JP2002278514A - Electro-optical device - Google Patents

Electro-optical device

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JP2002278514A
JP2002278514A JP2001079600A JP2001079600A JP2002278514A JP 2002278514 A JP2002278514 A JP 2002278514A JP 2001079600 A JP2001079600 A JP 2001079600A JP 2001079600 A JP2001079600 A JP 2001079600A JP 2002278514 A JP2002278514 A JP 2002278514A
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current
optical element
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temperature
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Koji Numao
孝次 沼尾
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    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/02Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/029Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
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    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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    • G09G2320/04Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G09G2320/045Compensation of drifts in the characteristics of light emitting or modulating elements

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To correct luminance and hue by detecting secular changes in organic EL elements. SOLUTION: A prescribed voltage is applied to organic EL elements 54 by a current-measuring circuit 34 and the current flows are measured; and a temperature measurement circuit 35 estimates the temperature of the organic EL elements. Comparison is made for the voltage value applied to the elements 54, the flow of current values and the estimated temperature, the changes due to aging of the applied voltage-current characteristics beforehand, obtained for the elements having a same constitution of the elements 54, the changes due to aging in the current-luminance characteristics and the temperature at the time of the characteristics measurements for estimating the current- luminance characteristics of the elements. Then, the total sum of the amount of currents, being supplied to first electrooptical elements in the interval during which display data, are displayed is changed so as to obtain the luminance that is to be originally displayed, based on the estimated values of the current- luminance characteristics, the values of the current flowing in the elements and the display data.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、自発光素子や液晶
素子等の電気光学素子を用いた電気光学装置に関し、特
に、有機EL素子やFED等の自発光素子を画素毎に配
置した表示基板や表示装置として好適に用いられる電気
光学装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electro-optical device using an electro-optical element such as a self-luminous element or a liquid crystal element, and more particularly to a display substrate on which a self-luminous element such as an organic EL element or FED is arranged for each pixel. And an electro-optical device suitably used as a display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、有機EL(Electro Lu
menescence)やFED(Field Emi
ssion Devise)等、自発光素子を用いた薄
型の表示装置の開発が活発に行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, organic EL (Electro Lu) has been developed.
menesence) or FED (Field Emi)
For example, a thin display device using a self-light-emitting element, such as a device such as a “ssion device”, has been actively developed.

【0003】これらの自発光素子を用いた装置では、素
子の発光輝度が素子を流れる電流密度に比例することが
知られている。また、素子特性、特に印加電圧−電流特
性がばらつくことが知られており、これらの装置では定
電流源を用いた駆動回路が好ましいとされている。
It is known that in these devices using self-luminous elements, the light emission luminance of the elements is proportional to the current density flowing through the elements. In addition, it is known that element characteristics, particularly applied voltage-current characteristics vary, and it is considered that a drive circuit using a constant current source is preferable in these devices.

【0004】しかし、実際に定電流源駆動回路を作製す
ることは困難であるので、定電圧源を用いて定電流化駆
動を行っている。この場合には、素子を流れる電流を検
出する手段を設けて、その検出手段で検出した電流が一
定になるように制御する方法が提案されている。
However, since it is difficult to actually manufacture a constant current source driving circuit, constant current driving is performed using a constant voltage source. In this case, a method has been proposed in which a means for detecting a current flowing through the element is provided and the current detected by the detecting means is controlled to be constant.

【0005】図1は、このような電流検出手段を用いて
輝度補正を行う有機ELディスプレイの一例であり、特
開2000−187467号公報に開示されている有機
EL素子を用いたマトリックス型表示装置の構成を示す
図である。この表示装置において、有機ELパネル12
1は、マトリックス状に形成された陰極(C0〜Cn)と
陽極(S0〜Sm)およびその交点に配置された有機EL
素子から構成されており、陰極(C0〜Cn)の各電極を
駆動するための陰極駆動回路122、陽極(S 0〜Sm
の各電極を駆動するための陽極駆動回路(PG1、P
2、・・・、PG m)123およびその陽極駆動回路か
らの出力電流を検出するための電流検出回路(IS1
IS2、・・・、ISm)124が接続されている。そし
て、電流検出回路ISxで検出した電流値を制御装置1
25に入力し、検出した電流に応じて画素の点灯時間ま
たは点灯電流を調整する構成となっている。なお、電流
検出回路ISxは、図2に示すように、抵抗R1の両端
の電圧差をA/D変換回路126により検出して出力す
る構成となっている。
FIG. 1 shows an example of such a current detecting means.
This is an example of an organic EL display that performs brightness correction.
Organic compounds disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-187467.
2 shows a configuration of a matrix type display device using EL elements.
FIG. In this display device, the organic EL panel 12
1 is a cathode (C) formed in a matrix.0~ Cn)When
Anode (S0~ Sm) And the organic EL arranged at the intersection
Element, and the cathode (C0~ Cn)
A cathode drive circuit 122 for driving the anode (S 0~ Sm)
Drive circuit (PG1, P
GTwo, ..., PG m) 123 and its anode drive circuit
Current detection circuit (IS1,
ISTwo, ..., ISm) 124 are connected. Soshi
And the current detection circuit ISxThe current value detected by the control device 1
25 to the pixel lighting time according to the detected current.
Alternatively, the lighting current is adjusted. Note that the current
Detection circuit ISxAre both ends of the resistor R1 as shown in FIG.
A / D conversion circuit 126 detects and outputs the voltage difference
Configuration.

【0006】また、有機EL素子においては、一定電圧
条件で素子を駆動していても、流れる電流値が経時変化
により変化することが指摘されている。そこで、このよ
うな経時変化に対して、電流測定を行って輝度補正を行
う手段が提案されている。
It has also been pointed out that in an organic EL element, even when the element is driven under a constant voltage condition, the value of a flowing current changes with time. Therefore, there has been proposed a means for performing a current measurement and correcting the luminance with respect to such a temporal change.

【0007】図3は、このような電流検出手段を用いて
輝度補正を行う有機ELディスプレイの一例であり、特
開平10−254410号公報に開示されている表示装
置の構成を示す図である。この表示装置においては、表
示パネル109の全有機EL素子を同一の定電圧で駆動
し、各有機EL素子に流れる電流値を測定し、その計測
した電流値を電流値メモリ108に記憶させ、その記憶
データとA/D変換回路101を通して外部から入力さ
れた表示データを演算回路102により処理することに
より、各画素を流れる電流量の総和を調整する。具体的
には、全ての画素の電流値を測定し、発光輝度特性の劣
化が最大となる有機EL素子を流れる電流を基準として
選び、各有機EL素子の発光電流を基準電流で除して各
有機EL素子の階調データを補正し、その補正された階
調データに基づいて有機EL素子の発光時間を制御す
る。なお、表示パネル109の各画素を構成する有機E
L素子の電流測定段は、図4に示すように、FET20
2と有機EL素子205との間に電流検出器204を配
置し、電流検出器204の出力をA/D変換器206で
デジタルデータ化して電流値メモリ207へ記憶させる
構成となっている。
FIG. 3 shows an example of an organic EL display which performs luminance correction using such a current detecting means, and is a view showing a configuration of a display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-254410. In this display device, all the organic EL elements of the display panel 109 are driven at the same constant voltage, the current value flowing through each organic EL element is measured, and the measured current value is stored in the current value memory 108. The arithmetic circuit 102 processes the stored data and display data externally input through the A / D conversion circuit 101 to adjust the total amount of current flowing through each pixel. Specifically, the current values of all the pixels are measured, and the current flowing through the organic EL element in which the deterioration of the light emission luminance characteristics is maximized is selected as a reference, and the light emission current of each organic EL element is divided by the reference current to obtain a value. The gradation data of the organic EL element is corrected, and the light emission time of the organic EL element is controlled based on the corrected gradation data. Note that the organic E forming each pixel of the display panel 109 is
As shown in FIG. 4, the current measuring stage of the L element
A current detector 204 is arranged between the second and the organic EL element 205, and the output of the current detector 204 is converted into digital data by the A / D converter 206 and stored in the current value memory 207.

【0008】さらに、これらの自発光素子では、印加電
圧−発光電流特性が素子の温度で変化することが指摘さ
れている。図5に、自発光素子の一例として、有機EL
素子の温度特性の例を示す。この図5において、横軸は
印加電圧を示し、縦軸は素子を流れる電流を示す。この
図から、温度変化により同じ電圧を印加しても発光電流
が変化することが分かる。そこで、パネル温度を検出し
て素子へ印加する電圧を調整することにより、素子を流
れる電流を調整する方法が提案されている。
Furthermore, it has been pointed out that in these self-luminous elements, the applied voltage-luminous current characteristics change with the temperature of the element. FIG. 5 shows an organic EL as an example of a self-luminous element.
4 shows an example of a temperature characteristic of an element. In FIG. 5, the horizontal axis indicates the applied voltage, and the vertical axis indicates the current flowing through the element. From this figure, it can be seen that the emission current changes even when the same voltage is applied due to a temperature change. Therefore, a method has been proposed in which a panel temperature is detected and a voltage applied to the element is adjusted to adjust a current flowing through the element.

【0009】図5は、このような温度検出手段を用いて
輝度補正を行う有機電界発光素子の一例であり、特開平
7−122361号公報に開示されている輝度補正手段
のブロック構成を示す図である。この有機電界発光素子
160の温度は、その近傍に配置された温度検出器16
2で検出される。また、その温度検出器162から検出
した温度に対応した電圧VtempがA/D変換器163を
通してROM164へ入力される。ROM164から
は、入力された温度に対応して予め記憶させたデータ
が、D/A変換機165および可変電圧増幅器166を
通して駆動電源部161へ出力される。なお、温度検出
器162は、図7に示すように、サーミスタ167と固
定抵抗168からなり、サーミスタ167の温度特性に
従って検出温度に対応した出力電圧Vtempが得られる構
成となっている。
FIG. 5 shows an example of an organic electroluminescent device which performs luminance correction using such a temperature detecting means, and shows a block diagram of the luminance correcting means disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-122361. It is. The temperature of the organic electroluminescent element 160 is determined by the temperature detector 16 disposed in the vicinity thereof.
2 is detected. Further, a voltage V temp corresponding to the temperature detected from the temperature detector 162 is input to the ROM 164 through the A / D converter 163. Data stored in advance corresponding to the input temperature is output from the ROM 164 to the drive power supply unit 161 through the D / A converter 165 and the variable voltage amplifier 166. As shown in FIG. 7, the temperature detector 162 includes a thermistor 167 and a fixed resistor 168, and is configured to obtain an output voltage V temp corresponding to the detected temperature according to the temperature characteristics of the thermistor 167.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】図8に、自発光素子の
経時変化特性の一例として、有機EL素子の経時変化特
性の例を示す。この図8において、横軸は経過時間を示
し、破線(a)で示す印加電圧(右側縦軸)は、素子を
流れる電流をある一定値とするために必要な印加電圧が
どのように変化するかを示す。実線(b)で示す標準化
輝度(左側縦軸)は初期輝度を1としたときに電流をあ
る一定値とした条件で輝度がどのように変化するかを示
す。この図から、有機EL素子では、(b)に示すよう
に素子を流れる電流を一定とするように印加電圧を調整
しても、(a)に示すように素子特性の経時変化により
発光輝度が落ちていくという問題がある。
FIG. 8 shows an example of the change over time of the organic EL element as an example of the change over time of the self-luminous element. In FIG. 8, the horizontal axis indicates elapsed time, and the applied voltage indicated by the broken line (a) (vertical axis on the right) changes how the applied voltage necessary to make the current flowing through the element a certain value is changed. Indicates The standardized brightness (left vertical axis) shown by the solid line (b) shows how the brightness changes under the condition that the current is a certain value when the initial brightness is 1. From this figure, in the organic EL device, even if the applied voltage is adjusted so that the current flowing through the device is constant as shown in (b), the light emission luminance is changed due to the aging of the device characteristics as shown in (a). There is a problem of falling.

【0011】従って、特開平7−122361号公報の
ように、素子温度を検出して輝度を補正する手段では、
図8に示すような自発光素子における電流−輝度特性の
経時変化を補正する手段が無いため、上記問題に対して
対応することができない。
Accordingly, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-122361, means for detecting the element temperature and correcting the luminance includes:
Since there is no means for correcting the temporal change of the current-luminance characteristic in the self-luminous element as shown in FIG. 8, the above problem cannot be dealt with.

【0012】また、特開2000−187467号公報
や特開平10−254410号公報のように、特定電圧
を印加した状態で素子を流れる電流を測定し、その電流
値を用いて輝度を補正する方法においても、図8に示す
ような自発光素子における電流−輝度特性の経時変化を
補正する手段は開示されていない。
Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2000-187467 and 10-254410, a method of measuring a current flowing through an element in a state where a specific voltage is applied, and correcting the luminance using the current value. Does not disclose means for correcting a change over time in the current-luminance characteristics of the self-luminous element as shown in FIG.

【0013】すなわち、特開2000−187467号
公報の技術では、自発光素子を流れる電流値が一定とな
るように経時変化を補正する手段が開示されている。し
かし、この従来技術では、図8に示すような自発光素子
における電流−輝度特性の経時変化を補正することはで
きない。
That is, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-187467 discloses a means for correcting a temporal change so that a current value flowing through a self-luminous element becomes constant. However, according to this conventional technique, it is not possible to correct a temporal change in the current-luminance characteristics of the self-luminous element as shown in FIG.

【0014】さらに、特開平10−254410号公報
の技術では、発光輝度特性の劣化が最大である有機EL
素子の発光電流を基準として、他の有機EL素子の駆動
電流を補正する手段が開示されている。しかし、この従
来技術では、基準とする有機EL素子の駆動電流を補正
していないので、各有機EL素子間の相対的な経時変化
特性を補償することはできるが、各有機EL素子の絶対
的な経時変化特性を補償することはできない。
Further, according to the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-254410, the organic EL device in which the degradation of the light emission luminance characteristic is the largest is disclosed.
Means for correcting the drive current of another organic EL element based on the emission current of the element is disclosed. However, in this conventional technique, since the driving current of the reference organic EL element is not corrected, the relative aging characteristics between the organic EL elements can be compensated. It is not possible to compensate for the aging characteristics.

【0015】例えば、パネル温度は一定であると予想す
ることができるので、パネル内の各有機EL素子に一定
電流を流すために必要な電圧を測定することにより、各
有機EL素子の相対的な経時変化のばらつきを知ること
ができる。しかし、一定電流を流すために必要な電圧が
初期値よりも10%増大したとしても、その原因が図5
に示した温度変化によるものか、または図8の経時変化
によるものかが分からなければ、各有機EL素子の絶対
的な経時変化特性を補償することはできない。
For example, since the panel temperature can be expected to be constant, the relative voltage of each organic EL element is measured by measuring the voltage required to supply a constant current to each organic EL element in the panel. It is possible to know the variation over time. However, even if the voltage required for flowing a constant current is increased by 10% from the initial value, the cause is as shown in FIG.
If it is not known whether the change is due to the temperature change shown in FIG. 8 or the change with time in FIG. 8, the absolute time-dependent change characteristics of each organic EL element cannot be compensated.

【0016】すなわち、上記従来技術では、各有機EL
素子間の経時変化特性のばらつきを補償することはでき
ても、各有機EL素子の絶対的な輝度特性の補正をする
ことはできない。この場合、使用時間に応じて画面が暗
くなる等の問題が生じる。
That is, in the above prior art, each organic EL
Although it is possible to compensate for variations in the aging characteristics between elements, it is not possible to correct absolute luminance characteristics of each organic EL element. In this case, a problem such as darkening of the screen according to the usage time occurs.

【0017】特に、カラー表示を行う有機EL素子にお
いては、RGB各色で発光に使われる発光材料が異なる
ので、RGB各色で温度特性および経時変化特性が異な
る。従って、RGB各色の相対的電流を比較するだけで
は、RGB各色間での経時変化による輝度特性を補正す
ることはできない。このため、RGB各色間の相対的な
輝度特性が経時変化により変化し、表示画像の色味の変
化となって現れる。このような色味変化が生じると、T
V映像等で人間の顔が映るときに、顔色が変化して見え
るので深刻な問題である。
In particular, in an organic EL element for performing color display, since the luminescent material used for light emission is different for each of the RGB colors, the temperature characteristics and the aging characteristics are different for each of the RGB colors. Therefore, it is not possible to correct the luminance characteristics due to the temporal change between the RGB colors only by comparing the relative currents of the RGB colors. For this reason, the relative luminance characteristics between the respective colors of RGB change with the passage of time and appear as a change in the tint of the display image. When such a color change occurs, T
This is a serious problem because when a human face is reflected in a V-picture or the like, the complexion appears to change.

【0018】本発明は、このような従来技術の課題を解
決するべくなされたものであり、有機EL素子等の自発
光素子の経時変化を検出し、輝度や色味補正を行うこと
ができる電気光学装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve such problems of the prior art, and detects an aging change of a self-luminous element such as an organic EL element, and is capable of correcting luminance and color. It is an object to provide an optical device.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置
は、表示データを入力する手段と、マトリックス状に配
置された第一の電気光学素子によって表示データを表示
する手段と、該第一の電気光学素子または該第一の電気
光学素子を制御するアクティブ素子に所定の電圧を印加
して流れる電流を測定する手段と、該第一の電気光学素
子の周辺に配置した温度測定手段によって該第一の電気
光学素子の温度を類推する手段と、該第一の電気光学素
子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧
値、該第一の電気光学素子に流れる電流値および該第一
の電気光学素子の温度の類推値と、該第一の電気光学素
子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電流
特性の経時変化、電流−輝度特性の経時変化および特性
測定時の温度を予め求めておいたものとを比較して、該
第一の電気光学素子の電流−輝度特性を類推する手段
と、得られた電流−輝度特性の類推値、該第一の電気光
学素子に流れる電流値および表示データに基づいて、本
来表示すべき輝度が得られるように、その表示データを
表示する期間に該第1の電気光学素子に供給する電流量
の総和を変更する手段とを有し、そのことにより上記目
的が達成される。
According to the present invention, there is provided an electro-optical device comprising: means for inputting display data; means for displaying display data by means of first electro-optical elements arranged in a matrix; Means for measuring a current flowing by applying a predetermined voltage to the electro-optical element or the active element for controlling the first electro-optical element, and a temperature measuring means arranged around the first electro-optical element. A means for estimating the temperature of one electro-optical element, a voltage value applied to the first electro-optical element or an active element controlling the same, a current value flowing through the first electro-optical element, and the first electric element. An analogy value of the temperature of the optical element and the time-dependent change of the applied voltage-current characteristic, the time-dependent change of the current-luminance characteristic, and the temperature at the time of characteristic measurement for the electro-optical element having the same configuration as the first electro-optical element are determined in advance. Means for estimating the current-luminance characteristics of the first electro-optical element, comparing the obtained current-luminance characteristics, and the current flowing through the first electro-optical element. Means for changing a total amount of current supplied to the first electro-optical element during a period in which the display data is displayed, based on the value and the display data, so that a luminance to be originally displayed is obtained, Thereby, the above object is achieved.

【0020】本発明の電気光学装置は、表示データを入
力する手段と、マトリックス状に配置された第一の電気
光学素子によって表示データを表示する手段と、該第一
の電気光学素子または該第一の電気光学素子を制御する
アクティブ素子に電圧を印加して流れる電流を測定する
手段と、該第一の電気光学素子の周辺に配置した第二の
電気光学素子と、該第二の電気光学素子または該第二の
電気光学素子を制御するアクティブ素子に電圧を印加し
て流れる電流を測定する手段と、該第二の電気光学素子
またはそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値
および該第二の電気光学素子に流れる電流値と、該第一
の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に
印加した電圧値および該第一の電気光学素子に流れる電
流値とを比較して、該第一の電気光学素子の電流−輝度
特性を類推する手段と、得られた電流−輝度特性の類推
値、該第一の電気光学素子に流れる電流値および表示デ
ータに基づいて、本来表示すべき輝度が得られるよう
に、その表示データを表示する期間に該第1の電気光学
素子に供給する電流量の総和を変更する手段とを有し、
そのことにより上記目的が達成される。
According to the electro-optical device of the present invention, there are provided a means for inputting display data, a means for displaying display data by first electro-optical elements arranged in a matrix, and a means for displaying the first electro-optical element or the first electro-optical element. Means for measuring a current flowing by applying a voltage to an active element for controlling one electro-optical element, a second electro-optical element disposed around the first electro-optical element, and the second electro-optical element Means for applying a voltage to the element or the active element for controlling the second electro-optical element to measure a current flowing therethrough; a voltage value applied to the second electro-optical element or the active element for controlling the second electro-optical element; By comparing the current value flowing through the second electro-optical element with the voltage value applied to the first electro-optical element or the active element controlling the same and the current value flowing through the first electro-optical element Means for estimating the current-luminance characteristic of the first electro-optical element, and displaying the original current-luminance characteristic based on the estimated value of the obtained current-luminance characteristic, the current value flowing through the first electro-optical element, and the display data. Means for changing a total amount of current supplied to the first electro-optical element during a period in which the display data is displayed, so that power luminance is obtained;
Thereby, the above object is achieved.

【0021】前記第二の電気光学素子またはそれを制御
するアクティブ素子に電圧を印加する頻度は、前記第一
の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に
電圧を印加する頻度よりも少ないことが望ましい。
The frequency of applying a voltage to the second electro-optical element or the active element for controlling the same should be less than the frequency of applying a voltage to the first electro-optical element or the active element for controlling the same. desirable.

【0022】この場合、第二の電気光学素子は経時変化
がほとんど無いと考える。そこで、この第2の電気光学
素子の印加電圧−電流特性を調べれば、経時変化に関係
しない素子温度を知ることができる。この素子温度と第
一の電気光学素子の印加電圧−電流特性を比べることに
より、第一の電気光学素子の経時変化の様子を類推する
ことが可能である。なお、この第一の電気光学素子の経
時変化は、一旦温度の類推を経なくても、直接第二の電
気光学素子の印加電圧−電流特性から求めることも可能
である。また、この第一の電気光学素子の経時変化の類
推は、表示に先駆けて予め行うことが可能である。
In this case, it is considered that the second electro-optical element hardly changes with time. Therefore, by examining the applied voltage-current characteristics of the second electro-optical element, it is possible to know the element temperature that is not related to the change with time. By comparing the element temperature with the applied voltage-current characteristic of the first electro-optical element, it is possible to infer the state of the first electro-optical element over time. In addition, the temporal change of the first electro-optical element can be directly obtained from the applied voltage-current characteristic of the second electro-optical element without once estimating the temperature. The analogy of the change over time of the first electro-optical element can be performed in advance before displaying.

【0023】すなわち、前記第一の電気光学素子を流れ
る電流値または該電流値を処理して得られたデータを記
憶する記憶手段を有し、該記憶手段から読み出したデー
タに基づいて、該第一の電気光学素子に供給する電流量
の総和を変更してもよい。
That is, there is provided storage means for storing a current value flowing through the first electro-optical element or data obtained by processing the current value, and based on the data read out from the storage means, The total amount of current supplied to one electro-optical element may be changed.

【0024】前記第一の電気光学素子と同じ構成の電気
光学素子について、印加電圧−電流特性の経時変化、電
流−輝度特性の経時変化および特性測定時の温度を予め
求めておいたものを記憶する記憶手段を有していてもよ
い。
With respect to the electro-optical element having the same configuration as the first electro-optical element, the change with time of the applied voltage-current characteristic, the change with time of the current-luminance characteristic and the temperature at the time of measuring the characteristic are stored. May be provided.

【0025】前記第二の電気光学素子と同じ構成の電気
光学素子について、印加電圧−電流特性および特性測定
時の温度を予め求めておいたものを記憶する記憶手段を
有していてもよい。
The electro-optical element having the same configuration as that of the second electro-optical element may have a storage means for storing an applied voltage-current characteristic and a temperature at which the characteristic is measured beforehand.

【0026】前記第一の電気光学素子またはそれを制御
するアクティブ素子に印加した電圧値、該第一の電気光
学素子に流れる電流値および該第一の電気光学素子の温
度の類推値を外部に送出する手段、または前記記憶手段
に記憶するデータを外部から受信して書き換える手段を
有していてもよい。また、前記第二の電気光学素子また
はそれを制御するアクティブ素子に印加した電圧値、該
第二の電気光学素子に流れる電流値および該第二の電気
光学素子の温度の類推値を外部に送出する手段、または
前記記憶手段に記憶するデータを外部から受信して書き
換える手段を有していてもよい。なお、出荷時に経時変
化を充分把握していない場合に書き換えが有効であり、
経時変化を把握して新谷出荷するものに適用する場合に
送出が有効であるため、送信機能と受信機能の両方を有
していない構成も可能である。
A voltage value applied to the first electro-optical element or an active element for controlling the first electro-optical element, a current value flowing through the first electro-optical element, and an estimated value of a temperature of the first electro-optical element are externally provided. It may have a means for sending out, or a means for externally receiving and rewriting data stored in the storage means. In addition, a voltage value applied to the second electro-optical element or an active element that controls the second electro-optical element, a current value flowing through the second electro-optical element, and an analog value of a temperature of the second electro-optical element are sent to the outside. And means for rewriting the data stored in the storage means by receiving it from outside. Note that rewriting is effective when the changes over time are not sufficiently understood at the time of shipment.
Since transmission is effective when the change is recognized over time and applied to a product to be shipped from Shintani, a configuration not having both the transmission function and the reception function is also possible.

【0027】本発明の電気光学装置は、表示データを入
力する手段と、マトリックス状に配置された第一の電気
光学素子によって表示データを表示する手段と、記憶手
段と、該記憶手段から読み出したデータを基に、その表
示データを表示する期間に該第1の電気光学素子に供給
する電流量の総和を変更する手段とを有する電気光学装
置であって、さらに、該記憶手段に記憶するデータを外
部から受信して書き換える手段を有し、そのことにより
上記目的が達成される。この場合、外部からデータを送
って本来表示すべき輝度が得られるように記憶手段に書
き換えることも可能であり、本来表示すべきでない輝度
が得られるように記憶手段に書き換えることも可能であ
る。
According to the electro-optical device of the present invention, there are provided means for inputting display data, means for displaying display data by first electro-optical elements arranged in a matrix, storage means, and data read from the storage means. Means for changing a total amount of current supplied to the first electro-optical element during a period in which the display data is displayed based on the data, the data being stored in the storage means. Means for externally receiving and rewriting, thereby achieving the above object. In this case, the data can be sent from the outside and rewritten to the storage means so that the luminance that should be displayed can be obtained, or the data can be rewritten to the storage means so that the luminance that should not be displayed can be obtained.

【0028】以下に、本発明の作用について説明する。The operation of the present invention will be described below.

【0029】本発明にあっては、第一の電気光学素子ま
たはそれを制御するアクティブ素子に所定の電圧を印加
して流れる電流を測定して第一の電気光学素子の電流−
輝度特性を類推し、得られた電流−輝度特性の類推値、
第一の電気光学素子に流れる電流値および表示データに
基づいて、本来表示すべき輝度が得られるように、その
表示データを表示する期間に第1の電気光学素子に供給
する電流量の総和を変更する。
According to the present invention, a current flowing by applying a predetermined voltage to the first electro-optical element or an active element for controlling the first electro-optical element is measured to determine the current of the first electro-optical element.
By analogizing the luminance characteristics, the obtained current-analog value of the luminance characteristics,
On the basis of the current value flowing through the first electro-optical element and the display data, the total amount of the current supplied to the first electro-optical element during the period in which the display data is displayed is determined so that the luminance to be originally displayed is obtained. change.

【0030】この構成では、第1の電気光学素子の電流
を測定する手段自体が電源電圧の低下(ドロップ)をも
たらすことが懸念されるので、第一の電気光学素子の通
常表示時に電流を供給する第一の電流供給ラインと、電
流測定時に電流を供給する第二の電流供給ラインを用意
して、電流測定時には第一の電流供給ラインをオープン
状態にする構成とするのが好ましい。
In this configuration, since the means for measuring the current of the first electro-optical element itself may cause a drop (drop) in the power supply voltage, the current is supplied during the normal display of the first electro-optical element. It is preferable to prepare a first current supply line to be supplied and a second current supply line to supply a current at the time of current measurement, and to make the first current supply line open at the time of current measurement.

【0031】第一の電気光学素子の電流−輝度特性を類
推する第一の手段においては、後述する実施形態1に示
すように、第一の電気光学素子またはそれを制御するア
クティブ素子に所定の電圧を印加して流れる電流を測定
すると共に、第一の電気光学素子の周辺に配置した温度
測定手段によって第一の電気光学素子の温度を類推す
る。そして、第一の電気光学素子またはそれを制御する
アクティブ素子に印加した電圧値、第一の電気光学素子
に流れる電流値および第一の電気光学素子の温度の類推
値と、第一の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子に
ついて、印加電圧−電流特性の経時変化、電流−輝度特
性の経時変化および特性測定時の温度を予め測定または
予測しておいたデータとを比較して、第一の電気光学素
子の電流−輝度特性を類推する。
In the first means for estimating the current-luminance characteristic of the first electro-optical element, as described in a first embodiment described later, the first electro-optical element or an active element for controlling the first electro-optical element is provided with a predetermined value. The current flowing when the voltage is applied is measured, and the temperature of the first electro-optical element is inferred by temperature measuring means arranged around the first electro-optical element. A voltage value applied to the first electro-optical element or an active element that controls the first electro-optical element, a current value flowing through the first electro-optical element, and an analog value of the temperature of the first electro-optical element; For the electro-optical element having the same configuration as the element, the time-dependent change of the applied voltage-current characteristic, the time-dependent change of the current-luminance characteristic, and the temperature at the time of the characteristic measurement are compared with data that have been measured or predicted in advance. The current-luminance characteristics of the electro-optical element are analogized.

【0032】この第一の電気光学素子の温度を類推する
手段は、熱電対やサーミスタ等の温度測定手段を第一の
電気光学素子に隣接して配置したり、一体化して配置す
るなど、素子の周辺に配置することにより実現すること
ができる。また、これらの温度測定手段を電気光学素子
と一体形成する場合、複数の温度測定手段を形成し、そ
れら複数の温度測定手段のうちの正常動作するものを用
いて温度測定を行うことにより、温度測定手段の製造歩
留まりが悪くとも、電気光学装置の製造歩留まりへの影
響を防ぐことができる。
The means for estimating the temperature of the first electro-optical element can be obtained by, for example, arranging a temperature measuring means such as a thermocouple or a thermistor adjacent to the first electro-optical element, or by integrally disposing the element. Can be realized by arranging them in the vicinity of. Further, when these temperature measuring means are formed integrally with the electro-optical element, a plurality of temperature measuring means are formed, and the temperature is measured by using a normally operating one of the plurality of temperature measuring means. Even if the production yield of the measuring means is low, it is possible to prevent the influence on the production yield of the electro-optical device.

【0033】このように、素子温度を知って予め測定ま
たは予測しておいた第一の電気光学素子の印加電圧−電
流特性と比較することにより、第一の電気光学素子の温
度特性に影響されず、経時変化の絶対値を知ることが可
能となる。これにより、カラー表示を行う電気光学素子
においても、RGB各色の絶対輝度のばらつきを補正で
きるので、人間の肌色をきれいに再現することが可能と
なる。
As described above, the temperature characteristic of the first electro-optical element is influenced by comparing the applied voltage-current characteristic of the first electro-optical element, which is measured or predicted in advance by knowing the element temperature. Instead, the absolute value of the change with time can be known. As a result, even in an electro-optical element that performs color display, variations in the absolute luminance of each of the RGB colors can be corrected, so that it is possible to reproduce human flesh colors neatly.

【0034】第一の電気光学素子の電流−輝度特性を類
推する第二の手段においては、後述する実施形態2に示
すように、第一の電気光学素子またはそれを制御するア
クティブ素子に電圧を印加して流れる電流を測定すると
共に、第一の電気光学素子の周辺に配置した第二の電気
光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に電圧を
印加して流れる電流を測定する。そして、第二の電気光
学素子またはそれを制御するアクティブ素子に印加した
電圧値および第二の電気光学素子に流れる電流値と、第
一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子
に印加した電圧値、第一の電気光学素子に流れる電流値
および第一の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子に
ついて、印加電圧−電流特性の経時変化、電流−輝度特
性の経時変化を予め求めておいたものとを比較して、第
一の電気光学素子の電流−輝度特性を類推する。
In the second means for estimating the current-luminance characteristics of the first electro-optical element, as will be described later in a second embodiment, a voltage is applied to the first electro-optical element or an active element for controlling the first electro-optical element. The applied current is measured, and at the same time, a current is measured by applying a voltage to the second electro-optical element disposed around the first electro-optical element or an active element that controls the second electro-optical element. Then, the voltage value applied to the second electro-optical element or the active element controlling the same and the current value flowing to the second electro-optical element, and the voltage applied to the first electro-optical element or the active element controlling the same. Values, current values flowing through the first electro-optical element, and time-dependent changes in applied voltage-current characteristics and time-dependent changes in current-luminance characteristics of an electro-optical element having the same configuration as the first electro-optical element were determined in advance. The current-luminance characteristics of the first electro-optical element are inferred by comparing the current-luminance characteristics.

【0035】上記第二の電気光学素子またはそれを制御
するアクティブ素子は、通常は電圧を印加されることな
く保持されており、印加電圧−電流特性の劣化が無い状
態で保持されていると考えられる。従って、この特性を
用いて上記第二の電気光学素子の温度を類推することが
可能であり、ひいては第一の電気光学素子の温度を類推
することが可能である。
The second electro-optical element or the active element for controlling the second electro-optical element is normally held without applying a voltage, and is considered to be held without deterioration of the applied voltage-current characteristics. Can be Therefore, it is possible to estimate the temperature of the second electro-optical element by using this characteristic, and thus it is possible to estimate the temperature of the first electro-optical element.

【0036】特に、後述する実施形態3に示すように、
同じプロセスで作製され、ほぼ同じ構成を有する電気光
学素子の一部を上記第二の電気光学素子とし、残りを上
記第一の電気光学素子とすることにより、余分なプロセ
スを必要とせず、好ましい。
In particular, as shown in a third embodiment described below,
Made by the same process, a part of the electro-optical element having substantially the same configuration as the second electro-optical element, and the other as the first electro-optical element, no extra process is required, preferred .

【0037】なお、第一の電気光学素子と第二の電気光
学素子を同一構成で作製する場合、第二の電気光学素子
の印加電圧−電流特性が、第一の電気光学素子の劣化の
ない状態での印加電圧−電流特性と考えられる。この場
合には、一旦素子温度を求めなくても、両者の印加電圧
−電流特性の違いから直接第一の電気光学素子の電流−
輝度特性を推測することが可能となる。
When the first electro-optical element and the second electro-optical element are manufactured with the same configuration, the applied voltage-current characteristic of the second electro-optical element does not degrade the first electro-optical element. It is considered that the applied voltage-current characteristics in the state. In this case, even if the element temperature is not determined once, the current-
The luminance characteristics can be estimated.

【0038】この場合、第一の電気光学素子の印加電圧
−電流特性の経時変化、および電流−輝度特性の経時変
化を予め求めておいた方が良いが、両者の間にある程度
の相関関係があれば、予め測定しておかなくても、その
相関関係を計算により求めることも可能である。
In this case, it is better to obtain the change with time of the applied voltage-current characteristic and the change with time of the current-luminance characteristic of the first electro-optical element in advance, but there is some correlation between them. If so, the correlation can be obtained by calculation without having to measure it in advance.

【0039】なお、上記第二の電気光学素子またはそれ
を制御するアクティブ素子に電圧を印加する頻度が第一
の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子に
電圧を印加する頻度よりも少なく、第二の電気光学素子
が実質的に劣化の少ない状態で保持されていれば、上記
第二の電気光学素子に対して印加電圧−電流特性測定時
以外に電圧が印加されてもよい。例えば、表示画面の一
部(4隅の各1画素)を第二の電気光学素子として用い
ることができ、印加する電圧はほとんど発光させないレ
ベル(最大輝度の1/10000以下等)であればよ
い。第二の電気光学素子が実質的に劣化の少ない状態で
あるか否かは、例えば図8の経時変化特性では、1H以
内であれば劣化していないのと同等と考えられるので、
1画素当たりの電圧−電流測定時間をその範囲で収める
ことが考えられる。1秒間に表示期間が60フレームあ
るとして、図16の構成により測定を行う場合、1画素
当たりの電圧−電流測定時間を10μs以内とすれば、
1日当たり24×60×60×10μs=51.84秒
である。1Hの劣化に達するためには、60×60/5
1.84≒69日必要になる。さらに、経時変化は数時
間程度経っても大きく変化しないと考えられるので、1
日1回または1時間に1回、各画素当たりの電圧−電流
測定を、各画素当たり1秒以内で測定すればよい。1時
間に1回測定すると仮定した場合でも、1Hの劣化に達
するまでにはその60×60×60倍の時間がかかるこ
とになる。
The frequency of applying a voltage to the second electro-optical element or the active element controlling the same is lower than the frequency of applying a voltage to the first electro-optical element or the active element controlling the same. As long as the two electro-optical elements are held in a state of substantially less deterioration, a voltage may be applied to the second electro-optical element other than at the time of measuring the applied voltage-current characteristics. For example, a part of the display screen (one pixel at each of the four corners) can be used as the second electro-optical element, and the applied voltage may be at a level that hardly emits light (eg, 1 / 10,000 or less of the maximum luminance). . Whether the second electro-optical element is substantially in a state of little deterioration is considered to be equivalent to no deterioration within 1H, for example, in the time-dependent change characteristic of FIG.
It is conceivable to keep the voltage-current measurement time per pixel within the range. Assuming that the display period is 60 frames per second and the measurement is performed by the configuration of FIG. 16, if the voltage-current measurement time per pixel is within 10 μs,
24 × 60 × 60 × 10 μs = 51.84 seconds per day. To reach 1H degradation, 60 × 60/5
1.84 to 69 days are required. Further, since the change with time is not considered to change significantly even after several hours, 1
The voltage-current measurement for each pixel may be performed within one second for each pixel once a day or once an hour. Even if it is assumed that measurement is performed once an hour, it will take 60 × 60 × 60 times longer to reach 1H degradation.

【0040】このように、ほとんど劣化を起こさない第
二の電気光学素子の印加電圧−電流特性を調べることに
より、その第二の電気光学素子の素子温度を尻、第一の
電気光学素子の素子温度を類推することが可能である。
As described above, by examining the applied voltage-current characteristics of the second electro-optical element which causes almost no deterioration, the element temperature of the second electro-optical element is reduced, and the element of the first electro-optical element is reduced. It is possible to infer the temperature.

【0041】さらに、上記第二の電気光学素子と第一の
電気光学素子をほとんど同じ構成として、第二の電気光
学素子へ電圧−電流特性測定時以外にはほとんど電圧を
印加させないことにより、両者の電圧−電流測定を図れ
ば、第一の電気光学素子の電圧−電流特性を、同じ温度
で経時変化の無い電圧−電流特性と比較することができ
るので、一旦温度を求めなくても第一の電気光学素子の
絶対的な経時変化を求めることが可能となる。
Further, the second electro-optical element and the first electro-optical element have almost the same configuration, and a voltage is hardly applied to the second electro-optical element except at the time of measuring the voltage-current characteristics. By measuring the voltage-current characteristics of the first electro-optical element, it is possible to compare the voltage-current characteristics of the first electro-optical element with the voltage-current characteristics that do not change with time at the same temperature. It is possible to obtain an absolute change with time of the electro-optical element.

【0042】この場合、第一の電気光学素子の印加電圧
−電流特性の経時変化および電流−輝度特性の経時変化
を予め求めておいた方が良いが、両者の間にある程度の
相関関係があれば、予め測定しておかなくても、その相
関関係を用いて計算により求めることも可能である。
In this case, it is better to determine beforehand the change over time in the applied voltage-current characteristic and the change over time in the current-brightness characteristic of the first electro-optical element, but there is some correlation between the two. For example, even if it is not measured in advance, it can be obtained by calculation using the correlation.

【0043】ところで、本発明において、上記第一の電
気光学素子の印加電圧−電流特性を測定する際には、上
記第一の電気光学素子による表示が行われる。従来技術
である特開2000−187467号公報に示されてい
るようなパッシブマトリックス型表示装置においては、
表示を行いながら電流を測定することが可能であるの
で、上記電流測定値を記憶するための手段は必要ない。
しかし、従来技術である特開平10−254410号公
報に示されているようなアクティブマトリックス型表示
装置においては、表示を行いながら電流を測定すること
が困難であるので、上記電流測定値を記憶するための手
段が必要である。そこで、第一の電気光学素子を流れる
電流値または電流値を処理して得られたデータを記憶す
る記憶手段を設けて、その記憶手段から読み出したデー
タを用いるようにしてもよい。さらに、第一の電気光学
素子と同じ構成の電気光学素子について、印加電圧−電
流特性の経時変化、電流−輝度特性の経時変化および特
性測定時の温度を予め測定または予測して求めておいた
データを記憶する記憶手段を設けて、その記憶手段から
読み出したデータを用いるようにしてもよい。または、
第二の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子につい
て、印加電圧−電流特性から特性測定時の温度を予め求
めておいたものを記憶する記憶手段を設けて、その記憶
手段から読み出したデータを用いて上記温度を類推する
ようにしてもよい。
By the way, in the present invention, when measuring the applied voltage-current characteristics of the first electro-optical element, display is performed by the first electro-optical element. In a passive matrix display device as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-187467,
Since the current can be measured while performing the display, there is no need for a means for storing the current measured value.
However, in an active matrix type display device as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-254410, it is difficult to measure a current while performing display. Means is needed. Therefore, a storage unit for storing a current value flowing through the first electro-optical element or data obtained by processing the current value may be provided, and data read from the storage unit may be used. Further, with respect to the electro-optical element having the same configuration as the first electro-optical element, the time-dependent change of the applied voltage-current characteristic, the time-dependent change of the current-luminance characteristic, and the temperature at the time of characteristic measurement were measured or predicted in advance. A storage unit for storing data may be provided, and data read from the storage unit may be used. Or
For the electro-optical element having the same configuration as the second electro-optical element, a storage unit is provided for storing a temperature at which the temperature at the time of characteristic measurement is previously obtained from the applied voltage-current characteristic, and data read from the storage unit is stored. The above temperature may be used to infer the temperature.

【0044】なお、本発明において、「電気光学素子を
流れる電流値に基づいて」という記載は、直接電流測定
手段から得た電流値だけではなく、その電流値を処理し
て得られたデータや、上記電流値やその電流値を処理し
て得られたデータを一旦記憶手段に記憶させてから読み
出したデータを用いることも含むということを意味す
る。
In the present invention, the phrase “based on the current value flowing through the electro-optical element” means not only the current value obtained from the direct current measuring means but also data obtained by processing the current value. This means that the current value and the data obtained by processing the current value are temporarily stored in the storage means and then the read data is used.

【0045】このように、記憶手段を用いて予め測定し
た各画素の電圧−電流測定結果や、電流−輝度特性の類
推値等を記憶させることにより、各フレーム毎に電圧−
電流測定を行う必要がなくなる。このことにより、電圧
−電流測定による発光期間の減少や、第二の電気光学素
子の経時変化を少なく抑えることが可能となる。
As described above, by storing the voltage-current measurement result of each pixel and the analogy of the current-luminance characteristic, etc., which are measured in advance using the storage means, the voltage-current is measured for each frame.
There is no need to perform a current measurement. This makes it possible to suppress a decrease in the light emission period due to the voltage-current measurement and a change with time of the second electro-optical element.

【0046】また、予め測定または予測しておいた第二
の電気光学素子の印加電圧−電流特性を記憶手段に記憶
させておくことにより、上記電圧−電流測定温度を特定
し、温度変化による要因と経時変化による要因とを区別
することが可能となる。
Further, by storing the applied voltage-current characteristic of the second electro-optical element, which is measured or predicted in advance, in the storage means, the voltage-current measurement temperature is specified, and the factor due to the temperature change is specified. And a factor due to a change with time can be distinguished.

【0047】さらに、予め測定または予測しておいた第
一の電気光学素子の印加電圧−電流特性と温度と経時変
化の関係を記憶手段に記憶させておくことにより、上記
温度と比較することにより、第一の電気光学素子の温度
特性に影響されることなく、経時変化の絶対値を知るこ
とが可能となる。
Further, the relationship between the applied voltage-current characteristics of the first electro-optical element, the temperature, and the change with time, which is measured or predicted in advance, is stored in the storage means, so that the temperature can be compared with the temperature. The absolute value of the change with time can be known without being influenced by the temperature characteristics of the first electro-optical element.

【0048】上記経時変化のデータは、電気光学装置の
出荷時に分からなくても、後からインターネットや放送
・通信手段等を通して順次最新のデータを受信して、更
新するようにすることもできる。また、上記温度デー
タ、第一の電気光学素子や第二の電気光学素子の印加電
圧−電流特性等、測定または類推データを装置外に発信
する機能があれば、上記電流−輝度特性を類推する処理
を電気光学装置内で行わなくても、他の装置により行う
ことが可能である。この場合、上記測定データをインタ
ーネットや通信手段等を通して送出し、必要な電流−輝
度特性等のデータをインターネットや放送・通信手段等
を通して受信して、各記憶手段に記憶させることも可能
である。
Even if the data of the change with time is not known at the time of shipment of the electro-optical device, the latest data may be sequentially received and updated later through the Internet, broadcasting / communication means, or the like. Further, if there is a function of transmitting measurement or analogy data to the outside of the apparatus, such as the temperature data, the applied voltage-current characteristic of the first electro-optical element or the second electro-optical element, the current-luminance characteristic is analogized. Even if the processing is not performed in the electro-optical device, the processing can be performed by another device. In this case, it is also possible to send out the measurement data through the Internet or communication means and receive necessary data such as current-brightness characteristics through the Internet or broadcasting / communication means and store it in each storage means.

【0049】経時変化の測定は時間がかかり、一方、携
帯端末等のライフサイクルは短くなっている。そこで、
ディスプレイを販売する時点でその経時変化を測定する
のが間に合わない場合も考えられる。しかし、デジタル
放送やインターネットの普及に伴って、ほとんどのディ
スプレイはこれらの用途に使用されている。そこで、デ
ィスプレイの販売時に上記特性を測定しておかなくて
も、後でデジタル放送やインターネットを通して、これ
らのデータをディスプレイに与えることも可能である。
また、経時変化の補正データを、ディスプレイ側で作成
しなくても、第一の電気光学素子の印加電圧−電流特性
と測定温度を基地局へ送り、代りに各画素の電流補正特
性を受信して、そのデータを記憶素子に直接記憶させる
ことにより、電流補正を行うことも可能である。さら
に、各端末装置の経時変化データを基地局に送信するこ
とにより、そのディスプレイの状態をメーカー側で把握
することも可能である。
The measurement of the change over time takes time, while the life cycle of a portable terminal or the like is shortened. Therefore,
There may be cases where it is not possible to measure the change over time when a display is sold. However, with the spread of digital broadcasting and the Internet, most displays are used for these purposes. Therefore, even if the above characteristics are not measured at the time of selling the display, it is also possible to give these data to the display later through digital broadcasting or the Internet.
Also, even if the correction data of the aging change is not created on the display side, the applied voltage-current characteristic of the first electro-optical element and the measured temperature are sent to the base station, and instead, the current correction characteristic of each pixel is received. By directly storing the data in the storage element, it is also possible to perform current correction. Further, by transmitting the time-dependent change data of each terminal device to the base station, it is possible for the manufacturer to grasp the state of the display.

【0050】なお、上記記憶データをインターネットや
放送・通信手段を通して受信する考え方は、上記電気光
学素子の経時変化処理に利用できるだけではなく、広く
映像処理全般に適用可能である。特に、最新の映像処理
技術(データやソフトウェア)が開発された場合に、そ
の処理技術が新規製品に適用できるだけでは新規技術が
利用される機会が少なくなる。しかし、既存の製品にも
適用可能であれば、広く新規技術を利用することがで
き、技術開発効果が浸透されやすい環境を構築すること
が可能である。
The concept of receiving the stored data via the Internet or broadcasting / communication means can be used not only for the aging process of the electro-optical element but also for a wide range of video processing in general. In particular, when the latest video processing technology (data or software) is developed, the chance of using the new technology is reduced if the processing technology can only be applied to a new product. However, if it can be applied to existing products, new technologies can be widely used, and an environment in which the effects of technology development can be easily spread can be constructed.

【0051】[0051]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0052】以下の実施形態1〜実施形態4では、電気
光学素子として図9に示す有機EL素子を用いる。この
有機EL素子9は、ガラス基板1の上にAl等からなる
陰極2、有機多層膜3およびITO(Indium T
in Oxide)等の透明材料からなる陽極3がこの
順に形成されている。有機多層膜4としては、いくつか
の構造が考えられるが、ここでは陰極2の上に電子輸送
層5としてAlq(tris−(8−hydroxyq
uinoline)aluminum)等を、発光層6
として図10(a)のDPVBi(1,4−bis
(2,2−diphenylvinyl)biphen
yl(青色発光層)や図10(b)のZn(oxz)2
(青色発光層)、図10(c)の Alq(赤色発光
層)や図10(d)のDCMをドーパントとしたAlq
(緑色発光層)を、正孔輸送層7として図10(e)の
TPDを、正孔注入層(または陽極バッファ層)8とし
て図10(f)のCuPcを積層した構成とする。
In the following embodiments 1 to 4, the organic EL device shown in FIG. 9 is used as the electro-optical device. The organic EL element 9 includes a cathode 2 made of Al or the like, an organic multilayer film 3 and an ITO (Indium T
An anode 3 made of a transparent material such as in oxide is formed in this order. Several structures can be considered as the organic multilayer film 4. Here, Alq (tris- (8-hydroxyq) is used as the electron transport layer 5 on the cathode 2.
uinoline / aluminum) etc. in the light emitting layer 6
As shown in FIG. 10A, DPVBi (1,4-bis
(2,2-diphenylvinyl) biphen
yl (blue light emitting layer) or Zn (oxz) 2 in FIG.
(Blue light emitting layer), Alq (red light emitting layer) in FIG. 10 (c) or Alq using DCM in FIG. 10 (d) as a dopant.
The (green light emitting layer) has a configuration in which the TPD of FIG. 10E is stacked as the hole transport layer 7 and the CuPc of FIG. 10F is stacked as the hole injection layer (or anode buffer layer) 8.

【0053】さらに、アクティブマトリックス型の表示
装置において、このような有機EL素子を駆動するため
のTFTとしては、電荷移動度の大きなシリコンを用い
て作製したTFTを用いる。そこで、以下に、実施形態
1〜実施形態4で用いるTFTを作製するための製造プ
ロセスについて説明する。なお、この作製プロセスにつ
いては、例えば特開平10−301536号公報等にお
いても説明されている。
Further, in an active matrix type display device, a TFT manufactured using silicon having a large charge mobility is used as a TFT for driving such an organic EL element. Therefore, a manufacturing process for manufacturing the TFT used in the first to fourth embodiments will be described below. This manufacturing process is also described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-301536.

【0054】まず、図11(a)〜図11(c)に示す
ように、ガラス基板11上に非晶質シリコン薄膜12を
堆積させ、この非晶質シリコン薄膜12にエキシマレー
ザを照射して多結晶シリコン薄膜13を形成する。
First, as shown in FIGS. 11A to 11C, an amorphous silicon thin film 12 is deposited on a glass substrate 11, and the amorphous silicon thin film 12 is irradiated with an excimer laser. A polycrystalline silicon thin film 13 is formed.

【0055】次に、図11(d)および図11(e)に
示すように、上記多結晶シリコン薄膜13を所望の形状
にパターニングしてアクティブ領域14を形成し、その
上にゲート絶縁膜15を形成する。そして、図11
(f)に示すように、薄膜トランジスタのゲート電極1
6をアルミニウム等で形成する。
Next, as shown in FIGS. 11D and 11E, the polycrystalline silicon thin film 13 is patterned into a desired shape to form an active region 14, on which a gate insulating film 15 is formed. To form And FIG.
As shown in (f), the gate electrode 1 of the thin film transistor
6 is formed of aluminum or the like.

【0056】続いて、図12(g)に示すように、一方
の薄膜トランジスタのゲート電極16をレジスト材17
で覆った後、P+イオンドーピングを行う。これによ
り、上記レジスト材17で覆われていないゲート電極1
6側のアクティブ領域14のうち、ゲート電極16でマ
スクされた領域以外がn+領域18となる。そして、図
12(h)に示すように、図12(g)で形成したレジ
スト材17を除去した後、他方の薄膜トランジスタのゲ
ート電極16をレジスト材19で覆った後、B+イオン
ドーピングを行う。これにより、上記レジスト材19で
覆われていないゲート電極16側のアクティブ領域14
のうち、ゲート電極16でマスクされた領域以外がp+
領域20となる。すなわち、図12(g)および図12
(h)において、薄膜トランジスタのソース・ドレイン
領域に不純物(n型領域にはP(燐)、p型領域にはB
(硼素))が注入される。
Subsequently, as shown in FIG. 12G, the gate electrode 16 of one of the thin film transistors is replaced with a resist material 17.
Then, P + ion doping is performed. Thereby, the gate electrode 1 not covered with the resist material 17 is formed.
In the active region 14 on the sixth side, the region other than the region masked by the gate electrode 16 becomes the n + region 18. Then, as shown in FIG. 12H, after removing the resist material 17 formed in FIG. 12G, the gate electrode 16 of the other thin film transistor is covered with a resist material 19, and B + ion doping is performed. As a result, the active region 14 on the side of the gate electrode 16 not covered with the resist material 19 is formed.
Out of the region other than the region masked by the gate electrode 16 is p +
An area 20 is obtained. That is, FIG. 12 (g) and FIG.
In (h), an impurity (P (phosphorus) in the n-type region and B (phosphorus) in the p-type region)
(Boron)) is implanted.

【0057】その後、図12(i)に示すように、n+
領域18およびp+領域20が形成された薄膜トランジ
スタ上に、二酸化シリコンまたは窒化シリコン等からな
る層間絶縁膜21を堆積する。そして、図12(j)お
よび図12(k)に示すように、層間絶縁膜21上にコ
ンタクトホール22を形成した後、アルミニウム等の金
属配線23を形成する。
Thereafter, as shown in FIG.
On the thin film transistor in which the region 18 and the p + region 20 are formed, an interlayer insulating film 21 made of silicon dioxide or silicon nitride is deposited. Then, as shown in FIGS. 12 (j) and 12 (k), after a contact hole 22 is formed on the interlayer insulating film 21, a metal wiring 23 such as aluminum is formed.

【0058】以上の工程において、プロセスの最高温度
はゲート絶縁膜形成時の600℃であるので、ガラス基
板1としては、米国コーニング社製の1737ガラス等
の高耐熱性ガラス等を仕様することができる。
In the above steps, the maximum temperature of the process is 600 ° C. during the formation of the gate insulating film. Therefore, as the glass substrate 1, high heat resistant glass such as 1737 glass manufactured by Corning Incorporated in the United States may be used. it can.

【0059】なお、上記電気光学装置においては、この
薄膜トランジスタの形成後に、さらに別の層間絶縁膜を
介して図9に示す陰極2を形成し、その後、図9の各層
を形成する。さらに、これらの各層を形成後、外気と遮
断するためにガラス蓋等を用いて封止する。
In the above-mentioned electro-optical device, after the formation of the thin film transistor, the cathode 2 shown in FIG. 9 is formed via another interlayer insulating film, and then each layer shown in FIG. 9 is formed. Further, after forming each of these layers, sealing is performed using a glass lid or the like in order to shield from outside air.

【0060】(実施形態1)図13は、本発明の一実施
形態である電気光学装置の構成を説明するためのシステ
ム構成図である。本実施形態では、電気光学素子の電流
輝度特性を類推する手段として、上記第一の手段を用い
た例について説明する。
(Embodiment 1) FIG. 13 is a system configuration diagram for explaining the configuration of an electro-optical device according to an embodiment of the present invention. In the present embodiment, an example will be described in which the first means is used as a means for estimating the current-luminance characteristics of the electro-optical element.

【0061】この電気光学装置は、基板31上にゲート
側配線Ciとデータ配線Sjが互いに交差(ここでは直
交)するように配置され、その交点に画素Aijが配置
されている。また、ゲート側配線Ciに電圧を印加する
ための駆動回路として走査側駆動回路33が、データ配
線Sjを駆動するための駆動回路としてデータ側駆動回
路32が配置されている。
In this electro-optical device, the gate-side wiring Ci and the data wiring Sj are arranged on the substrate 31 so as to intersect (here, orthogonal), and the pixel Aij is arranged at the intersection. Further, a scanning side driving circuit 33 is arranged as a driving circuit for applying a voltage to the gate side line Ci, and a data side driving circuit 32 is arranged as a driving circuit for driving the data line Sj.

【0062】信号処理制御回路38へ入力されたデータ
は、記憶手段40に記憶された電気光学素子の電圧−電
流特性の温度特性および経時変化特性と、記憶手段39
に記憶された各画素の電圧−電流測定値と、温度測定回
路35に記憶された測定温度を用いて加工され、データ
側駆動回路32へ出力され、データ側駆動回路32から
データ配線Sjへデータが供給される。
The data input to the signal processing control circuit 38 are stored in the storage means 40 as temperature and aging characteristics of the voltage-current characteristics of the electro-optical element and storage means 39.
Is processed using the measured voltage-current value of each pixel and the measured temperature stored in the temperature measuring circuit 35, output to the data driving circuit 32, and transmitted from the data driving circuit 32 to the data wiring Sj. Is supplied.

【0063】図13に示す画素構成は、有機EL用画素
TFT回路として一般的に用いられている構成である。
各画素Aijは、図9にその積層構造を示した有機EL
素子53と、その有機EL素子53に直列に接続された
TFT54と、そのTFT54のゲート側に接続された
TFT55およびコンデンサ56から構成されている。
The pixel configuration shown in FIG. 13 is a configuration generally used as an organic EL pixel TFT circuit.
Each pixel Aij has an organic EL whose stacked structure is shown in FIG.
It comprises a device 53, a TFT 54 connected in series to the organic EL device 53, a TFT 55 and a capacitor 56 connected to the gate side of the TFT 54.

【0064】これらTFT54、55やコンデンサ56
は、図11および図12を用いて説明したTFT作製プ
ロセスにより形成される。また、走査側駆動回路33や
データ側駆動回路32、その他の基板31上の素子や回
路は、上記TFT作製プロセスにより形成する場合と、
別に作製した素子や回路を後から基板31上に搭載する
場合とがある。
The TFTs 54 and 55 and the capacitor 56
Are formed by the TFT manufacturing process described with reference to FIGS. Further, the scanning-side driving circuit 33, the data-side driving circuit 32, and other elements and circuits on the substrate 31 are formed by the above-described TFT manufacturing process.
In some cases, a separately manufactured element or circuit is mounted on the substrate 31 later.

【0065】上記第一の手段は、図13に示す電流測定
回路34、温度測定回路35および信号処理制御回路3
8により実現される。
The first means comprises a current measuring circuit 34, a temperature measuring circuit 35 and a signal processing control circuit 3 shown in FIG.
8 is realized.

【0066】本実施形態では、温度測定回路35とし
て、表示画素に隣接して設けた抵抗37とサーミスタ3
6の抵抗比がパネル温度により変化することを利用し
て、サーミスタの温度(すなわちパネルの温度)を測定
する回路を用いている。また、本実施形態では、温度測
定回路35が表示部の周囲に4個配置されている。これ
らの温度測定回路35やサーミスタ36、抵抗37が図
11および図12を用いて説明したTFT作製プロセス
により形成される場合には、これらの素子や回路を多数
形成しても大きなコストアップ要因とはならない。そこ
で、これらの温度測定回路やサーミスタ、抵抗等の温度
測定手段の歩留まりを考慮して、表示部の周囲に必要と
されるよりも多くの温度測定手段を配置し、正常に動作
するものを選んで用いることができる。これにより、温
度測定手段を作製することによる製造歩留まり低下を防
ぐことができるので、好ましい。
In this embodiment, as the temperature measuring circuit 35, a resistor 37 provided adjacent to a display pixel and the thermistor 3
A circuit for measuring the temperature of the thermistor (that is, the temperature of the panel) using the fact that the resistance ratio of 6 changes with the panel temperature is used. In this embodiment, four temperature measuring circuits 35 are arranged around the display unit. When these temperature measurement circuit 35, thermistor 36, and resistor 37 are formed by the TFT manufacturing process described with reference to FIGS. 11 and 12, even if a large number of these elements and circuits are formed, a large cost increase factor is caused. Not be. Therefore, in consideration of the yield of these temperature measuring circuits, thermistors, temperature measuring means such as resistors, etc., arrange more temperature measuring means around the display section than necessary and select one that operates normally. Can be used. This is preferable because the production yield can be prevented from lowering due to the production of the temperature measuring means.

【0067】また、本実施形態では、電流測定回路34
として、図14に示すように、流れる電流により抵抗5
1の両端に電位差が発生することを利用し、その電位差
をA/D変換回路50により検出して、信号処理制御回
路38へ転送する回路を用いている。
In this embodiment, the current measuring circuit 34
As shown in FIG.
Utilizing the fact that a potential difference occurs at both ends of 1, a circuit for detecting the potential difference by the A / D conversion circuit 50 and transferring it to the signal processing control circuit 38 is used.

【0068】この電流測定回路34は、電源配線毎に図
14の抵抗51を有するので、電流測定時にはこの抵抗
51を共有する複数の画素Aij(図13では1本のデ
ータ配線Shに繋がる複数の画素Aihが1つの抵抗5
1を共有している)のうち、1つの画素Akhのコンデ
ンサ56のみに特定の電圧Vsを蓄え、その他の画素A
gh(g≠k)のコンデンサ56にはOFF電圧を貯え
る。
Since the current measuring circuit 34 has the resistor 51 shown in FIG. 14 for each power supply line, a plurality of pixels Aij (in FIG. 13, a plurality of pixels connected to one data line Sh in FIG. Pixel Aih is one resistor 5
1 is shared), a specific voltage Vs is stored only in the capacitor 56 of one pixel Akh, and the other pixels A
The OFF voltage is stored in the capacitor 56 of gh (g ≠ k).

【0069】このことにより、データ配線Shに対応す
る抵抗51を流れる電流は、画素Akhの有機EL素子
53を流れる電流だけになるので、その画素Akhの有
機EL素子53の印加電圧−電流特性を測定することが
できる。
As a result, the current flowing through the resistor 51 corresponding to the data line Sh is only the current flowing through the organic EL element 53 of the pixel Akh, and the applied voltage-current characteristic of the organic EL element 53 of the pixel Akh is Can be measured.

【0070】なお、経時変化を知るためには、印加電圧
−電流特性は1つの電圧についてのみ調べれば充分であ
る。そこで、この特定の電圧Vsを完全なON電圧とす
ることにより、TFT54のON抵抗を無視して、有機
EL素子53の印加電圧−電流特性を測定することがで
きる。また、特定の電圧VsをON電圧とOFF電圧の
中間電位とすることにより、TFT54のON抵抗を含
めた有機EL素子53の印加電圧−電流特性を測定する
ことができる。
In order to know the change with time, it is sufficient to examine the applied voltage-current characteristic for only one voltage. Therefore, by setting this specific voltage Vs to a complete ON voltage, the applied voltage-current characteristics of the organic EL element 53 can be measured ignoring the ON resistance of the TFT 54. Further, by setting the specific voltage Vs to an intermediate potential between the ON voltage and the OFF voltage, the applied voltage-current characteristics of the organic EL element 53 including the ON resistance of the TFT 54 can be measured.

【0071】なお、上記測定を終了し、図13の各画素
を表示状態としているときに、図14の抵抗51を通し
て各画素に電流を供給する場合、抵抗51による電圧低
下(ドロップ)が生じ、この電圧ドロップによる消費電
力も問題となる。そこで、図14に示すように抵抗51
と並列にFET52を挿入しておき、各画素を表示状態
としているときにはこのFET52を導通状態として抵
抗51に流れる電流を減らし、各画素の電流を測定して
いるときにはこのFET52を非導通状態としてFET
52に流れる電流を減らす。これにより、抵抗51での
電圧ドロップと発熱を抑えることができるので好まし
い。
When current is supplied to each pixel through the resistor 51 in FIG. 14 when the above measurement is completed and each pixel in FIG. 13 is in the display state, a voltage drop (drop) due to the resistor 51 occurs. The power consumption due to this voltage drop also poses a problem. Therefore, as shown in FIG.
When each pixel is in the display state, the FET 52 is turned on to reduce the current flowing through the resistor 51. When the current of each pixel is measured, the FET 52 is turned off.
The current flowing through 52 is reduced. This is preferable because voltage drop and heat generation at the resistor 51 can be suppressed.

【0072】なお、上記温度測定手段は、有機EL素子
自体の温度を測定していないため、上記温度測定結果を
基に、有機EL素子の温度を類推する必要がある。通
常、有機EL素子のような自発光素子においては、表示
時に電流が流れ、その電流による発熱によって素子自体
の温度が上昇するので、各素子の表示履歴を記録してお
いても、この温度上昇分を推測することは困難である。
しかし、どのような表示装置においても、必ず非表示状
態(例えば携帯電話では待ち受け状態)となる時間帯が
ある。そのときに、自発光素子の温度がパネル温度と等
しくなったと推測できるまで待ってから、各画素を上記
のように順番に表示状態とすることにより、上記測定温
度における各画素の有機EL素子の印加電圧−電流特性
を測定することができる。また、このように表示から時
間をおいて電流を測定することにより、表示直後に存在
する各素子の温度ばらつきを無視することができるので
好ましい。
Since the temperature measuring means does not measure the temperature of the organic EL element itself, it is necessary to infer the temperature of the organic EL element based on the temperature measurement result. Normally, in a self-luminous element such as an organic EL element, a current flows during display, and the temperature of the element itself rises due to heat generated by the current. Therefore, even if the display history of each element is recorded, this temperature rise It is difficult to guess the minute.
However, there is a time zone in which any display device is always in a non-display state (for example, a standby state in a mobile phone). At that time, after waiting until it can be inferred that the temperature of the self-light-emitting element has become equal to the panel temperature, each pixel is sequentially displayed as described above, so that the organic EL element of each pixel at the above-described measurement temperature is displayed. The applied voltage-current characteristics can be measured. In addition, by measuring the current at a time after the display, the temperature variation of each element existing immediately after the display can be ignored, which is preferable.

【0073】民生機器では、使用時間が1万時間以上等
に設定されるので、経時変化特性は10時間程度の違い
では大きく変化しない。また、表示装置が連続して12
時間使用されることは希である。そこで、表示装置の電
源を入れた直後や、電源を切ってから数時間経った後な
どに各画素の有機EL素子の特性を測定することにより
経時変化を求めれば、充分対応することが可能である。
特に、携帯機器では、電源自体が機器に組み込まれてい
るため、特別な電源を用意しなくてもこのような対応が
可能となり、好ましい。また、携帯電話では、待ち受け
時間があるため、その待ち受け時間を利用して定期的に
測定することも好ましい。
In a consumer device, since the usage time is set to 10,000 hours or more, the time-dependent change characteristic does not change significantly by a difference of about 10 hours. In addition, the display device is continuously
It is rarely used for time. Therefore, if the change over time is obtained by measuring the characteristics of the organic EL element of each pixel immediately after the power of the display device is turned on or several hours after the power is turned off, it is possible to sufficiently respond. is there.
In particular, in a portable device, since the power supply itself is incorporated in the device, such a measure can be taken without preparing a special power supply, which is preferable. In addition, since a mobile phone has a standby time, it is preferable to periodically measure using the standby time.

【0074】一方で、上記有機EL素子53と同じ構成
の有機EL素子について、幾つかの測定温度における印
加電圧−電流特性の経時変化を一定電圧印加状態で測定
しておき、また、そのときの電流−輝度特性も予め測定
しておく。そして、上記各画素Aijを構成するコンデ
ンサ56へ印加した電圧と、その画素Aijを構成する
有機EL素子53に流れる電流値および有機EL素子5
3の温度の類推値と、上記予め測定しておいた結果とを
比較することにより、各画素の電流−輝度特性の劣化の
度合いが分かる。
On the other hand, with respect to the organic EL element having the same configuration as the above-mentioned organic EL element 53, the change with time of the applied voltage-current characteristic at several measurement temperatures was measured in a state where a constant voltage was applied. The current-luminance characteristics are also measured in advance. The voltage applied to the capacitor 56 constituting each pixel Aij, the value of the current flowing through the organic EL element 53 constituting the pixel Aij, and the value of the organic EL element 5
The degree of deterioration of the current-luminance characteristics of each pixel can be determined by comparing the analog value of the temperature of No. 3 with the result measured in advance.

【0075】例えば、図8は、測定温度25℃で電流1
0mA/cm2として定電流駆動を行ったときの印加電
圧−電流特性の経時変化および電流−輝度特性の経時変
化を示している。この図8は、一定電流条件でも輝度変
化があることを示す図である。実際の測定は一定電圧条
件で電流を測定することにより行う。ここで、一定電圧
とは、電源電圧を一定とすると共に、各画素Aijのコ
ンデンサ56へ与える測定電圧Vsも一定とすることを
意味する。例えば、一定輝度条件や一定電流条件で有機
EL素子を通電試験し、10時間毎に測定温度を−10
℃〜60℃程度まで5℃刻みで変えて、一定電源電圧と
一定測定電圧Vsでの電流値を求めておくことができ
る。
For example, FIG. 8 shows that the current 1 at a measurement temperature of 25 ° C.
The graph shows changes over time in the applied voltage-current characteristics and changes over time in the current-luminance characteristics when constant current driving is performed at 0 mA / cm 2 . FIG. 8 is a diagram showing that there is a luminance change even under a constant current condition. The actual measurement is performed by measuring the current under a constant voltage condition. Here, the constant voltage means that the power supply voltage is constant and the measurement voltage Vs applied to the capacitor 56 of each pixel Aij is also constant. For example, an organic EL element is subjected to a conduction test under a constant luminance condition or a constant current condition, and the measurement temperature is decreased by -10 every 10 hours.
The current value at a constant power supply voltage and a constant measurement voltage Vs can be obtained by changing the temperature in steps of 5 ° C. from about 60 ° C. to about 60 ° C.

【0076】そして、この電流−輝度特性の劣化の度合
いに従って、所定の表示データを入力したときに本来表
示すべき輝度が得られるように、その表示データを表示
する期間に各有機EL素子53に供給する電流量の総和
を調整することが可能となる。
Then, according to the degree of deterioration of the current-luminance characteristic, each organic EL element 53 is provided with a predetermined display data during the display data display period so that the luminance to be originally displayed can be obtained when the display data is input. It is possible to adjust the total amount of the supplied current.

【0077】上記温度測定手段に必要なデータ(例えば
一定電圧印加条件でのサーミスタ36の電流値と温度の
関係を表すデータ等)や、予め測定した温度における有
機EL素子の印加電圧−電流特性の経時変化および電流
−輝度特性の経時変化は、図13に示した記憶回路40
に記憶させることができる。
The data necessary for the temperature measuring means (for example, data showing the relationship between the current value of the thermistor 36 and the temperature under a constant voltage application condition) and the applied voltage-current characteristics of the organic EL element at a previously measured temperature. The change with time and the change with time in the current-luminance characteristic are obtained by the storage circuit 40 shown in FIG.
Can be stored.

【0078】この記憶されたデータと、上記温度測定回
路により類推した有機EL素子の温度の類推値と、電流
測定回路により測定した印加電圧−電流特性を用いて、
各画素の有機EL素子の経時変化を補正するのに必要な
電流補正特性(倍率)を求めることができる。なお、上
記温度測定や印加電圧−電流特性の測定を表示期間以外
で行う場合には、この電流補正特性を図13に示す記憶
回路39に保持しておくことができる。
Using the stored data, the analog temperature of the organic EL element estimated by the temperature measuring circuit, and the applied voltage-current characteristic measured by the current measuring circuit,
A current correction characteristic (magnification) required to correct a change over time of the organic EL element of each pixel can be obtained. When the temperature measurement and the measurement of the applied voltage-current characteristics are performed during periods other than the display period, the current correction characteristics can be stored in the storage circuit 39 shown in FIG.

【0079】なお、上記記憶回路39には、電流補正特
性の代りに電流測定値を記憶させることもできる。この
場合、上記測定温度と電流測定値から、電流補正特性を
求める処理もリアルタイムで信号処理制御回路38によ
り行う。
Note that the storage circuit 39 may store a measured current value instead of the current correction characteristic. In this case, the processing for obtaining the current correction characteristic from the measured temperature and the measured current value is also performed by the signal processing control circuit 38 in real time.

【0080】このような電流測定回路や温度測定回路の
制御機能、および電流の総和の調整機能を有する回路
が、図13に示す信号処理制御回路38(入力された表
示データを処理する手段)である。この信号処理制御回
路38では、測定された電流値(またはその電流値から
求めた電流補正値)と、入力された表示データ(信号)
から必要な電流量の総和を与える信号データを作成す
る。なお、画面全体の平均輝度を調整する場合には、こ
のような信号データの変換を行うよりも、電源電圧を変
化させることが好ましい。
A circuit having a control function of such a current measurement circuit and a temperature measurement circuit and a function of adjusting the sum of currents is provided by a signal processing control circuit 38 (means for processing input display data) shown in FIG. is there. In the signal processing control circuit 38, the measured current value (or the current correction value obtained from the current value) and the input display data (signal)
, The signal data giving the sum of the necessary current amount is created. When adjusting the average luminance of the entire screen, it is preferable to change the power supply voltage rather than performing such signal data conversion.

【0081】このように各画素の有機EL素子53に供
給する電流値の総和を調整するために、図13に示すよ
うな各画素をTFT駆動する回路構成では、2つの方法
を用いることができる。第一の方法は、データ配線Sj
を通してコンデンサ56に蓄えられた電圧(コンデンサ
56の電位を変化させるアナログ階調表示に対応する、
その電圧はデータ配線Sjから供給される)により、T
FT54の導通状態を制御して、有機EL素子53を流
れる電流量の総和を制御する方法である。第二の方法
は、データ配線Sjを通してTFT54をON状態とす
る電圧(ON電圧)とOFF状態とする電圧(OFF電
圧)をコンデンサ56に蓄え(時間分割階調で階調表示
する)、そのON電圧を印加する時間とOFF電圧を印
加する時間の比を制御することにより、有機EL素子5
3を流れる電流量の総和を制御する方法である。
In order to adjust the total value of the current supplied to the organic EL element 53 of each pixel as described above, two methods can be used in the circuit configuration for driving each pixel by TFT as shown in FIG. . The first method is to use the data wiring Sj
Through the capacitor (corresponding to analog gradation display in which the potential of the capacitor 56 is changed,
The voltage is supplied from the data line Sj).
This is a method of controlling the conduction state of the FT 54 and controlling the total amount of current flowing through the organic EL element 53. The second method is to store a voltage (ON voltage) for turning on the TFT 54 and a voltage (OFF voltage) for turning off the TFT 54 through the data wiring Sj in the capacitor 56 (display the gray scale by time division gray scale), and turn on the ON. By controlling the ratio of the time for applying the voltage to the time for applying the OFF voltage, the organic EL element 5
3 is a method of controlling the sum of the current amounts flowing through the circuit 3.

【0082】電流値の総和を調整する手段を実現するた
めには、いずれの方法を用いても支障はない。しかし、
有機EL素子を駆動するTFT54における閾値電圧の
ばらつきやON抵抗のばらつきを考慮すると、後者のO
N電圧印加時間とOFF電圧印加時間の比を制御する方
法の方が階調表示特性が揃うため、好ましい。
Either method can be used to implement the means for adjusting the sum of the current values. But,
Considering the variation of the threshold voltage and the variation of the ON resistance in the TFT 54 for driving the organic EL element, the latter O
The method of controlling the ratio between the N voltage application time and the OFF voltage application time is preferable because the gradation display characteristics are uniform.

【0083】以上のようにして、有機EL素子の電流−
輝度特性の経時劣化を補正することが可能となる。さら
に、RGB各色で発光材料等が異なるので、その印加電
圧−電流特性、電流−輝度特性およびその経時変化特性
も異なる。よって、予め測定するデータもRGB各色毎
に用意しておき、上記補正をRGB各色に対して行うこ
とにより、RGB各色で異なる劣化特性によらず、色味
変化の少ない表示装置を得ることが可能となる。
As described above, the current-
It becomes possible to correct the deterioration with time of the luminance characteristic. Further, since the light-emitting materials and the like are different for each of the RGB colors, the applied voltage-current characteristics, the current-luminance characteristics, and the aging characteristics are also different. Therefore, by preparing data to be measured in advance for each of the RGB colors and performing the above-described correction for each of the RGB colors, it is possible to obtain a display device with a small change in tint irrespective of deterioration characteristics different for each of the RGB colors. Becomes

【0084】なお、上記実施形態では表示輝度を出荷時
と同様に保つようにしているが、実際の表示装置におい
ては、絶対輝度よりも色味の問題の方が重要である。そ
こで、本実施形態の手段によれば、RGB各色の劣化特
性が分かるため、経時変化に伴って絶対輝度を変化させ
る場合に、その色味を保ようにRGB各色間で輝度調整
を行うことも可能である。
In the above embodiment, the display luminance is kept the same as that at the time of shipment. However, in an actual display device, the problem of tint is more important than the absolute luminance. Therefore, according to the means of the present embodiment, the deterioration characteristics of each of the RGB colors can be known. Therefore, when the absolute brightness is changed with the lapse of time, the brightness can be adjusted between the RGB colors so as to maintain the color. It is possible.

【0085】さらに、図13の構成では、温度測定回路
35を設けているので、経時変化特性の補正だけではな
く、温度特性の補正を行うこともできる。特に、図5に
示したように、有機EL素子では素子温度による印加電
圧−電流特性の変化が大きい。よって、上記説明のよう
に、パネルが非表示状態か待ち受け画面状態のときに電
流測定回路34により電流測定を実施する場合も、通常
表示状態での電圧−電流特性の補正の際に、上記温度測
定手段によるリアルタイムのパネル温度測定結果を用い
ることが効果的である。
Further, in the configuration of FIG. 13, since the temperature measuring circuit 35 is provided, not only the correction of the aging characteristics but also the correction of the temperature characteristics can be performed. In particular, as shown in FIG. 5, in an organic EL element, a change in applied voltage-current characteristics depending on the element temperature is large. Therefore, as described above, even when the current measurement is performed by the current measurement circuit 34 when the panel is in the non-display state or the standby screen state, when the voltage-current characteristic is corrected in the normal display state, It is effective to use a real-time panel temperature measurement result by the measurement means.

【0086】なお、後述する図16に示すように表示期
間中に電流測定を行う方法もあり、パネル全体の温度を
測定して全ての画素に均一に電流補正を行う方法もあ
る。これに対して、本実施形態では、パネル全体の温度
を測定して全ての画素に均一に電流補正を行う。さら
に、パネルの4隅に設けた温度測定手段を用いて温度補
正も可能である。
As shown in FIG. 16, which will be described later, there is also a method of measuring the current during the display period, and a method of measuring the temperature of the entire panel and uniformly correcting the current for all the pixels. On the other hand, in the present embodiment, the temperature of the entire panel is measured, and current correction is uniformly performed on all pixels. Further, the temperature can be corrected using temperature measuring means provided at the four corners of the panel.

【0087】(実施形態2)図15は、実施形態2の電
気光学装置の構成を説明するためのシステム構成図であ
る。本実施形態では、電気光学素子の電流輝度特性を類
推する手段として、上記第二の手段を用いた例について
説明する。
(Embodiment 2) FIG. 15 is a system configuration diagram for explaining the configuration of an electro-optical device according to Embodiment 2. In the present embodiment, an example will be described in which the above-described second means is used as a means for estimating the current luminance characteristics of the electro-optical element.

【0088】この電気光学装置においては、実施形態1
において図13に示した温度測定回路35、サーミスタ
36および抵抗37からなる温度測定手段の代りに、電
圧印加電流測定回路41、有機EL素子45およびTF
T46が配置されている。この電圧印加電流測定回路4
1は、有機EL素子45へ電源電圧を印加し、TFT4
6のゲート端子へ電圧を印加して有機EL素子45を流
れる電流を測定する回路である。この電源電圧とゲート
端子電圧における電流値を、予め各温度で測定した電源
電圧とゲート端子電圧と電流値の関係と比較して、温度
を求めることができる。
In this electro-optical device, Embodiment 1
13, a voltage applied current measuring circuit 41, an organic EL element 45, and a TF are used instead of the temperature measuring means including the temperature measuring circuit 35, the thermistor 36, and the resistor 37 shown in FIG.
T46 is arranged. This voltage applied current measuring circuit 4
1 applies a power supply voltage to the organic EL element 45,
6 is a circuit for measuring a current flowing through the organic EL element 45 by applying a voltage to the gate terminal 6. The temperature can be obtained by comparing the current values at the power supply voltage and the gate terminal voltage with the relationship between the power supply voltage, the gate terminal voltage and the current value measured in advance at each temperature.

【0089】図5に示したように、有機EL素子の印加
電圧−電流特性は温度により変化しやすい。そこで、図
15に示すように、表示部の周囲に配置した有機EL素
子45の印加電圧−電流特性から、パネル温度を類推す
ることが可能となる。
As shown in FIG. 5, the applied voltage-current characteristics of the organic EL element easily change with temperature. Therefore, as shown in FIG. 15, the panel temperature can be inferred from the applied voltage-current characteristics of the organic EL element 45 disposed around the display section.

【0090】なお、図8に示したように、有機EL素子
の印加電圧−電流特性は経時変化するため、図15にお
いて通常表示時には画素周辺部に配置した有機EL素子
45には電流を流さない状態で保持しておくのが好まし
い。これは、図15において、有機EL素子45と接続
されたTFT46を、電流測定や温度測定時以外には非
導通状態とすることや、有機EL素子45へ逆極性の電
圧を印加することで実現することができる。これによ
り、有機EL素子45の電圧印加履歴による特性劣化の
影響を排除して、有機EL素子45の印加電圧−電流特
性からパネル温度を類推することが可能となる。
As shown in FIG. 8, since the applied voltage-current characteristics of the organic EL element change with time, no current flows through the organic EL element 45 arranged in the periphery of the pixel during normal display in FIG. It is preferable to keep it in a state. This can be realized by setting the TFT 46 connected to the organic EL element 45 to a non-conductive state other than at the time of current measurement or temperature measurement in FIG. 15, or by applying a reverse polarity voltage to the organic EL element 45. can do. As a result, it is possible to exclude the influence of the characteristic deterioration due to the voltage application history of the organic EL element 45 and to infer the panel temperature from the applied voltage-current characteristic of the organic EL element 45.

【0091】上記表示部の周囲に配置した有機EL素子
45の予め測定した測定温度における印加電圧−電流特
性や、 表示部に配置した有機EL素子53の予め測定
した測定温度における印加電圧−電流特性の経時変化お
よび電流−輝度特性の経時変化は、図15に示した記憶
回路44に記憶させることができる。
The applied voltage-current characteristics of the organic EL element 45 arranged around the display section at a previously measured measurement temperature, and the applied voltage-current characteristics of the organic EL element 53 arranged at the display section at a previously measured measurement temperature And the time-dependent change of the current-luminance characteristic can be stored in the storage circuit 44 shown in FIG.

【0092】この記憶されたデータと、上記表示部の周
囲に配置した有機EL素子45の印加電圧−電流特性に
よりパネル温度を類推し、その温度の類推値とこの記憶
されたデータと電流測定回路34により測定した印加電
圧−電流特性を用いて、各画素の有機EL素子の経時変
化を補正するのに必要な電流補正特性(倍率)を求める
ことができる。なお、上記温度測定や印加電圧−電流特
性の測定を表示期間以外で行う場合には、この電流補正
特性を図15に示す記憶回路43に保持しておくことが
できる。
The panel temperature is inferred from the stored data and the applied voltage-current characteristics of the organic EL element 45 disposed around the display section, and the analogous value of the temperature, the stored data and the current measuring circuit Using the applied voltage-current characteristics measured in step 34, a current correction characteristic (magnification) required to correct the aging of the organic EL element of each pixel can be obtained. When the temperature measurement and the measurement of the applied voltage-current characteristic are performed during periods other than the display period, the current correction characteristic can be stored in the storage circuit 43 shown in FIG.

【0093】なお、上記記憶回路43には、電流補正特
性の代りに電流測定値を記憶させることもできる。この
場合、上記測定温度と電流測定値から、電流補正特性を
求める作業もリアルタイムで信号処理制御回路38によ
り行う。
Note that the storage circuit 43 may store a measured current value instead of the current correction characteristic. In this case, the operation of obtaining the current correction characteristic from the measured temperature and the measured current value is also performed by the signal processing control circuit 38 in real time.

【0094】このような電流測定回路や温度測定手段の
制御機能、および電流の総和の調整機能を有する回路
が、図15に示す信号処理制御回路42である。この信
号処理制御回路42では、測定された電流値(またはそ
の電流値から求めた電流補正値)と、入力された表示デ
ータ(信号)から必要な電流量の総和を与える信号デー
タを作成する。
A circuit having such a control function of the current measuring circuit and the temperature measuring means and a function of adjusting the sum of the currents is the signal processing control circuit 42 shown in FIG. The signal processing control circuit 42 creates signal data that gives the total of the required current amount from the measured current value (or the current correction value obtained from the current value) and the input display data (signal).

【0095】なお、図15において、表示部の周囲に配
置した有機EL素子45の印加電圧−電流特性は、パネ
ル温度と一対一に対応している。このため、パネル温度
を求めなくても、有機EL素子45の印加電圧−電流特
性と上記表示部の有機EL素子53の印加電圧−電流特
性と比較することにより、直接各画素の電流−輝度特性
を予測することも可能である。データ補正は、各画素毎
の電流補正特性(倍率)を求めれば行うことができ、経
時変化の無い状態で印加電圧と有機EL素子に流れる電
流値が分かれば温度を類推することができる。しかし、
印加電圧は決まった値を使用するので、測定電流と温度
とは一対一に対応する。この場合、温度を求めるという
作業を行わなくても、測定電流からその測定電流を(経
時変化の無い状態で)与える温度での経時変化特性を
(いくつかの温度での経時変化特性測定結果から)求め
ることができる。このような場合には、パネル温度を求
める必要がなくなる。
In FIG. 15, the applied voltage-current characteristics of the organic EL element 45 disposed around the display section correspond one-to-one with the panel temperature. Therefore, even if the panel temperature is not determined, the current-luminance characteristic of each pixel can be directly obtained by comparing the applied voltage-current characteristic of the organic EL element 45 with the applied voltage-current characteristic of the organic EL element 53 of the display unit. Can also be predicted. Data correction can be performed by obtaining a current correction characteristic (magnification) for each pixel. If the applied voltage and the value of the current flowing through the organic EL element are known without change over time, the temperature can be estimated. But,
Since the applied voltage uses a fixed value, the measured current and the temperature correspond one-to-one. In this case, even if the operation of obtaining the temperature is not performed, the aging characteristic at a temperature at which the measured current is given (without aging) from the measured current (from the aging characteristic measurement results at several temperatures). ) Can be asked. In such a case, there is no need to determine the panel temperature.

【0096】(実施形態3)図16は、実施形態3の電
気光学装置の構成を説明するためのシステム構成図であ
る。本実施形態では、電気光学素子の電流輝度特性を類
推する手段として、上記第二の手段を用いた別の例につ
いて説明する。
(Embodiment 3) FIG. 16 is a system configuration diagram for explaining the configuration of an electro-optical device according to Embodiment 3. In the present embodiment, another example using the above-described second means will be described as a means for estimating the current luminance characteristics of the electro-optical element.

【0097】この電気光学装置においては、特別な温度
測定回路は設けず、表示部における周辺部の画素を通常
非表示状態に保っておく。すなわち、有機EL素子の輝
度がOFFとなるデータ電圧を与えて有機EL素子を非
発光状態とする。多くの表示装置においては、対角上の
4隅の1画素ずつが非表示状態でも、表示に支障は生じ
ない。
In this electro-optical device, a special temperature measuring circuit is not provided, and pixels in the peripheral portion of the display section are normally kept in a non-display state. That is, a data voltage at which the luminance of the organic EL element is turned off is applied to make the organic EL element emit no light. In many display devices, even if one pixel at each of the four corners on the diagonal is in a non-display state, there is no problem in display.

【0098】このように、非表示状態で保っておいた画
素の有機EL素子を、第二の手段で用いる比較用の有機
EL素子(第二の電気光学素子)として用いることによ
り、特別な温度測定回路や追加の製造プロセスを必要と
せず、本発明の課題である有機EL素子等の自発光素子
における経時変化を検出して、輝度や色味の補正を行う
ことが可能となる。
As described above, by using the organic EL element of the pixel kept in the non-display state as an organic EL element for comparison (second electro-optical element) used in the second means, a special temperature can be obtained. This eliminates the need for a measurement circuit and an additional manufacturing process, and makes it possible to correct luminance and color by detecting a temporal change in a self-luminous element such as an organic EL element, which is an object of the present invention.

【0099】なお、図16において、比較用の有機EL
素子として、RGB各色の有機EL素子を配置すること
も容易に行うことができる。また、電流測定手段も、他
の表示に用いられる有機EL素子と共通で用いることが
できるので、電流測定手段のばらつきによる影響が無い
状態で印加電圧−電流特性の比較が可能となるため、好
ましい。
In FIG. 16, an organic EL for comparison was used.
Organic EL elements of each of RGB colors can be easily arranged as elements. In addition, since the current measuring means can be used in common with the organic EL element used for other display, the applied voltage-current characteristics can be compared without being affected by the variation of the current measuring means, which is preferable. .

【0100】上記有機EL素子の予め測定した測定温度
における印加電圧−電流特性の経時変化および電流−輝
度特性の経時変化は、図16に示した記憶回路49に記
憶させることができる。
The time-dependent change of the applied voltage-current characteristic and the time-dependent change of the current-luminance characteristic of the organic EL element at a previously measured measurement temperature can be stored in the storage circuit 49 shown in FIG.

【0101】この記憶されたデータと比較用の有機EL
素子の印加電圧−電流特性によりパネル温度を類推し、
その温度の類推値とこの記憶されたデータと電流測定回
路34により測定した印加電圧−電流特性を用いて、各
画素の有機EL素子の経時変化を補正するのに必要な電
流補正特性(倍率)を求めることができる。なお、上記
温度測定や印加電圧−電流特性の測定を表示期間以外で
行う場合には、この電流補正特性を図16に示す記憶回
路48に保持しておくことができる。
The stored data and an organic EL for comparison
By inferring the panel temperature from the applied voltage-current characteristics of the element,
Using the analogy of the temperature, the stored data, and the applied voltage-current characteristic measured by the current measuring circuit 34, a current correction characteristic (magnification) required to correct the temporal change of the organic EL element of each pixel. Can be requested. When the temperature measurement and the measurement of the applied voltage-current characteristic are performed during periods other than the display period, the current correction characteristic can be stored in the storage circuit 48 shown in FIG.

【0102】なお、上記記憶回路48には、電流補正特
性の代りに電流測定値を記憶させることもできる。この
場合、上記測定温度と電流測定値から、電流補正特性を
求める作業もリアルタイムで信号処理制御回路38によ
り行う。
Note that the storage circuit 48 may store a measured current value instead of the current correction characteristic. In this case, the operation of obtaining the current correction characteristic from the measured temperature and the measured current value is also performed by the signal processing control circuit 38 in real time.

【0103】このような電流測定回路や温度測定手段の
制御機能、および電流の総和の調整機能を有する回路
が、図16に示す信号処理制御回路47である。この信
号処理制御回路47では、測定された電流値(またはそ
の電流値から求めた電流補正値)と、入力された表示デ
ータ(信号)から必要な電流量の総和を与える信号デー
タを作成する。
A signal processing control circuit 47 shown in FIG. 16 has such a control function of the current measuring circuit and the temperature measuring means, and a function of adjusting the sum of the currents. The signal processing control circuit 47 creates signal data that gives the sum of the necessary current amount from the measured current value (or the current correction value obtained from the current value) and the input display data (signal).

【0104】ここで、表示装置において表示を行いなが
ら各有機EL素子の印加電圧−電流特性の測定を行う方
法の一例について、説明する。なお、ここでは実施形態
3の構成について説明を行うが、実施形態1および実施
形態2の構成にも適用可能である。
Here, an example of a method of measuring the applied voltage-current characteristics of each organic EL element while performing display on the display device will be described. Although the configuration of the third embodiment will be described here, the present invention is also applicable to the configurations of the first and second embodiments.

【0105】まず、図16の表示装置において、ゲート
側配線Ciの数をm本とする。このとき、1フレーム期
間TFを表示期間T1と電流側的期間T0とに分ける。
そして、例えば、図16に示すように、1フレーム期間
TFの最初のT0期間を電流測定期間とする。この期間
に色画素A1j〜Amjの印加電圧−電流特性を測定す
る。
First, in the display device of FIG. 16, the number of gate-side wirings Ci is m. At this time, one frame period TF is divided into a display period T1 and a current-side period T0.
Then, for example, as shown in FIG. 16, the first T0 period of one frame period TF is set as a current measurement period. During this period, the applied voltage-current characteristics of the color pixels A1j to Amj are measured.

【0106】例えば、図16は、表示装置の階調数を1
6階調、m=16とした例を示した例であるが、ゲート
側配線Ciを用いて画素A1jから画素A16jまで順
番に各画素のTFT55を導通状態とする。そして、T
FT55を導通状態としてデータ配線Sjに供給する電
圧によって各画素のTFT54を導通状態として、各画
素の印加電圧−電流特性を測定する。なお、この電流測
定期間T0において、1階調分の表示を行っているの
で、表示期間T1では各表示階調レベルが1階調分だけ
小さくなる。
For example, FIG. 16 shows that the number of gradations of the display device is one.
This is an example in which 6 gradations and m = 16 are shown, but the TFT 55 of each pixel is turned on in order from the pixel A1j to the pixel A16j using the gate side wiring Ci. And T
The TFT 54 of each pixel is turned on by the voltage supplied to the data line Sj while the FT 55 is turned on, and the applied voltage-current characteristic of each pixel is measured. In this current measurement period T0, display for one gradation is performed, so that each display gradation level is reduced by one gradation in the display period T1.

【0107】例えば、図16においてDataと示した
欄の下にある数値が表示すべき階調レベルであるとき、
表示期間の階調レベルは表示期間T1に示したように1
階調分だけ小さくなる。また、図16の例では、0階調
表示を行う画素では電流測定は行っていない。しかし、
実際には64階調表示等が行われ、外光反射等も存在す
るので、最低レベルの発光を行って印加電圧−電流測定
を行ってもあまり問題は生じない。
For example, when the numerical value below the column labeled Data in FIG. 16 is the gradation level to be displayed,
The gradation level in the display period is 1 as shown in the display period T1.
It becomes smaller by the gradation. In addition, in the example of FIG. 16, the current measurement is not performed on the pixel performing the 0 gradation display. But,
Actually, 64-gradation display and the like are performed, and external light reflection and the like also exist. Therefore, even if emission of the lowest level is performed and the applied voltage-current measurement is performed, no problem occurs.

【0108】このように、表示を行いながら各有機EL
素子の印加電圧−電流特性を測定することにより、パネ
ル温度変化や素子温度変化があっても、迅速に電流調整
を行うことが可能となる。
As described above, while performing display, each organic EL
By measuring the applied voltage-current characteristics of the element, it is possible to quickly adjust the current even if there is a change in panel temperature or element temperature.

【0109】なお、素子温度変化によって各有機EL素
子で印加電圧−電流特性が変化したとしても、電流−輝
度特性は大きく変化していないと予測できるので、先の
非表示期間に求めた各有機EL素子の電流−輝度特性を
用いて電流の総和を調整すればよい。この表示期間(1
フレーム期間)に電流測定する目的は、画素毎の温度変
化による輝度(電流)調整であって、電流−輝度特性を
調整するためではない。上述した図8からも分かるよう
に、通電時間が1H時間程度では電流−輝度特性の変化
はほとんど生じていないからである。
Even if the applied voltage-current characteristics change in each organic EL element due to a change in element temperature, it can be predicted that the current-luminance characteristics do not greatly change. Therefore, each organic EL element obtained in the previous non-display period can be predicted. The sum of the currents may be adjusted using the current-luminance characteristics of the EL element. This display period (1
The purpose of measuring the current during the frame period) is to adjust the luminance (current) due to the temperature change of each pixel, not to adjust the current-luminance characteristics. As can be seen from FIG. 8 described above, the change in the current-luminance characteristics hardly occurs when the energizing time is about 1 hour.

【0110】(実施形態4)上記実施形態1〜実施形態
3では、表示部に配置した有機EL素子の測定温度にお
ける 印加電圧−電流特性の経時変化や電流−輝度特性
の経時変化を予め記憶回路40等に記憶させておくと説
明したが、1万時間に及ぶ経時変化特性を製品発売まで
に予め測定しておくことは困難である。
(Embodiment 4) In Embodiments 1 to 3 described above, the temporal change of the applied voltage-current characteristic and the temporal change of the current-luminance characteristic at the measurement temperature of the organic EL element arranged in the display section are stored in advance in the storage circuit. However, it is difficult to measure the time-dependent change characteristics of 10,000 hours before the product is released.

【0111】このため、通常は、加速度試験等を行っ
て、経時変化特性を予め予測する。これは、表示装置の
耐用時間を知る上では重要なことであるが、この測定で
所定の測定温度における印加電圧−電流特性の経時変化
や電流−輝度特性の経時変化を知ることは困難である。
そこで、通信機能を有する携帯機器や放送受信機能を有
する表示装置においては、このような経時変化特性を予
め予測しておかないようにすることも可能である。
For this reason, normally, an acceleration test or the like is performed to predict the time-dependent characteristics in advance. Although this is important in knowing the service life of the display device, it is difficult to know the change over time of the applied voltage-current characteristic and the change over time of the current-luminance characteristic at a predetermined measurement temperature in this measurement. .
Therefore, in a mobile device having a communication function or a display device having a broadcast receiving function, it is possible to prevent such a temporal change characteristic from being predicted in advance.

【0112】すなわち、表示装置を出荷するのと並行し
て、通常使用条件で所定の測定温度における有機EL素
子の印加電圧−電流特性や電流−輝度特性を開始する。
そして、最新の測定データを放送や通信を通して図13
の記憶回路40等に転送するようなシステムを作ってお
く。これにより、出荷時に予め経時変化特性を測定して
おかなくても、必要時に輝度補正や色味補正を行うこと
が可能となり、迅速な製品出荷を行うことができるた
め、好ましい。
That is, in parallel with the shipment of the display device, the applied voltage-current characteristics and the current-luminance characteristics of the organic EL element at a predetermined measurement temperature under normal use conditions are started.
Then, the latest measurement data is transmitted through broadcasting or communication as shown in FIG.
A system for transferring data to the storage circuit 40 or the like is prepared. This is preferable because it is possible to perform luminance correction and tint correction when necessary without having to measure the time-dependent change characteristic before shipping, so that quick product shipment can be performed.

【0113】さらに、通信機能を有する機器を用いた場
合には、上記経時変化特性データを電気光学装置自体が
有してる必要はない。すなわち、有機EL素子の温度や
印加電圧−電流特性を測定し、そのデータを通信機能を
用いて外部に送信して、そのデータを受信した機器側で
画素毎に適切な電流−輝度特性を求めて送り返すように
すればよい。これは、各画素毎の電流補正特性(倍率)
を求めて図13の記憶回路39に記憶させることも含
む。この場合、図13の記憶回路40等は通信手段に置
き換えることができる。
Further, when a device having a communication function is used, it is not necessary for the electro-optical device itself to have the time-dependent change characteristic data. That is, the temperature and applied voltage-current characteristics of the organic EL element are measured, the data is transmitted to the outside using a communication function, and an appropriate current-luminance characteristic is obtained for each pixel on the device receiving the data. And send it back. This is the current correction characteristic (magnification) for each pixel.
Is stored in the storage circuit 39 of FIG. In this case, the storage circuit 40 and the like in FIG. 13 can be replaced with communication means.

【0114】このような通信システムを含むことによ
り、膨大な測定温度と印加電圧−電流特性および電流−
輝度特性との対応データを電気光学装置側で有する必要
がなくなり、メモリの節約になるので好ましい。また、
これらのデータの対応関係を各電気光学装置で計算する
必要もなくなり、各装置の低消費電力化に寄与すること
が可能となるので好ましい。
By including such a communication system, an enormous measured temperature, applied voltage-current characteristics and current-
This is preferable because it is not necessary for the electro-optical device to have the data corresponding to the luminance characteristics, which saves memory. Also,
It is not necessary to calculate the correspondence between these data in each electro-optical device, which can contribute to low power consumption of each device, which is preferable.

【0115】なお、上記放送や通信を通して表示装置の
表示品位を制御する手法は、上述したような経時特性の
劣化の問題を解決するためだけではなく、表示装置の表
示品位を制御するための一般的な手段としても有効に利
用することができる。
The method of controlling the display quality of the display device through the above-mentioned broadcasting and communication is not only for solving the above-mentioned problem of deterioration of the aging characteristics, but also for controlling the display quality of the display device. It can also be used effectively as an effective means.

【0116】なお、上記実施形態では本発明をアクティ
ブマトリックス構成に適用した場合について説明を行っ
てきたが、本発明における各画素を構成する有機EL素
子の絶対的な電流−輝度の経時変化特性を知って、その
画素へ供給する電流値の総和を調整するという考え方
は、単純マトリックス構成に対しても有効である。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the active matrix configuration has been described. However, the absolute current-brightness temporal change characteristic of the organic EL element forming each pixel in the present invention is described. Knowing that, the concept of adjusting the sum of the current values supplied to the pixel is also effective for a simple matrix configuration.

【0117】この場合、単純マトリックス構成において
電流値を測定し、その電流値を一定とする構成が従来技
術の特開2000−187467号公報の図1において
開示されている。本発明では電流値を一定にするのでは
なく、上記実施形態に示したように、電流補正特性を求
めて、各画素の電流値を補正するようにすればよいの
で、その詳細についてはここでは説明を省略する。
In this case, a configuration in which a current value is measured in a simple matrix configuration and the current value is constant is disclosed in FIG. 1 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-187467. In the present invention, instead of making the current value constant, as shown in the above-described embodiment, the current correction characteristic may be obtained and the current value of each pixel may be corrected. Description is omitted.

【0118】さらに、上記経時変化や温度依存性の問題
は、有機EL素子だけではなく、FED等の他の自発光
素子でも見られる。ここでは、FEDのような他の自発
光素子へ適用する例については説明を省略するが、上記
実施形態に示したように、電流補正特性を求めて、各画
素の電流値を補正することは、他の自発光素子に対して
も適用可能であることは明らかである。
Further, the above-mentioned problems with time and temperature dependency are found not only in organic EL devices but also in other self-luminous devices such as FEDs. Here, description of an example of application to other self-luminous elements such as an FED is omitted, but as described in the above embodiment, it is not possible to obtain a current correction characteristic and correct the current value of each pixel. It is apparent that the present invention can be applied to other self-luminous elements.

【0119】[0119]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
上記実施形態1〜実施形態3に示したように、電気光学
素子の輝度特性の経時変化を補正することが可能とな
る。また、電流−輝度特性を類推する第一の手段によれ
ば、上記実施形態1に示したように、電気光学素子の素
子温度を確実に把握して、電気光学素子の輝度特性の経
時変化を確実に補正することができる。また、電流−輝
度特性を類推する第二の手段によれば、上記実施形態2
および実施形態3に示したように、電気光学素子の素子
温度を確実に把握して、電気光学素子の輝度特性の経時
変化を確実に補正することができる。
As described in detail above, according to the present invention,
As described in the first to third embodiments, it is possible to correct a temporal change in the luminance characteristic of the electro-optical element. Further, according to the first means for estimating the current-luminance characteristic, as described in the first embodiment, the element temperature of the electro-optical element is surely grasped, and the temporal change of the luminance characteristic of the electro-optical element is measured. Correction can be made reliably. Further, according to the second means for estimating the current-luminance characteristics, according to the second embodiment,
Also, as described in the third embodiment, it is possible to reliably grasp the element temperature of the electro-optical element, and to reliably correct the temporal change of the luminance characteristic of the electro-optical element.

【0120】特に、実施形態2や実施形態3では、温度
測定手段として表示部で使用されている電気光学素子
(有機EL素子)を用いることができる。この温度測定
手段としての電気光学素子は、経時変化の無い状態と考
えることができるので、改めて基板温度を類推しなくて
も、この温度測定手段としての電気光学素子の電流値と
表示部で使用されている電気光学素子の電流値を比較す
ることにより、電気光学素子の経時変化の量を把握し
て、輝度補正を行うことができる。
In particular, in the second and third embodiments, an electro-optical element (organic EL element) used in the display unit can be used as the temperature measuring means. Since the electro-optical element as the temperature measuring means can be considered to be in a state where there is no change with time, it can be used for the current value of the electro-optical element as the temperature measuring means and the display unit without re-estimating the substrate temperature. By comparing the current values of the electro-optical elements, the amount of change with time of the electro-optical element can be grasped, and the luminance can be corrected.

【0121】また、上記実施形態1〜実施形態3に示し
たように、非表示期間に電流測定を行うことにより、電
流測定に伴う表示品位の劣化を防ぐことができる。一
方、表示期間に電流測定を行うことにより、温度補正を
行い、迅速に電流調整が可能となる。
Further, as described in the first to third embodiments, by performing the current measurement during the non-display period, it is possible to prevent the display quality from being deteriorated due to the current measurement. On the other hand, by performing the current measurement during the display period, the temperature can be corrected and the current can be quickly adjusted.

【0122】また、上記実施形態1〜実施形態3に示し
たように、記憶手段にデータを記憶させておくことによ
り、輝度補正に必要な経時劣化特性を記憶手段から読み
出すことができる。
Further, as described in the first to third embodiments, by storing data in the storage means, it is possible to read out the time-dependent deterioration characteristics necessary for the luminance correction from the storage means.

【0123】さらに、上記実施形態4に示したように、
通信や放送手段を通してデータを送信・受信することに
より、経時変化を類推するための測定を製品出荷後に行
ったり、必要な表示品位の調整を製品出荷後に行うこと
もでき、商品化のために必要な開発時間を短縮すること
ができる。また、インターネットや放送を通して、記憶
手段のデータを書き換える考え方は、経時変化の補正だ
けではなく、画質の補正にも利用することができるの
で、液晶等、非発光素子にも適用可能である。
Further, as described in the fourth embodiment,
By transmitting and receiving data through communication and broadcasting means, it is possible to perform measurements to estimate changes over time after product shipment, and to adjust necessary display quality after product shipment, which is necessary for commercialization. Development time can be shortened. In addition, the concept of rewriting data in the storage means through the Internet or broadcasting can be used not only for correction of temporal change but also for correction of image quality, and thus can be applied to non-light emitting elements such as liquid crystal.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の電流検出手段を有する表示装置の回路構
成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a display device having a conventional current detecting means.

【図2】図1の表示装置における電流検出回路の構成を
示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a current detection circuit in the display device of FIG.

【図3】従来の電流検出手段を有する他の表示装置の回
路構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration of another display device having a conventional current detection unit.

【図4】図3の表示装置における画素の回路構成を示す
図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a circuit configuration of a pixel in the display device of FIG. 3;

【図5】有機EL素子の電圧−電流特性の温度依存性を
示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating temperature dependence of voltage-current characteristics of an organic EL element.

【図6】従来の温度検出手段を有する表示装置の回路構
成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration of a display device having a conventional temperature detecting means.

【図7】図6の表示装置における温度検出手段の回路構
成を示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a circuit configuration of a temperature detecting unit in the display device of FIG. 6;

【図8】有機EL素子を一定電流で駆動するために必要
な電圧と、そのときに得られる輝度の経時変化を示す図
である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a voltage required to drive an organic EL element with a constant current and a temporal change in luminance obtained at that time.

【図9】本発明の実施形態において用いた有機EL素子
の積層構造を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a laminated structure of an organic EL element used in an embodiment of the present invention.

【図10】(a)〜(f)は本発明の実施形態において
用いた有機EL素子に用いられる材料の例を示す図であ
る。
FIGS. 10A to 10F are diagrams showing examples of materials used for an organic EL device used in an embodiment of the present invention.

【図11】(a)〜(f)は本発明の実施形態において
用いたTFTを作製プロセスを説明するための図であ
る。
FIGS. 11A to 11F are views for explaining a process for manufacturing a TFT used in an embodiment of the present invention.

【図12】(g)〜(k)は本発明の実施形態において
用いたTFTを作製プロセスを説明するための図であ
る。
FIGS. 12G to 12K are views for explaining a process for manufacturing a TFT used in the embodiment of the present invention.

【図13】実施形態1の電気光学装置のシステム構成を
示す図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating a system configuration of the electro-optical device according to the first embodiment.

【図14】本発明の実施形態で用いた電流測定回路の回
路構成を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing a circuit configuration of a current measuring circuit used in the embodiment of the present invention.

【図15】実施形態2の電気光学装置のシステム構成を
示す図である。
FIG. 15 is a diagram illustrating a system configuration of an electro-optical device according to a second embodiment.

【図16】実施形態3の電気光学装置のシステム構成を
示す図である。
FIG. 16 is a diagram illustrating a system configuration of an electro-optical device according to a third embodiment.

【図17】本発明の実施形態で用いた電流測定方法を説
明するための図である。
FIG. 17 is a diagram for explaining a current measuring method used in the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 陰極 3 陽極 4 有機多層膜 5 電子輸送層 6 発光層 7 正孔輸送層 8 正孔注入層(または陽極バッファ層) 9 有機EL素子 11 ガラス基板 12 非晶質シリコン薄膜 13 多結晶シリコン薄膜 14 アクティブ領域 15 ゲート絶縁膜 16 ゲート電極 17 レジスト材 18 n+領域 19 レジスト材 20 p+領域 21 層間絶縁膜 22 コンタクトホール 23 金属配線 31 表示基板 32 データ側駆動回路 33 走査側駆動回路 34 電流測定回路 35 温度測定回路 36 サーミスタ 37 抵抗 38 信号処理制御回路 39、40 記憶回路 41 電圧印加電流測定回路 42 信号処理制御回路 43、44 記憶回路 45 有機EL素子 46 TFT 47 信号処理制御回路 48、49記憶回路 50 A/D変換回路 51 抵抗 52 FET 53 有機EL素子 54 TFT 55 TFT 56 コンデンサ 101 A/D変換回路 102 演算回路 103 フレームメモリ 104 コントローラ 105 走査回路 106 書き込み回路 107 電源回路 108 電流値メモリ 109 表示パネル 121 有機ELパネル 122 陰極駆動回路 123 陽極駆動回路 124 電流検出回路 125 制御装置 126 A/D変換回路 160 有機電界発光素子 161 駆動電源部 162 温度検出器 163 A/D変換器 164 ROM 165 D/A変換機 166 可変電圧増幅器 167 サーミスタ 168 固定抵抗 201 FET 202 FET 203 コンデンサ 204 電流検出器 205 有機EL素子 206 A/D変換回路 207 電流値メモリ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Cathode 3 Anode 4 Organic multilayer film 5 Electron transport layer 6 Light emitting layer 7 Hole transport layer 8 Hole injection layer (or anode buffer layer) 9 Organic EL element 11 Glass substrate 12 Amorphous silicon thin film 13 Polycrystal Silicon thin film 14 Active region 15 Gate insulating film 16 Gate electrode 17 Resist material 18 n + region 19 Resist material 20 p + region 21 Interlayer insulating film 22 Contact hole 23 Metal wiring 31 Display substrate 32 Data side drive circuit 33 Scan side drive circuit 34 Current measurement Circuit 35 Temperature measurement circuit 36 Thermistor 37 Resistance 38 Signal processing control circuit 39, 40 Storage circuit 41 Voltage application current measurement circuit 42 Signal processing control circuit 43, 44 Storage circuit 45 Organic EL element 46 TFT 47 Signal processing control circuit 48, 49 storage Circuit 50 A / D conversion circuit 51 resistor 52 FET 53 Organic EL element 54 TFT 55 TFT 56 Capacitor 101 A / D conversion circuit 102 Arithmetic circuit 103 Frame memory 104 Controller 105 Scan circuit 106 Write circuit 107 Power supply circuit 108 Current value memory 109 Display panel 121 Organic EL panel 122 Cathode drive circuit 123 Anode drive circuit 124 Current detection circuit 125 Controller 126 A / D conversion circuit 160 Organic electroluminescent element 161 Drive power supply 162 Temperature detector 163 A / D converter 164 ROM 165 D / A converter 166 Variable voltage amplifier 167 Thermistor 168 Fixed resistance 201 FET 202 FET 203 Capacitor 204 Current detector 205 Organic EL element 206 A / D conversion circuit 207 Current value memory

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表示データを入力する手段と、 マトリックス状に配置された第一の電気光学素子によっ
て表示データを表示する手段と、 該第一の電気光学素子または該第一の電気光学素子を制
御するアクティブ素子に所定の電圧を印加して流れる電
流を測定する手段と、 該第一の電気光学素子の周辺に配置した温度測定手段に
よって該第一の電気光学素子の温度を類推する手段と、 該第一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ
素子に印加した電圧値、該第一の電気光学素子に流れる
電流値および該第一の電気光学素子の温度の類推値と、
該第一の電気光学素子と同じ構成の電気光学素子につい
て、印加電圧−電流特性の経時変化、電流−輝度特性の
経時変化および特性測定時の温度を予め求めておいたも
のとを比較して、該第一の電気光学素子の電流−輝度特
性を類推する手段と、 得られた電流−輝度特性の類推値、該第一の電気光学素
子に流れる電流値および表示データに基づいて、本来表
示すべき輝度が得られるように、その表示データを表示
する期間に該第1の電気光学素子に供給する電流量の総
和を変更する手段とを有することを特徴とする電気光学
装置。
Means for inputting display data; means for displaying display data by means of first electro-optical elements arranged in a matrix; and means for displaying the first electro-optical element or the first electro-optical element. Means for measuring a current flowing by applying a predetermined voltage to the active element to be controlled; and means for estimating the temperature of the first electro-optical element by temperature measuring means arranged around the first electro-optical element. A voltage value applied to the first electro-optical element or an active element that controls the first electro-optical element, a current value flowing through the first electro-optical element, and an analogous value of the temperature of the first electro-optical element,
For the electro-optical element having the same configuration as that of the first electro-optical element, a change with time of the applied voltage-current characteristic, a change with time of the current-luminance characteristic, and the temperature at the time of characteristic measurement are compared with those obtained in advance. Means for estimating the current-luminance characteristic of the first electro-optical element, and an analogous value of the obtained current-luminance characteristic, a current value flowing through the first electro-optical element, and display data based on the display data. Means for changing the total amount of current supplied to the first electro-optical element during a period in which the display data is displayed so as to obtain a desired luminance.
【請求項2】 表示データを入力する手段と、 マトリックス状に配置された第一の電気光学素子によっ
て表示データを表示する手段と、 該第一の電気光学素子または該第一の電気光学素子を制
御するアクティブ素子に電圧を印加して流れる電流を測
定する手段と、 該第一の電気光学素子の周辺に配置した第二の電気光学
素子と、 該第二の電気光学素子または該第二の電気光学素子を制
御するアクティブ素子に電圧を印加して流れる電流を測
定する手段と、 該第二の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ
素子に印加した電圧値および該第二の電気光学素子に流
れる電流値と、該第一の電気光学素子またはそれを制御
するアクティブ素子に印加した電圧値および該第一の電
気光学素子に流れる電流値とを比較して、該第一の電気
光学素子の電流−輝度特性を類推する手段と、 得られた電流−輝度特性の類推値、該第一の電気光学素
子に流れる電流値および表示データに基づいて、本来表
示すべき輝度が得られるように、その表示データを表示
する期間に該第1の電気光学素子に供給する電流量の総
和を変更する手段とを有することを特徴とする電気光学
装置。
Means for inputting display data; means for displaying display data by means of first electro-optical elements arranged in a matrix; and means for displaying the first electro-optical element or the first electro-optical element. Means for measuring a current flowing by applying a voltage to the active element to be controlled; a second electro-optical element arranged around the first electro-optical element; and the second electro-optical element or the second A means for measuring a current flowing by applying a voltage to the active element for controlling the electro-optical element; and a voltage value applied to the second electro-optical element or the active element for controlling the second electro-optical element and the second electro-optical element. The value of the flowing current is compared with the value of the voltage applied to the first electro-optical element or the active element that controls the first electro-optical element and the value of the current flowing in the first electro-optical element, and Means for estimating the current-luminance characteristics of the current and the obtained current-luminance characteristics, the current value flowing through the first electro-optical element, and the display data. Means for changing the total amount of current supplied to the first electro-optical element during a period in which the display data is displayed.
【請求項3】 前記第二の電気光学素子またはそれを制
御するアクティブ素子に電圧を印加する頻度が、前記第
一の電気光学素子またはそれを制御するアクティブ素子
に電圧を印加する頻度よりも少ないことを特徴とする請
求項2に記載の電気光学装置。
3. The frequency of applying a voltage to the second electro-optical element or the active element controlling the same is lower than the frequency of applying a voltage to the first electro-optical element or the active element controlling the same. The electro-optical device according to claim 2, wherein:
【請求項4】 前記第一の電気光学素子を流れる電流値
または該電流値を処理して得られたデータを記憶する記
憶手段を有し、 該記憶手段から読み出したデータに基づいて、該第一の
電気光学素子に供給する電流量の総和を変更することを
特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電
気光学装置。
4. A storage device for storing a current value flowing through the first electro-optical element or data obtained by processing the current value, wherein the data is read based on data read from the storage device. The electro-optical device according to any one of claims 1 to 3, wherein a total amount of current supplied to one electro-optical element is changed.
【請求項5】 前記第一の電気光学素子と同じ構成の電
気光学素子について、印加電圧−電流特性の経時変化、
電流−輝度特性の経時変化および特性測定時の温度を予
め求めておいたものを記憶する記憶手段を有する請求項
1乃至請求項5のいずれかに記載の電気光学装置。
5. An electro-optical element having the same configuration as that of the first electro-optical element, wherein an applied voltage-current characteristic changes with time.
The electro-optical device according to claim 1, further comprising a storage unit configured to store a change in current-luminance characteristics with time and a temperature at the time of characteristic measurement.
【請求項6】 前記第二の電気光学素子と同じ構成の電
気光学素子について、印加電圧−電流特性および特性測
定時の温度を予め求めておいたものを記憶する記憶手段
を有する請求項2乃至請求項5のいずれかに記載の電気
光学装置。
6. An electro-optical element having the same configuration as that of the second electro-optical element, further comprising storage means for storing an applied voltage-current characteristic and a temperature obtained beforehand for measuring the characteristic. An electro-optical device according to claim 5.
【請求項7】 前記電気光学素子またはそれを制御する
アクティブ素子に印加した電圧値、該電気光学素子に流
れる電流値および該電気光学素子の温度の類推値を外部
に送出する手段を有する請求項4乃至請求項6のいずれ
かに記載の電気光学装置。
7. A means for sending out a voltage value applied to the electro-optical element or an active element for controlling the electro-optical element, a current value flowing through the electro-optical element, and an analog value of a temperature of the electro-optical element to the outside. An electro-optical device according to any one of claims 4 to 6.
【請求項8】 前記記憶手段に記憶するデータを外部か
ら受信して書き換える手段を有する請求項4乃至請求項
6のいずれかに記載の電気光学装置。
8. The electro-optical device according to claim 4, further comprising a unit for externally receiving and rewriting data stored in the storage unit.
【請求項9】 表示データを入力する手段と、 マトリックス状に配置された第一の電気光学素子によっ
て表示データを表示する手段と、 記憶手段と、 該記憶手段から読み出したデータを基に、その表示デー
タを表示する期間に該第1の電気光学素子に供給する電
流量の総和を変更する手段とを有する電気光学装置であ
って、 さらに、該記憶手段に記憶するデータを外部から受信し
て書き換える手段を有する電気光学装置。
9. A means for inputting display data, a means for displaying display data by means of first electro-optical elements arranged in a matrix, a storage means, and the data read out from the storage means. Means for changing the total amount of current supplied to the first electro-optical element during a period in which display data is displayed, further comprising: receiving data stored in the storage means from outside; An electro-optical device having rewriting means.
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