JP2001186775A - Controlling device for electric car - Google Patents

Controlling device for electric car

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JP2001186775A
JP2001186775A JP36529299A JP36529299A JP2001186775A JP 2001186775 A JP2001186775 A JP 2001186775A JP 36529299 A JP36529299 A JP 36529299A JP 36529299 A JP36529299 A JP 36529299A JP 2001186775 A JP2001186775 A JP 2001186775A
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JP
Japan
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semiconductor element
inverter
power
switching frequency
control device
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Application number
JP36529299A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Takeoka
俊明 竹岡
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To miniaturize a cooler. SOLUTION: In a controlling device for electric cars where the DC power of an electric train line 10 is converted to AC by an inverter 17 which is composed of a semiconductor element 18 being switched at a specific switching frequency for driving an AC electric motor 19. Regenerative power is sent to the electric train line 10 via the AC electric motor 19 when brakes are applied. A controlling means 21 is provided for reducing the switching frequency of a semiconductor element 18 when the temperature change rate of the semiconductor element 18 to time exceeds a setting value.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、インバータにより駆
動用交流電動機を制御する電気車用制御装置に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a control device for an electric vehicle in which a driving AC motor is controlled by an inverter.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は従来の電気車用制御装置の構成図
である。図5において、電車線1からパンタグラフ2及
び遮断器3を介してインバータ4に直流電力が供給され
る。インバータ4は所定のスイッチング周波数により半
導体素子5を制御して交流電力に変換し、電気車の駆動
に必要な駆動力に応じて所定の電力を駆動用交流電動機
6に供給する。これにより交流電動機6が駆動されて電
気車が力行状態となる。また、ブレーキ時には交流電動
機6が発生した交流電力を、インバータ4のスイッチン
グ制御により直流電力に変換し、回生電力として遮断器
3を介して電車線1へ送り出す。送り出された直流電力
は同じ電車線1から電力の供給を受けている別の電気車
が消費する。そして、温度センサ7により検出された半
導体素子5の温度検出信号7aと、温度設定手段8で設
定された半導体素子5の保護温度に対応した温度設定信
号8aとを比較器9で比較する。ここで、温度検出信号
7aが温度設定信号8aを超えたとき、半導体素子5の
スイッチング制御を停止させる。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a block diagram of a conventional electric vehicle control device. In FIG. 5, DC power is supplied from a train line 1 to an inverter 4 via a pantograph 2 and a circuit breaker 3. The inverter 4 controls the semiconductor element 5 at a predetermined switching frequency to convert it into AC power, and supplies predetermined power to the driving AC motor 6 according to the driving force required for driving the electric vehicle. As a result, the AC motor 6 is driven, and the electric vehicle enters a power running state. Further, at the time of braking, the AC power generated by the AC motor 6 is converted into DC power by switching control of the inverter 4 and sent out to the train line 1 via the circuit breaker 3 as regenerative power. The transmitted DC power is consumed by another electric vehicle receiving power supply from the same train line 1. Then, the comparator 9 compares the temperature detection signal 7a of the semiconductor element 5 detected by the temperature sensor 7 with the temperature setting signal 8a corresponding to the protection temperature of the semiconductor element 5 set by the temperature setting means 8. Here, when the temperature detection signal 7a exceeds the temperature setting signal 8a, the switching control of the semiconductor element 5 is stopped.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来の電気車用制御装
置は以上のように構成されているので、地上と地下とが
混在している路線では、設計条件として夏季における地
上での周囲温度の最高周囲温度に対して半導体素子5の
冷却能力が設定されている。このため、地上に比べて周
囲温度が低い地下路線を走行する場合は、半導体素子5
の冷却能力に余力が発生する。このように、地上と地下
とが混在する路線では夏季における地上での最高周囲温
度に対して半導体素子5の冷却能力が設定されているの
で、地下を走行するときに冷却能力に余力があっても冷
却器の小形化を図るのが困難であるという問題点があっ
た。さらに、冷却器の故障により半導体素子5が急激に
温度上昇した場合、半導体素子5の保護温度を超えたと
きスイッチング制御の停止が行われるので、冷却器の冷
却能力に余力を持たせる必要があるため、小形化を図る
のが困難であるという問題点があった。
The conventional electric vehicle control device is configured as described above. Therefore, on a route where both the ground and the underground are mixed, as a design condition, the ambient temperature on the ground in the summer is required as a design condition. The cooling capacity of the semiconductor element 5 is set for the maximum ambient temperature. Therefore, when traveling on an underground line where the ambient temperature is lower than that on the ground, the semiconductor device 5
There is excess capacity in the cooling capacity. As described above, in a route where the ground and the underground are mixed, the cooling capacity of the semiconductor element 5 is set with respect to the maximum ambient temperature on the ground in summer, so there is a margin in the cooling capacity when traveling underground. However, there is a problem that it is difficult to reduce the size of the cooler. Furthermore, when the temperature of the semiconductor element 5 rises rapidly due to the failure of the cooler, the switching control is stopped when the temperature exceeds the protection temperature of the semiconductor element 5, so that the cooling capacity of the cooler needs to have extra capacity. Therefore, there is a problem that it is difficult to reduce the size.

【0004】この発明は以上のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体素子の温度変化率を算出
してインバータのスイッチング周波数を制御することに
より、冷却器の小形化を図ることができる電気車用制御
装置を提供することを目的とするものである。さらに、
温度変化率が故障判定値以上になったときインバータを
停止させることにより、冷却器の小形化を図ることがで
きる電気車用制御装置を提供することを目的とするもの
である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is intended to reduce the size of a cooler by calculating a temperature change rate of a semiconductor element and controlling a switching frequency of an inverter. It is an object of the present invention to provide a control device for an electric vehicle that can perform the following. further,
It is an object of the present invention to provide a control device for an electric vehicle that can reduce the size of a cooler by stopping an inverter when a temperature change rate is equal to or greater than a failure determination value.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この発明に係わる電気車
用制御装置は、所定のスイッチング周波数でスイッチン
グされる半導体素子で構成されたインバータにより電車
線の直流電力を交流電力に変換して交流電動機を駆動
し、ブレーキ時に交流電動機を介して回生電力を電車線
に送り出すようにした電気車用制御装置において、半導
体素子の時間に対する温度変化率が設定値以上になった
とき、半導体素子のスイッチング周波数を低下させる制
御手段を備えたものである。また、半導体素子の時間に
対する温度変化率が設定値以下であるとき、半導体素子
のスイッチング周波数を増加させる制御手段を備えたも
のである。さらに、半導体素子の時間に対する温度変化
率が半導体素子の冷却器の故障と認識される故障判定値
以上になったときインバータを停止させる制御手段を備
えたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An electric vehicle control device according to the present invention converts DC power of a train line into AC power by an inverter composed of a semiconductor element that is switched at a predetermined switching frequency to obtain an AC motor. When the temperature change rate of the semiconductor element with respect to time becomes equal to or more than a set value, the switching frequency of the semiconductor element is controlled in an electric vehicle control device that drives regenerative electric power to an electric train line via an AC motor during braking. Control means for reducing the Further, when the temperature change rate of the semiconductor element with respect to time is equal to or less than a set value, the semiconductor device is provided with control means for increasing the switching frequency of the semiconductor element. Further, a control means is provided for stopping the inverter when a temperature change rate of the semiconductor element with respect to time becomes equal to or greater than a failure determination value recognized as a failure of the cooler of the semiconductor element.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は実施の形態
1の構成図である。図1において、10は電車線で、直
流電力が供給される。11はパンタグラフ、12は遮断
器、13は接触器、14は平滑リアクトル、15は平滑
コンデンサ、16は過電圧保護手段で、回路の過電圧を
保護する。17は可変電圧・可変周波数形のインバータ
で、可制御のパワーMOSFET、IGBT等の半導体
素子18で構成されている。なお、半導体素子18は冷
却器(図示せず)により所定の温度以下になるように冷
却されている。19はインバータ17から交流電力が供
給される交流電動機で、電気車を駆動する。20は温度
センサで、半導体素子18の温度を検出して温度検出信
号20aを出力する。21は温度検出信号20aが入力
される制御手段で、温度変化率を算出して温度変化率が
設定値を超えたとき、スイッチング周波数を低下させる
制御信号21aを出す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 is a configuration diagram of the first embodiment. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a train line to which DC power is supplied. 11 is a pantograph, 12 is a circuit breaker, 13 is a contactor, 14 is a smoothing reactor, 15 is a smoothing capacitor, and 16 is an overvoltage protection means for protecting the circuit from overvoltage. Reference numeral 17 denotes a variable voltage / variable frequency type inverter, which comprises a controllable semiconductor device 18 such as a power MOSFET or IGBT. Note that the semiconductor element 18 is cooled by a cooler (not shown) so as to have a predetermined temperature or lower. An AC motor 19 to which AC power is supplied from the inverter 17 drives an electric vehicle. A temperature sensor 20 detects the temperature of the semiconductor element 18 and outputs a temperature detection signal 20a. Reference numeral 21 denotes a control unit to which the temperature detection signal 20a is input, calculates a temperature change rate, and outputs a control signal 21a for lowering the switching frequency when the temperature change rate exceeds a set value.

【0007】次に動作について説明する。図2は図1の
動作を説明するフローチャートである。図1及び図2に
おいて、通常の力行運転、即ち交流電動機19の駆動力
により電気車が駆動される場合は、遮断器12及び接触
器13が投入された状態でインバータ17で変換された
交流電力が交流電動機19に供給される。また、ブレー
キ時には交流電動機19で発生した交流電力をインバー
タ17で直流電力に変換して、パンタグラフ11から回
生電力として電車線10へ送り出すことにより回生運転
が行われる。そして、送り出された直流電力は電車線1
0から電力の供給を受けている別の電気車が消費する
が、消費電力が少ないと電車線10の電圧が上昇するの
で、過電圧保護手段16が動作して保護する。ここで、
地上と地下とが混在する路線では環境条件として周囲温
度の差が大きい。このため、半導体素子18の冷却条件
としては地上における夏季の最高周囲温度が採用されて
いる。
Next, the operation will be described. FIG. 2 is a flowchart illustrating the operation of FIG. 1 and 2, when the electric vehicle is driven by the normal power running operation, that is, when the electric vehicle is driven by the driving force of the AC motor 19, the AC power converted by the inverter 17 with the circuit breaker 12 and the contactor 13 turned on is shown. Is supplied to the AC motor 19. During braking, the AC power generated by the AC motor 19 is converted into DC power by the inverter 17 and sent out from the pantograph 11 as regenerative power to the train line 10 to perform regenerative operation. Then, the transmitted DC power is transmitted to the train line 1
Another electric vehicle that receives power supply from 0 consumes it. However, if the power consumption is small, the voltage of the train line 10 rises, and the overvoltage protection means 16 operates to protect. here,
On routes where both ground and underground coexist, there is a large difference in ambient temperature as an environmental condition. For this reason, the maximum ambient temperature in the summer on the ground is adopted as the cooling condition of the semiconductor element 18.

【0008】従って、地下路線を走行している場合は冷
却能力に余力があるので、インバータ17は最高のスイ
ッチング周波数により運転される。因みに、スイッチン
グ周波数を可聴周波数以上に上げることにより騒音を低
減させることができるが、半導体素子18の電力損失は
増大するので、優先度を考慮して図2に示すように最適
のスイッチング周波数が決定される(ステップS1 )。
半導体素子18の温度を温度センサ20で検出(ステッ
プS2 )して温度検出信号20aが出力される。温度検
出信号20aが入力された制御手段21は、t0 秒前の
半導体素子18の温度T0 ゜C及び現時点tにおける半
導体素子18の温度T゜Cから時間に対する温度変化率
(T−T0 )/(t−t0 )を算出する。そして、算出
された温度変化率が地下から地上に出たときの温度変化
として認識される値に設定された温度変化率の設定値を
超えていないとき(ステップS3 )は、制御手段21で
選択された最適のスイッチング周波数(ステップS4
に対応した制御信号21aがインバータ17に指令され
る。
[0008] Accordingly, when traveling on an underground line, there is a margin in cooling capacity, and the inverter 17 is operated at the highest switching frequency. Incidentally, the noise can be reduced by increasing the switching frequency to an audible frequency or higher, but the power loss of the semiconductor element 18 increases. Therefore, the optimum switching frequency is determined as shown in FIG. Is performed (step S 1 ).
The temperature of the semiconductor element 18 detected by the temperature sensor 20 (step S 2) to the temperature detection signal 20a is output. The control means 21 to which the temperature detection signal 20a has been input receives the temperature change rate (T−T 0) with respect to time from the temperature T 0゜ C of the semiconductor element 18 before t 0 seconds and the temperature T ゜ C of the semiconductor element 18 at the current time t. ) / (T−t 0 ) is calculated. When the calculated temperature change rate does not exceed the set value of the temperature change rate set to a value recognized as a temperature change when the vehicle goes from underground to above ground (step S 3 ), the control means 21 determines The selected optimal switching frequency (step S 4 )
Is instructed to the inverter 17.

【0009】また、温度変化率が設定値を超えている
(ステップS3 )ときは、制御手段21が制御信号21
aを出してインバータ17のスイッチング周波数を低下
させることにより、半導体素子18の損失を低減させ
る。スイッチング周波数を低下させても温度変化率が設
定値を超えていて、スイッチング周波数が制御可能な最
低値以上のとき(ステップS5 )は、さらに制御手段2
1からスイッチング周波数を低下させる制御信号21a
がインバータ17に指令される(ステップS6 )。し
かし、インバータ17が安定的に動作可能な最低のスイ
ッチング周波数以下になっても(ステップS5 )温度変
化率が設定値を超えているときは、インバータ17の出
力を減らして半導体素子18の温度上昇を抑制する(ス
テップS7 )。さらに、インバータ17の出力を減らし
ても温度変化率が設定値を超えている場合は、インバー
タ17に異常が発生したものとしてインバータ17を停
止させる(ステップS8 )。なお、インバータ17が安
定的に動作可能な最低のスイッチング周波数以下になっ
た(ステップS5 )場合には、インバータ17を停止さ
せてもよい。
When the temperature change rate exceeds the set value (step S 3 ), the control means 21 controls the control signal 21.
By reducing the switching frequency of the inverter 17 by outputting a, the loss of the semiconductor element 18 is reduced. If the temperature change rate exceeds the set value even if the switching frequency is lowered and the switching frequency is equal to or higher than the controllable minimum value (step S 5 ), the control means 2 is further activated.
Control signal 21a for reducing the switching frequency from 1
There is commanded to the inverter 17 (step S 6). However, even if the temperature becomes lower than the minimum switching frequency at which the inverter 17 can operate stably (step S 5 ), if the temperature change rate exceeds the set value, the output of the inverter 17 is reduced to reduce the temperature of the semiconductor element 18. inhibit increase (step S 7). Further, if the temperature change rate exceeds the set value even when the output of the inverter 17 is reduced, it is determined that an abnormality has occurred in the inverter 17 and the inverter 17 is stopped (step S 8 ). Note that when the inverter 17 is equal to or less than the switching frequency of stably operable minimum (Step S 5) may be an inverter 17 is stopped.

【0010】以上のように、半導体素子18の時間に対
する温度変化率が設定値以上になったとき、制御手段2
1から制御信号21aを出して半導体素子18のスイッ
チング周波数を低下させて半導体素子18の温度上昇を
抑制することにより、冷却器の小形化を図ることができ
る。さらに、例えば地上から地下の路線に入った場合の
ように、半導体素子18の時間に対する温度変化率が設
定値以下になったとき、制御手段21から制御信号21
aを出して設計段階で冷却器の容積、冷却器の能力等か
ら決められた範囲内で半導体素子18のスイッチング周
波数を上げることにより、走行時におけるインバータ1
7の騒音を低減させることができる。
As described above, when the temperature change rate of the semiconductor element 18 with respect to time becomes equal to or greater than the set value, the control means 2
By outputting the control signal 21a from 1 to reduce the switching frequency of the semiconductor element 18 and suppress the temperature rise of the semiconductor element 18, the size of the cooler can be reduced. Further, when the rate of temperature change of the semiconductor element 18 with respect to time becomes equal to or less than a set value, for example, when the vehicle enters an underground line from the ground, the control signal 21
a to increase the switching frequency of the semiconductor element 18 within a range determined by the capacity of the cooler, the capacity of the cooler, and the like in the design stage.
7 can be reduced.

【0011】実施の形態2.図3は実施の形態2の構成
図である。図3において、10〜20は実施の形態1の
ものと同様のものである。22は温度検出信号20aが
入力される制御手段で、温度変化率を算出し温度変化率
が故障判定値を超えたとき、インバータ17を停止させ
る停止信号22aを出力する。さらに、制御手段22は
温度変化率が故障判定値より低く、実施の形態1と同様
に設定された設定値を超えたとき、インバータ17のス
イッチング周波数を低下させる制御信号22bを出力す
る。次に動作について説明する。図4は図3の動作を説
明するフローチャートである。図3及び図4において、
通常の力行運転及びブレーキ時における回生運転は実施
の形態1と同様に行われる。
Embodiment 2 FIG. 3 is a configuration diagram of the second embodiment. In FIG. 3, reference numerals 10 to 20 are the same as those in the first embodiment. Reference numeral 22 denotes a control unit to which the temperature detection signal 20a is input, calculates a temperature change rate, and outputs a stop signal 22a for stopping the inverter 17 when the temperature change rate exceeds a failure determination value. Further, when the temperature change rate is lower than the failure determination value and exceeds the set value set as in the first embodiment, the control means 22 outputs a control signal 22b for lowering the switching frequency of the inverter 17. Next, the operation will be described. FIG. 4 is a flowchart illustrating the operation of FIG. 3 and 4,
Normal power running operation and regenerative operation during braking are performed in the same manner as in the first embodiment.

【0012】地上又は地下の路線環境に応じてインバー
タ17は、最適のスイッチング周波数で制御されている
(ステップS1 )。そして、半導体素子18の温度を温
度センサ20で検出(ステップS2 )して温度検出信号
20aが出力される。温度検出信号20aが入力された
制御手段22は、t0 秒前の半導体素子18の温度T0
゜C及び現時点tにおける半導体素子18の温度T゜C
から時間に対する温度変化率(T−T0 )/(t−
0 )を算出する。そして、温度変化率が冷却器(図示
せず)の故障として認識される値に設定された故障判定
値以下(ステップS 3 )で、さらに設定値を超えていな
いとき(ステップS4 )は、制御手段22で選択された
最適のスイッチング周波数(ステップS5 )に対応した
制御信号22aがインバータ17に指令される。また、
温度変化率が故障判定値以下(ステップS3 )で、設定
値を超えているが、スイッチング周波数が制御可能な最
低値以上のとき(ステップS6 )は、制御手段22か
らスイッチング周波数を低下させる制御信号22aがイ
ンバータ17に指令される(ステップS7 )。
[0012] Invar according to the above-ground or underground line environment
Is controlled at an optimum switching frequency.
(Step S1). Then, the temperature of the semiconductor element 18 is increased.
Detected by the degree sensor 20 (step STwo) Then the temperature detection signal
20a is output. Temperature detection signal 20a is input
The control means 22 calculates t0The temperature T0 of the semiconductor element 18 two seconds before
゜ C and the temperature T ゜ C of the semiconductor element 18 at the present time t
From time to temperature change (T-T0) / (T-
t0) Is calculated. And the rate of temperature change is the
Failure determination set to a value recognized as a failure
Value or less (Step S Three).
(Step SFour) Is selected by the control means 22
Optimal switching frequency (step SFive) Corresponding to
Control signal 22a is commanded to inverter 17. Also,
The temperature change rate is equal to or less than the failure determination value (step SThree), Set
Value, but the maximum switching frequency can be controlled.
When the value is higher than the low value (step S6) Is the control means 22
Control signal 22a for lowering the switching frequency from
Command to the inverter 17 (step S7).

【0013】しかし、インバータ17が安定して動作可
能な最低のスイッチング周波数以下になっても(ステッ
プS6 )温度変化率が設定値を超えているときは、イン
バータ17の出力を減らして半導体素子18の温度上昇
を抑制する(ステップS8)。なお、インバータ17が
安定して動作可能な最低のスイッチング周波数以下にな
った(ステップS6 )場合には、インバータ17を停止
させてもよい。さらに、インバータ17の出力を減らし
ても温度変化率が設定値を超えている場合は、インバー
タ17に異常が発生したものとして制御手段22が停止
信号22bを出してインバータ17を停止させる(ステ
ップS9 )。一方、温度変化率が故障判定値を超えた
(ステップS3 )ときは、半導体素子18の冷却器(図
示せず)が故障したものとして、制御手段22が停止信
号22bを出してインバータ17を停止させる(ステッ
プS9 )。なお、冷却器(図示せず)の故障は例えば、
ゴミの付着、冷媒の液もれ等の原因により冷却能力が低
下することが考えられる。以上のように、冷却器(図示
せず)の故障時のように急激に半導体素子18の温度が
上昇するような場合でも、半導体素子18の時間に対す
る温度変化率が故障判定値以上になったとき、制御手段
22から停止信号22bを出して半導体素子18のスイ
ッチング動作を停止させることにより、半導体素子18
の温度が所定の温度まで上昇する前にスイッチング動作
を停止させるので、冷却器(図示せず)の冷却能力に余
力を持たせる必要がないため、冷却器の小形化を図るこ
とができる。
However, even if the temperature becomes lower than the lowest switching frequency at which the inverter 17 can operate stably (step S 6 ), if the temperature change rate exceeds the set value, the output of the inverter 17 is reduced to reduce the semiconductor element. The temperature rise at step 18 is suppressed (step S 8 ). If the switching frequency becomes lower than the lowest switching frequency at which the inverter 17 can operate stably (step S 6 ), the inverter 17 may be stopped. Further, if the temperature change rate exceeds the set value even when the output of the inverter 17 is reduced, the control unit 22 issues a stop signal 22b and stops the inverter 17 assuming that an abnormality has occurred in the inverter 17 (Step S). 9 ). On the other hand, when the temperature change rate exceeds the failure determination value (step S 3 ), it is determined that the cooler (not shown) of the semiconductor element 18 has failed, and the control means 22 issues a stop signal 22b to activate the inverter 17. stopping (step S 9). The failure of the cooler (not shown) is, for example,
It is conceivable that the cooling capacity is reduced due to adhesion of dust, leakage of the coolant, or the like. As described above, even when the temperature of the semiconductor element 18 suddenly rises as in the case of a failure of a cooler (not shown), the temperature change rate of the semiconductor element 18 with respect to time becomes equal to or greater than the failure determination value. At this time, the stop signal 22b is output from the control means 22 to stop the switching operation of the semiconductor element 18, whereby the semiconductor element 18
Since the switching operation is stopped before the temperature of the cooler rises to a predetermined temperature, there is no need to provide a cooling capacity of a cooler (not shown), so that the cooler can be downsized.

【0014】[0014]

【発明の効果】この発明によれば、半導体素子の時間に
対する温度変化率が設定値以上になったとき、半導体素
子のスイッチング周波数を低下させて半導体素子の温度
上昇を抑制することにより、冷却器の小形化を図ること
ができる。また、半導体素子の時間に対する温度変化率
が設定値以下になったとき、半導体素子のスイッチング
周波数を上げるようにしたことにより、冷却器の能力を
増大することなくインバータの騒音を低減させることが
できる。さらに、半導体素子の時間に対する温度変化率
が故障判定値以上になったとき、半導体素子のスイッチ
ング動作を停止させることにより、半導体素子の温度が
所定の温度まで上昇する前にスイッチング動作を停止さ
せるので、冷却器の冷却能力に余力を持たせる必要がな
いため、冷却器の小形化を図ることができる。
According to the present invention, when the rate of temperature change of the semiconductor device with respect to time becomes equal to or greater than a set value, the switching frequency of the semiconductor device is reduced to suppress the temperature rise of the semiconductor device. Can be reduced in size. Further, when the temperature change rate of the semiconductor element with respect to time becomes equal to or less than the set value, the switching frequency of the semiconductor element is increased, so that the noise of the inverter can be reduced without increasing the capacity of the cooler. . Further, when the temperature change rate of the semiconductor element with respect to time becomes equal to or greater than the failure determination value, the switching operation of the semiconductor element is stopped, so that the switching operation is stopped before the temperature of the semiconductor element rises to a predetermined temperature. In addition, since it is not necessary to provide extra capacity for the cooling capacity of the cooler, the size of the cooler can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1の動作を説明するフローチャートであ
る。
FIG. 2 is a flowchart illustrating the operation of FIG.

【図3】 この発明の実施の形態2の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a second embodiment of the present invention.

【図4】 図3の動作を説明するフローチャートであ
る。
FIG. 4 is a flowchart illustrating the operation of FIG.

【図5】 従来の電気車用制御装置の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional electric vehicle control device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 電車線、17 インバータ、18 半導体素子、
19 交流電動機、21,22 制御手段。
10 train lines, 17 inverters, 18 semiconductor elements,
19 AC motor, 21, 22 control means.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定のスイッチング周波数でスイッチン
グされる半導体素子で構成されたインバータにより電車
線の直流電力を交流電力に変換して交流電動機を駆動
し、ブレーキ時に上記交流電動機を介して回生電力を上
記電車線に送り出すようにした電気車用制御装置におい
て、上記半導体素子の時間に対する温度変化率が設定値
以上になったとき、上記半導体素子の上記スイッチング
周波数を低下させる制御手段を備えたことを特徴とする
電気車用制御装置。
An AC motor is driven by converting DC power of a train line into AC power by an inverter constituted by a semiconductor element switched at a predetermined switching frequency, and regenerative power is supplied via the AC motor during braking. The control device for an electric vehicle configured to send out to the train line, the control device for reducing the switching frequency of the semiconductor element when a temperature change rate of the semiconductor element with respect to time becomes equal to or more than a set value. A control device for an electric vehicle.
【請求項2】 所定のスイッチング周波数でスイッチン
グされる半導体素子で構成されたインバータにより電車
線の直流電力を交流電力に変換して交流電動機を駆動
し、ブレーキ時に上記交流電動機を介して回生電力を上
記電車線に送り出すようにした電気車用制御装置におい
て、上記半導体素子の時間に対する温度変化率が設定値
以下であるとき、上記半導体素子のスイッチング周波数
を増加させる制御手段を備えたことを特徴とする電気車
制御装置。
2. An AC motor is driven by converting DC power of a train line into AC power by an inverter formed of a semiconductor element switched at a predetermined switching frequency, and regenerative power is supplied via the AC motor at the time of braking. The control device for an electric vehicle configured to send out to the train line, wherein the control device increases a switching frequency of the semiconductor element when a temperature change rate of the semiconductor element with respect to time is equal to or less than a set value. Electric car control device.
【請求項3】 所定のスイッチング周波数でスイッチン
グされる半導体素子で構成されたインバータにより電車
線の直流電力を交流電力に変換して交流電動機を駆動
し、ブレーキ時に上記交流電動機を介して回生電力を上
記電車線に送り出すようにして電気車用制御装置におい
て、上記半導体素子の時間に対する温度変化率が半導体
素子の冷却器の故障と認識される故障判定値以上になっ
たとき上記インバータを停止させる制御手段を備えたこ
とを特徴とする電気車用制御装置。
3. An AC motor is driven by converting DC power of a train line into AC power by an inverter composed of a semiconductor element switched at a predetermined switching frequency, and regenerative power is supplied via the AC motor during braking. A control for stopping the inverter when the temperature change rate with respect to time of the semiconductor element is equal to or greater than a failure determination value recognized as a failure of the cooler of the semiconductor element in the electric vehicle control device so that the inverter is sent to the train line. A control device for an electric vehicle, characterized by comprising means.
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