JP2019116595A - Heat conduction material forming composition, heat conduction material, and device with heat conduction layer - Google Patents

Heat conduction material forming composition, heat conduction material, and device with heat conduction layer Download PDF

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JP2019116595A JP2017252317A JP2017252317A JP2019116595A JP 2019116595 A JP2019116595 A JP 2019116595A JP 2017252317 A JP2017252317 A JP 2017252317A JP 2017252317 A JP2017252317 A JP 2017252317A JP 2019116595 A JP2019116595 A JP 2019116595A
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慶太 高橋
Keita Takahashi
慶太 高橋
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Abstract

To provide a heat conduction material forming composition having excellent heat conductivity, a heat conduction material, and a device with a heat conduction layer.SOLUTION: A heat conduction material forming composition has a charge transfer complex, the charge transfer complex at least containing a disk-shaped compound. Alternatively, in the heat conduction material forming composition, the charge transfer complex may contain a disk-shaped compound and a compound having a redox potential to a saturated calomel electrode of 0 V or more.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、熱伝導材料形成用組成物、熱伝導材料、及び熱伝導層付きデバイスに関する。   The present invention relates to a composition for forming a heat transfer material, a heat transfer material, and a device with a heat transfer layer.

パーソナルコンピュータ、一般家電、及び自動車等の様々な電気機器に用いられているパワー半導体デバイスは、近年、小型化が急速に進んでいる。小型化に伴い高密度化されたパワー半導体デバイスから発生する熱の制御が困難になっている。
このような問題に対応するため、パワー半導体デバイスからの放熱を促進する熱伝導材料が用いられている。
例えば特許文献1に、トリフェニレン骨格のエポキシ樹脂と、硬化剤又は硬化促進剤と、無機フィラーとを含む熱伝導材料用エポキシ樹脂組成物、及び上記組成物を硬化させてなる熱伝導材料が開示されている。
Power semiconductor devices used in various electrical devices such as personal computers, general home appliances, and automobiles have been rapidly miniaturized in recent years. With the miniaturization, control of heat generated from a high density power semiconductor device has become difficult.
In order to cope with such a problem, a thermally conductive material is used which promotes heat dissipation from the power semiconductor device.
For example, Patent Document 1 discloses an epoxy resin composition for a heat conductive material containing an epoxy resin having a triphenylene skeleton, a curing agent or a curing accelerator, and an inorganic filler, and a thermally conductive material obtained by curing the above composition. ing.

特開2017−008153号公報JP, 2017-008153, A

本発明者らは、特許文献1に記載された熱伝導材料について検討したところ、熱伝導性が昨今求められている水準を満たしておらず、更なる改善が必要であることを明らかとした。   When the present inventors examined the heat conduction material described in patent document 1, it became clear that heat conductivity did not satisfy | fill the level currently calculated | required now, and the further improvement is required.

そこで、本発明は、熱伝導性に優れる熱伝導材料を与え得る熱伝導材料形成用組成物を提供することを課題とする。
また、本発明は、熱伝導材料形成用組成物により形成される熱伝導材料、及び熱伝導層付きデバイスを提供することをも課題とする。
Then, this invention makes it a subject to provide the composition for heat conductive material formation which can give the heat conductive material which is excellent in heat conductivity.
Another object of the present invention is to provide a thermally conductive material formed by the composition for forming a thermally conductive material, and a device with a thermally conductive layer.

本発明者らは、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、円盤状化合物を含む電荷移動錯体を用いることにより上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。
MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors discovered that the said subject could be solved by using the charge transfer complex containing a discotic compound as a result of earnestly examining in order to achieve the said subject, and completed this invention.
That is, it discovered that the said objective could be achieved by the following structures.

〔1〕 電荷移動錯体を含み、
上記電荷移動錯体が円盤状化合物を少なくとも含む、熱伝導材料形成用組成物。
〔2〕 上記電荷移動錯体が、上記円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が0V以上である化合物とからなる、〔1〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔3〕 上記電荷移動錯体が、上記円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が0V以上0.50V以下である化合物とからなる、〔2〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔4〕 上記円盤状化合物が、後述する式(D4)で表される化合物、後述する式(D16)で表される化合物からなる群より選ばれる、〔2〕又は〔3〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔5〕 上記円盤状化合物が、重合性基を含む、〔2〕〜〔4〕のいずれかに記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔6〕 上記電荷移動錯体が、互いに構造が異なる2種以上の円盤状化合物からなる、〔1〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔7〕 上記円盤状化合物のうち少なくとも1種が、重合性基を含む、〔6〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔8〕 上記円盤状化合物のうち、一方が重合性基を含み、他方が架橋性基を含む、〔7〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔9〕 上記電荷移動錯体が、後述する式(CR1)で表される部分構造を含む円盤状化合物、及び後述する式(CR2)で表される部分構造を含む円盤状化合物からなる群より選ばれる2種以上の円盤状化合物からなり、且つ、
上記2種以上の円盤状化合物は、上記部分構造が互いに異なる、〔6〕〜〔8〕のいずれかに記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔10〕 上記電荷移動錯体が、上記XCR11〜上記XCR16がいずれも−O−を表す上記式(CR1)で表される部分構造を含む円盤状化合物と、上記XCR11〜上記XCR16がいずれも−C(=O)−を表す上記式(CR1)で表される部分構造を含む円盤状化合物と、からなる、〔9〕に記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔11〕 更に、無機物を含む、〔1〕〜〔10〕のいずれかに記載の熱伝導材料形成用組成物。
〔12〕 〔1〕〜〔11〕のいずれかに記載の熱伝導材料形成用組成物を用いて形成される、熱伝導材料。
〔13〕 シート状である、〔12〕に記載の熱伝導材料。
〔14〕 デバイスと、上記デバイス上に配置された〔12〕又は〔13〕に記載の熱伝導材料を含む熱伝導層とを含む、熱伝導層付きデバイス。
[1] containing a charge transfer complex,
The composition for heat conductive material formation in which the said charge transfer complex contains a discotic compound at least.
[2] The composition for forming a heat conducting material according to [1], wherein the charge transfer complex is composed of the discotic compound and a compound having an oxidation reduction potential of 0 V or more with respect to a saturated calomel electrode.
[3] The composition for forming a heat transfer material according to [2], wherein the charge transfer complex is composed of the discotic compound and a compound having an oxidation reduction potential to the saturated calomel electrode of 0 V or more and 0.50 V or less.
[4] The heat according to [2] or [3], wherein the discotic compound is selected from the group consisting of a compound represented by Formula (D4) described later and a compound represented by Formula (D16) described later Composition for conductive material formation.
[5] The composition for forming a heat conductive material according to any one of [2] to [4], wherein the discotic compound contains a polymerizable group.
[6] The composition for forming a heat conductive material according to [1], wherein the charge transfer complex is composed of two or more discotic compounds having different structures.
[7] The composition for forming a heat conductive material according to [6], wherein at least one of the discotic compounds contains a polymerizable group.
[8] The composition for forming a heat conductive material according to [7], wherein one of the discotic compounds contains a polymerizable group and the other contains a crosslinkable group.
[9] The charge transfer complex is selected from the group consisting of a discotic compound containing a partial structure represented by Formula (CR1) described later and a discotic compound containing a partial structure represented by Formula (CR2) described later And two or more discotic compounds, and
The composition for forming a heat conductive material according to any one of [6] to [8], wherein the partial structures of the two or more kinds of discotic compounds are different from each other.
[10] A discotic compound including the partial structure represented by the above formula (CR1) in which the charge transfer complex represents any one of the above-mentioned X CR11 to the above X CR16 , and the above X CR11 to the above X CR16 The composition for heat conductive material formation as described in [9] which consists of a discotic compound which contains the partial structure represented by said Formula (CR1) which represents -C (= O)-in any case.
[11] The composition for forming a heat conductive material according to any one of [1] to [10], further containing an inorganic substance.
[12] A thermally conductive material formed using the composition for forming a thermally conductive material according to any one of [1] to [11].
[13] The thermally conductive material according to [12], which is in the form of a sheet.
[14] A device with a thermally conductive layer, comprising: a device; and a thermally conductive layer containing the thermally conductive material according to [12] or [13] disposed on the device.

本発明によれば、熱伝導性に優れる熱伝導材料を与え得る熱伝導材料形成用組成物を提供することができる。
また、本発明によれば、上記熱伝導材料形成用組成物により形成される熱伝導材料、及び熱伝導層付きデバイスを提供することができる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the composition for heat conductive material formation which can provide the heat conductive material which is excellent in heat conductivity can be provided.
Further, according to the present invention, it is possible to provide a thermally conductive material formed by the composition for forming a thermally conductive material and a device with a thermally conductive layer.

以下、本発明の熱伝導材料形成用組成物、熱伝導材料、及び熱伝導層付きデバイスについて詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に制限されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、オキシラニル基はエポキシ基とも呼ばれる官能基であり、例えば、飽和炭化水素環基の隣接する炭素原子2つがオキソ基(−O−)により結合してオキシラン環を形成している基等もオキシラニル基に含む。
Hereinafter, the composition for heat conductive material formation of the present invention, a heat conductive material, and a device with a heat conductive layer are explained in detail.
The description of the configuration requirements described below may be made based on the representative embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments.
In addition, in this specification, the numerical range represented using "-" means the range which includes the numerical value described before and after "-" as a lower limit and an upper limit.
In the present specification, an oxiranyl group is a functional group also referred to as an epoxy group, and for example, a group in which two adjacent carbon atoms of a saturated hydrocarbon ring group are linked via an oxo group (-O-) to form an oxirane ring. Etc. are also included in the oxiranyl group.

本明細書において、「(メタ)アクリロイル基」との記載は、「アクリロイル基及びメタクリロイル基のいずれか一方又は双方」の意味を表す。
本明細書において、「(メタ)アクリルアミド基」との記載は、「アクリルアミド基及びメタクリルアミド基のいずれか一方又は双方」の意味を表す。
In the present specification, the description of "(meth) acryloyl group" represents the meaning of "any one or both of an acryloyl group and a methacryloyl group".
In the present specification, the description “(meth) acrylamide group” means the meaning of “one or both of an acrylamide group and a methacrylamide group”.

なお、本明細書において、「置換基を有していてもよい」という場合の置換基の種類、置換基の位置、及び置換基の数は特に制限されない。置換基の数は例えば、1個、又は、2個以上が挙げられる。置換基の例としては水素原子を除く1価の非金属原子団が挙げられ、例えば、以下の置換基群Yから選択できる。   In addition, in this specification, the kind of substituent in the case of "it may have a substituent", the position of a substituent, and the number of substituents are not specifically limited. The number of substituents is, for example, one or two or more. Examples of the substituent include monovalent nonmetal atomic groups other than hydrogen atoms, and can be selected, for example, from the following substituent group Y.

置換基群Y:
ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、水酸基、アミノ基、カルボキシ基及びその共役塩基基、無水カルボン酸基、シアネートエステル基、不飽和重合性基、オキシラニル基、オキセタニル基、アジリジニル基、チオール基、イソシアネート基、チオイソシアネート基、アルデヒド基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SO3H)及びその共役塩基基、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、N−アシルスルファモイル基及びその共役塩基基、N−アルキルスルホニルスルファモイル基(−SO2NHSO2(alkyl))及びその共役塩基基、N−アリールスルホニルスルファモイル基(−SO2NHSO2(aryl))及びその共役塩基基、N−アルキルスルホニルカルバモイル基(−CONHSO2(alkyl))及びその共役塩基基、N−アリールスルホニルカルバモイル基(−CONHSO2(aryl))及びその共役塩基基、アルコキシシリル基(−Si(Oalkyl)3)、アリーロキシシリル基(−Si(Oaryl)3)、ヒドロキシシリル基(−Si(OH)3)及びその共役塩基基、ホスホノ基(−PO32)及びその共役塩基基、ジアルキルホスホノ基(−PO3(alkyl)2)、ジアリールホスホノ基(−PO3(aryl)2)、アルキルアリールホスホノ基(−PO3(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノ基(−PO3H(alkyl))及びその共役塩基基、モノアリールホスホノ基(−PO3H(aryl))及びその共役塩基基、ホスホノオキシ基(−OPO32)及びその共役塩基基、ジアルキルホスホノオキシ基(−OPO3(alkyl)2)、ジアリールホスホノオキシ基(−OPO3(aryl)2)、アルキルアリールホスホノオキシ基(−OPO3(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノオキシ基(−OPO3H(alkyl))及びその共役塩基基、モノアリールホスホノオキシ基(−OPO3H(aryl))及びその共役塩基基、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、及びアルキル基。
また、これらの置換基は、可能であるならば置換基同士、又は置換している基と結合して環を形成してもよい。
Substituent group Y:
Halogen atom (-F, -Br, -Cl, -I), hydroxyl group, amino group, carboxy group and its conjugate base group, carboxylic acid anhydride group, cyanate ester group, unsaturated polymerizable group, oxiranyl group, oxetanyl group, Aziridinyl group, thiol group, isocyanate group, thioisocyanate group, aldehyde group, alkoxy group, aryloxy group, alkylthio group, arylthio group, alkyldithio group, aryldithio group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkyl Carbamoyloxy group, N, N-diaryl car Moyloxy, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy, alkylsulfoxy, arylsulfoxy, acylthio, acylamino, N-alkylacylamino, N-arylacylamino, ureido, N'- Alkylureido group, N ', N'-dialkylureido group, N'-arylureido group, N', N'-diarylureido group, N'-alkyl-N'-arylureido group, N-alkylureido group, N -Aryl ureido group, N'-alkyl-N-alkyl ureido group, N'-alkyl-N-aryl ureido group, N ', N'-dialkyl-N-alkyl ureido group, N', N'-dialkyl-N -Aryl ureido group, N'-aryl-N-alkyl ureido group, N'-aryl-N-aryl ureido group, N ', N'-dia -N-alkylureido group, N ', N'-diaryl-N-arylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N-alkylureido group, N'-alkyl-N'-aryl-N -Aryl ureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl- N-arylcarbamoyl group, alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfo group (-SO 3 H) and its conjugate base group, alkoxysulfonyl group, aryloxysulfonyl group, sulfinamoyl group, N- Alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, sulfamoyl group, N -Alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N, N-diarylsulfamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, N-acyl Sulfamoyl group and its conjugated base group, N-aryl Le acylsulfamoyl group (-SO 2 NHSO 2 (alkyl) ) and its conjugated base group, N- aryl sulfonylsulfamoyl group (-SO 2 NHSO 2 (aryl) ) and its conjugated base group, N- alkylsulfonyl Carbamoyl group (-CONHSO 2 (alkyl)) and its conjugate base group, N-arylsulfonyl carbamoyl group (-CONHSO 2 (aryl)) and its conjugate base group, alkoxysilyl group (-Si (Oalkyl) 3 ), aryloxy Silyl group (-Si (Oaryl) 3 ), hydroxysilyl group (-Si (OH) 3 ) and its conjugate base group, phosphono group (-PO 3 H 2 ) and its conjugate base group, dialkyl phosphono group (-PO) 3 (alkyl) 2), diaryl phosphono group (-PO 3 (aryl) 2) , alkylaryl Ruhosuhono group (-PO 3 (alkyl) (aryl )), monoalkyl phosphono group (-PO 3 H (alkyl)) and its conjugated base group, monoaryl phosphono group (-PO 3 H (aryl)) and its Conjugated base group, phosphonooxy group (-OPO 3 H 2 ) and conjugated base group thereof, dialkyl phosphonoxy group (-OPO 3 (alkyl) 2 ), diarylphosphonoxy group (-OPO 3 (aryl) 2 ), alkyl aryl phosphono group (-OPO 3 (alkyl) (aryl )), monoalkyl phosphono group (-OPO 3 H (alkyl)) and its conjugated base group, monoarylphosphono group (-OPO 3 H ( aryl) and its conjugated base group, cyano group, nitro group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, and alkyl group.
In addition, if possible, these substituents may be combined with each other or with a substituted group to form a ring.

なお、不飽和重合性基としては、例えば、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリルアミド基、及び以下に示すQ1〜Q7で表される置換基等が挙げられる。   In addition, as an unsaturated polymerizable group, the substituent etc. which are represented by (meth) acryloyl group, a (meth) acrylamide group, and Q1-Q7 shown below are mentioned, for example.

〔熱伝導材料形成用組成物〕
本発明の熱伝導材料形成用組成物(以下、「本発明の組成物」ともいう。)の特徴点としては、円盤状化合物を少なくとも含む電荷移動錯体を含む点が挙げられる。
本明細書において、「電荷移動錯体」とは、電子供与性分子(電子供与体)と電子受容性分子(電子受容体)からなる分子間化合物であって、電荷移動相互作用を有するものをいう。
分子軌道論による電荷移動理論は、R.S.Mullikenにより定義されており、電子供与体D(electron donor)と電子受容体A(electron acceptor)より形成される錯体D・・Aの電荷移動量をδで示すと、下式が成り立ち、電子供与体又は電子受容体単独では現れない新しい吸収帯(電荷移動吸収帯)が長波長側に出現する。また、電子受容体の電子親和力が大きくなるにつれ、吸収極大の波長は長波長側にシフトする。
[Composition for forming heat conductive material]
The feature of the composition for forming a heat conductive material of the present invention (hereinafter, also referred to as “the composition of the present invention”) includes a point including a charge transfer complex containing at least a discotic compound.
As used herein, the term "charge transfer complex" refers to an intermolecular compound consisting of an electron donating molecule (electron donor) and an electron accepting molecule (electron acceptor) and having charge transfer interaction. .
The charge transfer theory by molecular orbital theory is described by R. S. The charge transfer amount of complex D ·· A, which is defined by Mulliken and is formed from an electron donor D (electron donor) and an electron acceptor A (electron acceptor), is represented by δ, the following equation holds, A new absorption band (charge transfer absorption band) which does not appear in the body or the electron acceptor alone appears in the long wavelength side. Also, as the electron affinity of the electron acceptor increases, the wavelength of the absorption maximum shifts to the long wavelength side.

本発明にて用いられる電荷移動錯体は、少なくとも円盤状化合物(例えば、トリフェニレン誘導体等)を含む。言い換えると、電荷移動錯体を形成する電子供与体及び電子受容体のいずれか少なくとも一方が、円盤状化合物である。
上記電子供与体及び上記電子受容体は、いずれも、錯体を形成する前においてはイオン化又は部分イオン化されておらず中性の化合物であり、これらが混合されて分子接近して初めて、電荷移動が生じて錯体が形成される。
The charge transfer complex used in the present invention contains at least a discotic compound (eg, triphenylene derivative etc.). In other words, at least one of the electron donor and the electron acceptor that forms the charge transfer complex is a discotic compound.
Both the electron donor and the electron acceptor are neutral compounds which are not ionized or partially ionized before forming a complex, and they are mixed to achieve charge transfer only when they approach molecules. It forms to form a complex.

上記構成により、本発明の組成物により形成される熱伝導材料は、熱伝導性に優れる。
この理由は詳細には明らかではないが、熱伝導材料形成用組成物から形成される熱伝導材料において、電荷移動錯体中の円盤状化合物が交互積層型配向又は分離積層型配向のいずれかの配向をとることによって秩序度の高い配向状態を形成し、この結果として熱伝導性が優れると推測している。
なお、本発明者らは検討により、円盤状の液晶化合物を配向させてカラムナー相とした場合、液晶化合物の配向規制力の及ぶ範囲は5μm程度の膜厚であるのに対して、上述のように電荷移動錯体の形態で円盤状化合物を配向させた場合、秩序度の高い配向状態をより厚い膜厚で達成できると推測している。つまり、電荷移動錯体の形態で円盤状化合物を配向させることで、例えば熱伝導シートのような膜厚の大きい(一般的に100μm程度)熱伝導部材においても円盤状化合物が高い秩序度で配向し、この結果として、優れた熱伝導性が発現すると考えている。
また、円盤状化合物が、中心核に対して放射状に反応性基(好ましくは重合性基)を含む側鎖を複数配することができる(つまり、熱伝導パスを広げやすい構造である)点も、熱伝導性の向上に寄与していると考えている。
なお、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、電荷移動錯体中の円盤状化合物は、円盤状液晶性化合物であることが好ましい。また、同様の理由により、本発明の組成物は、液晶性を示すことが好ましい。なお、電荷移動錯体中の円盤状化合物が液晶性を示す場合、通常、組成物も同様に液晶性を示す。
According to the above configuration, the thermally conductive material formed by the composition of the present invention is excellent in thermal conductivity.
The reason for this is not clear in detail, but in the heat conductive material formed from the composition for forming a heat conductive material, the discotic compound in the charge transfer complex has either an alternate layer orientation or an alternate layer orientation. It is assumed that the highly ordered state of orientation is formed by taking the, and as a result, the thermal conductivity is excellent.
The inventors of the present invention have studied that, when a discotic liquid crystal compound is aligned to form a columnar phase, the range over which the alignment control force of the liquid crystal compound extends is about 5 μm, as described above. In the case where the discotic compound is oriented in the form of a charge transfer complex, it is presumed that a highly ordered orientation can be achieved with a thicker film thickness. That is, by orienting the discotic compound in the form of charge transfer complex, the discotic compound is oriented with a high degree of order even in a thermally conductive member having a large film thickness (generally about 100 μm) such as a thermally conductive sheet. As a result, it is considered that excellent thermal conductivity is developed.
In addition, the discotic compound can arrange a plurality of side chains each including a reactive group (preferably, a polymerizable group) radially to the central nucleus (that is, it is a structure that easily expands the heat conduction path). It is thought that it contributes to the improvement of the thermal conductivity.
In addition, it is preferable that the discotic compound in a charge transfer complex is a discotic liquid crystalline compound at the point which the heat conductivity of a heat conductive material is more excellent. Moreover, for the same reason, the composition of the present invention preferably exhibits liquid crystallinity. When the discotic compound in the charge transfer complex exhibits liquid crystallinity, the composition generally exhibits liquid crystallinity as well.

以下、熱伝導材料形成用組成物に含まれる成分について詳述し、その後、熱伝導材料形成用組成物の製造方法及びその用途等について詳述する。   Hereinafter, the components contained in the composition for forming a heat transfer material will be described in detail, and then, the method for producing the composition for forming a heat transfer material, the use thereof and the like will be described in detail.

<電荷移動錯体>
上記組成物が含む電荷移動錯体は、電荷移動錯体を形成する電子供与体及び電子受容体のいずれか少なくとも一方が、円盤状化合物である。
<Charge transfer complex>
In the charge transfer complex contained in the above composition, at least one of the electron donor and the electron acceptor forming the charge transfer complex is a discotic compound.

上記電荷移動錯体としては、なかでも電子供与体及び電子受容体がいずれも有機物であることが好ましい。つまり、電荷移動錯体において、上記円盤状化合物とともに電荷移動錯体を形成する分子についても、有機物であることが好ましい。
円盤状化合物を含む電荷移動錯体の態様としては特に制限されないが、具体的な態様の一例として、以下に示す態様(1)及び態様(2)の電荷移動錯体が挙げられる。
態様(1):電子供与体及び電子受容体が互いに構造の異なる円盤状化合物である電荷移動錯体
態様(2):電子供与体が円盤状化合物であり、電子受容体が飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が0V以上である化合物である電荷移動錯体
Among the charge transfer complexes, the electron donor and the electron acceptor are preferably both organic substances. That is, in the charge transfer complex, it is preferable that the molecule forming the charge transfer complex with the discotic compound is also an organic substance.
The embodiment of the charge transfer complex containing a discotic compound is not particularly limited, but examples of the specific embodiment include the charge transfer complexes of the embodiments (1) and (2) described below.
Aspect (1): Charge transfer complex wherein the electron donor and the electron acceptor are discotic compounds having mutually different structures (2): The electron donor is a discotic compound, and the electron acceptor is a redox compound to a saturated calomel electrode Charge transfer complex which is a compound having a potential of 0 V or more

組成物中、電荷移動錯体は、1種のみを使用していてもよいし、2種以上を併用していてもよい。
組成物中における電荷移動錯体の含有量は特に制限されないが、組成物の全固形分に対して、例えば、0.01〜99.9質量%であり、0.01〜80質量%が好ましく、0.1〜65質量%がより好ましく、1〜50質量%が更に好ましい。なお、本明細書において、固形分とは、熱伝導材料を構成する成分であればよく、液体状であっても固形分に含まれる。
In the composition, only one type of charge transfer complex may be used, or two or more types may be used in combination.
Although the content of the charge transfer complex in the composition is not particularly limited, it is, for example, 0.01 to 99.9% by mass, preferably 0.01 to 80% by mass, with respect to the total solid content of the composition. 0.1-65 mass% is more preferable, and 1-50 mass% is further more preferable. In addition, in this specification, solid content should just be a component which comprises a heat conductive material, and even if it is liquid, it is contained in solid content.

以下に、まず、電荷移動錯体が含み得る円盤状化合物について説明する。
(円盤状化合物)
本明細書において「円盤状化合物」とは、少なくとも部分的に円盤状構造を含む化合物を意図する。
円盤状化合物としては、少なくとも芳香族環を有し、分子間のπ−π相互作用に基づくスタッキング構造を形成して柱状構造をとり得る化合物が好ましい。
また、円盤状化合物は、熱伝導パスが広がり、結果として熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、反応性基(好ましくは重合性基)を3〜8個含むことが好ましく、3〜6個含むことがより好ましい。なお、反応性基を3個以上有する円盤状化合物の硬化物は、ガラス転移温度が高く、優れた耐熱性を示す。
なお、反応性基とは、重合性基及び架橋性基を意図し、なかでも重合性基が好ましい。
重合性基の種類は特に制限されず、公知の重合性基が挙げられ、反応性の点から、付加重合反応が可能な官能基が好ましく、重合性エチレン性不飽和基又は環重合性基がより好ましい。重合性基としては、例えば、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、オキシラニル基、及びオキセタニル基等が挙げられ、なかでも、反応性の観点から、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、又はオキシラニル基が好ましい。なお、上記各基中の水素原子は、ハロゲン原子等他の置換基で置換されていてもよい。
また、架橋性基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、無水カルボン酸基、アミノ基、ハロゲン原子、イソシアネート基、シアノ基、アジリジニル基、チオール基、チオイソシアネート基、及びアルデヒド基等が挙げられる。
Below, the discotic compound which a charge transfer complex may contain is demonstrated first.
(Disc-like compounds)
By "disc-like compound" herein is intended a compound that at least partially comprises a disc-like structure.
As the discotic compound, a compound having at least an aromatic ring and capable of forming a stacking structure based on π-π interaction between molecules to form a columnar structure is preferable.
In addition, the discotic compound preferably contains 3 to 8 reactive groups (preferably, a polymerizable group) in that the heat conduction path is extended, and as a result, the heat conductivity of the heat conduction material is more excellent. It is more preferable to include six. The cured product of the discotic compound having three or more reactive groups has a high glass transition temperature and exhibits excellent heat resistance.
In addition, with a reactive group, a polymeric group and a crosslinkable group are intended, and among these, a polymeric group is preferable.
The type of the polymerizable group is not particularly limited, and may be a known polymerizable group. From the viewpoint of reactivity, a functional group capable of addition polymerization reaction is preferable, and a polymerizable ethylenically unsaturated group or a ring polymerizable group is preferred. More preferable. Examples of the polymerizable group include a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an oxiranyl group, and an oxetanyl group, among which a (meth) acryloyl group, a vinyl group or an oxiranyl group is preferable from the viewpoint of reactivity. preferable. In addition, the hydrogen atom in each said group may be substituted by other substituents, such as a halogen atom.
Moreover, as a crosslinkable group, a hydroxyl group, a carboxy group, a carboxylic acid anhydride group, an amino group, a halogen atom, an isocyanate group, a cyano group, an aziridinyl group, a thiol group, a thioisocyanate group, an aldehyde group etc. are mentioned, for example.

円盤状化合物は、液晶性を示す液晶化合物であっても、液晶性を示さない非液晶化合物であってもよいが、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、液晶化合物が好ましい。つまり、円盤状化合物としては、円盤状液晶化合物が好ましい。   The discotic compound may be a liquid crystal compound exhibiting liquid crystallinity or a non-liquid crystal compound not exhibiting liquid crystallinity, but a liquid crystal compound is preferable in that the thermal conductivity of the heat conductive material is more excellent. That is, as a discotic compound, a discotic liquid crystal compound is preferable.

円盤状化合物の具体例としては、C. Destrade et al., Mol. Crysr. Liq. Cryst., vol. 71, page 111 (1981) ;日本化学会編、季刊化学総説、No.22、液晶の化学、第5章、第10章第2節(1994);B. Kohne et al., Angew. Chem. Soc. Chem. Comm., page 1794 (1985);J. Zhang et al., J. Am. Chem. Soc., vol. 116, page 2655 (1994)、及び特許第4592225号に記載されている化合物が挙げられる。円盤状化合物としては、Angew.Chem.Int. Ed. 2012, 51, 7990−7993、及び特開平7−306317号公報に記載のトリフェニレン構造、並びに特開2007−2220号公報、及び特開2010−244038号公報に記載の3置換ベンゼン構造等が挙げられる。   Specific examples of the discotic compound include C.I. Destrade et al. , Mol. Crysr. Liq. Cryst. , Vol. 71, page 111 (1981); The Chemical Society of Japan, Ed. 22, Liquid Crystal Chemistry, Chapter 5, Chapter 10, Section 2 (1994); Kohne et al. , Angew. Chem. Soc. Chem. Comm. , Page 1794 (1985); Zhang et al. , J. Am. Chem. Soc. , Vol. 116, page 2655 (1994), and compounds described in patent 4592225. As discotic compounds, Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 51, 7990-7993 and the triphenylene structure described in JP-A-7-306317, and the trisubstituted benzene structure described in JP-A 2007-2220 and JP-A 2010-244038 .

円盤状化合物としては、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、以下に示す式(D1)〜(D17)のいずれかで表される化合物が好ましく、(D1)〜(D16)がより好ましい。
なお、以下の式中、「−LQ」は「−L−Q」を表し、「QL−」は「Q−L−」を表す。
As the discotic compound, a compound represented by any one of the formulas (D1) to (D17) shown below is preferable in that the heat conductivity of the heat conductive material is more excellent, and (D1) to (D16) are more preferable. preferable.
In the following formulas, "-LQ" represents "-L-Q" and "QL-" represents "Q-L-".

式(D1)〜(D15)中、Lは2価の連結基を表す。
熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、Lは、各々独立に、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−C(=O)−、−NH−、−O−、−S−、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる基であることが好ましく、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、−C(=O)−、−NH−、−O−、及び−S−からなる群より選ばれる基を2個以上組み合わせた基であることがより好ましい。
上記アルキレン基の炭素数としては、1〜12が好ましい。上記アルケニレン基の炭素数としては、2〜12が好ましい。上記アリーレン基の炭素数としては、10以下が好ましい。なお、上記アルキレン基、上記アルケニレン基、及び上記アリーレン基は、更に置換基を有していてもよい。上記置換基としては特に制限されないが、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ、アルコキシ基、及びアシルオキシ基等が挙げられる。
In formulas (D1) to (D15), L represents a divalent linking group.
L independently represents an alkylene group, an alkenylene group, an arylene group, -C (= O)-, -NH-, -O-, -S-, and-in that the thermal conductivity of the thermally conductive material is more excellent. It is preferably a group selected from the group consisting of these combinations, and is selected from the group consisting of an alkylene group, an alkenylene group, an arylene group, -C (= O)-, -NH-, -O-, and -S- It is more preferable that it is the group which combined two or more groups.
As a carbon number of the said alkylene group, 1-12 are preferable. As a carbon number of the said alkenylene group, 2-12 are preferable. As carbon number of the said arylene group, 10 or less is preferable. In addition, the said alkylene group, the said alkenylene group, and the said arylene group may have a substituent further. The substituent is not particularly limited, and examples thereof include an alkyl group, a halogen atom, cyano, an alkoxy group, and an acyloxy group.

Lの例を以下に示す。以下の例では、左側の結合手が式(D1)〜(D15)のいずれかで表される化合物の中心核(以下、単に「中心環」ともいう)に結合し、右側の結合手がQに結合する。
ALはアルキレン基又はアルケニレン基を意味し、ARはアリーレン基を意味する。
An example of L is shown below. In the following example, the bond on the left side is bonded to the central nucleus (hereinafter, also simply referred to as "central ring") of the compound represented by any one of formulas (D1) to (D15), and the bond on the right side is Q Bond to
AL means an alkylene group or an alkenylene group, and AR means an arylene group.

L101:−AL−C(=O)−O−AL−
L102:−AL−C(=O)−O−AL−O−
L103:−AL−C(=O)−O−AL−O−AL−
L104:−C(=O)−AR−O−AL−
L105:−C(=O)−AR−O−AL−O−
L106:−C(=O)−NH−AL−
L107:−NH−AL−O−
L108:−O−AL−
L109:−O−AL−O−
L101: -AL-C (= O) -O-AL-
L102: -AL-C (= O) -O-AL-O-
L103: -AL-C (= O) -O-AL-O-AL-
L104: -C (= O) -AR-O-AL-
L105: -C (= O) -AR-O-AL-O-
L106: -C (= O) -NH-AL-
L107: -NH-AL-O-
L108: -O-AL-
L109: -O-AL-O-

L110:−O−AL−O−C(=O)−NH−AL−
L111:−O−AL−S−AL−
L112:−O−C(=O)−AL−AR−O−AL−
L113:−O−C(=O)−AL−AR−O−AL−O−
L114:−O−C(=O)−AR−O−AL−C(=O)−
L115:−O−C(=O)−AR−O−AL−
L116:−O−C(=O)−AR−O−AL−O−
L117:−O−C(=O)−AR−O−AL−O−AL−
L118:−O−C(=O)−AR−O−AL−O−AL−O−
L119:−O−C(=O)−AR−O−AL−O−AL−O−AL−
L120:−O−C(=O)−AR−O−AL−O−AL−O−AL−O−
L121:−S−AL−
L122:−S−AL−O−
L123:−S−AL−S−AL−
L124:−S−AR−AL−
L125:−O−C(=O)−AL−
L126:−O−C(=O)−AL−O−
L127:−O−C(=O)−AR−O−AL−
L128:−O−C(=O)−AR−O−AL−O−C(=O)−AL−S−AR−
L129:−O−C(=O)−AL−S−AR−
L130:−O−C(=O)−AR−O−AL−O−C(=O)−AL−S−AL−
L131:−O−C(=O)−AL−S−AR−
L132:−O−AL−S−AR−
L133:−AL−C(=O)−O−AL−O−C(=O)−AL−S−AR−
L134:−AL−C(=O)−O−AL−O−C(=O)−AL−S−AL−
L135:−O−AL−O−AR−
L136:−O−AL−O−C(=O)−AR−
L137:−O−AL−NH−AR−
L138:−O−C(=O)−AL−O−AR−
L139:−O−C(=O)−AR−O−AL−O−AR−
L140:−AL−C(=O)−O−AR−
L141:−AL−C(=O)−O−AL−O−AR−
L142:−O−AL−O−AL−
L110: -O-AL-OC (= O) -NH-AL-
L111: -O-AL-S-AL-
L112: -O-C (= O) -AL-AR-O-AL-
L113: -O-C (= O) -AL-AR-O-AL-O-
L114: -O-C (= O) -AR-O-AL-C (= O)-
L115: -O-C (= O) -AR-O-AL-
L116: -O-C (= O) -AR-O-AL-O-
L117: -O-C (= O) -AR-O-AL-O-AL-
L118: -O-C (= O) -AR-O-AL-O-AL-O-
L119: -O-C (= O) -AR-O-AL-O-AL-O-AL-
L120: -O-C (= O) -AR-O-AL-O-AL-O-AL-O-
L121: -S-AL-
L122: -S-AL-O-
L123: -S-AL-S-AL-
L124: -S-AR-AL-
L125: -O-C (= O) -AL-
L126: -O-C (= O) -AL-O-
L127: -O-C (= O) -AR-O-AL-
L128: -O-C (= O) -AR-O-AL-O-C (= O) -AL-S-AR-
L129: -O-C (= O) -AL-S-AR-
L130: -O-C (= O) -AR-O-AL-O-C (= O) -AL-S-AL-
L131: -O-C (= O) -AL-S-AR-
L132: -O-AL-S-AR-
L133: -AL-C (= O) -O-AL-OC (= O) -AL-S-AR-
L134: -AL-C (= O) -O-AL-OC (= O) -AL-S-AL-
L135: -O-AL-O-AR-
L136: -O-AL-OC (= O) -AR-
L137: -O-AL-NH-AR-
L138: -O-C (= O) -AL-O-AR-
L139: -O-C (= O) -AR-O-AL-O-AR-
L140: -AL-C (= O) -O-AR-
L141: -AL-C (= O) -O-AL-O-AR-
L142: -O-AL-O-AL-

式(D1)〜(D15)中、Qは、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
上記置換基としては、上述した置換基群Yで例示される基が挙げられ、なかでも、反応性基が好ましく、不飽和重合性基、オキシラニル基、オキセタニル基、水酸基、カルボキシ基、無水カルボン酸基、アミノ基、ハロゲン原子、イソシアネート基、シアノ基、アジリジニル基、チオール基、チオイソシアネート基、又はアルデヒド基がより好ましい。
式(D1)〜(D15)中、1個以上のQは反応性基であることが好ましく、なかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、全てのQが反応性基を表すことが好ましい。なお、上記反応性基としては、重合性基が好ましく、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、オキシラニル基、又はオキセタニル基がより好ましく、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、又はオキシラニル基が更に好ましい。
In formulas (D1) to (D15), Q each independently represents a hydrogen atom or a substituent.
Examples of the substituent include the groups exemplified in the above-mentioned Substituent Group Y. Among them, a reactive group is preferable, and an unsaturated polymerizable group, an oxiranyl group, an oxetanyl group, a hydroxyl group, a carboxy group, a carboxylic acid anhydride Groups, amino groups, halogen atoms, isocyanate groups, cyano groups, aziridinyl groups, thiol groups, thioisocyanate groups, or aldehyde groups are more preferred.
In formulas (D1) to (D15), at least one Q is preferably a reactive group, and in particular, all Qs represent a reactive group in that the thermal conductivity of the heat conductive material is more excellent. Is preferred. The reactive group is preferably a polymerizable group, more preferably a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an oxiranyl group or an oxetanyl group, and still more preferably a (meth) acryloyl group, a vinyl group or an oxiranyl group.

式(D1)〜(D15)で表される化合物のなかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、式(D4)で表される化合物が好ましい。言い換えると、円盤状化合物の中心環はトリフェニレン環であることが好ましい。
式(D4)で表される化合物としては、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、式(XI)で表される化合物が好ましい。
Among the compounds represented by the formulas (D1) to (D15), the compound represented by the formula (D4) is preferable in that the thermal conductivity of the heat conductive material is more excellent. In other words, the central ring of the discotic compound is preferably a triphenylene ring.
As a compound represented by Formula (D4), the compound represented by Formula (XI) is preferable at the point which the heat conductivity of a heat conductive material is more excellent.

式(XI)中、R11、R12、R13、R14、R15、及びR16は、各々独立に、*−X11−L11−P11、又は*−X12−L12−Y12を表す。
なお、*はトリフェニレン環との結合位置を表す。
11、R12、R13、R14、R15、及びR16のうち、2個以上は、*−X11−L11−P11であり、3個以上が*−X11−L11−P11であることが好ましい。
なかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、R11及びR12のいずれか1個以上、R13及びR14のいずれか1個以上、並びに、R15及びR16のいずれか1個以上が、*−X11−L11−P11であることが好ましい。
11、R12、R13、R14、R15、及びR16が、全て、*−X11−L11−P11であることがより好ましい。加えて、R11、R12、R13、R14、R15、及びR16が、全て同一であることが更に好ましい。
Wherein (XI), R 11, R 12, R 13, R 14, R 15 and R 16, each independently, * - X 11 -L 11 -P 11, or * -X 12 -L 12 - representing the Y 12.
In addition, * represents a bonding position with a triphenylene ring.
R 11, R 12, R 13 , R 14, R 15, and of the R 16, two or more may, * - X 11 is -L 11 -P 11, 3 or more is * -X 11 -L 11 it is preferable that the -P 11.
Among them, any one or more of R 11 and R 12 , any one or more of R 13 and R 14 , and any one of R 15 and R 16 in that the thermal conductivity of the heat conductive material is more excellent. or one is * - is preferably X 11 -L 11 -P 11.
More preferably, all of R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , and R 16 are * -X 11 -L 11 -P 11 . In addition, it is further preferred that R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 and R 16 are all identical.

11は、各々独立に、単結合、−O−、−C(=O)−、−NH−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−OC(=O)NH−、−OC(=O)S−、−C(=O)O−、−C(=O)NH−、−C(=O)S−、−NHC(=O)−、−NHC(=O)O−、−NHC(=O)NH−、−NHC(=O)S−、−S−、−SC(=O)−、−SC(=O)O−、−SC(=O)NH−、又は−SC(=O)S−を表す。
なかでも、X11は、各々独立に、−O−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−OC(=O)NH−、−C(=O)O−、−C(=O)NH−、−NHC(=O)−、又は−NHC(=O)O−が好ましく、−O−、−OC(=O)−、−C(=O)O−、−OC(=O)NH−、又は−C(=O)NH−がより好ましく、−C(=O)O−が更に好ましい。
Each X 11 independently represents a single bond, -O-, -C (= O)-, -NH-, -OC (= O)-, -OC (= O) O-, -OC (= O) NH-, -OC (= O) S-, -C (= O) O-, -C (= O) NH-, -C (= O) S-, -NHC (= O)-, -NHC ( OO—, —NHC (= O) NH—, —NHC (= O) S—, —S—, —SC (= O) —, —SC (= O) O—, —SC (= O) And n represents an —NH— or —SC (= O) S—.
Among them, each X 11 independently represents —O—, —OC (= O) —, —OC (= O) O—, —OC (= O) NH—, —C (= O) O—, -C (= O) NH-, -NHC (= O)-, or -NHC (= O) O- is preferable, and -O-, -OC (= O)-, -C (= O) O-, -OC (= O) NH- or -C (= O) NH- is more preferable, and -C (= O) O- is more preferable.

11は、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。
2価の連結基の例としては、−O−、−OC(=O)−、−C(=O)O−、−S−、−NH−、アルキレン基(炭素数は、1〜10が好ましく、1〜8がより好ましく、1〜7が更に好ましい。)、アリーレン基(炭素数は、6〜20が好ましく、6〜14がより好ましく、6〜10が更に好ましい。)、又はこれらの組み合わせからなる基が挙げられる。
上記アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、及びヘプチレン基が挙げられる。
上記アリーレン基としては、1,4−フェニレン基、1,3−フェニレン基、1,4−ナフチレン基、1,5−ナフチレン基、及びアントラセニレン基が挙げられ、1,4−フェニレン基が好ましい。
Each L 11 independently represents a single bond or a divalent linking group.
Examples of the divalent linking group include -O-, -OC (= O)-, -C (= O) O-, -S-, -NH-, and an alkylene group (having 1 to 10 carbon atoms). Preferably, 1 to 8 are more preferable, and 1 to 7 are further preferable), an arylene group (having 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 14 and still more preferably 6 to 10 carbon atoms), or such The group which consists of a combination is mentioned.
Examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, and a heptylene group.
Examples of the arylene group include 1,4-phenylene group, 1,3-phenylene group, 1,4-naphthylene group, 1,5-naphthylene group, and anthracenylene group, and a 1,4-phenylene group is preferable.

上記アルキレン基及び上記アリーレン基はそれぞれ置換基を有していてもよい。置換基の数は、1〜3が好ましく、1がより好ましい。置換基の置換位置は特に制限されない。置換基としては、ハロゲン原子又は炭素数1〜3のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
上記アルキレン基及び上記アリーレン基は無置換であることも好ましい。なかでも、アルキレン基は無置換であることが好ましい。
The alkylene group and the arylene group may each have a substituent. The number of substituents is preferably 1 to 3, and more preferably 1. The substitution position of the substituent is not particularly limited. As a substituent, a halogen atom or a C1-C3 alkyl group is preferable, and a methyl group is more preferable.
It is also preferable that the said alkylene group and the said arylene group are unsubstituted. Among them, the alkylene group is preferably unsubstituted.

−X11−L11−の例として、上述のLの例であるL101〜L142が挙げられる。 Examples of -X 11 -L 11- include L101 to L142 which are the examples of L described above.

11は、反応性基を表す。なお、反応性基の定義は上述のとおりである。
11としては、なかでも、反応性の観点から、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、又はオキシラニル基が好ましい。なお、上記各基中の水素原子は、ハロゲン原子等他の置換基で置換されていてもよい。
なお、P11が水酸基である場合、L11はアリーレン基を含み、このアリーレン基はP11と結合していることが好ましい。
P 11 represents a reactive group. The definition of the reactive group is as described above.
Among them, as P 11 , a (meth) acryloyl group, a vinyl group or an oxiranyl group is preferable from the viewpoint of reactivity. In addition, the hydrogen atom in each said group may be substituted by other substituents, such as a halogen atom.
When P 11 is a hydroxyl group, L 11 preferably includes an arylene group, and the arylene group is preferably bonded to P 11 .

12は、X11と同様であり、好適な条件も同様である。
12は、L11と同様であり、好適な条件も同様である。
−X12−L12−の例として、上述のLの例であるL101〜L142が挙げられる。
X 12 is the same as X 11 , and preferred conditions are also the same.
L 12 is the same as L 11 , and preferred conditions are also the same.
-X 12 -L 12 - Examples of include L101~L142 examples of the above-mentioned L.

12は、水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基、又は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基において1個又は2個以上のメチレン基が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−、又は−C(=O)O−で置換された基を表す。 Y 12 is a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; pieces or two or more methylene groups are -O -, - S -, - NH -, - N (CH 3) -, - C (= O) -, - OC (= O) -, or -C (= O) represents a group substituted with O-.

12が、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基、又は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基において1個又は2個以上のメチレン基が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−、又は−C(=O)O−で置換された基の場合、Y12に含まれる水素原子の1個以上がハロゲン原子で置換されていてもよい。
12は、水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基、又は炭素数1〜20のアルキレンオキシド基が好ましく、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数1〜20のエチレンオキシド基若しくはプロピレンオキシド基がより好ましい。
Y 12 is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or 1 or 2 in a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms Or more methylene groups are —O—, —S—, —NH—, —N (CH 3 ) —, —C (= O) —, —OC (= O) —, or —C (= O) O In the case of a group substituted with-, one or more of the hydrogen atoms contained in Y 12 may be substituted with a halogen atom.
Y 12 is preferably a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an alkylene oxide group having 1 to 20 carbon atoms, and the linear or 1 to 12 carbon atoms A branched alkyl group or an ethylene oxide or propylene oxide group having 1 to 20 carbon atoms is more preferable.

式(XI)で表される化合物の具体例については、特開平7−281028号公報の段落番号0028〜0036、特開平7−306317号公報、特開2005−156822号公報の段落番号0016〜0018、特開2006−301614号公報の段落番号0067〜0072、及び液晶便覧(平成12年丸善株式会社発刊)330頁〜333頁に記載の化合物を参照することができる。   About the specific example of a compound represented by Formula (XI), Paragraph No. 0028 of Unexamined-Japanese-Patent No. 7-281028, Unexamined-Japanese-Patent No. 7-306317, Paragraph No. 0016-00182 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-156822. JP-A-2006-301614, Paragraph Nos. 0067 to 0072, and the liquid crystal handbook (published by Maruzen 2000), pages 330 to 333 can be referred to.

式(XI)で表される化合物は、特開平7−306317号公報、特開平7−281028号公報、特開2005−156822号公報、及び特開2006−301614号公報に記載の方法に準じて合成できる。   The compounds represented by the formula (XI) can be prepared according to the methods described in JP-A-7-306317, JP-A-7-281028, JP-A-2005-156822 and JP-A-2006-301614. It can be synthesized.

また、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、円盤状化合物として、式(D16)で表される化合物も好ましい。   Moreover, the compound represented by Formula (D16) as a discotic compound is also preferable at the point which the heat conductivity of a heat conductive material is more excellent.

式(D16)中、A2X、A3X、及びA4Xは、各々独立に、−CH=又は−N=を表す。なかでも、A2X、A3X、及びA4Xは、各々独立に、−CH=が好ましい。
17X、R18X、及びR19Xは、各々独立に、*−(X211X−Z21Xn21X−L21X−Qを表す。*は、中心環との結合位置を表す。
211Xは、各々独立に、単結合、−O−、−C(=O)−、−NH−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−OC(=O)NH−、−OC(=O)S−、−C(=O)O−、−C(=O)NH−、−C(=O)S−、−NHC(=O)−、−NHC(=O)O−、−NHC(=O)NH−、−NHC(=O)S−、−S−、−SC(=O)−、−SC(=O)O−、−SC(=O)NH−、又は−SC(=O)S−を表す。
21Xは、各々独立に、5員環若しくは6員環の芳香族環基、又は5員環若しくは6員環の非芳香族環基を表す。
21Xは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、式(D1)〜(D15)におけるQと同義であり、好適態様も同じである。
n21Xは、0〜3の整数を表す。n21Xが2以上の場合、複数存在する(X211X−Z21X)は、同一でも異なっていてもよい。
In formula (D16), A2X , A3X , and A4X respectively independently represent -CH = or -N =. Among them, A 2X , A 3X and A 4X are preferably each independently —CH =.
R 17X, R 18X, and R 19X are independently * - represents the (X 211X -Z 21X) n21X -L 21X -Q. * Represents the bonding position with the central ring.
X 211 X is each independently a single bond, -O-, -C (= O)-, -NH-, -OC (= O)-, -OC (= O) O-, -OC (= O) NH-, -OC (= O) S-, -C (= O) O-, -C (= O) NH-, -C (= O) S-, -NHC (= O)-, -NHC ( OO—, —NHC (= O) NH—, —NHC (= O) S—, —S—, —SC (= O) —, —SC (= O) O—, —SC (= O) And n represents an —NH— or —SC (= O) S—.
Z 21X each independently represents a 5- or 6-membered aromatic ring group, or a 5- or 6-membered non-aromatic ring group.
L 21 X represents a single bond or a divalent linking group.
Q is synonymous with Q in Formula (D1)-(D15), and its preferable aspect is also the same.
n21X represents an integer of 0 to 3; If n21X is 2 or more, there are a plurality (X 211X -Z 21X) may be the same or different.

式(D16)で表される化合物としては、式(XII)で表される化合物が好ましい。   As a compound represented by Formula (D16), the compound represented by Formula (XII) is preferable.

式(XII)中、A2、A3、及びA4は、各々独立に、−CH=又は−N=を表す。なかでも、A2、A3、及びA4は、−CH=が好ましい。言い換えると、円盤状化合物の中心環はベンゼン環であることも好ましい。 In formula (XII), A 2 , A 3 and A 4 each independently represent -CH = or -N =. Among them, A 2 , A 3 and A 4 are preferably —CH =. In other words, it is also preferable that the central ring of the discotic compound is a benzene ring.

17、R18、及びR19は、各々独立に、*−(X211−Z21n21−L21−P21、又は*−(X221−Z22n22−Y22を表す。*は中心環との結合位置を表す。
17、R18、及びR19のうち2個以上は、*−(X211−Z21n21−L21−P21である。熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、R17、R18、及びR19は全てが、*−(X211−Z21n21−L21−P21であることが好ましい。
加えて、R17、R18、及びR19が、全て同一であることが好ましい。
Each of R 17 , R 18 and R 19 independently represents *-(X 211 -Z 21 ) n 21 -L 21 -P 21 or *-(X 221 -Z 22 ) n 22 -Y 22 . * Represents the bonding position with the central ring.
Two or more of R 17 , R 18 and R 19 are *-(X 211 -Z 21 ) n 21 -L 21 -P 21 . It is preferable that all of R 17 , R 18 , and R 19 be *-(X 211 -Z 21 ) n 21 -L 21 -P 21 in that the heat conductivity of the heat conductive material is more excellent.
In addition, it is preferred that R 17 , R 18 and R 19 are all identical.

211及びX221は、各々独立に、単結合、−O−、−C(=O)−、−NH−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−OC(=O)NH−、−OC(=O)S−、−C(=O)O−、−C(=O)NH−、−C(=O)S−、−NHC(=O)−、−NHC(=O)O−、−NHC(=O)NH−、−NHC(=O)S−、−S−、−SC(=O)−、−SC(=O)O−、−SC(=O)NH−、又は−SC(=O)S−を表す。
なかでも、X211及びX221としては、各々独立に、単結合、−O−、−C(=O)O−、又は−OC(=O)−が好ましい。
Each of X 211 and X 221 independently represents a single bond, -O-, -C (= O)-, -NH-, -OC (= O)-, -OC (= O) O-, -OC ( = O) NH-, -OC (= O) S-, -C (= O) O-, -C (= O) NH-, -C (= O) S-, -NHC (= O)-, -NHC (= O) O-, -NHC (= O) NH-, -NHC (= O) S-, -S-, -SC (= O)-, -SC (= O) O-, -SC (= O) NH- or -SC (= O) S-.
Among them, each of X 211 and X 221 is preferably independently a single bond, -O-, -C (= O) O-, or -OC (= O)-.

21及びZ22は、各々独立に、5員環若しくは6員環の芳香族環基、又は5員環若しくは6員環の非芳香族環基を表し、例えば、1,4−フェニレン基、1,3−フェニレン基、及び芳香族複素環基が挙げられる。 Z 21 and Z 22 each independently represent a 5- or 6-membered aromatic ring group, or a 5- or 6-membered non-aromatic ring group, for example, a 1,4-phenylene group, There may be mentioned 1,3-phenylene and aromatic heterocyclic groups.

上記芳香族環基及び上記非芳香族環基は、置換基を有していてもよい。置換基の数は1又は2が好ましく、1がより好ましい。置換基の置換位置は、特に制限されない。置換基としては、ハロゲン原子又はメチル基が好ましい。上記芳香族環基及び上記非芳香族環基は無置換であることも好ましい。   The aromatic ring group and the non-aromatic ring group may have a substituent. The number of substituents is preferably 1 or 2, and more preferably 1. The substitution position of the substituent is not particularly limited. As a substituent, a halogen atom or a methyl group is preferable. It is also preferable that the said aromatic ring group and the said non-aromatic ring group are unsubstituted.

芳香族複素環基としては、例えば、以下の芳香族複素環基が挙げられる。
As an aromatic heterocyclic group, the following aromatic heterocyclic groups are mentioned, for example.

式中、*はX211又はX221に結合する部位を表す。**はX212又はX222に結合する部位を表す。A41及びA42は、各々独立に、メチン基又は窒素原子を表す。X4は、酸素原子、硫黄原子、メチレン基、又はイミノ基を表す。
41及びA42は、少なくとも一方が窒素原子であることが好ましく、両方が窒素原子であることがより好ましい。また、X4は、酸素原子であることが好ましい。
In formula, * represents the site | part which couple | bonds with X211 or X221 . ** represents a site that binds to X 212 or X 222 . Each of A 41 and A 42 independently represents a methine group or a nitrogen atom. X 4 represents an oxygen atom, a sulfur atom, a methylene group or an imino group.
At least one of A 41 and A 42 is preferably a nitrogen atom, and more preferably both are nitrogen atoms. In addition, X 4 is preferably an oxygen atom.

後述するn21及びn22が2以上の場合、複数存在する(X211−Z21)及び(X221−Z22)は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。 For described below n21 and n22 is 2 or more, there are a plurality (X 211 -Z 21) and (X 221 -Z 22) may each be the same or different.

21は、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表し、上述した式(XI)におけるL11と同義である。L21としては、−O−、−OC(=O)−、−C(=O)O−、−S−、−NH−、アルキレン基(炭素数は、1〜10が好ましく、1〜8がより好ましく、1〜7が更に好ましい。)、アリーレン基(炭素数は、6〜20が好ましく、6〜14がより好ましく、6〜10が更に好ましい。)、又はこれらの組み合わせからなる基が好ましい。 L 21 each independently represents a single bond or a divalent linking group, and has the same meaning as L 11 in formula (XI) described above. L 21 is —O—, —OC (= O) —, —C (= O) O—, —S—, —NH— or an alkylene group (the number of carbon atoms is preferably 1 to 10, 1 to 8) Is more preferable, 1 to 7 is further preferable), an arylene group (having 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 14 and still more preferably 6 to 10 carbon atoms), or a group consisting of a combination thereof preferable.

後述するn22が1以上の場合において、−L21−の例としては、上述の式(D1)〜(D15)におけるLの例であるL101〜L142が同様に挙げられる。 When n22 to be described later is 1 or more, examples of -L 21- include L101 to L142 which are examples of L in the above formulas (D1) to (D15).

21は、反応性基を表す。なお、反応性基の定義は上述のとおりである。
21としては、なかでも、反応性の観点から、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、又はオキシラニル基が好ましい。なお、上記各基中の水素原子は、ハロゲン原子等他の置換基で置換されていてもよい。
なお、P21が水酸基である場合、L21はアリーレン基を含み、このアリーレン基はP21と結合していることが好ましい。
P 21 represents a reactive group. The definition of the reactive group is as described above.
Among them, as P 21 , a (meth) acryloyl group, a vinyl group or an oxiranyl group is preferable from the viewpoint of reactivity. In addition, the hydrogen atom in each said group may be substituted by other substituents, such as a halogen atom.
When P 21 is a hydroxyl group, L 21 preferably includes an arylene group, and the arylene group is preferably bonded to P 21 .

22は、水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基、又は、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキル基において1個又は2個以上のメチレン基が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−、又は−C(=O)O−で置換された基を表す。Y22の好適態様としては、式(XI)におけるY12の好適態様と同じである。 Y 22 is a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; pieces or two or more methylene groups are -O -, - S -, - NH -, - N (CH 3) -, - C (= O) -, - OC (= O) -, or -C (= O) represents a group substituted with O-. Preferred embodiments of Y 22 are the same as the preferred embodiments of Y 12 in formula (XI).

n21及びn22は各々独立に、0〜3の整数を表し、熱伝導性がより優れる観点から、1〜3の整数が好ましく、2〜3がより好ましい。   n21 and n22 each independently represent an integer of 0 to 3, and from the viewpoint of more excellent thermal conductivity, the integer of 1 to 3 is preferable, and 2 to 3 is more preferable.

式(XII)で表される化合物の好ましい例としては、以下の化合物が挙げられる。
なお、下記構造式中、Rは、−X211−L21−P21を表す。
Preferred examples of the compound represented by the formula (XII) include the following compounds.
Incidentally, in the following structural formulas, R represents an -X 211 -L 21 -P 21.

式(XII)で表される化合物の詳細、及び具体例については、特開2010−244038号公報の段落0013〜0077の記載を参照でき、その内容は本明細書に組み込まれる。   The details of the compound represented by the formula (XII) and specific examples can be referred to the description of paragraphs 0013 to 0077 of JP-A-2010-244038, the contents of which are incorporated herein.

式(XII)で表される化合物は、特開2010−244038号公報、特開2006−76992号公報、及び特開2007−2220号公報に記載の方法に準じて合成できる。   The compounds represented by the formula (XII) can be synthesized according to the methods described in JP-A-2010-244038, JP-A-2006-76992 and JP-A-2007-2220.

電子密度を減らすことでスタッキングを強くし、カラム状集合体を形成しやすくなるという観点から、円盤状化合物は水素結合性官能基を有する化合物であることが好ましい。水素結合性官能基としては、−OC(=O)NH−、−C(=O)NH−、−NHC(=O)−、−NHC(=O)O−、−NHC(=O)NH−、−NHC(=O)S−、又は−SC(=O)NH−等が挙げられる。   The discotic compound is preferably a compound having a hydrogen bonding functional group from the viewpoint of strengthening the stacking by reducing the electron density and facilitating formation of a column-like assembly. As a hydrogen bonding functional group, -OC (= O) NH-, -C (= O) NH-, -NHC (= O)-, -NHC (= O) O-, -NHC (= O) NH -, -NHC (= O) S-, or -SC (= O) NH- and the like.

また、本発明の電荷移動錯体を形成するための円盤状化合物として、式(D17)で表される化合物も使用できる。   Moreover, the compound represented by Formula (D17) can also be used as a discotic compound for forming the charge transfer complex of this invention.

上記式(D17)中、L及びQは、各々式(D1)〜(D15)中のL及びQと同義であり、好適態様も同じである。   In said Formula (D17), L and Q are respectively synonymous with L and Q in Formula (D1)-(D15), and a preferable aspect is also the same.

(態様(1)の電荷移動錯体)
上述した態様(1)の電荷移動錯体は、電子供与体及び電子受容体がいずれも円盤状化合物である。つまり、互いに構造の異なる2種以上の円盤状化合物からなる電荷移動錯体が該当する。なお、円盤状化合物としては、上述したとおりである。
上記電荷移動錯体において、互いに構造の異なる2種以上の円盤状化合物が電子供与体及び電子受容体のいずれを示すかは、中心環付近の原子又は原子団(以下、「原子団等」という。)の種類、及び中心環の構造等により相対的に決まる。つまり、例えば、互いに構造の異なる2種以上の上記式(D4)で表される化合物からなる電荷移動錯体であって、中心環(トリフェニレン環)に結合するL中の中心環と結合する原子団等の種類が−O−である円盤状化合物と、中心環に結合するL中の中心環と結合する原子団等の種類が−C(=O)−である円盤状化合物とからなる電荷移動錯体においては、上記原子団等の種類が−O−である円盤状化合物は、電子供与体として機能し、上記原子団等の種類が−C(=O)−である円盤状化合物は、電子受容体性として機能する。
(Charge transfer complex of aspect (1))
In the charge transfer complex of the above-described aspect (1), both the electron donor and the electron acceptor are discotic compounds. That is, the charge transfer complex which consists of 2 or more types of discotic compounds from which a structure mutually differs corresponds. The discotic compound is as described above.
In the charge transfer complex, which one of the electron donor and the electron acceptor the two or more kinds of discotic compounds having different structures show is referred to as an atom or atomic group near the central ring (hereinafter, “atomic group etc.”). It is relatively determined depending on the type of) and the structure of the central ring. That is, for example, a charge transfer complex consisting of two or more kinds of compounds represented by the above-mentioned formula (D4) different in structure from each other, and an atomic group bonded to the central ring in L bonded to the central ring (triphenylene ring) Charge transfer comprising a discotic compound of the type such as -O- and a discotic compound of the type such as an atomic group binding to the central ring in L bonded to the central ring In the complex, the discotic compound in which the type of the above atomic group and the like is -O- functions as an electron donor, and the discotic compound in which the type of the above atomic group and the like is -C (= O)-is an electron It functions as a receptor.

上記態様(1)の電荷移動錯体としては、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、なかでも、下記式(CR1)で表される部分構造を含む円盤状化合物、及び下記式(CR2)で表される部分構造を含む円盤状化合物からなる群より選ばれ、且つ、上記部分構造が互いに異なる2種以上の円盤状化合物から形成された電荷移動錯体が好ましい。   Above all, as the charge transfer complex of the above aspect (1), a discotic compound including a partial structure represented by the following formula (CR1), and a compound represented by the following formula (CR2) Preferred is a charge transfer complex selected from the group consisting of discotic compounds containing a partial structure represented by the above, and formed from two or more discotic compounds having different partial structures from each other.

式中、XCR11〜XCR16は、各々独立に、単結合、−O−、−C(=O)−、−NH−、又は−S−を表す。*は、結合位置を表す。 In the formula, each of X CR11 to X CR16 independently represents a single bond, -O-, -C (= O)-, -NH-, or -S-. * Represents a bonding position.

なお、上記式(CR1)で表される部分構造を含む化合物としては、具体的には、上述した式(D4)で表される化合物のうち、上記式(CR1)で表される部分構造を含むものが挙げられる。   Specifically, among the compounds represented by the above-mentioned formula (D4), the partial structure represented by the above-mentioned formula (CR1) is exemplified as the compound including the partial structure represented by the above-mentioned formula (CR1) Include.

式中、XCR21、XCR22、及びXCR23は、各々独立に、単結合、−O−、−C(=O)−、−NH−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−OC(=O)NH−、−OC(=O)S−、−C(=O)O−、−C(=O)NH−、−C(=O)S−、−NHC(=O)−、−NHC(=O)O−、−NHC(=O)NH−、−NHC(=O)S−、−S−、−SC(=O)−、−SC(=O)O−、−SC(=O)NH−、又は−SC(=O)S−を表す。
CR21、ZCR22、及びZCR23は、各々独立に、5員環若しくは6員環の芳香族環基、又は5員環若しくは6員環の非芳香族環基を表す。
nCR21、nCR22、及びnCR23は、各々独立に、1〜3の整数を表す。
In the formulae, X CR21 , X CR22 and X CR23 each independently represent a single bond, -O-, -C (= O)-, -NH- , -OC (= O)-, -OC (= O ) O-, -OC (= O) NH-, -OC (= O) S-, -C (= O) O-, -C (= O) NH-, -C (= O) S-,- NHC (= O)-, -NHC (= O) O-, -NHC (= O) NH-, -NHC (= O) S-, -S-, -SC (= O)-, -SC (= O) O-, -SC (= O) NH-, or -SC (= O) S-.
Z CR21 , Z CR22 and Z CR23 each independently represent a 5- or 6-membered aromatic ring group, or a 5- or 6-membered non-aromatic ring group.
nCR21, nCR22 and nCR23 each independently represent an integer of 1 to 3.

なお、上記式(CR2)で表される部分構造で表される化合物としては、具体的には、上述した式(D16)で表される化合物のうち、上記式(CR2)で表される部分構造を含むものが挙げられる。   In addition, as a compound represented by the partial structure represented by said Formula (CR2), the part represented by said Formula (CR2) among the compounds represented by Formula (D16) mentioned above specifically, Those containing a structure are mentioned.

態様(1)の電荷移動錯体としては、上記式(CR1)で表される部分構造を含む化合物から選ばれ、上記部分構造が互いに異なる2種以上の円盤状化合物からなる電荷移動錯体が好ましく、XCR11〜XCR16がいずれも−O−を表す上記式(CR1)で表される部分構造を含む円盤状化合物と、XCR11〜XCR16がいずれも−C(=O)−を表す上記式(CR1)で表される部分構造を含む円盤状化合物と、からなる電荷移動錯体がより好ましい。 As the charge transfer complex of the aspect (1), a charge transfer complex composed of two or more discotic compounds selected from compounds containing partial structures represented by the above formula (CR1) and having different partial structures from each other is preferable, X CR11 to X CR16 and discotic compound comprising a partial structure represented by the above formula (CR1) indicating a is -O- none, X CR11 to X CR16 both is -C (= O) - above formula representing the More preferred is a charge transfer complex comprising a discotic compound containing a partial structure represented by (CR1).

また、態様(1)の電荷移動錯体において、電子供与体及び電子受容体として機能する2種以上の円盤状化合物は、少なくとも1種が反応性基を含むことが好ましく、いずれもが反応性基を含んでいることがより好ましい。なかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、2種以上の円盤状化合物のうち、いずれもが重合性基を有するか、又は、一方が重合性基を表し且つ他方が架橋性基を表すことが更に好ましく、2種以上の円盤状化合物のうち一方が重合性基を表し且つ他方が架橋性基を表すことが特に好ましい。   In the charge transfer complex according to aspect (1), it is preferable that at least one kind of two or more discotic compounds functioning as an electron donor and an electron acceptor contain a reactive group, and all of them are reactive groups. Is more preferable. Among them, all of the two or more discotic compounds have a polymerizable group, or one represents a polymerizable group and the other is crosslinkable, in that the heat conductivity of the heat conductive material is more excellent. It is further preferable to represent a group, and it is particularly preferable that one of the two or more discotic compounds represents a polymerizable group and the other represents a crosslinkable group.

(態様(2)の電荷移動錯体)
上述した態様(2)の電荷移動錯体は、電子供与体が円盤状化合物であり、電子受容体が飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が0V以上である化合物(以下、「酸化剤」ともいう。)である電荷移動錯体である。つまり、上述した態様(2)の電荷移動錯体は、円盤状化合物と酸化剤からなる。
なお、円盤状化合物としては、上述したとおりである。また、円盤状化合物は1種単独で使用しても、複数種を併用してもよい。
(Charge transfer complex of aspect (2))
In the charge transfer complex of the above-mentioned aspect (2), a compound in which the electron donor is a discoid compound and the electron acceptor has an oxidation reduction potential of 0 V or more with respect to a saturated calomel electrode (hereinafter, also referred to as "oxidizing agent"). Is a charge transfer complex. That is, the charge transfer complex of the embodiment (2) described above comprises the discotic compound and the oxidizing agent.
The discotic compound is as described above. The discotic compounds may be used alone or in combination of two or more.

酸化剤の酸化還元電位は、サイクリックボルタンメトリーにより、参照電極として飽和カロメル電極(飽和カロメル参照電極)を用いて測定される。
具体的には、支持電解質としてテトラ−n−エチルアンモニウム過塩素酸塩0.1Mを含むアセトニトリル中で、試料濃度1×10-3Mのボルタモグラムを測定し、これより得られる半波電位として求めることができる。より詳細には、作用電極には白金を使用し、測定は25℃で行う。
The redox potential of the oxidizing agent is measured by cyclic voltammetry using a saturated calomel electrode (saturated calomel reference electrode) as a reference electrode.
Specifically, a voltammogram at a sample concentration of 1 × 10 -3 M is measured in acetonitrile containing 0.1 M of tetra-n-ethylammonium perchlorate as a supporting electrolyte, and the half wave potential obtained from this is determined. be able to. More specifically, platinum is used for the working electrode and the measurement is performed at 25 ° C.

酸化剤の酸化還元電位は、例えば、−0.01以上であり、電荷移動錯体をより形成し易く、且つ、得られる熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、0V以上が好ましく、0.10V以上がより好ましい。なお、酸化還元電位の上限は特に制限されないが、例えば、0.60V以下であり、得られる熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、0.50V以下が好ましい。   The redox potential of the oxidizing agent is, for example, -0.01 or more, and is preferably 0 V or more, in that the charge transfer complex is more easily formed and the thermal conductivity of the obtained heat conductive material is more excellent. 10 V or more is more preferable. The upper limit of the redox potential is not particularly limited, but is, for example, 0.60 V or less, and preferably 0.50 V or less in that the thermal conductivity of the obtained heat conductive material is more excellent.

酸化剤としては、なかでも、下記式(A)で表される化合物、又はフルオレノン構造を含む化合物が好ましい。   Among these, as the oxidizing agent, a compound represented by the following formula (A) or a compound containing a fluorenone structure is preferable.

上記式(A)中、X1及びX2は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、=NR1基、又は、=CR23基を表す。X1及びX2の各々が複数存在する場合には、複数のX1及び複数のX2は、各々互いに同一でも異なっていてもよい。
1及びX2は、なかでも、酸素原子、又は=CR23基が好ましく、=CR23基がより好ましい。
In Formula (A), X 1 and X 2 each independently represent an oxygen atom, a sulfur atom, an NRNR 1 group, or a = CR 2 R 3 group. When there are a plurality of each of X 1 and X 2 , the plurality of X 1 and the plurality of X 2 may be identical to or different from each other.
Among them, X 1 and X 2 are preferably an oxygen atom or a CRCR 2 R 3 group, more preferably a CRCR 2 R 3 group.

m及びnは、各々独立に、0〜3の整数を表し、1〜3の整数が好ましく、1又は2でがより好ましく、1が更に好ましい。ただし、m及びnの合計は、2以上であり、2〜6が好ましく、2〜4がより好ましく、2が更に好ましい。   m and n respectively independently represent the integer of 0-3, the integer of 1-3 is preferable, 1 or 2 is more preferable, 1 is more preferable. However, the sum of m and n is 2 or more, 2-6 are preferable, 2-4 are more preferable, and 2 is still more preferable.

1、R2、及びR3は、各々独立に、水素原子、又は置換基を表す。R1、R2、及びR3の各々が複数存在する場合には、複数のR1、複数のR2、及び、複数のR3は、各々互いに同一でも異なっていてもよい。
1及びL2は、各々独立に、2価の連結基を表す。
Each of R 1 , R 2 and R 3 independently represents a hydrogen atom or a substituent. When each of R 1 , R 2 and R 3 is present in plurality, the plurality of R 1 's , the plurality of R 2' s and the plurality of R 3 's may be the same as or different from each other.
L 1 and L 2 each independently represent a divalent linking group.

1、R2、及びR3で表される置換基は、例えば、アルキル基(直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数としては、1〜18が好ましく、6〜18がより好ましい。)、アルケニル基(直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。炭素数としては、2〜18が好ましく、6〜18がより好ましい。)、アラルキル基(炭素数7〜10が好ましい。)、アリール基(炭素数6〜10が好ましい。)、ヘテロ環基(単環構造及び多環構造のいずれであってもよい。ヘテロ環基が含むヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子が挙げられる。ヘテロ環基中の炭素数としては、5〜18が好ましい。ヘテロ環基は、芳香族性及び非芳香族性のいずれであってもよい。)、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が好ましい。)、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、アルコキシ基(炭素数としては、1〜18が好ましく、6〜18がより好ましい。)、アリールオキシ基(炭素数6〜10が好ましい。)、アルキルチオ基(炭素数としては、1〜18が好ましく、6〜18がより好ましい。)、アリールチオ基(炭素数6〜10が好ましい。)、アシルオキシ基(炭素数としては、1〜18が好ましく、6〜18がより好ましい。)、アミノ基、アルキルアミノ基(炭素数としては、1〜18が好ましく、6〜18がより好ましい。)、カルボンアミド基(炭素数としては、1〜18が好ましく、6〜18がより好ましい。)、スルホンアミド基(炭素数としては、1〜18が好ましく、6〜18がより好ましい。)、スルファモイルアミノ基(炭素数としては、0〜18が好ましく、炭素数8〜18がより好ましい。)、オキシカルボニルアミノ基(炭素数としては、1〜18が好ましく、8〜18がより好ましい。)、オキシスルホニルアミノ基(炭素数としては、1〜18が好ましく、8〜18がより好ましい。)、ウレイド基(炭素数としては、1〜18が好ましく、8〜18がより好ましい。)、チオウレイド基(炭素数としては、1〜18が好ましく、8〜18がより好ましい。)、アシル基(炭素数としては、1〜18が好ましく、8〜18がより好ましい。)、アルコキシカルボニル基(炭素数としては、1〜18が好ましく、8〜18がより好ましい。)、カルバモイル基(炭素数としては、1〜18が好ましく、8〜18がより好ましい。)、アルキルスルホニル基(炭素数としては、1〜18が好ましく、8〜18がより好ましい。)、アルキルスルフィニル基(炭素数としては、1〜18が好ましく、8〜18がより好ましい。)、スルファモイル基、モノアルキル若しくはジアルキルスルファモイル基(アルキル基の炭素数としては、1〜18が好ましく、8〜18がより好ましい。)、カルボキシ基(塩を含む)、及びスルホ基(塩を含む)等が挙げられる。上記R1、R2、及びR3で表される置換基は、更に置換されていてもよい。上記R1、R2、及びR3で表される置換基は、なかでも、シアノ基、アシル基、又はアルコキシカルボニル基が好ましく、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基がより好ましく、シアノ基が更に好ましい。 The substituent represented by R 1 , R 2 and R 3 may be, for example, an alkyl group (linear, branched or cyclic any of which has 1 to 18 carbon atoms) And 6 to 18 are more preferable), and an alkenyl group (which may be linear, branched or cyclic. The number of carbon atoms is preferably 2 to 18, and more preferably 6 to 18). And an aralkyl group (preferably having 7 to 10 carbon atoms), an aryl group (preferably having 6 to 10 carbon atoms), and a heterocyclic group (any of a single ring structure and a polycyclic structure). Examples of the hetero atom include a nitrogen atom, an oxygen atom and a sulfur atom The carbon number in the heterocyclic group is preferably 5 to 18. The heterocyclic group is aromatic or non-aromatic. Any may be.), A halogen atom (fluorine Preferably a hydrogen atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom), a cyano group, a nitro group, a mercapto group, a hydroxy group or an alkoxy group (the number of carbon atoms is preferably 1 to 18, more preferably 6 to 18). An aryloxy group (preferably having 6 to 10 carbon atoms), an alkylthio group (the number of carbon atoms is preferably 1 to 18, more preferably 6 to 18), and an arylthio group (preferably 6 to 10 carbon atoms). An acyloxy group (the number of carbon atoms is preferably 1 to 18, more preferably 6 to 18), an amino group, an alkylamino group (the number of carbon atoms is preferably 1 to 18, and more preferably 6 to 18). , Carbonamide group (as carbon number, preferably 1 to 18, more preferably 6 to 18), sulfonamide group (as carbon number, 1 to 18 is preferable, 6 to 6). 18 is more preferable), sulfamoylamino group (as carbon number, 0 to 18 is preferable, carbon number 8 to 18 is more preferable), oxycarbonylamino group (as carbon number, 1 to 18 is preferable) , 8 to 18 is more preferable), oxysulfonylamino group (as carbon number is preferably 1 to 18, more preferably 8 to 18), ureido group (as carbon number is preferably 1 to 18) -18 is more preferable), thioureido group (as carbon number, preferably 1-18, more preferably 8-18), acyl group (as carbon number is preferably 1-18, more preferably 8-18) Preferred), an alkoxycarbonyl group (the number of carbon atoms is preferably 1 to 18, more preferably 8 to 18), and a carbamoyl group (the number of carbon atoms is preferably 1 to 18). 8 to 18 are more preferable. ), An alkylsulfonyl group (the number of carbon atoms is preferably 1 to 18, and more preferably 8 to 18), an alkylsulfinyl group (the number of carbon atoms is preferably 1 to 18, and more preferably 8 to 18). Sulfamoyl group, monoalkyl or dialkylsulfamoyl group (the carbon number of the alkyl group is preferably 1 to 18, more preferably 8 to 18), carboxy group (including salt), and sulfo group (including salt) Etc.). The substituent represented by said R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > may be further substituted. Among the substituents represented by R 1 , R 2 and R 3 above, a cyano group, an acyl group or an alkoxycarbonyl group is preferable, a cyano group or an alkoxycarbonyl group is more preferable, and a cyano group is more preferable .

1及びL2は、各々独立に、2価の連結基を表す。
1及びL2は、式(A)中に明示される2つの炭素原子(X1に結合する炭素原子、及びX2に結合する炭素原子)と共に4〜8員環を形成する。
上記L1及びL2で表される2価の連結基は特に制限されないが、−C(R4)(R5)−、−C(R6)=、−N(R7)−、−N=、−C(=O)−、−O−、及び−S−からなる群より選ばれる基を組み合わせた基であることが好ましい。なお、上記R4、R5、R6、及びR7は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。上記R4、R5、R6、及びR7で表される置換基としては、R1、R2、及びR3で表される置換基と同義であり、好適態様も同じである。
L 1 and L 2 each independently represent a divalent linking group.
L 1 and L 2 form a 4-8 membered ring together with (the carbon atom bonded carbon atom bonded to X 1, and X 2) Formula (A) 2 carbon atoms which is manifested in the.
The divalent linking group represented by the above L 1 and L 2 is not particularly limited, but -C (R 4 ) (R 5 )-, -C (R 6 ) =, -N (R 7 )-,- It is preferable that it is the group which combined the group chosen from the group which N =, -C (= O)-, -O-, and -S-. In addition, said R < 4 >, R < 5 >, R < 6 > and R < 7 > respectively independently represent a hydrogen atom or a substituent. As a substituent represented by said R < 4 >, R < 5 >, R < 6 > and R < 7 >, it is synonymous with the substituent represented by R < 1 >, R < 2 > and R < 3 >, and a preferable aspect is also the same.

1及びL2と式(A)中に明示される2つの炭素原子とにより形成される4〜8員環としては特に制限されず、シクロブタンジオン、シクロブテンジオン、ベンゾシクロブテンキノン、シクロペンタンジオン、シクロペンテンジオン、シクロペンタントリオン、シクロペンテントリオン、インダンジオン、インダントリオン、テトラヒドロフランジオン、テトラヒドロフラントリオン、テトラヒドロピロールジオン、テトラヒドロピロールトリオン、テトラヒドロチオフェンジオン、テトラヒドロチオフェントリオン、ベンゾキノン、キノメタン、キノジメタン、キノンイミン、キノンジイミン、チオベンゾキノン、ジチオベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、ジヒドロクロメントリオン、ジヒドロピリジンジオン、ジヒドロピラジンジオン、ジヒドロピリミジンジオン、ジヒドロピリダジンジオン、ジヒドロフタラジンジオン、ジヒドロイソキノリンジオン、テトラヒドロキノリントリオン、シクロヘプタンジオン、シクロヘプタントリオン、アザシクロヘプタントリオン、ジアザシクロヘプタントリオン、オキソシクロヘプタントリオン、ジオキソシクロヘプタントリオン、オキソアザシクロヘプタントリオン、シクロオクタンジオン、シクロオクタントリオン、アザシクロオクタントリオン、ジアザシクロオクタントリオン、オキソシクロオクタントリオン、ジオキソシクロオクタントリオン、オキソアザシクロオクタントリオン、シクロオクテンジオン、シクロオクタジエンジオン、及びジベンゾシクロオクテンジオン等が挙げられる。なかでも、熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、6員環であることが好ましい。また、L1及びL2と式(A)中に明示される2つの炭素原子とにより形成される4〜8員環は、環上の置換基(R4、R5、R6、又はR7)が互いに結合していてもよい。つまり、上記4〜8員環と芳香属性又は非芳香族性の他の環(例えば、脂環、芳香族炭化水素環、及びヘテロ環等)とが縮合構造を形成していてもよい。 The 4- to 8-membered ring formed by L 1 and L 2 and two carbon atoms specified in the formula (A) is not particularly limited, and cyclobutanedione, cyclobutenedione, benzocyclobutenequinone, cyclopentane Dione, cyclopentenedione, cyclopentantriol, cyclopententionyl, indandione, indantrione, tetrahydrofurandione, tetrahydrofuran trione, tetrahydropyrrole dione, tetrahydropyrrole dione, tetrahydrothiophene trione, tetrahydrothiophene dione, tetrahydrothiophene trione, benzoquinone, quinomethane, quinodimethane, quinone diimine, quinone diimine, Thiobenzoquinone, dithiobenzoquinone, naphthoquinone, anthraquinone, dihydroclomenturion, dihydropyridinedione, dihydropyra Gindione, dihydropyrimidinedione, dihydropyridazine dione, dihydrophthalazine dione, dihydroisoquinoline dione, tetrahydroquinoline trione, cycloheptane dione, cycloheptane trione, azacycloheptane trione, diazacycloheptane trione, oxocycloheptane trione, dioxocyclo Heptanetrione, oxoazacycloheptanetrione, cyclooctanedione, cyclooctanetrione, azacyclooctanetrione, diazacyclooctanetrione, oxocyclooctanetrione, dioxocyclooctanetrione, oxoazacyclooctanetrione, cyclooctenedione, cyclooctenedione Octadienedione, dibenzocyclooctenedione and the like can be mentioned. Among them, a six-membered ring is preferable in that the heat conductivity of the heat conductive material is more excellent. In addition, a 4- to 8-membered ring formed by L 1 and L 2 and two carbon atoms specified in Formula (A) is a substituent on the ring (R 4 , R 5 , R 6 , or R 7 ) may be bonded to each other. That is, the above 4- to 8-membered ring may form a fused structure with another ring having aromaticity or non-aromaticity (e.g., an alicyclic, aromatic hydrocarbon ring, heterocyclic ring, etc.).

式(A)で表される化合物としては、下記式(A−I)で表される化合物が好ましい。   As a compound represented by Formula (A), the compound represented by a following formula (AI) is preferable.

式(A−I)中、R10、R11、R12、及びR13は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。R10、R11、R12、及びR13で表される置換基としては、R1、R2、及びR3で表される置換基と同義であり、好適態様も同じである。
10とR11、及びR12とR13は、各々独立に、互いに結合して環(好ましくは芳香族環)を形成してもよい。また、上記環は置換基を有していてもよく、置換基としてはR1、R2、及びR3で表される置換基と同じものが挙げられる。
11及びX22としては、X1及びX2と同義であり、好適態様も同じである。
In formula (A-I), R 10 , R 11 , R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. The R 10, R 11, R 12 , and the substituent represented by R 13, R 1, R 2 , and has the same meaning as the substituents represented by R 3, preferred embodiments are also the same.
R 10 and R 11 , and R 12 and R 13 may be each independently bonded to each other to form a ring (preferably an aromatic ring). The ring may have a substituent, and examples of the substituent include the same as the substituents represented by R 1 , R 2 and R 3 .
X 11 and X 22 have the same meanings as X 1 and X 2 , and preferred embodiments are also the same.

上記X11及び上記X22としては、酸素原子、又は=C(R14)(R15)が好ましく、X11及び上記X22がいずれも酸素原子を表すか、又は、X11及び上記X22がいずれも=C(R14)(R15)を表すことがより好ましい。なお、R14及びR15は、各々独立に、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又は、アルキル若しくはアリールスルホニル基を表す。
また、X11及びX22がいずれも酸素原子を表す場合、R10、R11、R12、及びR13のうち少なくとも2つ以上が電子吸引性基であることが好ましい。なお、本明細書中「電子吸引性基」とは、ハメットのσp値がプラスの置換基を意図し、具体的には、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキル又はアリールスルホニル基、及び、アルキル又はアリールスルフィニル基等が挙げられる。
11及びX22がいずれも酸素原子を表す場合、R10、R11、R12、及びR13は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミノ基、アルキルアミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、スルファモイルアミノ基、オキシカルボニルアミノ基、オキシスルホニルアミノ基、ウレイド基、チオウレイド基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキル又はアリールスルホニル基、アルキル又はアリールスルフィニル基、及びスルファモイル基からなる群より選ばれる基であって、このうち少なくとも2つ以上が電子吸引性基であることが好ましく、各々独立に、水素原子、炭素数8〜18のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数8〜18のアルコキシ基、炭素数8〜18のアルキルチオ基、炭素数8〜18のカルボンアミド基、炭素数8〜18のスルホンアミド基、炭素数8〜18のウレイド基、炭素数8〜18のアシル基、炭素数8〜18のアルコキシカルボニル基、炭素数8〜18のカルバモイル基、炭素数8〜18のアルキル若しくはアリールスルホニル基、及び炭素数8〜18のアルキル若しくはアリールスルフィニル基からなる群より選ばれる基であって、このうち少なくとも2つ以上がハロゲン原子、シアノ基、アルキル若しくはアリールスルホニル基、及びアルキル若しくはアリールスルフィニル基からなる群より選ばれる電子吸引性基であることがより好ましい。
As the above X 11 and the above X 22 , an oxygen atom or CC (R 14 ) (R 15 ) is preferable, and all of X 11 and the above X 22 represent an oxygen atom, or X 11 and the above X 22 There is more preferably represents none = C (R 14) (R 15). R 14 and R 15 each independently represent a halogen atom, a cyano group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, or an alkyl or arylsulfonyl group.
When X 11 and X 22 both represent an oxygen atom, it is preferable that at least two or more of R 10 , R 11 , R 12 , and R 13 be an electron withdrawing group. In the present specification, “electron-withdrawing group” intends a substituent having a positive Hammett σp value, and specifically, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carbamoyl Groups, alkyl or arylsulfonyl groups, and alkyl or arylsulfinyl groups and the like.
When each of X 11 and X 22 represents an oxygen atom, each of R 10 , R 11 , R 12 and R 13 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkoxy group, Alkylthio group, amino group, alkylamino group, carbonamido group, sulfonamide group, sulfamoylamino group, oxycarbonylamino group, oxysulfonylamino group, ureido group, thioureido group, acyl group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, It is a group selected from the group consisting of an alkyl or aryl sulfonyl group, an alkyl or aryl sulfinyl group, and a sulfamoyl group, and preferably at least two or more of them are electron withdrawing groups, each independently a hydrogen atom, Alkyl group having 8 to 18 carbon atoms, halogen atom, cyano group, 8 to 18 carbon atoms And an alkyloxy group having 8 to 18 carbon atoms, a carbonamido group having 8 to 18 carbon atoms, a sulfonamide group having 8 to 18 carbon atoms, a ureido group having 8 to 18 carbon atoms, an acyl group having 8 to 18 carbon atoms, A group selected from the group consisting of an alkoxycarbonyl group having 8 to 18 carbon atoms, a carbamoyl group having 8 to 18 carbon atoms, an alkyl or arylsulfonyl group having 8 to 18 carbon atoms, and an alkyl or arylsulfinyl group having 8 to 18 carbon atoms It is more preferable that at least two or more of these be an electron withdrawing group selected from the group consisting of a halogen atom, a cyano group, an alkyl or aryl sulfonyl group, and an alkyl or aryl sulfinyl group.

上記式(A−I)で表される化合物としては、下記式(A−II)で表される化合物が好ましい。   As a compound represented by the said Formula (A-I), the compound represented by a following formula (A-II) is preferable.

式(A−II)中、R16、R17、R18、及びR19は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。R16、R17、R18、及びR19で表される置換基としては、R10、R11、R12、及びR13で表される置換基と同義であり、好適態様も同じである。 In formula (A-II), R 16 , R 17 , R 18 and R 19 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. The substituent represented by R 16 , R 17 , R 18 and R 19 has the same meaning as the substituent represented by R 10 , R 11 , R 12 and R 13 , and preferred embodiments are also the same. .

式(A−II)で表される化合物としては、下記式(A−III)又は下記式(A−IV)で表される化合物が好ましい。   As a compound represented by Formula (A-II), the compound represented by a following formula (A-III) or a following formula (A-IV) is preferable.

式(A−III)中、R31は、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド基、アシル基、又はアルコキシカルボニル基を表す。
031は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。R031で表される置換基としては、R1、R2、及びR3で表される置換基と同義であり、好適態様も同じである。
4は、1〜4の整数を表す。R31及びR031が各々複数存在する場合、複数のR31同士及び複数のR031同士は、互いに同一でも異なっていてもよい。
In formula (A-III), R 31 represents a halogen atom, a cyano group, an alkoxy group, an alkylthio group, a carbonamido group, a sulfonamide group, a ureido group, an acyl group or an alkoxycarbonyl group.
Each of R 031 independently represents a hydrogen atom or a substituent. The substituent represented by R 031 has the same meaning as the substituent represented by R 1 , R 2 and R 3 , and the preferred embodiments are also the same.
m 4 represents an integer of 1 to 4; When there are a plurality of R 31 s and R 031 s , the plurality of R 31 s and the plurality of R 031 s may be the same as or different from each other.

式(A−III)としては、上記R31が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数8〜18のアルコキシ基、炭素数8〜18のアシル基、若しくは炭素数8〜18のアルコキシカルボニル基を表し、且つ、R031が、水素原子、若しくは炭素数8〜18のアルキル基を表すか、又は、上記R31が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数8〜18のアルコキシ基、炭素数8〜18のアシル基、若しくは炭素数8〜18のアルコキシカルボニル基を表し、且つ、m4を表すことが好ましい。 As Formula (A-III), R 31 represents a halogen atom, a cyano group, an alkoxy group having 8 to 18 carbon atoms, an acyl group having 8 to 18 carbon atoms, or an alkoxycarbonyl group having 8 to 18 carbon atoms And R 031 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 8 to 18 carbon atoms, or R 31 is a halogen atom, a cyano group, an alkoxy group having 8 to 18 carbon atoms, or 8 to 18 carbon atoms. Or an alkoxycarbonyl group having 8 to 18 carbon atoms, and preferably m 4 .

上記式(A−IV)中、R32は、水素原子又は置換基を表す。R32で表される置換基としては、R1、R2、及びR3で表される置換基と同義であり、好適態様も同じである。
5は、0〜6の整数を表す。なお、R32が複数存在する場合、複数のR32同士は、互いに同一でも異なっていてもよい。
In formula (A-IV) above, R 32 represents a hydrogen atom or a substituent. The substituent represented by R 32 has the same meaning as the substituent represented by R 1 , R 2 and R 3 , and the preferred embodiments are also the same.
m 5 represents an integer of 0 to 6; In the case where R 32 there are a plurality, among the plurality of R 32, it may be the same or different from each other.

上記R32としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド基、又はアシル基が好ましく、水素原子、炭素数8〜18のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数8〜18のアルコキシ基、炭素数8〜18のアルキルチオ基、炭素数8〜18のカルボンアミド基、炭素数8〜18のスルホンアミド基、炭素数8〜18のウレイド基、又は炭素数8〜18のアシル基がより好ましく、水素原子、炭素数8〜18のアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、又は炭素数8〜18のアルコキシ基が更に好ましく、水素原子が特に好ましい。 As R 32 , a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, a cyano group, an alkoxy group, an alkylthio group, a carbonamido group, a sulfonamide group, a ureido group or an acyl group is preferable, and a hydrogen atom having 8 to 18 carbon atoms is preferable. An alkyl group, a halogen atom, a cyano group, an alkoxy group having 8 to 18 carbon atoms, an alkylthio group having 8 to 18 carbon atoms, a carbonamido group having 8 to 18 carbon atoms, a sulfonamide group having 8 to 18 carbon atoms, -18 ureido group or an acyl group having 8 to 18 carbon atoms is more preferable, and a hydrogen atom, an alkyl group having 8 to 18 carbon atoms, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a cyano group, or 8 to 18 carbon atoms An alkoxy group is more preferred, and a hydrogen atom is particularly preferred.

以下に、式(A)で表される酸化剤の具体例を一例として挙げる。   Below, the specific example of the oxidizing agent represented by Formula (A) is mentioned as an example.

また、フルオレノン構造を含む化合物としては、例えば、下記式(B)で表される化合物が挙げられる。   Moreover, as a compound containing a fluorenone structure, the compound represented by following formula (B) is mentioned, for example.

上記式(B)中、R41及びR42は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
41又はR42で表される置換基としては特に制限されず、例えば、上述した式(A)中のR1、R2、及びR3で表される置換基と同じものが挙げられる。R41又はR42で表される置換基としては、なかでも、電子吸引性基であることが好ましく、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキル又はアリールスルホニル基、及び、アルキル又はアリールスルフィニル基等が挙げられ、なかでも、ニトロ基が好ましい。
上記式(B)中、p1及びp2は、各々独立に、1〜4の整数を表し、1〜3の整数がより好ましい。
In Formula (B), R 41 and R 42 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
The substituent represented by R 41 or R 42 is not particularly limited, and examples thereof include the same as the substituents represented by R 1 , R 2 and R 3 in the above-mentioned formula (A). The substituent represented by R 41 or R 42 is preferably an electron withdrawing group, and is preferably a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carbamoyl group, an alkyl or arylsulfonyl group. And alkyl and arylsulfinyl groups etc., among which nitro is preferred.
In said formula (B), p1 and p2 respectively independently represent the integer of 1-4, and the integer of 1-3 is more preferable.

フルオレノン構造を含む化合物の具体例としては、例えば下記化合物が挙げられる。   Examples of the compound having a fluorenone structure include the following compounds.

電荷移動錯体において、酸化剤は、1種のみを使用していてもよいし、2種以上を併用していてもよい。   In the charge transfer complex, only one oxidizing agent may be used, or two or more oxidizing agents may be used in combination.

(電荷移動錯体の製造方法)
電荷移動錯体の製造方法としては特に制限されないが、例えば、溶液中にて上記電子供与体及び上記電子受容体を混合する方法、及び、上記電子供与体を含む溶液と、上記電子受容体を含む溶液とを混合する方法等が挙げられる。
電荷移動錯体の形成は、紫外可視吸収スペクトル測定により同定でき、詳細には、電子供与体又は電子受容体単独では現れない新しい吸収帯(電荷移動吸収帯)が長波長側に出現することで確認できる。
(Method of producing charge transfer complex)
The method of producing the charge transfer complex is not particularly limited. For example, a method of mixing the electron donor and the electron acceptor in a solution, a solution containing the electron donor, and the electron acceptor are included. The method of mixing with a solution etc. are mentioned.
The formation of the charge transfer complex can be identified by UV-visible absorption spectrum measurement, and in detail, it is confirmed by the appearance of a new absorption band (charge transfer absorption band) which does not appear with the electron donor or the electron acceptor alone. it can.

[その他の成分]
上記組成物は、上述した電荷移動錯体以外の成分を含んでいてもよい。
以下に、本発明の組成物が含み得る他の成分について詳述する。
[Other ingredients]
The composition may contain components other than the charge transfer complex described above.
Below, the other component which the composition of this invention may contain is explained in full detail.

<無機物>
上記組成物は、得られる熱伝導材料の熱伝導性がより優れる点で、無機物を含むことが好ましい。
<Inorganic substance>
It is preferable that the said composition contains an inorganic substance by the point which the heat conductivity of the heat conductive material obtained is more excellent.

無機物としては、従来から熱伝導材料の無機フィラーに用いられているいずれの無機物を用いてもよい。無機物としては、無機酸化物、又は無機窒化物が好ましい。無機物は、無機酸窒化物であってもよい。無機物の形状は特に制限されず、粒子状であってもよく、フィルム状であってもよく、又は板状であってもよい。粒子状無機物の形状は、米粒状、球形状、立方体状、紡錘形状、鱗片状、凝集状、及び不定形状が挙げられる。   As the inorganic substance, any inorganic substance conventionally used for an inorganic filler of a heat conductive material may be used. As the inorganic substance, an inorganic oxide or an inorganic nitride is preferable. The inorganic substance may be an inorganic oxynitride. The shape of the inorganic substance is not particularly limited, and may be in the form of particles, in the form of a film, or in the form of a plate. The shape of the particulate inorganic substance may be rice grain, sphere, cube, spindle, scaly, aggregate, or irregular shape.

無機酸化物としては、例えば、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化チタン(TiO2)、酸化ケイ素(SiO2)、酸化アルミニウム(Al23)、酸化鉄(Fe23、FeO、Fe34)、酸化銅(CuO、Cu2O)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化イットリウム(Y23)、酸化ニオブ(Nb25)、酸化モリブデン(MoO3)、酸化インジウム(In23、In2O)、酸化スズ(SnO2)、酸化タンタル(Ta25)、酸化タングステン(WO3、W25)、酸化鉛(PbO、PbO2)、酸化ビスマス(Bi23)、酸化セリウム(CeO2、Ce23)、酸化アンチモン(Sb23、Sb25)、酸化ゲルマニウム(GeO2、GeO)、酸化ランタン(La23)、及び酸化ルテニウム(RuO2)等が挙げられる。
上記の無機酸化物は、1種のみを使用していてもよいし、2種以上を併用していてもよい。
無機酸化物は、酸化チタン、酸化アルミニウム、又は酸化亜鉛が好ましい。
無機酸化物は、非酸化物として用意された金属が、環境下等で酸化したことにより生じている酸化物であってもよい。
As the inorganic oxide, for example, zirconium oxide (ZrO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), iron oxide (Fe 2 O 3 , FeO, Fe 3) O 4 ), copper oxide (CuO, Cu 2 O), zinc oxide (ZnO), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), niobium oxide (Nb 2 O 5 ), molybdenum oxide (MoO 3 ), indium oxide (In 2) O 3 , In 2 O), tin oxide (SnO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), tungsten oxide (WO 3 , W 2 O 5 ), lead oxide (PbO, PbO 2 ), bismuth oxide (Bi 2) O 3 ), cerium oxide (CeO 2 , Ce 2 O 3 ), antimony oxide (Sb 2 O 3 , Sb 2 O 5 ), germanium oxide (GeO 2 , GeO), lanthanum oxide (La 2 O 3 ), and oxide Ruthenium (Ru 2), and the like.
The above inorganic oxides may be used alone or in combination of two or more.
The inorganic oxide is preferably titanium oxide, aluminum oxide or zinc oxide.
The inorganic oxide may be an oxide formed by oxidation of a metal prepared as a non-oxide under an environment or the like.

無機窒化物としては、例えば、窒化ホウ素(BN)、窒化炭素(C34)、窒化ケイ素(Si34)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化クロム(Cr2N)、窒化銅(Cu3N)、窒化鉄(Fe4N)、窒化鉄(Fe3N)、窒化ランタン(LaN)、窒化リチウム(Li3N)、窒化マグネシウム(Mg32)、窒化モリブデン(Mo2N)、窒化ニオブ(NbN)、窒化タンタル(TaN)、窒化チタン(TiN)、窒化タングステン(W2N)、窒化タングステン(WN2)、窒化イットリウム(YN)、及び窒化ジルコニウム(ZrN)等が挙げられる。
上記の無機窒化物は、1種のみを使用していてもよいし、2種以上を併用していてもよい。
無機窒化物は、アルミニウム原子、ホウ素原子、又は珪素原子を含むことが好ましく、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、又は窒化珪素であることがより好ましく、窒化アルミニウム、又は窒化ホウ素であることが更に好ましい。
As the inorganic nitride, for example, boron nitride (BN), carbon nitride (C 3 N 4 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), gallium nitride (GaN), indium nitride (InN), aluminum nitride (AlN), Chromium nitride (Cr 2 N), copper nitride (Cu 3 N), iron nitride (Fe 4 N), iron nitride (Fe 3 N), lanthanum nitride (LaN), lithium nitride (Li 3 N), magnesium nitride (Mg 3 N 2), molybdenum nitride (Mo 2 N), niobium nitride (NbN), tantalum nitride (TaN), titanium nitride (TiN), tungsten nitride (W 2 N), tungsten nitride (WN 2), yttrium nitride (YN And zirconium nitride (ZrN) and the like.
The above inorganic nitrides may be used alone or in combination of two or more.
The inorganic nitride preferably contains an aluminum atom, a boron atom or a silicon atom, more preferably aluminum nitride, boron nitride or silicon nitride, and still more preferably aluminum nitride or boron nitride.

無機物の大きさは特に制限されないが、無機物の分散性がより優れる点で、無機物の平均粒径は500μm以下が好ましく、300μm以下がより好ましく、200μm以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、取り扱い性の点で、10nm以上が好ましく、100nm以上がより好ましい。
上記平均粒径の測定方法としては、電子顕微鏡を用いて、100個の無機物を無作為に選択して、それぞれの無機物の粒径(長径)を測定し、それらを算術平均して求める。なお、市販品を用いる場合、カタログ値を用いてもよい。
The size of the inorganic substance is not particularly limited, but the average particle diameter of the inorganic substance is preferably 500 μm or less, more preferably 300 μm or less, and still more preferably 200 μm or less, in that the dispersibility of the inorganic substance is more excellent. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more, and more preferably 100 nm or more in terms of handleability.
As a measuring method of the above-mentioned average particle diameter, 100 inorganic substances are chosen at random using an electron microscope, the particle size (long diameter) of each inorganic substance is measured, and they are determined by arithmetic average. In addition, when using a commercial item, you may use a catalog value.

無機物は、1種のみを使用していてもよいし、2種以上を併用していてもよい。
組成物中における無機物の含有量は、組成物の全固形分に対して、30〜95質量%が好ましく、35〜90質量%がより好ましく、40〜90質量%が更に好ましい。
The inorganic substance may use only 1 type and may use 2 or more types together.
30-95 mass% is preferable with respect to the total solid of a composition, as for content of the inorganic substance in a composition, 35-90 mass% is more preferable, and 40-90 mass% is still more preferable.

<硬化剤>
上記組成物は、更に、硬化剤を含んでいてもよい。
硬化剤の種類は特に制限されず、上述した円盤状化合物中に任意で含まれ得る反応性基と反応する基を含む化合物であればよい。硬化剤としては、水酸基、アミノ基、チオール基、イソシアネート基、カルボキシ基、(メタ)アクリロイル基、及び無水カルボン酸基からなる群より選ばれる官能基を有する化合物が好ましく、水酸基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、及びチオール基からなる群より選ばれる官能基を有する化合物がより好ましい。
硬化剤は、上記官能基を2個以上含むことが好ましく、2又は3個含むことがより好ましい。
<Hardening agent>
The composition may further contain a curing agent.
The type of the curing agent is not particularly limited as long as it is a compound containing a group that reacts with a reactive group that can be optionally contained in the above-described discotic compound. The curing agent is preferably a compound having a functional group selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group, a thiol group, an isocyanate group, a carboxy group, a (meth) acryloyl group and a carboxylic acid anhydride group. Compounds having a functional group selected from the group consisting of groups, amino groups, and thiol groups are more preferred.
The curing agent preferably contains two or more, and more preferably two or three of the above functional groups.

硬化剤としては、例えば、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、グアニジン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、アクリル系硬化剤、酸無水物系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤等が挙げられる。なかでも、アクリル系硬化剤、フェノール系硬化剤、又は、アミン系硬化剤が好ましい。   Examples of curing agents include amine curing agents, phenol curing agents, guanidine curing agents, imidazole curing agents, naphthol curing agents, acrylic curing agents, acid anhydride curing agents, active ester curing agents, Examples thereof include benzoxazine-based curing agents and cyanate ester-based curing agents. Among them, acrylic curing agents, phenolic curing agents, or amine curing agents are preferable.

組成物中における硬化剤の含有量は特に制限されないが、組成物中の全固形分に対して、1〜50質量%が好ましく、1〜30質量%がより好ましい。   The content of the curing agent in the composition is not particularly limited, but is preferably 1 to 50% by mass, and more preferably 1 to 30% by mass with respect to the total solid content in the composition.

<硬化促進剤>
組成物は、更に、硬化促進剤を含んでいてもよい。
硬化促進剤の種類は制限されず、例えば、トリフェニルホスフィン、2−エチル−4−メチルイミダゾール、三フッ化ホウ素アミン錯体、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、及び特開2012−67225号公報の段落0052に記載のものが挙げられる。
組成物中における硬化促進剤の含有量は特に制限されないが、組成物中の全固形分に対して、0.1〜20質量%が好ましい。
<Hardening accelerator>
The composition may further contain a curing accelerator.
The type of curing accelerator is not limited, and examples thereof include triphenylphosphine, 2-ethyl-4-methylimidazole, boron trifluoride amine complex, 1-benzyl-2-methylimidazole, and JP-A-2012-67225. Those described in paragraph 0052 can be mentioned.
Although the content in particular of the hardening accelerator in a composition is not restrict | limited, 0.1-20 mass% is preferable with respect to the total solid in a composition.

<重合開始剤>
組成物は、更に、重合開始剤を含んでいてもよい。
特に、電荷移動錯体中の円盤状化合物が反応性基として(メタ)アクリロイル基を有する場合には、組成物は、特開2010−125782号公報の段落0062及び特開2015−052710号公報の段落0054に記載の重合開始剤を含むことが好ましい。
また、電荷移動錯体中の円盤状化合物が反応性基としてエポキシ基を有する場合には、組成物は、特開2015−052710号公報の段落0054に記載の重合開始剤を含むことが好ましい。
組成物中における重合開始剤の含有量は特に制限されないが、組成物中の全固形分に対して、0.1〜50質量%が好ましく、0.1〜30質量%がより好ましく、0.1〜10質量%が更に好ましい。
<Polymerization initiator>
The composition may further contain a polymerization initiator.
In particular, when the discotic compound in the charge transfer complex has a (meth) acryloyl group as a reactive group, the composition is described in paragraph 0062 of JP-A-2010-125782 and in paragraph JP-A-2015-052710. It is preferable to include the polymerization initiator described in 0054.
When the discotic compound in the charge transfer complex has an epoxy group as a reactive group, the composition preferably contains the polymerization initiator described in paragraph 0054 of JP-A-2015-052710.
The content of the polymerization initiator in the composition is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 50% by mass, more preferably 0.1 to 30% by mass, with respect to the total solid content in the composition. 1-10 mass% is still more preferable.

<溶媒>
組成物は、更に、溶媒を含んでいてもよい。
溶媒の種類は特に制限されず、有機溶媒であることが好ましい。有機溶媒としては、例えば、酢酸エチル、メチルエチルケトン、ジクロロメタン、及びテトラヒドロフラン等が挙げられる。
<Solvent>
The composition may further contain a solvent.
The type of solvent is not particularly limited, and is preferably an organic solvent. Examples of the organic solvent include ethyl acetate, methyl ethyl ketone, dichloromethane, and tetrahydrofuran.

<組成物の製造方法>
組成物の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用でき、例えば、上述した各種成分を公知の方法で混合することにより製造できる。混合する際には、各種成分を一括で混合しても、順次混合してもよい。
また、組成物の製造方法は、(1)予め単離した電荷移動錯体と任意の添加成分とを混合して調製する方法、(2)溶液中にて電子供与体と電子受容体とを混合して電荷移動錯体を生起させた後、電荷移動錯体を単離せずに、上記溶液中に任意の添加成分を添加する方法、又は、(3)電子供与体、電子受容体、溶媒、及び任意の添加成分を混合して、混合液中で電荷移動錯体を生起させる方法のいずれであってもよい。
<Method of producing composition>
The method for producing the composition is not particularly limited, and a known method can be adopted. For example, the composition can be produced by mixing the various components described above by a known method. When mixing, various components may be mixed at once or may be mixed one by one.
In addition, the method for producing the composition is (1) a method of mixing and preparing a previously isolated charge transfer complex and an optional additive component, and (2) mixing an electron donor and an electron acceptor in a solution. A charge transfer complex is formed, and then without adding the charge transfer complex, a method of adding any additional component to the above solution, or (3) an electron donor, an electron acceptor, a solvent, and any method The additive components of the above may be mixed to form a charge transfer complex in the mixture.

上記組成物の製造方法は、溶液中にて電子供与体と電子受容体とを所定量比で混合して形成することが好ましい。つまり、上記(2)又は(3)に示す方法が好ましい。
電子供与体及び電子受容体の混合比としては特に制限されず、電子供与体と電子受容体の質量含有量比(電子供与体/電子受容体)は、例えば、99/1〜1/99である。
特に、態様(2)の電荷移動錯体であって、円盤状化合物が式(D4)で表される化合物(中心環がトリフェニレン環である化合物)である場合、電子供与体と電子受容体の質量含有量比(電子供与体/電子受容体)は、熱伝導材料の熱伝導性により優れる点で、
85/25〜99/1が好ましい。
In the method for producing the above composition, it is preferable that the electron donor and the electron acceptor be mixed in a predetermined ratio in a solution. That is, the method shown to said (2) or (3) is preferable.
The mixing ratio of the electron donor and the electron acceptor is not particularly limited, and the mass content ratio of the electron donor to the electron acceptor (electron donor / electron acceptor) is, for example, 99/1 to 1/99. is there.
In particular, in the charge transfer complex according to aspect (2), when the discotic compound is a compound represented by the formula (D4) (a compound in which the central ring is a triphenylene ring), the mass of the electron donor and the electron acceptor The content ratio (electron donor / electron acceptor) is more excellent in the heat conductivity of the heat conductive material,
85/25 to 99/1 are preferred.

<組成物の硬化方法>
上記組成物は、硬化性の組成物であることが好ましい。
上記組成物が硬化性の組成物である場合、組成物の硬化方法は特に制限されず、円盤状化合物が任意で含む反応性基の種類によって適宜最適な方法が選ばれる。硬化方法は、例えば、熱硬化反応であっても、光硬化反応であってもよく、熱硬化反応が好ましい。
熱硬化反応の際の加熱温度は特に制限されない。例えば、50〜200℃の範囲で適宜選択すればよい。また、熱硬化反応を行う際には、温度の異なる加熱処理を複数回にわたって実施してもよい。
なお、円盤状化合物が液晶性を示す場合、又は組成物が液晶性を示す場合、硬化反応を実施する前に、組成物を加熱することによって組成物中の液晶成分の配向秩序を向上させる工程を実施してもよい。
<Method of curing composition>
The composition is preferably a curable composition.
When the composition is a curable composition, the method for curing the composition is not particularly limited, and an optimal method is selected according to the type of reactive group optionally contained in the discotic compound. The curing method may be, for example, a heat curing reaction or a light curing reaction, and a heat curing reaction is preferable.
The heating temperature in the case of the heat curing reaction is not particularly limited. For example, what is necessary is just to select suitably in 50-200 degreeC. Moreover, when performing a thermosetting reaction, you may implement the heat processing which differs in temperature in multiple times.
In the case where the discotic compound exhibits liquid crystallinity, or in the case where the composition exhibits liquid crystallinity, a step of improving the alignment order of liquid crystal components in the composition by heating the composition before carrying out the curing reaction. May be implemented.

なお、硬化反応は、シート状とした組成物に対して実施することが好ましい。具体的には、例えば、組成物を塗布し、得られた塗膜に対して硬化反応を実施すればよい。その際、プレス加工を行ってもよい。   The curing reaction is preferably carried out on a sheet-like composition. Specifically, for example, the composition may be applied, and the resulting coating film may be cured. At that time, pressing may be performed.

また、硬化反応は、半硬化反応であってもよい。つまり、得られる硬化物が、いわゆるBステージ状態(半硬化状態)であってもよい。
上記のような半硬化させた硬化物をデバイス等に接触するように配置した後、更に加熱等によって本硬化させることにより、硬化物である熱伝導材料を含む層とデバイスとの接着性がより向上する。
The curing reaction may be a semi-curing reaction. That is, the obtained cured product may be in a so-called B-stage state (semi-cured state).
After placing the above-mentioned semi-cured cured product in contact with the device etc., the adhesive property between the layer containing the thermally conductive material which is the cured product and the device can be increased by further curing by heating etc. improves.

<用途>
上記組成物は、熱伝導材料として様々な分野に応用できる。なお、熱伝導材料の形状は特に制限されず、例えば、シート状であってもよい。
以下、熱伝導材料に関して詳述する。
<Use>
The composition can be applied to various fields as a heat transfer material. In addition, the shape in particular of a heat conductive material is not restrict | limited, For example, a sheet form may be sufficient.
Hereinafter, the heat conductive material will be described in detail.

(熱伝導材料)
熱伝導材料は、上述した組成物を用いて形成できる。つまり、上記組成物は、熱伝導材料を形成するために使用できる。なお、硬化反応を含む熱伝導材料の作製については、「高熱伝導性コンポジット材料」(シーエムシー出版、竹澤由高著)を参照できる。
(Heat conduction material)
The heat transfer material can be formed using the composition described above. That is, the composition can be used to form a thermally conductive material. In addition, about preparation of the heat conductive material containing hardening reaction, "high thermal conductivity composite material" (CMC publication, Yutaka Takezawa) can be referred.

熱伝導材料は、熱伝導性に優れる材料であり、放熱シート等の放熱材として使用できる。例えば、パワー半導体デバイス等の各種デバイスの放熱用途に使用できる。より具体的には、デバイス上に上記熱伝導材料を含む熱伝導層を配置して熱伝導層付きデバイスを作製することにより、デバイスからの発熱を効率的に熱伝導層で放熱できる。   The heat conductive material is a material excellent in heat conductivity, and can be used as a heat dissipation material such as a heat dissipation sheet. For example, it can be used for heat dissipation applications of various devices such as power semiconductor devices. More specifically, heat generation from the device can be efficiently dissipated by the heat conduction layer by arranging a heat conduction layer containing the above-mentioned heat conduction material on the device to produce a device with a heat conduction layer.

熱伝導材料の形状は特に制限されず、用途に応じて、様々な形状に成形されたものであってもよい。典型的には、熱伝導材料は、シート状であることが好ましい。   The shape of the heat conductive material is not particularly limited, and may be formed into various shapes depending on the application. Typically, the heat transfer material is preferably in the form of a sheet.

なお、上記熱伝導材料は、硬化物であることが好ましく、完全に硬化した状態であってもよく、半硬化状態(上述したBステージ状態)であってもよい。上述したように、半硬化状態であっても十分な熱伝導性を有するため、各種装置の部材の隙間等の、光硬化のための光を到達させることが困難な部位に配置する放熱材としても使用できる。また、熱伝導性を有する接着剤としての使用も可能である。   The heat conductive material is preferably a cured product, and may be in a completely cured state or in a semi-cured state (the B-stage state described above). As described above, since it has sufficient thermal conductivity even in a semi-hardened state, it is used as a heat dissipating material disposed at a site where it is difficult for light for photo curing to reach, such as gaps between members of various devices. Can also be used. Moreover, the use as an adhesive which has thermal conductivity is also possible.

上記熱伝導材料は、他の部材と組み合わせて使用されてもよい。具体的には、例えば、上記熱伝導材料がシート状である場合、シート状の支持体上に、シート状の上記熱伝導材料を積層してもよい。
シート状の支持体としては、プラスチックフィルム、金属フィルム、及びガラス板等が挙げられる。
プ上記ラスチックフィルムの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル、ポリカーボネート、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリオレフィン、セルロース誘導体、及びシリコーン等が挙げられる。
上記金属フィルムとしては、例えば、銅フィルムが挙げられる。
The heat conductive material may be used in combination with other members. Specifically, for example, when the heat conductive material is in the form of a sheet, the sheet-like heat conductive material may be laminated on a sheet-like support.
Examples of the sheet-like support include plastic films, metal films, and glass plates.
Examples of the material of the plastic film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polycarbonates, acrylic resins, epoxy resins, polyurethanes, polyamides, polyolefins, cellulose derivatives, silicones, and the like.
As said metal film, a copper film is mentioned, for example.

以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により制限的に解釈されるべきものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples. The materials, amounts used, proportions, treatment contents, treatment procedures and the like shown in the following examples can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention. Accordingly, the scope of the present invention should not be construed as limited by the following examples.

〔組成物の調製及び評価〕
[各種成分]
以下に、実施例及び比較例で使用した各種成分を示す。
<円盤状化合物>
以下に、実施例及び比較例で使用した円盤状化合物を示す。
[Preparation and Evaluation of Composition]
[Various ingredients]
Below, the various components used by the Example and the comparative example are shown.
<Disc-like compound>
Below, the discotic compound used by the Example and the comparative example is shown.

<酸化剤>
以下に、実施例で使用した酸化剤を示す。
<Oxidizing agent>
The oxidizing agents used in the examples are shown below.

(酸化還元電位)
上記化合物(IV)〜(VI)の酸化還元電位は、サイクリックボルタンメトリーにより、参照電極として飽和カロメル電極(飽和カロメル参照電極)を用いて測定した。具体的には、支持電解質としてテトラ−n−エチルアンモニウム過塩素酸塩0.1Mを含むアセトニトリル中で、試料濃度1×10-3Mのボルタモグラムを測定し、これより得られる半波電位として求めた。なお、作用電極には白金を使用し、測定は25℃で行った。
上記化合物(IV)〜(VI)の酸化還元電位については、表1に示す。
(Redox potential)
The redox potentials of the above compounds (IV) to (VI) were measured by cyclic voltammetry using a saturated calomel electrode (saturated calomel reference electrode) as a reference electrode. Specifically, a voltammogram of a sample concentration of 1 × 10 -3 M is measured in acetonitrile containing 0.1 M of tetra-n-ethylammonium perchlorate as a supporting electrolyte, and it is determined as a half wave potential obtained from this The In addition, platinum was used for a working electrode, and the measurement was performed at 25 degreeC.
The redox potentials of the compounds (IV) to (VI) are shown in Table 1.

<重合開始剤>
以下に、実施例及び比較例で使用した重合開始剤を示す。
「ラジカル系重合開始剤」:VAm−110(和光純薬工業社製)
「酸系重合開始剤」:SI―B5(三新化学社製)
<Polymerization initiator>
The polymerization initiators used in Examples and Comparative Examples are shown below.
"Radical based polymerization initiator": VAm-110 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
"Acid-based polymerization initiator": SI-B5 (manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.)

<溶媒>
溶媒として、CPO(シクロペンタノン)を用いた。
<Solvent>
CPO (cyclopentanone) was used as a solvent.

<無機フィラー>
無機フィラーとして、以下のフィラーを使用した。
「PTX−60」:凝集状窒化ホウ素(平均粒径:60μm、モーメンティブ製)
「AA−3」:アルミナ(平均粒径:3μm、住友化学製)
「AA−04」:アルミナ(平均粒径:0.4μm、住友化学製)
<Inorganic filler>
The following fillers were used as inorganic fillers.
"PTX-60": Aggregated boron nitride (average particle size: 60 μm, manufactured by Momentive)
"AA-3": alumina (average particle size: 3 μm, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)
“AA-04”: alumina (average particle size: 0.4 μm, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)

[実施例1]
<組成物の調製>
下記表1に示す各種成分を、CPO(シクロペンタノン)、電子供与性化合物、電子受容性化合物、及び重合開始剤の順で混合した。得られた混合物を自転公転ミキサー(THINKY社製、あわとり練太郎ARE−310)で5分間処理することで組成物1を得た。
また、組成物1の最終的な固形分は、表1に記載された固形分濃度(「溶媒」欄内に記載)になるよう、CPOで調整した。
Example 1
<Preparation of composition>
The various components shown in the following Table 1 were mixed in the order of CPO (cyclopentanone), an electron donor, an electron acceptor, and a polymerization initiator. Composition 1 was obtained by processing the obtained mixture for 5 minutes with a rotation revolution mixer (manufactured by THINKY, Awatori Neritaro ARE-310).
Also, the final solid content of Composition 1 was adjusted with CPO so that the solid content concentration described in Table 1 (described in the “solvent” column) was obtained.

(電荷移動錯体の形成の確認)
なお、電荷移動錯体の形成は、得られた組成物を用いた紫外可視吸収スペクトル測定により同定した。詳細には、電子供与性化合物単独又は電子受容性化合物単独では現れない新しい吸収帯(電荷移動吸収帯)が長波長側に出現することにより確認した。なお、電荷移動吸収帯のピーク波長(nm)については、表1に「CT由来のピーク波長(nm)」として示す。
(Confirmation of charge transfer complex formation)
The formation of the charge transfer complex was identified by UV-visible absorption spectrum measurement using the obtained composition. In detail, it was confirmed by the appearance of a new absorption band (charge transfer absorption band) which does not appear with the electron donating compound alone or the electron accepting compound alone on the long wavelength side. The peak wavelength (nm) of the charge transfer absorption band is shown in Table 1 as "the peak wavelength (nm) derived from CT".

<熱伝導材料の作製>
次に、アプリケーターを用いて、ポリエステルフィルム(NP−100A パナック社製、膜厚100μm)の離型面上に組成物1を均一に塗布し、空気下で1時間放置することで塗膜1を得た。
次に、塗膜1の塗膜面を別のポリエステルフィルムで覆い、空気下で熱プレス(熱板温度160℃、圧力12MPaで30分間処理した後、さらに、190℃、圧力12MPaで2時間)で処理することで塗膜を硬化し、樹脂シートを得た。樹脂シートの両面にあるポリエステルフィルムを剥がし、平均膜厚419μmの熱伝導性シート1を得た。
<Preparation of heat conductive material>
Next, using an applicator, the composition 1 is uniformly applied on the release surface of a polyester film (NP-100A Panac, film thickness 100 μm), and the coating 1 is left by standing in air for 1 hour. Obtained.
Next, the coated film surface of the coated film 1 is covered with another polyester film, and hot pressed under air (heat plate temperature 160 ° C., treated at pressure 12 MPa for 30 minutes, and further 190 ° C., pressure 12 MPa for 2 hours) The coating film was cured by treatment with to obtain a resin sheet. The polyester films on both sides of the resin sheet were peeled off to obtain a thermally conductive sheet 1 having an average film thickness of 419 μm.

<熱伝導性評価>
熱伝導性評価は、熱伝導性シート1を用いて実施した。下記の方法で熱伝導率の測定を行い、下記の基準に従って熱伝導性を評価した。
<Evaluation of thermal conductivity>
Thermal conductivity evaluation was performed using the heat conductive sheet 1. The thermal conductivity was measured by the following method, and the thermal conductivity was evaluated according to the following criteria.

(熱伝導率(W/m・k)の測定)
(1)アイフェイズ社製の「アイフェイズ・モバイル1u」を用いて、熱伝導性シート1の厚み方向の熱拡散率を測定した。
(2)メトラー・トレド社製の天秤「XS204」を用いて、熱伝導性シート1の比重をアルキメデス法(「固体比重測定キット」使用)で測定した。
(3)セイコーインスツル社製の「DSC320/6200」を用い、10℃/分の昇温条件の下、25℃における熱伝導性シート1の比熱を求めた。
(4)得られた熱拡散率に比重及び比熱を乗じることで、熱伝導性シート1の熱伝導率を算出した。
(Measurement of thermal conductivity (W / m · k))
(1) The thermal diffusivity in the thickness direction of the thermally conductive sheet 1 was measured using "Eyephase Mobile 1u" manufactured by Eyephase.
(2) The specific gravity of the thermally conductive sheet 1 was measured by the Archimedes method (using a “solid specific gravity measurement kit”) using a balance “XS 204” manufactured by METTLER TOLEDO.
(3) The specific heat of the thermally conductive sheet 1 at 25 ° C. was determined using “DSC 320/6200” manufactured by Seiko Instruments Inc. under a temperature rising condition of 10 ° C./min.
(4) The thermal conductivity of the thermally conductive sheet 1 was calculated by multiplying the obtained thermal diffusivity by specific gravity and specific heat.

(評価基準)
「A」: 1.20W/m・K以上
「B」: 0.80W/m・K以上1.20W/m・K未満
「C」: 0.40W/m・K以上0.80W/m・K未満
「D」: 0.40W/m・K未満
結果を表1に示す。
(Evaluation criteria)
“A”: 1.20 W / m · K or more “B”: 0.80 W / m · K or more and 1.20 W / m · K or less “C”: 0.40 W / m · K or more 0.80 W / m · K Less than K "D": less than 0.40 W / m · K Results are shown in Table 1.

[実施例2〜20、比較例1〜12]
実施例1と同様の手順により、下記表1及び下記表2に示す実施例2〜20、比較例1〜12の各組成物を得た。なお、実施例2〜20では、組成物中に電荷移動錯体は形成されていることが確認されたが、比較例1〜12では、組成物中に電荷移動錯体は形成されていなかった。
また、組成物の最終的な固形分は、表1及び表2に記載された固形分濃度(「溶媒」欄内に記載)になるよう、CPOで調整した。
また、実施例1と同様に、得られた各組成物から熱伝導性シート2〜20、比較用熱伝導性シート1〜12を作製し、熱伝導性評価試験を実施した。結果を表1及び表2に示す。
[Examples 2 to 20, Comparative Examples 1 to 12]
By the procedure similar to Example 1, each composition of Examples 2-20 shown to following Table 1 and following Table 2 and Comparative Examples 1-12 was obtained. In Examples 2 to 20, it was confirmed that the charge transfer complex was formed in the composition, but in Comparative Examples 1 to 12, the charge transfer complex was not formed in the composition.
In addition, the final solid content of the composition was adjusted with CPO so that the solid content concentration described in Table 1 and Table 2 (described in the “solvent” column) was obtained.
Further, in the same manner as in Example 1, thermal conductive sheets 2 to 20 and comparative thermal conductive sheets 1 to 12 were produced from each composition obtained, and a thermal conductivity evaluation test was carried out. The results are shown in Tables 1 and 2.

以下、表1及び表2を示す。
表1及び表2において、「含有量(質量%)」とは、組成物中の全固形分に対する各種成分の含有量(質量%)を意味する。
表1中に記載される「構造」は、使用した電子受容性化合物及び電子供与性化合物が、円盤状化合物であるか、又は、上述した式(A)若しくは上述した式(B)で表される酸化剤であるかを示す。
表1及び表2中に記載される「ラジカル系重合開始剤」とは、VAm−110(和光純薬社製)を意図し、「酸系重合開始剤」とは、SI−B5(三新化学社製)を意図する。
表1中に記載される「電子供与体化合物と電子受容体化合物との質量含有比」は、熱伝導材料用組成物に添加された電子供与体化合物と電子受容体化合物の混合比(電子供与体化合物の含有量/電子受容体化合物の含有量)を意図する。
また、表1及び表2中に記載される「膜厚[μm]」は、熱伝導性シートの平均膜厚を意味する。
Tables 1 and 2 are shown below.
In Table 1 and Table 2, "content (mass%)" means content (mass%) of various components with respect to the total solid in a composition.
In the “structure” described in Table 1, the electron accepting compound and the electron donating compound used are discotic compounds, or are represented by the above-mentioned formula (A) or the above-mentioned formula (B) Indicate whether it is an oxidizing agent.
The "radical type polymerization initiator" described in Tables 1 and 2 intends VAm-110 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and the "acid type polymerization initiator" means SI-B5 (Mixin Intended for Chemical Company.
The “mass content ratio of the electron donor compound to the electron acceptor compound” described in Table 1 is the mixing ratio of the electron donor compound to the electron acceptor compound added to the composition for a heat conductive material (electron donor The term “body compound content / electron acceptor compound content” is intended.
Further, “film thickness [μm]” described in Tables 1 and 2 means the average film thickness of the heat conductive sheet.

表1及び表2の結果から、実施例の熱伝導材料形成用組成物から得られる熱伝導材料は、熱伝導性に優れることが確認された。
また、実施例1と実施例2の対比から、熱伝導材料形成用組成物が、円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が0V以上である化合物とから形成された電荷移動錯体を含む場合、熱伝導性により優れることが確認された。
また、実施例1と実施例7の対比から、熱伝導材料形成用組成物が、円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が0.50V以下である化合物とから形成された電荷移動錯体を含む場合、熱伝導性により優れることが確認された。
また、実施例1、実施例3、及び実施例4の対比、並びに実施例9、実施例10、及び実施例11との対比から、熱伝導材料形成用組成物が、重合性基を有する円盤状化合物を含み、得られる熱伝導材料が硬化物である場合、熱伝導性により優れることが確認された。
また、実施例1、実施例3、実施例5、実施例6、実施例8、及び実施例12の対比から、熱伝導材料形成用組成物が、飽和カルメル電極に対する酸化還元電位が0V以上である化合物と、トリフェニレン系化合物を骨格とする円盤状化合物(上述した式(D4)で表される化合物)とから形成された電荷移動錯体を含み、且つ、上記飽和カルメル電極に対する酸化還元電位が0V以上である化合物と上記円盤状化合物との質量含有比が85/25〜99/1とを混合して形成された組成物である場合、熱伝導性により優れることが確認された。
また、実施例4、実施例11、及び実施例16を対比すると、いずれの実施例においても熱伝導性は「C」評価であるが、実施例16の熱伝導材料形成用組成物により得られる熱伝導性材料は、実施例4及び実施例11と比べると若干劣る結果となった。この結果から、熱伝導材料形成用組成物中の電荷移動錯体を形成する円盤状化合物が、式(D4)で表される化合物又は式(D16)で表される化合物である場合、熱伝導性により優れることが確認された。
また、実施例17〜実施例20の対比から、熱伝導材料形成用組成物が、互いに構造が異なる2種以上の円盤状化合物からなる電荷移動錯体を含み、且つ、上記円盤状化合物の一方が重合性基(例えば、エポキシ基)を含み、上記円盤状化合物の他方が架橋性基(例えば、水酸基)を含む場合、熱伝導性により優れることが確認された。
一方、表2の結果から、比較例の熱伝導材料形成用組成物から得られる熱伝導材料は、所望の性能を満たさないことが明らかとなった。
From the results of Table 1 and Table 2, it was confirmed that the thermally conductive material obtained from the composition for forming thermally conductive material of the example is excellent in thermal conductivity.
Further, from the comparison between Example 1 and Example 2, the composition for forming a heat conductive material contains a charge transfer complex formed from a discotic compound and a compound having a redox potential of 0 V or more for a saturated calomel electrode. In the case, it was confirmed that the heat conductivity is excellent.
Further, from the comparison between Example 1 and Example 7, it is apparent that the composition for forming a heat conductive material is a charge transfer complex formed from a discotic compound and a compound having an oxidation reduction potential of 0.50 V or less with respect to a saturated calomel electrode. When it contains, it was confirmed that it is excellent by thermal conductivity.
Further, from the comparison of Example 1, Example 3, and Example 4 and the comparison with Example 9, Example 10, and Example 11, the composition for forming a thermally conductive material has a polymerizable group-containing disc. It was confirmed that the heat conductivity is superior when the obtained heat conductive material is a cured product containing a cyclic compound.
Further, from the comparison of Example 1, Example 5, Example 5, Example 6, Example 8, and Example 12, the composition for forming a heat conductive material has an oxidation reduction potential relative to a saturated carmel electrode of 0 V or more. A charge transfer complex formed from a certain compound and a discotic compound (a compound represented by the above-mentioned formula (D4)) having a triphenylene compound as a skeleton, and having a redox potential of 0 V with respect to the saturated carmel electrode When it is a composition formed by mixing the mass content ratio of the compound which is the above, and the said disc-like compound with 85/25-99/1, it was confirmed that it is excellent by thermal conductivity.
In addition, comparing Example 4, Example 11, and Example 16, although the thermal conductivity is "C" evaluation in any of the examples, it can be obtained by the composition for forming a heat conductive material of Example 16. The thermally conductive material resulted in a slightly inferior result as compared with Example 4 and Example 11. From this result, when the discotic compound forming the charge transfer complex in the composition for forming a heat conductive material is a compound represented by the formula (D4) or a compound represented by the formula (D16), the thermal conductivity is It was confirmed that the better.
Further, from the comparison of Example 17 to Example 20, the composition for forming a heat conductive material contains a charge transfer complex consisting of two or more discotic compounds different in structure from one another, and one of the discotic compounds is When it contains a polymeric group (for example, an epoxy group) and the other of the said discotic compound contains a crosslinkable group (for example, a hydroxyl group), it was confirmed that it is excellent by thermal conductivity.
On the other hand, it became clear from the results of Table 2 that the heat conductive material obtained from the composition for forming a heat conductive material of the comparative example does not satisfy the desired performance.

[実施例21]
下記表3に示す各種成分を、CPO(シクロペンタノン)、電子供与性化合物、電子受容性化合物、重合開始剤、及び無機フィラーの順で混合した。得られた混合物を自転公転ミキサー(THINKY社製、あわとり練太郎ARE−310)で5分間処理することで組成物21を得た。
また、組成物21の最終的な固形分は、表3に記載された固形分濃度(「溶媒」欄内に記載)になるよう、CPOで調整した。
[Example 21]
The various components shown in Table 3 below were mixed in the order of CPO (cyclopentanone), an electron donor, an electron acceptor, a polymerization initiator, and an inorganic filler. The composition 21 was obtained by processing the obtained mixture for 5 minutes with a rotation revolution mixer (manufactured by THINKY, Awatori Neritaro ARE-310).
Also, the final solid content of the composition 21 was adjusted with CPO so as to have the solid content concentration described in Table 3 (described in the “solvent” column).

次に、アプリケーターを用いて、ポリエステルフィルム(NP−100A パナック社製、膜厚100μm)の離型面上に組成物21を均一に塗布し、空気下で1時間放置することで塗膜21を得た。
次に、塗膜21の塗膜面を別のポリエステルフィルムで覆い、空気下で熱プレス(熱板温度160℃、圧力12MPaで30分間処理した後、さらに、190℃、圧力12MPaで2時間)で処理することで塗膜を硬化し、樹脂シートを得た。樹脂シートの両面にあるポリエステルフィルムを剥がし、平均膜厚421μmの熱伝導性シート21を得た。
Next, using an applicator, the composition 21 is uniformly applied on the release surface of a polyester film (NP-100A Panac, film thickness 100 μm), and the coating 21 is left by standing in air for 1 hour. Obtained.
Next, the coated film surface of the coated film 21 is covered with another polyester film, and hot pressed under air (heat plate temperature 160 ° C., treated at pressure 12 MPa for 30 minutes, and further 190 ° C., pressure 12 MPa for 2 hours) The coating film was cured by treatment with to obtain a resin sheet. The polyester films on both sides of the resin sheet were peeled off to obtain a thermally conductive sheet 21 having an average film thickness of 421 μm.

<熱伝導性評価>
熱伝導性評価は、熱伝導性シート21を用いて実施した。下記の方法で熱伝導率の測定を行い、下記の基準に従って熱伝導性を評価した。
<Evaluation of thermal conductivity>
Thermal conductivity evaluation was performed using the heat conductive sheet 21. The thermal conductivity was measured by the following method, and the thermal conductivity was evaluated according to the following criteria.

(熱伝導率(W/m・k)の測定)
(1)アイフェイズ社製の「アイフェイズ・モバイル1u」を用いて、熱伝導性シート1の厚み方向の熱拡散率を測定した。
(2)メトラー・トレド社製の天秤「XS204」を用いて、熱伝導性シート1の比重をアルキメデス法(「固体比重測定キット」使用)で測定した。
(3)セイコーインスツル社製の「DSC320/6200」を用い、10℃/分の昇温条件の下、25℃における熱伝導性シート1の比熱を求めた。
(4)得られた熱拡散率に比重及び比熱を乗じることで、熱伝導性シート1の熱伝導率を算出した。
(Measurement of thermal conductivity (W / m · k))
(1) The thermal diffusivity in the thickness direction of the thermally conductive sheet 1 was measured using "Eyephase Mobile 1u" manufactured by Eyephase.
(2) The specific gravity of the thermally conductive sheet 1 was measured by the Archimedes method (using a “solid specific gravity measurement kit”) using a balance “XS 204” manufactured by METTLER TOLEDO.
(3) The specific heat of the thermally conductive sheet 1 at 25 ° C. was determined using “DSC 320/6200” manufactured by Seiko Instruments Inc. under a temperature rising condition of 10 ° C./min.
(4) The thermal conductivity of the thermally conductive sheet 1 was calculated by multiplying the obtained thermal diffusivity by specific gravity and specific heat.

(評価基準)
「A」: 12W/m・K以上
「B」: 9W/m・K以上12W/m・K未満
「C」: 6W/m・K以上9W/m・K未満
「D」: 6W/m・K未満
結果を表3に示す。
(Evaluation criteria)
"A": 12 W / m · K or more "B": 9 W / m · K or more 12 W / m · K "C": 6 W / m · K or more 9 W / m · K or less "D": 6 W / m · Less than K The results are shown in Table 3.

[実施例22〜31、比較例13〜18]
また、得られた各組成物から熱伝導性シート22〜31、比較用熱伝導性シート13〜18を作製し、実施例21と同様の熱伝導性評価試験を実施した。結果を表3に示す。
[Examples 22 to 31, Comparative Examples 13 to 18]
Moreover, the thermally conductive sheets 22-31 and the thermally conductive sheets 13-18 for comparison were produced from each composition obtained, and the thermal conductivity evaluation test similar to Example 21 was implemented. The results are shown in Table 3.

以下、表3を示す。
表3において、「含有量(質量%)」とは、組成物中の全固形分に対する各種成分の含有量(質量%)を意味する。
表3中に記載される「ラジカル系重合開始剤」とは、VAm−110(和光純薬社製)を意図し、「酸系重合開始剤」とは、SI−B5(三新化学社製)を意図する。
表3中に記載される「電子供与体化合物と電子受容体化合物との質量含有比」は、熱伝導材料用組成物に添加された電子供与体化合物と電子受容体化合物の混合比(電子供与体化合物の含有量/電子受容体化合物の含有量)を意図する。
また、表3中に記載される「膜厚[μm]」は、熱伝導性シートの平均膜厚を意味する。
Table 3 is shown below.
In Table 3, "content (mass%)" means content (mass%) of various components with respect to the total solid in a composition.
The "radical type polymerization initiator" described in Table 3 intends VAm-110 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and the "acid type polymerization initiator" is SI-B5 (manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) Intended).
The “mass content ratio of the electron donor compound to the electron acceptor compound” described in Table 3 is the mixing ratio of the electron donor compound to the electron acceptor compound added to the composition for a heat conductive material (electron donor The term “body compound content / electron acceptor compound content” is intended.
Further, “film thickness [μm]” described in Table 3 means the average film thickness of the heat conductive sheet.

表3の結果から、熱伝導材料形成用組成物が無機物を含む場合、得られる熱伝導材料は、熱伝導性にさらに優れることが確認された。
一方、表3の結果から、比較例の熱伝導材料形成用組成物から得られる熱伝導材料は、実施例品の基準を満たさないことが明らかである。
From the results of Table 3, it was confirmed that when the composition for forming a heat transfer material contains an inorganic substance, the obtained heat transfer material is further excellent in heat conductivity.
On the other hand, it is clear from the results of Table 3 that the heat conductive material obtained from the composition for forming a heat conductive material of the comparative example does not satisfy the criteria of the product of the example.

Claims (14)

電荷移動錯体を含み、
前記電荷移動錯体が円盤状化合物を少なくとも含む、熱伝導材料形成用組成物。
Containing charge transfer complexes,
The composition for heat-conductive material formation in which the said charge transfer complex contains a discotic compound at least.
前記電荷移動錯体が、前記円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が0V以上である化合物とからなる、請求項1に記載の熱伝導材料形成用組成物。   The composition for forming a heat transfer material according to claim 1, wherein the charge transfer complex is composed of the discotic compound and a compound having a redox potential of 0 V or more with respect to a saturated calomel electrode. 前記電荷移動錯体が、前記円盤状化合物と、飽和カロメル電極に対する酸化還元電位が0V以上0.50V以下である化合物とからなる、請求項2に記載の熱伝導材料形成用組成物。   The composition for forming a heat transfer material according to claim 2, wherein the charge transfer complex is composed of the discotic compound and a compound having a redox potential relative to a saturated calomel electrode of 0 V or more and 0.50 V or less. 前記円盤状化合物が、下記式(D4)で表される化合物、及び下記式(D16)で表される化合物からなる群より選ばれる、請求項2又は3に記載の熱伝導材料形成用組成物。

式中、Lは、各々独立に、2価の連結基を表す。Qは、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。

式中、A2X、A3X、及びA4Xは、各々独立に、−CH=又は−N=を表す。R17X、R18X、及びR19Xは、各々独立に、*−(X211X−Z21Xn21X−L21X−Qを表す。*は、中心環との結合位置を表す。X211Xは、各々独立に、単結合、−O−、−C(=O)−、−NH−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−OC(=O)NH−、−OC(=O)S−、−C(=O)O−、−C(=O)NH−、−C(=O)S−、−NHC(=O)−、−NHC(=O)O−、−NHC(=O)NH−、−NHC(=O)S−、−S−、−SC(=O)−、−SC(=O)O−、−SC(=O)NH−、又は−SC(=O)S−を表す。
21Xは、各々独立に、5員環若しくは6員環の芳香族環基、又は5員環若しくは6員環の非芳香族環基を表す。
21Xは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
n21Xは、0〜3の整数を表す。n21Xが2以上の場合、複数存在する(X211X−Z21X)は、同一でも異なっていてもよい。
The composition for forming a thermally conductive material according to claim 2 or 3, wherein the discotic compound is selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (D4) and a compound represented by the following formula (D16) .

In the formulae, each L independently represents a divalent linking group. Each Q independently represents a hydrogen atom or a substituent.

In formula, A2X , A3X , and A4X respectively independently represent -CH = or -N =. R 17X, R 18X, and R 19X are independently * - represents the (X 211X -Z 21X) n21X -L 21X -Q. * Represents the bonding position with the central ring. X 211 X is each independently a single bond, -O-, -C (= O)-, -NH-, -OC (= O)-, -OC (= O) O-, -OC (= O) NH-, -OC (= O) S-, -C (= O) O-, -C (= O) NH-, -C (= O) S-, -NHC (= O)-, -NHC ( OO—, —NHC (= O) NH—, —NHC (= O) S—, —S—, —SC (= O) —, —SC (= O) O—, —SC (= O) And n represents an —NH— or —SC (= O) S—.
Z 21X each independently represents a 5- or 6-membered aromatic ring group, or a 5- or 6-membered non-aromatic ring group.
L 21 X represents a single bond or a divalent linking group.
Each Q independently represents a hydrogen atom or a substituent.
n21X represents an integer of 0 to 3; If n21X is 2 or more, there are a plurality (X 211X -Z 21X) may be the same or different.
前記円盤状化合物が、重合性基を含む、請求項2〜4のいずれか1項に記載の熱伝導材料形成用組成物。   The composition for heat-conductive material formation of any one of Claims 2-4 in which the said disc-like compound contains a polymeric group. 前記電荷移動錯体が、互いに構造が異なる2種以上の円盤状化合物からなる、請求項1に記載の熱伝導材料形成用組成物。   The composition for forming a heat transfer material according to claim 1, wherein the charge transfer complex is composed of two or more discotic compounds having different structures. 前記円盤状化合物のうち少なくとも1種が、重合性基を含む、請求項6に記載の熱伝導材料形成用組成物。   The composition for forming a heat transfer material according to claim 6, wherein at least one of the discotic compounds contains a polymerizable group. 前記円盤状化合物のうち、一方が重合性基を含み、他方が架橋性基を含む、請求項7に記載の熱伝導材料形成用組成物。   The composition for forming a heat conductive material according to claim 7, wherein one of the discotic compounds contains a polymerizable group and the other contains a crosslinkable group. 前記電荷移動錯体が、下記式(CR1)で表される部分構造を含む円盤状化合物、及び下記式(CR2)で表される部分構造を含む円盤状化合物からなる群より選ばれる2種以上の円盤状化合物からなり、且つ、
前記2種以上の円盤状化合物は、前記部分構造が互いに異なる、請求項6〜8のいずれか1項に記載の熱伝導材料形成用組成物。

式中、XCR11〜XCR16は、各々独立に、単結合、−O−、−C(=O)−、−NH−、又は−S−を表す。*は、結合位置を表す。

式中、XCR21、XCR22、及びXCR23は、各々独立に、単結合、−O−、−C(=O)−、−NH−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−OC(=O)NH−、−OC(=O)S−、−C(=O)O−、−C(=O)NH−、−C(=O)S−、−NHC(=O)−、−NHC(=O)O−、−NHC(=O)NH−、−NHC(=O)S−、−S−、−SC(=O)−、−SC(=O)O−、−SC(=O)NH−、又は−SC(=O)S−を表す。
CR21、ZCR22、及びZCR23は、各々独立に、5員環若しくは6員環の芳香族環基、又は5員環若しくは6員環の非芳香族環基を表す。
nCR21、nCR22、及びnCR23は、各々独立に、1〜3の整数を表す。
The charge transfer complex is at least two selected from the group consisting of a discotic compound containing a partial structure represented by the following formula (CR1) and a discotic compound containing a partial structure represented by the following formula (CR2) Consisting of discotic compounds, and
The composition for forming a heat transfer material according to any one of claims 6 to 8, wherein the partial structures of the two or more discotic compounds are different from each other.

In the formula, each of X CR11 to X CR16 independently represents a single bond, -O-, -C (= O)-, -NH-, or -S-. * Represents a bonding position.

In the formulae, X CR21 , X CR22 and X CR23 each independently represent a single bond, -O-, -C (= O)-, -NH- , -OC (= O)-, -OC (= O ) O-, -OC (= O) NH-, -OC (= O) S-, -C (= O) O-, -C (= O) NH-, -C (= O) S-,- NHC (= O)-, -NHC (= O) O-, -NHC (= O) NH-, -NHC (= O) S-, -S-, -SC (= O)-, -SC (= O) O-, -SC (= O) NH-, or -SC (= O) S-.
Z CR21 , Z CR22 and Z CR23 each independently represent a 5- or 6-membered aromatic ring group, or a 5- or 6-membered non-aromatic ring group.
nCR21, nCR22 and nCR23 each independently represent an integer of 1 to 3.
前記電荷移動錯体が、前記XCR11〜前記XCR16がいずれも−O−を表す前記式(CR1)で表される部分構造を含む円盤状化合物と、前記XCR11〜前記XCR16がいずれも−C(=O)−を表す前記式(CR1)で表される部分構造を含む円盤状化合物と、からなる、請求項9に記載の熱伝導材料形成用組成物。 The charge transfer complex is a discotic compound including a partial structure represented by the formula (CR1) in which all of the X CR11 to the X CR16 represent —O—, and all of the X CR11 to the X CR16 are — The composition for heat conductive material formation of Claim 9 which consists of a disc-like compound containing the partial structure represented by said Formula (CR1) which represents C (= O)-. 更に、無機物を含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の熱伝導材料形成用組成物。   Furthermore, the composition for heat conductive material formation of any one of Claims 1-10 containing an inorganic substance. 請求項1〜11のいずれか1項に記載の熱伝導材料形成用組成物を用いて形成される、熱伝導材料。   The heat conductive material formed using the composition for heat conductive material formation of any one of Claims 1-11. シート状である、請求項12に記載の熱伝導材料。   The heat transfer material according to claim 12, which is in the form of a sheet. デバイスと、前記デバイス上に配置された請求項12又は13に記載の熱伝導材料を含む熱伝導層とを含む、熱伝導層付きデバイス。   A device with a thermally conductive layer, comprising a device and a thermally conductive layer comprising a thermally conductive material according to claim 12 or 13 disposed on the device.
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