JP2013062287A

JP2013062287A - Mold, imprint method using the same, and method for manufacturing article

Info

Publication number: JP2013062287A
Application number: JP2011198142A
Authority: JP
Inventors: Shinya Mochizuki; 伸也望月
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2011-09-12
Filing date: 2011-09-12
Publication date: 2013-04-04

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mold advantageous for reducing thermal deformation due to heat from an external environment.SOLUTION: The mold 8 includes a pattern part 8a on which a pattern to be molded to a workpiece 13 is formed. A face on a side where the pattern part 8a is provided includes a first face where the pattern part 8a is arranged and a second face 8b where the pattern part 8a is not arranged. The mold 8 has a thermal diffusion film 40 (42, 45) for diffusing heat from an external environment on a surface of the second face 8b.

Description

本発明は、型、それを用いたインプリント方法および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a mold, an imprint method using the mold, and an article manufacturing method.

半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上の未硬化樹脂を型（モールド）で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板（ウエハ）上のインプリント領域であるショットに紫外線硬化樹脂（インプリント材、光硬化性樹脂）を塗布する。次に、この樹脂（未硬化樹脂）を型により成形する。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させたうえで引き離すことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。一般に半導体デバイスの製造においては、このような一連のインプリント動作を、１枚の基板上にてパターン形成領域（ショット領域）を変更しつつ複数回実施することで、複数の樹脂のパターンを成形する。 The demand for miniaturization of semiconductor devices and MEMS has advanced, and in addition to conventional photolithography technology, attention has been focused on microfabrication technology that forms an uncured resin on a substrate with a mold and forms a resin pattern on the substrate. Collecting. This technique is also called an imprint technique, and can form a fine structure on the order of several nanometers on a substrate. For example, as one of imprint techniques, there is a photocuring method. In an imprint apparatus employing this photocuring method, first, an ultraviolet curable resin (imprint material, photocurable resin) is applied to a shot which is an imprint region on a substrate (wafer). Next, this resin (uncured resin) is molded by a mold. Then, the resin pattern is formed on the substrate by irradiating ultraviolet rays to cure the resin and then separating the resin. Generally in semiconductor device manufacturing, a series of imprint operations are performed multiple times on a single substrate while changing the pattern formation area (shot area), thereby forming multiple resin patterns. To do.

上記技術を採用したインプリント装置では、型と基板上の樹脂とを押し付けたとき、樹脂の内部に気泡が残留する場合がある。この状態で樹脂を硬化させると、気泡が存在する場所のパターンが形成されなかったり、パターンが歪んだりするなどの影響が生じる可能性がある。そこで、特許文献１は、型と基板上の樹脂とを押し付ける際に、樹脂に対して拡散性または溶解性が高いヘリウムや二酸化炭素などのガスを供給し、型と基板上の樹脂との隙間に充填させるインプリント・リソグラフィ法を開示している。さらに、この特許文献１では、型と基板との間の空間を大気圧以下とすることで、気泡の残留を低減させる方法も開示されている。また、特許文献２は、型またはその周辺や、基板を保持するステージに設置した回収口からガスの回収（排気）を行いつつ、型と基板との間の空間に上記のようなガスを供給するリソグラフィ・インプリント・システムを開示している。 In an imprint apparatus employing the above technique, when the mold and the resin on the substrate are pressed, bubbles may remain inside the resin. If the resin is cured in this state, there is a possibility that the pattern where the bubbles exist is not formed or the pattern is distorted. Therefore, in Patent Document 1, when pressing the mold and the resin on the substrate, gas such as helium or carbon dioxide having high diffusibility or solubility is supplied to the resin, and the gap between the mold and the resin on the substrate is determined. An imprint lithography method is disclosed for filling in a film. Furthermore, in this patent document 1, the method of reducing the residual of a bubble is also disclosed by making the space between a type | mold and a board | substrate below atmospheric pressure. Further, Patent Document 2 supplies the gas as described above to the space between the mold and the substrate while collecting (exhausting) the gas from the mold or its periphery or a collection port installed on the stage holding the substrate. A lithographic imprint system is disclosed.

特表２００７−５０９７６９号公報Special table 2007-509769 gazette 特表２００９−５３２２４５号公報JP 2009-532245 A

ここで、インプリント装置にて、特に１枚の基板上でショット領域を変更しつつインプリント処理を繰り返す場合について考える。このとき、特許文献１および特許文献２に示す方法では、型と基板とが毎回接近することで、ショット領域で発生した外部環境からの熱が、型と基板との隙間の上記ガスを介して型に伝達される。したがって、この熱に起因して型が変形する可能性があり、この熱変形は、結果的にこの型を使用するインプリント装置の転写精度に影響を及ぼす。 Here, a case where the imprint apparatus repeats the imprint process while changing the shot area on one substrate is considered. At this time, in the methods shown in Patent Document 1 and Patent Document 2, the heat from the external environment generated in the shot region is generated through the gas in the gap between the mold and the substrate because the mold and the substrate approach each time. Is transmitted to the mold. Therefore, there is a possibility that the mold is deformed due to the heat, and this thermal deformation eventually affects the transfer accuracy of the imprint apparatus using the mold.

本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、外部環境からの熱に起因した熱変形を低減するのに有利な型を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of such a condition, and it aims at providing the type | mold advantageous in reducing the thermal deformation resulting from the heat from an external environment.

上記課題を解決するために、本発明は、被処理体に対して成形すべきパターンが形成されたパターン部を有する型であって、パターン部が設置されている側の面は、パターン部が配置された第１面と、パターン部が配置されていない第２面と、を含み、第２面の表面に、外部環境からの熱を拡散させる熱拡散膜を有することを特徴とする。 In order to solve the above problems, the present invention is a mold having a pattern portion on which a pattern to be molded on a workpiece is formed, and the surface on which the pattern portion is installed has a pattern portion. It has a thermal diffusion film that diffuses heat from the external environment on the surface of the second surface, including a first surface that is disposed and a second surface on which no pattern portion is disposed.

本発明によれば、外部環境からの熱に起因した熱変形を低減するのに有利な型を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the type | mold advantageous in reducing the thermal deformation resulting from the heat from an external environment can be provided.

本発明の一実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the imprint apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. モールドとウエハとの押し付け動作時の位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship at the time of pressing operation of a mold and a wafer. 熱拡散膜の構成の３つの例を示す図である。It is a figure which shows three examples of a structure of a thermal diffusion film.

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、本発明の一実施形態に係るインプリント装置について説明する。図１は、本実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す概略図である。このインプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、被処理基板であるウエハ上（基板上）の未硬化樹脂（被処理体）を、本実施形態のモールド（型）で成形し、ウエハ上に樹脂のパターンを形成する装置である。なお、ここでは光硬化法を採用したインプリント装置とする。また、以下の各図において、ウエハ上の樹脂に対して紫外線を照射する照明系の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。インプリント装置１は、まず、光照射部２と、モールド保持機構３と、ウエハステージ４と、塗布部５と、ガス供給機構６と、制御部７とを備える。 First, an imprint apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus 1 according to the present embodiment. This imprint apparatus 1 is used for manufacturing a device such as a semiconductor device as an article, and an uncured resin (object to be processed) on a wafer (substrate) as a substrate to be processed is used as a mold (mold) of this embodiment. ) To form a resin pattern on the wafer. Here, an imprint apparatus employing a photocuring method is used. In each of the following figures, the Z axis is taken in parallel to the optical axis of the illumination system that irradiates the resin on the wafer with ultraviolet rays, and the X axis and the Y axis perpendicular to each other are taken in a plane perpendicular to the Z axis. ing. First, the imprint apparatus 1 includes a light irradiation unit 2, a mold holding mechanism 3, a wafer stage 4, a coating unit 5, a gas supply mechanism 6, and a control unit 7.

光照射部２は、インプリント処理の際に、モールド８に対して紫外線９を照射する。この光照射部２は、不図示の光源と、この光源から射出された紫外線９をインプリントに適切な光に調整するための光学素子とから構成される。なお、本実施形態では光硬化法を採用するために光照射部２を設置しているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、光照射部２に換えて、熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源部を設置することとなる。 The light irradiation unit 2 irradiates the mold 8 with ultraviolet rays 9 during the imprint process. The light irradiation unit 2 includes a light source (not shown) and an optical element for adjusting the ultraviolet rays 9 emitted from the light source to light suitable for imprinting. In this embodiment, the light irradiation unit 2 is installed in order to employ the photocuring method. However, for example, when the thermosetting method is employed, the thermosetting resin is cured instead of the light irradiation unit 2. The heat source part for making it will be installed.

モールド８は、外周形状が矩形であり、ウエハ１０に対向する面に３次元状に形成されたパターン部（例えば、表面上に回路パターンなどの転写すべき微細な凹凸パターンを有する凸部）８ａを含む。このモールド８の材質は、紫外線９を透過させることが可能な石英などである。また、モールド８は、以下のような変形を容易とするために、紫外線９が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さを有するキャビティ（凹部）が形成された形状としてもよい。特に、本実施形態のモールド８は、ウエハ１０に対向する面におけるパターン部８ａの表面（第１面）の領域を除いた第２面８ｂに、熱拡散膜を有する。この熱拡散膜については、以下で詳説する。 The mold 8 has a rectangular outer peripheral shape, and is formed in a three-dimensional pattern portion (for example, a convex portion having a fine uneven pattern to be transferred such as a circuit pattern on the surface) 8a. including. The material of the mold 8 is quartz or the like that can transmit ultraviolet rays 9. Further, in order to facilitate the following deformation, the mold 8 has a shape in which a cavity (concave portion) having a circular shape and a certain depth is formed on the surface irradiated with the ultraviolet rays 9. It is good. In particular, the mold 8 of the present embodiment has a thermal diffusion film on the second surface 8b excluding the region of the surface (first surface) of the pattern portion 8a on the surface facing the wafer 10. This thermal diffusion film will be described in detail below.

モールド保持機構３は、まず、モールド８を保持するモールドチャック１１と、このモールドチャック１１を保持し、モールド８（モールドチャック１１）を移動させるモールド駆動機構１２とを有する。モールドチャック１１は、モールド８における紫外線９の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることでモールド８を保持し得る。例えば、モールドチャック１１が真空吸着力によりモールド８を保持する場合には、モールドチャック１１は、外部に設置された不図示の真空ポンプに接続され、この真空ポンプのＯＮ／ＯＦＦによりモールド８の脱着が切り替えられる。モールド駆動機構１２は、モールド８とウエハ１０上の樹脂１３との押し付け、または引き離しを選択的に行うようにモールド８をＺ軸方向に移動させる。このモールド駆動機構１２に採用可能なアクチュエータとしては、例えばリニアモータまたはエアシリンダがある。また、モールド８の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向、またはθ（Ｚ軸周りの回転）方向の位置調整機能や、モールド８の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。なお、インプリント装置１における押し付けおよび引き離し動作は、上述のようにモールド８をＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、ウエハステージ４をＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。 The mold holding mechanism 3 first includes a mold chuck 11 that holds the mold 8 and a mold drive mechanism 12 that holds the mold chuck 11 and moves the mold 8 (mold chuck 11). The mold chuck 11 can hold the mold 8 by attracting the outer peripheral area of the irradiation surface of the ultraviolet ray 9 in the mold 8 with a vacuum suction force or an electrostatic force. For example, when the mold chuck 11 holds the mold 8 by vacuum suction, the mold chuck 11 is connected to a vacuum pump (not shown) installed outside, and the mold 8 is attached / detached by turning on / off the vacuum pump. Is switched. The mold driving mechanism 12 moves the mold 8 in the Z-axis direction so as to selectively press or separate the mold 8 and the resin 13 on the wafer 10. As an actuator that can be employed in the mold drive mechanism 12, for example, there is a linear motor or an air cylinder. Moreover, in order to correspond to the highly accurate positioning of the mold 8, you may comprise from several drive systems, such as a coarse motion drive system and a fine motion drive system. In addition to the Z-axis direction, there is a configuration having a position adjustment function in the X-axis direction, the Y-axis direction, or the θ (rotation around the Z-axis) direction, a tilt function for correcting the tilt of the mold 8, and the like. obtain. Note that the pressing and pulling operation in the imprint apparatus 1 may be realized by moving the mold 8 in the Z-axis direction as described above, but is realized by moving the wafer stage 4 in the Z-axis direction. Or both may be moved relatively.

また、モールドチャック１１およびモールド駆動機構１２は、光照射部２から射出された紫外線９がウエハ１０に向けて照射されるように、中心部（内側）に開口領域１４を有する。この開口領域１４には、不図示であるが、開口領域１４の一部とモールド８とで囲まれる空間を密閉空間とする光透過部材（例えばガラス板）が設置され、真空ポンプなどを含む圧力調整装置により空間内の圧力が調整される。この圧力調整装置は、例えば、押し付け動作に際し、前記空間内の圧力をその外部よりも高く設定することで、パターン部８ａをウエハ１０に向かい凸形に撓ませ、樹脂１３に対してパターン部８ａの中心部から接触させる。これにより、パターン部８ａと樹脂１３との間に気体（空気）が閉じ込められるのを抑え、パターン部８ａの凹凸パターンに樹脂１３を隅々まで充填させることができる。さらに、モールド保持機構３は、モールドチャック１１におけるモールド８の保持側に、モールド８の側面に外力または変位を与えることによりモールド８（パターン部８ａ）の形状を補正する倍率補正機構１５を有する。 The mold chuck 11 and the mold drive mechanism 12 have an opening region 14 at the center (inside) so that the ultraviolet rays 9 emitted from the light irradiation unit 2 are irradiated toward the wafer 10. Although not shown, the opening region 14 is provided with a light transmission member (for example, a glass plate) having a space surrounded by a part of the opening region 14 and the mold 8 as a sealed space, and includes a vacuum pump or the like. The pressure in the space is adjusted by the adjusting device. This pressure adjusting device, for example, sets the pressure in the space higher than the outside during the pressing operation, thereby bending the pattern portion 8a toward the wafer 10 in a convex shape, and the pattern portion 8a against the resin 13. Contact from the center. Thereby, it can suppress that gas (air) is confined between the pattern part 8a and the resin 13, and can fill the uneven | corrugated pattern of the pattern part 8a to the resin 13 to every corner. Furthermore, the mold holding mechanism 3 has a magnification correction mechanism 15 that corrects the shape of the mold 8 (pattern part 8a) by applying an external force or displacement to the side surface of the mold 8 on the mold chuck 11 holding side of the mold 8.

ウエハ１０は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であり、この被処理面には、モールド８に形成されたパターン部８ａにより成形される紫外線硬化樹脂（以下「樹脂」という）１３が塗布される。 The wafer 10 is, for example, a single crystal silicon substrate or an SOI (Silicon on Insulator) substrate, and an ultraviolet curable resin (hereinafter referred to as “resin”) formed on the surface to be processed by a pattern portion 8 a formed on the mold 8. ) 13 is applied.

ウエハステージ４は、ウエハ１０を保持し、押し付け動作に際し、モールド８と樹脂１３との位置合わせを実施する。このウエハステージ４は、ウエハ１０を吸着力により保持するウエハチャック１６と、このウエハチャック１６を機械的手段により保持し、各軸方向に移動可能とするステージ駆動機構１７とを有する。ステージ駆動機構１７は、アクチュエータとして、例えばリニアモータを採用し得る。このステージ駆動機構１７も、Ｘ軸およびＹ軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、ウエハ１０のθ方向の位置調整機能、またはウエハ１０の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。また、ウエハステージ４は、その表面上にモールド８をアライメントする際に利用する基準マーク２０を有する。 The wafer stage 4 holds the wafer 10 and aligns the mold 8 and the resin 13 during the pressing operation. The wafer stage 4 includes a wafer chuck 16 that holds the wafer 10 by suction force, and a stage drive mechanism 17 that holds the wafer chuck 16 by mechanical means and is movable in each axial direction. The stage drive mechanism 17 can employ, for example, a linear motor as an actuator. The stage drive mechanism 17 may also be composed of a plurality of drive systems such as a coarse drive system and a fine drive system in each direction of the X axis and the Y axis. Furthermore, there may be a configuration having a drive system for position adjustment in the Z-axis direction, a position adjustment function of the wafer 10 in the θ direction, or a tilt function for correcting the tilt of the wafer 10. Further, the wafer stage 4 has a reference mark 20 used when aligning the mold 8 on the surface thereof.

塗布部５は、モールド保持機構３の近傍に設置され、ウエハ１０上に樹脂（未硬化樹脂）１３を塗布する。ここで、この樹脂１３は、紫外線９を受光することにより硬化する性質を有する光硬化性樹脂（インプリント材）であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。また、塗布部５の吐出ノズル５ａから吐出される樹脂１３の量も、ウエハ１０上に形成される樹脂１３の所望の厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定される。 The application unit 5 is installed in the vicinity of the mold holding mechanism 3 and applies a resin (uncured resin) 13 on the wafer 10. Here, the resin 13 is a photo-curable resin (imprint material) having a property of being cured by receiving ultraviolet rays 9, and is appropriately selected according to various conditions such as a semiconductor device manufacturing process. Further, the amount of the resin 13 discharged from the discharge nozzle 5a of the application unit 5 is also appropriately determined depending on the desired thickness of the resin 13 formed on the wafer 10, the density of the pattern to be formed, and the like.

ガス供給機構６は、パターン部８ａの凹凸パターンに樹脂１３が充填される時間を短縮させたり、充填された樹脂１３に気泡が残留することを防止させたりするために、押し付け動作時にモールド８とウエハ１０との隙間にガスを供給する。このガス供給機構６は、モールド８の四方の側面部にそれぞれ配置され、ウエハ１０側へガスを供給（放出）する４つの供給口１８（１８ａ〜１８ｄ：図２参照）と、供給量を適宜調整しつつ、配管１９を介してガスを各供給口１８へ送るガス制御部２１とを含む。各供給口１８のガス放出面は、モールド８のウエハ１０に向かう側の面と同等の高さに設定される。なお、供給ガスとしては、樹脂１３に対して拡散性または溶解性が高いヘリウムや二酸化炭素などのガスを採用することが望ましい。 The gas supply mechanism 6 is used to reduce the time for filling the concave-convex pattern of the pattern portion 8a with the resin 13 and to prevent bubbles from remaining in the filled resin 13 during the pressing operation. Gas is supplied to the gap with the wafer 10. The gas supply mechanism 6 is disposed on each of the four side surfaces of the mold 8, and supplies four gas supply ports 18 (18 a to 18 d: see FIG. 2) for supplying (releasing) gas to the wafer 10 side. A gas control unit 21 that sends gas to each supply port 18 via the pipe 19 while adjusting. The gas discharge surface of each supply port 18 is set to the same height as the surface of the mold 8 facing the wafer 10. As the supply gas, it is desirable to employ a gas such as helium or carbon dioxide that is highly diffusible or soluble in the resin 13.

制御部７は、インプリント装置１の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部７は、例えば、コンピュータなどで構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。さらに、制御部７は、不図示であるが、モールド８およびウエハ１０の温度を所望の基準温度に一定に保つための精密温度制御装置の制御も実行する。なお、制御部７は、インプリント装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。 The control unit 7 can control the operation and adjustment of each component of the imprint apparatus 1. The control unit 7 is configured by, for example, a computer and is connected to each component of the imprint apparatus 1 via a line, and can control each component according to a program or the like. Further, although not shown, the control unit 7 also executes control of a precision temperature control device for keeping the temperature of the mold 8 and the wafer 10 constant at a desired reference temperature. The control unit 7 may be configured integrally with other parts of the imprint apparatus 1 (in a common casing), or separate from the other parts of the imprint apparatus 1 (in another casing). To).

また、インプリント装置１は、例えばウエハアライメントとして、ウエハ１０上に形成されたアライメントマークと、モールド８に形成されたアライメントマークとのＸ軸およびＹ軸の各方向への位置ずれを計測するアライメント計測系２２を備える。制御部７は、アライメント計測系２２の計測結果に基づいて押し付け位置（座標）を演算する。また、インプリント装置１は、ウエハステージ４を載置するベース定盤２３と、モールド保持機構３を固定するブリッジ定盤２４と、ベース定盤２３から延設され、除振器２５を介してブリッジ定盤２４を支持するための支柱２６とを備える。除振器２５は、床面からブリッジ定盤２４へ伝わる振動を除去するものである。さらに、インプリント装置１は、共に不図示であるが、モールド８を装置外部からモールド保持機構３へ搬送するモールド搬送機構と、ウエハ１０を装置外部からウエハステージ４へ搬送する基板搬送機構とを備える。 In addition, the imprint apparatus 1 measures, for example, wafer misalignment by measuring the positional deviation between the alignment mark formed on the wafer 10 and the alignment mark formed on the mold 8 in the X-axis and Y-axis directions. A measurement system 22 is provided. The control unit 7 calculates the pressing position (coordinates) based on the measurement result of the alignment measurement system 22. Further, the imprint apparatus 1 includes a base surface plate 23 on which the wafer stage 4 is placed, a bridge surface plate 24 that fixes the mold holding mechanism 3, and a base surface plate 23. A support 26 for supporting the bridge surface plate 24 is provided. The vibration isolator 25 removes vibration transmitted from the floor surface to the bridge surface plate 24. Further, although not shown, the imprint apparatus 1 includes a mold transport mechanism that transports the mold 8 from the outside of the apparatus to the mold holding mechanism 3 and a substrate transport mechanism that transports the wafer 10 from the outside of the apparatus to the wafer stage 4. Prepare.

次に、インプリント装置１によるインプリント方法について説明する。図２は、モールド８とウエハ１０との押し付け動作時の位置関係を示す概略図である。特に、図２（ａ）は、ウエハ１０の中心に位置するショット領域を処理対象とした場合の断面図であり、また、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ´断面を示す平面図である。まず、制御部７は、モールド搬送機構によりモールド８をモールドチャック１１に搬送させ、搭載させる。次に、制御部７は、アライメント計測系２２により、基準マーク２０とモールド８に形成されたアライメントマークとの間のＸ軸、Ｙ軸、およびθの各方向のずれを計測させる。ここで、制御部７は、モールドアライメントとして、この計測結果に基づいて基準マーク２０とモールド８に形成されたアライメントマークとの位置合わせを実施させる。次に、制御部７は、基板搬送機構によりウエハステージ４上のウエハチャック１６にウエハ１０を載置および固定させ、ウエハステージ４を塗布部５の塗布位置へ移動させる。次に、塗布部５は、塗布工程として、ウエハ１０上の処理対象であるショット領域（例えば対象ショット領域３０）に樹脂１３を塗布する。次に、制御部７は、対象ショット領域３０がモールド８に形成されたパターン部８ａの直下に位置するように、ウエハステージ４を移動させ、ウエハアライメントを実行させる。次に、制御部７は、モールド駆動機構１２を駆動させ、ウエハ１０上の樹脂１３にモールド８を押し付ける（押型工程）。このとき、制御部７は、モールド保持機構３の内部に設置された不図示の荷重センサにより、押し付け完了の判断を実行する。この押し付けにより、樹脂１３がパターン部８ａの凹凸パターンに充填される。この状態で、制御部７は、硬化工程として、光照射部２にモールド８の上面から紫外線９を照射させ、モールド８を透過した紫外線９により樹脂１３を硬化させる。そして、樹脂１３が硬化した後、制御部７は、モールド駆動機構１２を再駆動させ、モールド８を樹脂１３から引き離す（離型工程）。これにより、ウエハ１０上の対象ショット領域３０の表面には、パターン部８ａの凹凸パターンに倣った３次元形状の樹脂１３のパターン（層）が成形される。このような一連のインプリント動作をウエハステージ４の駆動によりショット領域を変更しつつ複数回実施することで、１枚のウエハ１０上に複数の樹脂１３のパターンを成形することができる。 Next, an imprint method by the imprint apparatus 1 will be described. FIG. 2 is a schematic diagram showing a positional relationship during the pressing operation between the mold 8 and the wafer 10. In particular, FIG. 2A is a cross-sectional view when a shot region located at the center of the wafer 10 is a processing target, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. FIG. First, the control unit 7 causes the mold conveyance mechanism to convey the mold 8 to the mold chuck 11 for mounting. Next, the control unit 7 causes the alignment measurement system 22 to measure deviations in the X axis, Y axis, and θ directions between the reference mark 20 and the alignment mark formed on the mold 8. Here, the control unit 7 causes the alignment between the reference mark 20 and the alignment mark formed on the mold 8 based on the measurement result as mold alignment. Next, the control unit 7 places and fixes the wafer 10 on the wafer chuck 16 on the wafer stage 4 by the substrate transport mechanism, and moves the wafer stage 4 to the coating position of the coating unit 5. Next, the application unit 5 applies the resin 13 to a shot area (for example, the target shot area 30) that is a processing target on the wafer 10 as an application process. Next, the control unit 7 moves the wafer stage 4 so that the target shot region 30 is located immediately below the pattern unit 8a formed on the mold 8, and executes wafer alignment. Next, the control unit 7 drives the mold driving mechanism 12 to press the mold 8 against the resin 13 on the wafer 10 (molding process). At this time, the control unit 7 determines the completion of pressing by a load sensor (not shown) installed inside the mold holding mechanism 3. By this pressing, the resin 13 is filled in the concavo-convex pattern of the pattern portion 8a. In this state, as a curing process, the control unit 7 causes the light irradiation unit 2 to irradiate the ultraviolet rays 9 from the upper surface of the mold 8 and cures the resin 13 with the ultraviolet rays 9 that have passed through the mold 8. And after resin 13 hardens | cures, the control part 7 redrives the mold drive mechanism 12, and separates the mold 8 from the resin 13 (mold release process). As a result, a pattern (layer) of the three-dimensional resin 13 that follows the concave-convex pattern of the pattern portion 8 a is formed on the surface of the target shot region 30 on the wafer 10. By performing such a series of imprint operations a plurality of times while changing the shot area by driving the wafer stage 4, a pattern of a plurality of resins 13 can be formed on one wafer 10.

ここで、上記押型工程において、対象ショット領域３０上の樹脂１３にパターン部８ａを押し付けるとき、パターン部８ａの凹凸パターンに充填された樹脂１３の内部に気泡が残留する場合がある。この状態で樹脂１３を硬化させると、気泡が存在する場所のパターンが形成されなかったり、パターンが歪んだりするなどの影響が生じる可能性がある。そこで、制御部７は、ガス供給機構６により、少なくとも押型工程における押し付け動作の直前にガスを供給させ、モールド８とウエハ１０との隙間空間の雰囲気を大気から供給ガスへ置換させることで気泡の発生を抑止する。このとき、供給されたガス３１は、このガス自身の有する拡散効果により、一定の時間を経ることでモールド８の中心付近に位置するパターン部８ａ近傍のガス濃度が十分に高くなる（例えば濃度７０％以上）。その後、制御部７がモールド駆動機構１２に対して押し付け動作を開始させることで、上記のようなパターンに対する影響を抑える。 Here, when the pattern portion 8a is pressed against the resin 13 on the target shot region 30 in the above-described pressing step, bubbles may remain inside the resin 13 filled in the uneven pattern of the pattern portion 8a. If the resin 13 is cured in this state, there is a possibility that the pattern where the bubbles are present is not formed or the pattern is distorted. Therefore, the control unit 7 causes the gas supply mechanism 6 to supply the gas at least immediately before the pressing operation in the pressing process, and replaces the atmosphere in the gap space between the mold 8 and the wafer 10 from the atmosphere to the supply gas, thereby generating bubbles. Suppresses occurrence. At this time, due to the diffusion effect of the gas itself, the supplied gas 31 has a sufficiently high gas concentration in the vicinity of the pattern portion 8a located near the center of the mold 8 after a certain time (for example, a concentration of 70). %that's all). Thereafter, the control unit 7 starts the pressing operation against the mold driving mechanism 12, thereby suppressing the influence on the pattern as described above.

この押型工程後、制御部７は、硬化工程に移行するが、このときウエハ１０の紫外線９が照射された部分は、照射熱により発熱する。ここで発生した熱は、次の処理対象となるショット領域に対する押型工程にて、モールド８とウエハ１０との隙間空間のガス３１を通じて、ウエハ１０上の前の処理対象であったショット領域（前ショット領域３２）での残存した照射熱がモールド８に伝わる。例えば、供給されたガス３１がヘリウムのように熱伝導率が高い気体の場合には、伝熱量が大きい。したがって、対象ショット領域３０に対する押型工程において、外部環境である前ショット領域３２から伝わる熱（またはその熱の蓄積）に起因して、モールド８が熱変形を起こす可能性がある。このモールド８の熱変形は、アライメントマークの変位やパターン部８ａの変形の原因となり、インプリント装置１の転写精度（重ね合わせ精度）に影響を及ぼす。そこで、本実施形態では、前ショット領域３２からの伝熱を低減させるように、以下のような構成を採用する。 After this pressing process, the control unit 7 proceeds to the curing process. At this time, the portion of the wafer 10 irradiated with the ultraviolet rays 9 generates heat due to irradiation heat. The heat generated here passes through the gas 31 in the gap space between the mold 8 and the wafer 10 in the stamping process for the next shot area to be processed, and the shot area (the previous area to be processed) on the wafer 10. The irradiation heat remaining in the shot area 32) is transmitted to the mold 8. For example, when the supplied gas 31 is a gas having high thermal conductivity such as helium, the amount of heat transfer is large. Therefore, in the stamping process for the target shot region 30, there is a possibility that the mold 8 is thermally deformed due to heat transmitted from the previous shot region 32 which is an external environment (or accumulation of the heat). This thermal deformation of the mold 8 causes the displacement of the alignment mark and the deformation of the pattern portion 8a, and affects the transfer accuracy (overlay accuracy) of the imprint apparatus 1. Therefore, in the present embodiment, the following configuration is adopted so as to reduce heat transfer from the previous shot region 32.

なお、本実施形態のウエハ１０上には、図２（ｂ）に示すように、一例として破線で示された複数（計６１カ所）のショット領域３３が存在し、インプリント装置１は、各ショット領域３３に順次パターンを形成するものとする。また、前ショット領域３２に対するパターン形成後、隣接する対象ショット領域３０に対してパターン形成を実施すると仮定する。このとき、前ショット領域３２の温度は、照射熱が残留しているため、インプリント装置１自体の基準温度Ｔ_０よりも高い温度Ｔ_Ｗである。一方、前ショット領域３２に対向するモールド８の表面（パターン部８ａ以外の面）８ｂの温度は、基準温度Ｔ_０よりもΔＴだけ上昇している（Ｔ_Ｗ−Ｔ_０＞ΔＴ）。さらに、供給されたガス３１の温度は、ガス制御部２０により、モールド８と同じ温度（Ｔ_０）に制御されている。 On the wafer 10 of the present embodiment, as shown in FIG. 2B, there are a plurality of (a total of 61) shot areas 33 indicated by broken lines as an example. Assume that a pattern is sequentially formed in the shot area 33. Further, it is assumed that after the pattern formation for the previous shot area 32, the pattern formation is performed for the adjacent target shot area 30. At this time, the temperature of the pre-shot region 32, since the irradiation heat remaining a high temperature T _W than the reference temperature T ₀ of the imprint apparatus 1 itself. On the other hand, the surface of the mold 8 facing front shot area 32 temperature (pattern portion surface other than 8a) 8b, rather than the reference temperature _{T 0} is increased by _{_{ΔT (T W -T 0> ΔT}} ). Further, the temperature of the supplied gas 31 is controlled by the gas control unit 20 to the same temperature (T ₀ ) as that of the mold 8.

本実施形態のモールド８は、モールド８に対する前ショット領域３２からの伝熱を低減させるため、上述のとおり、パターン部８ａの表面（第１面）の部分を除いたモールド８の第２面８ｂの全面に熱拡散膜を有する。図３は、熱拡散膜の構成の３つの例を示す概略断面図であり、特に押型工程後のパターン部８ａの端部付近を拡大した図である。なお、本実施形態の各例では、パターン部８ａの厚み（高さ）Ｈを６５μｍ程度としている。したがって、第２面８ｂに構成される熱拡散膜の厚みは、押し付け動作時にウエハ１０上の樹脂１３との接触を回避することを考慮し、１μｍ以上、４０μｍ以下とすることが望ましい。 The mold 8 of the present embodiment reduces the heat transfer from the previous shot region 32 to the mold 8, and as described above, the second surface 8b of the mold 8 excluding the surface (first surface) portion of the pattern portion 8a. A thermal diffusion film is provided on the entire surface. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing three examples of the configuration of the thermal diffusion film, in particular, an enlarged view of the vicinity of the end of the pattern portion 8a after the stamping process. In each example of the present embodiment, the thickness (height) H of the pattern portion 8a is about 65 μm. Therefore, the thickness of the thermal diffusion film formed on the second surface 8b is desirably 1 μm or more and 40 μm or less in consideration of avoiding contact with the resin 13 on the wafer 10 during the pressing operation.

まず、熱拡散膜の第１例として、図３（ａ）に示す熱拡散膜４０は、厚さが約２５μｍのグラファイトシートである。このグラファイトシートは、高分子フィルムを熱分解によりグラファイト化する方法により製作される、単結晶に近似した構造を有する炭素材料膜である。グラファイトシートは、２５〜１００μｍ程度の非常に薄いシート状に成形することができるため、本実施形態での厚みは、約２５μｍとしている。なお、グラファイトシートの厚みは、適宜変更可能であり、例えば、パターン部８ａの厚みＨをより小さくするために、さらに厚みを小さくしてもよい。この熱拡散膜４０は、接着剤によりモールド８の表面８ｂに固定され得る。接着剤としては、例えば、紫外線硬化性樹脂やエポキシ系樹脂などを含有するものが採用可能であり、アウトガスが少ないものが望ましい。この第１例では、モールド８は、その表面８ｂにて接着剤により約１０μｍの均一な接着層４１を形成し、この接着層４１に熱拡散膜４０を積層させている。 First, as a first example of the thermal diffusion film, a thermal diffusion film 40 shown in FIG. 3A is a graphite sheet having a thickness of about 25 μm. This graphite sheet is a carbon material film having a structure close to a single crystal, which is manufactured by a method of graphitizing a polymer film by pyrolysis. Since the graphite sheet can be formed into a very thin sheet of about 25 to 100 μm, the thickness in this embodiment is about 25 μm. The thickness of the graphite sheet can be changed as appropriate. For example, the thickness may be further reduced in order to reduce the thickness H of the pattern portion 8a. The thermal diffusion film 40 can be fixed to the surface 8b of the mold 8 with an adhesive. As the adhesive, for example, an adhesive containing an ultraviolet curable resin or an epoxy resin can be employed, and an adhesive with less outgas is desirable. In this first example, the mold 8 has a uniform adhesive layer 41 of about 10 μm formed on its surface 8 b with an adhesive, and a thermal diffusion film 40 is laminated on the adhesive layer 41.

ここで、モールド８の材質である石英の熱伝導率は、１．３８Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であり、熱伝導性が非常に低い。これに対して、グラファイトシートは、異方性熱伝導材料であり、厚み方向（Ｚ軸方向）の熱伝導率が１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であるのに対し、平面方向（ＸＹ軸方向）の熱伝導率は、１６００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度と非常に大きい。また、熱拡散膜４０と供給されたガス３１との温度差が上記の定義に従ってΔＴであり、ガス３１と接触する接触面積をＳとし、表面熱伝達率をｈとすると、ガス３１へ流れる放熱量（熱流量）Ｗは、以下の式（１）で現される。
Ｗ＝Ｓ×ｈ×ΔＴ（１）
したがって、式（１）より、接触面積Ｓ、表面熱伝達率ｈ、または温度差ΔＴの少なくともいずれかが大きくなる条件下において、放熱量Ｗが大きくなることが分かる。なお、表面熱伝達率ｈは、境界面での熱の伝わりやすさを表し、ガスの風速や物体の大きさ、姿勢などの状態により変化する。 Here, the thermal conductivity of quartz which is the material of the mold 8 is about 1.38 W / (m · K), and the thermal conductivity is very low. On the other hand, the graphite sheet is an anisotropic heat conductive material, and the thermal conductivity in the thickness direction (Z-axis direction) is about 15 W / (m · K), whereas the plane direction (XY-axis direction). ) Has a very high thermal conductivity of about 1600 W / (m · K). Further, if the temperature difference between the thermal diffusion film 40 and the supplied gas 31 is ΔT according to the above definition, the contact area in contact with the gas 31 is S, and the surface heat transfer coefficient is h, the heat flow to the gas 31 is discharged. The amount of heat (heat flow rate) W is expressed by the following equation (1).
W = S × h × ΔT (1)
Therefore, it can be seen from equation (1) that the heat dissipation amount W increases under the condition that at least one of the contact area S, the surface heat transfer coefficient h, and the temperature difference ΔT increases. The surface heat transfer coefficient h represents the ease of heat transfer at the boundary surface, and varies depending on the gas wind speed, the size of the object, the posture, and the like.

このように、平面方向の熱伝達特性に優れた熱拡散膜４０を有するモールド８は、従来のモールドよりも温度分布の不均一性を改善し得る。すなわち、モールド８は、このモールド８の内部に伝わろうとする前ショット領域３２からの残留熱を熱拡散膜４０全体に拡散させ、熱拡散膜４０に接するガス３１への放熱量を大きくさせることができる。したがって、モールド８は、前ショット領域３２に対向するモールド８の表面部分の温度上昇を抑制することができるので、モールド８の熱分布に起因した熱変形を低減させることができる。特に、第１例では、熱拡散膜４０として異方性熱伝導材料であるグラファイトシートを採用するため、例えば金属材を採用する場合に比べ、熱がモールド８の内部へより伝わりにくく、モールド８の熱変形が効率良く低減される。また、本実施形態では、モールド８の表面８ｂの全面に熱拡散膜４０を構成しているので、前ショット領域３２が図２（ｂ）に示す他のショット領域３２ａ〜３２ｗのいずれの領域であったとしても、熱拡散膜４０の放熱効果を期待できる。 Thus, the mold 8 having the thermal diffusion film 40 having excellent heat transfer characteristics in the planar direction can improve the non-uniformity of the temperature distribution as compared with the conventional mold. That is, the mold 8 diffuses the residual heat from the previous shot region 32 to be transmitted to the inside of the mold 8 throughout the thermal diffusion film 40, and increases the heat radiation amount to the gas 31 in contact with the thermal diffusion film 40. it can. Therefore, since the mold 8 can suppress the temperature rise of the surface portion of the mold 8 that faces the front shot region 32, the thermal deformation due to the heat distribution of the mold 8 can be reduced. In particular, in the first example, a graphite sheet, which is an anisotropic heat conductive material, is used as the thermal diffusion film 40. For example, heat is less likely to be transmitted to the inside of the mold 8 than when a metal material is used. Is efficiently reduced. In the present embodiment, since the thermal diffusion film 40 is formed on the entire surface 8b of the mold 8, the previous shot area 32 is any of the other shot areas 32a to 32w shown in FIG. Even if it exists, the heat dissipation effect of the thermal diffusion film 40 can be expected.

次に、熱拡散膜の第２例として、図３（ｂ）に示す熱拡散膜４２は、樹脂フィルム４３に金属材を蒸着させた積層膜である。樹脂フィルム４３は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）であり、厚さは、約３０μｍである。一方、蒸着させる金属材は、熱伝導率が３５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上となるような、熱伝達率が高い金属材（例えば銅）であり、この金属材による金属膜４４の厚さは、約５μｍである。なお、この金属膜４４に採用可能な金属材としては、上記の銅の他に、銀、アルミ、または金などがある。この場合も、熱拡散膜４２の厚みは、適宜変更可能である。また、この熱拡散膜４２も、接着剤による接着層４１を介し、モールド８の表面８ｂに固定され得る。ここで、ＰＥＴの熱伝導率は、０．１４Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であり、第１例でのグラファイトシートの厚み方向の熱伝導率と比べて非常に小さい。一方、例えば銅の熱伝導率は、３９８Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、モールド８の材質である石英と比べて非常に大きい。したがって、この場合のモールド８は、第１例の熱拡散膜４０を採用した場合に比べ、モールド８への熱伝達を小さくすることができ、モールド８の熱変形をより低減させることができる。 Next, as a second example of the thermal diffusion film, the thermal diffusion film 42 shown in FIG. 3B is a laminated film obtained by depositing a metal material on the resin film 43. The resin film 43 is PET (polyethylene terephthalate), and the thickness is about 30 μm. On the other hand, the metal material to be vapor-deposited is a metal material (for example, copper) having a high heat transfer coefficient such that the thermal conductivity is 350 W / (m · K) or more. , About 5 μm. Examples of the metal material that can be used for the metal film 44 include silver, aluminum, and gold in addition to the above copper. Also in this case, the thickness of the thermal diffusion film 42 can be changed as appropriate. The heat diffusion film 42 can also be fixed to the surface 8b of the mold 8 via the adhesive layer 41 made of an adhesive. Here, the thermal conductivity of PET is about 0.14 W / (m · K), which is much smaller than the thermal conductivity in the thickness direction of the graphite sheet in the first example. On the other hand, for example, the thermal conductivity of copper is 398 W / (m · K), which is much higher than that of quartz, which is the material of the mold 8. Therefore, the mold 8 in this case can reduce the heat transfer to the mold 8 and can further reduce the thermal deformation of the mold 8 as compared with the case where the heat diffusion film 40 of the first example is adopted.

さらに、熱拡散膜の第３例として、図３（ｃ）に示す熱拡散膜４５は、モールド８の表面８ｂに、熱伝導率が４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の金属材を蒸着し、その金属材による金属膜４６上に保護膜としてのＳｉＯ_２薄膜４７を積層させた膜である。金属膜４６に採用可能な金属材は、例えば、熱伝導率が４２７Ｗ／（ｍ・Ｋ）の銀であり、金属膜４６の厚さは、約５μｍである。一方、保護膜の厚さは、パターン部８ａの厚みＨを考慮して設定され得るが、本例では約１μｍとしている。この場合のモールド８は、第１例および第２例の熱拡散膜４０、４２を採用した場合とは異なり、接着層を有しないことから、厚さを極めて薄くすることができ、また光照射による接着層の劣化がないため、モールド８の寿命を長くすることができる。また、パターン部８ａの厚みＨを小さくすることができるので、モールド８の設計自由度の向上に有利となり得る。さらに、熱拡散膜４５は、保護膜としてのＳｉＯ_２薄膜４７を有するので、金属膜４６の成分がウエハ１０上に形成されるパターンへ落下し、汚染されることを防止できる。同様に、モールド８をインプリント装置１から搬出し洗浄する際に、金属膜４６の成分がパターン部８ａへ転移し、インプリント処理時にウエハ１０上のパターンが汚染されることを防止できる。 Furthermore, as a third example of the thermal diffusion film, the thermal diffusion film 45 shown in FIG. 3C is a method in which a metal material having a thermal conductivity of 400 W / (m · K) or more is deposited on the surface 8 b of the mold 8. This is a film in which a SiO ₂ thin film 47 as a protective film is laminated on a metal film 46 made of the metal material. The metal material that can be used for the metal film 46 is, for example, silver having a thermal conductivity of 427 W / (m · K), and the thickness of the metal film 46 is about 5 μm. On the other hand, the thickness of the protective film can be set in consideration of the thickness H of the pattern portion 8a. In this example, the thickness is about 1 μm. Unlike the case where the heat diffusion films 40 and 42 of the first example and the second example are adopted, the mold 8 in this case does not have an adhesive layer, so that the thickness can be extremely reduced and light irradiation can be performed. Therefore, the life of the mold 8 can be extended. In addition, since the thickness H of the pattern portion 8a can be reduced, it can be advantageous to improve the design freedom of the mold 8. Furthermore, since the thermal diffusion film 45 has the SiO ₂ thin film 47 as a protective film, it is possible to prevent the components of the metal film 46 from falling onto the pattern formed on the wafer 10 and being contaminated. Similarly, when the mold 8 is unloaded from the imprint apparatus 1 and cleaned, the components of the metal film 46 are transferred to the pattern portion 8a, and the pattern on the wafer 10 can be prevented from being contaminated during the imprint process.

本実施形態に係るインプリント装置１は、上記のような熱変形を低減することができるモールド８を採用することで、ウエハ上の樹脂に対する転写精度の低下を抑えることができる。さらに、転写精度の低下が抑えられることで、インプリント装置１による１つのショット領域当たりの転写時間を短くすることができ、結果的に生産効率を向上させることができる。 The imprint apparatus 1 according to the present embodiment can suppress a decrease in transfer accuracy with respect to the resin on the wafer by employing the mold 8 that can reduce the thermal deformation as described above. Furthermore, by suppressing the decrease in transfer accuracy, the transfer time per shot area by the imprint apparatus 1 can be shortened, and as a result, the production efficiency can be improved.

以上のように、本実施形態によれば、パターン転写時の熱変形を抑えるのに有利なモールドを提供することができる。さらに、このモールドを採用することで、ウエハ上の樹脂に対する転写精度の低下を抑えるのに有利なインプリント方法を提供することができる。 As described above, according to this embodiment, it is possible to provide a mold that is advantageous for suppressing thermal deformation during pattern transfer. Furthermore, by adopting this mold, it is possible to provide an imprint method that is advantageous for suppressing a decrease in transfer accuracy with respect to the resin on the wafer.

（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント方法を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。 (Product manufacturing method)
A method for manufacturing a device (semiconductor integrated circuit element, liquid crystal display element, etc.) as an article includes a step of forming a pattern on a substrate (wafer, glass plate, film-like substrate) using the above-described imprint method. Furthermore, the manufacturing method may include a step of etching the substrate on which the pattern is formed. In the case of manufacturing other articles such as patterned media (recording media) and optical elements, the manufacturing method may include other processes for processing a substrate on which a pattern is formed instead of etching. The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。 As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

８モールド
８ａパターン部
８ｂ第２面
１３樹脂
４０熱拡散膜 8 Mold 8a Pattern part 8b Second surface 13 Resin 40 Thermal diffusion film

Claims

A mold having a pattern portion on which a pattern to be molded is formed on a workpiece,
The surface on which the pattern portion is installed includes a first surface on which the pattern portion is disposed, and a second surface on which the pattern portion is not disposed,
A mold comprising a heat diffusion film for diffusing heat from an external environment on the surface of the second surface.

2. The mold according to claim 1, wherein the thermal diffusion film is a film made of an anisotropic thermal conductive material having a thermal conductivity in a plane direction with respect to the second surface larger than a thermal conductivity in a thickness direction.

The mold according to claim 2, wherein the thermal diffusion film is a carbon material film.

The mold according to claim 1, wherein the thermal diffusion film is a laminated film obtained by depositing a metal material having a thermal conductivity of 350 W / (m · K) or more on a resin film.

The mold according to claim 1, wherein the thermal diffusion film is fixed to the surface of the second surface via an adhesive layer.

The mold according to claim 5, wherein the adhesive layer is made of an adhesive containing an ultraviolet curable resin or an epoxy resin.

The thermal diffusion film is a film made of a metal material having a thermal conductivity of 400 W / (m · K) or more,
The mold according to claim 1, further comprising a protective film on a surface of the film facing the external environment.

The mold according to claim 7, wherein the protective film is a SiO ₂ thin film.

The mold according to any one of claims 1 to 8, wherein a thickness of the thermal diffusion film is 1 µm or more and 40 µm or less.

An imprint method in which an uncured resin on a substrate is molded and cured by a mold to form a cured resin pattern on the substrate,
The mold according to any one of claims 1 to 9 is used as the mold.
The object to be treated is the uncured resin,
An imprint method characterized by the above.

Forming a resin pattern on a substrate using the imprint method according to claim 10;
Processing the substrate on which the pattern is formed in the step;
A method for producing an article comprising: