JP3067500B2 - Laser diode pulse drive circuit - Google Patents

Laser diode pulse drive circuit

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JP3067500B2
JP3067500B2 JP5352792A JP35279293A JP3067500B2 JP 3067500 B2 JP3067500 B2 JP 3067500B2 JP 5352792 A JP5352792 A JP 5352792A JP 35279293 A JP35279293 A JP 35279293A JP 3067500 B2 JP3067500 B2 JP 3067500B2
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laser diode
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base
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一弘 大木
卓谷 細田
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安藤電気株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、レーザダイオードの
パルス駆動回路についてのものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser diode pulse drive circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザダイオードをパルス駆動させる回
路は、レーザダイオードに印加される駆動パルスのパル
ス幅が狭いほどレーザダイオードの駆動用出力トランジ
スタのオフ時間の遅れが無視できなくなる。
2. Description of the Related Art In a circuit for pulse-driving a laser diode, as the pulse width of a driving pulse applied to the laser diode becomes narrower, the delay in the off-time of the output transistor for driving the laser diode cannot be ignored.

【0003】次に、従来技術によるレーザダイオードの
パルス駆動回路を図5により説明する。図5に示す従来
の回路では、駆動用トランジスタ3のベースを抵抗9を
介して接地(GND)している。入力端子10に入力さ
れたパルス電圧はトランジスタ4により電流増幅されト
ランジスタ3を論理的にオン・オフさせる。
Next, a pulse driving circuit for a laser diode according to the prior art will be described with reference to FIG. In the conventional circuit shown in FIG. 5, the base of the driving transistor 3 is grounded (GND) via the resistor 9. The pulse voltage input to the input terminal 10 is current-amplified by the transistor 4 and logically turns the transistor 3 on and off.

【0004】トランジスタ3はオンのとき、高速スイッ
チとして機能し、コレクタに接続された抵抗2の一端を
接地する。レーザダイオード1を駆動するパルス電流I
f は(1)式で得られる。
When the transistor 3 is turned on, it functions as a high-speed switch, and grounds one end of the resistor 2 connected to the collector. Pulse current I for driving laser diode 1
f is obtained by equation (1).

【0005】 If=(Vss−Vf−Vce(sat))/R2 (1) ここで、Vssは電源電圧、Vfはレーザーダイオード1
の順方向電圧、Vce(sat) はトランジスタ3のコレクタ
・エミッタ間飽和電圧、R2 は抵抗2の抵抗値である。
If = (Vss−Vf−Vce (sat)) / R2 (1) where Vss is a power supply voltage and Vf is a laser diode 1
Vce (sat) is the collector-emitter saturation voltage of the transistor 3, and R2 is the resistance value of the resistor 2.

【0006】図5では、入力端子10に印加されたパル
ス電圧が「0」ボルトになると、トランジスタ3に印加
されている入力電圧は抵抗9を介して接地(GND)さ
れて「0」ボルトになり、トランジスタ3はオフ状態に
なる。
In FIG. 5, when the pulse voltage applied to the input terminal 10 becomes "0" volt, the input voltage applied to the transistor 3 is grounded (GND) via the resistor 9 to "0" volt. And the transistor 3 is turned off.

【0007】しかし、トランジスタ3がオン状態のと
き、トランジスタ3の内部には過剰に電荷が蓄積される
ため、ベースに供給される入力パルス電流が無くなって
もオン状態が続く。このためトランジスタ3は遅れてオ
フになる。オフ時間の遅れはトランジスタのベースに対
する入力電流が過大なほど長くなる。
However, when the transistor 3 is on, excessive charge is accumulated inside the transistor 3, so that the on state continues even if the input pulse current supplied to the base is lost. Therefore, the transistor 3 is turned off with a delay. The delay of the off time becomes longer as the input current to the base of the transistor becomes excessive.

【0008】遅れ時間を小さくするには、抵抗9の抵抗
値を小さくし、さらに、トランジスタ3のスイッチング
特性に合わせた適正な入力電流とするために入力するパ
ルス電圧の波高値を調節する必要がある。
In order to reduce the delay time, it is necessary to reduce the resistance value of the resistor 9 and to adjust the peak value of the pulse voltage to be input in order to obtain an appropriate input current according to the switching characteristics of the transistor 3. is there.

【0009】次に、図5に示すレーザダイオードのパル
ス駆動回路の動作状態を図6により説明する。図6の4
a、3a、Ifは図5に示す回路の各部分に対応させて
示した各種波形である。
Next, the operation of the laser diode pulse driving circuit shown in FIG. 5 will be described with reference to FIG. 6 in FIG.
a, 3a and If are various waveforms shown corresponding to each part of the circuit shown in FIG.

【0010】4aはパルス波高値がEボルトの入力電圧
波形、3aはトランジスタ4の出力電圧波形、V4 はト
ランジスタ4のベース・エミッタ間順方向電圧、Ifは
トランジスタ3の出力電流で、レーザダイオード1の駆
動電流波形である。
4a is an input voltage waveform having a pulse peak value of E volts, 3a is an output voltage waveform of the transistor 4, V4 is a forward voltage between the base and the emitter of the transistor 4, If is an output current of the transistor 3, and 5 is a driving current waveform of FIG.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】図5に示す従来の回路
の場合、レーザダイオード1をパルス駆動させるトラン
ジスタ3の出力電流波形の立ち下がりは入力パルス電圧
より遅れて緩やかに立ち下がる。
In the case of the conventional circuit shown in FIG. 5, the fall of the output current waveform of the transistor 3 for driving the laser diode 1 in a pulse is slower than the input pulse voltage.

【0012】これは電荷蓄積効果によるもので、トラン
ジスタ内部へ過剰に蓄積された電荷が抵抗9との時定数
によって緩やかに放電されるためである。μs以上の比
較的長いパルスの用途では無視できるが、nsオーダー
の狭いパルスをスイッチングする場合にはパルス幅が広
がってしまい、トランジスタ3のスイッチング機能が著
しく低下して、レーザダイオード1を高速かつ安定に駆
動できなくなるという問題が生じる。
This is due to the charge accumulation effect, because the electric charge excessively accumulated inside the transistor is slowly discharged by the time constant of the resistor 9. Although it can be neglected in applications of relatively long pulses of μs or more, when switching pulses narrow in the order of ns, the pulse width is widened, and the switching function of the transistor 3 is significantly reduced. A problem that the motor cannot be driven.

【0013】この発明は前述した問題点を解消するため
になされたもので、簡易な回路構成によりレーザダイオ
ードの駆動用トランジスタの過剰蓄積電荷をすみやかに
放電させることで、高速かつ安定なレーザダイオードの
パルス駆動回路を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a high-speed and stable laser diode can be realized by quickly discharging excess accumulated charges in a laser diode driving transistor with a simple circuit configuration. It is an object to provide a pulse drive circuit.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、第1の発明では、片端を電源に接続したレーザダイ
オード1の他端を抵抗2を介してコレクタに接続しエミ
ッタを接地したトランジスタ3と、コレクタを電源に接
続しエミッタをトランジスタ3のベースに接続したトラ
ンジスタ4と、ベースをトランジスタ4のベースに接続
しコレクタを接地したトランジスタ7と、トランジスタ
7のエミッタと電源との間に接続した抵抗6と、一端を
トランジスタ7のエミッタに接続し他端をトランジスタ
3のベースに接続したコンデンサ5と備え、入力パルス
電圧がターンオフするタイミングでトランジスタ3のベ
ース・エミッタ間に逆バイアスを加える。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a laser diode having one end connected to a power supply, the other end connected to a collector via a resistor, and a grounded emitter. A transistor 4 having a collector connected to a power supply and an emitter connected to the base of the transistor 3, a transistor 7 having a base connected to the base of the transistor 4 and a collector grounded, and a transistor 7 connected between the emitter of the transistor 7 and the power supply. A resistor 6 and a capacitor 5 having one end connected to the emitter of the transistor 7 and the other end connected to the base of the transistor 3 apply a reverse bias between the base and the emitter of the transistor 3 when the input pulse voltage is turned off.

【0015】また、第2の発明では、片端を電源に接続
したレーザダイオード1の他端をコレクタに接続しエミ
ッタを抵抗8を介して接地したトランジスタ3と、コレ
クタを電源に接続しエミッタをトランジスタ3のベース
に接続したトランジスタ4と、ベースをトランジスタ4
のベースに接続しコレクタを接地したトランジスタ7
と、トランジタ7のエミッタと電源との間に接続した抵
抗6と、一端をトランジスタ7のエミッタに接続し他端
をトランジスタ3のベースに接続したコンデンサ5とを
備E、入力パルスの波高値に比例する定電流を出力し、
入力パルス電圧がターンオフするタイミングでトランジ
スタ3のベース・エミッタ間に逆バイアスを加える。
In the second invention, the transistor 3 has one end connected to the power supply, the other end of the laser diode 1 connected to the collector and the emitter grounded via the resistor 8, and the collector connected to the power supply and the emitter connected to the transistor. And a transistor 4 connected to the base of transistor 3
7 connected to the base of the transistor and the collector is grounded
And a resistor 6 connected between the emitter of the transistor 7 and the power supply, and a capacitor 5 having one end connected to the emitter of the transistor 7 and the other end connected to the base of the transistor 3. Outputs a proportional constant current,
A reverse bias is applied between the base and the emitter of the transistor 3 at the timing when the input pulse voltage is turned off.

【0016】[0016]

【作用】このような構成を採用することにより、第1の
構成では、入力パルスがターンオフしたと同時にトラン
ジスタ3のベースに低インピーダンスの逆バイアスを加
えてトランジスタ3の蓄積電荷を強制的に中和させ、出
力トランジスタのターンオフ時間を非常に短くする。
By adopting such a structure, in the first structure, a low-impedance reverse bias is applied to the base of the transistor 3 at the same time as the input pulse is turned off, thereby forcibly neutralizing the charge stored in the transistor 3. This makes the turn-off time of the output transistor very short.

【0017】また第2の構成では、第1の構成の一部を
使用してトランジスタ3のターンオフ時間を改善し、入
力パルス電圧の波高値に比例する定電流パルスを高速に
出力する。
In the second configuration, the turn-off time of the transistor 3 is improved by using a part of the first configuration, and a constant current pulse proportional to the peak value of the input pulse voltage is output at high speed.

【0018】[0018]

【実施例】次に添付図面を参照してこの発明によるレー
ザダイオードのパルス駆動回路の実施例を詳細に説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a pulse driving circuit for a laser diode according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

【0019】図1はこの発明によるレーザダイオードの
パルス駆動回路の第1の実施例を示す回路構成図であ
る。図1に示す第1の実施例では、コンデンサ5、抵抗
6およびトランジスタ7が図5に示す従来技術の構成に
新たに加わっている。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of a pulse drive circuit for a laser diode according to the present invention. In the first embodiment shown in FIG. 1, a capacitor 5, a resistor 6 and a transistor 7 are newly added to the configuration of the prior art shown in FIG.

【0020】第1の実施例では、トランジスタ4のベー
スとトランジスタ7のベースを共通に接続し、これを入
力端子10とする。トランジスタ7のエミッタは、抵抗
6を介して電源Vssへ接続し、エミッタフォロア回路を
構成しているため、入力端子10へ加えられたパルス電
圧振幅に等しい電圧がトランジスタ7のエミッタに出力
される。
In the first embodiment, the base of the transistor 4 and the base of the transistor 7 are connected in common, and this is used as the input terminal 10. Since the emitter of the transistor 7 is connected to the power supply Vss via the resistor 6 to form an emitter follower circuit, a voltage equal to the pulse voltage amplitude applied to the input terminal 10 is output to the emitter of the transistor 7.

【0021】トランジスタ4のエミッタは、トランジス
タ3のベース・エミッタ接合部を介して接地(GND)
され、トランジスタ3の入力を出力負荷とする変形的な
エミッタフォロア回路を構成する。また、トランジスタ
4のエミッタをコンデンサ5を介して交流的にトランジ
スタ7のエミッタへ接続し、パルス振幅が入力電圧に等
しく、トランジスタ4のベース・エミッタ順方向電圧だ
け直流シフトした電圧をトランジスタ3のベースへ入力
する回路構成とする。第1の実施例において、レーザダ
イオード1の駆動電流Ifは従来技術で示した前記
(1)式で与えられる。
The emitter of the transistor 4 is connected to ground (GND) via the base-emitter junction of the transistor 3.
Thus, a modified emitter follower circuit using the input of the transistor 3 as an output load is formed. Further, the emitter of the transistor 4 is connected to the emitter of the transistor 7 in an alternating manner via the capacitor 5, and the pulse amplitude is equal to the input voltage, and the voltage which is DC-shifted by the base-emitter forward voltage of the transistor 4 is applied to the base of the transistor 3. Circuit configuration. In the first embodiment, the drive current If of the laser diode 1 is given by the above-mentioned formula (1) shown in the prior art.

【0022】図1において、入力端子10に加わる入力
パルス電圧は、トランジスタ7のエミッタフォロア出力
として取り出され、そのパルス電圧振幅は入力パルス電
圧に等しく、パルス波形の立ち下がりにおける出力イン
ピーダンスは極めて小さい。
In FIG. 1, an input pulse voltage applied to the input terminal 10 is taken out as an emitter follower output of the transistor 7, and its pulse voltage amplitude is equal to the input pulse voltage, and the output impedance at the falling edge of the pulse waveform is extremely small.

【0023】同様に、入力端子10に加わる入力パルス
電圧もトランジスタ4のエミッタフォロア出力として取
り出される。ここにおけるパルス電圧振幅は、コンデン
サ5が無い状態では入力パルス電圧に対し、トランジス
タ4のベース・エミッタ間順方向電圧分だけ小さく、パ
ルス波形の立ち上がりにおける出力インピーダンスは極
めて小さい。
Similarly, an input pulse voltage applied to the input terminal 10 is also taken out as an emitter follower output of the transistor 4. The pulse voltage amplitude here is smaller than the input pulse voltage by the forward voltage between the base and the emitter of the transistor 4 without the capacitor 5, and the output impedance at the rising edge of the pulse waveform is extremely small.

【0024】そこで、トランジスタ4とトランジスタ7
のエミッタをコンデンサ5を介して接続すると、コンデ
ンサ5の両端にはトランジスタ7のベース・エミッタ間
順方向電圧に等しい電圧が発生し、トランジスタ7によ
る低い立ち下がりインピーダンスに駆動されてトランジ
スタ4のエミッタ電位は入力パルス電圧が0ボルトのと
き、トランジスタ4のベース・エミッタ間順方向電圧分
だけ接地(GND)電位よりも下げられる。
Therefore, the transistor 4 and the transistor 7
Is connected via a capacitor 5, a voltage equal to the forward voltage between the base and the emitter of the transistor 7 is generated across the capacitor 5, and the transistor 7 is driven to a low falling impedance to generate the emitter potential of the transistor 4. Is lower than the ground (GND) potential by the forward voltage between the base and the emitter of the transistor 4 when the input pulse voltage is 0 volt.

【0025】トランジスタ3はターンオンのときには、
トランジスタ4の低いインピーダンスで駆動され、ター
ンオフのときにはコンデサ5とトランジスタ7の低いイ
ンピーダンスで逆バイアスされるため、トランジスタ3
内部の蓄積電荷は瞬時に放電される。
When the transistor 3 is turned on,
It is driven by the low impedance of the transistor 4 and is reverse-biased by the low impedance of the capacitor 5 and the transistor 7 when the transistor is turned off.
The stored charge inside is discharged instantaneously.

【0026】図1の実施例による回路各部の動作波形を
図3に示す。図3の4a、7a、3a、Ifは図1に示
す回路の各部分に対応させて示した各種波形である。図
3で、Eは入力パルス電圧の波高値、V7 はトランジス
タ7のベース・エミッタ間順方向電圧値、V4 はトラン
ジスタ4のベース・エミッタ間順方向電圧値、If はト
ランジスタ3の出力電流でレーザダイオード1の駆動電
流波形である。レーザダイオードの駆動電流If は前記
(1)式で与えられる。
FIG. 3 shows operation waveforms of various parts of the circuit according to the embodiment of FIG. In FIG. 3, reference numerals 4a, 7a, 3a, and If represent various waveforms corresponding to the respective portions of the circuit shown in FIG. In FIG. 3, E is the peak value of the input pulse voltage, V7 is the forward voltage between the base and the emitter of the transistor 7, V4 is the forward voltage between the base and the emitter of the transistor 4, If is the output current of the transistor 3, and 4 is a driving current waveform of the diode 1. The drive current If of the laser diode is given by the above equation (1).

【0027】波高値Eの入力パルス電圧はコンデンサ5
により電圧値V4 の分だけ直流シフトされ、図3に示す
動作波形3aに変換され、トランジスタ3の駆動入力と
なる。
The input pulse voltage of the peak value E is
As a result, the DC voltage is shifted by the voltage value V4, converted into the operation waveform 3a shown in FIG.

【0028】このため、トランジスタ3は入力パルスの
立ち下がりで強力に逆バイアスされるため瞬時に内部蓄
積電荷が放電しターンオフになる。
For this reason, the transistor 3 is strongly reverse-biased at the falling edge of the input pulse, so that the internal accumulated charge is instantaneously discharged and turned off.

【0029】コンデンサ5はトランジスタ3に対して蓄
積電荷を吸収する役割を持たせてあり、その大きさはト
ランジスタ3の飽和状態時における等価入力容量に較べ
て十分大きな値を用いる。例えば、第1の実施例ではコ
ンデンサの値は1000pFである。
The capacitor 5 has a function of absorbing the accumulated charge with respect to the transistor 3, and the size thereof is sufficiently large as compared with the equivalent input capacitance when the transistor 3 is in a saturated state. For example, in the first embodiment, the value of the capacitor is 1000 pF.

【0030】図2は、この発明によりレーザダイオード
のパルス駆動回路の第2の実施例を示す回路構成図であ
る。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of a pulse drive circuit for a laser diode according to the present invention.

【0031】第1の実施例の構成と異なる点は、第1の
実施例では抵抗2がレーザダイオード1とトランジスタ
3のコレクタ間に接続されているが、第2の実施例では
抵抗2が無くトランジスタ3のエミッタが抵抗8を介し
て接地されている点であり、その他の回路構成は図1に
示した第1の実施例と同じである。
The difference from the configuration of the first embodiment is that the resistor 2 is connected between the laser diode 1 and the collector of the transistor 3 in the first embodiment, but the resistor 2 is not provided in the second embodiment. The other point is that the emitter of the transistor 3 is grounded via the resistor 8, and the other circuit configuration is the same as that of the first embodiment shown in FIG.

【0032】図1における場合と同様に図2の入力端子
10へ加えられたパルス電圧はトランジスタ4のベース
・エミッタ順方向電圧だけ直流シフトしてトランジスタ
3のベースへ入力され、抵抗8によりパルス電圧の波高
値に比例する定電流を出力する。ここにおいてレーザダ
イオード1を駆動するパルス電流Ifは(2)式で得ら
れる。
As in the case of FIG. 1, the pulse voltage applied to the input terminal 10 of FIG. 2 is DC-shifted by the base-emitter forward voltage of the transistor 4 and is input to the base of the transistor 3. And outputs a constant current proportional to the peak value. Here, the pulse current If for driving the laser diode 1 is obtained by equation (2).

【0033】 If=(E−V4 −V3 )・hfe/(R8(1+hfe)) (2) ここに、Eは入力パルス電圧の波高値、V4 とV3 はト
ランジスタ4とトランジスタ3のベース・エミッタ間順
方向電圧値、hfeはトランジスタ3のエミッタ接地電流
増幅率、R8 は抵抗8の定数である。
If = (E−V4−V3) · hfe / (R8 (1 + hfe)) (2) where E is the peak value of the input pulse voltage, and V4 and V3 are between the base and emitter of transistor 4 and transistor 3. The forward voltage value, hfe is the amplification factor of the common emitter current of the transistor 3, and R8 is the constant of the resistor 8.

【0034】次に、トランジスタ3は入力パルスの立ち
下がりで強力に逆バイアスされて瞬時にターンオフにな
る。
Next, the transistor 3 is strongly reverse-biased at the fall of the input pulse, and is turned off instantaneously.

【0035】入力端子10へ印加された波高値Eのパル
ス電圧はトランジスタ4とトランジスタ3のベース・エ
ミッタ間順方向電圧分だけ減算され、抵抗8の両端に電
流出力として取り出される。ここにおける出力電流の大
きさはレーザダイオード1に対する駆動電流にほぼ等し
い。図1におけるトランジスタ3は飽和型スイッチとし
て動作させるのに対し、図2におけるトランジスタ3は
不飽和型スイッチとして動作させ、抵抗8の値で決定さ
れる定電流を出力する。
The pulse voltage of the peak value E applied to the input terminal 10 is subtracted by the forward voltage between the base and the emitter of the transistor 4 and the transistor 3 and is taken out as a current output across the resistor 8. The magnitude of the output current here is substantially equal to the drive current for the laser diode 1. While the transistor 3 in FIG. 1 operates as a saturated switch, the transistor 3 in FIG. 2 operates as an unsaturated switch and outputs a constant current determined by the value of the resistor 8.

【0036】次に図2の実施例による回路各部の動作波
形を図4に示す。図4の4a、7a、3a、Ifは図2
に示す回路の各部分に対応させて示した各種波形であ
る。Eは入力パルス電圧の波高値、V7 はトランジスタ
7のベース・エミッタ間順方向電圧値、V4 はトランジ
スタ4のベース・エミッタ間順方向電圧値、Ifはトラ
ンジスタ3の出力電流でレーザダイオード1の駆動電流
波形である。
FIG. 4 shows operation waveforms of various parts of the circuit according to the embodiment of FIG. 4a, 7a, 3a and If in FIG.
3 are various waveforms shown corresponding to each part of the circuit shown in FIG. E is the peak value of the input pulse voltage, V7 is the forward voltage between the base and the emitter of the transistor 7, V4 is the forward voltage between the base and the emitter of the transistor 4, and If is the output current of the transistor 3 for driving the laser diode 1. It is a current waveform.

【0037】波高値Eの入力パルス電圧は、コンデンサ
5により電圧値V4 の分だけ直流シフトされ図4に示す
動作波形3aに変換されトランジスタ3の駆動入力とな
る。
The input pulse voltage having the peak value E is DC-shifted by the capacitor 5 by the voltage value V4 and converted into the operation waveform 3a shown in FIG.

【0038】第2の実施例において、コンデンサ5はト
ランジスタ3に対して蓄積電荷を吸収する役割をもたせ
てあり、その大きさはトランジスタ3の能動状態におけ
る等価入力容量に較べて十分大きな値を用いる。例え
ば、第2の実施例ではコンデンサの値は 100pFであ
る。
In the second embodiment, the capacitor 5 has the function of absorbing the accumulated charge in the transistor 3, and the size thereof is sufficiently large as compared with the equivalent input capacitance in the active state of the transistor 3. . For example, in the second embodiment, the value of the capacitor is 100 pF.

【0039】なお、第1の実施例および第2の実施例で
は電源の極性がプラスの場合を示しているが、勿論マイ
ナスの極性の場合でも適用可能である。この場合には、
トランジスタ3・4をPNP型に、トランジスタ7をN
PN型に変更すればよい。
Although the first and second embodiments show the case where the polarity of the power supply is positive, the present invention can be applied to the case where the polarity is negative. In this case,
Transistors 3 and 4 are PNP type, and transistor 7 is N
What is necessary is just to change into PN type.

【0040】[0040]

【発明の効果】この発明は、単一の電源と簡易な回路構
成で、使用されるトランジスタの性能を最大限まで引き
出すことを可能にし、高速で安定なレーザダイオードの
パルス駆動回路を提供することができる。
The present invention provides a high-speed and stable laser diode pulse drive circuit which makes it possible to maximize the performance of a transistor used with a single power supply and a simple circuit configuration. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1の実施例に係るレーザダイオー
ドのパルス駆動回路の構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a laser diode pulse drive circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第2の実施例に係るレーザダイオー
ドのパルス駆動回路の構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a laser diode pulse drive circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】図1の実施例の動作波形図である。FIG. 3 is an operation waveform diagram of the embodiment of FIG. 1;

【図4】図2の実施例の動作波形図である。FIG. 4 is an operation waveform diagram of the embodiment of FIG. 2;

【図5】従来技術によるレーザダイオードのパルス駆動
回路の構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of a pulse drive circuit of a laser diode according to the related art.

【図6】図5の回路の動作波形図である。FIG. 6 is an operation waveform diagram of the circuit of FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザダイオード 2 抵抗 3 トランジスタ 4 トランジスタ 5 コンデンサ 6 抵抗 7 トランジスタ 8 抵抗 10 入力端子 E 入力パルス電圧の波高値 If レーザダイオードの駆動電流 V4 トランジスタ4のベース・エミッタ間順方向電圧 V7 トランジスタ7のベース・エミッタ間順方向電圧 Reference Signs List 1 laser diode 2 resistor 3 transistor 4 transistor 5 capacitor 6 resistor 7 transistor 8 resistor 10 input terminal E peak value of input pulse voltage If laser diode driving current V4 forward voltage between base and emitter of transistor 4 V7 base of transistor 7 Emitter forward voltage

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−33983(JP,A) 特開 昭63−77172(JP,A) 特開 昭58−7941(JP,A) 特開 平4−167860(JP,A) 特開 昭63−38276(JP,A) 特開 平2−256286(JP,A) 特開 昭57−210682(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/00 - 5/50 Continuation of front page (56) References JP-A-2-33983 (JP, A) JP-A-63-77172 (JP, A) JP-A-58-7794 (JP, A) JP-A-4-167860 (JP) JP-A-63-38276 (JP, A) JP-A-2-256286 (JP, A) JP-A-57-210682 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB Name) H01S 5/00-5/50

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 一端を第1の電源(VSS) に接続するレー
ザダイオード(1) と、 レーザダイオード(1) の他端を第1の抵抗(2) を介して
コレクタに接続し、エミッタを第2の電源(GND) に接続
する第1のトランジスタ(3) と、 コレクタを第1の電源(VSS) に接続し、エミッタを第1
のトランジスタ(3) のベースに接続し、ベースを入力端
子(10)に接続する第2のトランジスタ(4) と、 コレクタを第2の電源(GND) に接続し、エミッタを第2
の抵抗(6) を介して第1の電源(VSS) に接続し、ベース
を入力端子(10)に接続する第3のトランジスタ(7) と、 第2のトランジスタ(4) と第3のトランジスタ(7) のエ
ミッタ間に接続するコンデンサ(5) とを備え、 入力端子(10)に入力したパルス電圧で第1のトランジス
タ(3) のベースをパルス駆動することによりレーザダイ
オード(1) を電流駆動することを特徴とするレーザダイ
オードのパルス駆動回路。
A laser diode (1) having one end connected to a first power supply (V SS ), and the other end of the laser diode (1) connected to a collector via a first resistor (2), and an emitter connected to the emitter. To a second power supply (GND), a first transistor (3), a collector to the first power supply (V SS ), and an emitter to the first power supply (V SS ).
A second transistor (4) connected to the base of the transistor (3), a base connected to the input terminal (10), a collector connected to the second power supply (GND), and an emitter connected to the second
A third transistor (7) having a base connected to the input terminal (10), a third transistor (7) connected to the first power supply (V SS ) through the resistor (6), and a third transistor (4). And a capacitor (5) connected between the emitters of the transistor (7). The pulse voltage input to the input terminal (10) drives the base of the first transistor (3) to drive the laser diode (1). A pulse driving circuit for a laser diode, which is driven by current.
【請求項2】 請求項1に記載のレーザダイオードのパ
ルス駆動回路において、第1の電源(VSS) と第2の電源
(GND) の極性が逆の場合には、第1のトランジスタ(3)
および第2のトランジスタ(4) がPNP型に、第3のト
ランジスタ(7) がNPN型になることを特徴とするレー
ザダイオードのパルス駆動回路。
2. The pulse drive circuit for a laser diode according to claim 1, wherein the first power supply (V SS ) and the second power supply
If the polarity of (GND) is reversed, the first transistor (3)
And a second transistor (4) of a PNP type and a third transistor (7) of an NPN type.
【請求項3】 一端を第1の電源(VSS) に接続するレー
ザダイオード(1) と、 レーザダイオード(1) の他端をコレクタに接続し、エミ
ッタを第3の抵抗(8)を介して第2の電源(GND) に接続
する第1のトランジスタ(3) と、 コレクタを第1の電源(VSS) に接続し、エミッタを第1
のトランジスタ(3) のベースに接続し、ベースを入力端
子(10)に接続する第2のトランジスタ(4) と、 コレクタを第2の電源(GND) に接続し、エミッタを第2
の抵抗(6) を介して第1の電源(VSS) に接続し、ベース
を入力端子(10)に接続する第3のトランジスタ(7) と、 第2のトランジスタ(4) と第3のトランジスタ(7) のエ
ミッタ間に接続するコンデンサ(5) とを備え、 入力端子(10)に入力したパルス電圧で第1のトランジス
タ(3) のベースをパルス駆動することによりレーザダイ
オード(1) を電流駆動することを特徴とするレーザダイ
オードのパルス駆動回路。
3. A laser diode (1) having one end connected to a first power supply (V SS ), the other end of the laser diode (1) being connected to a collector, and an emitter being connected via a third resistor (8). A first transistor (3) connected to a second power supply (GND), a collector connected to the first power supply (V SS ), and an emitter connected to the first power supply (V SS ).
A second transistor (4) connected to the base of the transistor (3), a base connected to the input terminal (10), a collector connected to the second power supply (GND), and an emitter connected to the second
A third transistor (7) having a base connected to the input terminal (10), a third transistor (7) connected to the first power supply (V SS ) through the resistor (6), and a third transistor (4). And a capacitor (5) connected between the emitters of the transistor (7). The pulse voltage input to the input terminal (10) drives the base of the first transistor (3) to drive the laser diode (1). A pulse driving circuit for a laser diode, which is driven by current.
【請求項4】 請求項3に記載のレーザダイオードのパ
ルス駆動回路において、第1の電源(VSS) と第2の電源
(GND) の極性が逆の場合には、第1のトランジスタ(3)
および第2のトランジスタ(4) がPNP型に、第3のト
ランジスタ(7) がNPN型になることを特徴とするレー
ザダイオードのパルス駆動回路。
4. The laser diode pulse drive circuit according to claim 3, wherein the first power supply (V SS ) and the second power supply
If the polarity of (GND) is reversed, the first transistor (3)
And a second transistor (4) of a PNP type and a third transistor (7) of an NPN type.
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