JP2007014361A - Power device and magnetic resonance imaging system using the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power device and a magnetic resonance imaging system using the same which improve the relationship between output voltage and conduction rate of a semiconductor switch of a multilevel PWM inverter and reduce output current ripple. <P>SOLUTION: The power device comprises the multilevel PWM (pulse width modulation) inverters 12 having the same number of levels, current detection means 18, and switching control means 19 for actuating and controlling the semiconductor switches of the multilevel PWM inverters in accordance with voltage command signals from current control sections 41. The switching control means 19 of the power device generates a standard triangular wave from a triangular wave generation section 40. A shifted triangular wave having a predetermined shifted phase is then generated, and comparison sections 42b and 42c compares the standard triangular wave, shifted triangular wave and the voltage command signal. The compared results are added by an addition section 42d. The value added by the addition section and a reference comparison value are compared to generate a PWM control signal, and the semiconductor switches of the inverter are actuated and controlled. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は電源装置に係わり、特に大電力を要求される静磁場,傾斜磁場,高周波磁場の発生に必要な各種電源に好適な電源装置及びこれを用いた磁気共鳴イメージング装置(以下、MRI装置という)に関する。   The present invention relates to a power supply device, and in particular, a power supply device suitable for various power sources required for generating a static magnetic field, a gradient magnetic field, and a high-frequency magnetic field that require high power, and a magnetic resonance imaging apparatus (hereinafter referred to as an MRI apparatus) using the same ).

MRI装置は、静磁場中に置かれた検査対象に高周波磁場をパルス状に印加し、検査対象から発生する核磁気共鳴信号を検出し、この検出信号をもとにスペクトルや画像を形成するものである。
このMRI装置には、磁場発生コイルとして、静磁場を発生する超電導コイル,静磁場に重畳される傾斜磁場を発生するための傾斜磁場コイル、さらに高周波磁場を発生するための高周波コイルが備えられている。
これら磁場発生コイルは所定の磁場強度の磁場を発生するために印加電流の大きさとタイミングを制御するための電源装置を備えている。
An MRI device applies a high-frequency magnetic field in a pulsed manner to a test object placed in a static magnetic field, detects a nuclear magnetic resonance signal generated from the test object, and forms a spectrum and an image based on this detection signal It is.
This MRI apparatus is equipped with a superconducting coil that generates a static magnetic field, a gradient coil for generating a gradient magnetic field superimposed on the static magnetic field, and a high-frequency coil for generating a high-frequency magnetic field as a magnetic field generating coil. Yes.
These magnetic field generating coils are provided with a power supply device for controlling the magnitude and timing of an applied current in order to generate a magnetic field having a predetermined magnetic field strength.

このようなMRI装置では、静磁場や傾斜磁場や高周波磁場の磁場強度が最終的に得られる画像上のノイズや撮影時間に大きく影響する。
また、短時間で診断に有用な画像を得るためにMRI装置の磁場電源として、該磁場を発生する磁場コイルに流す電流は、立ち上がり、立ち下がり時間が短く、立ち上がり後に該電流のリップルや変動のない高安定、高精度の電源装置が要求される。
In such an MRI apparatus, the magnetic field strength of a static magnetic field, a gradient magnetic field, and a high-frequency magnetic field greatly affects noise on an image finally obtained and imaging time.
In addition, as a magnetic field power source for an MRI apparatus in order to obtain an image useful for diagnosis in a short time, the current flowing through the magnetic field coil that generates the magnetic field has a short rise and fall time, and the ripple and fluctuation of the current after the rise are short. There is no need for a highly stable and highly accurate power supply.

このような大電流、高精度の電源装置として、マルチレベルPWM(Pulse Width Modulation;パルス幅変調)インバータでスイッチング電源を構成し、このスイッチング電源の負荷をMRI装置の磁場発生用コイルとする特許文献1に開示されているものがある。
特開2004-266884号公報
As such a high-current, high-accuracy power supply device, a multi-level PWM (Pulse Width Modulation) inverter constitutes a switching power supply, and the load of this switching power supply is used as a magnetic field generating coil of the MRI apparatus There is what is disclosed in 1.
Japanese Patent Laid-Open No. 2004-266884

MRI装置用電源装置に適用する上で重要なことは出力電圧の高精度化であり、特に安定した直流電流を供給するための零付近での出力電圧の高精度化である。
すなわち、磁場コイルに流れる電流を該コイルの電流指令値に一致させ、かつ低リップルの電流とする必要があり、特に出力電圧の零及び該零付近でのリップルを小さくする必要がある。
What is important for application to a power supply device for an MRI apparatus is to improve the accuracy of the output voltage, and in particular to improve the accuracy of the output voltage near zero in order to supply a stable DC current.
That is, it is necessary to make the current flowing through the magnetic field coil coincide with the current command value of the coil and to make the current low ripple, and in particular, it is necessary to reduce the output voltage zero and the ripple near the zero.

上記特許文献1のマルチレベルPWMインバータによる電源装置には、出力電圧レベルの切り替えが存在する。
この切り替え点において、電位の低いレベルから電位の高いレベルへの切り替え時には、電位の低いレベルの電圧を制御するPWM制御パルス幅は最大となり、電位の高いレベルの電圧を制御するPWM制御パルス幅は最小となる。
逆に電位の高いレベルから電位の低いレベルへの切り替え時には、電位の高いレベルの電圧を制御するPWM制御パルス幅は最小となり、電位の低いレベルの電圧を制御するPWM制御パルス幅は最大となる。
これらの最小パルス幅及び最大パルス幅は、デッドタイムの存在によってハードウェアで制限され、この制限によって上記レベル切り替え付近では平均出力電圧に不連続となる領域(不感帯領域)が発生して出力電流を高精度に制御できなくなる。
なお、デッドタイムとは、スイッチング素子のスイッチング速度のばらつき等によって、上下アームのスイッチング素子が同時に導通してマルチレベルPWMインバータの直流電源短絡を防ぐために、上下アームの双方が非導通となる時間を設けており、この時間をデッドタイムと呼んでいる.。
The power supply device using the multilevel PWM inverter of Patent Document 1 has output voltage level switching.
At this switching point, when switching from a low potential level to a high potential level, the PWM control pulse width for controlling the low potential voltage is maximized, and the PWM control pulse width for controlling the high potential voltage is Minimal.
Conversely, when switching from a high potential level to a low potential level, the PWM control pulse width for controlling the high potential voltage is minimized, and the PWM control pulse width for controlling the low potential voltage is maximized. .
These minimum pulse width and maximum pulse width are limited by hardware due to the presence of dead time, and due to this limitation, an area where the average output voltage becomes discontinuous (dead band area) occurs near the level switching, and the output current is reduced. It becomes impossible to control with high accuracy.
Note that the dead time is the time during which both the upper and lower arms become non-conductive in order to prevent the DC power supply short circuit of the multi-level PWM inverter due to the switching speed variation of the switching elements and the like. This time is called dead time.

上記マルチレベルPWMインバータにおいて、一般に耐電圧の確保、ノイズ低減および漏れ電流の抑制などの観点から、直流電圧源の中間電位をグランド(アース)に接地することができる3レベルや5レベルなどの奇数レベルのマルチレベルPWMインバータが多用される。
しかし、上記奇数レベルのマルチレベルPWMインバータは、レベル数−1の数の同一電圧を持つ直流電圧を直列に接続して直流電圧源を構成するために、前記同一の電圧を持つ直流電圧数は偶数となり、該直流電圧の接続点における電圧は電圧レベルの切り替え電圧となる。
この出力電圧レベルの切り替えによって、上記デッドタイムの存在、最小パルス幅及び最大パルス幅の制限の影響により、マルチレベルPWMインバータの半導体スイッチの導通比率と出力電圧の関係に不連続となる期間が生じ、また発生する電流リップルも無視できないものとなる。なお、不連続となる期間は、デッドタイムによって直接発生するものではなく、該デットタイムの存在がPWM制御パルスの最小パルス幅、最大パルス幅に制限をかけ、その影響が大きくなっていることから、間接的にデッドタイムがレベル切り替え付近での不感帯領域発生の要因となるものである。
In the above multi-level PWM inverter, in general, from the viewpoint of ensuring withstand voltage, reducing noise and suppressing leakage current, the intermediate potential of the DC voltage source can be grounded to an odd number such as 3 levels or 5 levels. A multi-level PWM inverter is often used.
However, since the multi-level PWM inverter of the odd level is configured by connecting DC voltages having the same number of levels minus one in series to form a DC voltage source, the number of DC voltages having the same voltage is The voltage at the connection point of the DC voltage is a voltage level switching voltage.
This switching of the output voltage level causes a discontinuous period in the relationship between the conduction ratio of the semiconductor switch of the multi-level PWM inverter and the output voltage due to the existence of the dead time and the limitations of the minimum pulse width and maximum pulse width. Also, the generated current ripple cannot be ignored. Note that the period of discontinuity does not occur directly due to dead time, but the existence of the dead time limits the minimum and maximum pulse width of the PWM control pulse, and the effect is large. Indirectly, the dead time is a cause of the dead zone region in the vicinity of level switching.

このように、マルチレベルPWMインバータにはレベル切り替え付近で不感帯領域および電流リップルの問題が発生し、特に出力電圧の零付近では上記最小パルス幅の制限の影響が大きく、これによって出力電流のリップルが増大する。この電源装置をMRI装置の傾斜磁場発生用電源装置に用いた場合、前記電流リップルはMRI画像の画質低下の要因となるが、この問題に関しては上記特許文献1では配慮されていなかった。   As described above, in the multilevel PWM inverter, the problem of the dead zone and current ripple occurs near the level switching, and the influence of the minimum pulse width limitation is large especially near the output voltage of zero, which causes the output current ripple to be reduced. Increase. When this power supply device is used for a gradient magnetic field generating power supply device of an MRI apparatus, the current ripple causes a reduction in image quality of the MRI image. However, this problem has not been taken into consideration in the above-mentioned Patent Document 1.

そこで、本発明の目的は、PWM制御の最小パルス幅の制限によって発生する出力電圧の零付近におけるマルチレベルPWMインバータの半導体スイッチの導通比率と出力電圧の関係の改善と出力電流リップルを低減することができる電源装置及びそれを用いた磁気共鳴イメージング装置を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to improve the relationship between the conduction ratio of the semiconductor switch of the multilevel PWM inverter and the output voltage and reduce the output current ripple in the vicinity of zero of the output voltage generated by limiting the minimum pulse width of PWM control. And a magnetic resonance imaging apparatus using the same.

本発明の電源装置は、マルチレベルPWMインバータを用いてスイッチング電源を構成し、このスイッチング電源のPWM制御に多相搬送波方式を用いると共に多相搬送波間の位相をずらすことによって上記目的を達成し、また、本発明の磁気共鳴イメージング装置は、磁場発生用電源装置に前記電源装置を用いることによって上記目的を達成するもので、具体的には以下の手段によって達成される。   The power supply device of the present invention constitutes a switching power supply using a multi-level PWM inverter, uses the multiphase carrier system for PWM control of the switching power supply, and achieves the above object by shifting the phase between the multiphase carrier waves, The magnetic resonance imaging apparatus of the present invention achieves the above object by using the power supply device as a magnetic field generating power supply device, and is specifically achieved by the following means.

(1)本発明の電源装置は、パルス幅変調制御マルチレベルインバータ(マルチレベルPWMインバータ)と、このマルチレベルPWMインバータの負荷への出力電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段による検出値と電流指令値との差が零になるように制御する制御信号により前記マルチレベルPWMインバータを駆動制御するスイッチング制御手段とを備えた電源装置において、前記スイッチング制御手段は、多相の搬送波を発生する多相搬送波発生手段と、前記多相の搬送波の位相をずらす搬送波位相シフト手段と、前記多相搬送波発生手段及び前記搬送波位相シフト手段で生成された搬送波と前記制御信号とに基づいて前記マルチレベルPWMインバータを駆動制御する駆動信号生成手段とを備えたものである。   (1) A power supply device of the present invention includes a pulse width modulation control multilevel inverter (multilevel PWM inverter), current detection means for detecting an output current to the load of the multilevel PWM inverter, and detection by the current detection means Switching control means for driving and controlling the multi-level PWM inverter by a control signal for controlling the difference between the value and the current command value to be zero. Based on the control signal and the multiphase carrier generation means for generating, the carrier phase shift means for shifting the phase of the multiphase carrier, the carrier generated by the multiphase carrier generation means and the carrier phase shift means, and the control signal Drive signal generation means for driving and controlling the multi-level PWM inverter.

前記多相搬送波発生手段及び搬送波位相シフト手段は、基準となる搬送波と、この搬送波から所定の位相をずらした搬送波を生成する手段であって、前記駆動信号生成手段は、前記基準搬送波及び前記位相をずらした搬送波と前記制御信号とを比較する第1の比較手段と、この第1の比較手段の出力を加算する手段と、この加算手段の出力と複数の基準比較値とを比較する第2の比較手段とを備えて構成する。   The multiphase carrier generation means and the carrier phase shift means are means for generating a reference carrier and a carrier whose phase is shifted from the carrier, and the drive signal generation means is the reference carrier and the phase. A first comparison means for comparing the control signal with the shifted carrier wave, a means for adding the output of the first comparison means, and a second for comparing the output of the addition means and a plurality of reference comparison values And comparing means.

(2)前記マルチレベルPWMインバータは、複数の並列接続された同一レベル数のマルチレベルPWMインバータであって、前記複数のマルチレベルインバータ間のスイッチング位相をずらす並列インバータ間位相シフト手段をさらに備えた。   (2) The multi-level PWM inverter is a plurality of parallel-connected multi-level PWM inverters having the same number of levels, further comprising phase shift means between parallel inverters for shifting a switching phase between the plurality of multi-level inverters. .

(3)また、本発明の磁気共鳴イメージング装置は、パルス幅変調制御マルチレベルPWMインバータと、このマルチレベルPWMインバータの負荷への出力電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段による検出値と電流指令値との差が零になるように制御する制御信号により前記マルチレベルインバータを駆動制御するスイッチング制御手段とを備えた電源装置を有する磁気共鳴イメージング装置であって、前記負荷は磁場発生用コイルとし、この磁場発生用電源装置に上記(1)の電源装置を用いたものである。   (3) Further, the magnetic resonance imaging apparatus of the present invention includes a pulse width modulation control multilevel PWM inverter, a current detection means for detecting an output current to the load of the multilevel PWM inverter, and a detection value by the current detection means. And a switching control means for driving and controlling the multi-level inverter by a control signal for controlling the difference between the current command value and the current command value to be zero, wherein the load generates a magnetic field The above-described power source device (1) is used as the magnetic field generating power source device.

さらにまた、本発明の磁気共鳴イメージング装置は、複数の並列接続された同一レベル数のマルチレベルPWMインバータと、これらの各マルチレベルPWMインバータの負荷への出力電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段による検出値と電流指令値との差が零になるように制御する制御信号により前記マルチレベルPWMインバータを駆動制御するスイッチング制御手段とを備えた電源装置を有する磁気共鳴イメージング装置であって、前記負荷は磁場発生用コイルとし、この磁場発生用電源装置に前記複数のマルチレベルPWMインバータ間のスイッチング位相をずらす並列インバータ間位相シフト手段を備えたものである。   Furthermore, the magnetic resonance imaging apparatus of the present invention includes a plurality of parallel-connected multi-level PWM inverters of the same level, current detection means for detecting an output current to the load of each of the multi-level PWM inverters, A magnetic resonance imaging apparatus having a power supply device including a switching control unit that drives and controls the multilevel PWM inverter by a control signal that controls a difference between a detection value by a current detection unit and a current command value to be zero. The load is a magnetic field generating coil, and the magnetic field generating power supply device is provided with phase shift means between parallel inverters for shifting the switching phase between the plurality of multilevel PWM inverters.

このように、マルチレベルPWMインバータの搬送波に多相搬送波発生手段による多相の搬送波を用い、これら多相の搬送波間の位相を搬送波位相シフト手段で任意の位相にシフトし、前記多相搬送波発生手段及び前記搬送波位相シフト手段で生成された搬送波と負荷電流制御信号(マルチレベルPWMインバータの負荷への出力電流と電流指令値との差が零になるように制御する信号) とに基づいて前記マルチレベルPWMインバータを駆動制御するようにしたので、動作PWM制御信号(実施形態のPWM Upper、PWM Lower、PWM 1 Upper、PWM 1 Lower、PWM 2 Upper、PWM 2 Lower及びPWM 1 Upper、PWM 1 MID Upper、PWM 1 MID Lower、PWM 1 Lower等の信号)の最小パルス幅を出力電圧の零付近から遠ざけることができる。
これによって、出力電圧の零付近での不連続性は改善され、マルチレベルPWMインバータの半導体スイッチの導通比率Dutyと出力電圧との関係は不感帯のない連続した特性となる。
したがって、出力電圧の零及び該零付近での負荷に流れる電流リップルを小さくすることができ、上記電源装置を用いた磁気共鳴イメージング装置の画質は格段に向上したものとなる。
また、上記動作PWM信号の周波数も従来の半分になるので、半導体スイッチのスイッチング損失も大幅に低減し、同じ出力を得るには、より小さな電流容量の半導体スイッチを使用できるので、マルチレベルPWMインバータ回路を用いた電源装置及びこれを用いた磁気共鳴イメージング装置を小形、安価なものにすることが可能となる。
さらに、同一レベル数のマルチレベルPWMインバータを複数並列接続し、これら複数のマルチレベルPWMインバータ間のスイッチング位相をずらす並列インバータ間位相シフト手段を備えたので、各マルチレベルPWMインバータ間で該インバータの出力電流のリップルが互いに打ち消し合うように動作し、これによって負荷に流れる電流のリップルは大幅に低減する。
したがって、この電源装置を磁気共鳴イメージング装置に用いることによって、該磁気共鳴イメージング装置の画質はさらに向上するものとなる。
In this way, the multi-phase carrier generated by the multi-phase carrier generating means is used as the carrier of the multi-level PWM inverter, the phase between these multi-phase carriers is shifted to an arbitrary phase by the carrier phase shift means, and the multi-phase carrier generation is performed. And a carrier current generated by the carrier phase shift means and a load current control signal (a signal for controlling the difference between the output current to the load of the multilevel PWM inverter and the current command value to be zero). Since the multilevel PWM inverter is driven and controlled, the operation PWM control signal (PWM Upper, PWM Lower, PWM 1 Upper, PWM 1 Lower, PWM 2 Upper, PWM 2 Lower, PWM 1 Upper, PWM 1 MID in the embodiment) The minimum pulse width of signals (Upper, PWM 1 MID Lower, PWM 1 Lower, etc.) can be kept away from near zero of the output voltage.
As a result, the discontinuity of the output voltage near zero is improved, and the relationship between the conduction ratio Duty of the semiconductor switch of the multilevel PWM inverter and the output voltage is a continuous characteristic with no dead band.
Therefore, the output voltage zero and the current ripple flowing through the load near the zero can be reduced, and the image quality of the magnetic resonance imaging apparatus using the power supply apparatus is remarkably improved.
In addition, since the frequency of the above-mentioned operation PWM signal is also half that of the prior art, the switching loss of the semiconductor switch is greatly reduced, and a semiconductor switch with a smaller current capacity can be used to obtain the same output, so a multi-level PWM inverter A power supply device using a circuit and a magnetic resonance imaging apparatus using the same can be made small and inexpensive.
In addition, a plurality of multi-level PWM inverters of the same level are connected in parallel, and phase shift means between parallel inverters for shifting the switching phase between the plurality of multi-level PWM inverters is provided. The output current ripples operate to cancel each other, thereby significantly reducing the ripple of current flowing through the load.
Therefore, the image quality of the magnetic resonance imaging apparatus is further improved by using this power supply apparatus for the magnetic resonance imaging apparatus.

以上、本発明によれば、マルチレベルPWMインバータのPWM制御に多相搬送波方式を用いる共に多相搬送波間の位相をずらす構成の電源装置としたので、PWM制御の最小パルス幅の制限によって発生する出力電圧の零付近におけるマルチレベルPWMインバータの半導体スイッチの導通比率と出力電圧の関係は改善されて出力電流のリップルを小さくすることができる。したがって、この電源装置を用いた磁気共鳴イメージング装置の画質は格段に向上したものとなる。
さらに、同一レベル数のマルチレベルPWMインバータを複数並列接続し、これら複数のマルチレベルPWMインバータ間のスイッチング位相をずらす並列インバータ間位相シフト手段を備えたので、出力電流の負荷に流れる電流のリップルは大幅に低減し、この電源装置を用いた磁気共鳴イメージング装置の画質はさらに向上するものとなる。
As described above, according to the present invention, since the power supply apparatus uses a multiphase carrier system for PWM control of a multilevel PWM inverter and shifts the phase between the multiphase carrier waves, the power generation apparatus is generated by limiting the minimum pulse width of PWM control. The relation between the conduction ratio of the semiconductor switch of the multi-level PWM inverter near the output voltage and the output voltage is improved, and the ripple of the output current can be reduced. Therefore, the image quality of the magnetic resonance imaging apparatus using this power supply apparatus is remarkably improved.
In addition, since multiple parallel-level PWM inverters with the same number of levels are connected in parallel and phase-shifting means between parallel inverters that shifts the switching phase between these multiple-level PWM inverters is provided, the ripple of current flowing in the load of output current is The image quality of the magnetic resonance imaging apparatus using this power supply apparatus is further improved and further improved.

以下、本発明に係る電源装置及びそれを用いた磁気共鳴イメージング装置の好ましい実施の形態について添付図面を用いて詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態による電源装置としてのMRI装置の傾斜磁場電源装置を示すブロック構成図である。
この傾斜磁場電源装置2は、三相交流電源3から電力を供給し、負荷である傾斜磁場コイル1に接続して電流を供給するように構成され、三相交流電源3に接続して三相交流電圧を直流電圧に変換する交流-直流変換器4と、この交流−直流変換器4の出力側に接続して直流電圧を平滑化する平滑コンデンサ5と、この平滑コンデンサ5に接続して平滑化された直流電圧を受電し、傾斜磁場コイル1のX軸コイル6、Y軸コイル7及びZ軸コイル8にそれぞれ電流を供給する電流増幅器9〜11とを備えている。
Preferred embodiments of a power supply apparatus and a magnetic resonance imaging apparatus using the same according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a block configuration diagram showing a gradient magnetic field power supply device of an MRI apparatus as a power supply device according to the first embodiment of the present invention.
This gradient magnetic field power supply device 2 is configured to supply power from a three-phase AC power source 3 and connect to a gradient magnetic field coil 1 that is a load to supply current. An AC-DC converter 4 that converts AC voltage into DC voltage, a smoothing capacitor 5 that is connected to the output side of the AC-DC converter 4 to smooth the DC voltage, and is connected to the smoothing capacitor 5 for smoothing. Current amplifiers 9 to 11 that receive the converted DC voltage and supply current to the X-axis coil 6, the Y-axis coil 7, and the Z-axis coil 8 of the gradient magnetic field coil 1, respectively.

電流増幅器9は、入力の直流電圧源である平滑コンデンサ5に並列に接続されたマルチレベルPWMインバータ12と、このマルチレベルPWMインバータ12の出力を負荷である傾斜磁場コイル1のX軸コイル6に供給し、このX軸コイルに流れる電流を検出する電流検出手段18と、MRI装置のシーケンサ20からの電流指令値と前記電流検出手段18の出力である電流検出値とを入力し、両者の差が零となるようにマルチレベルPWMインバータ12を駆動制御するスイッチング制御回路19と、このスイッチング制御回路19に設けられて前記マルチレベルPWMインバータ12のPWM制御に多相の搬送波(以下、搬送波をキャリアと呼ぶ場合がある)方式を用い、前記多数キャリア間の位相をずらす制御手段とを備えて構成している。   The current amplifier 9 includes a multi-level PWM inverter 12 connected in parallel to a smoothing capacitor 5 that is an input DC voltage source, and an output of the multi-level PWM inverter 12 to an X-axis coil 6 of a gradient coil 1 that is a load. Supply current detection means 18 for detecting the current flowing in the X-axis coil, and input the current command value from the sequencer 20 of the MRI apparatus and the current detection value output from the current detection means 18, and the difference between the two A switching control circuit 19 that drives and controls the multi-level PWM inverter 12 so that becomes zero, and a multi-phase carrier wave (hereinafter referred to as a carrier wave) for the PWM control of the multi-level PWM inverter 12 provided in the switching control circuit 19 And a control means for shifting the phase between the majority carriers.

電流増幅器10も同一構成で、マルチレベルPWMインバータ12の出力側にY軸コイル7が接続され、MRI装置のシーケンサ20からの電流指令値と負荷である前記Y軸コイル7に流れる電流を検出する電流検出手段18の電流検出値とを入力し、両者の差が零となるようにマルチレベルPWMインバータ12を駆動制御するスイッチング制御回路19と、このスイッチング制御回路19に設けられて前記マルチレベルPWMインバータ12のPWM制御に多相キャリア方式を用い、前記多相キャリア間の位相をずらす制御手段とを備えて構成している。   The current amplifier 10 has the same configuration, and the Y-axis coil 7 is connected to the output side of the multilevel PWM inverter 12, and detects the current command value from the sequencer 20 of the MRI apparatus and the current flowing through the Y-axis coil 7 as a load. A switching control circuit 19 that inputs the current detection value of the current detection means 18 and drives and controls the multilevel PWM inverter 12 so that the difference between the two becomes zero, and the switching control circuit 19 provided with the multilevel PWM The multiphase carrier method is used for PWM control of the inverter 12, and control means for shifting the phase between the multiphase carriers is provided.

また電流増幅器11も同一構成で、マルチレベルPWMインバータ回路12の出力側にZ軸コイル8が接続され、MRI装置のシーケンサ20からの電流指令値と前記Z軸コイルに流れる電流を検出する電流検出手段18の電流検出値とを入力し、両者の差が零となるようにマルチレベルPWMインバータ12を駆動制御するスイッチング制御回路19と、このスイッチング制御回路19に設けられて前記マルチレベルPWMインバータ12のPWM制御に多相キャリア方式を用い、前記多相キャリア間の位相をずらす制御手段とを備えて構成している。   The current amplifier 11 has the same configuration, and a Z-axis coil 8 is connected to the output side of the multi-level PWM inverter circuit 12 to detect a current command value from the sequencer 20 of the MRI apparatus and a current flowing through the Z-axis coil. A switching control circuit 19 that inputs the current detection value of the means 18 and drives and controls the multilevel PWM inverter 12 so that the difference between the two becomes zero, and the multilevel PWM inverter 12 provided in the switching control circuit 19 The PWM control uses a multiphase carrier system, and includes control means for shifting the phase between the multiphase carriers.

図2は、マルチレベルPWMインバータ12として、3レベルPWMインバータの回路図である。
3レベルPWMインバータは、その入力に直流電圧源E,E0を接続し、その出力端子A,Bに任意の電圧波形を出力するように構成している。
また、この3レベルPWMインバータは、直流電圧源E-E0間に分圧コンデンサ21,22を接続して直流電圧を2分割(E/2)しており、逆並列接続した2対のMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effet Transistor;MOS型電界効果トランジスタ)による半導体スイッチ23,24およびダイオード25,26を直列に接続した4組のアーム27〜30を有し、前記4組のアームをフルブリッジ接続している。
そして、分圧コンデンサ21と22の接続点(レベル2の電位)とフルブリッジ構成の各アーム27〜30の半導体スイッチの接続点との間にダイオード31,32,33,34を接続している。
すなわち、アーム27の半導体スイッチ23と24の接続点と前記分圧コンデンサ21と22の接続点との間に図示のようにダイオード31を、アーム28の半導体スイッチ23と24の接続点と前記分圧コンデンサ21と22の接続点との間にダイオード32を、アーム29の半導体スイッチ23と24の接続点と前記分圧コンデンサ21と22の接続点との間にダイオード33を、アーム30の半導体スイッチ21と22の接続点と前記分圧コンデンサ21と22の接続点との間にダイオード34を接続している。
FIG. 2 is a circuit diagram of a three-level PWM inverter as the multi-level PWM inverter 12.
The three-level PWM inverter is configured to connect DC voltage sources E and E0 to its inputs and output arbitrary voltage waveforms to its output terminals A and B.
In addition, this three-level PWM inverter connects the voltage dividing capacitors 21 and 22 between the DC voltage source E-E0 to divide the DC voltage into two (E / 2), and two pairs of MOSFETs connected in reverse parallel ( Metal Oxide Semiconductor Field Effet Transistor (MOS-type field effect transistor) has 4 sets of arms 27 to 30 in which diode switches 25 and 26 and diodes 25 and 26 are connected in series. ing.
The diodes 31, 32, 33, and 34 are connected between the connection point of the voltage dividing capacitors 21 and 22 (level 2 potential) and the connection point of the semiconductor switch of each arm 27-30 in the full bridge configuration. .
That is, the diode 31 is connected between the connection point of the semiconductor switches 23 and 24 of the arm 27 and the connection point of the voltage dividing capacitors 21 and 22 as shown in the figure, and the connection point of the semiconductor switches 23 and 24 of the arm 28 and the connection point. The diode 32 is connected between the connection point of the voltage capacitors 21 and 22, the diode 33 is connected between the connection point of the semiconductor switches 23 and 24 of the arm 29 and the connection point of the voltage dividing capacitors 21 and 22, and the semiconductor of the arm 30. A diode 34 is connected between the connection point of the switches 21 and 22 and the connection point of the voltage dividing capacitors 21 and 22.

ここで、アーム27の半導体スイッチ23,24を導通させることによって出力端Aに+Eの電圧を出力することができ、アーム27の半導体スイッチ23,24およびアーム28の半導体スイッチ23を導通させることによって出力端Aに+E/2の電圧を出力することができ、さらにアーム28の半導体スイッチ23,24を導通させることによって出力端Aに0の電圧を出力することができ、このようにして、3レベルの電圧を出力することができる。   Here, by making the semiconductor switches 23 and 24 of the arm 27 conductive, a voltage of + E can be output to the output terminal A, and the semiconductor switches 23 and 24 of the arm 27 and the semiconductor switch 23 of the arm 28 are made conductive. Can output a voltage of + E / 2 to the output terminal A, and can further output a voltage of 0 to the output terminal A by making the semiconductor switches 23 and 24 of the arm 28 conductive. , Can output 3 levels of voltage.

また、出力端Bについても同様であり、結局、出力A,B間の電圧として、-Eから+Eまでの5通りの電圧(-E,-E/2,0,+E/2,E)を出力することができる。
さらに、これらをPWM制御することによって、出力電流のリップルが非常に小さい、-Eから+Eまでの間で任意の電圧を出力することができる。
The same applies to the output terminal B. As a result, five voltages from -E to + E (-E, -E / 2, 0, + E / 2, E ) Can be output.
Furthermore, by controlling these, any voltage can be output between -E and + E, where the ripple of the output current is very small.

ここで、本発明の電源装置に用いる上記図1のマルチレベルPWMインバータの動作を説明する前に、本発明で用いる多相キャリア方式について説明する。
多相キャリア方式とは、レベル数よりも一つ少ない数nの2π/nづつ位相をずらした三角波のキャリア(Carrier;搬送波)を用い、それぞれのキャリア信号と比較信号とから求めたPWM信号から動作PWM信号を求め、この動作PWM信号によりマルチレベルPWMインバータの半導体スイッチをスイッチング制御するものである。
Here, before describing the operation of the multilevel PWM inverter of FIG. 1 used in the power supply device of the present invention, the multiphase carrier system used in the present invention will be described.
The polyphase carrier method uses a triangular wave carrier (carrier) whose phase is shifted by 2π / n, which is one less than the number of levels, from the PWM signal obtained from each carrier signal and the comparison signal. An operation PWM signal is obtained, and the semiconductor switch of the multilevel PWM inverter is subjected to switching control by the operation PWM signal.

3レベルインバータの場合は、図3に示すように、前記三角波のキャリアには(a)のCarrier AとCarrier Bの二つのキャリアを用い、これらのCarrier AとCarrier Bを180度づつ位相をずらし、それぞれのキャリアと電圧指令(Voltage Command)とを比較して求めた(b)のPWM AとPWM Bとから(c)のPWM Upper(PWM A AND PWM B)とPWM Lower(PWM A OR PWM B)とにより3レベルPWMインバータの半導体スイッチをスイッチング制御するもので、図2の場合は、前記PWM Upper信号を反転した信号でアーム27の半導体スイッチ23を、前記PWM Upper信号でアーム28の半導体スイッチ23を、前記PWM Lower信号を反転した信号でアーム27の半導体スイッチ24を、前記PWM Lower信号でアーム28の半導体スイッチ24をそれぞれスイッチング制御する。   In the case of a three-level inverter, as shown in FIG. 3, two carriers A and B in (a) are used as the triangular wave carrier, and the phases of Carrier A and Carrier B are shifted by 180 degrees. From (b) PWM A and PWM B obtained by comparing each carrier and voltage command (Voltage Command), (c) PWM Upper (PWM A AND PWM B) and PWM Lower (PWM A OR PWM B), the switching control of the semiconductor switch of the three-level PWM inverter is performed. In the case of FIG. 2, the semiconductor switch 23 of the arm 27 is controlled by a signal obtained by inverting the PWM Upper signal, and the semiconductor of the arm 28 is controlled by the PWM Upper signal. The switch 23 controls the semiconductor switch 24 of the arm 27 with a signal obtained by inverting the PWM Lower signal, and controls the semiconductor switch 24 of the arm 28 with the PWM Lower signal.

この方式を用いると、図3(a)の丸の実線に示すように、出力電圧の零付近でPWM Upper、PWM Lowerは最小のパルス幅に制限され(これ以下のパルス幅よりも狭くすることができないハードウェアで制限されるパルス幅)、図4に示すように、マルチレベルPWMインバータの半導体スイッチの導通比率Dutyと出力電圧との関係は零電圧付近で不連続となる。
このように、三角波キャリアに多相キャリア方式を用いただけでは出力電圧の零付近での不連続性の問題は残る。
そこで、本発明では、前記多相キャリアの位相をずらすことによって上記問題を解決するもである。
When this method is used, as shown by the round solid line in Fig. 3 (a), the PWM Upper and PWM Lower are limited to the minimum pulse width near the output voltage zero (the pulse width should be narrower than this). As shown in FIG. 4, the relationship between the conduction ratio Duty of the semiconductor switch of the multilevel PWM inverter and the output voltage becomes discontinuous near zero voltage.
Thus, the problem of discontinuity near zero of the output voltage remains only by using the multiphase carrier system for the triangular wave carrier.
Therefore, the present invention solves the above problem by shifting the phase of the multiphase carrier.

図5は、多相キャリアの位相をずらした本発明の第1の実施形態における本発明の要部であるスイッチング制御回路19の構成図で、マルチレベルPWMインバータ12(図1,図2参照)の各アームの半導体スイッチのうち、出力端A側のアーム27,28の半導体スイッチ23,24をスイッチング制御する回路を示しており、出力端B側のアーム29,30の半導体スイッチ23,24も同様の構成でスイッチング制御できるので、省略してある。
なお、マルチレベルPWMインバータ12の23a,24a及び23b,24bは半導体スイッチ23,24を駆動する回路である。
FIG. 5 is a configuration diagram of the switching control circuit 19 which is the main part of the present invention in the first embodiment of the present invention in which the phases of the multiphase carriers are shifted, and the multilevel PWM inverter 12 (see FIGS. 1 and 2). 4 shows a circuit for controlling the switching of the semiconductor switches 23 and 24 of the arms 27 and 28 on the output terminal A side, and the semiconductor switches 23 and 24 of the arms 29 and 30 on the output terminal B side Since switching control can be performed with the same configuration, it is omitted.
Note that 23a, 24a and 23b, 24b of the multi-level PWM inverter 12 are circuits for driving the semiconductor switches 23, 24.

前記図5のスイッチング制御回路19と図6の各部の波形図を用いて本発明の第1の実施形態の動作について説明する。
図5において、スイッチング制御回路19は、マルチレベルPWMインバータの動作周波数の1周期間に複数のキャリア信号を発生させてPWM制御信号を発生する回路で、キャリア信号を発生する三角波発生部40と、MRIシーケンサ20(図1参照)から出力される電流指令値を入力し、この電流指令値と前記負荷電流である傾斜磁場コイル電流を検出する電流検出手段18による検出値との差が零になるように制御するための電流制御信号を出力する電流制御部41と、マルチレベルPWMインバータ12のアーム27,28の上段の半導体スイッチ23と前記マルチレベルPWMインバータ12のアーム27,28の下段の半導体スイッチ24のゲート信号を発生する第1のゲート信号発生回路42とで構成される。
The operation of the first embodiment of the present invention will be described using the switching control circuit 19 of FIG. 5 and the waveform diagrams of the respective parts of FIG.
In FIG. 5, the switching control circuit 19 is a circuit that generates a plurality of carrier signals during one cycle of the operating frequency of the multilevel PWM inverter to generate a PWM control signal, and a triangular wave generator 40 that generates a carrier signal, The current command value output from the MRI sequencer 20 (see FIG. 1) is input, and the difference between this current command value and the detected value by the current detecting means 18 for detecting the gradient coil current that is the load current becomes zero. A current control unit 41 that outputs a current control signal for control, an upper semiconductor switch 23 of the arms 27 and 28 of the multilevel PWM inverter 12, and a lower semiconductor of the arms 27 and 28 of the multilevel PWM inverter 12 And a first gate signal generation circuit 42 for generating a gate signal of the switch 24.

前記第1のゲート信号発生回路42において、三角波発生部40で発生した図6(a)に示す三角波のキャリア信号Carrier Aは比較部42bに入力され、このCarrier Aを第2の位相シフト部42aに入力して前記Carrier A から90度遅らせ、この遅らせた信号Carrier B(図6(a))を比較部42cに入力する。   In the first gate signal generation circuit 42, the triangular wave carrier signal Carrier A shown in FIG. 6 (a) generated by the triangular wave generation unit 40 is input to the comparison unit 42b, and this Carrier A is input to the second phase shift unit 42a. The delayed signal Carrier B (FIG. 6 (a)) is input to the comparison unit 42c.

これらのCarrier AとCarrier Bは、電流制御部41から出力される電圧指令信号(図6(a)のVoltage Command)と前記比較部42bと42cで比較されて、前記電圧指令信号が前記Carrier Aよりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記Carrier Aよりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とする図6(b)に示すPWM Aを比較部42bより出力し、前記電圧指令信号が前記Carrier Bよりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記Carrier Bよりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とする図6(b)に示すPWM Bを比較部42cより出力する。   These Carrier A and Carrier B are compared with the voltage command signal (Voltage Command in FIG. 6 (a)) output from the current control unit 41 by the comparison units 42b and 42c, and the voltage command signal is the Carrier A 6 (b), the logic signal “High” is set to “1” during a period longer than that, and the logic signal “Low” is set to “0” during a period when the voltage command signal is less than the carrier A. PWM A is output from the comparison unit 42b, the period when the voltage command signal is larger than the Carrier B, the logic signal "High" is "1", the period when the voltage command signal is smaller than the Carrier B, The PWM B shown in FIG. 6 (b) in which the logic signal “Low” is “0” is output from the comparison unit 42c.

前記比較部42b,42cから出力されたPWM AとPWM B信号は、図5に示すように、加算部42dで加算され、この加算値と比較値1、比較値0とを比較部42e,42fで比較する。
そして、前記加算値が比較値1よりも大きいときは、論理信号“High”となる図6(c)に示すPWM Upper信号を前記比較部42eから出力し、前記加算値が比較値0よりも大きいときは、論理信号“High”となる図6(c)に示すPWM Lower信号を前記比較部42fから出力する。
このようにして生成したPWM Upper信号を信号反転部42gで反転し、この信号を駆動回路23aで増幅してアーム27の半導体スイッチ23をスイッチング駆動し、前記PWM Upper信号はそのまま駆動回路23bで増幅してアーム28の半導体スイッチ23をスイッチング駆動する。
一方、PWM Lower信号は、信号反転部42hで反転され、この信号を駆動回路24aで増幅してアーム27の半導体スイッチ24をスイッチング駆動し、反転されない前記PWM Lower信号はそのまま駆動回路24bで増幅してアーム28の半導体スイッチ24をスイッチング駆動する。
As shown in FIG. 5, the PWM A and PWM B signals output from the comparison units 42b and 42c are added by the addition unit 42d, and the addition value, the comparison value 1, and the comparison value 0 are compared with each other in the comparison units 42e and 42f. Compare with.
Then, when the added value is larger than the comparison value 1, the PWM Upper signal shown in FIG. 6 (c) that becomes the logic signal “High” is output from the comparison unit 42e, and the added value is larger than the comparison value 0. When it is larger, the PWM Lower signal shown in FIG. 6 (c), which becomes the logic signal “High”, is output from the comparison unit 42f.
The thus generated PWM Upper signal is inverted by the signal inverting unit 42g, this signal is amplified by the drive circuit 23a, and the semiconductor switch 23 of the arm 27 is switched and driven, and the PWM Upper signal is amplified by the drive circuit 23b as it is. Then, the semiconductor switch 23 of the arm 28 is switched and driven.
On the other hand, the PWM Lower signal is inverted by the signal inverting unit 42h, and this signal is amplified by the drive circuit 24a to drive the semiconductor switch 24 of the arm 27, and the PWM Lower signal that is not inverted is directly amplified by the drive circuit 24b. Then, the semiconductor switch 24 of the arm 28 is driven to be switched.

このように、Carrier BをCarrier Aから90度遅らせることによって、図6(a)の丸の実線に示すように、PWM Upper信号、PWM Lower信号の最小パルス幅を出力電圧の零付近から25%付近 (出力電圧が零となるタイミングから最初にCarrier A≦Carrier Bとなるタイミング)、75%付近(出力電圧が零となるタイミングからCarrier A≧Carrier Bとなるタイミング)付近に移動させることができる。
これらのPWM Upper信号、PWM Lower信号の最小パルス幅の出力電圧方向への移動量は、Carrier Bの位相によって変化するもので、このCarrier Bの位相を調整することによって前記最小パルス幅のタイミングを任意に調整することができ、前記Carrier Bの位相を適切な値に設定することによって出力電圧の零付近での不連続性は改善され、マルチレベルPWMインバータの半導体スイッチの導通比率Dutyと出力電圧との関係は不感帯のない連続した特性となる。
In this way, by delaying Carrier B by 90 degrees from Carrier A, the minimum pulse width of the PWM Upper signal and PWM Lower signal is reduced by 25% from near zero of the output voltage, as shown by the solid circle in FIG. Can be moved to near (timing when Carrier A ≤ Carrier B first from the timing when the output voltage becomes zero), and around 75% (timing when Carrier A ≥ Carrier B from the timing when the output voltage becomes zero) .
The amount of movement of the minimum pulse width of these PWM Upper and PWM Lower signals in the output voltage direction varies depending on the phase of Carrier B. By adjusting the phase of Carrier B, the timing of the minimum pulse width can be adjusted. The discontinuity of the output voltage near zero can be improved by setting the phase of Carrier B to an appropriate value, and the conduction ratio Duty and output voltage of the semiconductor switch of the multilevel PWM inverter can be adjusted arbitrarily. Is a continuous characteristic with no dead zone.

図7は、本発明の第2の実施形態による電源装置としてのMRI装置の傾斜磁場電源装置を示すブロック構成図である。
この傾斜磁場電源装置2は、前記図2で説明した3レベルPWMインバータを二組(後述のマルチレベPWMインバータ12,13)並列に接続し、これらの並列インバータ間の動作位相をずらしてスイッチング制御することによって、電流増幅器の電流容量の増大及び負荷に流れる電流リップルの低減を図るもので、三相交流電源3から電力を供給し、負荷である傾斜磁場コイル1に接続して電流を供給するように構成され、三相交流電源3に接続して三相交流電圧を直流電圧に変換する交流-直流変換器4と、この交流−直流変換器4の出力側に接続して直流電圧を平滑化する平滑コンデンサ5と、この平滑コンデンサ5に接続して平滑化された直流電圧を受電し、傾斜磁場コイル1のX軸コイル6、Y軸コイル7及びZ軸コイル8にそれぞれ電流を供給する電流増幅器9〜11とを備えている。
FIG. 7 is a block configuration diagram showing a gradient magnetic field power supply device of an MRI apparatus as a power supply device according to the second embodiment of the present invention.
This gradient magnetic field power supply device 2 connects two sets of the three-level PWM inverters described in FIG. 2 (multi-level PWM inverters 12 and 13 described later) in parallel, and performs switching control by shifting the operation phase between these parallel inverters. In this way, the current capacity of the current amplifier is increased and the current ripple flowing through the load is reduced. Power is supplied from the three-phase AC power source 3 and connected to the gradient coil 1 as a load to supply current. Connected to the three-phase AC power source 3 to convert the three-phase AC voltage to DC voltage, and connected to the output side of this AC-DC converter 4 to smooth the DC voltage A smoothing capacitor 5 that receives the smoothed DC voltage connected to the smoothing capacitor 5 and supplies current to the X-axis coil 6, the Y-axis coil 7, and the Z-axis coil 8 of the gradient magnetic field coil 1, respectively. With amplifiers 9-11 To have.

電流増幅器9は、それぞれ入力の直流電圧源である平滑コンデンサ5に並列に接続された二つのマルチレベルPWMインバータ12,13と、このマルチレベルPWMインバータ12,13の出力側にそれぞれ接続されてその出力を負荷である傾斜磁場コイル1のX軸コイル6に並列に接続された電流制限手段14〜17と、電流増幅器9の出力電流を検出する電流検出手段18と、MRI装置のシーケンサ20からの電流指令値と電流検出手段18の出力である電流検出値とを入力し、両者の差が零となるようにマルチレベルPWMインバータ12,13を駆動制御するスイッチング制御回路19’と、このスイッチング制御回路19’に設けられて並列に接続された二つのマルチレベルPWMインバータ12,13のPWM制御に多相の搬送波方式を用い、前記並列のマルチレベルPWMインバータ間のスイッチング位相をずらすと共に前記多数キャリア間の位相をずらして電流リップルを打ち消し合う制御手段とを備えて構成している。   The current amplifier 9 is connected to two multi-level PWM inverters 12 and 13 connected in parallel to the smoothing capacitor 5 that is a DC voltage source of the input, respectively, and connected to the output side of the multi-level PWM inverters 12 and 13, respectively. Current limiting means 14 to 17 connected in parallel to the X-axis coil 6 of the gradient magnetic field coil 1 as a load, current detection means 18 for detecting the output current of the current amplifier 9, and from the sequencer 20 of the MRI apparatus The switching control circuit 19 ′ that inputs the current command value and the current detection value that is the output of the current detection means 18 and drives and controls the multilevel PWM inverters 12 and 13 so that the difference therebetween becomes zero, and this switching control A multiphase carrier system is used for PWM control of two multilevel PWM inverters 12 and 13 connected in parallel provided in the circuit 19 ', and the switching phase between the parallel multilevel PWM inverters Constitute a control means cancel the current ripple by shifting the phase between the majority carrier with shifting.

電流増幅器10も同一構成で、並列接続した二つのマルチレベルPWMインバータ12,13の出力側に電流制限手段14〜17を介してY軸コイル7が接続され、MRI装置のシーケンサ20からの電流指令値と電流増幅器10の出力電流を検出する電流検出手段18の電流検出値とを入力し、両者の差が零となるようにマルチレベルPWMインバータ12,13を駆動制御するスイッチング制御回路19’と、このスイッチング制御回路19’に設けられて並列に接続された二つのマルチレベルPWMインバータ12,13のPWM制御に多相キャリア方式を用い、前記並列のマルチレベルPWMインバータ間のスイッチング位相をずらすと共に前記多相キャリア間の位相をずらして電流リップルを打ち消し合う制御手段とを備えて構成している。   The current amplifier 10 has the same configuration, and the Y-axis coil 7 is connected to the output side of two multi-level PWM inverters 12 and 13 connected in parallel via current limiting means 14 to 17, and a current command from the sequencer 20 of the MRI apparatus. A switching control circuit 19 ′ that inputs the value and the current detection value of the current detection means 18 for detecting the output current of the current amplifier 10, and drives and controls the multilevel PWM inverters 12 and 13 so that the difference between the two becomes zero. The multi-phase carrier system is used for PWM control of the two multi-level PWM inverters 12 and 13 connected in parallel provided in the switching control circuit 19 ′, and the switching phase between the parallel multi-level PWM inverters is shifted. And control means for canceling out current ripples by shifting the phase between the multiphase carriers.

また電流増幅器11も同一構成で、並列接続した二つのマルチレベルPWMインバータ12,13の出力側に電流制限手段14〜17を介してZ軸コイル8が接続され、MRI装置のシーケンサ20からの電流指令値と電流増幅器10の出力電流を検出する電流検出手段18の電流検出値とを入力し、両者の差が零となるようにマルチレベルPWMインバータ12,13を駆動制御するスイッチング制御回路19’と、このスイッチング制御回路19’に設けられて並列に接続された二つのマルチレベルPWMインバータ12,13のPWM制御に多相キャリア方式を用い、前記並列のマルチレベルPWMインバータ間のスイッチング位相をずらすと共に前記多相キャリア間の位相をずらして電流リップルを打ち消し合う制御手段とを備えて構成している。   Also, the current amplifier 11 has the same configuration, and the Z-axis coil 8 is connected to the output side of the two multi-level PWM inverters 12 and 13 connected in parallel via the current limiting means 14 to 17, and the current from the sequencer 20 of the MRI apparatus. A switching control circuit 19 ′ that inputs the command value and the current detection value of the current detection means 18 that detects the output current of the current amplifier 10 and controls the multilevel PWM inverters 12 and 13 so that the difference between the two becomes zero. And a multi-phase carrier system for PWM control of the two multi-level PWM inverters 12 and 13 provided in the switching control circuit 19 ′ and connected in parallel, and the switching phase between the parallel multi-level PWM inverters is shifted. And a control means for canceling the current ripple by shifting the phase between the multiphase carriers.

ここで、上記図3で説明した多相キャリア方式のマルチレベルPWMインバータを二組並列に接続した場合のPWM制御信号生成法の一例として、前記並列接続されたPWMインバータ間の動作位相を90度ずらした場合について図8の動作波形図を用いて説明する。
図8において、(a)に示すCarrier 1A とCarrier 1Bは並列接続した一方のマルチレベルPWMインバータのキャリア三角波で、これらは180度の位相差を有し、Carrier 2A とCarrier 2Bは並列接続した他方のマルチレベルPWMインバータのキャリア三角波で、これらは180度の位相差を有し、そしてCarrier 1A とCarrier 2A及びCarrier 1B とCarrier 2Bはそれぞれ90度の位相差を有している。
Here, as an example of a PWM control signal generation method when two sets of multi-level carrier type multi-level PWM inverters described in FIG. 3 are connected in parallel, the operation phase between the parallel-connected PWM inverters is 90 degrees. The case of shifting will be described with reference to the operation waveform diagram of FIG.
In FIG. 8, Carrier 1A and Carrier 1B shown in (a) are carrier triangular waves of one multilevel PWM inverter connected in parallel, which have a phase difference of 180 degrees, and Carrier 2A and Carrier 2B are the other connected in parallel. These are the carrier triangular waves of the multilevel PWM inverter, which have a phase difference of 180 degrees, and Carrier 1A and Carrier 2A and Carrier 1B and Carrier 2B each have a phase difference of 90 degrees.

前記Carrier 1Aと1B及び2Aと2Bは、それぞれのキャリアと電圧指令(Voltage Command)とを比較して求めた(b)に示すPWM 1AとPWM 1Bから(c)に示すPWM 1 Upper(PWM 1A AND PWM 1B)と、PWM 1 Lower(PWM 1A OR PWM 1B)と、同じく(b)に示すPWM 2AとPWM 2Bから(c)に示すPWM 2 Upper(PWM 2A AND PWM 2B)と、PWM 2 Lower(PWM 2A OR PWM 2B)とを求め、これらのPWM Upper及びPWM Lower信号により3レベルPWMインバータの半導体スイッチをスイッチング制御する。
この結果、二組の3レベルインバータを並列に接続しているため、出力電圧は、それぞれのインバータの出力電圧の和として表され、その出力電圧波形は(d)に示すように5通り (+E,E/2,0,-E/2,-E)のレベルの電圧となるが、この場合も図3と同様、図8(a)の丸の実線に示すように、出力電圧の零付近で動作PWM信号は最小パルス幅となるため、マルチレベルインバータの半導体スイッチの導通比率Dutyと出力電圧との関係は零電圧付近で不連続となる。
Carrier 1A and 1B and 2A and 2B are obtained by comparing each carrier and voltage command (Voltage Command), and PWM 1A and PWM 1B shown in (b) to PWM 1 Upper (PWM 1A shown in (c). AND PWM 1B), PWM 1 Lower (PWM 1A OR PWM 1B), PWM 2A and PWM 2B shown in (b) to PWM 2 Upper (PWM 2A AND PWM 2B) shown in (c), and PWM 2 Lower (PWM 2A OR PWM 2B) is obtained, and switching control of the semiconductor switch of the three-level PWM inverter is performed by these PWM Upper and PWM Lower signals.
As a result, since two sets of three-level inverters are connected in parallel, the output voltage is expressed as the sum of the output voltages of the respective inverters, and the output voltage waveform is expressed in five ways (+ E, E / 2, 0, -E / 2, -E), but in this case as well as in FIG. 3, the output voltage is zero as shown by the solid circle in FIG. 8 (a). Since the operation PWM signal has a minimum pulse width in the vicinity, the relationship between the conduction ratio Duty of the semiconductor switch of the multilevel inverter and the output voltage becomes discontinuous near the zero voltage.

このように、三角波キャリアに多相キャリア方式を用い、並列接続したマルチレベルPWMインバータ間の動作位相をずらしただけでは、図1の並列接続しない場合と同様、出力電圧の零付近での不連続性の問題が生じる。
そこで、本発明の第2の実施形態では、並列接続したマルチレベルPWMインバータ同士の動作位相をずらすと共に前記多相キャリアの位相もずらすことによって上記問題を解決するもである。
In this way, using the multiphase carrier method for the triangular wave carrier and shifting the operation phase between the multilevel PWM inverters connected in parallel, as in the case of not connecting in parallel in Fig. 1, the output voltage is discontinuous near zero. Sexual problems arise.
Therefore, in the second embodiment of the present invention, the above problem is solved by shifting the operation phases of the multilevel PWM inverters connected in parallel and also shifting the phases of the multiphase carriers.

図9は、並列接続した3レベルPWMインバータ同士の動作位相をずらすと共に多相キャリアの位相もずらした本発明の第2の実施形態における本発明の要部であるスイッチング制御回路19’の構成図で、並列接続した二つのマルチレベルPWMインバータ12,13(図7,図2参照)の各アームの半導体スイッチのうち、出力端A側のアーム27,28の半導体スイッチ23,24をスイッチング制御する回路を示しており、出力端B側のアーム29,30の半導体スイッチ23,24も同様の構成でスイッチング制御できるので、省略してある。
なお、マルチレベルPWMインバータ12,13の23a,24a及び23b,24bは半導体スイッチ23,24を駆動する回路である。
FIG. 9 is a configuration diagram of a switching control circuit 19 ′ that is a main part of the present invention in the second embodiment of the present invention in which the operation phases of the three-level PWM inverters connected in parallel are shifted and the phases of the multiphase carriers are also shifted. Thus, among the semiconductor switches of the arms of the two multi-level PWM inverters 12 and 13 (see FIGS. 7 and 2) connected in parallel, the semiconductor switches 23 and 24 of the arms 27 and 28 on the output terminal A side are switching-controlled. A circuit is shown, and the semiconductor switches 23 and 24 of the arms 29 and 30 on the output terminal B side are also omitted because they can be controlled by the same configuration.
Note that 23a, 24a and 23b, 24b of the multi-level PWM inverters 12, 13 are circuits for driving the semiconductor switches 23, 24.

この図9のスイッチング制御回路19’と図10の各部の波形図を用いて本発明の第2の実施形態の動作について説明する。ただし、図10には並列接続マルチレベルPWMインバータのうちの一方の波形図を示し、他方のマルチレベルPWMインバータは前記一方のマルチレベルPWMインバータよりも位相が180度ずれているだけで、その動作は同じであるので省略してある。   The operation of the second embodiment of the present invention will be described using the switching control circuit 19 'of FIG. 9 and the waveform diagrams of the respective parts of FIG. However, FIG. 10 shows a waveform diagram of one of the parallel-connected multi-level PWM inverters, and the other multi-level PWM inverter operates just by being 180 degrees out of phase with the one multi-level PWM inverter. Are omitted because they are the same.

図9において、スイッチング制御回路19’は、マルチレベルPWMインバータの動作周波数の1周期間に複数のキャリア信号を発生させてPWM制御信号を発生する回路で、キャリア信号を発生する三角波発生部40と、MRIシーケンサ20から出力される電流指令値を入力し、この電流指令値と前記負荷電流である傾斜磁場コイル電流を検出する電流検出手段18による検出値との差が零になるように制御するための電流制御信号を出力する電流制御部41と、マルチレベルPWMインバータ12のアーム27,28の上段の半導体スイッチ23と前記マルチレベルPWMインバータ12のアーム27,28の下段の半導体スイッチ24のゲート信号を発生する第1のゲート信号発生回路42と、マルチレベルPWMインバータ13のアーム27,28の上段の半導体スイッチ23と前記マルチレベルPWMインバータ13のアーム27,28の下段の半導体スイッチ24のゲート信号を発生する第2のゲート信号発生回路43と、前記並列接続されたマルチレベルPWMインバータ12と13の動作位相をずらす第1の位相シフト部44とで構成される。   In FIG. 9, a switching control circuit 19 ′ is a circuit that generates a plurality of carrier signals during one cycle of the operating frequency of the multilevel PWM inverter to generate a PWM control signal. The current command value output from the MRI sequencer 20 is input, and control is performed so that the difference between the current command value and the detected value by the current detecting means 18 for detecting the gradient coil current as the load current becomes zero. Current control unit 41 for outputting a current control signal, gates of upper semiconductor switches 23 of arms 27 and 28 of multilevel PWM inverter 12 and lower semiconductor switches 24 of arms 27 and 28 of multilevel PWM inverter 12 A first gate signal generation circuit 42 for generating a signal, an upper semiconductor switch 23 of the arms 27 and 28 of the multilevel PWM inverter 13, and the multilevel PWM inverter 13 A second gate signal generating circuit 43 for generating the gate signal of the lower semiconductor switch 24 and the first phase shift unit for shifting the operation phases of the multilevel PWM inverters 12 and 13 connected in parallel. It consists of 44.

前記第1のゲート信号発生回路42は、前記3レベルPWMインバータ12の半導体スイッチをスイッチング駆動する信号を発生する回路で、三角波発生部40で発生した図10(a)に示す三角波のキャリア信号 Carrier 1Aは比較部42bに入力され、このCarrier 1Aを第2の位相シフト部42aに入力して前記Carrier 1A から90度遅らせ、この遅らせた信号Carrier 1Bを比較部42cに入力する。   The first gate signal generation circuit 42 is a circuit that generates a signal for switching driving the semiconductor switch of the three-level PWM inverter 12, and the triangular wave carrier signal Carrier shown in FIG. 1A is input to the comparison unit 42b, the Carrier 1A is input to the second phase shift unit 42a, delayed by 90 degrees from the Carrier 1A, and the delayed signal Carrier 1B is input to the comparison unit 42c.

これらのCarrier 1AとCarrier 1Bは、電流制御部41から出力される電圧指令信号(図10(a)のVoltage Command)と前記比較部42bと42cで比較されて、前記電圧指令信号が前記Carrier 1Aよりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記Carrier 1Aよりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とする図10(b)に示すPWM 1Aを比較部42bより出力し、前記電圧指令信号が前記Carrier 1Bよりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記Carrier 1Bよりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とする図10(b)に示すPWM 1Bを比較部42cより出力する。   These Carrier 1A and Carrier 1B are compared with the voltage command signal (Voltage Command in FIG. 10 (a)) output from the current control unit 41 by the comparison units 42b and 42c, and the voltage command signal is compared with the Carrier 1A. 10 (b), in which the logic signal “High” is set to “1” during a period longer than that, and the logic signal “Low” is set to “0” during a period when the voltage command signal is less than the Carrier 1A. PWM 1A is output from the comparator 42b, the period when the voltage command signal is larger than the Carrier 1B, the logic signal "High" is "1", the period when the voltage command signal is smaller than the Carrier 1B, PWM 1B shown in FIG. 10 (b) in which the logic signal “Low” is “0” is output from the comparator 42c.

前記比較部42b,42cから出力されたPWM 1AとPWM 1B信号は、図9に示すように、加算部42dで加算され、この加算値と比較値1、比較値0とを比較部42e、42fで比較する。
そして、前記加算値が比較値1よりも大きいときは、論理信号“High”となる図10(c)に示すPWM 1 Upper信号を前記比較部42eから出力し、前記加算値が比較値0よりも大きいときは、論理信号“High”となる図10(c)に示すPWM 1 Lower信号を前記比較部42fから出力する。
このようにして生成したPWM 1 Upper信号を信号反転部42gで反転し、この信号を駆動回路23aで増幅してアーム27の半導体スイッチ23をスイッチング駆動し、前記PWM 1 Upper信号はそのまま駆動回路23bで増幅してアーム28の半導体スイッチ23をスイッチング駆動する。
一方、PWM 1 Lower信号は、信号反転部42hで反転され、この信号を駆動回路24aで増幅してアーム27の半導体スイッチ24をスイッチング駆動し、反転されない前記PWM 1 Lower信号はそのまま駆動回路24bで増幅してアーム28の半導体スイッチ24をスイッチング駆動する。
As shown in FIG. 9, the PWM 1A and PWM 1B signals output from the comparison units 42b and 42c are added by the addition unit 42d, and the addition value, the comparison value 1, and the comparison value 0 are compared with the comparison units 42e and 42f. Compare with.
Then, when the added value is larger than the comparison value 1, the PWM 1 Upper signal shown in FIG. 10 (c) that becomes the logic signal “High” is output from the comparison unit 42e, and the added value is greater than the comparison value 0. Is larger, the PWM 1 Lower signal shown in FIG. 10 (c), which becomes the logic signal “High”, is output from the comparison unit 42f.
The thus generated PWM 1 Upper signal is inverted by the signal inverting unit 42g, this signal is amplified by the drive circuit 23a, and the semiconductor switch 23 of the arm 27 is switched and driven, and the PWM 1 Upper signal remains as it is in the drive circuit 23b. And the semiconductor switch 23 of the arm 28 is driven to switch.
On the other hand, the PWM 1 Lower signal is inverted by the signal inverting unit 42h, this signal is amplified by the drive circuit 24a, and the semiconductor switch 24 of the arm 27 is switched and driven. Amplifying and switching driving the semiconductor switch 24 of the arm 28.

前記第2のゲート信号発生回路43は、前記3レベルPWMインバータ13の半導体スイッチをスイッチング駆動する信号を発生する回路で、前記三角波発生部40で発生した三角波のCarrier 1Aを第1の位相シフト部44で180度遅らせ、この遅らせた図10(a)に示すCarrier 2Aを用いてPWM制御信号を発生するもので、前記Carrier 2Aを比較部43bに入力し、このCarrier 2Aを第3の位相シフト部43aに入力して前記Carrier 2A から90度遅らせ、この遅らせた図10(a)に示す信号Carrier 2Bを比較部43cに入力する。   The second gate signal generation circuit 43 is a circuit that generates a signal for switching and driving the semiconductor switch of the three-level PWM inverter 13, and the first phase shift unit converts the carrier wave 1A of the triangular wave generated by the triangular wave generation unit 40. This is delayed by 180 degrees at 44, and the delayed carrier 2A shown in FIG. 10 (a) is used to generate a PWM control signal. The carrier 2A is input to the comparison unit 43b, and this carrier 2A is shifted to the third phase. The signal is input to the unit 43a and delayed by 90 degrees from the Carrier 2A, and the delayed signal Carrier 2B shown in FIG. 10 (a) is input to the comparison unit 43c.

これらのCarrier 2AとCarrier 2Bは、電流制御部41から出力される電圧指令信号(図10(a)のVoltage Command)と前記比較部43b、43cで比較されて、前記電圧指令信号が前記Carrier 2Aよりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記Carrier 2Aよりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とする図10(b)に示すPWM 2Aを比較部43bより出力し、前記電圧指令信号が前記Carrier 2Bよりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記Carrier 2Bよりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とする図10(b)に示すPWM 2Bを比較部43cより出力する。   These Carrier 2A and Carrier 2B are compared with the voltage command signal (Voltage Command in FIG. 10A) output from the current control unit 41 by the comparison units 43b and 43c, and the voltage command signal is compared with the Carrier 2A. 10 (b), in which the logic signal “High” is set to “1” during a period longer than that, and the logic signal “Low” is set to “0” during a period when the voltage command signal is less than the Carrier 2A. PWM 2A is output from the comparison unit 43b, the period when the voltage command signal is larger than the Carrier 2B, the logic signal "High" is "1", the period when the voltage command signal is smaller than the Carrier 2B, PWM 2B shown in FIG. 10 (b) in which the logic signal “Low” is “0” is output from the comparison unit 43c.

前記比較部43b、43cから出力されたPWM 2 AとPWM 2 B信号は、図9に示すように、加算部43dで加算され、この加算値と比較値1、比較値0とを比較部43e、43fで比較する。
そして、前記加算値が比較値1よりも大きいときは、論理信号“High”となる図10(c)に示すPWM 2 Upper信号を前記比較部43eから出力し、前記加算値が比較値0よりも大きいときは、論理信号“High”となる図10(c)に示すPWM 2 Lower信号を前記比較部43fから出力する。
このようにして生成したPWM 2 Upper信号を信号反転部43gで反転し、この信号を駆動回路23aで増幅してアーム27の半導体スイッチ23をスイッチング駆動し、前記PWM 2 Upper信号はそのまま駆動回路23bで増幅してアーム28の半導体スイッチ23をスイッチング駆動する。
一方、PWM 2 Lower信号は、信号反転部43hで反転され、この信号を駆動回路24aで増幅してアーム27の半導体スイッチ24をスイッチング駆動し、反転されない前記PWM 2 Lower信号はそのまま駆動回路24bで増幅してアーム28の半導体スイッチ24をスイッチング駆動する。
The PWM 2 A and PWM 2 B signals output from the comparison units 43b and 43c are added by the addition unit 43d as shown in FIG. 9, and the addition value, the comparison value 1, and the comparison value 0 are compared with each other in the comparison unit 43e. Compare with 43f.
Then, when the added value is larger than the comparison value 1, the PWM 2 Upper signal shown in FIG. 10 (c) that becomes the logic signal “High” is output from the comparison unit 43e, and the added value is compared with the comparison value 0. Is larger, the PWM 2 Lower signal shown in FIG. 10 (c), which becomes the logic signal “High”, is output from the comparison unit 43f.
The PWM 2 Upper signal generated in this way is inverted by the signal inverting unit 43g, this signal is amplified by the drive circuit 23a, and the semiconductor switch 23 of the arm 27 is switched and driven, and the PWM 2 Upper signal remains as it is in the drive circuit 23b. And the semiconductor switch 23 of the arm 28 is driven to switch.
On the other hand, the PWM 2 Lower signal is inverted by the signal inverting unit 43h, this signal is amplified by the drive circuit 24a, and the semiconductor switch 24 of the arm 27 is switched and driven. Amplifying and switching driving the semiconductor switch 24 of the arm 28.

このように、Carrier 1BをCarrier 1Aから90度遅らせ、Carrier 2BをCarrier 2Aから90度遅らせることによって、図10(a)の丸の実線に示すように、PWM 1 Upper、PWM 1 Lower、PWM 2 Upper、PWM 2 Lowerの各信号の最小パルス幅を出力電圧の零付近から遠ざけることができる。
これらのPWM 1 Upper、PWM 1 Lower、PWM 2 Upper、PWM 2 Lower信号の最小パルス幅の出力電圧方向への移動量は、Carrier 1B及びCarrier 2Bの位相によって変化するもので、これらのCarrier 1B及びCarrier 2B の位相を調整することによって前記最小パルス幅のタイミングを任意に調整することができ、前記Carrier 1B及びCarrier 2Bの位相を適切な値に設定することによって出力電圧の零付近での不連続性は改善され、マルチレベルPWMインバータの半導体スイッチの導通比率Dutyと出力電圧との関係は不感帯のない連続した特性となる。
Thus, by delaying Carrier 1B by 90 degrees from Carrier 1A and Carrier 2B by 90 degrees from Carrier 2A, PWM 1 Upper, PWM 1 Lower, PWM 2 as shown by the solid circle in FIG. 10 (a). The minimum pulse width of each signal of Upper and PWM 2 Lower can be kept away from the output voltage near zero.
The amount of movement in the output voltage direction of the minimum pulse width of these PWM 1 Upper, PWM 1 Lower, PWM 2 Upper, and PWM 2 Lower signals varies depending on the phase of Carrier 1B and Carrier 2B. By adjusting the phase of Carrier 2B, the timing of the minimum pulse width can be adjusted arbitrarily, and by setting the phases of Carrier 1B and Carrier 2B to appropriate values, the output voltage is discontinuous near zero. As a result, the relationship between the duty ratio of the semiconductor switch of the multilevel PWM inverter and the output voltage is a continuous characteristic with no dead band.

また、図8(d)と図10(d)の出力電圧波形に着目すると、動作PWM信号(PWM 1 Upper、PWM 2 Upper及びPWM 1 Lower、PWM 2 Lower)が全く異なるにもかかわらず、それぞれ全く同じ波形が得られている。
さらに、図10の動作PWM信号の周波数は図8の半分になっているので、本発明の第2の実施形態によるPWM制御では、半導体スイッチのスイッチング損失は大幅に低減する。
この結果、同じ出力を得るには、より小さな電流容量の半導体スイッチを使用できるので、マルチレベルPWMインバータ回路を用いた電源装置を小形、安価なものにすることが可能となる。
Also, paying attention to the output voltage waveforms in Fig. 8 (d) and Fig. 10 (d), although the operation PWM signals (PWM 1 Upper, PWM 2 Upper and PWM 1 Lower, PWM 2 Lower) are completely different, Exactly the same waveform is obtained.
Furthermore, since the frequency of the operation PWM signal in FIG. 10 is half that in FIG. 8, in the PWM control according to the second embodiment of the present invention, the switching loss of the semiconductor switch is greatly reduced.
As a result, in order to obtain the same output, a semiconductor switch having a smaller current capacity can be used, so that a power supply device using a multilevel PWM inverter circuit can be made small and inexpensive.

次に、マルチレベルPWMインバータとして、5レベルPWMインバータを用いた場合の本発明の実施形態について説明する。
図11は、5レベルPWMインバータの回路図である。
図11において、5レベルPWMインバータは、その入力に直流電圧源E、E0を接続し、その出力端A,Bに任意の電圧波形を出力するように構成しており、逆並列接続した4対のMOSFETによる半導体スイッチ55,56,57,58およびダイオード59,60,61,62を直列に接続した4組のアーム63〜66を有し、前記4組のアームをフルブリッジ接続している。
そして、分圧コンデンサ51と52の接続点(レベル4の電位3E/4)とフルブリッジ構成の各アーム63〜66における半導体スイッチ55と半導体スイッチ56との接続点との間にダイオード67〜70をそれぞれ接続し、分圧コンデンサ52と53の接続点(レベル3の電位2E/4)と各アーム63〜66における半導体スイッチ56と半導体スイッチ57との接続点との間にダイオード71〜74をそれぞれ接続し、同様に、分圧コンデンサ53と54の接続点(レベル2の電位E/4)と各アーム63〜66における半導体スイッチ57と半導体スイッチ58との接続点との間にダイオード75〜78をそれぞれ接続している。
Next, an embodiment of the present invention in the case where a 5-level PWM inverter is used as the multi-level PWM inverter will be described.
FIG. 11 is a circuit diagram of a 5-level PWM inverter.
In FIG. 11, the 5-level PWM inverter is configured to connect DC voltage sources E and E0 to its inputs and output arbitrary voltage waveforms to its output terminals A and B. The semiconductor switches 55, 56, 57, and 58 by MOSFETs and the four arms 63 to 66 in which the diodes 59, 60, 61, and 62 are connected in series are connected in a full bridge.
The diodes 67 to 70 are connected between the connection point of the voltage dividing capacitors 51 and 52 (the potential 3E / 4 of the level 4) and the connection point of the semiconductor switch 55 and the semiconductor switch 56 in each arm 63 to 66 of the full bridge configuration. Diodes 71-74 between the connection point of voltage dividing capacitors 52 and 53 (level 3 potential 2E / 4) and the connection point of semiconductor switch 56 and semiconductor switch 57 in each arm 63-66. Similarly, the diode 75 ~ is connected between the connection point of the voltage dividing capacitors 53 and 54 (potential E / 4 of level 2) and the connection point of the semiconductor switch 57 and the semiconductor switch 58 in each arm 63 ~ 66. 78 is connected.

ここで、アーム63の半導体スイッチ55〜58を導通させることによって出力端Aに+Eの電圧を出力することができ、アーム63の半導体スイッチ56〜58およびアーム64の半導体スイッチ55を導通させることによって出力端Aに+3E/4の電圧を出力することができ、アーム63の半導体スイッチ57、58およびアーム64の半導体スイッチ55,56を導通させることによって出力端Aに+2E/4(=E/2)の電圧を出力することができ、アーム63の半導体スイッチ58およびアーム64の半導体スイッチ55〜57を導通させることによって出力端Aに+E/4の電圧を出力することができ、さらにアーム63の半導体スイッチ55〜58を導通させることによって出力端Aに0の電圧を出力することができ、このようにして、5レベルの電圧を出力することができる。   Here, by making the semiconductor switches 55 to 58 of the arm 63 conductive, a voltage of + E can be output to the output terminal A, and the semiconductor switches 56 to 58 of the arm 63 and the semiconductor switch 55 of the arm 64 are made conductive. Can output a voltage of + 3E / 4 to the output terminal A. By making the semiconductor switches 57 and 58 of the arm 63 and the semiconductor switches 55 and 56 of the arm 64 conductive, + 2E / 4 (= E / 2) can be output, and by making the semiconductor switch 58 of the arm 63 and the semiconductor switches 55 to 57 of the arm 64 conductive, a voltage of + E / 4 can be output to the output terminal A, Further, by making the semiconductor switches 55 to 58 of the arm 63 conductive, a voltage of 0 can be output to the output terminal A, and in this way, a voltage of 5 levels can be output.

また、出力端Bについても同様であり、結局出力A、B間の電圧として、-Eから+Eまでの9通りの電圧(-E、-3E/4、-2E/4、-E/4、0、+E/4、+2E/4、+3E/4、+E)を出力することができる。
さらに、これらをPWM制御することによって、出力電流のリップルが非常に小さい、-Eから+Eまでの間で任意の電圧を出力することができる。
The same applies to the output terminal B. As a result, nine voltages from -E to + E (-E, -3E / 4, -2E / 4, -E / 4) , 0, + E / 4, + 2E / 4, + 3E / 4, + E) can be output.
Furthermore, by controlling these, any voltage can be output between -E and + E, where the ripple of the output current is very small.

このように、5レベルPWMインバータにおいては、直流電圧源E-E0を分圧コンデンサ51〜54で等分割し、各アーム63〜66の半導体スイッチ55〜58も同様に分割して、それぞれをダイオード67〜78で接続することによって、各々の半導体スイッチ63〜66には分割された直流電圧分の直流電圧しか印加されないため、直流電圧E-E0が同じ場合、3レベルPWMインバータよりも耐電圧の低い半導体スイッチを用いることができる。   In this way, in the 5-level PWM inverter, the DC voltage source E-E0 is equally divided by the voltage dividing capacitors 51 to 54, and the semiconductor switches 55 to 58 of the arms 63 to 66 are divided in the same manner, and each is a diode. By connecting at 67 to 78, only the DC voltage corresponding to the divided DC voltage is applied to each of the semiconductor switches 63 to 66. Therefore, when the DC voltage E-E0 is the same, the withstand voltage is higher than that of the 3-level PWM inverter. Low semiconductor switches can be used.

上記図1(第1の実施形態)のマルチレベルPWMインバータ12に上記5レベルPWMインバータを用いて傾斜磁場電源装置を構成し、これを多相キャリア方式で制御すると、3レベルPWMインバータを多相キャリア方式で制御した場合と同様に、以下のように出力電圧の零付近での不連続性の問題が発生する。   When the gradient magnetic field power supply device is configured by using the 5-level PWM inverter in the multi-level PWM inverter 12 of FIG. 1 (first embodiment) and is controlled by the multi-phase carrier method, the 3-level PWM inverter is changed to the multi-phase PWM inverter. Similar to the case of controlling by the carrier method, the problem of discontinuity near zero of the output voltage occurs as follows.

5レベルPWMインバータの場合は、図12に示すように、三角波のキャリアには同図(a)のCarrier 1A、Carrier 1B、Carrier 1C、Carrier 1Dの四つのキャリアを用い、これらのCarrier 1A 、Carrier 1B、Carrier 1C、Carrier 1D間の位相をそれぞれ90度づつずらし、それぞれのキャリアと電圧指令(Voltage Command)とを比較する。
そして、前記電圧指令がそれぞれのキャリア信号よりも大きいときに論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令がそれぞれのキャリア信号よりも小さいときに論理信号“Low”を“0”とする図12(b)のPWM 1A、PWM 1B、PWM 1C、PWM 1Dを生成する。
このようにして生成したPWM 1A、PWM 1B、PWM 1C、PWM 1Dの加算値を比較値と比較して、図12(c)のPWM 1 Upper(PWM 1A+PWM 1B+PWM 1C+PWM 1D>3)、PWM 1 MID Upper(PWM 1A+PWM 1B+PWM 1C+PWM 1D>2)、PWM 1 MID Lower(PWM 1A+PWM 1B+PWM 1C+PWM 1D>1)、PWM 1 Lower(PWM 1A+PWM 1B+PWM 1C+PWM 1D>0)とにより5レベルインバータの半導体スイッチをスイッチング制御するものである。
図11の場合は、前記PWM 1 Upperを反転した信号でアーム63の半導体スイッチ55を、前記PWM 1 Upperでアーム64の半導体スイッチ55を、前記PWM 1 MID Upperを反転した信号でアーム63の半導体スイッチ56を、前記PWM 1 MID Upperでアーム64の半導体スイッチ56を、前記PWM 1 MID Lowerを反転した信号でアーム63の半導体スイッチ57を、前記PWM 1 MID Lowerでアーム64の半導体スイッチ57を、そして前記PWM 1 Lowerを反転した信号でアーム63の半導体スイッチ58を、前記PWM 1 Lowerでアーム64の半導体スイッチ58をそれぞれスイッチング制御する。
In the case of a 5-level PWM inverter, as shown in FIG. 12, four carriers of carrier 1A, carrier 1B, carrier 1C, and carrier 1D in FIG. The phases between 1B, Carrier 1C, and Carrier 1D are shifted by 90 degrees, and each carrier is compared with a voltage command.
When the voltage command is larger than each carrier signal, the logic signal “High” is set to “1”, and when the voltage command is smaller than each carrier signal, the logic signal “Low” is set to “0”. The PWM 1A, PWM 1B, PWM 1C, and PWM 1D in FIG. 12 (b) are generated.
The added value of PWM 1A, PWM 1B, PWM 1C, and PWM 1D generated in this way is compared with the comparison value, and PWM 1 Upper (PWM 1A + PWM 1B + PWM 1C + PWM 1D> 3), PWM 1 MID Upper (PWM 1A + PWM 1B + PWM 1C + PWM 1D> 2), PWM 1 MID Lower (PWM 1A + PWM 1B + PWM 1C + PWM 1D> 1), PWM 1 Lower (PWM 1A + PWM 1B + PWM 1C + PWM 1D> 0) is used for switching control of the semiconductor switch of the 5-level inverter.
In the case of FIG. 11, the semiconductor switch 55 of the arm 63 is inverted by the signal obtained by inverting the PWM 1 Upper, the semiconductor switch 55 of the arm 64 by the PWM 1 Upper, and the semiconductor of the arm 63 by the signal obtained by inverting the PWM 1 MID Upper. Switch 56, semiconductor switch 56 of arm 64 with PWM 1 MID Upper, semiconductor switch 57 of arm 63 with a signal obtained by inverting PWM 1 MID Lower, semiconductor switch 57 of arm 64 with PWM 1 MID Lower, Then, switching control of the semiconductor switch 58 of the arm 63 is performed by a signal obtained by inverting the PWM 1 Lower, and switching of the semiconductor switch 58 of the arm 64 is performed by the PWM 1 Lower.

この方式を用いると、図12(a)の丸の実線に示すように、出力電圧の零付近でPWM 1 Upper、PWM 1 MID Upper、PWM 1 MID Lower、PWM 1 Lowerは最小のパルス幅に制限され(これ以下のパルス幅よりも狭くすることができないハードウェアで制限されるパルス幅)、マルチレベルインバータの半導体スイッチの導通比率Dutyと出力電圧との関係は零電圧付近で不連続となる。
このように、5レベルPWMインバータに多相キャリア方式を用いただけでは出力電圧の零付近での不連続性の問題は残る。
そこで、本発明の第3の実施形態は、上記図1(第1の実施形態)のマルチレベルPWMインバータ12に上記5レベルPWMインバータを用いて傾斜磁場電源装置を構成し、これを多相キャリア方式でPWM制御し、かつ前記多相キャリア間の位相をずらして制御することによって上記問題を解決するもである。
Using this method, PWM 1 Upper, PWM 1 MID Upper, PWM 1 MID Lower, and PWM 1 Lower are limited to the minimum pulse width near the output voltage near zero as shown by the solid circle in Fig. 12 (a). Therefore, the relationship between the conduction ratio Duty of the semiconductor switch of the multilevel inverter and the output voltage becomes discontinuous near zero voltage.
Thus, the problem of discontinuity near zero of the output voltage remains only by using the multiphase carrier method for the 5-level PWM inverter.
Therefore, in the third embodiment of the present invention, a gradient magnetic field power supply device is configured by using the 5-level PWM inverter for the multi-level PWM inverter 12 in FIG. 1 (first embodiment), and this is configured as a multiphase carrier. The above problem is solved by performing PWM control in a system and controlling the phase between the multiphase carriers by shifting.

図13は、本発明の第3の実施形態における本発明の要部であるスイッチング制御回路80の構成図で、5レベルPWMインバータ回路12(図1,図11参照)の各アームの半導体スイッチのうち、出力端A側のアーム63,64の半導体スイッチ55〜58をスイッチング制御する回路を示しており、出力端B側のアーム65,66の半導体スイッチ55〜58も同様の構成でスイッチング制御できるので、省略してある。
なお、5レベルPWMインバータ12の55a,56a,57a,58a及び55b,56b,57b,58bは半導体スイッチ55〜58を駆動する回路である。
FIG. 13 is a configuration diagram of the switching control circuit 80 which is the main part of the present invention in the third embodiment of the present invention, and shows the semiconductor switch of each arm of the 5-level PWM inverter circuit 12 (see FIGS. 1 and 11). Among them, a circuit for switching control of the semiconductor switches 55 to 58 of the arms 63 and 64 on the output terminal A side is shown, and the semiconductor switches 55 to 58 of the arms 65 and 66 on the output terminal B side can also be switched with the same configuration. So it is omitted.
Note that 55a, 56a, 57a, 58a and 55b, 56b, 57b, 58b of the 5-level PWM inverter 12 are circuits for driving the semiconductor switches 55-58.

以下、この図13のスイッチング制御回路80と図14の各部の波形図を用いて本発明による第3の実施形態の動作について説明する。
図13において、スイッチング制御回路80は、マルチレベルPWMインバータの動作周波数の1周期間に複数のキャリア信号を発生させてPWM制御信号を発生する回路で、キャリア信号を発生する三角波発生部81と、MRIシーケンサ20から出力される電流指令値を入力し、この電流指令値と前記負荷電流である傾斜磁場コイル電流を検出する電流検出手段18による検出値との差が零になるように制御するための電流制御信号を出力する電流制御部82と、マルチレベルPWMインバータ12の半導体スイッチ55〜58のゲート信号を発生する第1のゲート信号発生回路83とで構成される。
Hereinafter, the operation of the third embodiment according to the present invention will be described with reference to the switching control circuit 80 of FIG. 13 and the waveform diagrams of the respective parts of FIG.
In FIG. 13, the switching control circuit 80 is a circuit that generates a plurality of carrier signals during one cycle of the operating frequency of the multilevel PWM inverter to generate a PWM control signal, and a triangular wave generator 81 that generates a carrier signal; In order to control so that the difference between the current command value output from the MRI sequencer 20 and the detected value by the current detection means 18 for detecting the gradient coil current that is the load current becomes zero. Current control unit 82 for outputting the current control signal, and a first gate signal generation circuit 83 for generating gate signals of semiconductor switches 55 to 58 of multilevel PWM inverter 12.

前記第1のゲート信号発生回路83は、前記5レベルPWMインバータ12の半導体スイッチをスイッチング駆動する信号を発生する回路で、三角波発生部81で発生した図14(a)に示す三角波のキャリア信号Carrier 1Aは比較部83aに入力され、このCarrier 1Aを第2の位相シフト部83bに入力して前記Carrier 1A から90度遅らせ、この遅らせた信号Carrier 1Bを比較部83cに入力する。
さらに、前記Carrier 1Bを第3の位相シフト部83dに入力して前記Carrier 1Bから45度遅らせた信号Carrier 1Cを比較部83eに入力し、そして、前記Carrier 1Cを第4の位相シフト部83fに入力して前記Carrier 1Cから90度遅らせた信号Carrier 1Dを比較部83gに入力する。
The first gate signal generation circuit 83 is a circuit that generates a signal for switching and driving the semiconductor switch of the 5-level PWM inverter 12, and the triangular wave carrier signal Carrier shown in FIG. 1A is input to the comparison unit 83a, this Carrier 1A is input to the second phase shift unit 83b, delayed by 90 degrees from the Carrier 1A, and this delayed signal Carrier 1B is input to the comparison unit 83c.
Further, the carrier 1B is input to the third phase shift unit 83d, the signal Carrier 1C delayed by 45 degrees from the carrier 1B is input to the comparison unit 83e, and the carrier 1C is input to the fourth phase shift unit 83f. The signal Carrier 1D input and delayed by 90 degrees from the Carrier 1C is input to the comparison unit 83g.

これらのCarrier 1A、Carrier 1B、Carrier 1C、Carrier 1Dは、電流制御部82から出力される電圧指令信号(図14(a)のVoltage Command)と前記比較部83a,83c,83e,83gで比較されて、前記電圧指令信号が前記Carrier 1Aよりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記Carrier 1Aよりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とする図14(b)に示すPWM 1Aを比較部83aより出力し、同様に、前記電圧指令信号が前記Carrier 1Bよりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記Carrier 1Bよりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とするPWM 1Bを比較部83cより出力し、前記電圧指令信号が前記Carrier 1Cよりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記Carrier 1Cよりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とするPWM 1Cを比較部83eより出力し、そして前記電圧指令信号が前記Carrier 1Dよりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記Carrier 1Dよりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とするPWM 1Dを比較部83gより出力する。   These Carrier 1A, Carrier 1B, Carrier 1C, and Carrier 1D are compared with the voltage command signal (Voltage Command in FIG. 14 (a)) output from the current control unit 82 by the comparison units 83a, 83c, 83e, and 83g. When the voltage command signal is larger than Carrier 1A, the logic signal “High” is set to “1”. When the voltage command signal is smaller than Carrier 1A, the logic signal “Low” is set to “0”. 14 (b) is output from the comparison unit 83a. Similarly, during a period when the voltage command signal is larger than the Carrier 1B, the logic signal “High” is set to “1”, and the voltage During the period when the command signal is smaller than the Carrier 1B, the PWM 1B with the logic signal “Low” set to “0” is output from the comparator 83c, and during the period when the voltage command signal is larger than the Carrier 1C, the logic signal When “High” is set to “1” and the voltage command signal is smaller than the carrier 1C, the logic signal “Low” is set to “0”. PWM 1C to be output from the comparison unit 83e, and the period in which the voltage command signal is larger than the Carrier 1D, the logic signal “High” is set to “1”, and the voltage command signal is smaller than the Carrier 1D Outputs from the comparator 83g PWM 1D with the logic signal “Low” set to “0”.

前記比較部83a,83c,83e,83gから出力されたPWM 1A〜PWM 1D信号は、図13に示すように、加算部83hで加算され、この加算値と比較値3、比較値2比較値1、比較値0とを比較部83i,83j,83k,83lで比較する。
そして、前記加算値が比較値3よりも大きいときは、論理信号“High”となる図14(c)に示すPWM 1 Upper信号を前記比較部83iから出力し、前記加算値が比較値2よりも大きいときは、論理信号“High”となるPWM 1 MID Upper信号を前記比較部83jから出力し、前記加算値が比較値1よりも大きいときは、論理信号“High”となるPWM 1 MID Lower信号を前記比較部83kから出力し、前記加算値が比較値0よりも大きいときは、論理信号“High”となるPWM 1 Lower信号を前記比較部83lから出力する
As shown in FIG. 13, the PWM 1A to PWM 1D signals output from the comparison units 83a, 83c, 83e, and 83g are added by the addition unit 83h, and the addition value and the comparison value 3, the comparison value 2 and the comparison value 1 The comparison value 0 is compared by the comparison units 83i, 83j, 83k, and 83l.
Then, when the added value is larger than the comparison value 3, the PWM 1 Upper signal shown in FIG. 14 (c) that becomes the logic signal “High” is output from the comparison unit 83i, and the added value is greater than the comparison value 2. Is greater than the comparison value 1, the PWM 1 MID Lower signal that is the logic signal “High” is output from the comparator 83j. A signal is output from the comparison unit 83k, and when the added value is larger than the comparison value 0, a PWM 1 Lower signal that is a logic signal “High” is output from the comparison unit 83l.

このようにして生成したPWM 1 Upper信号を信号反転部83mで反転し、この信号を駆動回路55aで増幅してアーム63の半導体スイッチ55をスイッチング駆動し、前記PWM 1 Upper信号はそのまま駆動回路55bで増幅してアーム64の半導体スイッチ55をスイッチング駆動する。
前記PWM 1 MID Upper信号は信号反転部83nで反転され、この信号を駆動回路56aで増幅してアーム63の半導体スイッチ56をスイッチング駆動し、前記PWM 1 MID Upper信号はそのまま駆動回路56bで増幅してアーム64の半導体スイッチ56をスイッチング駆動する。
同様に、前記PWM 1 MID Lower信号は信号反転部83oで反転され、この信号を駆動回路57aで増幅してアーム63の半導体スイッチ57をスイッチング駆動し、前記PWM 1 MID Lower信号はそのまま駆動回路57bで増幅してアーム64の半導体スイッチ57をスイッチング駆動する。
そして、前記PWM 1 Lower信号は信号反転部83pで反転され、この信号を駆動回路58aで増幅してアーム63の半導体スイッチ58をスイッチング駆動し、前記PWM 1 Lower信号はそのまま駆動回路58bで増幅してアーム64の半導体スイッチ58をスイッチング駆動する。
The thus generated PWM 1 Upper signal is inverted by the signal inverting unit 83m, this signal is amplified by the drive circuit 55a, and the semiconductor switch 55 of the arm 63 is switched and driven, and the PWM 1 Upper signal remains as it is as the drive circuit 55b. The semiconductor switch 55 of the arm 64 is switched and amplified.
The PWM 1 MID Upper signal is inverted by the signal inverting unit 83n, and this signal is amplified by the drive circuit 56a to switch the semiconductor switch 56 of the arm 63, and the PWM 1 MID Upper signal is amplified by the drive circuit 56b as it is. Then, the semiconductor switch 56 of the arm 64 is driven to be switched.
Similarly, the PWM 1 MID Lower signal is inverted by the signal inverting unit 83o, and this signal is amplified by the drive circuit 57a to drive the semiconductor switch 57 of the arm 63, and the PWM 1 MID Lower signal remains as it is as the drive circuit 57b. The semiconductor switch 57 of the arm 64 is switched and amplified.
The PWM 1 Lower signal is inverted by the signal inverting unit 83p, and this signal is amplified by the drive circuit 58a to drive the semiconductor switch 58 of the arm 63, and the PWM 1 Lower signal is amplified by the drive circuit 58b as it is. Then, the semiconductor switch 58 of the arm 64 is switched and driven.

このように、Carrier 1BをCarrier 1Aから90度遅らせ、Carrier 1CをCarrier 1Bから45度遅らせ、さらにCarrier 1DをCarrier 1Cから90度遅らせることによって、PWM 1 Upper、PWM 1 MID Upper、PWM 1 MID Lower、PWM 1 Lower信号の最小パルス幅を出力電圧の零付近から遠ざけることができる。
これらのPWM 1 Upper、PWM 1 MID Upper、PWM 1 MID Lower、PWM 1 Lower信号の最小パルス幅の出力電圧方向への移動量は、Carrier 1B、Carrier 1C及びCarrier 1Dの位相によって変化するもので、これらのCarrier信号の位相を調整することによって前記最小パルス幅のタイミングを任意に調整することができる。
したがって、前記Carrier信号の位相を適切な値に設定することによって出力電圧の零付近での不連続性は改善され、マルチレベルPWMインバータの半導体スイッチの導通比率Dutyと出力電圧との関係は不感帯のない連続した特性となる。
図15及び図16は、両方で並列接続された5レベルPWMインバータ構成図であって、(a)(b)(c)によって接続される。
In this way, by delaying Carrier 1B by 90 degrees from Carrier 1A, Carrier 1C by 45 degrees from Carrier 1B, and Carrier 1D by 90 degrees from Carrier 1C, PWM 1 Upper, PWM 1 MID Upper, PWM 1 MID Lower The minimum pulse width of the PWM 1 Lower signal can be kept away from near zero of the output voltage.
The amount of movement in the output voltage direction of the minimum pulse width of these PWM 1 Upper, PWM 1 MID Upper, PWM 1 MID Lower, and PWM 1 Lower signals varies depending on the phase of Carrier 1B, Carrier 1C, and Carrier 1D. The timing of the minimum pulse width can be arbitrarily adjusted by adjusting the phase of these carrier signals.
Therefore, the discontinuity of the output voltage near zero is improved by setting the phase of the Carrier signal to an appropriate value, and the relationship between the conduction ratio Duty of the semiconductor switch of the multilevel PWM inverter and the output voltage is a dead band. There will be no continuous characteristics.
FIG. 15 and FIG. 16 are block diagrams of a 5-level PWM inverter connected in parallel in both, and are connected by (a), (b), and (c).

次に、図7に示した本発明の第2の実施形態のマルチレベルPWMインバータ12,13に5レベルPWMインバータを用い、並列接続したマルチレベルPWMインバータ同士の動作位相をずらすと共に多相キャリアの位相もずらす本発明の第4の実施形態について説明する。
図15及び図16は、本発明の第4の実施形態における本発明の要部であるスイッチング制御回路80’の構成図で、5レベルPWMインバータ回路12,13(図7,図11参照)の各アームの半導体スイッチのうち、出力端A側のアーム63,64の半導体スイッチ55〜58をスイッチング制御する回路を示しており、出力端B側のアーム65,66の半導体スイッチ55〜58も同様の構成でスイッチング制御できるので、省略してある。
なお、5レベルPWMインバータ12,13の55a,56a,57a,58a及び55b,56b,57b,58bは半導体スイッチ55〜58を駆動する回路である。
Next, a 5-level PWM inverter is used for the multi-level PWM inverters 12 and 13 of the second embodiment of the present invention shown in FIG. 7, and the operation phases of the multi-level PWM inverters connected in parallel are shifted and the multi-phase carrier A fourth embodiment of the present invention that also shifts the phase will be described.
FIGS. 15 and 16 are configuration diagrams of a switching control circuit 80 ′ which is a main part of the present invention in the fourth embodiment of the present invention, and show the five-level PWM inverter circuits 12 and 13 (see FIGS. 7 and 11). Of the semiconductor switches of each arm, a circuit for switching control of the semiconductor switches 55 to 58 of the arms 63 and 64 on the output terminal A side is shown, and the semiconductor switches 55 to 58 of the arms 65 and 66 on the output terminal B side are the same. Since switching control is possible with this configuration, it is omitted.
Note that 55a, 56a, 57a, 58a and 55b, 56b, 57b, 58b of the 5-level PWM inverters 12, 13 are circuits for driving the semiconductor switches 55-58.

図15及び図16において、スイッチング制御回路80’は、マルチレベルPWMインバータの動作周波数の1周期間に複数のキャリア信号を発生させてPWM制御信号を発生する回路で、キャリア信号を発生する三角波発生部81と、MRI装置のシーケンサ20から出力される電流指令値を入力し、この電流指令値と前記負荷電流である傾斜磁場コイル電流を検出する電流検出手段18による検出値との差が零になるように制御するための電流制御信号を出力する電流制御部82と、5レベルPWMインバータ12のアーム63,64の半導体スイッチMOSFET55〜58のゲート信号を発生する第1のゲート信号発生回路83と、5レベルPWMインバータ13のアーム63,64の半導体スイッチMOSFET55〜58のゲート信号を発生する第2のゲート信号発生回路84と、前記並列接続された5レベルPWMインバータ12と13の動作位相をずらす第1の位相シフト部85とで構成される。   15 and 16, the switching control circuit 80 ′ is a circuit that generates a plurality of carrier signals in one cycle of the operating frequency of the multilevel PWM inverter to generate a PWM control signal, and generates a triangular wave that generates a carrier signal. The difference between the current command value and the detection value by the current detection means 18 for detecting the gradient magnetic field coil current that is the load current is zeroed by inputting the current command value output from the unit 81 and the sequencer 20 of the MRI apparatus. A current control unit 82 that outputs a current control signal for controlling to be, a first gate signal generation circuit 83 that generates gate signals of the semiconductor switch MOSFETs 55 to 58 of the arms 63 and 64 of the 5-level PWM inverter 12, and The second gate signal generation circuit 84 for generating the gate signals of the semiconductor switches MOSFET 55 to 58 of the arms 63 and 64 of the 5-level PWM inverter 13 and the operations of the parallel-connected 5-level PWM inverters 12 and 13 Constituted by the first phase shifter 85 for shifting the phase.

前記第1のゲート信号発生回路83は、前記5レベルPWMインバータ12の半導体スイッチをスイッチング駆動する信号を発生する回路で、三角波発生部81で発生した三角波のキャリア信号1A’(図14(a)のキャリア信号1Aと同じ)は比較部83aに入力され、このキャリア信号1A’を第2の位相シフト部83bに入力して前記キャリア信号1A’から90度遅らせ、この遅らせたキャリア信号1B’(図14(a)のキャリア信号1Bと同じ)を比較部83cに入力し、前記キャリア信号1B’を第3の位相シフト部83dに入力して前記キャリア信号1B’から45度遅らせ、この遅らせたキャリア信号1C’(図14(a)のキャリア信号1Cと同じ)を比較部83eに入力し、そして前記キャリア信号1C’を第4の位相シフト部83fに入力して前記キャリア信号1C’ から90度遅らせ、この遅らせたキャリア信号1D’(図14(a)のキャリア信号1Dと同じ)を比較部83gに入力する。   The first gate signal generation circuit 83 is a circuit that generates a signal for switching and driving the semiconductor switch of the 5-level PWM inverter 12, and the triangular wave carrier signal 1A ′ generated by the triangular wave generation unit 81 (FIG. 14 (a)). The same carrier signal 1A) is input to the comparison unit 83a, and this carrier signal 1A ′ is input to the second phase shift unit 83b and delayed by 90 degrees from the carrier signal 1A ′, and this delayed carrier signal 1B ′ ( The same as the carrier signal 1B in FIG. 14 (a) is input to the comparison unit 83c, and the carrier signal 1B ′ is input to the third phase shift unit 83d to be delayed by 45 degrees from the carrier signal 1B ′. The carrier signal 1C ′ (same as the carrier signal 1C in FIG. 14 (a)) is input to the comparison unit 83e, and the carrier signal 1C ′ is input to the fourth phase shift unit 83f to input the carrier signal 1C ′ to 90C. This carrier signal 1D ′ (see FIG. To enter the same) and the signal 1D to the comparison unit 83 g.

これらのキャリア信号1A’,1B’,1C’,1D’は、電流制御部82から出力される電圧指令信号と前記比較部83a,83c,83e,83gで比較されて、前記電圧指令信号が前記キャリア1A’よりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記キャリア信号 1A’よりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とするPWM 1A’信号(図14(b)のPWM 1Aと同じ)を比較部83aより出力し、前記電圧指令信号が前記キャリア信号1B’よりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記キャリア信号1B’よりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とするPWM 1B’信号(図14(b)のPWM 1Bと同じ)を比較部83cより出力し、前記電圧指令信号が前記キャリア信号1C’よりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記キャリア信号 1C’よりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とするPWM 1C’信号(図14(b)のPWM 1Cと同じ)を比較部83eより出力し、そして前記電圧指令信号が前記キャリア信号1D’よりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記キャリア信号1D’よりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とするPWM 1D’信号(図14(b)のPWM 1Dと同じ)を比較部83gより出力する。   These carrier signals 1A ′, 1B ′, 1C ′, 1D ′ are compared with the voltage command signal output from the current control unit 82 by the comparison units 83a, 83c, 83e, 83g, and the voltage command signal is PWM 1A in which the logic signal “High” is set to “1” during a period longer than the carrier 1A ′, and the logic signal “Low” is set to “0” during a period in which the voltage command signal is less than the carrier signal 1A ′. 'Signal (same as PWM 1A in Fig. 14 (b)) is output from the comparison unit 83a, and during the period when the voltage command signal is larger than the carrier signal 1B', the logic signal "High" is set to "1", During the period when the voltage command signal is smaller than the carrier signal 1B ′, the PWM 1B ′ signal (same as PWM 1B in FIG. 14 (b)) that sets the logic signal “Low” to “0” is output from the comparator 83c. In the period when the voltage command signal is larger than the carrier signal 1C ′, the logic signal “High” is set to “1”, and the voltage command signal is During a period smaller than the carrier signal 1C ′, the PWM 1C ′ signal (same as PWM 1C in FIG. 14 (b)) with the logic signal “Low” being “0” is output from the comparison unit 83e, and the voltage command When the signal is larger than the carrier signal 1D ′, the logic signal “High” is set to “1”. When the voltage command signal is smaller than the carrier signal 1D ′, the logic signal “Low” is set to “0”. The PWM 1D ′ signal (same as PWM 1D in FIG. 14B) is output from the comparison unit 83g.

前記比較部部83a,83c,83e,83fから出力されたPWM 1A’,PWM 1B’,PWM 1C’,PWM 1D’は、図15及び図16に示すように、加算部83hで加算され、この加算値と比較値3、比較値2、比較値1、比較値0とを比較部83i,83j,83k,83lで比較する。
そして、前記加算値が比較値3よりも大きいときは、論理信号“High”となるPWM 1 Upper’信号(図14(c)のPWM 1 Upperと同じ)を前記比較部83iから出力し、前記加算値が比較値2よりも大きいときは、論理信号“High”となるPWM 1 MID Upper’信号(図14(c)のPWM 1 MID Upperと同じ)を前記比較部83jから出力し、前記加算値が比較値1よりも大きいときは、論理信号“High”となるPWM 1 MID Lower’信号(図14(c)のPWM 1 MID Lowerと同じ)を前記比較部83kから出力し、前記加算値が比較値0よりも大きいときは、論理信号“High”となるPWM 1 Lower’信号(図14(c)のPWM 1 Lowerと同じ)を前記比較部83lから出力する。
The PWM 1A ′, PWM 1B ′, PWM 1C ′, and PWM 1D ′ output from the comparison units 83a, 83c, 83e, and 83f are added by the addition unit 83h, as shown in FIGS. The comparison unit 83i, 83j, 83k, 83l compares the addition value with the comparison value 3, the comparison value 2, the comparison value 1, and the comparison value 0.
When the added value is larger than the comparison value 3, the PWM 1 Upper 'signal that is the logic signal “High” (same as PWM 1 Upper in FIG. 14 (c)) is output from the comparator 83i, and When the addition value is larger than the comparison value 2, the PWM 1 MID Upper 'signal (same as PWM 1 MID Upper in FIG. 14 (c)) that becomes the logic signal “High” is output from the comparison unit 83j, and the addition When the value is larger than the comparison value 1, a PWM 1 MID Lower 'signal (same as PWM 1 MID Lower in FIG. 14 (c)) that becomes the logic signal “High” is output from the comparison unit 83k, and the added value Is greater than the comparison value 0, the PWM 1 Lower ′ signal (same as PWM 1 Lower in FIG. 14C) that is the logic signal “High” is output from the comparison unit 83l.

このようにして生成したPWM 1 Upper’信号を信号反転部83mで反転し、この信号を駆動回路55aで増幅してアーム63の半導体スイッチ55をスイッチング駆動し、前記PWM 1 Upper’信号はそのまま駆動回路55bで増幅してアーム64の半導体スイッチ55をスイッチング駆動する。
前記PWM 1 MID Upper’信号は信号反転部83nで反転され、この信号を駆動回路56aで増幅してアーム63の半導体スイッチ56をスイッチング駆動し、前記PWM 1 MID Upper’信号はそのまま駆動回路56bで増幅してアーム64の半導体スイッチ56をスイッチング駆動する。
同様に、前記PWM 1 MID Lower’信号は信号反転部83oで反転され、この信号を駆動回路57aで増幅してアーム63の半導体スイッチ57をスイッチング駆動し、前記PWM 1 MID Lower’信号はそのまま駆動回路57bで増幅してアーム64の半導体スイッチ57をスイッチング駆動する。
そして、前記PWM 1 Lower’信号は信号反転部83pで反転され、この信号を駆動回路58aで増幅してアーム63の半導体スイッチ58をスイッチング駆動し、前記PWM 1 Lower’信号はそのまま駆動回路58bで増幅してアーム64の半導体スイッチ58をスイッチング駆動する。
The thus generated PWM 1 Upper 'signal is inverted by the signal inverting unit 83m, this signal is amplified by the drive circuit 55a, and the semiconductor switch 55 of the arm 63 is switched and the PWM 1 Upper' signal is driven as it is. The semiconductor switch 55 of the arm 64 is switched and amplified by the circuit 55b.
The PWM 1 MID Upper 'signal is inverted by the signal inverting unit 83n, and this signal is amplified by the drive circuit 56a to switch the semiconductor switch 56 of the arm 63. The PWM 1 MID Upper' signal is directly output by the drive circuit 56b. The semiconductor switch 56 of the arm 64 is amplified and switched.
Similarly, the PWM 1 MID Lower 'signal is inverted by the signal inverting unit 83o, this signal is amplified by the drive circuit 57a, and the semiconductor switch 57 of the arm 63 is switched and the PWM 1 MID Lower' signal is driven as it is. Amplifying by the circuit 57b, the semiconductor switch 57 of the arm 64 is driven to be switched.
Then, the PWM 1 Lower 'signal is inverted by the signal inverting unit 83p, and this signal is amplified by the drive circuit 58a to drive the semiconductor switch 58 of the arm 63, and the PWM 1 Lower' signal is directly used by the drive circuit 58b. The semiconductor switch 58 of the arm 64 is switched and driven to be amplified.

前記5レベルPWMインバータ13のアーム63、64の半導体スイッチMOSFET55〜58のゲート信号を発生する第2のゲート信号発生回路84は、前記並列接続されたマルチレベルPWMインバータ12と13の動作位相差を180度とするために、前記三角波発生部81から出力されるキャリア信号1A’から180度遅れたキャリア信号2A’を前記第1の位相シフト部85により生成し、このキャリア信号2A’を比較部84aに入力する。
そして、前記キャリア信号2A’を第5の位相シフト部84bに入力して前記キャリア信号2A’から90度遅らせ、この遅らせたキャリア信号2B’(図示省略)を比較部84cに入力し、前記キャリア信号2B’を第6の位相シフト部84dに入力して前記キャリア信号2B’から45度遅らせ、この遅らせたキャリア信号2C’(図示省略)を比較部84eに入力し、さらに前記キャリア信号2C’を第7の位相シフト部84fに入力して前記キャリア信号2C’から90度遅らせ、この遅らせたキャリア信号2D’(図示省略)を比較部84gに入力する。
The second gate signal generation circuit 84 for generating the gate signals of the semiconductor switch MOSFETs 55 to 58 of the arms 63 and 64 of the five-level PWM inverter 13 has an operation phase difference between the multi-level PWM inverters 12 and 13 connected in parallel. In order to obtain 180 degrees, a carrier signal 2A ′ delayed by 180 degrees from the carrier signal 1A ′ output from the triangular wave generation unit 81 is generated by the first phase shift unit 85, and the carrier signal 2A ′ is generated as a comparison unit. Enter in 84a.
Then, the carrier signal 2A ′ is input to the fifth phase shift unit 84b and delayed by 90 degrees from the carrier signal 2A ′, and this delayed carrier signal 2B ′ (not shown) is input to the comparison unit 84c, and the carrier signal The signal 2B ′ is input to the sixth phase shift unit 84d and delayed by 45 degrees from the carrier signal 2B ′, the delayed carrier signal 2C ′ (not shown) is input to the comparison unit 84e, and the carrier signal 2C ′ Is input to the seventh phase shift unit 84f and delayed by 90 degrees from the carrier signal 2C ′, and this delayed carrier signal 2D ′ (not shown) is input to the comparison unit 84g.

これらのキャリア信号2A’,2B’,2C’,2D’は、電流制御部82から出力される電圧指令信号と前記比較部84a,84c,84e,84gで比較されて、前記電圧指令信号が前記キャリア2A’よりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記キャリア信号 2A’よりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とするPWM 2A’信号(図示省略)を比較部84aより出力し、前記電圧指令信号が前記キャリア信号2B’よりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記キャリア信号1B’よりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とするPWM 2B’信号(図示省略)を比較部84cより出力し、前記電圧指令信号が前記キャリア2C’よりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記キャリア信号 2C’よりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とするPWM 2C’信号(図示省略)を比較部84eより出力し、そして前記電圧指令信号が前記キャリア信号2D’よりも大きい期間は、論理信号“High”を“1”とし、前記電圧指令信号が前記キャリア信号2D’よりも小さいい期間は、論理信号“Low”を“0”とするPWM 2D’信号(図示省略)を比較部84gより出力する。   These carrier signals 2A ′, 2B ′, 2C ′, 2D ′ are compared with the voltage command signal output from the current control unit 82 by the comparison units 84a, 84c, 84e, 84g, and the voltage command signal is PWM 2A in which the logical signal “High” is set to “1” during a period longer than the carrier 2A ′, and the logical signal “Low” is set to “0” during the period in which the voltage command signal is smaller than the carrier signal 2A ′. 'A signal (not shown) is output from the comparison unit 84a, and during a period when the voltage command signal is larger than the carrier signal 2B', the logic signal “High” is set to “1”, and the voltage command signal is set to the carrier signal 1B. The period smaller than 'is output from the comparator 84c a PWM 2B' signal (not shown) that sets the logic signal "Low" to "0", and the period when the voltage command signal is larger than the carrier 2C ' The logic signal “High” is set to “1”, and the voltage command signal is more than the carrier signal 2C ′. During the period, a PWM 2C ′ signal (not shown) in which the logic signal “Low” is set to “0” is output from the comparator 84e, and a period in which the voltage command signal is greater than the carrier signal 2D ′ During the period when the signal “High” is “1” and the voltage command signal is smaller than the carrier signal 2D ′, the PWM 2D ′ signal (not shown) whose logic signal “Low” is “0” is compared with the comparator 84g Output more.

前記比較部部84a,84c,84e,84fから出力されたPWM 2A’,PWM 2B’,PWM 2C’,PWM 2D’は、図15及び図16に示すように、加算部84hで加算され、この加算値と比較値3、比較値2、比較値1、比較値0とを比較部84i,84j,84k,84lで比較する。
そして、前記加算値が比較値3よりも大きいときは、論理信号“High”となるPWM 2 Upper’信号(図示省略)を前記比較部84iから出力し、前記加算値が比較値2よりも大きいときは、論理信号“High”となるPWM 2 MID Upper’信号(図示省略)を前記比較部84jから出力し、前記加算値が比較値1よりも大きいときは、論理信号“High”となるPWM 2 MID Lower’信号(図示省略)を前記比較部84kから出力し、前記加算値が比較値0よりも大きいときは、論理信号“High”となるPWM 2 Lower’信号(図示省略)を前記比較部84lから出力する。
The PWM 2A ′, PWM 2B ′, PWM 2C ′, and PWM 2D ′ output from the comparison units 84a, 84c, 84e, and 84f are added by the addition unit 84h, as shown in FIGS. The comparison unit 84i, 84j, 84k, 84l compares the addition value with the comparison value 3, the comparison value 2, the comparison value 1, and the comparison value 0.
When the added value is larger than the comparison value 3, a PWM 2 Upper 'signal (not shown) that becomes a logic signal “High” is output from the comparison unit 84i, and the added value is larger than the comparison value 2. Output a PWM 2 MID Upper 'signal (not shown) that becomes a logic signal “High” from the comparator 84j, and when the added value is larger than the comparison value 1, the PWM that becomes a logic signal “High” 2 MID Lower 'signal (not shown) is output from the comparison unit 84k, and when the added value is larger than the comparison value 0, the PWM 2 Lower' signal (not shown) that becomes the logic signal "High" Output from the unit 84l.

このようにして生成したPWM 2 Upper’信号を信号反転部84mで反転し、この信号を駆動回路55aで増幅してアーム63の半導体スイッチ55をスイッチング駆動し、前記PWM 2 Upper’信号はそのまま駆動回路55bで増幅してアーム64の半導体スイッチ55をスイッチング駆動する。
前記PWM 2 MID Upper’信号は信号反転部84nで反転され、この信号を駆動回路56aで増幅してアーム63の半導体スイッチ56をスイッチング駆動し、前記PWM 2 MID Upper’信号はそのまま駆動回路56bで増幅してアーム64の半導体スイッチ56をスイッチング駆動する。
同様に、前記PWM 2 MID Lower’信号は信号反転部84oで反転され、この信号を駆動回路57aで増幅してアーム63の半導体スイッチ57をスイッチング駆動し、前記PWM 2 MID Lower’信号はそのまま駆動回路57bで増幅してアーム64の半導体スイッチ57をスイッチング駆動する。
そして、前記PWM 2 Lower’信号は信号反転部84pで反転され、この信号を駆動回路58aで増幅してアーム63の半導体スイッチ58をスイッチング駆動し、前記PWM 2 Lower’信号はそのまま駆動回路58bで増幅してアーム64の半導体スイッチ58をスイッチング駆動する。
The thus generated PWM 2 Upper 'signal is inverted by the signal inverting unit 84m, this signal is amplified by the drive circuit 55a, and the semiconductor switch 55 of the arm 63 is switched and the PWM 2 Upper' signal is driven as it is. The semiconductor switch 55 of the arm 64 is switched and amplified by the circuit 55b.
The PWM 2 MID Upper 'signal is inverted by the signal inverting unit 84n, and this signal is amplified by the drive circuit 56a to drive the semiconductor switch 56 of the arm 63, and the PWM 2 MID Upper' signal is directly applied to the drive circuit 56b. The semiconductor switch 56 of the arm 64 is amplified and switched.
Similarly, the PWM 2 MID Lower 'signal is inverted by the signal inverting unit 84o, and this signal is amplified by the drive circuit 57a to drive the semiconductor switch 57 of the arm 63, and the PWM 2 MID Lower' signal is driven as it is. Amplifying by the circuit 57b, the semiconductor switch 57 of the arm 64 is driven to be switched.
Then, the PWM 2 Lower 'signal is inverted by the signal inverting unit 84p, and this signal is amplified by the drive circuit 58a to drive the semiconductor switch 58 of the arm 63, and the PWM 2 Lower' signal is directly applied to the drive circuit 58b. The semiconductor switch 58 of the arm 64 is switched and driven to be amplified.

このように、並列接続した5レベルPWMインバータ同士の動作位相を180度ずらすと共にそれぞれの5レベルPWMインバータの多数キャリア信号の位相をずらして制御することにより、前記並列接続による5レベルPWMインバータ同士の出力電流リップルの打ち消し合いによる負荷に流れる電流のリップル低減効果に加えて、前記3レベルPWMインバータと同様に、動作PWM制御信号(PWM 1 Upper’、PWM 1 MID Upper’、PWM 1 MID Lower’、PWM 1 Lower’及びPWM 2 Upper’、PWM 2 MID Upper’、PWM 2 MID Lower’、PWM 2 Lower’信号)の最小パルス幅を出力電圧の零付近から遠ざけることができるので、出力電圧の零付近での不連続性は改善され、マルチレベルインバータの半導体スイッチの導通比率Dutyと出力電圧との関係は不感帯のない連続した特性となる。
また、動作PWM信号の周波数も低くなるので、半導体スイッチのスイッチング損失も大幅に低減し、同じ出力を得るには、より小さな電流容量の半導体スイッチを使用できるので、マルチレベルPWMインバータ回路を用いた電源装置を小形、安価なものにすることが可能となる。
In this way, by shifting the operation phase of the 5-level PWM inverters connected in parallel by 180 degrees and controlling the phase of the majority carrier signals of the respective 5-level PWM inverters, In addition to the ripple reduction effect of the current flowing through the load due to the cancellation of the output current ripple, the operation PWM control signals (PWM 1 Upper ', PWM 1 MID Upper', PWM 1 MID Lower ', PWM 1 Lower 'and PWM 2 Upper', PWM 2 MID Upper ', PWM 2 MID Lower', and PWM 2 Lower 'signals) can be kept away from the output voltage near zero. Discontinuity is improved, and the relationship between the conduction ratio Duty of the semiconductor switch of the multilevel inverter and the output voltage is a continuous characteristic with no dead band.
Also, since the frequency of the operating PWM signal is lowered, the switching loss of the semiconductor switch is greatly reduced, and a semiconductor switch with a smaller current capacity can be used to obtain the same output, so a multi-level PWM inverter circuit was used. The power supply device can be made small and inexpensive.

なお、上述した実施の形態では、半導体スイッチにMOSFETを用いたが、これに限らず、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor; 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)やバイポーラトランジスタなどの半導体スイッチを用途に応じて用いれば良い。
さらに、上述実施形態における多相の搬送波を発生する多相搬送波発生手段と前記多相の搬送波の位相をずらす搬送波位相シフト手段に、三角波発生部から基準となる三角波を発生し、この三角波と該三角波の位相をシフトする手段による構成例を用いたが、本発明はこれに限定するものではなく、三角波発生部から多相の搬送波を発生し、これらの多相の搬送波の位相をシフトする構成でも良い。
さらにまた、3レベル及び5レベルのマルチレベルPWMインバータ回路の例をあげたが、これに限らず、前記マルチレベルPWMインバータはnレベルのPWMインバータであって、前記多相キャリアの位相シフト電気角を適切に設定すれば5レベル以上のマルチレベルPWMインバータに適用できる。
さらにまた、負荷として傾斜磁場コイルを接続したMRI装置について説明したが、静磁場もしくは高周波磁場を発生させるコイルを負荷として接続して用いることもできる。
さらにまた、動作PWM制御信号を生成するスイッチング制御回路19,19’,80,80’をハードウェアで構成する例を用いたが、これはディジタルシグナルプロセッサとマイクロコンピュータとを組合せた構成等のハードウェアを用いてソフトウェアで動作PWM制御信号を生成する方法でも可能である。
In the above-described embodiment, the MOSFET is used for the semiconductor switch. However, the present invention is not limited to this, and if a semiconductor switch such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) or a bipolar transistor is used depending on the application. good.
Further, a triangular wave serving as a reference is generated from a triangular wave generating unit in the multiphase carrier generating means for generating a multiphase carrier in the above-described embodiment and the carrier phase shift means for shifting the phase of the multiphase carrier, and the triangular wave and the triangular wave Although the configuration example using the means for shifting the phase of the triangular wave is used, the present invention is not limited to this, and a configuration in which a multiphase carrier wave is generated from the triangular wave generator and the phase of these multiphase carrier waves is shifted. But it ’s okay.
Furthermore, although examples of 3 level and 5 level multi-level PWM inverter circuits have been given, the present invention is not limited thereto, and the multi-level PWM inverter is an n-level PWM inverter, and the phase shift electrical angle of the multi-phase carrier If it is set appropriately, it can be applied to multi-level PWM inverters with 5 levels or more.
Furthermore, although an MRI apparatus in which a gradient magnetic field coil is connected as a load has been described, a coil that generates a static magnetic field or a high-frequency magnetic field can be connected and used as a load.
Furthermore, although an example in which the switching control circuits 19, 19 ′, 80, and 80 ′ for generating the operation PWM control signal are configured by hardware is used, this is a hardware configuration such as a combination of a digital signal processor and a microcomputer. It is also possible to use a method of generating an operation PWM control signal by software using hardware.

本発明の第1の実施形態である3レベルPWMインバータによる電源装置を用いたMRI装置の傾斜磁場電源装置を示すブロック図。1 is a block diagram showing a gradient magnetic field power supply device of an MRI apparatus using a power supply device using a three-level PWM inverter according to a first embodiment of the present invention. 3レベルPWMインバータの回路図。A circuit diagram of a 3-level PWM inverter. 多相キャリア方式による3レベルPWMインバータの動作説明図。The operation explanatory diagram of the three-level PWM inverter by the polyphase carrier system. 3レベルPWMインバータにおける半導体スイッチの導通比率と出力電圧との関係を示す図。The figure which shows the relationship between the conduction ratio of the semiconductor switch in a 3 level PWM inverter, and an output voltage. 3レベルPWMインバータの多相キャリアの位相をずらした本発明の第1の実施形態におけるスイッチング制御回路構成図。FIG. 2 is a configuration diagram of a switching control circuit in the first embodiment of the present invention in which the phases of the multiphase carriers of the three-level PWM inverter are shifted. 図5のスイッチング制御回路の各部の波形図。FIG. 6 is a waveform diagram of each part of the switching control circuit of FIG. 本発明の第2の実施形態である並列接続3レベルPWMインバータによる電源装置を用いたMRI装置の傾斜磁場電源装置を示すブロック構成図。The block block diagram which shows the gradient magnetic field power supply device of the MRI apparatus using the power supply device by the parallel connection 3 level PWM inverter which is the 2nd Embodiment of this invention. 多相キャリア方式の3レベルPWMインバータを2組並列に接続した場合のPWM制御信号生成法の説明図。Explanatory drawing of the PWM control signal generation method at the time of connecting two sets of 3 phase PWM inverters of a polyphase carrier system in parallel. 並列接続した3レベルPWMインバータ同士の動作位相をずらすと共に多相キャリアの位相もずらした本発明の第2の実施形態におけるスイッチング制御回路構成図。The switching control circuit block diagram in the 2nd Embodiment of this invention which shifted the operation | movement phase of 3 level PWM inverters connected in parallel, and shifted the phase of the multiphase carrier. 図9のスイッチング制御回路の各部の波形図。FIG. 10 is a waveform diagram of each part of the switching control circuit of FIG. 5レベルPWMインバータの回路図。A circuit diagram of a 5-level PWM inverter. 5レベルPWMインバータに多相キャリア方式を用いた場合の動作説明図。Operation diagram when using multi-phase carrier method for 5-level PWM inverter. 5レベルPWMインバータの多相キャリアの位相をずらした本発明の第3の実施形態におけるスイッチング制御回路構成図。The switching control circuit block diagram in the 3rd Embodiment of this invention which shifted the phase of the multiphase carrier of a 5-level PWM inverter. 図13のスイッチング制御回路の各部の波形図。FIG. 14 is a waveform diagram of each part of the switching control circuit of FIG. 並列接続した5レベルPWMインバータ同士の動作位相をずらすと共に多相キャリアの位相もずらした本発明の第4の実施形態におけるスイッチング制御回路構成図。The switching control circuit block diagram in the 4th Embodiment of this invention which shifted the operation | movement phase of 5-level PWM inverters connected in parallel, and also shifted the phase of the multiphase carrier. 並列接続した5レベルPWMインバータ同士の動作位相をずらすと共に多相キャリアの位相もずらした本発明の第4の実施形態におけるスイッチング制御回路構成図。The switching control circuit block diagram in the 4th Embodiment of this invention which shifted the operation | movement phase of 5-level PWM inverters connected in parallel, and also shifted the phase of the multiphase carrier.

符号の説明Explanation of symbols

1 傾斜磁場コイル、2 傾斜磁場電源装置、6 X軸コイル、7 Y軸コイル、8 Z軸コイル、9〜11 電流増幅器、12,13 マルチレベルPWMインバータ、18 電流検出手段、19、19’ 3レベルPWMインバータのスイッチング制御回路、20 MRI装置のシーケンサ、23,24 3レベルPWMインバータの半導体スイッチ、40 三角波発生部、41 電流制御部、42 3レベルPWMインバータの第1のゲート信号発生回路、42a 第2の位相シフト部、42b,42c 比較部、42d 加算部、42e,42f 比較部、43 3レベルPWMインバータの第2のゲート信号発生回路、43a 第3の位相シフト部、43b,43c 比較部、43d 加算部、43e,43f 比較部、44 第1の位相シフト部、55〜58 5レベルPWMインバータの半導体スイッチ、80、80’ 5レベルPWMインバータのスイッチング制御回路、81 三角波発生部、82 電流制御部、83 5レベルPWMインバータの第1のゲート信号発生回路、84 5レベルPWMインバータの第2のゲート信号発生回路、85 第2のゲート信号発生回路の第1の位相シフト部   1 Gradient magnetic field coil, 2 Gradient magnetic field power supply, 6 X-axis coil, 7 Y-axis coil, 8 Z-axis coil, 9-11 Current amplifier, 12, 13 Multi-level PWM inverter, 18 Current detection means, 19, 19 '3 Level PWM inverter switching control circuit, 20 MRI device sequencer, 23, 24 3-level PWM inverter semiconductor switch, 40 triangular wave generator, 41 current controller, 42 3-level PWM inverter first gate signal generator, 42a 2nd phase shift unit, 42b, 42c comparison unit, 42d addition unit, 42e, 42f comparison unit, 43 3rd level PWM inverter second gate signal generation circuit, 43a 3rd phase shift unit, 43b, 43c comparison unit , 43d addition unit, 43e, 43f comparison unit, 44 first phase shift unit, 55-58 5 level PWM inverter semiconductor switch, 80, 80 '5 level PWM inverter switching control circuit, 81 triangular wave generation unit, 82 current Control unit, 83 5 level The first gate signal generation circuit of the PWM inverter, the second gate signal generation circuit of the 84 5-level PWM inverter, the first phase shift unit of the 85 second gate signal generation circuit

Claims (5)

パルス幅変調制御マルチレベルインバータと、このマルチレベルインバータの負荷への出力電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段による検出値と電流指令値との差が零になるように制御する制御信号により前記マルチレベルインバータを駆動制御するスイッチング制御手段とを備えた電源装置において、前記スイッチング制御手段は、多相の搬送波を発生する多相搬送波発生手段と、前記多相の搬送波の位相をずらす搬送波位相シフト手段と、前記多相搬送波発生手段及び前記搬送波位相シフト手段で生成された搬送波と前記制御信号とに基づいて前記マルチレベルインバータを駆動制御する駆動信号生成手段とを備えたことを特徴とする電源装置。   Pulse width modulation control multi-level inverter, current detection means for detecting the output current to the load of this multi-level inverter, and control for controlling the difference between the value detected by this current detection means and the current command value to be zero And a switching control unit that drives and controls the multilevel inverter by a signal. The switching control unit shifts the phase of the multiphase carrier wave from the multiphase carrier wave generation unit that generates a multiphase carrier wave. A carrier phase shift means; and a drive signal generation means for driving and controlling the multilevel inverter based on the carrier wave generated by the multiphase carrier wave generation means and the carrier wave phase shift means and the control signal. Power supply. 請求項1において、前記多相搬送波発生手段及び搬送波位相シフト手段は、基準となる搬送波と、この搬送波から所定の位相をずらした搬送波を生成する手段であって、前記駆動信号生成手段は、前記基準搬送波及び前記位相をずらした搬送波と前記制御信号とを比較する第1の比較手段と、この第1の比較手段の出力を加算する手段と、この加算手段の出力と複数の基準比較値とを比較する第2の比較手段とを備えたことを特徴とする電源装置。   2. The multiphase carrier generation means and the carrier phase shift means according to claim 1, wherein the multiphase carrier generation means and the carrier phase shift means are means for generating a reference carrier and a carrier having a predetermined phase shifted from the carrier. A first comparison means for comparing the control signal with a reference carrier wave and the carrier wave whose phase is shifted; an output means for adding the output of the first comparison means; an output of the addition means; and a plurality of reference comparison values; And a second comparison means for comparing the two. 請求項1または2において、前記マルチレベルインバータは、複数の並列接続された同一レベル数のパルス幅変調制御マルチレベルインバータであって、前記複数のマルチレベルインバータ間のスイッチング位相をずらす並列インバータ間位相シフト手段をさらに備えたことを特徴とする電源装置。   3. The parallel inverter phase according to claim 1, wherein the multi-level inverter is a plurality of parallel-connected pulse-width modulation control multi-level inverters of the same level number, wherein the switching phase between the plurality of multi-level inverters is shifted. A power supply apparatus further comprising shift means. 幅変調制御マルチレベルインバータと、このマルチレベルインバータの負荷への出力電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段による検出値と電流指令値との差が零になるように制御する制御信号により前記マルチレベルインバータを駆動制御するスイッチング制御手段とを備えた電源装置を有する磁気共鳴イメージング装置であって、前記負荷は磁場発生用コイルとし、前記電源装置に請求項1または2のいずれか一項に記載の電源装置を用いたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。   Width modulation control multi-level inverter, current detection means for detecting the output current to the load of this multi-level inverter, and control signal for controlling the difference between the detected value by this current detection means and the current command value to be zero 3. A magnetic resonance imaging apparatus having a power supply device including a switching control unit that drives and controls the multi-level inverter according to claim 1, wherein the load is a magnetic field generating coil, and the power supply device has any one of claims 1 and 2. A magnetic resonance imaging apparatus using the power supply device according to the item. 複数の並列接続された同一レベル数のパルス幅変調制御マルチレベルインバータと、このマルチレベルインバータの負荷への出力電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段による検出値と電流指令値との差が零になるように制御する制御信号により前記マルチレベルインバータを駆動制御するスイッチング制御手段とを備えた電源装置を有する磁気共鳴イメージング装置であって、前記負荷は磁場発生用コイルとし、前記電源装置に請求項3に記載の電源装置を用いたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。   A plurality of parallel-connected pulse width modulation control multilevel inverters of the same level number, current detection means for detecting an output current to the load of the multilevel inverter, and a detection value and a current command value by the current detection means A magnetic resonance imaging apparatus having a power supply device including a switching control means for driving and controlling the multilevel inverter by a control signal for controlling the difference to be zero, wherein the load is a magnetic field generating coil, and the power supply A magnetic resonance imaging apparatus using the power supply apparatus according to claim 3 as the apparatus.
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