JP2009198638A - Wire grid type polarizing element, method for manufacturing the same, electrooptical apparatus and projection type display apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ワイヤーグリッド型偏光素子、その製造方法、電気光学装置および投射型表示装置に関するものである。 The present invention relates to a wire grid type polarizing element, a manufacturing method thereof, an electro-optical device, and a projection display device.
ワイヤーグリッド型偏光素子は、図11(a)、(b)に示すように、透光性基板10Aの基板面に複数列の金属格子20Aを遮光格子として備えており、金属格子20Aのピッチ(周期)が入射光の波長より短ければ、金属格子20Aの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分については透過する一方、金属格子20Aの長手方向に対して平行な方向に振動する偏光成分については反射する。
As shown in FIGS. 11A and 11B, the wire grid type polarizing element includes a plurality of rows of
かかるワイヤーグリッド型偏光素子1Aは、従来、透光性基板10Aの基板面に数100nmの金属膜を形成した後、金属膜の表面に、金属格子20Aを形成すべき領域に溝状開口部を備えたエッチングマスクを形成し、この状態で、金属膜をパターニングすることにより、製造される。
In the wire grid
また、エッチングマスクを形成するにあたっては、金属膜の表面に樹脂を塗布した後、型部材に形成した凹凸パターンを転写して、金属格子20Aを形成すべき領域に溝状開口部を備えたレジストマスクを得る方法が提案されている(特許文献1参照)。
ワイヤーグリッド型偏光素子1Aでは、金属格子20Aは入射光の一部を反射するため、金属格子20Aのピッチが入射光の波長より短い場合でも、金属格子20Aの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分を100%透過することができない。このため、ワイヤーグリッド型偏光素子1Aの性能は、「透過率(Transmittance)」および「コントラスト(Contrast)」で表される。「透過率」は、金属格子20Aの長手方向に対し垂直な方向に振動する偏光成分の透過率であり、「コントラスト」は、金属格子20Aの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率を、金属格子20Aの長手方向に対して並行な方向に振動する偏光成分の透過率で割った値である。
In the wire grid
ここで、「コントラスト」を高めるには、金属格子20Aのピッチが入射光の波長に比べてかなり短くなければならず、「透過率」を高めるには、金属格子20Aの幅寸法を狭くし、かつ、金属格子20Aの幅寸法と厚さ寸法とが所定の条件を満たす必要がある。
Here, in order to increase “contrast”, the pitch of the
しかしながら、従来のように、数100nmといった厚い金属膜に対するエッチングにより金属格子20Aを形成する方法では、金属格子20Aの幅寸法や厚さ寸法が金属膜に対するエッチング精度の影響を受ける。このため、例えば、金属格子20Aのピッチを140nm程度とするのが限界であるなどの制約があるため、「透過率」および「コントラスト」については、図12に示す性能を得るのが限界であり、「透過率」は、可視光帯域内で大きな差があるなどの問題点がある。
However, in the conventional method of forming the metal grating 20A by etching a thick metal film of several hundred nm, the width dimension and the thickness dimension of the
このため、従来のワイヤーグリッド型偏光素子1Aを用いた液晶装置を投射型表示装置において赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の光に対するライトバルブとして用いた場合、赤色(R)の光については光量が低下するなどの問題点がある。
Therefore, when a liquid crystal device using the conventional wire grid
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、「透過率」および「コントラスト」の双方を向上可能なワイヤーグリッド型偏光素子、その製造方法、かかるワイヤーグリッド型偏光素子を備えた電気光学装置、およびかかる電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a wire grid type polarizing element capable of improving both “transmittance” and “contrast”, a manufacturing method thereof, and an electro-optical device including the wire grid type polarizing element. And a projection display device including the electro-optical device.
上記課題を解決するために、本発明では、透光性基板の基板面に複数列の遮光格子を備えたワイヤーグリッド型偏光素子において、前記基板面には、前記遮光格子に沿って複数列の触媒層が形成され、当該触媒層の上層には、前記遮光格子を構成するカーボンナノチューブ層が積層されていることを特徴とする。 In order to solve the above-described problem, in the present invention, in a wire grid type polarizing element including a plurality of rows of light shielding gratings on a substrate surface of a light-transmitting substrate, the substrate surface has a plurality of rows along the light shielding gratings. A catalyst layer is formed, and a carbon nanotube layer constituting the light-shielding lattice is laminated on the catalyst layer.
また、本発明では、透光性基板の基板面に複数列の遮光格子を備えたワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法において、前記基板面に対して、前記複数列の遮光格子の形成予定領域に沿って複数列の触媒層を形成する触媒層形成工程と、前記触媒層の上層にカーボンナノチューブを厚さ方向に選択的に成長させて前記遮光格子を構成するカーボンナノチューブ層を形成するカーボンナノチューブ層形成工程と、を有することを特徴とする。 Further, in the present invention, in the method of manufacturing a wire grid type polarizing element provided with a plurality of rows of light shielding grids on the substrate surface of the translucent substrate, the plurality of rows of light shielding grids are to be formed in the region to be formed with respect to the substrate surface. A catalyst layer forming step of forming a plurality of rows of catalyst layers along the carbon nanotube layer, and a carbon nanotube layer forming the light shielding lattice by selectively growing carbon nanotubes in the thickness direction on the catalyst layer And a forming step.
本発明において、前記カーボンナノチューブ層形成工程では、プラズマ化学気相成長法により前記カーボンナノチューブ層を選択的に成長させることが好ましい。 In the present invention, in the carbon nanotube layer forming step, the carbon nanotube layer is preferably selectively grown by a plasma chemical vapor deposition method.
本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子では、透光性基板の基板面に複数列の触媒層が形成され、かかる触媒層の上層に、遮光格子を構成するカーボンナノチューブ層が選択的に形成された構成になっているため、遮光格子の幅寸法およびピッチは、触媒層の幅寸法およびピッチにより規定される。ここで、触媒層は、カーボンナノチューブを選択成長させればよく、薄くてよいので、エッチングによりパターニング形成した場合でも、精度よくパターニングすることができる。それ故、触媒層の幅寸法を70nm未満、例えば、35nmまで小さくでき、触媒層のピッチを140nm未満、例えば、70nmにまで小さくすることができる。従って、遮光格子の幅寸法も70nm未満、例えば、35nmまで小さくでき、遮光格子のピッチを140nm未満、例えば、70nmにまで小さくすることができる。それ故、ワイヤーグリッド型偏光素子の「透過率」および「コントラスト」の双方を向上することができる。また、遮光格子が光吸収性を備えたカーボンナノチューブ層からなるため、遮光格子が金属格子からなる場合と違って、光の反射がないので、迷光が発生しないという利点もある。 In the wire grid type polarizing element according to the present invention, a plurality of rows of catalyst layers are formed on the substrate surface of the translucent substrate, and a carbon nanotube layer constituting a light shielding lattice is selectively formed on the upper layer of the catalyst layer. Since it is configured, the width dimension and pitch of the light shielding grating are defined by the width dimension and pitch of the catalyst layer. Here, the catalyst layer only needs to be selectively grown by carbon nanotubes, and may be thin. Therefore, even when patterning is performed by etching, the catalyst layer can be patterned with high accuracy. Therefore, the width dimension of the catalyst layer can be reduced to less than 70 nm, for example, 35 nm, and the pitch of the catalyst layer can be decreased to less than 140 nm, for example, 70 nm. Therefore, the width dimension of the light shielding grating can be reduced to less than 70 nm, for example, 35 nm, and the pitch of the light shielding grating can be reduced to less than 140 nm, for example, 70 nm. Therefore, both “transmittance” and “contrast” of the wire grid type polarizing element can be improved. Further, since the light shielding grating is made of a carbon nanotube layer having light absorption, unlike the case where the light shielding grating is made of a metal grating, there is an advantage that stray light is not generated because there is no reflection of light.
本発明において、前記触媒層は、例えば、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、銅(Cu)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)などの第1遷移金属(3d遷移元素)、モリブデン(Mo)、ジルコニウム(Zr)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)などの第2遷移金属(4d遷移元素)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、白金(Pt)、ハフニウム(Hf)などの第3遷移金属(4f遷移元素)を用いることができ、特に、鉄、コバルト、ニッケル、チタン、およびこれらの金属の合金から選ばれた金属の単層膜あるいは積層膜からなることが好ましい。特に、鉄、コバルト、ニッケルを触媒層として用いる場合、その下層にチタンを形成すれば密着性が向上する。 In the present invention, the catalyst layer includes, for example, iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), titanium (Ti), vanadium (V), manganese (Mn), copper (Cu), and chromium (Cr). First transition metals (3d transition elements) such as zinc (Zn), second transition metals (4d transition elements) such as molybdenum (Mo), zirconium (Zr), palladium (Pd), silver (Ag), tungsten ( Third transition metals (4f transition elements) such as W), tantalum (Ta), platinum (Pt), and hafnium (Hf) can be used. In particular, iron, cobalt, nickel, titanium, and alloys of these metals It is preferable to consist of a single layer film or a laminated film of a metal selected from In particular, when iron, cobalt, or nickel is used as the catalyst layer, adhesion is improved by forming titanium in the lower layer.
本発明において、前記触媒層は、膜厚が3〜10nmである構成を採用することができる。かかる触媒層を形成するには、前記触媒層形成工程において、前記基板面に対して前記触媒層を構成する金属層を形成した後、該金属層の表面にエッチングマスクを形成し、しかる後に、前記金属層にエッチングして前記触媒層をパターニング形成する。 In the present invention, the catalyst layer may have a thickness of 3 to 10 nm. In order to form such a catalyst layer, in the catalyst layer forming step, after forming a metal layer constituting the catalyst layer on the substrate surface, an etching mask is formed on the surface of the metal layer, and thereafter The catalyst layer is patterned by etching into the metal layer.
本発明において、前記カーボンナノチューブ層は、膜厚が35〜350nmである構成を採用することができる。 In the present invention, the carbon nanotube layer may have a thickness of 35 to 350 nm.
本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子では、前記遮光格子の長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率が、460nmから780nmの波長帯域の全域にわたって80%以上であるという特性を達成することができる。 In the wire grid type polarizing element to which the present invention is applied, the transmittance of the polarization component that vibrates in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the light shielding grating is 80% or more over the entire wavelength band of 460 nm to 780 nm. Can be achieved.
本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子は、電気光学装置などに用いることができる。かかる電気光学装置は、素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶とを備えた液晶パネルを有しており、前記液晶パネルを挟む両面のうちの少なくとも一方に前記ワイヤーグリッド型偏光素子が配置された構成を有している。 The wire grid type polarizing element to which the present invention is applied can be used for an electro-optical device or the like. The electro-optical device includes a liquid crystal panel including an element substrate, a counter substrate disposed opposite to the element substrate, and a liquid crystal held between the counter substrate and the element substrate. The wire grid type polarizing element is disposed on at least one of both surfaces sandwiching the liquid crystal panel.
この場合、前記ワイヤーグリッド型偏光素子は、前記素子基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方に一体に形成されていることが好ましい。 In this case, it is preferable that the wire grid type polarizing element is integrally formed on at least one of the element substrate and the counter substrate.
本発明を適用した電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示部として用いることができるとともに、投射型表示装置においてライトバルブとして用いることができ、投射型表示装置は、前記電気光学装置に光を入射させる光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を拡大投射する投射光学系と、を有している。本発明では、3つの電気光学装置を各々、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)に対応するライトバルブとして用いた投射型表示装置に用いた構成を採用できる他、光源部から出射された光を、カラーフィルタを内蔵の液晶装置で光変調して投射光学系により拡大投射する構成を採用することもできる。これらいずれの投射型表示装置の場合でも、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子を用いれば、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のいずれの色光に対しても高い透過率を得ることができるので、品位の高いカラー画像を表示することができる。 The electro-optical device to which the present invention is applied can be used as a display unit of an electronic device such as a mobile computer or a mobile phone, and can also be used as a light valve in a projection display device. A light source unit that causes light to be incident on the optical device; and a projection optical system that enlarges and projects light modulated by the electro-optical device. In the present invention, the configuration used in the projection display device in which the three electro-optical devices are respectively used as light valves corresponding to red (R), green (G), and blue (B) can be adopted. It is also possible to adopt a configuration in which the emitted light is optically modulated by a liquid crystal device incorporating a color filter and enlarged and projected by a projection optical system. In any of these projection type display devices, if a wire grid type polarizing element to which the present invention is applied is used, it has a high transmittance for any color light of red (R), green (G), and blue (B). Therefore, a color image with high quality can be displayed.
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、以下の説明においては、図7を参照して説明した構成との対比が分りやすいように、共通する部分には同一の符号を付して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below. In the drawings to be referred to in the following description, the scales of the layers and the members are different from each other in order to make the layers and the members large enough to be recognized on the drawings. In the following description, common portions will be described with the same reference numerals so that the comparison with the configuration described with reference to FIG. 7 can be easily understood.
[本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子]
(ワイヤーグリッド型偏光素子の構造)
図1(a)、(b)、(c)は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図、平面図、および本発明を適用した別のワイヤーグリッド型偏光素子の構成を模式的に示す断面図である。
[Wire grid type polarizing element to which the present invention is applied]
(Structure of wire grid type polarization element)
1A, 1B, and 1C are a cross-sectional view, a plan view, and another wire grid type polarized light to which the present invention is applied, schematically showing the configuration of a wire grid type polarizing element to which the present invention is applied. It is sectional drawing which shows the structure of an element typically.
図1(a)、(b)において、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子1は、石英ガラスや耐熱ガラスなどといった透光性基板10の一方の基板面15に複数列の遮光格子25aを備えている。本形態では、基板面15には、遮光格子25aに沿って複数列の触媒層21aが形成され、かかる触媒層21aの上層に、遮光格子25aを構成するカーボンナノチューブ層が積層されている。なお、図1(c)に示すように、遮光格子25aの上層側、および遮光格子25aの間を埋めるように、シリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などからなる透光性の保護膜28が形成される場合があり、かかる構成によれば、遮光格子25aが形成されている領域、および遮光格子25aが形成されていない領域の双方が連続した平滑面を構成している。
1A and 1B, the wire grid
本形態において、触媒層21aとしては、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、銅(Cu)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)などの第1遷移金属(3d遷移元素)、モリブデン(Mo)、ジルコニウム(Zr)、パラジウム(Pd)、銀(Ag)などの第2遷移金属(4d遷移元素)、タングステン(W)、白金(Pt)、ハフニウム(Hf)などの第3遷移金属(4f遷移元素)を用いることができ、特に、鉄、コバルト、ニッケル、チタン、およびこれらの金属の合金から選ばれた金属の単層膜あるいは積層膜が好適に用いられる。ここで、鉄、コバルト、ニッケルを触媒層21aとして用いる場合には、その下層にチタンを形成すれば密着性が向上する。
In this embodiment, the
本形態において、触媒層21aは、膜厚が3〜10nmであり、遮光格子25aの膜厚は35〜350nmである。ここで、遮光格子25aおよび触媒層21aを含めた遮光パターンの厚さ寸法、幅寸法、間隔は概ね、1:1:1に設定されている。本形態において、遮光格子25aおよび触媒層21aの幅寸法および間隔がいずれも35nmであり、遮光格子25aおよび触媒層21aのピッチは70nmである。
In this embodiment, the
このように構成したワイヤーグリッド型偏光素子1では、遮光格子25aのピッチ(周期)は入射光の波長より短い場合、遮光格子25aの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分(例えば、P偏光成分)については透過する一方、遮光格子25aの長手方向に対して平行な方向に振動する偏光成分(例えば、S偏光成分)については反射する。
In the wire grid
(ワイヤーグリッド型偏光素子1の製造方法)
以下、図2および図3を参照して、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子1の製造方法を説明しながら、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子1の構成を詳述する。図2(a)〜(h)は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子1の製造方法を示す工程断面図である。図3は、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子1の製造工程のうち、遮光格子25aを構成するカーボンナノチューブを選択成長させるためのプラズマ化学気相堆積装置の構成を模式的に示す説明図である。
(Manufacturing method of wire grid type polarization element 1)
Hereinafter, with reference to FIG. 2 and FIG. 3, the configuration of the wire grid
本形態のワイヤーグリッド型偏光素子1を製造するには、図2(a)に示すように、両面が平滑な透光性基板10を準備した後、図2(b)〜(g)を参照して説明する触媒層形成工程を行なう。
In order to manufacture the wire grid
かかる触媒層形成工程では、まず、図2(b)に示すように、透光性基板10の基板面15に、スパッタ法あるいは真空蒸着法などの方法により、鉄、コバルト、ニッケル、チタンなどとった金属膜21を3〜10nmの厚さに形成する。ここで、金属膜21として鉄、コバルト、ニッケルを用いる場合には、その下層にチタンを形成すれば密着性が向上する。
In this catalyst layer forming step, first, as shown in FIG. 2B, iron, cobalt, nickel, titanium, etc. are applied to the
次に、金属膜21の表面にエッチングマスクを形成するマスク形成工程を行なう。それには、図2(c)に示すように、金属膜21の表面に感光性樹脂60を塗布した後、図2(d)に示すように、露光マスク64を介して感光性樹脂60を露光させる。次に、感光性樹脂60を現像し、しかる後に、ベーク処理を行なって、図2(e)に示すように、金属膜21を除去すべき領域に溝状開口部62を備えたエッチングマスク61(レジストマスク)を形成する。ここで、溝状開口部62の開口幅寸法は35nmであり、溝状開口部62の間に位置する部分の間隔は35nmであるため、溝状開口部62のピッチは70nmである。なお、図2(e)では、露光マスク64を介してポジ型の感光性樹脂60に紫外光を照射してエッチングマスク61を形成したが、紫外光としては極端紫外光を用いてもよく、紫外光に代えて、電子線やX線などによって感光性樹脂を露光してもよく、この場合、露光マスク61を用いずに直接描画を行なってもよい。
Next, a mask formation process for forming an etching mask on the surface of the
次に、図2(f)に示すように、金属膜21の表面にエッチングマスク61を形成した状態のままで、透光性基板10の基板面15にエッチングを行い、金属膜21を複数列の触媒層21aにパターニングする。かかるエッチングとしては、ドライエッチングあるいはウエットエッチングのいずれを用いてもよい。
Next, as shown in FIG. 2F, etching is performed on the
次に、図2(g)に示すように、触媒層21aの表面にからエッチングマスク61を除去した後、図2(h)に示すように、触媒層21aの上層にカーボンナノチューブを厚さ方向に選択的に成長させて遮光格子25aを構成するカーボンナノチューブ層を形成するカーボンナノチューブ層形成工程を行なう。
Next, as shown in FIG. 2 (g), after removing the
かかるカーボンナノチューブ層形成工程では、図3に示すプラズマ化学気相堆積装置90などを用い、プラズマ化学気相成長法により遮光格子25a(カーボンナノチューブ層)を選択的に成長させる。
In the carbon nanotube layer forming step, the
図3に例示するプラズマ化学気相堆積装置90は、電界印加型プラズマCVD装置であり、チャンバ91内には、電極92、93が配置され、電極92上に透光性基板10が載置される。チャンバ91には、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、あるいはそれらの混合ガスなどからなる炭素供給ガス、および水素ガスを導入する反応ガス導入路97、排気用真空ポンプ94、マイクロ波プラズマ発生装置96が接続されており、電極92、93にはDC電源95が接続されている。このようなプラズマ化学気相堆積装置90において、チャンバ91内に、例えばメタンガスと、水素ガスとを導入するとともに、プラズマを発生させて、プラズマ化学気相堆積法によりカーボンナノチューブを成膜する。その際、例えば、基板温度を450℃以上、圧力を数10〜100Pa、基板への印加電圧を数10V以上に設定し、触媒層21aの上層にカーボンナノチューブを厚さ方向に選択的に成長させ、遮光格子25aを形成する。その結果、図1を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1を得ることができる。
A plasma enhanced chemical
なお、図1(c)に示すように、保護膜28を形成する場合には、遮光格子25aを覆うようにシリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などからなる透光膜を形成した後、透光膜の表面に研磨工程を行なえばよい。研磨工程として化学機械研磨を利用でき、かかる化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と透光性基板10との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などからなる研磨布(パッド)を貼り付けた定盤と、透光性基板10を保持するホルダとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が0.01〜20μmの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と透光性基板10との間に供給する。
As shown in FIG. 1C, when the
(ワイヤーグリッド型偏光素子1の別の製造方法)
図4を参照して、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子1の別の製造方法を説明する。図4(a)〜(h)は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子1の別の製造方法を示す工程断面図である。
(Another manufacturing method of the wire grid type polarizing element 1)
With reference to FIG. 4, another manufacturing method of the wire grid
本形態のワイヤーグリッド型偏光素子1を製造するには、図4(a)に示すように、両面が平滑な透光性基板10を準備した後、図4(b)〜(g)を参照して説明する触媒層形成工程を行なう。
In order to manufacture the wire grid
かかる触媒層形成工程では、まず、図4(b)に示すように、透光性基板10の基板面15に、スパッタ法あるいは真空蒸着法などの方法により、鉄、コバルト、ニッケル、チタンなどとった金属膜21を3〜10nmの厚さに形成する。
In this catalyst layer forming step, first, as shown in FIG. 4B, iron, cobalt, nickel, titanium, etc. are applied to the
次に、金属膜21の表面にエッチングマスクを形成するマスク形成工程を行なう。それには、図4(c)に示すように、金属膜21の表面にマスク材料層65としての感光性樹脂層を塗布した後、図4(c)に示すように、ナノプリント用の型部材70において突起71を備えた成形面をマスク材料層65に押し付けて突起71の形成パターンをマスク材料層65に転写する。その間、透光性基板10の側からマスク材料層65に紫外光を照射してマスク材料層65を硬化させる。次に、型部材70を透光性基板10の側から引き離す。その結果、図4(d)、(e)に示すように、金属膜21の表面には、突部71に押圧されて薄くなった溝状開口部67を備えたエッチングマスク66が形成される。ここで、型部材70の突起71およびエッチングマスク66の溝状開口部67はいずれも、金属膜21を除去すべき領域に相当する。ここで、溝状開口部67の開口幅寸法は35nmであり、溝状開口部67の間に位置する部分の間隔は35nmであるため、溝状開口部67のピッチは70nmである。このような方法によれば、エッチングマスク66を形成する際、露光、現像などといった多大な手間や高価な装置が必要な工程を必要としないという利点がある。なお、マスク材料層65として熱硬化性樹脂層を形成した場合には、マスク材料層65に型部材70を押し付けている間に加熱し、マスク材料層65を硬化させる。
Next, a mask formation process for forming an etching mask on the surface of the
次に、金属膜21の表面にエッチングマスク66を形成した状態のままで、金属膜21にエッチングを行う。かかるエッチングとしてはドライエッチングを行なう。その結果、エッチングマスク66がエッチングされていくうちに、エッチングマスク66の溝状開口部67に相当する部分では金属膜21がエッチングされ、図4(f)に示すように、複数列の触媒層21aが形成される。
Next, the
次に、図4(g)に示すように、触媒層21aの表面にからエッチングマスク61を除去した後、図4(h)に示すように、触媒層21aの上層にカーボンナノチューブを厚さ方向に選択的に成長させて遮光格子25aを構成するカーボンナノチューブ層を形成するカーボンナノチューブ層形成工程を行なう。
Next, as shown in FIG. 4G, after removing the
かかるカーボンナノチューブ層形成工程では、図3に示すプラズマ化学気相堆積装置などを用い、プラズマ化学気相成長法により遮光格子25a(カーボンナノチューブ層)を選択的に成長させる。
In the carbon nanotube layer forming step, the
かかる製造方法W採用した場合も、図1(c)に示すように、保護膜28を形成する場合には、遮光格子25aを覆うようにシリコン酸化膜などの金属酸化膜や、シリコン窒化膜などの金属窒化膜などからなる透光膜を形成した後、透光膜の表面に研磨工程を行なえばよい。
Even when the manufacturing method W is adopted, as shown in FIG. 1C, when the
(本形態の主な効果)
図5は、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子の透過率特性、およびコントラスト特性を示すグラフである。
(Main effects of this form)
FIG. 5 is a graph showing transmittance characteristics and contrast characteristics of a wire grid type polarizing element to which the present invention is applied.
以上説明したように、本発明を適用したワイヤーグリッド型偏光素子1では、透光性基板10の基板面15に複数列の触媒層21aが形成され、かかる触媒層21aの上層に、遮光格子25aを構成するカーボンナノチューブ層が選択的に形成された構成になっているため、遮光格子25aの幅寸法およびピッチは、触媒層21aの幅寸法およびピッチにより規定される。ここで、触媒層21aは、カーボンナノチューブを選択成長させればよく、薄くてよいので、エッチングによりパターニング形成した場合でも、精度よくパターニングすることができる。それ故、触媒層21aの幅寸法を70nm未満、例えば、35nmまで小さくでき、触媒層21aのピッチを140nm未満、例えば、70nmにまで小さくすることができる。従って、遮光格子25aの幅寸法も70nm未満、例えば、35nmまで小さくでき、遮光格子25aのピッチを140nm未満、例えば、70nmにまで小さくすることができる。また、触媒層21aおよび遮光格子25aを合わせた厚さ寸法と幅寸法の比を概ね1:1に設定することもできる。それ故、ワイヤーグリッド型偏光素子1の「透過率」および「コントラスト」の双方を向上することができる。
As described above, in the wire grid
それ故、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子1は、図5に示すような透過率特性、およびコントラスト特性を備えており、遮光格子25aの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の「透過率」が、460nmから780nmの波長帯域の全域にわたって80%以上である。また、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子1は、遮光格子25aの長手方向に対して垂直な方向に振動する偏光成分の透過率を、遮光格子25aの長手方向に対して並行な方向に振動する偏光成分の透過率で割った値(コントラスト)が、460nmから780nmの波長帯域の全域にわたって170000以上である。
Therefore, the wire grid
よって、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子1を用いて液晶装置を構成し、かかる液晶装置を、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器のカラー表示部として用いる場合や、後述するカラー表示用の投射型表示装置のライトバルブに用いると、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のいずれの色光に対しても高い透過率を得ることができるので、品位の高いカラー画像を表示することができる。
Therefore, a liquid crystal device is configured using the wire grid
また、本形態のワイヤーグリッド型偏光素子1では、遮光格子25aが光吸収性を備えたカーボンナノチューブ層からなるため、遮光格子が金属格子からなる場合と違って、光の反射がないので、迷光が発生しないという利点もある。
Further, in the wire grid
[他のワイヤーグリッド型偏光素子]
図1を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1では、その両面に反射防止層を形成してもよく、かかる反射防止層は、シリコン酸化膜とチタン酸化膜とを例えば5層、積層することにより実現することができる。このように構成したワイヤーグリッド型偏光素子1は、優れた透過率特性を備えている。
[Other wire grid type polarizing elements]
In the wire grid
[投射型表示装置への適用例1]
(投射型表示装置の構成)
図6(a)、(b)は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置(電気光学装置)をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第1例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。
[Application Example 1 to Projection Display Device]
(Configuration of projection display device)
FIGS. 6A and 6B are a first example of a projection display device using a liquid crystal device (electro-optical device) using a wire grid type polarizing element according to the present invention as a light valve, and the projection display. It is a schematic block diagram of the light valve etc. which were used for the apparatus.
図6(a)、(b)に示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111(被投射面)に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する投影型の液晶プロジェクタである。投射型表示装置110は、光源112およびダイクロイックミラー113、114などを備えた光源部150と、後述する液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119(色合成光学系)と、リレー系120とを備えている。
The projection
液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)は各々、液晶パネル101(R)、(G)、(B)を備えている。かかる液晶パネル101(R)、(G)、(B)としては周知のものを用いるため、詳細な説明を省略するが、画素電極や画素スイチング素子が形成された素子基板71と、共通電極が形成された対向基板72とが所定の隙間を介してシール材79によって貼り合わされ、素子基板71と対向基板72との間においてシール材79で囲まれた領域内に液晶70が保持されている。
The liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B) each include a liquid crystal panel 101 (R), (G), and (B). Since the liquid crystal panels 101 (R), (G), and (B) are well-known ones, a detailed description thereof is omitted, but the
光源部150において、光源112は、赤色光、緑色光および青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光を透過させると共に緑色光および青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光および青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
In the
ここで、ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレータ121および偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレータ121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
Here, between the
液晶ライトバルブ100(R)は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置(電気光学装置)であり、λ/2位相差板102(R)、入射側偏光板108(R)、液晶パネル101(R)および出射側偏光板105(R)を備えている。また、液晶パネル101(R)の両面には、入射側防塵ガラス103(R)および出射側防塵ガラス104(R)が各々貼り付けられている。なお、防塵ガラスは投射画像に対する塵などの写り込みを防止する。
The liquid crystal light valve 100 (R) is a transmissive liquid crystal device (electro-optical device) that modulates red light transmitted through the
かかる液晶ライトバルブ100(R)に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。λ/2位相差板102(R)は、液晶ライトバルブ100(R)に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。入射側偏光板108(R)は、s偏光を遮断してp偏光を透過させて液晶パネル101(R)に入射させ、液晶パネル101(R)は、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する。出射側偏光板105(R)は、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ100(R)は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。
The red light incident on the liquid crystal light valve 100 (R) remains as s-polarized light because the polarization of the light does not change even if it passes through the
液晶ライトバルブ100(G)は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置(電気光学装置)であり、液晶ライトバルブ100(R)と同様に、入射側偏光板108(G)、液晶パネル101(G)および出射側偏光板105(G)を備えている。また、液晶パネル101(G)の両面には、入射側防塵ガラス103(G)および出射側防塵ガラス104(G)が各々貼り付けられている。
The liquid crystal light valve 100 (G) is a transmissive liquid crystal device (electro-optical device) that modulates green light reflected by the
かかる液晶ライトバルブ100(G)に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。入射側偏光板108(G)は、p偏光を遮断してs偏光を透過させて液晶パネル101(G)に入射させ、液晶パネル101(G)は、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。出射側偏光板105(G)は、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ100(G)は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。
The green light incident on the liquid crystal light valve 100 (G) is s-polarized light that is reflected by the
液晶ライトバルブ100(B)は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置(電気光学装置)であり、液晶ライトバルブ100(R)と同様に、λ/2位相差板102(B)、入射側偏光板108(B)、液晶パネル101(B)および出射側偏光板105(B)を備えている。また、液晶パネル101(B)の両面には、入射側防塵ガラス103(B)および出射側防塵ガラス104(B)が各々貼り付けられている。
The liquid crystal light valve 100 (B) is a transmissive liquid crystal device (electro-optical device) that modulates blue light reflected by the
かかる液晶ライトバルブ100(B)に入射する青色光は、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。λ/2位相差板102(B)は、液晶ライトバルブ100(B)に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。入射側偏光板108(B)は、s偏光を遮断してp偏光を透過させて液晶パネル101(B)に入射させ、液晶パネル101(B)は、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する。出射側偏光板105(B)は、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ100(B)は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構成となっている。
The blue light incident on the liquid crystal light valve 100 (B) is reflected by two reflecting
リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光をリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光を液晶ライトバルブ100(B)に向けて反射するように配置されている。
The
クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系118に向けて出射するように構成されている。
The cross
なお、液晶ライトバルブ100(R)、(B)からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ100(G)からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光および青色光をs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光をp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ(図示略)を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。
The light incident on the cross
(投射型表示装置へのワイヤーグリッド型偏光素子1の適用)
このように構成した投射型表示装置110において、図1〜図5を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1は、液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)の入射側偏光板108(R)、(G)、(B)として用いることができる。
(Application of wire grid
In the projection
また、図1〜図5を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1は、遮光格子25aが光吸収性を備えたカーボンナノチューブ層からなるため、遮光格子が金属格子からなる場合と違って、光の反射がないので、迷光が発生しない。それ故、図1〜図5を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1は、液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)の出射側偏光板105(R)、(G)、(B)として用いることができ、この場合でも、出射側偏光板105(R)、(G)、(B)で反射した光が液晶パネル101(R)、(G)、(B)に迷光として入射することがない。また、図1〜図5を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1は、液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)の入射側偏光板108(R)、(G)、(B)、および出射側偏光板105(R)、(G)、(B)として用いることができる。
In addition, the wire grid
[投射型表示装置への適用例2]
図7(a)、(b)は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置(電気光学装置)をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第2例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。なお、図7(a)、(b)に示す投射型表示装置110は、基本的な構成が、図6を参照して説明した投射型表示装置110と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
[Application Example 2 to Projection Display Device]
FIGS. 7A and 7B show a second example of a projection display device using a liquid crystal device (electro-optical device) using a wire grid type polarizing element according to the present invention as a light valve, and the projection display. It is a schematic block diagram of the light valve etc. which were used for the apparatus. 7A and 7B has a basic configuration similar to that of the
図6(a)、(b)に示す投射型表示装置110に用いた液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)では、液晶パネル101(R)、(G)、(B)の両側に、液晶パネル101(R)、(G)、(B)とは別に、入射側偏光板108(R)、(G)、(B)、および出射側偏光板105(R)、(G)、(B)が配置されていたが、図7(a)、(b)に示す投射型表示装置110において、図1〜図5を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1は、液晶パネル101(R)、(G)、(B)の対向基板72と一体に形成され、図6(a)、(b)を参照して説明した入射側偏光板108(R)、(G)、(B)として機能する。このため、液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)では、液晶パネル101(R)、(G)、(B)の光入射側から入射側偏光板108(R)、(G)、(B)を省略することができるので、部品点数の削減を図ることができる。かかる構成は、図1に示す透光性基板10を基材にして対向基板72を構成することにより実現することができる。
In the liquid crystal light valves 100 (R), (G), and (B) used in the
[投射型表示装置への適用例3]
図8(a)、(b)は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置(電気光学装置)をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第3例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。なお、図8(a)、(b)に示す投射型表示装置110は、基本的な構成が、図6を参照して説明した投射型表示装置110と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
[Application Example 3 to Projection Display Device]
FIGS. 8A and 8B show a third example of a projection display device using a liquid crystal device (electro-optical device) using a wire grid type polarizing element according to the present invention as a light valve, and the projection display. It is a schematic block diagram of the light valve etc. which were used for the apparatus. The basic configuration of the
図1〜図5を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1は、遮光格子25aが光吸収性を備えたカーボンナノチューブ層からなるため、遮光格子が金属格子からなる場合と違って、光の反射がないので、迷光が発生しない。それ故、図7(a)、(b)に示す投射型表示装置110において、図1〜図5を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1は、液晶パネル101(R)、(G)、(B)の素子基板71と一体に形成され、図6(a)、(b)を参照して説明した出射側偏光板108(R)、(G)、(B)として機能する。このため、液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)では、液晶パネル101(R)、(G)、(B)の光出射側から出射側偏光板105(R)、(G)、(B)を省略することができるので、部品点数の削減を図ることができる。かかる構成は、図1に示す透光性基板10を基材にして素子基板71を構成することにより実現することができる。
In the wire grid
[投射型表示装置への適用例4]
図9(a)、(b)は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置(電気光学装置)をライトバルブとして用いた投射型表示装置の第4例、およびこの投射型表示装置に用いたライトバルブ等の概略構成図である。なお、図9(a)、(b)に示す投射型表示装置110は、基本的な構成が、図6を参照して説明した投射型表示装置110と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
[Application Example 4 to Projection Display Device]
FIGS. 9A and 9B show a fourth example of a projection display device using a liquid crystal device (electro-optical device) using a wire grid type polarizing element according to the present invention as a light valve, and the projection display. It is a schematic block diagram of the light valve etc. which were used for the apparatus. The basic configuration of the
図9(a)、(b)に示す投射型表示装置110において、図1〜図5を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1は、液晶パネル101(R)、(G)、(B)の対向基板72と一体に形成され、図6(a)、(b)を参照して説明した入射側偏光板108(R)、(G)、(B)として機能する。このため、液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)では、液晶パネル101(R)、(G)、(B)の光入射側から入射側偏光板108(R)、(G)、(B)を省略することができる。また、図1〜図5を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1は、液晶パネル101(R)、(G)、(B)の素子基板71と一体に形成され、図6(a)、(b)を参照して説明した出射側偏光板108(R)、(G)、(B)として機能する。このため、液晶ライトバルブ100(R)、(G)、(B)では、液晶パネル101(R)、(G)、(B)の光出射側から出射側偏光板105(R)、(G)、(B)を省略することができる。
In the
[ライトバルブ1枚タイプの投射型表示装置]
図10は、本発明に係るワイヤーグリッド型偏光素子を用いた液晶装置(電気光学装置)をライトバルブとして用いた投射型表示装置の概略構成図である。
[One light valve type projection display]
FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a projection display device using a liquid crystal device (electro-optical device) using the wire grid type polarizing element according to the present invention as a light valve.
図10に示す投射型表示装置210では、1枚の液晶装置100(電気光学装置)でカラー画像をスクリーン211に投射表示する。すなわち、プロジェクタ210は、白色光源212、インテグレータ221および偏光変換素子222を備えた光源部240と、液晶装置1001と、投射光学系218とを備えている。なお、液晶装置100では、カラーフィルタ内蔵の液晶パネル100aの両側に第1偏光板216aおよび第2偏光板216bが配置されている。
In the projection
このように構成したプロジェクタ110において、第1偏光板216aおよび第2偏光板116bとして、図1〜図5を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1を用いると、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のいずれの色光に対しても高い透過率を得ることができるので、品位の高いカラー画像を表示することができる。
In the
また、かかる構成の投射型表示装置210でも、図1〜図5を参照して説明したワイヤーグリッド型偏光素子1を液晶パネル100aの素子基板または/および対向基板と一体に形成すれば、部品点数を削減することができる。
Also in the
1・・ワイヤーグリッド型偏光素子、10・・透光性基板、15・・基板面、21a・・触媒層、25a・・遮光格子
DESCRIPTION OF
Claims (13)
前記基板面には、前記遮光格子に沿って複数列の触媒層が形成され、
当該触媒層の上層には、前記遮光格子を構成するカーボンナノチューブ層が積層されていることを特徴とするワイヤーグリッド型偏光素子。 In the wire grid type polarizing element provided with a plurality of rows of light shielding gratings on the substrate surface of the translucent substrate,
On the substrate surface, a plurality of rows of catalyst layers are formed along the light-shielding grid,
A wire grid type polarizing element, wherein a carbon nanotube layer constituting the light-shielding lattice is laminated on an upper layer of the catalyst layer.
前記基板面に対して、前記複数列の遮光格子の形成予定領域に沿って複数列の触媒層を形成する触媒層形成工程と、
前記触媒層の上層にカーボンナノチューブを厚さ方向に選択的に成長させて前記遮光格子を構成するカーボンナノチューブ層を形成するカーボンナノチューブ層形成工程と、
を有することを特徴とするワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法。 In the manufacturing method of the wire grid type polarization element provided with a plurality of rows of light shielding grids on the substrate surface of the translucent substrate,
A catalyst layer forming step of forming a plurality of rows of catalyst layers along a region where the plurality of rows of light shielding grids are to be formed with respect to the substrate surface;
A carbon nanotube layer forming step of forming a carbon nanotube layer constituting the light-shielding lattice by selectively growing carbon nanotubes in a thickness direction on the catalyst layer;
The manufacturing method of the wire grid type polarizing element characterized by having.
前記触媒層形成工程では、前記基板面に対して前記触媒層を構成する金属層を形成した後、該金属層の表面にエッチングマスクを形成し、しかる後に、前記金属層にエッチングして前記触媒層をパターニング形成することを特徴とする請求項6乃至8の何れか一項に記載のワイヤーグリッド型偏光素子の製造方法。 The catalyst layer has a thickness of 3 to 10 nm,
In the catalyst layer forming step, after forming a metal layer constituting the catalyst layer on the substrate surface, an etching mask is formed on the surface of the metal layer, and then the metal layer is etched to etch the catalyst. The method of manufacturing a wire grid type polarizing element according to any one of claims 6 to 8, wherein the layer is formed by patterning.
素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶とを備えた液晶パネルを有し、
前記液晶パネルの両面のうちの少なくとも一方側に前記ワイヤーグリッド型偏光素子が配置されていることを特徴とする電気光学装置。 An electro-optical device comprising the wire grid type polarizing element according to any one of claims 1 to 5,
A liquid crystal panel comprising: an element substrate; a counter substrate disposed opposite to the element substrate; and a liquid crystal held between the counter substrate and the element substrate.
The electro-optical device, wherein the wire grid type polarizing element is disposed on at least one side of both surfaces of the liquid crystal panel.
前記電気光学装置に光を入射させる光源部と、
前記電気光学装置によって光変調された光を拡大投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。 A projection display device comprising the electro-optical device according to claim 11 as a light valve,
A light source unit for causing light to enter the electro-optical device;
A projection optical system for enlarging and projecting light modulated by the electro-optical device;
A projection display device characterized by comprising:
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