によって塗膜を硬化させることができる。   The coating method of the dispersion liquid in which wire-like conductors are dispersed includes dipping method, coating method by bar coater, coating method by spin coater, doctor blade method, spray coating method, screen mesh printing method, brush coating, spraying, roll coating, etc. The methods generally used in the industry can be mentioned. In addition, when using a thermosetting resin and a photocurable resin, after apply | coating a dispersion liquid, a coating film can be hardened by a heating or light irradiation.

(補助電極)
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、上記補助電極4は、前記陽極(第1電極)5の表面上に配置され、前記第1電極に電気的に接続された枠状の第1補助電極2と、前記第1補助電極2の枠内に配置されるとともに、該第1補助電極2に電気的に接続され、該第1補助電極2よりも線幅が狭い第2補助電極3とを備える。
(Auxiliary electrode)
In the organic electroluminescence element of this embodiment, the auxiliary electrode 4 is arranged on the surface of the anode (first electrode) 5 and is a frame-shaped first auxiliary electrode electrically connected to the first electrode. 2 and a second auxiliary electrode 3 disposed within the frame of the first auxiliary electrode 2 and electrically connected to the first auxiliary electrode 2 and having a line width narrower than that of the first auxiliary electrode 2. Prepare.

本実施形態においては、前記陽極(第1電極)5の表面上に第1補助電極2及び第2補助電極3を上記のような形態で配置することにより、上述の第1電極5内にワイヤ状の導電体を設けた構成による透明電極の電圧降下抑制効果が不十分となる場合であっても、透明電極の電圧降下を十分に抑制することができる。したがって、補助電極4を設けた有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光面積が大きい場合でも発光輝度のムラを十分に抑制することが可能となる。   In the present embodiment, the first auxiliary electrode 2 and the second auxiliary electrode 3 are arranged in the above-described manner on the surface of the anode (first electrode) 5, so that a wire is formed in the first electrode 5. Even when the effect of suppressing the voltage drop of the transparent electrode due to the configuration in which the conductor is provided is insufficient, the voltage drop of the transparent electrode can be sufficiently suppressed. Therefore, the organic electroluminescence element provided with the auxiliary electrode 4 can sufficiently suppress unevenness in light emission luminance even when the light emission area is large.

本実施形態においては、前記第1補助電極2及び前記第2補助電極3を有する補助電極4が、前記透明陽極(第1電極)5の表面のうち、発光部6側の表面上に配置されていてもよいが、前記透明陽極(第1電極)5と、前記第1補助電極2及び前記第2補助電極3との電気的な接続をより確実にするという観点から、発光部6と反対側の表面上に配置されていることが好ましい。補助電極4を第1電極の発光部6と反対側の表面上に配置する場合は、前記基板1に第1電極5を形成する前に、基板1の発光部6側の表面に補助電極4を形成する。   In the present embodiment, the auxiliary electrode 4 having the first auxiliary electrode 2 and the second auxiliary electrode 3 is disposed on the surface of the transparent anode (first electrode) 5 on the light emitting unit 6 side. However, it is opposite to the light emitting unit 6 from the viewpoint of more reliable electrical connection between the transparent anode (first electrode) 5 and the first auxiliary electrode 2 and the second auxiliary electrode 3. It is preferably arranged on the side surface. When the auxiliary electrode 4 is disposed on the surface of the first electrode opposite to the light emitting portion 6, the auxiliary electrode 4 is formed on the surface of the substrate 1 on the light emitting portion 6 side before the first electrode 5 is formed on the substrate 1. Form.

第1補助電極2及び第2補助電極3とからなる補助電極4の配置形態の一例を図2〜図5に示す。   An example of the arrangement form of the auxiliary electrode 4 composed of the first auxiliary electrode 2 and the second auxiliary electrode 3 is shown in FIGS.

図2に示す配置形態においては、支持基板1上に形成された補助電極4は、矩形枠状の第1補助電極2aと、この第1補助電極2aの枠の内側に配置されるとともに、該第1補助電極2aに電気的に接続されている第2補助電極3aとから構成されている。前記第2補助電極3aは、前記第1補助電極2aより線幅が狭く、複数の各第2補助電極3aは互いに直角に交差した格子状に配置されている。   In the arrangement shown in FIG. 2, the auxiliary electrode 4 formed on the support substrate 1 is disposed inside the first auxiliary electrode 2a having a rectangular frame shape and the frame of the first auxiliary electrode 2a. The second auxiliary electrode 3a is electrically connected to the first auxiliary electrode 2a. The second auxiliary electrode 3a has a narrower line width than the first auxiliary electrode 2a, and the plurality of second auxiliary electrodes 3a are arranged in a lattice shape intersecting at right angles to each other.

図3に示す配置形態においては、支持基板1上に形成された補助電極4は、矩形枠状の第1補助電極2bと、この第1補助電極2bの枠の内側に配置されるとともに、該第1補助電極2bに電気的に接続されている第2補助電極3bとから構成されている。前記第2補助電極3bは前記第1補助電極2bより線幅が狭く、複数の各第2補助電極3bは互いに平行に配列されている。   In the arrangement form shown in FIG. 3, the auxiliary electrode 4 formed on the support substrate 1 is arranged inside the first auxiliary electrode 2b having a rectangular frame shape and the frame of the first auxiliary electrode 2b. The second auxiliary electrode 3b is electrically connected to the first auxiliary electrode 2b. The second auxiliary electrode 3b has a narrower line width than the first auxiliary electrode 2b, and the plurality of second auxiliary electrodes 3b are arranged in parallel to each other.

図4に示す配置形態においては、支持基板1上に形成された補助電極4は、矩形枠状の第1補助電極2cと、この第1補助電極2cの枠内に配置されるとともに、該第1補助電極2cに電気的に接続されている第2補助電極3cとから構成されている。前記第2補助電極3cは前記第1補助電極2cより線幅が狭く、複数の各第2補助電極3cはハニカム構造の各六角形の各辺を構成するように配置されている。   In the arrangement form shown in FIG. 4, the auxiliary electrode 4 formed on the support substrate 1 is arranged in a rectangular frame-shaped first auxiliary electrode 2c and the frame of the first auxiliary electrode 2c, and the first The second auxiliary electrode 3c is electrically connected to the first auxiliary electrode 2c. The second auxiliary electrode 3c has a narrower line width than the first auxiliary electrode 2c, and each of the plurality of second auxiliary electrodes 3c is arranged so as to constitute each side of each hexagon of the honeycomb structure.

図5に示す配置形態においては、支持基板1上に形成された補助電極4は、矩形枠状の第1補助電極2dと、この第1補助電極2dの枠内に配置されるとともに、該第1補助電極2dに電気的に接続されている第2補助電極3dとから構成されている。前記第2補助電極3dは線幅が前記第1の補助電極2dより狭い二種類の細線電極から構成されている。すなわち、前記第2補助電極3dは、互いに直角に交差した主幹路的な複数の第1の細線電極3d−1と、これら第1の細線電極3d−1に囲まれた領域の内部、もしくは前記第1補助電極2dと第1の細線電極3d−1とで囲まれた領域の内部に形成された第2の細線電極3d−2とから構成されている。   In the arrangement form shown in FIG. 5, the auxiliary electrode 4 formed on the support substrate 1 is arranged within a rectangular frame-shaped first auxiliary electrode 2d and the frame of the first auxiliary electrode 2d. The second auxiliary electrode 3d is electrically connected to the first auxiliary electrode 2d. The second auxiliary electrode 3d is composed of two types of fine line electrodes whose line width is narrower than that of the first auxiliary electrode 2d. That is, the second auxiliary electrode 3d includes a plurality of main thin-line electrodes 3d-1 intersecting at right angles to each other and the inside of the region surrounded by the first thin-line electrodes 3d-1, It consists of a second thin wire electrode 3d-2 formed inside a region surrounded by the first auxiliary electrode 2d and the first thin wire electrode 3d-1.

図5の配置形態では、前記第1の細線電極3d−1は格子状に配置され、その格子状の各枠内に複数の第2の細線電極3d−2が格子状に配列されている。前記第2の細線電極3d−2は、通常、好ましくは、前記第1の細線電極3d−1よりも線幅がさらに狭く形成されている。   In the arrangement form of FIG. 5, the first thin wire electrodes 3d-1 are arranged in a lattice shape, and a plurality of second thin wire electrodes 3d-2 are arranged in a lattice shape in each lattice-shaped frame. The second thin wire electrode 3d-2 is usually preferably formed with a line width narrower than that of the first thin wire electrode 3d-1.

このような補助電極の配置形態を取ることにより、発光面積がさらに大きな素子においても、本発明の効果を得ることができる。   By taking such an arrangement form of the auxiliary electrodes, the effect of the present invention can be obtained even in an element having a larger light emitting area.

ここで、枠状の第1補助電極2の枠形状としては、第1補助電極2内に第2補助電極3が形成され得るものであれば、特に限定されず、例えば、矩形状、円形状等が可能である。また第1補助電極2は、光が透過する主たる領域を囲むように設けられることが好ましい。第1補助電極2の線幅は、電気抵抗および有機エレクトロルミネッセンス素子の発光面積に応じて適宜選択することができ、1〜50mmの範囲であることが好ましく、3〜20mmの範囲であることがより好ましい。   Here, the frame shape of the frame-shaped first auxiliary electrode 2 is not particularly limited as long as the second auxiliary electrode 3 can be formed in the first auxiliary electrode 2. For example, the frame shape is rectangular or circular. Etc. are possible. The first auxiliary electrode 2 is preferably provided so as to surround a main region through which light is transmitted. The line width of the first auxiliary electrode 2 can be appropriately selected according to the electric resistance and the light emitting area of the organic electroluminescence element, and is preferably in the range of 1 to 50 mm, and more preferably in the range of 3 to 20 mm. More preferred.

第2補助電極3が設けられる前記第1補助電極2の枠内は、発光部6からの光が透過する主たる領域であるので、第2補助電極3の線幅は、光の透過を阻害しないような寸法であることが好ましい。かかる観点から、第2補助電極3を構成する細線電極の線幅(以下、「第2補助電極の線幅」という)は、光の利用効率の観点から、1〜200μmの範囲であることが好ましく、10〜100μmの範囲であることがより好ましい。   Since the inside of the frame of the first auxiliary electrode 2 where the second auxiliary electrode 3 is provided is a main region through which light from the light emitting unit 6 is transmitted, the line width of the second auxiliary electrode 3 does not hinder the transmission of light. Such dimensions are preferred. From this point of view, the line width of the thin wire electrode constituting the second auxiliary electrode 3 (hereinafter referred to as “line width of the second auxiliary electrode”) is in the range of 1 to 200 μm from the viewpoint of light utilization efficiency. Preferably, it is in the range of 10 to 100 μm.

また、第1の実施形態においては、前記第2補助電極の線幅を前記第1補助電極の線幅で除した値が、1/1000〜1/10であることがより好ましい。線幅の比が前記範囲内であれば、光の利用効率を更に向上させるとともに、発光輝度のムラを更に抑制することができる傾向となる。   In the first embodiment, the value obtained by dividing the line width of the second auxiliary electrode by the line width of the first auxiliary electrode is more preferably 1/1000 to 1/10. If the ratio of the line widths is within the above range, the light utilization efficiency is further improved, and unevenness in the light emission luminance tends to be further suppressed.

このような第1補助電極2及び第2補助電極3の材料としては、透明陽極(第1電極)5よりも電気伝導度が高い(電気抵抗値の低い)ものが好ましく、通常は10S/cm以上の電気伝導度を有する導電材料が使用される。かかる導電材料の具体例としては、アルミニウム、銀、クロミニウム、金、銅、タンタル等の金属材料を挙げることができる。これらの中でも、電気伝導度の高さ、および材料のハンドリングの容易さの観点から、アルミニウム、クロミニウム、銅、銀がより好ましい。このような材料を用いることにより、第1電極よりも電気抵抗が低い第1補助電極2及び第2補助電極3を実現することができ、具体的には第1電極よりもシート抵抗が低い第1補助電極2及び第2補助電極3を実現することができる。 The material of the first auxiliary electrode 2 and the second auxiliary electrode 3 is preferably a material having higher electric conductivity (lower electric resistance) than the transparent anode (first electrode) 5, and usually 10 7 S. A conductive material having an electric conductivity of not less than / cm is used. Specific examples of such a conductive material include metal materials such as aluminum, silver, chromium, gold, copper, and tantalum. Among these, aluminum, chromium, copper, and silver are more preferable from the viewpoint of high electrical conductivity and ease of material handling. By using such a material, it is possible to realize the first auxiliary electrode 2 and the second auxiliary electrode 3 having lower electric resistance than the first electrode. Specifically, the first auxiliary electrode 2 and the second electrode having lower sheet resistance than the first electrode. 1 auxiliary electrode 2 and 2nd auxiliary electrode 3 are realizable.

第1補助電極2及び第2補助電極3からなる補助電極4が透明陽極(第1電極)5に接する面積は、第1電極5の抵抗による電圧降下を低減するという目的から、広ければ広い程良い。したがって、第1補助電極2及び第2補助電極3の材料として金属を用いた場合には、素子の発光する面積に対する補助電極4で被われる面積の割合に換算すると、補助電極4が透明陽極(第1電極)5に接する面積は、少なくとも20%であることが好ましく、より好ましくは、30%以上である。   The larger the area where the auxiliary electrode 4 composed of the first auxiliary electrode 2 and the second auxiliary electrode 3 is in contact with the transparent anode (first electrode) 5 is wider for the purpose of reducing the voltage drop due to the resistance of the first electrode 5. good. Therefore, when a metal is used as the material of the first auxiliary electrode 2 and the second auxiliary electrode 3, the auxiliary electrode 4 is made of a transparent anode (when converted to the ratio of the area covered by the auxiliary electrode 4 to the light emitting area of the element). The area in contact with the first electrode 5 is preferably at least 20%, more preferably 30% or more.

他方、補助電極4は発光部6からの光を透過させる透明陽極(第1電極)5に接して設けられるため、光をできるだけ遮断しないように、補助電極4の占有面積はできるだけ少ない方がよい。かかる観点からは、素子の発光する面積に対する補助電極4で被われる面積の割合は、90%以下であることが好ましく、80%以下であることがより好ましい。   On the other hand, since the auxiliary electrode 4 is provided in contact with the transparent anode (first electrode) 5 that transmits light from the light emitting portion 6, it is preferable that the area occupied by the auxiliary electrode 4 is as small as possible so that light is not blocked as much as possible. . From this point of view, the ratio of the area covered by the auxiliary electrode 4 to the light emitting area of the element is preferably 90% or less, and more preferably 80% or less.

これらを勘案すると、素子の発光する面積に対する補助電極4で被われる面積の割合は、20%以上であり且つ90%以下であることが好ましく、30%以上であり且つ80%以下であることがより好ましい。   Taking these into consideration, the ratio of the area covered by the auxiliary electrode 4 to the light emitting area of the element is preferably 20% or more and 90% or less, preferably 30% or more and 80% or less. More preferred.

さらに、このような第1補助電極2及び第2補助電極3の厚みは、面抵抗が所望の値となるように適宜選択することができ、例えば10〜500nmであり、好ましくは20〜300nmであり、より好ましくは50〜150nmである。   Further, the thicknesses of the first auxiliary electrode 2 and the second auxiliary electrode 3 can be appropriately selected so that the sheet resistance has a desired value, and is, for example, 10 to 500 nm, preferably 20 to 300 nm. Yes, more preferably 50 to 150 nm.

上述の第1補助電極2及び第2補助電極3を形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等により補助電極の構成材料から成る膜を形成した後に、フォトレジストを用いたエッチング法によりパターン形成する方法が挙げられる。なお、エッチングを行うことなく補助電極をパターン形成することもできる。例えば、補助電極の形状に対応する開口が形成された1又は複数のマスクを用いて、複数回真空蒸着などを行うことによって、所定のパターンの補助電極を形成することができる。第2電極を構成する材料によっては、第2電極がエッチャントによって損傷を受けるおそれがあるが、マスクを用いて補助電極を形成することによって、エッチャントに対する耐性の低い第2電極などにでも補助電極を形成することができる。   As a method of forming the first auxiliary electrode 2 and the second auxiliary electrode 3 described above, a film made of the constituent material of the auxiliary electrode is formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, or a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded. Then, a method of forming a pattern by an etching method using a photoresist can be mentioned. Note that the auxiliary electrode can be patterned without etching. For example, the auxiliary electrode having a predetermined pattern can be formed by performing vacuum deposition a plurality of times using one or more masks in which openings corresponding to the shape of the auxiliary electrode are formed. Depending on the material constituting the second electrode, the second electrode may be damaged by the etchant. However, by forming the auxiliary electrode using a mask, the auxiliary electrode can be applied to the second electrode having low resistance to the etchant. Can be formed.

(発光部)
発光部6は、第1電極5と第2電極7との間に設けられる。発光部6は、少なくとも発光層10を備える。陽極(本実施の形態では第1電極5)と発光層10との間には、必要に応じて所定の1または複数の層9が設けられる。また発光層10と陰極(本実施の形態では第2電極7)との間には、必要に応じて所定の1または複数の層11が設けられる。
(Light emitting part)
The light emitting unit 6 is provided between the first electrode 5 and the second electrode 7. The light emitting unit 6 includes at least a light emitting layer 10. One or more predetermined layers 9 are provided between the anode (first electrode 5 in the present embodiment) and the light emitting layer 10 as necessary. Moreover, between the light emitting layer 10 and a cathode (2nd electrode 7 in this Embodiment), the predetermined | prescribed 1 or several layer 11 is provided as needed.

(陽極と発光層との間に設けられる層)
陽極(本実施の形態では第1電極5)と発光層10との間に設けられる層9としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられる。正孔注入層は、陽極(第1電極)5からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、陽極、正孔注入層または陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層、及び/又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。
(Layer provided between the anode and the light emitting layer)
Examples of the layer 9 provided between the anode (first electrode 5 in the present embodiment) and the light emitting layer 10 include a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron blocking layer. The hole injection layer is a layer having a function of improving the efficiency of hole injection from the anode (first electrode) 5. The hole transport layer is a layer having a function of improving hole injection from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer closer to the anode. The electron blocking layer is a layer having a function of blocking electron transport. In the case where the hole injection layer and / or the hole transport layer has a function of blocking electron transport, these layers may also serve as an electron blocking layer. The fact that the electron blocking layer has a function of blocking electron transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only electron current to flow and confirm the blocking effect by reducing the current value.

(陰極と発光層との間に設けられる層)
発光層10と陰極(本実施の形態では第2電極7)との間に設けられる層11としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。陰極7と発光層10との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という。電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、陰極、電子注入層または陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層、及び/又は電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である。
(Layer provided between the cathode and the light emitting layer)
Examples of the layer 11 provided between the light emitting layer 10 and the cathode (second electrode 7 in the present embodiment) include an electron injection layer, an electron transport layer, a hole blocking layer, and the like. When both the electron injection layer and the electron transport layer are provided between the cathode 7 and the light emitting layer 10, the layer in contact with the cathode is referred to as an electron injection layer, and the layers other than the electron injection layer are referred to as an electron transport layer. . The electron injection layer is a layer having a function of improving electron injection efficiency from the cathode. The electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer closer to the cathode. The hole blocking layer is a layer having a function of blocking hole transport. In the case where the electron injection layer and / or the electron transport layer have a function of blocking hole transport, these layers may also serve as the hole blocking layer. The fact that the hole blocking layer has a function of blocking hole transport makes it possible, for example, to produce an element that allows only a hole current to flow, and confirm the blocking effect by reducing the current value.

本実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子における、陽極5から陰極7までの層構成の組み合わせ例を以下に示す。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
g)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
k)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
l)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
n)陽極/発光層/電子注入層/陰極
o)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
p)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
In the organic electroluminescence element of the present embodiment, a combination example of layer configurations from the anode 5 to the cathode 7 is shown below.
a) anode / light emitting layer / cathode b) anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode c) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode d) anode / hole injection layer / light emitting layer / Electron transport layer / cathode e) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode f) anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode g) anode / hole transport layer / light emitting layer / Electron injection layer / cathode h) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode i) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode j) anode / hole Injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode k) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode l) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / Electron transport layer / cathode m) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode n) anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode o) anode / Photo layer / electron transport layer / cathode p) anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode (here, the symbol “/” indicates that the layers sandwiching the symbol “/” are stacked adjacent to each other) The same shall apply hereinafter.)

また、本実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子は、2層以上の発光層を有していてもよく、2層の発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子としては、以下のq)に示す層構成を挙げることができる。
q)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/電荷発生層/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
また、3層以上の発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子としては、具体的には、(電荷発生層/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層)を一つの繰り返し単位として、以下のr)に示す前記繰り返し単位を2つ以上含む層構成を挙げることができる。
r) 陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/(該繰り返し単位)/(該繰り返し単位)/・・・/陰極
上記層構成q)およびr)において、陽極、電極、陰極、発光層以外の各層は必要に応じて削除することができる。
ここで、電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。
Moreover, the organic electroluminescent element of this Embodiment may have two or more light emitting layers, and as an organic electroluminescent element which has two light emitting layers, the layer structure shown in the following q) is shown. Can be mentioned.
q) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / charge generation layer / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / cathode Specifically, as an organic electroluminescence device having three or more light emitting layers, (charge generation layer / charge injection layer / hole transport layer / light emission layer / electron transport layer / charge injection layer) is repeated one time. Examples of the unit include a layer structure including two or more repeating units shown in the following r).
r) Anode / charge injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / (the repeating unit) / (the repeating unit) /... / cathode In the above layer configurations q) and r) Each layer other than the anode, the electrode, the cathode, and the light emitting layer can be deleted as necessary.
Here, the charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, indium tin oxide (abbreviated as ITO), molybdenum oxide, or the like.

有機エレクトロルミネッセンス素子においては、本実施の形態のように基板側に陽極が配置されるのが通常であるが、基板側に陰極を配置するようにしてもよい。   In the organic electroluminescence element, an anode is usually disposed on the substrate side as in the present embodiment, but a cathode may be disposed on the substrate side.

本実施の形態の有機エレクトロルミネッセンス素子は、さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入性の改善のために、電極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けてもよい。また界面での密着性向上や混合の防止などのために、前述した各層間に薄いバッファー層を挿入してもよい。
以下、各層の構成についてさらに詳細に説明する。
In the organic electroluminescent element of the present embodiment, an insulating layer having a thickness of 2 nm or less may be provided adjacent to the electrode in order to further improve the adhesion with the electrode or improve the charge injection property from the electrode. In addition, a thin buffer layer may be inserted between each of the aforementioned layers in order to improve adhesion at the interface or prevent mixing.
Hereinafter, the configuration of each layer will be described in more detail.

(正孔注入層)
正孔注入層を構成する材料としては、公知の材料を適宜用いることができ、特に制限はない。例えば、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
(Hole injection layer)
As a material constituting the hole injection layer, a known material can be appropriately used, and there is no particular limitation. For example, phenylamine, starburst amine, phthalocyanine, hydrazone derivative, carbazole derivative, triazole derivative, imidazole derivative, oxadiazole derivative having amino group, vanadium oxide, tantalum oxide, tungsten oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide And oxides such as aluminum oxide, amorphous carbon, polyaniline, polythiophene derivatives, and the like.

正孔注入層の成膜方法としては、例えば、正孔注入層となる材料(正孔注入材料)を含む溶液からの成膜を挙げることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水を挙げることができる。   As a film formation method of the hole injection layer, for example, film formation from a solution containing a material (hole injection material) that becomes the hole injection layer can be mentioned. The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it dissolves the hole injection material. Chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, toluene, Mention may be made of aromatic hydrocarbon solvents such as xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate, and water.

溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。   As a film forming method from a solution, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, Examples of the application method include a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method.

また、正孔注入層の厚みとしては、5〜300nm程度であることが好ましい。この厚みが5nm未満では、製造が困難になる傾向があり、他方、300nmを超えると、駆動電圧、および正孔注入層に印加される電圧が大きくなる傾向となる。   The thickness of the hole injection layer is preferably about 5 to 300 nm. If the thickness is less than 5 nm, the production tends to be difficult. On the other hand, if the thickness exceeds 300 nm, the driving voltage and the voltage applied to the hole injection layer tend to increase.

(正孔輸送層)
正孔輸送層を構成する材料としては、特に制限はないが、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)4,4’−ジアミノビフェニル(TPD)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体などが例示される。
(Hole transport layer)
The material constituting the hole transport layer is not particularly limited. For example, N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) 4,4′-diaminobiphenyl (TPD), 4 , 4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) and other aromatic amine derivatives, polyvinylcarbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, aromatic amines in the side chain or main chain Polysiloxane derivative having pyrazole, pyrazoline derivative, arylamine derivative, stilbene derivative, triphenyldiamine derivative, polyaniline or derivative thereof, polythiophene or derivative thereof, polyarylamine or derivative thereof, polypyrrole or derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) Or its derivatives, or poly (2,5-thienylene vinylene) or a derivative thereof is exemplified.

これらの中でも、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。   Among these, as the hole transport material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine compound group in a side chain or a main chain, polyaniline or a derivative thereof, Polymeric hole transport materials such as polythiophene or derivatives thereof, polyarylamine or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof are preferred, and more preferred Is polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, and a polysiloxane derivative having an aromatic amine in the side chain or main chain. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.

正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。   The method for forming the hole transport layer is not particularly limited, but in the case of a low molecular hole transport material, film formation from a mixed solution containing a polymer binder and a hole transport material can be exemplified. Examples of molecular hole transport materials include film formation from a solution containing a hole transport material.

溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒などを挙げることができる。
溶液からの成膜方法としては、前述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を挙げることができる。
The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it dissolves the hole transport material, and is a chlorine-based solvent such as chloroform, methylene chloride, dichloroethane, an ether-based solvent such as tetrahydrofuran, toluene, Examples thereof include aromatic hydrocarbon solvents such as xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate.
Examples of the film forming method from a solution include the same coating method as the above-described film forming method of the hole injection layer.

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収の弱いものが好適に用いられ、例えばポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。   As the polymer binder to be mixed, those that do not extremely inhibit charge transport are preferable, and those that weakly absorb visible light are preferably used. For example, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, poly Examples thereof include vinyl chloride and polysiloxane.

正孔輸送層の厚みは、特に制限されないが、目的とする設計に応じて適宜変更することができ、1〜1000nm程度であることが好ましい。この厚みが前記下限値未満となると、製造が困難になる、または正孔輸送の効果が十分に得られないなどの傾向があり、他方、前記上限値を超えると、駆動電圧および正孔輸送層に印加される電圧が大きくなる傾向がある。したがって正孔輸送層の厚みは、上述のように、好ましくは、1〜1000nmであるが、より好ましくは、2nm〜500nmであり、さらに好ましくは、5nm〜200nmである。   The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but can be appropriately changed according to the intended design, and is preferably about 1 to 1000 nm. If the thickness is less than the lower limit value, production tends to be difficult or the effect of hole transport is not sufficiently obtained. On the other hand, if the thickness exceeds the upper limit value, the driving voltage and the hole transport layer are increased. There is a tendency that the voltage applied to is increased. Therefore, the thickness of the hole transport layer is preferably 1 to 1000 nm as described above, more preferably 2 nm to 500 nm, and still more preferably 5 nm to 200 nm.

(発光層)
前記発光部6を構成する発光層10は、通常、主として蛍光または燐光を発光する有機物を有し、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。有機物としては低分子化合物、及び/又は高分子化合物が用いられ、好ましくは高分子化合物が用いられ、発光層は、ポリスチレン換算の数平均分子量が、10〜10である高分子化合物を含むことが好ましい。この実施形態において用いることができる発光層を構成する発光材料としては、例えば以下のものが挙げられる。なお、陽極5と陰極7との間には、一層の発光層に限らず、複数の発光層が配置されてもよい。
(Light emitting layer)
The light emitting layer 10 constituting the light emitting unit 6 usually has an organic substance that mainly emits fluorescence or phosphorescence, and may further contain a dopant material. As the organic substance, a low molecular compound and / or a high molecular compound is used, preferably a high molecular compound is used, and the light emitting layer includes a high molecular compound having a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 to 10 8. It is preferable. Examples of the light emitting material constituting the light emitting layer that can be used in this embodiment include the following. A plurality of light emitting layers may be arranged between the anode 5 and the cathode 7 without being limited to a single light emitting layer.

(色素系材料)
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー(誘導体)、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
(Dye material)
Examples of the dye-based material include cyclopentamine derivatives, quinacridone derivatives, coumarin derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, Examples include pyrrole derivatives, thiophene ring compounds, pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, trifumanylamine derivatives, oxadiazole dimers (derivatives), and pyrazoline dimers.

(金属錯体系材料)
金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、BeなどまたはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
(Metal complex materials)
Examples of metal complex materials include metal complexes that emit light from triplet excited states such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, benzothiazole zinc complexes, azomethyls. Zinc complex, porphyrin zinc complex, europium complex, etc., which has Al, Zn, Be, etc. as the central metal or rare earth metal such as Tb, Eu, Dy, etc., and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzo as ligands Examples thereof include metal complexes having an imidazole or quinoline structure.

(高分子系材料)
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
(Polymer material)
Polymeric materials include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, and polymerized chromophores and metal complex light emitting materials. Etc.

上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることが出来る。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
Among the light emitting materials, examples of the material that emits blue light include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, and polymers thereof, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives. Of these, polymer materials such as polyvinyl carbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferred.
Examples of materials that emit green light include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like. Of these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives and polyfluorene derivatives are preferred.
Examples of materials that emit red light include coumarin derivatives, thiophene ring compounds, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives. Among these, polymer materials such as polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives are preferable.

(ドーパント材料)
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約20〜2000Åである。
(Dopant material)
A dopant can be added to the light emitting layer for the purpose of improving the light emission efficiency and changing the light emission wavelength. Examples of such dopants include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazolone derivatives, decacyclene, phenoxazone, and the like. In addition, the thickness of such a light emitting layer is about 20-2000 mm normally.

(発光層の成膜方法)
有機物を含む発光層の成膜方法としては、発光材料を含む溶液を発光層形成領域の面上に塗布する方法、発光層形成領域の面上に真空蒸着法を用いて堆積させる方法、所定の基体の上に発光材料を含む溶液を塗布し、この塗膜を成膜化し、得られた膜を発光層領域に転写する方法などを用いることができる。溶液からの成膜に用いる溶媒の具体例としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する際に正孔輸送材料を溶解させる溶媒と同様の溶媒が挙げられる。
(Light-emitting layer deposition method)
As a method for forming a light emitting layer containing an organic substance, a method including applying a solution containing a light emitting material on the surface of the light emitting layer forming region, a method of depositing the surface of the light emitting layer forming region using a vacuum evaporation method, a predetermined method A method of applying a solution containing a light emitting material on a substrate, forming this coating film, and transferring the obtained film to the light emitting layer region can be used. Specific examples of the solvent used for the film formation from the solution include the same solvents as those for dissolving the hole transport material when forming the hole transport layer from the above solution.

発光材料を含む溶液を発光層形成領域の面上、もしくは転写用の膜を形成するための基体の上に塗布する方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の色分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。また、昇華性の低分子化合物の場合は、真空蒸着法を用いることができる。さらには、レーザーによる転写や熱転写により、所望のところのみに発光層を形成する方法も用いることができる。   As a method of applying a solution containing a light emitting material on the surface of the light emitting layer forming region or on a substrate for forming a transfer film, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, Bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, slit coating method, capillary coating method, spray coating method, nozzle coating method and other coating methods, gravure printing method, screen printing method, flexographic printing method, offset A coating method such as a printing method such as a printing method, a reverse printing method, and an ink jet printing method can be used. A printing method such as a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reversal printing method, and an ink jet printing method is preferable in that pattern formation and multi-coloring are easy. In the case of a sublimable low-molecular compound, a vacuum deposition method can be used. Furthermore, a method of forming a light emitting layer only at a desired place by laser transfer or thermal transfer can be used.

(電子注入層)
電子注入層は、先に述べたように、電子輸送層と陰極との間、または発光層と陰極との間に設けられる。電子注入層としては、発光層の種類に応じて、アルカリ金属やアルカリ土類金属、あるいは前記金属を一種類以上含む合金、あるいは前記金属の酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物、あるいは前記物質の混合物などが挙げられる。
(Electron injection layer)
As described above, the electron injection layer is provided between the electron transport layer and the cathode, or between the light emitting layer and the cathode. Depending on the type of the light emitting layer, the electron injection layer may be an alkali metal or alkaline earth metal, an alloy containing one or more of the above metals, an oxide, halide and carbonate of the metal, or a mixture of the substances. Etc.

前記アルカリ金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。   Examples of the alkali metal or its oxide, halide, carbonate include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride, oxide Examples include rubidium, rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, and lithium carbonate.

前記アルカリ土類金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどが挙げられる。   Examples of the alkaline earth metals or oxides, halides and carbonates thereof include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, calcium fluoride, barium oxide, fluorine. Barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, magnesium carbonate and the like.

さらに、金属、金属酸化物、金属塩をドーピングした有機金属化合物、および有機金属錯体化合物、またはこれらの混合物も、電子注入層の材料として用いることができる。   Furthermore, a metal, a metal oxide, an organometallic compound doped with a metal salt, an organometallic complex compound, or a mixture thereof can also be used as a material for the electron injection layer.

この電子注入層は、2層以上を積層した積層構造を有していても良い。具体的には、Li/Caなどが挙げられる。この電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。
この電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。
This electron injection layer may have a stacked structure in which two or more layers are stacked. Specifically, Li / Ca etc. are mentioned. This electron injection layer is formed by vapor deposition, sputtering, printing, or the like.
The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm to 1 μm.

(電子輸送層)
電子輸送層を形成する材料としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
(Electron transport layer)
As the material for forming the electron transport layer, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodi. Examples include methane or its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or its derivatives, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or its derivatives, polyquinoline or its derivatives, polyquinoxaline or its derivatives, polyfluorene or its derivatives, etc. The

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。   Of these, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof are preferred, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.

なお、電子注入層および正孔注入層を総称して電荷注入層と言う場合があり、電子輸送層および正孔輸送層を総称して電荷輸送層と言う場合がある。   The electron injection layer and the hole injection layer may be collectively referred to as a charge injection layer, and the electron transport layer and the hole transport layer may be collectively referred to as a charge transport layer.

(第2電極)
第1の実施形態における第2電極7は、前記第1電極5に対向して配置される電極であって、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極となるものであるが、本発明においては、後述の第2の実施形態に示すように、陽極である場合も可能である。このような陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易な材料が好ましい。また陰極の材料としては電気伝導度が高く、可視光反射率の高い材料が好ましい。かかる陰極材料としては、具体的には、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、酸化亜鉛(ZnO)等の無機半導体などを挙げることができる。
(Second electrode)
The second electrode 7 in the first embodiment is an electrode arranged to face the first electrode 5 and serves as a cathode of the organic electroluminescence element. In the present invention, the second electrode 7 described later is used. As shown in the second embodiment, it is possible to use an anode. As such a cathode material, a material having a small work function and easy electron injection into the light emitting layer is preferable. The cathode material is preferably a material having high electrical conductivity and high visible light reflectance. Specific examples of such cathode materials include metals, metal oxides, alloys, graphite or graphite intercalation compounds, and inorganic semiconductors such as zinc oxide (ZnO).

上記金属としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属や周期表の13族金属等を用いることができる。これら金属の具体的例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等を挙げることができる。   As the metal, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a group 13 metal of the periodic table, or the like can be used. Specific examples of these metals include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, and aluminum. , Scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like.

また、合金としては、上記金属の少なくとも一種を含む合金を挙げることができ、具体的には、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。   Examples of the alloy include an alloy containing at least one of the above metals. Specifically, a magnesium-silver alloy, a magnesium-indium alloy, a magnesium-aluminum alloy, an indium-silver alloy, a lithium-aluminum alloy, Examples thereof include a lithium-magnesium alloy, a lithium-indium alloy, and a calcium-aluminum alloy.

陰極7は、必要に応じて光透過性を有する電極とされるが、それらの材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、IZOなどの導電性酸化物;ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの導電性有機物を挙げることができる。   The cathode 7 is an electrode having optical transparency as required. Examples of these materials include conductive oxides such as indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO and IZO; polyaniline or derivatives thereof, polythiophene. Or electroconductive organic substances, such as its derivative (s), can be mentioned.

なお、陰極(第2電極)7を2層以上の積層構造としてもよい。また、電子注入層が陰極として用いられる場合もある。   The cathode (second electrode) 7 may have a laminated structure of two or more layers. Moreover, an electron injection layer may be used as a cathode.

陰極(第2電極)7の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。   The film thickness of the cathode (second electrode) 7 can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, but is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm. ~ 500 nm.

上述の陰極(第2電極)7を形成させる方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が挙げられる。なお、この第2電極を2層以上の積層構造としてもよい。   Examples of the method for forming the cathode (second electrode) 7 include a vacuum deposition method, a sputtering method, and a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded. Note that the second electrode may have a laminated structure of two or more layers.

(封止基板)
上述のように陰極(第2電極)7が形成された後、基本構造として補助電極4−第1電極(陽極)5−発光部6−第2電極(陰極)7を有してなる発光機能部を保護するために、該発光機能部を封止する封止基板(上部封止膜)8が形成されることが好ましい。この封止基板8は、通常、少なくとも一つの無機層と少なくとも一つの有機層を有する。積層数は、必要に応じて決定され、基本的には、無機層と有機層は交互に積層される。
(Sealing substrate)
After the cathode (second electrode) 7 is formed as described above, the light emitting function includes the auxiliary electrode 4 -first electrode (anode) 5 -light emitting portion 6 -second electrode (cathode) 7 as a basic structure. In order to protect the portion, a sealing substrate (upper sealing film) 8 that seals the light emitting function portion is preferably formed. The sealing substrate 8 usually has at least one inorganic layer and at least one organic layer. The number of stacked layers is determined as necessary. Basically, inorganic layers and organic layers are alternately stacked.

なお、ガラス基板に比べると、プラスチック基板は酸素および水などのガスの透過性が高い。発光層10などの発光物質は酸化されやすく、酸素および水などと接触することにより劣化しやすいので、前記基板1としてプラスチック基板が用いられる場合には、ガスバリア性を高めるための処理を基板に予め施すことが好ましい。例えばプラスチック基板上にガスなどに対するバリア性の高い下部封止膜を積層し、その後、この下部封止膜の上に上記発光機能部を積層することが好ましい。この下部封止膜は、通常、上記封止基板(上部封止膜)と同様の構成、同様の材料にて形成される。   Note that the plastic substrate has higher permeability of gases such as oxygen and water than the glass substrate. Since a light emitting substance such as the light emitting layer 10 is easily oxidized and easily deteriorates by contact with oxygen, water, or the like, when a plastic substrate is used as the substrate 1, a treatment for improving gas barrier properties is applied to the substrate in advance. It is preferable to apply. For example, it is preferable to stack a lower sealing film having a high barrier property against gas or the like on a plastic substrate, and then stack the light emitting function part on the lower sealing film. The lower sealing film is usually formed with the same configuration and the same material as the sealing substrate (upper sealing film).

本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子では、第1電極(陽極)5に接する位置に配置される層としては、上述のように、正孔注入層、正孔輸送層、および発光層などが挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層、および発光層の屈折率は、それぞれ通常1.5〜1.8程度である。第1電極5の屈折率(n1)は、前述した式(1)を満たし、好ましくは、第1電極5に接する層の屈折率(n3)以下になるように設定される。   In the organic electroluminescence element of this embodiment, examples of the layer disposed at the position in contact with the first electrode (anode) 5 include a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer as described above. . The refractive indexes of the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer are each usually about 1.5 to 1.8. The refractive index (n1) of the first electrode 5 satisfies the above-described formula (1), and is preferably set to be equal to or lower than the refractive index (n3) of the layer in contact with the first electrode 5.

従来のボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子では、ガラス基板上に形成されたITOが陽極として用いられてきた。ITOの屈折率(n1)は、2程度であり、ガラス基板の屈折率(n2)は、1.5程度であり、有機体のITOに接する部分(たとえば発光層)の屈折率(n3)は、1.7程度なので、従来のボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子では、屈折率の低いガラス基板と発光層とで屈折率の高いITOが挟まれた構成を形成していた。したがって、発光層からの光の一部が、全反射などによってITOで反射されるので、発光層からの光を効率的に取出すことができなかった。   In a conventional bottom emission type organic electroluminescence element, ITO formed on a glass substrate has been used as an anode. The refractive index (n1) of ITO is about 2, the refractive index (n2) of the glass substrate is about 1.5, and the refractive index (n3) of the portion (for example, the light emitting layer) in contact with ITO of the organic material is Since it is about 1.7, the conventional bottom emission type organic electroluminescence element has a configuration in which ITO having a high refractive index is sandwiched between a glass substrate having a low refractive index and a light emitting layer. Therefore, a part of the light from the light emitting layer is reflected by the ITO by total reflection or the like, so that the light from the light emitting layer cannot be extracted efficiently.

それに対して、本実施形態では、前述の式(1)の関係を満たす第1電極5と支持基板1を用いることによって、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子に比べて、支持基板1、第1電極5、および発光部6の第1電極5に接する部分の各屈折率の差が小さい有機エレクトロルミネッセンス素子を構成することができる。これによって、発光層からの光が第1電極5で反射することを抑制し、有機エレクトロルミネッセンス素子の光取出し効率を向上することができる。特に、n2≦n1≦n3の関係を満たす第1電極5と支持基板1を用いれば、支持基板1、第1電極5、および発光部6の第1電極5に接する部分の各屈折率の差をさらに小さくすることができ、発光層からの光が第1電極5で反射することを抑制し、有機エレクトロルミネッセンス素子の光取出し効率をさらに向上することができる。これによって発光効率が高い有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。   On the other hand, in the present embodiment, by using the first electrode 5 and the support substrate 1 that satisfy the relationship of the above-described formula (1), the support substrate 1 and the first electrode 5 are compared with the conventional organic electroluminescence element. And the organic electroluminescent element with a small difference of each refractive index of the part which contact | connects the 1st electrode 5 of the light emission part 6 can be comprised. Thereby, it is possible to suppress the light from the light emitting layer from being reflected by the first electrode 5 and to improve the light extraction efficiency of the organic electroluminescence element. In particular, if the first electrode 5 and the support substrate 1 satisfying the relationship of n2 ≦ n1 ≦ n3 are used, the difference in refractive index between the support substrate 1, the first electrode 5, and the portion of the light emitting unit 6 in contact with the first electrode 5 is different. Can be further reduced, light from the light emitting layer can be suppressed from being reflected by the first electrode 5, and the light extraction efficiency of the organic electroluminescence element can be further improved. As a result, an organic electroluminescence element with high luminous efficiency can be realized.

また、表面粗さRaが、100nm以下の平坦な第1電極5に発光部6を成膜するので、各層における膜厚のばらつきを抑制することができる。これによって、第1電極5の突起による短絡をなくすことができる。   Further, since the light emitting portion 6 is formed on the flat first electrode 5 having a surface roughness Ra of 100 nm or less, variations in film thickness in each layer can be suppressed. Thereby, a short circuit due to the protrusion of the first electrode 5 can be eliminated.

また、第1電極5を塗布法によって形成することができるので、真空蒸着およびスパッタ法などのように真空装置を用いて透明な第1電極を形成する場合、または特殊な工程で第1電極を形成する場合に比べて、簡易に第1電極を形成することができ、低コスト化を図ることができる。さらに、第1電極5の特性は、樹脂およびワイヤ状の導電体の種類、並びにワイヤ状の導電体の形状などによって決まるので、これらを適宜選択するだけで、意図する光学特性および電気的特性などを示す第1電極5を容易に得ることができる。   In addition, since the first electrode 5 can be formed by a coating method, the first electrode is formed when a transparent first electrode is formed using a vacuum apparatus such as vacuum deposition and sputtering, or in a special process. Compared to the case of forming the first electrode, the first electrode can be easily formed, and the cost can be reduced. Furthermore, since the characteristics of the first electrode 5 are determined by the type of the resin and the wire-shaped conductor, the shape of the wire-shaped conductor, and the like, the intended optical characteristics and electrical characteristics, etc. can be selected simply by appropriately selecting them. The 1st electrode 5 which shows can be obtained easily.

さらに、本実施形態では、前記陽極(第1電極)5の表面上に第1補助電極2及び第2補助電極3を配置しており、上述の第1電極5の枠の内側にワイヤ状の導電体を設けた構成による透明電極の電圧降下抑制効果が不十分となる場合であっても、透明電極の電圧降下を十分に抑制することができる。すなわち、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光面積が大きい場合でも発光輝度のムラを十分に抑制することが可能となる。さらに本実施の形態では輝度ムラを抑制するために開口率を意図的には調整していないので、開口率を調整することによって輝度ムラを抑制する従来の技術に比べると、光の利用効率が向上し、結果として発光効率が向上する。   Furthermore, in this embodiment, the first auxiliary electrode 2 and the second auxiliary electrode 3 are arranged on the surface of the anode (first electrode) 5, and a wire-like shape is formed inside the frame of the first electrode 5 described above. Even when the effect of suppressing the voltage drop of the transparent electrode due to the configuration in which the conductor is provided is insufficient, the voltage drop of the transparent electrode can be sufficiently suppressed. That is, the organic electroluminescence element of this embodiment can sufficiently suppress unevenness in light emission luminance even when the light emission area is large. Furthermore, in this embodiment, the aperture ratio is not intentionally adjusted in order to suppress luminance unevenness. Therefore, compared with the conventional technique that suppresses luminance unevenness by adjusting the aperture ratio, the light use efficiency is higher. As a result, the luminous efficiency is improved.

[有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法]
本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造は、上述の各層の材料説明のところで、それぞれ説明した形成方法を組み合わせることによって、実現することができる。すなわち、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、
(1)上述した構成の基板から適宜に選択した基板を用意する工程、
(2)用意した基板上に補助電極を上述した方法により形成する工程、
(3)基板および補助電極上に上述した方法により第1電極を形成する工程、
(4)第1電極上に上述した方法により1つ又は複数の層からなる発光部を形成する工程、
(5)発光部の上に上述した方法により第2電極を形成する工程、
を有する。
[Method of manufacturing organic electroluminescence element]
Manufacture of the organic electroluminescent element of this embodiment is realizable by combining the formation method each demonstrated in the above-mentioned material description of each layer. That is, the manufacturing method of the organic electroluminescence element of this embodiment is:
(1) preparing a substrate appropriately selected from the substrates having the above-described configuration;
(2) forming an auxiliary electrode on the prepared substrate by the method described above;
(3) forming a first electrode on the substrate and the auxiliary electrode by the method described above,
(4) A step of forming a light emitting part composed of one or more layers on the first electrode by the method described above,
(5) A step of forming the second electrode on the light emitting portion by the method described above,
Have

[第2の実施形態]
次に、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の第2の実施形態を、図6を参照して説明する。第2の実施形態と、上述の第1の実施形態との違いは、上述の第1の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子が発光部6からの光を透明な陽極(第1電極)5を透過させて透明な支持基板1から外部へ出射するボトムエミッション型の素子であったのに対し、第2の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子では発光部26からの光を透明な陰極(第1電極)27を透過させて透明な封止基板28から外部へ出射するトップエミッション型の素子である点にある。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the organic electroluminescence element according to the present invention will be described with reference to FIG. The difference between the second embodiment and the first embodiment described above is that the organic electroluminescence element of the first embodiment transmits light from the light emitting unit 6 through the transparent anode (first electrode) 5. In contrast, in the organic electroluminescence element of the second embodiment, the light from the light emitting portion 26 is transmitted through the transparent cathode (first electrode), whereas the bottom emission type element is emitted from the transparent support substrate 1 to the outside. 27 is a top emission type element that transmits the light from the transparent sealing substrate 28 to the outside.

第2の実施形態では、発光部26からの光を透過させる透明な第1電極が透明陰極27であり、この透明陰極27には、上述の第1の実施形態の第1電極(陽極)5と同様に、内部にワイヤ状の導電体が設置されるとともに、透明陰極27の屈折率をn1、透明な封止基板28の屈折率をn2とすると、n1、およびn2がそれぞれ次式(1)   In the second embodiment, the transparent first electrode that transmits light from the light emitting unit 26 is the transparent cathode 27, and the transparent cathode 27 includes the first electrode (anode) 5 of the above-described first embodiment. In the same manner as described above, when a wire-like conductor is installed inside, the refractive index of the transparent cathode 27 is n1, and the refractive index of the transparent sealing substrate 28 is n2, n1 and n2 are respectively expressed by the following formulas (1 )

Figure 0005254711
を満たし、前記透明陰極27の可視光領域の光の透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下に設定されている。
Figure 0005254711
The transparent cathode 27 has a light transmittance in the visible light region of 80% or more, a volume resistivity of 1 Ω · cm or less, and a surface roughness of 100 nm or less.

上記透明封止基板28は、有機エレクトロルミネッセンス素子の雰囲気に含まれる酸素および水蒸気などを通し難い封止膜によって実現され、例えば金属、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物または金属酸窒化物などから成る無機層、あるいは前記無機層と有機層とを組合せた層、あるいは無機−有機ハイブリッド層などが好適に用いられる。無機層としては、薄膜層であって空気中で安定なものが好ましく、具体的には、シリカ、アルミナ、チタニア、酸化インジウム、酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛、インジウム錫酸化物、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、及びそれらの組合せの薄膜層が挙げられる。より好ましくは、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素からなる薄膜層であり、さらに好ましくは酸窒化ケイ素の薄膜層である。なお、透明封止基板28としては、例示したもののうち、透明陰極(第1電極)27との屈折率の差が、0.3未満の屈折率を示すものが適宜用いられる。   The transparent sealing substrate 28 is realized by a sealing film that hardly allows oxygen and water vapor contained in the atmosphere of the organic electroluminescence element to pass through. For example, a metal, a metal oxide, a metal nitride, a metal carbide, a metal oxynitride, or the like An inorganic layer composed of the above, a layer in which the inorganic layer and the organic layer are combined, or an inorganic-organic hybrid layer is preferably used. As the inorganic layer, a thin film layer that is stable in air is preferable. Specifically, silica, alumina, titania, indium oxide, tin oxide, titanium oxide, zinc oxide, indium tin oxide, aluminum nitride, Examples include thin film layers of silicon nitride, silicon carbide, silicon oxynitride, and combinations thereof. A thin film layer made of aluminum nitride, silicon nitride, or silicon oxynitride is more preferable, and a thin film layer of silicon oxynitride is more preferable. In addition, as the transparent sealing substrate 28, a substrate having a refractive index difference of less than 0.3 with respect to the transparent cathode (first electrode) 27 is used as appropriate.

さらに、第2の実施形態では、第1電極27の封止基板28側の表面に補助電極24が形成されている。本実施の形態における第1電極には、例えば陰極電極として例示した金属薄膜を透明陰極として用いることができる。なお透明陰極に用いられる金属薄膜は、光が透過可能な程度に薄膜に形成されるので、シート抵抗が高くなる。したがって、透明陰極は、金属箔膜状にITO薄膜などの透明電極を積層させた積層体によって構成されることが好ましい。また第2電極25と基板21との間に、例えば銀などの反射率の高い反射膜を設けることが好ましく、このような反射膜を設けることによって、基板21側に向かう光を第1電極27側に反射することができ、光の取出し効率を向上させることができる。補助電極24は、上述の第1の実施形態における補助電極4と形状、寸法、構成材料は、同一でよく、上述のように、透明陰極(第1電極)27に接して設けられている点が異なるだけである。この第2の実施形態では、第1電極27を形成した後に、該第1の電極27の封止基板28側に補助電極24を形成する。補助電極24の形成方法は、第1の実施形態に述べた補助電極4の形成方法と同様である。   Furthermore, in the second embodiment, the auxiliary electrode 24 is formed on the surface of the first electrode 27 on the sealing substrate 28 side. For the first electrode in the present embodiment, for example, a metal thin film exemplified as a cathode electrode can be used as a transparent cathode. In addition, since the metal thin film used for the transparent cathode is formed into a thin film to such an extent that light can be transmitted, the sheet resistance is increased. Therefore, the transparent cathode is preferably constituted by a laminate in which transparent electrodes such as ITO thin films are laminated in a metal foil film shape. Further, it is preferable to provide a reflective film having a high reflectance such as silver between the second electrode 25 and the substrate 21, and by providing such a reflective film, the light directed toward the substrate 21 is transmitted to the first electrode 27. Can be reflected to the side, and the light extraction efficiency can be improved. The auxiliary electrode 24 may be the same in shape, size, and constituent material as the auxiliary electrode 4 in the first embodiment, and is provided in contact with the transparent cathode (first electrode) 27 as described above. Is only different. In the second embodiment, after the first electrode 27 is formed, the auxiliary electrode 24 is formed on the sealing substrate 28 side of the first electrode 27. The method for forming the auxiliary electrode 24 is the same as the method for forming the auxiliary electrode 4 described in the first embodiment.

本発明にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子を、上記第2の実施形態のように構成しても、上述の第1の実施形態と同様の作用、効果を得ることができる。
すなわち、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記第1の実施形態によっても、第2の実施形態によっても、透明電極の抵抗による電圧降下を低減し、発光面積が大きい場合でも発光輝度のムラが十分に抑制され、均一発光が可能となり、かつ光取り出し効率が向上する。
Even if the organic electroluminescence device according to the present invention is configured as in the second embodiment, the same actions and effects as those in the first embodiment can be obtained.
In other words, the organic electroluminescence device of the present invention reduces the voltage drop due to the resistance of the transparent electrode according to the first embodiment and the second embodiment, and even when the emission area is large, the emission luminance is uneven. Sufficiently suppressed, uniform light emission is possible, and light extraction efficiency is improved.

上記第1の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光部からの光を透明陽極(第1電極)を透過させて透明な支持基板から外部に出射するボトムエミッション型の素子構造を有している。この第1の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子の素子構造を第1の構造と仮称すると、同じボトムエミッション型の素子構造であって、透明基板側に透明陰極(第1電極)を設け、封止基板側に陽極を設けた構造(第2の構造)の有機エレクトロルミネッセンス素子も作製可能である。このような第2の構造の有機エレクトロルミネッセンス素子に対しても、本発明は適用可能である。   The organic electroluminescence element of the first embodiment has a bottom emission type element structure in which light from a light emitting part is transmitted through a transparent anode (first electrode) and emitted to the outside from a transparent support substrate. . When the element structure of the organic electroluminescence element of the first embodiment is tentatively referred to as a first structure, it is the same bottom emission type element structure, and a transparent cathode (first electrode) is provided on the transparent substrate side and sealed. An organic electroluminescence element having a structure in which an anode is provided on the substrate side (second structure) can also be manufactured. The present invention can also be applied to an organic electroluminescence element having such a second structure.

また、上記第2の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光部からの光を透明陰極(第1電極)を透過させて透明な封止基板から外部に出射するトップエミッション型の素子構造を有している。この第2の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子の素子構造を第3の構造と仮称すると、同じトップエミッション型の素子構造であって、透明な封止基板側に透明陽極(第1電極)を設け、支持基板側に陰極を設けた構造(第4の構造)の有機エレクトロルミネッセンス素子も作製可能である。このような第4の構造の有機エレクトロルミネッセンス素子に対しても、本発明は適用可能である。   In addition, the organic electroluminescence element of the second embodiment has a top emission type element structure in which light from the light emitting part is transmitted through the transparent cathode (first electrode) and emitted from the transparent sealing substrate. doing. When the element structure of the organic electroluminescence element of the second embodiment is tentatively referred to as a third structure, it is the same top emission element structure, and a transparent anode (first electrode) is provided on the transparent sealing substrate side. An organic electroluminescence element having a structure in which a cathode is provided on the support substrate side (fourth structure) can also be produced. The present invention can also be applied to such an organic electroluminescence element having the fourth structure.

また、発光部からの光を、透明陽極(第1電極)を透過させて透明な支持基板から外部に出射すると同時に、透明陰極(第1電極)を透過させて透明な封止基板から外部に出射するダブルエミッション型の素子構造も作製可能であり、このようなダブルエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス素子に対しても、本発明は適用可能である。   Further, the light from the light emitting part is transmitted through the transparent anode (first electrode) and emitted from the transparent support substrate, and at the same time, the light is transmitted through the transparent cathode (first electrode) to the outside from the transparent sealing substrate. An output double emission type element structure can be produced, and the present invention can be applied to such a double emission type organic electroluminescence element.

以上説明したような本発明の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子は、曲面状や平面状の照明装置、例えばスキャナの光源として用いられる面状光源、表示装置に好適に用いることができる。   The organic electroluminescence element of the embodiment of the present invention as described above can be suitably used for a curved or planar illumination device, for example, a planar light source used as a light source of a scanner, or a display device.

有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置としては、アクティブマトリックス表示装置、パッシブマトリックス表示装置、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、および液晶表示装置などを挙げることができる。なお有機エレクトロルミネッセンス素子は、アクティブマトリックス表示装置、パッシブマトリックス表示装置において、各画素を構成する発光素子として用いられ、セグメント表示装置において、各セグメントを構成する発光素子として用いられ、ドットマトリックス表示装置、および液晶表示装置において、バックライトとして用いられる。   Examples of the display device including the organic electroluminescence element include an active matrix display device, a passive matrix display device, a segment display device, a dot matrix display device, and a liquid crystal display device. The organic electroluminescence element is used as a light emitting element constituting each pixel in an active matrix display device and a passive matrix display device, and is used as a light emitting element constituting each segment in a segment display device. In liquid crystal display devices, it is used as a backlight.

以下、作製例及び参考例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の例示に限定されるものではない。   Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on a manufacture example and a reference example, this invention is not limited to the following illustrations.

なお、以下に示す作製例1および参考例1,2では、合成例1、2において得られる下記構造式(A)〜(C)で表される化合物A〜Cを用いたが、これら化合物A〜Cは、国際公開2000/046321号パンフレットに記載された方法に従って合成したものである。   In Preparation Example 1 and Reference Examples 1 and 2 shown below, compounds A to C represented by the following structural formulas (A) to (C) obtained in Synthesis Examples 1 and 2 were used. -C is synthesized according to the method described in International Publication No. 2000/046321 pamphlet.

Figure 0005254711
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Figure 0005254711
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Figure 0005254711
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(合成例1)
下記一般式(1)で表される高分子化合物1を以下の方法により合成した。
(Synthesis Example 1)
Polymer compound 1 represented by the following general formula (1) was synthesized by the following method.

Figure 0005254711
Figure 0005254711

先ず、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(アルドリッチ社製、商品名:Aliquat336)0.91gと、上記化合物A5.23gと、上記化合物C4.55gとを反応容器(200mLセパラブルフラスコ)に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。その後、トルエン70mLを加え、酢酸パラジウム2.0mg、トリス(o−トリル)ホスフィン15.1mgを加えた後に、還流させて混合溶液を得た。   First, 0.91 g of methyl trioctyl ammonium chloride (trade name: Aliquat 336, manufactured by Aldrich), 5.23 g of the above compound A, and 4.55 g of the above compound C were charged into a reaction vessel (200 mL separable flask), and then reacted. The system was replaced with nitrogen gas. Thereafter, 70 mL of toluene was added, 2.0 mg of palladium acetate and 15.1 mg of tris (o-tolyl) phosphine were added, and the mixture was refluxed to obtain a mixed solution.

得られた混合溶液に、炭酸ナトリウム水溶液19mLを滴下後、還流下で終夜攪拌した後、フェニルホウ酸0.12gを加えて7時間攪拌した。その後、300mlのトルエンを加え、反応液を分液し、有機相を酢酸水溶液及び水で洗浄した後、ナトリウムN,N−ジエチルジチオカルバメート水溶液を加えて4時間攪拌した。   To the obtained mixed solution, 19 mL of an aqueous sodium carbonate solution was added dropwise and stirred overnight under reflux, then 0.12 g of phenylboric acid was added and stirred for 7 hours. Thereafter, 300 ml of toluene was added, the reaction solution was separated, and the organic phase was washed with an aqueous acetic acid solution and water, and then an aqueous sodium N, N-diethyldithiocarbamate solution was added and stirred for 4 hours.

次いで、攪拌後の混合溶液を分液した後、シリカゲル−アルミナカラムに通し、トルエンで洗浄した後に、メタノールに滴下してポリマーを沈殿させ、その後、得られたポリマーを濾過、減圧乾燥した後にトルエンに溶解させた。得られたトルエン溶液を再度メタノールに滴下して沈殿物を生じさせ、この沈殿物を濾過、減圧乾燥して高分子化合物1を6.33g得た。得られた高分子化合物1のポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは3.2×10であり、ポリスチレン換算の数平均分子量Mnは8.8×10であった。 Next, after the mixed solution after stirring is separated, it is passed through a silica gel-alumina column, washed with toluene, dropped into methanol to precipitate a polymer, and then the obtained polymer is filtered and dried under reduced pressure. Dissolved in. The obtained toluene solution was again added dropwise to methanol to form a precipitate. The precipitate was filtered and dried under reduced pressure to obtain 6.33 g of polymer compound 1. The obtained polymer compound 1 had a polystyrene equivalent weight average molecular weight Mw of 3.2 × 10 5 and a polystyrene equivalent number average molecular weight Mn of 8.8 × 10 4 .

(合成例2)
下記一般式(2)で表される高分子化合物2を以下の方法により合成した。
(Synthesis Example 2)
Polymer compound 2 represented by the following general formula (2) was synthesized by the following method.

Figure 0005254711
Figure 0005254711

先ず、化合物B22.5gと2,2’−ビピリジル17.6gとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。その後、あらかじめアルゴンガスでバブリングして脱気したテトラヒドロフラン(脱水溶媒)1500gを加え、混合溶液を得た。得られた混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)31gを加え、室温で10分間攪拌した後、60℃で3時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。   First, 22.5 g of compound B and 17.6 g of 2,2′-bipyridyl were charged into a reaction vessel, and the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. Thereafter, 1500 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) previously deaerated by bubbling with an argon gas was added to obtain a mixed solution. To the obtained mixed solution, 31 g of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added, stirred at room temperature for 10 minutes, and reacted at 60 ° C. for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.

次に、得られた反応溶液を冷却した後、この溶液に、25質量%アンモニア水200mL/メタノール900mL/イオン交換水900mL混合溶液をそそぎ込み、約1時間攪拌した。その後、生成した沈殿物を濾過して回収し、この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエンに溶解させた。そして、得られたトルエン溶液を濾過して不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムに通過させることにより精製した。   Next, after cooling the obtained reaction solution, a mixed solution of 25% by mass of ammonia water 200 mL / methanol 900 mL / ion-exchanged water 900 mL was poured into this solution and stirred for about 1 hour. Thereafter, the produced precipitate was collected by filtration, and this precipitate was dried under reduced pressure and then dissolved in toluene. And after filtering the obtained toluene solution and removing an insoluble matter, this toluene solution was refine | purified by passing through the column filled with the alumina.

次に、精製後のトルエン溶液を、1規定塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。そして、このトルエン溶液を、約3質量%アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。その後、このトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、洗浄後のトルエン溶液を回収した。   Next, the purified toluene solution was washed with a 1N aqueous hydrochloric acid solution, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. And this toluene solution was wash | cleaned with about 3 mass% ammonia water, and after leaving still and liquid-separating, the toluene solution was collect | recovered. Thereafter, this toluene solution was washed with ion-exchanged water, allowed to stand and separated, and the washed toluene solution was recovered.

次いで、洗浄後のトルエン溶液をメタノール中にそそぎ込み、沈殿物を生じさせ、この沈殿物をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して高分子化合物2を得た。得られた高分子化合物2のポリスチレン換算の重量平均分子量は8.2×10であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は1.0×10であった。 Next, the washed toluene solution was poured into methanol to form a precipitate. The precipitate was washed with methanol and then dried under reduced pressure to obtain polymer compound 2. The obtained polymer compound 2 had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 8.2 × 10 5 and a polystyrene equivalent number average molecular weight of 1.0 × 10 5 .

(作製例1)
この作製例1では、透明な第1電極に補助電極を形成した場合の効果を確認するために、透明な基板と透明な第1電極の屈折率を特定の範囲に制御せず、また第1電極内にワイヤ状の導電体を設置する第1電極内にワイヤ状の導電体を配置せずに、透明な第1電極(陽極)の基板側の表面に補助電極を配置した有機エレクトロルミネッセンス素子を製造した。
(Production Example 1)
In this production example 1, in order to confirm the effect when the auxiliary electrode is formed on the transparent first electrode, the refractive index of the transparent substrate and the transparent first electrode is not controlled within a specific range, and the first An organic electroluminescence device in which an auxiliary electrode is arranged on the surface of the transparent first electrode (anode) on the substrate side without arranging a wire-like conductor in the first electrode. Manufactured.

支持基板としてガラス基板(100mm×100mm)を用いた。支持基板の温度を120℃にして、Crターゲット及びスパッタリングガスとしてArを用いたDCスパッタリング法により、膜厚1000nmのCrを前記支持基板に堆積させた。このときの製膜圧力は0.5Pa、スパッタリングパワーは2.0kWであった。Cr膜の上にフォトレジストを塗布し、さらに110℃で90秒間ベークした。次に、線幅20mmのラインから構成される正方形の枠状の開口部と前記開口部の枠内に、縦×横のピッチがそれぞれ300μm×100μm、縦×横の線幅がそれぞれ70μm×30μmからなる格子型の開口部とを有するフォトマスクを通して、200mJのエネルギーで露光し、0.5質量%の水酸化カリウム水溶液によって現像後、130℃で110秒間ポストベークした。次いで、Cr用エッチング液に、40℃、120秒間浸漬し、Crのパターニングを行い、次に2質量%水酸化カリウム水溶液に浸漬することで、レジスト残渣を剥離し、Crからなる補助電極(第1補助電極及び第2補助電極)を形成した。   A glass substrate (100 mm × 100 mm) was used as the support substrate. The temperature of the supporting substrate was set to 120 ° C., and Cr having a film thickness of 1000 nm was deposited on the supporting substrate by a DC sputtering method using a Cr target and Ar as a sputtering gas. The film forming pressure at this time was 0.5 Pa, and the sputtering power was 2.0 kW. A photoresist was applied on the Cr film and further baked at 110 ° C. for 90 seconds. Next, in a square frame-shaped opening composed of lines with a line width of 20 mm and the frame of the opening, the vertical and horizontal pitches are 300 μm × 100 μm, and the vertical and horizontal line widths are 70 μm × 30 μm, respectively. The film was exposed at an energy of 200 mJ through a photomask having a lattice-type opening made of, developed with 0.5% by weight aqueous potassium hydroxide solution, and post-baked at 130 ° C. for 110 seconds. Next, the resist residue is peeled off by immersing in Cr etching solution at 40 ° C. for 120 seconds, patterning Cr, and then immersing in a 2% by mass aqueous potassium hydroxide solution. 1 auxiliary electrode and 2nd auxiliary electrode) were formed.

次に、補助電極が形成された基板上に第1電極を形成した。具体的には、基板温度を120℃にし、第1電極材料としてITO焼成ターゲット、スパッタリングガスとしてArを用いて、DCスパッタリング法により、膜厚3000nmのITOを堆積させた。このときの製膜圧力は0.25Pa、スパッタリングパワーは0.25kWであった。その後、200℃のオーブンで40分間アニール処理を行った。その後、第1電極が形成された基板を60℃の弱アルカリ性洗剤、冷水、50℃の温水をもちいて超音波洗浄し、50℃の温水から引き上げて乾燥した後、20分間UV/O洗浄を行った。 Next, a first electrode was formed on the substrate on which the auxiliary electrode was formed. Specifically, an ITO film having a thickness of 3000 nm was deposited by a DC sputtering method using a substrate temperature of 120 ° C., an ITO firing target as a first electrode material, and Ar as a sputtering gas. The film forming pressure at this time was 0.25 Pa, and the sputtering power was 0.25 kW. Thereafter, annealing was performed in an oven at 200 ° C. for 40 minutes. Thereafter, the substrate on which the first electrode is formed is ultrasonically cleaned using a weak alkaline detergent at 60 ° C., cold water, and hot water at 50 ° C., pulled up from the hot water at 50 ° C. and dried, and then washed with UV / O 3 for 20 minutes. Went.

次に、0.45μm径のフィルター及び0.2μm径のフィルターをそれぞれ用いて、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(スタルクヴィテック社製、商品名:BaytronP CH8000)の懸濁液を2段階濾過し、2段階目に濾過した溶液を用いて、前記洗浄後の基板にスピンコート法により80nmの厚みで薄膜を形成し、大気雰囲気下においてホットプレート上で、200℃で15分間熱処理し、正孔注入層を形成した。   Next, using a 0.45 μm diameter filter and a 0.2 μm diameter filter, respectively, a suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (trade name: BaytronP CH8000, manufactured by Starck Vitech). The suspension is filtered in two stages, and a thin film with a thickness of 80 nm is formed on the washed substrate by spin coating using the solution filtered in the second stage, and is heated at 200 ° C. on a hot plate in an air atmosphere. Heat treatment was performed for 15 minutes to form a hole injection layer.

次いで、合成例1、2で得られた高分子化合物1及び高分子化合物2を重量比で1:1の比で計り取り、トルエンに溶解させ、1質量%の高分子溶液を作製した。上記正孔注入層が形成された基板上に、作製した高分子溶液をスピンコート法により80nmの膜厚で製膜した後、窒素雰囲気下のホットプレート上で130℃、60分間熱処理し、発光層を形成した。   Subsequently, the polymer compound 1 and the polymer compound 2 obtained in Synthesis Examples 1 and 2 were weighed at a weight ratio of 1: 1 and dissolved in toluene to prepare a 1% by mass polymer solution. The prepared polymer solution is formed on the substrate on which the hole injection layer is formed to a thickness of 80 nm by spin coating, and then heat-treated on a hot plate in a nitrogen atmosphere at 130 ° C. for 60 minutes to emit light. A layer was formed.

その後、前記発光層が形成された基板を真空蒸着機に導入し、陰極としてLiF、Ca、Alを順次それぞれ、2nm、5nm、200nmの厚みで蒸着し、第2電極を形成した。なお、この蒸着工程においては、真空度が1×10−4Pa以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。 Thereafter, the substrate on which the light-emitting layer was formed was introduced into a vacuum vapor deposition machine, and LiF, Ca, and Al were sequentially deposited at a thickness of 2 nm, 5 nm, and 200 nm as a cathode to form a second electrode. In this vapor deposition step, metal deposition was started after the degree of vacuum reached 1 × 10 −4 Pa or less.

最後に、不活性ガス中で、第2電極が形成された基板における第2電極の表面をガラス板で覆い、さらに4辺を光硬化樹脂で覆った後に、光硬化樹脂を硬化させることで保護層を形成して、有機エレクトロルミネッセンス発光素子を得た。   Finally, in an inert gas, the surface of the second electrode on the substrate on which the second electrode is formed is covered with a glass plate, and further, the four sides are covered with a photo-curing resin, and then the photo-curing resin is cured to protect it. A layer was formed to obtain an organic electroluminescence light emitting device.

(参考例1)
上記作製例1において、補助電極を形成する際のフォトマスクとして、線幅20mmのラインから構成される正方形の枠状の開口部のみを有するフォトマスクを用いた以外は、作製例1と同様にして、比較用の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を作製した。
(Reference Example 1)
In Production Example 1, the photomask for forming the auxiliary electrode was the same as Production Example 1 except that a photomask having only a square frame-shaped opening composed of lines with a line width of 20 mm was used. Thus, a comparative organic electroluminescence light emitting device was produced.

(参考例2)
上記作製例1において、補助電極を形成する際のフォトマスクとして、縦×横のピッチがそれぞれ300μm×100μm、縦×横の線幅がそれぞれ70μm×30μmからなる格子型の開口部とを有するフォトマスクを用いた以外は、作製例1と同様にして、参考比較用の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を作製した。
(Reference Example 2)
In the above manufacturing example 1, as a photomask for forming the auxiliary electrode, a photomask having a lattice-type opening having a vertical and horizontal pitch of 300 μm × 100 μm and a vertical and horizontal line width of 70 μm × 30 μm, respectively. An organic electroluminescence light-emitting element for reference comparison was produced in the same manner as in Production Example 1 except that the mask was used.

(補助電極形成効果の評価)
作製例1及び参考例1,2で得られた有機エレクトロルミネッセンス発光素子の発光特性を評価した。具体的には、素子全体に8Vの電圧を印加した際の発光輝度を測定し、さらに発光面の様子を目視にて観察した。得られた結果を下記(表1)に示す。
(Evaluation of auxiliary electrode formation effect)
The light emission characteristics of the organic electroluminescent light emitting devices obtained in Production Example 1 and Reference Examples 1 and 2 were evaluated. Specifically, the light emission luminance when a voltage of 8 V was applied to the entire device was measured, and the state of the light emitting surface was visually observed. The obtained results are shown below (Table 1).

Figure 0005254711
(表1)に示した結果から明らかなように、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光面積が大きい場合でも発光輝度のムラが十分に抑制され、均一発光が可能であることが確認された。
Figure 0005254711
As is clear from the results shown in (Table 1), in the organic electroluminescence device of the present invention, it was confirmed that even when the light emitting area is large, unevenness in light emission luminance is sufficiently suppressed and uniform light emission is possible. It was.

以下の作製例2〜4では、透明な基板と透明な第1電極の屈折率を特定の範囲に制御するとともに、第1電極内にワイヤ状の導電体を設置することによる効果を確認するために、透明陽極の基板側の表面に補助電極を配置せず、透明な基板と透明な第1電極の屈折率を特定の範囲に制御するとともに、第1電極内にワイヤ状の導電体を設置した有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する。   In the following Production Examples 2 to 4, the refractive index of the transparent substrate and the transparent first electrode is controlled within a specific range, and the effect of installing a wire-like conductor in the first electrode is confirmed. In addition, the auxiliary electrode is not arranged on the surface of the transparent anode on the substrate side, the refractive index of the transparent substrate and the transparent first electrode is controlled within a specific range, and a wire-like conductor is installed in the first electrode. The manufactured organic electroluminescence element is manufactured.

(作製例2)
ワイヤ状の導電体として、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。この銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)と、膜本体となる光硬化性モノマーであるトリメチロールプロパントリアクリレート(新中村化学社製、商品名「NKエステル−TMPT」)0.25gとを混合し、さらに重合開始剤(日本チバ・ガイギー社製、商品名「イルガキュア907」)0.0025gを添加する。この混合溶液を厚さ0.7mmのガラス基板(透明板本体)に塗布し、ホットプレート上で110℃20分加熱して溶媒を乾燥し、さらにUVランプで光照射(6000mW/cm2)することによって硬化して、膜厚が150nmの透明導電膜を得る。このように成膜することによって、透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下である透明導電膜が得られる。
(Production Example 2)
As a wire-like conductor, a silver nanowire (major axis average length 1 μm, short) whose surface is protected with an amino group-containing polymer dispersant (product name “Solsperse 24000SC” manufactured by IC Japan Ltd.) Axial average length of 10 nm) is used. 2 g of toluene dispersion of silver nanowire (containing 1.0 g of silver nanowire) and trimethylolpropane triacrylate (made by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name “NK Ester-TMPT”) which is a photocurable monomer serving as the film body 0.25 g is mixed, and further, 0.0025 g of a polymerization initiator (trade name “Irgacure 907” manufactured by Ciba-Geigy Corporation of Japan) is added. This mixed solution is applied to a 0.7 mm thick glass substrate (transparent plate body), heated at 110 ° C. for 20 minutes on a hot plate to dry the solvent, and further irradiated with light (6000 mW / cm 2 ) with a UV lamp. To obtain a transparent conductive film having a film thickness of 150 nm. By forming the film in this manner, a transparent conductive film having a transmittance of 80% or more, a volume resistivity of 1 Ω · cm or less, and a surface roughness of 100 nm or less is obtained.

光硬化樹脂の屈折率は1.47であり、得られる透明導電膜の屈折率も1.47となり、この透明導電膜付き透明板を、透明第1電極を有する透明基板あるいは封止基板に用いることにより有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。得られた有機エレクトロルミネッセンス素子では光取出し効率が向上する。   The refractive index of the photocurable resin is 1.47, and the refractive index of the obtained transparent conductive film is also 1.47. This transparent plate with the transparent conductive film is used for a transparent substrate or a sealing substrate having the transparent first electrode. Thus, an organic electroluminescence element can be obtained. In the obtained organic electroluminescence element, the light extraction efficiency is improved.

(作製例3)
ワイヤ状の導電体として、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。この銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)と、膜本体となるポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、商品名「BaytronP」)2.5gとを混合する。この混合溶液を厚さ0.7mmのガラス基板(透明板本体)に塗布し、ホットプレート上で200℃20分加熱し、溶媒を乾燥すると膜厚が150nmの透明導電膜を得る。このように成膜することによって、透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下である透明導電膜が得られる。
(Production Example 3)
As a wire-like conductor, a silver nanowire (major axis average length 1 μm, short) whose surface is protected with an amino group-containing polymer dispersant (product name “Solsperse 24000SC” manufactured by IC Japan Ltd.) Axial average length of 10 nm) is used. 1. 2 g of this silver nanowire in toluene dispersion (containing 1.0 g of silver nanowire) and a poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid solution (trade name “BaytronP” manufactured by Starck Co., Ltd.) to be the membrane body. Mix with 5 g. This mixed solution is applied to a glass substrate (transparent plate body) having a thickness of 0.7 mm, heated on a hot plate at 200 ° C. for 20 minutes, and dried to obtain a transparent conductive film having a thickness of 150 nm. By forming the film in this manner, a transparent conductive film having a transmittance of 80% or more, a volume resistivity of 1 Ω · cm or less, and a surface roughness of 100 nm or less is obtained.

「BaytronP」の屈折率は1.7であり、得られる透明導電膜の屈折率も1.7となり、この透明導電膜付き透明板を、透明第1電極を有する透明基板あるいは封止基板に用いることにより有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。得られた有機エレクトロルミネッセンス素子では、光取出し効率が向上する。   “BaytronP” has a refractive index of 1.7 and the transparent conductive film obtained has a refractive index of 1.7. The transparent plate with the transparent conductive film is used as a transparent substrate having a transparent first electrode or a sealing substrate. Thus, an organic electroluminescence element can be obtained. In the obtained organic electroluminescence element, the light extraction efficiency is improved.

(作製例4)
ワイヤ状の導電体として、アミノ基含有高分子系分散剤(アイ・シー・アイ・ジャパン社製、商品名「ソルスパース24000SC」)で表面を保護した銀ナノワイヤー(長軸平均長さ1μm、短軸平均長さ10nm)を用いる。膜本体となるポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、商品名「BaytronP」)2.5gに、ジメチルスルホキシド0.125gを混合した混合液と、前記銀ナノワイヤーのトルエン分散液2g(銀ナノワイヤー1.0g含有)とを混合する。この混合溶液を0.7mm厚のガラス基板に塗布し、ホットプレート上で200℃20分加熱し、溶媒を乾燥すると膜厚が150nmの導電膜を得る。このように成膜することによって透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下である透明導電膜が得られる。
(Production Example 4)
As a wire-like conductor, a silver nanowire (major axis average length 1 μm, short) whose surface is protected with an amino group-containing polymer dispersant (product name “Solsperse 24000SC” manufactured by IC Japan Ltd.) Axial average length of 10 nm) is used. A mixture of 2.5 g of a poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid solution (trade name “BaytronP” manufactured by Starck Co., Ltd.) to be the membrane body and 0.125 g of dimethyl sulfoxide; 2 g of toluene dispersion (containing 1.0 g of silver nanowires) is mixed. This mixed solution is applied to a 0.7 mm thick glass substrate, heated at 200 ° C. for 20 minutes on a hot plate, and dried to obtain a conductive film having a thickness of 150 nm. By forming a film in this way, a transparent conductive film having a transmittance of 80% or more, a volume resistivity of 1 Ω · cm or less, and a surface roughness of 100 nm or less is obtained.

「BaytronP」の屈折率は1.7であり、得られる透明導電膜の屈折率も1.7となり、この透明導電膜付き透明板を、透明第1電極を有する透明基板あるいは封止基板に用いることにより有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。得られた有機エレクトロルミネッセンス素子では光取出し効率が向上する。   “BaytronP” has a refractive index of 1.7 and the transparent conductive film obtained has a refractive index of 1.7. The transparent plate with the transparent conductive film is used as a transparent substrate having a transparent first electrode or a sealing substrate. Thus, an organic electroluminescence element can be obtained. In the obtained organic electroluminescence element, the light extraction efficiency is improved.

なお、上記作製例1では、透明な基板と透明な第1電極の屈折率を特定の範囲に制御せず、また第1電極内にワイヤ状の導電体を配置せずに、透明な第1電極(陽極)の基板側の表面に補助電極を配置した有機エレクトロルミネッセンス素子を製造し、透明な第1電極に補助電極を形成した場合の効果を確認した。   In Production Example 1 described above, the refractive index of the transparent substrate and the transparent first electrode is not controlled within a specific range, and the wire-like conductor is not disposed in the first electrode. An organic electroluminescence element in which an auxiliary electrode is arranged on the surface of the electrode (anode) on the substrate side was manufactured, and the effect when the auxiliary electrode was formed on the transparent first electrode was confirmed.

また、上記作製例2〜4では、透明陽極の基板側の表面に補助電極を配置せず、透明な基板と透明な第1電極の屈折率を特定の範囲に制御するとともに、第1電極内にワイヤ状の導電体を設置した有機エレクトロルミネッセンス素子を製造し、透明な基板と透明な第1電極の屈折率を特定の範囲に制御している。   In Production Examples 2 to 4, the auxiliary electrode is not disposed on the surface of the transparent anode on the substrate side, and the refractive index of the transparent substrate and the transparent first electrode is controlled within a specific range, and the first electrode An organic electroluminescence device having a wire-like conductor is manufactured, and the refractive index of the transparent substrate and the transparent first electrode is controlled within a specific range.

本発明の第1の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子の断面図である。It is sectional drawing of the organic electroluminescent element of the 1st Embodiment of this invention. 有機エレクトロルミネッセンス素子における第1補助電極及び第2補助電極の位置関係の一例を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly an example of the positional relationship of the 1st auxiliary electrode and the 2nd auxiliary electrode in an organic electroluminescent element. 有機エレクトロルミネッセンス素子における第1補助電極及び第2補助電極の位置関係の一例を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly an example of the positional relationship of the 1st auxiliary electrode and the 2nd auxiliary electrode in an organic electroluminescent element. 有機エレクトロルミネッセンス素子における第1補助電極及び第2補助電極の位置関係の一例を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly an example of the positional relationship of the 1st auxiliary electrode and the 2nd auxiliary electrode in an organic electroluminescent element. 有機エレクトロルミネッセンス素子における第1補助電極及び第2補助電極の位置関係の他の一例を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows roughly another example of the positional relationship of the 1st auxiliary electrode and the 2nd auxiliary electrode in an organic electroluminescent element. 本発明の第2の実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子の断面図である。It is sectional drawing of the organic electroluminescent element of the 2nd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 透明支持基板
2,2a,2b,2c,2d 第1補助電極
3,3a,3b,3c,3d 第2補助電極
4 補助電極
5 透明陽極(第1電極)
6 発光部
7 陰極(第2電極)
8 保護膜(上部封止膜)
9 陽極と発光層との間に設けられる層
10 発光層
11 陰極と発光層との間に設けられる層
21 支持基板
22 第1補助電極
23 第2補助電極
24 補助電極
25 陽極(第2電極)
26 発光部
27 透明陰極(第1電極)
28 保護膜(上部封止膜)
29 陽極と発光層との間に設けられる層
30 発光層
31 陰極と発光層との間に設けられる層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent support substrate 2, 2a, 2b, 2c, 2d 1st auxiliary electrode 3, 3a, 3b, 3c, 3d 2nd auxiliary electrode 4 Auxiliary electrode 5 Transparent anode (1st electrode)
6 Light-emitting part 7 Cathode (second electrode)
8 Protective film (upper sealing film)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 Layer provided between an anode and a light emitting layer 10 Light emitting layer 11 Layer provided between a cathode and a light emitting layer 21 Support substrate 22 1st auxiliary electrode 23 2nd auxiliary electrode 24 Auxiliary electrode 25 Anode (2nd electrode)
26 Light Emitting Unit 27 Transparent Cathode (First Electrode)
28 Protective film (upper sealing film)
29 Layer provided between the anode and the light emitting layer 30 Light emitting layer 31 Layer provided between the cathode and the light emitting layer

Claims (12)

透明な基板と、
前記基板に接して設けられる透明な第1電極と、
前記第1電極と比較して電気抵抗が低く、前記第1電極に接して設けられる補助電極と、
第2電極と、
前記第1電極および第2電極の間に配置された発光部と、を含み、
前記第1電極の屈折率をn1、前記基板の屈折率をn2とすると、n1、およびn2がそれぞれ次式(1)
Figure 0005254711
を満たし、
前記第1電極の可視光領域の光の透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下であり、
前記補助電極が、
枠状の第1補助電極と、
該第1補助電極の枠内に配置されるとともに、該第1補助電極に電気的に接続され、該第1補助電極よりも線幅が狭い第2補助電極とを有し、
前記第1電極が、
透明の膜本体と、
上記膜本体中に配置され、少なくとも一部が前記膜本体の表面のうち前記基板とは反対側の表面寄りに配置される導電性を有するワイヤ状の導電体とを含み、
前記補助電極が前記第1電極の前記発光部と反対側の表面上に配置される、有機エレクトロルミネッセンス素子。
A transparent substrate,
A transparent first electrode provided in contact with the substrate;
An auxiliary electrode having a low electrical resistance compared to the first electrode and provided in contact with the first electrode;
A second electrode;
A light emitting portion disposed between the first electrode and the second electrode,
When the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the substrate is n2, n1 and n2 are respectively expressed by the following formula (1)
Figure 0005254711
The filling,
The transmittance of light in the visible light region of the first electrode is 80% or more, the volume resistivity is 1 Ω · cm or less, and the surface roughness is 100 nm or less,
The auxiliary electrode is
A frame-shaped first auxiliary electrode;
A second auxiliary electrode disposed within the frame of the first auxiliary electrode, electrically connected to the first auxiliary electrode, and having a line width narrower than the first auxiliary electrode;
The first electrode is
A transparent membrane body,
The membrane is placed in the body, seen including a wire-like conductor having conductivity at least partially disposed on the surface side of the side opposite to the substrate of the surface of the membrane body,
An organic electroluminescence device, wherein the auxiliary electrode is disposed on a surface of the first electrode opposite to the light emitting unit .
前記ワイヤ状の導電体の径が200nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The diameter of the said wire-like conductor is 200 nm or less, The organic electroluminescent element of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 前記ワイヤ状の導電体が前記膜本体中において網目構造を構成していることを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 2, wherein the wire-like conductor forms a network structure in the film main body. 前記膜本体が導電性を有する樹脂を含んでいることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the film main body includes a resin having conductivity. 前記第2補助電極の線幅を前記第1補助電極の線幅で除した値が、1/1000〜1/10であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   5. The value according to claim 1, wherein a value obtained by dividing the line width of the second auxiliary electrode by the line width of the first auxiliary electrode is 1/1000 to 1/10. Organic electroluminescence device. 前記基板が、支持基板であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the substrate is a support substrate. 前記基板が、封止基板であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the substrate is a sealing substrate. 請求項1〜5のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
導電性を有するワイヤ状の導電体を分散媒に分散させた分散液を用いる塗布法により、前記基板の前記発光部側の表面上に第1電極を形成する工程を含み、
該工程では、該第1電極の屈折率をn1、前記基板の屈折率をn2とすると、n1、およびn2がそれぞれ次式(1)
Figure 0005254711
を満たし、可視光領域の光の透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下の第1電極を形成し、
前記第1電極を形成する前に、前記基板の前記発光部側の表面に前記補助電極を設けることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 5,
Forming a first electrode on a surface of the substrate on the light emitting part side by a coating method using a dispersion in which a wire-like conductor having conductivity is dispersed in a dispersion medium;
In this step, assuming that the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the substrate is n2, n1 and n2 are respectively represented by the following formulas (1)
Figure 0005254711
A first electrode having a light transmittance in the visible light region of 80% or more, a volume resistivity of 1 Ω · cm or less, and a surface roughness of 100 nm or less ,
Before forming the first electrode, the auxiliary electrode is provided on the surface of the substrate on the light emitting portion side . A method for manufacturing an organic electroluminescent element, comprising:
請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
導電性を有するワイヤ状の導電体を分散媒に分散させた分散液を用いる塗布法により、前記発光部の封止基板側に第1電極を形成する工程を含み、
該工程では、該第1電極の屈折率をn1、前記封止基板の屈折率をn2とすると、n1、およびn2がそれぞれ次式(1)
Figure 0005254711
を満たし、可視光領域の光の透過率が80%以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下、表面粗さが100nm以下の第1電極を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
It is a manufacturing method of the organic electroluminescent element according to claim 7,
Including a step of forming a first electrode on the sealing substrate side of the light emitting part by a coating method using a dispersion liquid in which a wire-like conductor having conductivity is dispersed in a dispersion medium,
In this step, assuming that the refractive index of the first electrode is n1 and the refractive index of the sealing substrate is n2, n1 and n2 are represented by the following formula (1):
Figure 0005254711
The manufacturing method of the organic electroluminescent element which satisfy | fills 1 and forms the 1st electrode whose light transmittance of visible region is 80% or more, volume resistivity is 1 ohm * cm or less, and surface roughness is 100 nm or less.
請求項1〜7のうちのいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする照明装置。   An illuminating device comprising the organic electroluminescence element according to claim 1. 請求項1〜7のうちのいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする面状光源。   A planar light source comprising the organic electroluminescence element according to claim 1. 請求項1〜7のうちのいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。   A display device comprising the organic electroluminescence element according to claim 1.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110114325A (en) * 2010-04-13 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 Display apparatus
JP2013084466A (en) * 2011-10-11 2013-05-09 Konica Minolta Holdings Inc Surface light emitter
JP5898933B2 (en) * 2011-11-29 2016-04-06 富士フイルム株式会社 Laminated body and organic electroluminescent device
FR2986909B1 (en) * 2012-02-10 2014-11-21 Saint Gobain ELECTRODE SUPPORTED TRANSPARENT FOR OLED
WO2015151391A1 (en) * 2014-03-31 2015-10-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 Organic electroluminescent element, method for manufacturing same, and lighting apparatus

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7455793B2 (en) * 2004-03-31 2008-11-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Non-aqueous dispersions comprising electrically doped conductive polymers and colloid-forming polymeric acids
JP4736348B2 (en) * 2004-04-28 2011-07-27 日本ゼオン株式会社 Manufacturing method of organic EL element
JP2006171336A (en) * 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd Transparent electrode member for image display, and the image display device
US7645497B2 (en) * 2005-06-02 2010-01-12 Eastman Kodak Company Multi-layer conductor with carbon nanotubes
CN102250506B (en) * 2005-08-12 2014-07-09 凯博瑞奥斯技术公司 Nanowires-based transparent conductors
JP2008034362A (en) * 2006-06-28 2008-02-14 Sumitomo Chemical Co Ltd Organic electroluminescent element
EP1895608A3 (en) * 2006-09-04 2011-01-05 Novaled AG Organic light-emitting component and method for its manufacture

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6992216B2 (en) 2016-07-20 2022-01-13 アンドレアス・デーリング Mixer for exhaust gas aftertreatment system, exhaust gas aftertreatment system, and internal combustion engine

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