JP2901828B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JP2901828B2
JP2901828B2 JP5052627A JP5262793A JP2901828B2 JP 2901828 B2 JP2901828 B2 JP 2901828B2 JP 5052627 A JP5052627 A JP 5052627A JP 5262793 A JP5262793 A JP 5262793A JP 2901828 B2 JP2901828 B2 JP 2901828B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、中央演算処理回路およ
び記憶回路を含み、これらの回路の機能試験に必要な回
路を内蔵した半導体集積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit including a central processing circuit and a storage circuit, and including circuits necessary for functional testing of these circuits.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路は、一般に製品として出
荷する前に、仕様に記されている機能を満足しているか
どうかを確認するために各種機能試験を実施している。
2. Description of the Related Art Generally, before a semiconductor integrated circuit is shipped as a product, various functional tests are performed to confirm whether the functions described in specifications are satisfied.

【0003】図5は、従来の半導体集積回路1およびそ
の機能試験を行うための試験装置2の電気的構成を示す
ブロック図である。半導体集積回路1は、中央演算処理
回路(以下「CPU」と略称する)3、読出し専用メモ
リ(以下「ROM」と略称する)4などを含み、その機
能試験の方法について以下に説明する。
FIG. 5 is a block diagram showing an electrical configuration of a conventional semiconductor integrated circuit 1 and a test apparatus 2 for performing a function test thereof. The semiconductor integrated circuit 1 includes a central processing unit (hereinafter abbreviated as “CPU”) 3, a read-only memory (hereinafter abbreviated as “ROM”) 4, and the like, and a method for testing its function will be described below.

【0004】CPU2の機能試験には、外部インストラ
クション信号によるCPU機能試験(以下「外部インス
トラクション試験」と略称する)などがある。この試験
を行う場合、まず試験用入力回路6から外部インストラ
クション入力端子TI1〜TIn(総称するときは参照
符7を用いる)を介してCPU3へ外部インストラクシ
ョン信号が、すなわち命令コードがCPU3に与えられ
る。試験用入力回路6は、CPU3のインストラクショ
ンサイクル(命令コードに基づいて処理を行う単位周
期)に同期して、命令コードを与えるため、発振回路8
からのクロック信号φ1,クロック信号φ2をクロック
出力端子から入力して同期をとっている。
The function test of the CPU 2 includes a CPU function test using an external instruction signal (hereinafter, abbreviated as “external instruction test”). When performing this test, first, an external instruction signal, that is, an instruction code is supplied from the test input circuit 6 to the CPU 3 through the external instruction input terminals TI1 to TIn (the reference numeral 7 is used when collectively referred to). The test input circuit 6 supplies an instruction code in synchronization with an instruction cycle of the CPU 3 (a unit cycle for performing processing based on the instruction code).
Clock signal φ1 and clock signal φ2 are input from a clock output terminal for synchronization.

【0005】次にCPU3に命令コードが与えられる
と、その命令コードに対応する出力値がCPU3からデ
ータバス9bを介して比較回路11に与えられる。ラン
ダムアクセスメモリ(以下「RAM」と略称する)12
は、予め複数の命令コードに対応する出力値を期待値と
して記憶しており、その中から対応する期待値がCPU
3によって読出され、比較回路11に出力される。した
がって、比較回路11は、その期待値を予めラッチし
て、CPU3から出力された出力値とを比較し、両方の
値が一致しているか否かの判定を行い、その判定結果を
CPU判定信号として出力端子19を介して試験装置2
へ出力する。このようにして試験装置2は、予め定めら
れた複数の命令コードに対して前述の外部インストラク
ション試験を繰返し、その判定結果に基づいてCPU3
の機能の判定を行う。
Next, when an instruction code is given to the CPU 3, an output value corresponding to the instruction code is given from the CPU 3 to the comparison circuit 11 via the data bus 9b. Random access memory (hereinafter abbreviated as “RAM”) 12
Stores, in advance, output values corresponding to a plurality of instruction codes as expected values, and the expected value corresponding to the
3 and output to the comparison circuit 11. Therefore, the comparison circuit 11 latches the expected value in advance, compares it with the output value output from the CPU 3, determines whether or not both values match, and outputs the determination result to the CPU determination signal. Test device 2 via output terminal 19
Output to In this way, the test apparatus 2 repeats the above-described external instruction test for a plurality of predetermined instruction codes, and based on the determination result,
Function is determined.

【0006】また、ROM4の機能試験にはROM−D
UMP試験などがある。この試験を行う場合、カウンタ
15は、発振回路8から出力されるクロック信号φ2に
同期して、インストラクションサイクルの周期毎に順次
カウント値をインクリメントし、そのカウント値を順次
アドレス信号としてアドレスバス10aを介してROM
4に与える。
[0006] In addition, a ROM-D
UMP test and so on. When performing this test, the counter 15 sequentially increments the count value in each cycle of the instruction cycle in synchronization with the clock signal φ2 output from the oscillation circuit 8, and uses the count value as an address signal in order to connect the address bus 10a to the address bus 10a. ROM through
Give to 4.

【0007】次にROM4は、そのアドレス信号が与え
られると、アドレス信号に対応する出力値がデータバス
9c、出力端子TRD1〜TRDn(総称するときは参
照符16を用いる)を介して試験装置2の比較回路17
へ出力する。比較回路17には、予め前述のROM4の
出力値に対応する期待値が格納されており、ROM4の
出力値とその期待値とを比較し、両方の値が一致してい
るか否かの判定を行う。このようにして、試験装置2は
予め定められた範囲のアドレスに対して、前述のROM
−DUMP試験を繰返し、その判定結果に基づいて、R
OM4の機能の判定を行う。
Next, when the address signal is applied to the ROM 4, the output value corresponding to the address signal is output to the test apparatus 2 via the data bus 9c and the output terminals TRD1 to TRDn (the reference numeral 16 is used when collectively referred to). Comparison circuit 17
Output to The comparison circuit 17 stores an expected value corresponding to the output value of the ROM 4 in advance, compares the output value of the ROM 4 with the expected value, and determines whether or not both values match. Do. In this manner, the test apparatus 2 stores the address in the predetermined range in the ROM
-The DUMP test is repeated, and R
The function of OM4 is determined.

【0008】以上のようにして、同一インストラクショ
ンサイクル内でCPU3の外部インストラクション試験
とROM4のDUMP試験とを同時に実施していた。
As described above, the external instruction test of the CPU 3 and the DUMP test of the ROM 4 are simultaneously performed within the same instruction cycle.

【0009】図6は、図5で示される外部インストラク
ション入力端子7およびROM出力端子16の詳細を示
す図である。外部インストラクション入力端子7および
ROM出力端子16は、それぞれn個の端子TI1〜T
Inおよび端子TRD1〜TRDnで形成される。
FIG. 6 is a diagram showing details of the external instruction input terminal 7 and the ROM output terminal 16 shown in FIG. The external instruction input terminal 7 and the ROM output terminal 16 have n terminals TI1 to T1, respectively.
In and terminals TRD1 to TRDn.

【0010】図7は、図6で示される外部インストラク
ション信号I1〜InとROM出力データRD1〜RD
nとを両方入出力できる試験用端子T1〜Tnの回路図
である。このように試験用端子を兼用とすると、図7で
示される試験用端子の数は、図6で示される試験用端子
の数に比較して、1/2に削減することができる。
FIG. 7 shows the external instruction signals I1-In and the ROM output data RD1-RD shown in FIG.
FIG. 3 is a circuit diagram of test terminals T1 to Tn that can input and output both n and n. When the test terminals are also used in this way, the number of test terminals shown in FIG. 7 can be reduced to half of the number of test terminals shown in FIG.

【0011】図8は、図7に示される試験用端子T1〜
Tnを、図5に示される半導体集積回路1に適用し、機
能試験を行ったときのタイムチャートである。この場合
は、外部インストラクション信号の入力端子とROM出
力データ信号の出力端子とを兼用しているので、外部イ
ンストラクション信号によるCPU機能試験とROM出
力データによるROM機能試験とを同時にすることがで
きない。したがって、試験用端子T1〜Tnにおいてク
ロック信号φ2に同期するインストラクションサイクル
(原振クロックX1の2周期分)毎に、外部インストラ
クション信号とROM出力データとを交互に入出力し
て、外部インストラクション試験とROM−DUMP試
験とを交互に実施する。
FIG. 8 shows test terminals T1 to T1 shown in FIG.
6 is a time chart when Tn is applied to the semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. 5 and a function test is performed. In this case, since the input terminal of the external instruction signal is also used as the output terminal of the ROM output data signal, the CPU function test by the external instruction signal and the ROM function test by the ROM output data cannot be performed at the same time. Therefore, the external instruction signal and the ROM output data are alternately input and output at each of the test cycles (two periods of the original clock X1) synchronized with the clock signal φ2 at the test terminals T1 to Tn. The ROM-DUMP test is performed alternately.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
においては、前述のように外部インストラクション信号
による外部インストラクション試験とROMの出力デー
タによるROM−DUMP試験とを同時に行う場合、そ
の試験を交互に行う場合に比べて、試験用の入出力端子
が大幅に増加する。したがって、半導体集積回路の製造
コストが増加する。
In the conventional semiconductor integrated circuit, when the external instruction test using the external instruction signal and the ROM-DUMP test using the output data of the ROM are simultaneously performed as described above, the tests are performed alternately. As compared with the case, the number of input / output terminals for the test is greatly increased. Therefore, the manufacturing cost of the semiconductor integrated circuit increases.

【0013】また、試験用の入出力端子を減少させるた
めに、入出力端子を兼用して外部インストラクション試
験とROM−DUMP試験とを交互に行うと、試験時間
が大幅に増加する。
Further, if the external instruction test and the ROM-DUMP test are alternately performed by using the input / output terminals alternately in order to reduce the number of test input / output terminals, the test time is greatly increased.

【0014】本発明の目的は、内蔵する中央演算処理回
路および記憶回路の機能テストを速く行うことができ、
かつ製造コストが低い半導体集積回路を提供することで
ある。
An object of the present invention is to quickly perform a function test of a built-in central processing circuit and a storage circuit,
Another object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit having a low manufacturing cost.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、外部の試験装
置から与えられる命令コードに基づいて、予め定める周
期で動作を実行する中央演算処理回路と、前記予め定め
る周期でデータの読出しが行われる記憶回路と、機能試
験時に、前記中央演算処理回路から出力される演算処理
結果と、予め記憶されているデータとを比較して、適否
を判定する第1の比較回路と、機能試験時に、前記記憶
回路から読出されるデータと、前記外部の試験装置から
与えられる期待値データとを比較して、適否を判定する
第2の比較回路と、前記外部の試験装置から前記予め定
める周期未満の周期で、命令コードと期待値データと
が、交互に与えられ、命令コードを前記予め定める周期
の間保持して前記中央演算処理回路に与え、期待値デー
タを前記予め定める周期の間保持して第2比較回路に与
える入力回路とを含むことを特徴とする半導体集積回路
である。
According to the present invention, there is provided a central processing circuit for executing an operation at a predetermined cycle based on an instruction code given from an external test apparatus, and a data read-out at a predetermined cycle. A first comparison circuit that compares the arithmetic processing result output from the central processing circuit with data stored in advance at the time of the function test, A second comparison circuit that compares data read from the storage circuit with expected value data given from the external test device to determine whether or not it is appropriate; In the cycle, the instruction code and the expected value data are alternately given, and the instruction code is held for the predetermined period and given to the central processing unit, and the expected value data is set in the predetermined value. A semiconductor integrated circuit which comprises an input circuit providing a second comparator circuit to hold between phases.

【0016】[0016]

【作用】以上のように本発明に従えば、中央演算処理回
路は、外部の試験装置から与えられる命令コードに基づ
いて、予め定める周期で動作を実行し、記憶回路は、そ
の予め定める周期でデータの読出しが行われる。機能試
験を行う場合、第1の比較回路は、中央演算処理回路か
ら出力される演算処理結果と、予め記憶されているデー
タとを比較して、適否を判定し、第2の比較回路は、記
憶から読出されるデータと、外部の試験装置から与えら
れる期待値データとを比較して、適否を判定する。この
とき、入力回路には、外部の試験装置から前記予め定め
る周期未満の周期で、命令コードと期待値データとが、
交互に与えられる。入力回路は、命令コードを前記予め
定める周期の間保持して中央演算処理回路に与え、期待
値データを前記予め定める期間の間保持して第2比較回
路に与える。したがって、中央演算処理回路の機能試験
と記憶回路の機能試験とを同じ入力端子を兼用して信号
を入力して、同時に機能試験を行うことができ、入力端
子の数も増加しない。
As described above, according to the present invention, the central processing unit executes an operation at a predetermined cycle based on an instruction code given from an external test apparatus, and the storage circuit operates at the predetermined cycle. Data reading is performed. When performing a functional test, the first comparison circuit compares the operation processing result output from the central processing circuit with data stored in advance to determine whether or not it is appropriate. Appropriateness is determined by comparing data read from the storage with expected value data provided from an external test apparatus. At this time, the instruction code and the expected value data are input to the input circuit at a cycle shorter than the predetermined cycle from an external test apparatus.
Given alternately. The input circuit holds the instruction code for the predetermined period and supplies it to the central processing unit, and holds the expected value data for the predetermined period and supplies it to the second comparison circuit. Therefore, the function test of the central processing circuit and the function test of the storage circuit can be performed by simultaneously inputting a signal using the same input terminal and performing the function test simultaneously, and the number of input terminals does not increase.

【0017】また、第2の比較回路を設けることによっ
て、第2の比較回路から外部へ出力する信号は、判定結
果の信号だけでよいので、出力端子の数を大幅に減少す
ることができる。
Further, by providing the second comparison circuit, the signal to be output from the second comparison circuit to the outside only needs to be the signal of the determination result, so that the number of output terminals can be greatly reduced.

【0018】[0018]

【実施例】図1は、本発明の一実施例の半導体集積回路
31およびその機能試験を行うための試験装置32の電
気的構成を示すブロック図である。半導体集積回路31
は、中央演算処理回路(以下「CPU」と略称する)3
3、読出し専用メモリ(以下「ROM」と略称する)3
4などを含み、その機能試験について以下に説明する。
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a semiconductor integrated circuit 31 according to an embodiment of the present invention and a test apparatus 32 for performing a function test thereof. Semiconductor integrated circuit 31
Is a central processing unit (hereinafter abbreviated as “CPU”) 3
3. Read-only memory (hereinafter abbreviated as “ROM”) 3
4 and the like, and the function test will be described below.

【0019】CPU32の機能試験には、外部インスト
ラクション信号によるCPU機能試験(以下「外部イン
ストラクション試験」と略称する)などがあり、ROM
34の機能試験にはROM−DUMP試験などがある。
この実施例においては、前述の外部インストラクション
試験とROM−DUMP試験とを図2に示されるタイム
チャートに基づいて同時に行う。
The function test of the CPU 32 includes a CPU function test using an external instruction signal (hereinafter, abbreviated as "external instruction test") and the like.
The 34 functional tests include a ROM-DUMP test and the like.
In this embodiment, the above-described external instruction test and ROM-DUMP test are simultaneously performed based on the time chart shown in FIG.

【0020】試験装置32の試験用入力装置36から、
外部試験入力信号Aが、試験兼用端子TP1〜TPn
(総称するときは参照符37を用いる)に入力される。
外部試験入力信号Aは、図2で示されるように外部イン
ストラクション入力信号BとROM期待値入力信号Cと
がそれぞれの半分の周期において、時分割で合成されて
いる。インストラクションサイクル(CPUなどが命令
コードに基づいて処理を行う単位時間)t1毎に、クロ
ック信号φ2の立上がりに同期して時間t3において外
部インストラクション信号A1が出力され、クロック信
号φ1の立上がりに同期して時間t4においてROM期
待値入力信号A2が出力される。クロック信号φ1、ク
ロック信号φ2は、クロック原振信号Xに基づいて生成
され、発振回路38から出力される。発振回路38から
試験用入力回路36には、クロック信号φ1,φ2が出
力され、試験用入力回路36は、このクロック信号φ
1,φ2に基づいて外部試験入力信号Aを生成する。
From the test input device 36 of the test device 32,
When the external test input signal A is applied to the test terminals TP1 to TPn
(The reference numeral 37 is used when collectively referred to).
In the external test input signal A, as shown in FIG. 2, the external instruction input signal B and the ROM expected value input signal C are combined in a time-division manner in each half cycle. An external instruction signal A1 is output at time t3 in synchronization with the rising of the clock signal φ2 at every instruction cycle (a unit time at which the CPU or the like performs processing based on the instruction code), and in synchronization with the rising of the clock signal φ1. At time t4, ROM expected value input signal A2 is output. The clock signal φ1 and the clock signal φ2 are generated based on the original clock signal X and output from the oscillation circuit 38. Clock signals φ1 and φ2 are output from the oscillation circuit 38 to the test input circuit 36, and the test input circuit 36
An external test input signal A is generated based on 1, φ2.

【0021】図3で示されるように試験兼用端子TP1
〜TPnは、外部試験入力信号A、通常入出力信号Pを
兼用して入出力することができる。外部インストラクシ
ョン信号の命令コードおよびROM期待値入力信号のデ
ータなどは、nビットで構成されているので、その信号
が入出力する試験兼用端子37の数はn個になる。
As shown in FIG. 3, the test / shared terminal TP1
To TPn can be input / output by using both the external test input signal A and the normal input / output signal P. Since the instruction code of the external instruction signal and the data of the ROM expected value input signal are composed of n bits, the number of the test / shared terminals 37 to which the signal is input / output is n.

【0022】試験兼用端子TP1〜TPnに入力された
試験用入力信号Aに含まれる外部インストラクション信
号A1は、ラッチ回路51においてクロック信号φ2に
よってラッチされ、外部インストラクション入力信号B
が生成される。また、試験用入力信号Aに含まれるRO
M期待値入力信号A2は、ラッチ回路52においてクロ
ック信号φ1によってラッチされ、ROM期待値入力信
号Cが生成される。この外部インストラクション信号B
とROM期待値入力信号Cは、図2で示されるように、
それぞれクロック信号φ2、クロック信号φ1に同期し
て、インストラクションサイクルの周期t1毎に出力さ
れる。
The external instruction signal A1 included in the test input signal A input to the test / shared terminals TP1 to TPn is latched by the clock signal φ2 in the latch circuit 51, and the external instruction input signal B
Is generated. In addition, RO included in test input signal A
The M expected value input signal A2 is latched by the clock signal φ1 in the latch circuit 52, and the ROM expected value input signal C is generated. This external instruction signal B
And the ROM expected value input signal C, as shown in FIG.
It is output in each cycle t1 of the instruction cycle in synchronization with the clock signal φ2 and the clock signal φ1.

【0023】次に、外部インストラクション信号Bは、
データバス39aを介してCPU33に入力され、すな
わちCPU33に命令コードが与えられる。CPU33
に命令コードが与えられると、その命令コードに対応す
る出力値がデータバス39bを介して比較回路41に与
えられる。ランダムアクセスメモリ(以下「RAM」と
略称する)42は、予め複数の命令コードに対応する出
力値を期待値として記憶しており、その中から対応する
期待値がCPU33によって読出され、比較回路41に
出力される。したがって、比較回路41は、その出力さ
れた期待値をラッチし、CPU33から出力された出力
値とを比較し、両方の値が一致しているか否かの判定を
行い、その判定結果をCPU判定出力信号として出力端
子46を介して試験装置32に出力する。このようにし
て試験装置32は予め定められた複数の命令コードに対
して前述の外部インストラクション試験を繰返し、その
判定結果に基づいてCPU33の機能の判定を行う。
Next, the external instruction signal B is
The instruction code is input to the CPU 33 via the data bus 39a, that is, an instruction code is given to the CPU 33. CPU33
, An output value corresponding to the instruction code is supplied to the comparison circuit 41 via the data bus 39b. The random access memory (hereinafter abbreviated as “RAM”) 42 previously stores output values corresponding to a plurality of instruction codes as expected values, from which the corresponding expected values are read out by the CPU 33, and the comparison circuit 41 Is output to Therefore, the comparison circuit 41 latches the output expected value, compares the output value output from the CPU 33 with the output value, determines whether or not both values match, and determines the determination result by the CPU determination. The output signal is output to the test device 32 via the output terminal 46. Thus, the test apparatus 32 repeats the above-described external instruction test for a plurality of predetermined instruction codes, and determines the function of the CPU 33 based on the determination result.

【0024】次にROM期待値入力信号Cは、比較回路
45へ出力される。また、カウンタ35は、発振回路3
8から出力されるクロック信号φ2に同期して、順次カ
ウント値をインクリメントし、そのカウント値を順次ア
ドレス信号としてアドレスバス10aを介してROM3
4に与える。ROM34は、アドレス信号が与えられる
と、そのアドレス信号に対応する内部ROMデータDが
データバス39cを介して比較回路45へ出力される。
したがって、比較回路45は、ROM期待値入力信号C
の値と内部ROMデータDの値との比較を行い、両方の
値が一致しているか否かの判定を行い、その判定結果を
ROM判定出力信号として出力端子47を介して試験装
置32に出力する。
Next, the ROM expected value input signal C is output to the comparison circuit 45. In addition, the counter 35 includes the oscillation circuit 3
8 is sequentially incremented in synchronization with the clock signal φ2 output from the ROM 8, and the count value is sequentially used as an address signal in the ROM 3 via the address bus 10a.
Give to 4. When an address signal is applied to ROM 34, internal ROM data D corresponding to the address signal is output to comparison circuit 45 via data bus 39c.
Therefore, the comparison circuit 45 outputs the ROM expected value input signal C
Is compared with the value of the internal ROM data D, it is determined whether or not both values match, and the determination result is output to the test apparatus 32 via the output terminal 47 as a ROM determination output signal. I do.

【0025】このようにして、試験装置2は、予め定め
られた範囲のアドレスに対して、前述の機能試験を繰返
し、その判定結果に基づいて、ROM43の機能の判定
を行う。
As described above, the test apparatus 2 repeats the above-described function test for the address in the predetermined range, and determines the function of the ROM 43 based on the determination result.

【0026】ROM期待値入力信号Cと内部ROMデー
タDは、図2で示されるように、同じ周期(インストラ
クションサイクルt1)であるけれども、ROM期待値
入力信号の位相は、内部ROMデータDの位相より時間
t3、すなわちインストラクションサイクルt1の1/
2周期分遅れている。したがって、インストラクション
サイクルt1毎に、時間t4においてのみROM期待値
入力信号Cの値と内部ROMデータDの値とを比較する
ことができる。また、比較回路45では、比較回路45
においてデータの値を比較した結果、データの値が一致
した場合は、ROM判定出力信号Fをハイレベルで出力
し、一致しない場合は、ROM判定出力信号をローレベ
ルで出力する。また、ROMテストストローブ信号G
は、ROM判定出力信号が安定するタイミングで出力さ
れ、ROMデータストローブ信号Gに同期して、判定回
路出力信号Fのレベルを判断すると、正確な比較回路4
5の判定結果を得ることができる。
Although the expected ROM input signal C and the internal ROM data D have the same period (instruction cycle t1) as shown in FIG. 2, the phase of the expected ROM input signal is the same as that of the internal ROM data D. Time t3, that is, 1/1 of instruction cycle t1
Two cycles late. Therefore, the value of the expected ROM input signal C and the value of the internal ROM data D can be compared only at time t4 for each instruction cycle t1. Also, in the comparison circuit 45, the comparison circuit 45
As a result of comparing the data values in the above, if the data values match, the ROM determination output signal F is output at a high level; otherwise, the ROM determination output signal F is output at a low level. Also, the ROM test strobe signal G
Is output at a timing when the ROM determination output signal is stabilized. When the level of the determination circuit output signal F is determined in synchronization with the ROM data strobe signal G, the accurate comparison circuit 4
5 can be obtained.

【0027】図4は、比較回路45の電気回路図であ
る。比較回路45は、EX.NORゲート61〜6nお
よびANDゲート70から構成される。n個のEX.N
ORゲート61〜6nは、nビットから成る内部ROM
データDとROM期待値入力信号Cとを、対応する各ビ
ット毎に比較を行う。内部ROMデータDとROM期待
値入力Cの対応する各ビットにおける値が等しい場合、
すなわち、いずれの信号もローレベルまたはハイレベル
のとき、比較回路45の出力Eはハイレベルになる。
FIG. 4 is an electric circuit diagram of the comparison circuit 45. The comparison circuit 45 includes the EX. It comprises NOR gates 61 to 6n and an AND gate 70. n EX. N
OR gates 61 to 6n are composed of an n-bit internal ROM.
The data D and the expected ROM input signal C are compared for each corresponding bit. When the values of the corresponding bits of the internal ROM data D and the ROM expected value input C are equal,
That is, when any of the signals is at the low level or the high level, the output E of the comparison circuit 45 is at the high level.

【0028】したがって、内部ROMデータDとROM
期待値入力信号Cの対応するすべてのビットの値が等し
い場合は、ANDゲート70の入力はすべてハイレベル
になるので、ANDゲート70の出力、すなわち、RO
M判定出力信号Fはハイレベルとなる。また、内部RO
MデータDとROM期待値入力信号Cとの対応するビッ
トの値が1つでも異なると、ANDゲート70出力はロ
ーレベルになるので、ROM判定出力信号Fはローレベ
ルになる。
Therefore, the internal ROM data D and the ROM
If the values of all corresponding bits of the expected value input signal C are equal, the inputs of the AND gate 70 all go high, so that the output of the AND gate 70, that is, RO
The M determination output signal F becomes high level. Also, internal RO
If at least one corresponding bit value of the M data D and the ROM expected value input signal C is different, the output of the AND gate 70 becomes low level, so that the ROM determination output signal F becomes low level.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、記憶回路
の期待値入力と、中央演算処理回路への命令コードを時
分割して、同一の入力端子へ予め定める周期未満の周期
で、交互に入力を行い、その予め定める周期毎にそれぞ
れラッチすることによって、記憶回路および中央演算処
理回路の機能試験を同時に実行することができる。した
がって、この機能試験にかかる時間を大幅に短縮するこ
とができる。また、期待値入力と命令コードとを入力す
る端子を兼用することによって、入力端子の数も増加し
ない。
As described above, according to the present invention, the expected value input of the storage circuit and the instruction code to the central processing unit are time-divisionally divided into the same input terminal with a period shorter than a predetermined period. By alternately inputting data and latching the data at predetermined intervals, the function tests of the storage circuit and the central processing circuit can be performed simultaneously. Therefore, the time required for the function test can be significantly reduced. Also, by using the terminal for inputting the expected value and the terminal for inputting the instruction code, the number of input terminals does not increase.

【0030】さらに、記憶回路の機能試験において、記
憶回路からの出力値と期待値とを比較する第2の比較回
路を内部に設けることによって、その判定結果のみを外
部に出力すればよいので、出力端子も大幅に削減するこ
とができる。
Further, in the function test of the storage circuit, a second comparison circuit for comparing the output value from the storage circuit with the expected value is provided inside, so that only the determination result can be output to the outside. The number of output terminals can be greatly reduced.

【0031】したがって、本発明の半導体集積回路を用
いることによって、内蔵する中央演算処理回路および記
憶回路の機能テストを速く行うことができ、かつ半導体
集積回路の製造コストを低減することができる。
Therefore, by using the semiconductor integrated circuit of the present invention, the function test of the built-in central processing circuit and the storage circuit can be performed quickly, and the manufacturing cost of the semiconductor integrated circuit can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例の半導体集積回路31および
その機能試験を行うための試験装置2の電気的構成を示
すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a semiconductor integrated circuit 31 according to an embodiment of the present invention and a test apparatus 2 for performing a function test thereof.

【図2】図1で示される半導体集積回路31の機能試験
におけるタイムチャートである。
FIG. 2 is a time chart in a function test of the semiconductor integrated circuit 31 shown in FIG.

【図3】図1で示される試験兼用端子37を含む入力回
路の回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of an input circuit including a test / use terminal 37 shown in FIG.

【図4】図1で示される比較回路45の電気回路図であ
る。
FIG. 4 is an electric circuit diagram of a comparison circuit 45 shown in FIG.

【図5】従来の半導体集積回路1およびその機能試験を
行うための試験装置2の電気的構成を示すブロック図で
ある。
FIG. 5 is a block diagram showing an electrical configuration of a conventional semiconductor integrated circuit 1 and a test apparatus 2 for performing a function test thereof.

【図6】図5で示される外部インストラクション入力端
子7とROM出力端子16を示す回路図である。
6 is a circuit diagram showing an external instruction input terminal 7 and a ROM output terminal 16 shown in FIG.

【図7】従来の試験用端子T1〜Tnを含む入力回路の
回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram of a conventional input circuit including test terminals T1 to Tn.

【図8】従来の図7の試験端子を含む半導体集積回路の
機能試験におけるタイムチャートである。
8 is a time chart in a function test of a conventional semiconductor integrated circuit including the test terminal of FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

31 半導体集積回路 32 試験装置 33 CPU 34 ROM 35 カウンタ 36 試験用入力回路 37 試験兼用端子 38 発振回路 39 データバス 40 アドレスバス 42 RAM 41,45 比較回路 REFERENCE SIGNS LIST 31 semiconductor integrated circuit 32 test apparatus 33 CPU 34 ROM 35 counter 36 test input circuit 37 test / shared terminal 38 oscillation circuit 39 data bus 40 address bus 42 RAM 41, 45 comparison circuit

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 外部の試験装置から与えられる命令コー
ドに基づいて、予め定める周期で動作を実行する中央演
算処理回路と、 前記予め定める周期でデータの読出しが行われる記憶回
路と、 機能試験時に、前記中央演算処理回路から出力される演
算処理結果と、予め記憶されているデータとを比較し
て、適否を判定する第1の比較回路と、 機能試験時に、前記記憶回路から読出されるデータと、
前記外部の試験装置から与えられる期待値データとを比
較して、適否を判定する第2の比較回路と、 前記外部の試験装置から前記予め定める周期未満の周期
で、命令コードと期待値データとが、交互に与えられ、
命令コードを前記予め定める周期の間保持して前記中央
演算処理回路に与え、期待値データを前記予め定める周
期の間保持して第2比較回路に与える入力回路とを含む
ことを特徴とする半導体集積回路。
1. A central processing circuit for executing an operation at a predetermined cycle based on an instruction code given from an external test apparatus; a storage circuit for reading data at the predetermined cycle; A first comparison circuit that compares an arithmetic processing result output from the central processing circuit with data stored in advance and determines whether the data is appropriate, and a data read from the storage circuit during a functional test. When,
A second comparison circuit that compares the expected value data given from the external test device to determine whether or not the instruction code is correct; and a command code and expected value data that are shorter than the predetermined period from the external test device. Are given alternately,
An input circuit for holding an instruction code for the predetermined period and providing the instruction code to the central processing circuit, and holding expected value data for the predetermined period and providing the expected value data to a second comparison circuit. Integrated circuit.
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