JP2013134208A - Pressure sensitive element containing carbon nanotube - Google Patents

Pressure sensitive element containing carbon nanotube Download PDF

Info

Publication number
JP2013134208A
JP2013134208A JP2011286151A JP2011286151A JP2013134208A JP 2013134208 A JP2013134208 A JP 2013134208A JP 2011286151 A JP2011286151 A JP 2011286151A JP 2011286151 A JP2011286151 A JP 2011286151A JP 2013134208 A JP2013134208 A JP 2013134208A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
thin film
film layer
carbon nanotube
sensitive element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011286151A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Endo
浩幸 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2011286151A priority Critical patent/JP2013134208A/en
Publication of JP2013134208A publication Critical patent/JP2013134208A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pressure-sensitive element having a new structure using a thin film containing carbon nanotubes.SOLUTION: The pressure-sensitive element containing carbon nanotubes includes a thin film layer containing carbon nanotubes, and a first electrode and a second electrode formed in contact with the thin film layer. The thin film layer contains an electrically insulating substance.

Description

本発明は、カーボンナノチューブを含有する感圧素子に関する。   The present invention relates to a pressure-sensitive element containing carbon nanotubes.

カーボンナノチューブは、グラフェンシートを円筒状に丸めた構造を有しており、一般的には、ストローもしくは麦わら状の構造を有している。カーボンナノチューブは単一のチューブからなるシングルウォールカーボンナノチューブ(SWCNT;Single−Walled Carbon NanoTube)、直径の異なる2本のチューブが積層した構造のダブルウォールカーボンナノチューブ(DWCNT;Double−Walled Carbon NanoTube)、直径の異なる多数のチューブが積層した構造のマルチウォールカーボンナノチューブ(MWCNT;Multi−Walled Carbon NanoTube)に分類され、そのそれぞれの構造において特徴を活かした応用研究が進められている。   The carbon nanotube has a structure in which a graphene sheet is rolled into a cylindrical shape, and generally has a straw-like or straw-like structure. Carbon nanotubes are single-walled carbon nanotubes (SWCNT; Single-Walled Carbon Nanotube) consisting of a single tube, double-walled carbon nanotubes (DWCNT; Double-Walled Carbon NanoTube) with a structure in which two tubes with different diameters are stacked, diameter Are classified into multi-walled carbon nanotubes (MWCNT; Multi-Walled Carbon Nanotubes) having a structure in which a large number of different tubes are laminated, and applied research utilizing the characteristics of each of the structures is being promoted.

カーボンナノチューブを多数本分散させて薄膜を形成させるためには、カーボンナノチューブの溶液や分散液を用いると容易に薄膜を形成させることができる(例えば非特許文献1〜4参照)。   In order to form a thin film by dispersing many carbon nanotubes, a thin film can be easily formed by using a solution or dispersion of carbon nanotubes (see, for example, Non-Patent Documents 1 to 4).

一方、ユビキタス社会の発展に伴い、情報の入出力手段の発展が著しい。情報の出力手段が先に発展をし、液晶ディスプレイ(LCD)をはじめとするフラットパネルディスプレイ(FPD)が情報表示デバイスの主流となっている。LCDとは異なるフラットパネルディスプレイとしては、有機エレクトロルミネッセントディスプレイ(OLED)、プラズマディスプレイ (PDP)などの自発光型ディスプレイも実用化され、大きさ、明るさ(輝度)、解像度などの特長によって使い分けられている。   On the other hand, with the development of ubiquitous society, the development of information input / output means is remarkable. Information output means have been developed first, and flat panel displays (FPD) such as liquid crystal displays (LCD) have become mainstream of information display devices. As flat panel displays different from LCDs, self-luminous displays such as organic electroluminescent displays (OLEDs) and plasma displays (PDPs) have also been put into practical use, depending on features such as size, brightness (luminance), and resolution. It is used properly.

また、低消費電力化を目的とした不揮発型の表示装置の開発も進められ、電子ペーパーとして一部製品化が進められている。ユビキタス情報社会のさらに発展した社会であるクラウド情報社会の発展に向けて、これら情報表示装置に情報入力手段も備えたインタラクティブな表示装置の開発も活発に行われている。インタラクティブな表示装置の実現に向けて、現在一般的に用いられている方法が表示された情報から直感的に情報を入力できるタッチパネル方式である。現在主流のタッチパネルは、抵抗式と静電容量式の2つであり、それぞれ21インチ程度の大きさまでのタッチパネルであれば、ほぼ100%前記2種の方式が採用されている。   In addition, development of a nonvolatile display device aiming at low power consumption has been promoted, and a part of the electronic paper has been commercialized. For the development of a cloud information society, which is a further developed society of the ubiquitous information society, development of interactive display devices including information input means in these information display devices is being actively conducted. In order to realize an interactive display device, a method generally used at present is a touch panel system that allows intuitive input of information from displayed information. At present, there are two main types of touch panels, a resistance type and a capacitance type. If the touch panel has a size of about 21 inches, the two types are almost adopted.

N.Saranら、「Fabrication and Characterization of thin films of single−walled carbon nanotube bundles on flexible plastic substrates」、J.Am.Chem.Soc.、126巻、4462頁、2004年N. Saran et al., “Fabrication and Characterisation of Thin Films of Single-Walled Carbon Nanotubes Bundles on Flexible Plastic Substrates”, J. Am. Am. Chem. Soc. 126, 4462, 2004 Z.Wuら、「Transparent, conductive carbon nanotube films」、SCIENCE、305号、1273頁、2004年Z. Wu et al., “Transparent, conductive carbon nanotubes,” SCIENCE, 305, 1273, 2004. M.Zhangら、「Strong, transparent, multifunctional, carbon nanotube sheets」、SCIENCE、309号、1215頁、2005年M.M. Zhang et al., “Strong, transparent, multi-functional, carbon nanotube sheets”, SCIENCE, 309, 1215, 2005. Y.Zhouら、「A method of printing carbon nanotube thin films」、Appl.Phys.Lett.、88巻、123109頁、2006年Y. Zhou et al., “A method of printing carbon nanotube thin films”, Appl. Phys. Lett. 88, 123109, 2006

これらの方式は、製造が容易であり、仕様がほぼ固まっているため、採用率が高いのであるが、画面が大きくなると、抵抗値の増大、消費電力の増大などの課題が発生し、20インチを超えるような大きさへの適用は困難である。この課題を解決するために、別方式の採用も進められているが、解決方法として検討が進められている方法のひとつとして、アクティブマトリックス化が検討されている。特に、フレキシブルディスプレイなどの場合、IRセンサを用いた方式などは適用できず、画素一つ一つの物理量の変化が容易に検出できるアクティブマトリックス方式の開発が期待されている。   These methods are easy to manufacture and the specifications are almost fixed, so the adoption rate is high. However, when the screen becomes large, problems such as an increase in resistance value and an increase in power consumption occur, and 20 inches. It is difficult to apply to a size exceeding. In order to solve this problem, the adoption of another method has been promoted. However, as one of the methods being studied as a solution method, an active matrix is being studied. In particular, in the case of a flexible display or the like, a method using an IR sensor cannot be applied, and development of an active matrix method that can easily detect a change in physical quantity of each pixel is expected.

現在のタッチパネル方式の中で、抵抗式と静電容量式のふたつが主要な方式であることは先に記載したが、それぞれの方式にはそれぞれの特徴があり、その特徴に応じて応用製品毎に使い分けられているのが実情である。   Of the current touch panel methods, the two main methods are the resistance type and the capacitance type. However, each method has its own characteristics, and each application product depends on its characteristics. It is the actual situation that is used properly.

抵抗式の場合、手、指のほか、ペンなどのツールを用いても使用することが出来、特にペン入力などが必要な応用には、抵抗式が用いられている。その反面、一般的な抵抗式のタッチパネルは、複数の入力(マルチタッチ)に対応することができないため、利用は、単数の入力に限定されてしまっている。   In the case of the resistance type, it can be used by using a tool such as a pen in addition to the hand, the finger, and the resistance type is used particularly for applications that require pen input. On the other hand, since a general resistance type touch panel cannot support a plurality of inputs (multi-touch), the use is limited to a single input.

一方、静電容量式はマルチタッチ入力に対応しており、複数の入力に対応できたり、視野を広げたり、狭めたりするのに、2本の指などで入力したり非常に利用者に直感的に入力できるような方式である。その反面、静電容量式のタッチパネルは一般的なペン入力には対応できないため、微細なパターンの入力には適していない。これらのように、現在実用化されているタッチパネルは、マルチタッチとペン入力と言うごく一般的なふたつの入力方法に対応できるものは非常に複雑な構造が必要となってくる。   On the other hand, the capacitance type is compatible with multi-touch input, so it can be used for multiple inputs, and can be input with two fingers to widen or narrow the field of view. It is a method that can be input manually. On the other hand, since the capacitive touch panel cannot handle general pen input, it is not suitable for inputting a fine pattern. As described above, a touch panel that is currently in practical use requires a very complicated structure if it can handle two general input methods such as multi-touch and pen input.

また、アクティブマトリックス型の入力方式を表示装置に組み込むばあい、表示のための画素と入力のための画素は、垂直に重ねるか、水平(横)に並べるかのどちらかであるが、垂直に重ねる場合、ディスプレイとしての明るさが損なわれたり、全体の厚みが厚くなってしまうという問題が発生する。横に並べる場合は、表示画素面積が小さくなってしまうため、こちらも画面が暗くなってしまうなどの問題が発生する。   In addition, when an active matrix type input method is incorporated in a display device, the display pixels and the input pixels are either superimposed vertically or arranged horizontally (horizontally), but vertically When overlapping, the brightness as a display is impaired, and the problem that the whole thickness will become thick generate | occur | produces. When arranged side by side, the display pixel area becomes small, and this also causes problems such as a dark screen.

本発明の目的は、カーボンナノチューブを含有する薄膜を用いる、新たな構造の感圧素子を提供することである。   An object of the present invention is to provide a pressure-sensitive element having a new structure using a thin film containing carbon nanotubes.

本願発明者は、カーボンナノチューブを含む層の導電性が、カーボンナノチューブの濃度により変化することから、カーボンナノチューブ含有層に何らかの操作をすることにより電流量を変化させることができるのではないかと考えた。そして検討を重ねた結果、カーボンナノチューブを含む層に圧力を加えることによって電流量を変えることができることを発見し、感圧素子として利用できる構成を発明した。   The inventor of the present application thought that the amount of current can be changed by performing some operation on the carbon nanotube-containing layer, because the conductivity of the layer containing the carbon nanotube changes depending on the concentration of the carbon nanotube. . As a result of repeated studies, it was discovered that the amount of current can be changed by applying pressure to a layer containing carbon nanotubes, and a configuration that can be used as a pressure-sensitive element has been invented.

本発明の第1の視点によれば、カーボンナノチューブを含有する薄膜層と、該薄膜層に接して形成された第1電極及び第2電極を備え、該薄膜層が電気絶縁性物質を含有するカーボンナノチューブ含有感圧素子が提供される。   According to a first aspect of the present invention, a thin film layer containing carbon nanotubes, and a first electrode and a second electrode formed in contact with the thin film layer, the thin film layer contains an electrically insulating material. A carbon nanotube-containing pressure sensitive element is provided.

本発明の第2の視点によれば、カーボンナノチューブを含有する薄膜層と、該薄膜層に接して形成された第1電極及び第2電極と、該第1電極と該第2電極との間に流れる電流を制御するための第3電極と、該薄膜層と該第3電極との間に形成された絶縁層と、を備え、該薄膜層が電気絶縁性物質を含有するカーボンナノチューブ含有感圧素子が提供される。   According to a second aspect of the present invention, a thin film layer containing carbon nanotubes, a first electrode and a second electrode formed in contact with the thin film layer, and between the first electrode and the second electrode A carbon nanotube-containing sensation comprising: a third electrode for controlling a current flowing through the electrode; and an insulating layer formed between the thin film layer and the third electrode, wherein the thin film layer contains an electrically insulating material. A pressure element is provided.

本発明の第3の視点によれば、上記に記載のカーボンナノチューブ含有感圧素子をマトリックス状に配列した、感圧センサシートが提供される。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a pressure sensitive sensor sheet in which the carbon nanotube-containing pressure sensitive elements described above are arranged in a matrix.

本発明の第4の視点において、本発明に係るカーボンナノチューブ含有感圧素子の製造方法は、上記に記載のカーボンナノチューブ感圧素子の製造方法であって、基板の上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層の上にカーボンナノチューブを含む薄膜層を形成する工程と、を含み、該薄膜層を形成する工程は、カーボンナノチューブの分散液を塗布又は印刷して該薄膜層を形成することを特徴とする。   In a fourth aspect of the present invention, the method for manufacturing a carbon nanotube-containing pressure sensitive element according to the present invention is the above-described method for manufacturing a carbon nanotube pressure-sensitive element, the step of forming an insulating layer on a substrate And a step of forming a thin film layer containing carbon nanotubes on the insulating layer, and the step of forming the thin film layer includes applying or printing a dispersion of carbon nanotubes to form the thin film layer. It is characterized by.

本発明によれば、カーボンナノチューブを含有する薄膜層を用い、入力した圧力に応じて流れる電流を変化させられる感圧素子を得ることが出来る。   According to the present invention, it is possible to obtain a pressure-sensitive element that uses a thin film layer containing carbon nanotubes and can change a flowing current according to an input pressure.

なお、カーボンナノチューブを含む層が感圧効果を有する理由は十分解明されているわけではないが、カーボンナノチューブを含まない層は感圧効果を有さないことから、圧力を加えることにより層の密度が増加し、カーボンナノチューブ同士の接点の数の増加、及びカーボンナノチューブ同士の距離の短縮により、抵抗値が減少するためではないかと考えられる。   The reason why the layer containing carbon nanotubes has a pressure-sensitive effect is not fully understood, but the layer containing no carbon nanotubes does not have a pressure-sensitive effect. This is probably because the resistance value decreases due to an increase in the number of contacts between carbon nanotubes and a reduction in the distance between carbon nanotubes.

本発明の第1の実施形態に係る感圧素子の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the pressure sensitive element which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る感圧素子の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the pressure sensitive element which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係る感圧素子の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the pressure sensitive element which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施形態に係る感圧素子の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the pressure sensitive element which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の実施例に示す感圧素子における電流変化を示す概略図である。It is the schematic which shows the electric current change in the pressure sensitive element shown in the Example of this invention.

第1の視点において、前記第1電極及び前記第2電極が絶縁層上に形成され、前記薄膜層が該絶縁層上の該第1電極及び該第2電極の間に形成されていることが好ましい。   In the first aspect, the first electrode and the second electrode are formed on an insulating layer, and the thin film layer is formed between the first electrode and the second electrode on the insulating layer. preferable.

第2の視点において、前記薄膜層が前記絶縁層の上に形成され、該薄膜層の上に前記第1電極及び前記第2電極が形成されていることが好ましい。   In a second aspect, it is preferable that the thin film layer is formed on the insulating layer, and the first electrode and the second electrode are formed on the thin film layer.

また、第2の視点において、前記第1電極が前記絶縁層の上に形成され、前記薄膜層は該第1電極を覆うように該絶縁層の上に形成され、前記第2電極は該薄膜層の上に形成されていることが好ましい。   In a second aspect, the first electrode is formed on the insulating layer, the thin film layer is formed on the insulating layer so as to cover the first electrode, and the second electrode is formed on the thin film. It is preferably formed on the layer.

第1又は第2の視点において、前記薄膜層に含有される前記電気絶縁性物質が、天然ゴム又は合成ゴム材料であることが好ましい。   In the first or second aspect, it is preferable that the electrically insulating substance contained in the thin film layer is a natural rubber or a synthetic rubber material.

また、前記薄膜層に含有される前記電気絶縁性物質が、一般的な高分子材料、特にアクリル系高分子材料であることもまた好ましい。このアクリル系高分子材料は、例えばポリメタクリル酸メチルを用いることができる。   In addition, it is also preferable that the electrical insulating substance contained in the thin film layer is a general polymer material, particularly an acrylic polymer material. As this acrylic polymer material, for example, polymethyl methacrylate can be used.

また、薄膜層のカーボンナノチューブ含有量が、95重量%以上であることが好ましい。   Moreover, it is preferable that carbon nanotube content of a thin film layer is 95 weight% or more.

(実施形態1)
本発明の第1の実施形態に係る感圧素子について説明する。図1に、本発明の第1の実施形態に係る感圧素子の概略断面図を示す。感圧素子10は、基板11と、基板11上に形成された第1電極15及び第2電極16と、第1電極15及び第2電極16の間で両者に接するように形成された薄膜層14と、を備える。
(Embodiment 1)
A pressure-sensitive element according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of a pressure-sensitive element according to the first embodiment of the present invention. The pressure sensitive element 10 includes a substrate 11, a first electrode 15 and a second electrode 16 formed on the substrate 11, and a thin film layer formed between and in contact with the first electrode 15 and the second electrode 16. 14.

薄膜層14は、カーボンナノチューブを含有する。好ましくは、薄膜層14の95質量%以上は、カーボンナノチューブである。カーボンナノチューブとしては、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)を用いることができる。半導体特性を示せば、二層カーボンナノチューブ(DWCNT)、多層カーボンナノチューブ(MWCNT)、カーボンナノホーンをカーボンナノチューブとして用いることもできる。あるいは、複数のカーボンナノチューブの混合物であってもよい。単層カーボンナノチューブを使用する場合、その直径は、0.5nm〜2.0nmであると好ましく、0.7nm〜1.2nmであるとより好ましい。また、単層カーボンナノチューブの長さは、0.5μm〜10μmであると好ましく、0.7μm〜2.0μmであるとより好ましい。   The thin film layer 14 contains carbon nanotubes. Preferably, 95 mass% or more of the thin film layer 14 is a carbon nanotube. Single-walled carbon nanotubes (SWCNT) can be used as the carbon nanotubes. If the semiconductor characteristic is shown, a double-walled carbon nanotube (DWCNT), a multi-walled carbon nanotube (MWCNT), and carbon nanohorn can also be used as a carbon nanotube. Alternatively, it may be a mixture of a plurality of carbon nanotubes. When single-walled carbon nanotubes are used, the diameter is preferably 0.5 nm to 2.0 nm, and more preferably 0.7 nm to 1.2 nm. The length of the single-walled carbon nanotube is preferably 0.5 μm to 10 μm, and more preferably 0.7 μm to 2.0 μm.

薄膜層14は、さらに電気絶縁性物質を含む。これは例えば天然ゴム又は合成ゴム材料でもよいし、高分子物質でもよい。高分子物質としては、アクリル系高分子材料、特にポリメタクリル酸メチルなどを好適に用いることができる。   The thin film layer 14 further includes an electrically insulating material. This may be, for example, a natural rubber or a synthetic rubber material or a polymer substance. As the polymer substance, an acrylic polymer material, particularly polymethyl methacrylate can be preferably used.

このような構成により、薄膜層14に圧力をかけると、第1電極15及び第2電極16の間に流れる電流量が増加することが判明した。   With such a configuration, it was found that the amount of current flowing between the first electrode 15 and the second electrode 16 increases when pressure is applied to the thin film layer 14.

(実施形態2)
本発明の第2の実施形態に係る感圧素子及びその製造方法について説明する。図2は、本発明の第2の実施形態に係る感圧素子の概略断面図である。図2に示す感圧素子は、一般的に電界効果型トランジスタとして知られている構造と同様である。
(Embodiment 2)
A pressure-sensitive element and a method for manufacturing the same according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a pressure-sensitive element according to the second embodiment of the present invention. The pressure-sensitive element shown in FIG. 2 has the same structure as that generally known as a field effect transistor.

図2に示すように、感圧素子20は、基板21と、基板21上に形成された第3電極22と、第3電極22を覆うように形成された絶縁層23と、絶縁層23上に形成された第1電極25及び第2電極26と、第1電極25及び第2電極26の間に形成された薄膜層24と、を備える。   As shown in FIG. 2, the pressure sensitive element 20 includes a substrate 21, a third electrode 22 formed on the substrate 21, an insulating layer 23 formed to cover the third electrode 22, and an insulating layer 23. And the thin film layer 24 formed between the first electrode 25 and the second electrode 26.

第1電極25及び第2電極26は、いわばソース電極及びドレイン電極として機能する。また第3電極22は、ゲート電極として機能する。すなわち、第1電極25と第2電極26の間に流れる電流は、第3電極22への電圧印加によって制御される。   The first electrode 25 and the second electrode 26 function as a source electrode and a drain electrode. The third electrode 22 functions as a gate electrode. That is, the current flowing between the first electrode 25 and the second electrode 26 is controlled by applying a voltage to the third electrode 22.

薄膜層24は、カーボンナノチューブを含有する。このカーボンナノチューブの性質は実施形態1で説明したものと同様である。また、薄膜層2は電気絶縁性物質を含む。この電気絶縁性物質も実施形態1で説明したものと同様である。   The thin film layer 24 contains carbon nanotubes. The properties of the carbon nanotube are the same as those described in the first embodiment. Moreover, the thin film layer 2 contains an electrically insulating substance. This electrically insulating material is the same as that described in the first embodiment.

カーボンナノチューブの製造方法は特に限定されない。カーボンナノチューブの製造方法としては、例えば、CVD法、レーザーアブレーション法等を使用することができる。   The method for producing the carbon nanotube is not particularly limited. As a method for producing carbon nanotubes, for example, a CVD method, a laser ablation method, or the like can be used.

絶縁層23は、電気絶縁性を有する材料であれば、特に限定されずに使用することができる。例えば、絶縁層23に使用できる材料は酸化シリコンなどの無機酸化物薄膜、ポリイミド、ポリメタクリル酸メチルのような高分子材料が挙げられるが、例示した材料に限定されるものではなく、また、2種、3種の材料の積層構造、混合物を用いても良い。   The insulating layer 23 can be used without particular limitation as long as it is a material having electrical insulation. For example, materials that can be used for the insulating layer 23 include inorganic oxide thin films such as silicon oxide, polymer materials such as polyimide and polymethyl methacrylate, but are not limited to the exemplified materials. A laminated structure or a mixture of three kinds or three kinds of materials may be used.

基板21として用いることが可能な材料としては、この構造の感圧素子を支持可能なものであれば特に限定されることはなく、例えば、ガラス、シリコン等の無機材料やアクリル系樹脂等の有機材料を用いることができる。また、他の方法によって電界効果型トランジスタを支持できるのであれば、基板を使用しなくてもよい。   The material that can be used as the substrate 21 is not particularly limited as long as it can support the pressure-sensitive element having this structure. For example, an inorganic material such as glass or silicon, or an organic material such as acrylic resin can be used. Materials can be used. If the field effect transistor can be supported by other methods, the substrate may not be used.

薄膜層24の形成方法は、薄膜を均一に形成することができる方法であれば、ウェットプロセスとドライプロセスのいずれであってもよい。単層カーボンナノチューブの均一な薄膜を形成する場合には、ウェットプロセスを用いると好ましい。ウェットプロセスで薄膜層24を形成する場合、例えば、カーボンナノチューブを含有するインクを作製し、これを塗布又は印刷することによって薄膜層24を形成することができる。カーボンナノチューブのインクにおけるカーボンナノチューブの含有率は、粘稠度の観点から1%〜10%以下であると好ましい。   The thin film layer 24 may be formed by either a wet process or a dry process as long as the thin film can be formed uniformly. When forming a uniform thin film of single-walled carbon nanotubes, it is preferable to use a wet process. When the thin film layer 24 is formed by a wet process, for example, the thin film layer 24 can be formed by preparing an ink containing carbon nanotubes and applying or printing the ink. The carbon nanotube content in the carbon nanotube ink is preferably 1% to 10% from the viewpoint of consistency.

第1電極25、第2電極26及び第3電極22に用いることが可能な材料としては、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、金、銀、白金、銅、インジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等の金属系導電体の他、導電性ポリマー等の有機材料系導電体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   Materials that can be used for the first electrode 25, the second electrode 26, and the third electrode 22 include indium tin oxide alloy (ITO), tin oxide (NESA), gold, silver, platinum, copper, indium, aluminum, In addition to metallic conductors such as magnesium, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, aluminum-lithium alloy, aluminum-scandium-lithium alloy, magnesium-silver alloy, organic material-based conductors such as conductive polymers are exemplified. However, it is not limited to these.

第1電極25、第2電極26及び第3電極22は、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、エッチング法、リフトオフ等、通常の電極形成プロセスで作製することができる。また、導電性ポリマーのような有機材料で電極を形成する場合には、例えば、スピンコート法、ディップ法等の溶液プロセスも利用することができる。   The 1st electrode 25, the 2nd electrode 26, and the 3rd electrode 22 can be produced by normal electrode formation processes, such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, an etching method, and lift-off, for example. Moreover, when forming an electrode with organic materials, such as a conductive polymer, solution processes, such as a spin coat method and a dip method, can also be utilized, for example.

第2の実施形態に係る感圧素子20は、例えば、以下の工程で作製することができる。まず、基板21上に第3電極22を形成する。次に、天然ゴム、合成ゴム材料その他の絶縁性高分子化合物を水又は有機溶媒に溶かして溶液を作製し、当該溶液を第3電極22上に塗布又は印刷して、絶縁層23の薄膜を形成する。次に、絶縁層23上に、所定の間隔をあけて第1電極25及び第2電極26を形成する。次に、水又は有機溶媒にカーボンナノチューブを分散させた分散液を第1電極25及び第2電極26の上に塗布して薄膜層24を形成する。   The pressure-sensitive element 20 according to the second embodiment can be manufactured, for example, by the following process. First, the third electrode 22 is formed on the substrate 21. Next, a natural rubber, synthetic rubber material or other insulating polymer compound is dissolved in water or an organic solvent to prepare a solution, and the solution is applied or printed on the third electrode 22 to form a thin film of the insulating layer 23. Form. Next, the first electrode 25 and the second electrode 26 are formed on the insulating layer 23 at a predetermined interval. Next, a dispersion liquid in which carbon nanotubes are dispersed in water or an organic solvent is applied on the first electrode 25 and the second electrode 26 to form the thin film layer 24.

(実施形態3)
図3は、本発明の第3の実施形態に係る感圧素子の概略断面図である。図3に示す感圧素子30は、基板31と、基板31上に形成された第3電極32と、第3電極32の上に形成された絶縁層33と、絶縁層33の上に形成された薄膜層34と、薄膜層34の上に形成された第1電極35及び第2電極36と、を備える。
(Embodiment 3)
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a pressure-sensitive element according to the third embodiment of the present invention. 3 is formed on the substrate 31, the third electrode 32 formed on the substrate 31, the insulating layer 33 formed on the third electrode 32, and the insulating layer 33. A thin film layer 34, and a first electrode 35 and a second electrode 36 formed on the thin film layer 34.

第3の実施形態における、基板31、第1電極35、第2電極36、第3電極32、絶縁層33、薄膜層34の組成は、第2の実施形態と同様に構成できる。このような構造によっても実施形態1、2と同様な効果を得ることができる。   The composition of the substrate 31, the first electrode 35, the second electrode 36, the third electrode 32, the insulating layer 33, and the thin film layer 34 in the third embodiment can be configured similarly to the second embodiment. Even with such a structure, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained.

(実施形態4)
図4は、本発明の第4の実施形態に係る感圧素子の概略断面図である。図4に示す感圧素子40は、基板41と、基板41上に形成された第3電極42と、第3電極42の上に形成された絶縁層43と、絶縁層43の上に形成された薄膜層44と、薄膜層44の上に形成された第2電極46と、を備える。第1電極45は、絶縁層43の上であって、かつ薄膜層44の内部に形成されている。
(Embodiment 4)
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a pressure-sensitive element according to the fourth embodiment of the present invention. 4 is formed on the substrate 41, the third electrode 42 formed on the substrate 41, the insulating layer 43 formed on the third electrode 42, and the insulating layer 43. A thin film layer 44 and a second electrode 46 formed on the thin film layer 44. The first electrode 45 is formed on the insulating layer 43 and inside the thin film layer 44.

第4の実施形態における、基板41、第1電極45、第2電極46、第3電極42、絶縁層43、薄膜層44の組成は、第2の実施形態と同様に構成できる。このような構造によっても実施形態1、2と同様な効果を得ることができる。   The composition of the substrate 41, the first electrode 45, the second electrode 46, the third electrode 42, the insulating layer 43, and the thin film layer 44 in the fourth embodiment can be configured in the same manner as in the second embodiment. Even with such a structure, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained.

(実施形態5)
上記実施形態に示す感圧素子をマトリックス状に配列して、感圧センサシートを形成することができる。実施形態1に係る感圧素子をマトリックス状に配列すれば、パッシブマトリックス感圧シートとなり、実施形態2以下の感圧素子をマトリックス状に配列すれば、アクティブマトリックス感圧シートとなる。このようなシートは、タッチセンサとして利用でき、特にアクティブマトリックス感圧シートは、従来のアクティブタッチセンサと比較すると、本発明の感圧素子がアクティブ素子を兼ねているため、構造が簡素化され、サイズを小さくすることが可能となる。
(Embodiment 5)
The pressure-sensitive sensor sheet can be formed by arranging the pressure-sensitive elements shown in the above embodiment in a matrix. When the pressure-sensitive elements according to Embodiment 1 are arranged in a matrix, a passive matrix pressure-sensitive sheet is obtained. When the pressure-sensitive elements according to Embodiment 2 and below are arranged in a matrix, an active matrix pressure-sensitive sheet is obtained. Such a sheet can be used as a touch sensor, and in particular, an active matrix pressure-sensitive sheet has a simplified structure because the pressure-sensitive element of the present invention also serves as an active element, compared to a conventional active touch sensor. The size can be reduced.

このように、本発明に係る感圧素子を、表示パネルの駆動トランジスタの一部として用いることにより、表示画素の大きさを損なうことなく、良好な開口率を保持した情報入力デバイス(タッチパネル等)を得ることが出来る。さらに、マルチタッチとペン入力の両方に対応が可能な簡便な構造の入力デバイスを提供することができる。   As described above, by using the pressure sensitive element according to the present invention as a part of the driving transistor of the display panel, an information input device (such as a touch panel) that maintains a good aperture ratio without impairing the size of the display pixel. Can be obtained. Furthermore, it is possible to provide an input device having a simple structure that can handle both multi-touch and pen input.

(実施例1)
(感圧素子の作製)
薄膜層をカーボンナノチューブで形成したカーボンナノチューブ含有感圧素子を作製した。ここで説明するのは、図2に示す第2の実施形態に係る感圧素子(電界効果型トランジスタと同様な構造)である。まず、ポリイミド基板上に、クロミウムを真空蒸着法により100nmの膜厚で成膜して第3電極(ゲート電極)を形成した。次いで、第3電極上に、上述の方法で合成した高分子化合物をクロロホルムに1.5wt%溶解させた溶液を用いてスピンコート法(2000rpm、60秒)によって300nmの膜厚に成膜し、絶縁層を形成した。次に、絶縁層上に、金属マスクを通して、マグネシウム−銀合金を100nmの膜厚でストライプ状に成膜して、第1電極及び第2電極(ソース電極及びドレイン電極に相当)を形成した。次に、カーボンナノチューブ(CNI社,purifiedグレカード)をジクロロエタン中に5ppm混合し、超音波装置で1時間処理し、単分散化させ、さらに超遠心分離装置で20分処理し、金属などの不純物を取り除いた後にさらに、ポリメタクリル酸メチルをカーボンナノチューブの10倍量を混合しカーボンナノチューブインクを作製した。このカーボンナノチューブインクを絶縁層上に、スピンコート法(2000rpm、60秒)により成膜して、カーボンナノチューブ含有感圧素子を作製した。
Example 1
(Production of pressure-sensitive element)
A carbon nanotube-containing pressure-sensitive element having a thin film layer formed of carbon nanotubes was produced. What is described here is a pressure-sensitive element (similar structure to a field effect transistor) according to the second embodiment shown in FIG. First, a third electrode (gate electrode) was formed on a polyimide substrate by depositing chromium with a thickness of 100 nm by a vacuum deposition method. Next, a film having a film thickness of 300 nm is formed on the third electrode by spin coating (2000 rpm, 60 seconds) using a solution obtained by dissolving 1.5 wt% of the polymer compound synthesized by the above method in chloroform, An insulating layer was formed. Next, a magnesium-silver alloy was formed in a stripe shape with a thickness of 100 nm on the insulating layer through a metal mask to form a first electrode and a second electrode (corresponding to a source electrode and a drain electrode). Next, carbon nanotubes (CNI, purified Grecard) were mixed in dichloroethane at 5 ppm, treated with an ultrasonic device for 1 hour, monodispersed, further treated with an ultracentrifuge for 20 minutes, and impurities such as metals Then, polymethyl methacrylate was mixed with 10 times the amount of carbon nanotubes to prepare a carbon nanotube ink. This carbon nanotube ink was formed on the insulating layer by spin coating (2000 rpm, 60 seconds) to produce a carbon nanotube-containing pressure sensitive element.

(圧力応答性の測定)
作製したカーボンナノチューブ感圧素子について圧力応答性を測定した。図5に、圧力応答性を説明するための概略図を示す。圧力応答性は、ゲート電極に−20Vの電圧をかけて、ドレイン電極に0Vから−5Vまでの電圧(0.1Vステップ)を掃引させて電気特性を測定し、カーボンナノチューブ薄膜層に圧力を印加しない場合と、印加した場合のドレイン電流値の値で評価した。
(Measurement of pressure response)
The pressure responsiveness of the produced carbon nanotube pressure sensitive element was measured. FIG. 5 shows a schematic diagram for explaining the pressure responsiveness. The pressure responsiveness applies a voltage of -20V to the gate electrode, sweeps the voltage from 0V to -5V (0.1V step) to the drain electrode, measures the electrical characteristics, and applies the pressure to the carbon nanotube thin film layer. Evaluation was made based on the value of the drain current when not applied and when applied.

圧力を加えない場合に得られる電流値が、圧力を加えることによって、増加し、加えた圧力を検知できることができた。   The current value obtained when no pressure was applied was increased by applying pressure, and the applied pressure could be detected.

(実施例2)
実施形態3に示す構造の感圧素子を以下のようにして製造した。ポリイミド基板上に、クロミウムを真空蒸着法により100nmの膜厚で成膜して第3電極(ゲート電極)を形成した。次いで、第3電極上に、上述の方法で合成した高分子化合物をクロロホルムに1.5wt%溶解させた溶液を用いてスピンコート法(2000rpm、60秒)によって300nmの膜厚に成膜し、絶縁層を形成した。絶縁層の上に、カーボンナノチューブ(CNI社,purifiedグレカード)をジクロロエタン中に5ppm混合し、超音波装置で1時間処理し、単分散化させ、さらに超遠心分離装置で20分処理し、金属などの不純物を取り除いた後にさらに、ポリメタクリル酸メチルをカーボンナノチューブの10倍量を混合して作製したカーボンナノチューブインクを用いて、スピンコート法(2000rpm、60秒)によりカーボンナノチューブ薄膜を成膜した。次に、カーボンナノチューブ薄膜上に、金属マスクを通して、マグネシウム−銀合金を100nmの膜厚でストライプ状に成膜して、第1電極及び第2電極(ソース電極及びドレイン電極)を形成して、カーボンナノチューブ薄膜トランジスタを作製した。
(Example 2)
A pressure-sensitive element having the structure shown in Embodiment 3 was manufactured as follows. A third electrode (gate electrode) was formed on a polyimide substrate by depositing chromium with a thickness of 100 nm by vacuum deposition. Next, a film having a film thickness of 300 nm is formed on the third electrode by spin coating (2000 rpm, 60 seconds) using a solution obtained by dissolving 1.5 wt% of the polymer compound synthesized by the above method in chloroform, An insulating layer was formed. On the insulating layer, carbon nanotubes (CNI, purified Grecard) are mixed in 5 ppm in dichloroethane, treated for 1 hour with an ultrasonic device, monodispersed, and further treated for 20 minutes with an ultracentrifuge. After removing impurities such as carbon nanotubes, a carbon nanotube thin film was formed by spin coating (2000 rpm, 60 seconds) using carbon nanotube ink prepared by mixing polymethyl methacrylate with 10 times the amount of carbon nanotubes. . Next, a magnesium-silver alloy is formed in a stripe shape with a film thickness of 100 nm on the carbon nanotube thin film through a metal mask to form a first electrode and a second electrode (source electrode and drain electrode), A carbon nanotube thin film transistor was fabricated.

こうして製造した感圧素子においても、実施例1の感圧素子と同様な性質が得られた。   Also in the pressure sensitive element thus manufactured, the same properties as those of the pressure sensitive element of Example 1 were obtained.

(実施例3)
実施形態4に示す構造の感圧素子を以下のようにして製造した。ポリイミド基板上に、クロミウムを真空蒸着法により100nmの膜厚で成膜して第3電極(ゲート電極)を形成した。次いで、第3電極上に、上述の方法で合成した高分子化合物をクロロホルムに1.5wt%溶解させた溶液を用いてスピンコート法(2000rpm、60秒)によって300nmの膜厚に成膜し、絶縁層を形成した。絶縁層上に、金属マスクを通して、マグネシウム−銀合金を100nmの膜厚でストライプ状に成膜して、第1電極(ソース電極)を形成した。第1電極を含む絶縁層の上に、カーボンナノチューブ(CNI社,purifiedグレカード)をジクロロエタン中に5ppm混合し、超音波装置で1時間処理し、単分散化させ、さらに超遠心分離装置で20分処理し、金属などの不純物を取り除いた後にさらに、ポリメタクリル酸メチルをカーボンナノチューブの10倍量を混合して作製したカーボンナノチューブインクを用いて、スピンコート法(2000rpm、60秒)によりカーボンナノチューブ薄膜を成膜した。次に、カーボンナノチューブ薄膜上に、金属マスクを通して、マグネシウム−銀合金を100nmの膜厚でストライプ状に成膜して、第2電極(ドレイン電極)を形成して、カーボンナノチューブ薄膜トランジスタを作製した。
(Example 3)
A pressure-sensitive element having the structure shown in Embodiment 4 was manufactured as follows. A third electrode (gate electrode) was formed on a polyimide substrate by depositing chromium with a thickness of 100 nm by vacuum deposition. Next, a film having a film thickness of 300 nm is formed on the third electrode by spin coating (2000 rpm, 60 seconds) using a solution obtained by dissolving 1.5 wt% of the polymer compound synthesized by the above method in chloroform, An insulating layer was formed. On the insulating layer, a magnesium-silver alloy was formed in a stripe shape with a thickness of 100 nm through a metal mask to form a first electrode (source electrode). On the insulating layer including the first electrode, 5 ppm of carbon nanotube (CNI, purified Grecard) is mixed in dichloroethane, treated with an ultrasonic device for 1 hour, monodispersed, and further treated with an ultracentrifuge. After removing impurities such as metals, carbon nanotubes were further prepared by spin coating (2000 rpm, 60 seconds) using carbon nanotube ink prepared by mixing polymethyl methacrylate with 10 times the amount of carbon nanotubes. A thin film was formed. Next, a magnesium-silver alloy was formed into a stripe shape with a thickness of 100 nm on the carbon nanotube thin film through a metal mask to form a second electrode (drain electrode), thereby producing a carbon nanotube thin film transistor.

こうして製造した感圧素子においても、実施例1の感圧素子と同様な性質が得られた。   Also in the pressure sensitive element thus manufactured, the same properties as those of the pressure sensitive element of Example 1 were obtained.

本発明の感圧素子、またその製造方法は、上記実施形態に基づいて説明されているが、上記実施形態に限定されることなく、本発明の全開示(請求の範囲及び図面を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素(各請求項の各要素、各実施例の各要素、各図面の各要素等を含む)の多様な組み合わせ、ないし、選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。   The pressure-sensitive element and the manufacturing method thereof according to the present invention have been described based on the above-described embodiment. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the entire disclosure (including claims and drawings) of the present invention. Within the frame, the embodiments and examples can be changed and adjusted based on the basic technical concept. Further, various combinations or selections of various disclosed elements (including each element of each claim, each element of each embodiment, each element of each drawing, etc.) are possible within the scope of the claims of the present invention. It is. That is, the present invention of course includes various variations and modifications that could be made by those skilled in the art according to the entire disclosure including the claims and the technical idea.

10 感圧素子
11 基板
14 薄膜層
15 第1電極
16 第2電極
20,30,40 感圧素子
21,31,41 基板
22,32,42 第3電極
23,33,43 絶縁層
24,34,44 薄膜層
25,35,45 第1電極
26,36,46 第2電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Pressure sensitive element 11 Board | substrate 14 Thin film layer 15 1st electrode 16 2nd electrode 20, 30, 40 Pressure sensitive element 21, 31, 41 Substrate 22, 32, 42 3rd electrode 23, 33, 43 Insulating layers 24, 34, 44 Thin film layer 25, 35, 45 1st electrode 26, 36, 46 2nd electrode

Claims (10)

カーボンナノチューブを含有する薄膜層と、
該薄膜層に接して形成された第1電極及び第2電極を備え、
該薄膜層が電気絶縁性物質を含有することを特徴とする、カーボンナノチューブ含有感圧素子。
A thin film layer containing carbon nanotubes;
A first electrode and a second electrode formed in contact with the thin film layer;
A carbon nanotube-containing pressure-sensitive element, wherein the thin film layer contains an electrically insulating substance.
前記第1電極及び前記第2電極が絶縁層上に形成され、前記薄膜層が該絶縁層上の該第1電極及び該第2電極の間に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のカーボンナノチューブ含有感圧素子。   The first electrode and the second electrode are formed on an insulating layer, and the thin film layer is formed between the first electrode and the second electrode on the insulating layer. 2. A carbon nanotube-containing pressure-sensitive element according to 1. カーボンナノチューブを含有する薄膜層と、
該薄膜層に接して形成された第1電極及び第2電極と、
該第1電極と該第2電極との間に流れる電流を制御するための第3電極と、
該薄膜層と該第3電極との間に形成された絶縁層と、を備え、
該薄膜層が電気絶縁性物質を含有することを特徴とする、カーボンナノチューブ含有感圧素子。
A thin film layer containing carbon nanotubes;
A first electrode and a second electrode formed in contact with the thin film layer;
A third electrode for controlling a current flowing between the first electrode and the second electrode;
An insulating layer formed between the thin film layer and the third electrode,
A carbon nanotube-containing pressure-sensitive element, wherein the thin film layer contains an electrically insulating substance.
前記薄膜層が前記絶縁層の上に形成され、該薄膜層の上に前記第1電極及び前記第2電極が形成されていることを特徴とする、請求項3に記載のカーボンナノチューブ含有感圧素子。   4. The carbon nanotube-containing pressure sensing device according to claim 3, wherein the thin film layer is formed on the insulating layer, and the first electrode and the second electrode are formed on the thin film layer. 5. element. 前記第1電極が前記絶縁層の上に形成され、前記薄膜層は該第1電極を覆うように該絶縁層の上に形成され、前記第2電極は該薄膜層の上に形成されていることを特徴とする、請求項3に記載のカーボンナノチューブ含有感圧素子。   The first electrode is formed on the insulating layer, the thin film layer is formed on the insulating layer so as to cover the first electrode, and the second electrode is formed on the thin film layer. The carbon nanotube-containing pressure-sensitive element according to claim 3, wherein 前記薄膜層に含有される前記電気絶縁性物質が、天然ゴム又は合成ゴム材料であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載のカーボンナノチューブ含有感圧素子。   The carbon nanotube-containing pressure-sensitive element according to any one of claims 1 to 5, wherein the electrically insulating substance contained in the thin film layer is a natural rubber or a synthetic rubber material. 前記薄膜層に含有される前記電気絶縁性物質が、アクリル系高分子材料であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載のカーボンナノチューブ含有感圧素子。   The carbon nanotube-containing pressure-sensitive element according to claim 1, wherein the electrically insulating substance contained in the thin film layer is an acrylic polymer material. 前記アクリル系高分子材料は、ポリメタクリル酸メチルであることを特徴とする、請求項7に記載のカーボンナノチューブ含有感圧素子。   The carbon nanotube-containing pressure-sensitive element according to claim 7, wherein the acrylic polymer material is polymethyl methacrylate. 請求項1〜8のいずれか一に記載のカーボンナノチューブ含有感圧素子をマトリックス状に配列した、感圧センサシート。   A pressure-sensitive sensor sheet in which the carbon nanotube-containing pressure-sensitive elements according to any one of claims 1 to 8 are arranged in a matrix. 請求項1〜9のいずれか一に記載のカーボンナノチューブ含有感圧素子の製造方法であって、
基板の上に絶縁層を形成する工程と、
該絶縁層の上にカーボンナノチューブを含む薄膜層を形成する工程と、を含み、
該薄膜層を形成する工程は、カーボンナノチューブの分散液を塗布又は印刷して該薄膜層を形成することを特徴とする、カーボンナノチューブ含有感圧素子の製造方法。
A method for producing a carbon nanotube-containing pressure-sensitive element according to any one of claims 1 to 9,
Forming an insulating layer on the substrate;
Forming a thin film layer containing carbon nanotubes on the insulating layer,
The method for producing a carbon nanotube-containing pressure-sensitive element is characterized in that the step of forming the thin film layer comprises applying or printing a dispersion of carbon nanotubes to form the thin film layer.
JP2011286151A 2011-12-27 2011-12-27 Pressure sensitive element containing carbon nanotube Pending JP2013134208A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011286151A JP2013134208A (en) 2011-12-27 2011-12-27 Pressure sensitive element containing carbon nanotube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011286151A JP2013134208A (en) 2011-12-27 2011-12-27 Pressure sensitive element containing carbon nanotube

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013134208A true JP2013134208A (en) 2013-07-08

Family

ID=48910986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011286151A Pending JP2013134208A (en) 2011-12-27 2011-12-27 Pressure sensitive element containing carbon nanotube

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013134208A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015190910A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-17 Mimos Berhad Flexible pressure-sensing device and process for its fabrication
JP2016170123A (en) * 2015-03-13 2016-09-23 セイコーインスツル株式会社 Distortion sensor
JP2018009820A (en) * 2016-07-11 2018-01-18 東京電力ホールディングス株式会社 Structural strain sensor and method of detecting structural strain
KR20210041338A (en) * 2019-10-07 2021-04-15 한남대학교 산학협력단 Carbon Nano Tube Pressure Sensor Element and Method thereof

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015190910A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-17 Mimos Berhad Flexible pressure-sensing device and process for its fabrication
JP2016170123A (en) * 2015-03-13 2016-09-23 セイコーインスツル株式会社 Distortion sensor
JP2018009820A (en) * 2016-07-11 2018-01-18 東京電力ホールディングス株式会社 Structural strain sensor and method of detecting structural strain
KR20210041338A (en) * 2019-10-07 2021-04-15 한남대학교 산학협력단 Carbon Nano Tube Pressure Sensor Element and Method thereof
KR102251274B1 (en) 2019-10-07 2021-05-11 한남대학교 산학협력단 Carbon Nano Tube Pressure Sensor Element and Method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Cao et al. Fully screen-printed, large-area, and flexible active-matrix electrochromic displays using carbon nanotube thin-film transistors
Lee et al. Synergistically enhanced stability of highly flexible silver nanowire/carbon nanotube hybrid transparent electrodes by plasmonic welding
Li et al. Large‐area ultrathin graphene films by single‐step marangoni self‐assembly for highly sensitive strain sensing application
US8237679B2 (en) Liquid crystal display screen
Yan et al. Stretchable graphene thermistor with tunable thermal index
Mayousse et al. Improvements in purification of silver nanowires by decantation and fabrication of flexible transparent electrodes. Application to capacitive touch sensors
CN101599316B (en) Light-transmitting electric conductor, method of manufacturing the same, destaticizing sheet, and electronic device
Azoubel et al. Flexible electroluminescent device with inkjet-printed carbon nanotube electrodes
JP5191854B2 (en) Polycarbonate transparent conductive film coated with carbon nanotube, and touch panel using the same
Azuma et al. Facile fabrication of transparent and conductive nanowire networks by wet chemical etching with an electrospun nanofiber mask template
Torres Alonso et al. Homogeneously bright, flexible, and foldable lighting devices with functionalized graphene electrodes
JP5731510B2 (en) Touch screen and method of manufacturing touch screen
JP2008542953A5 (en)
Zhao et al. Flexible 64× 64 pixel AMOLED displays driven by uniform carbon nanotube thin-film transistors
Kim et al. Extremely foldable and highly transparent nanofiber-based electrodes for liquid crystal smart devices
JP2009057042A (en) Heating substrate equipped with conductive thin film and electrode, and manufacturing method of the same
Schrage et al. Flexible and transparent SWCNT electrodes for alternating current electroluminescence devices
Kim et al. Foldable transparent substrates with embedded electrodes for flexible electronics
TW200912721A (en) Touchscreen using both carbon nanoparticles and metal nanoparticles
JP2016504738A (en) Manufacturing method of carbon nanotube transparent composite electrode
Yadav et al. Fabrication of ultrathin, free-standing, transparent and conductive graphene/multiwalled carbon nanotube film with superior optoelectronic properties
JP2013134208A (en) Pressure sensitive element containing carbon nanotube
CN106082693A (en) A kind of method preparing transparent graphene conductive film
WO2010053171A1 (en) Switching element and method for manufacturing same
CN102153367A (en) Carbon nano tube dispersion liquid, manufacturing method of thin layer and display panel of the same